KR20070069455A - 웨이퍼의 에지 비드 제거장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 에지 비드 제거장치에 관한 것으로서, 스핀 코터의 회전척상에 척킹된 웨이퍼에 포토레지스트 코팅 후 포토레지스트에 의해 웨이퍼의 에지부분에 형성되는 비드를 제거하는 장치에 있어서, 회전척의 상측에 설치되며, 회전하는 웨이퍼 에지부분의 비드를 향하여 유기용제를 분사하는 유기용제분사노즐과, 유기용제에 의해 웨이퍼 에지부분으로부터 분리되는 포토레지스트를 기체의 분사에 의해 외측으로 제거시키도록 회전척의 상측에 설치되는 기체샤우어를 포함한다. 따라서, 본 발명은 웨이퍼 에지부분의 비드를 이루는 포토레지스트를 유기용제에 의해 웨이퍼로부터 분리시킨 다음 분리된 포토레지스트를 기체의 압력으로 외측으로 제거시킴으로써 웨이퍼의 에지 비드를 효과적으로 제거하고, 이에 소모되는 유기용제의 양을 줄이며, 공정시간을 단축하여 반도체 소자의 수율 향상에 기여하는 효과를 가지고 있다.

스핀 코터, 포토레지스트, 유기용제, 비드

Description

웨이퍼의 에지 비드 제거장치{APPARATUS FOR BEAD IN THE EDGE OF A SEMICONDUCTOR WAFER}

도 1은 종래의 기술에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치를 도시한 사시도이고,

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치를 도시한 사시도이고,

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치의 작용을 도시한 측면도이고,

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치를 도시한 평단면도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

110 : 유기용제분사노즐 120 : 기체샤우어

본 발명은 웨이퍼의 에지 비드 제거장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 에지 비드를 효과적으로 제거하고, 이에 소모되는 유기용제의 양을 줄이며, 공정시간을 단축하는 웨이퍼의 에지 비드 제거장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자는 노광공정, 확산공정, 식각공정, 화학기상증착공정 등 다양한 단위공정을 실시함으로써 제조된다. 이러한 단위공정중에서 노광공정은 포토마스크 또는 레티클의 패턴을 투영 광학계를 통하여 표면에 포토레지스트(photo resist: "PR"이라고도 함) 등의 감광 재료가 도포된 웨이퍼상에 전사함으로써 웨이퍼에 소정의 패턴을 형성시킨다.

노광공정에서 웨이퍼 표면에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트 도포처리에 있어서 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 균일하게 도포하기 위한 장치로서 웨이퍼를 회전시켜서 웨이퍼상에 포토레지스트를 원심력에 의해 고르게 도포하는 스핀 코터(spin coater)가 널리 사용되고 있다.

이러한 스핀 코터를 이용하여 웨이퍼에 포토레지스트를 도포시킬 경우 웨이퍼 회전에 따른 원심력에 의해 웨이퍼 에지부분에 포토레지스트가 비드 형태로 뭉쳐져서 남게 되는 경우가 빈번히 발생하고, 이러한 웨이퍼의 에지 비드는 자동화 기기에 의한 웨이퍼 이송중에 발생되는 접촉에 의하여 벗겨져서 후속 공정에서 파티클로 작용하여 반도체 소자의 불량을 일으키는 원인이 된다.

그러므로, 스핀 코터에는 이러한 웨이퍼의 에지 비드를 제거하기 위한 장치가 마련되는데, 종래의 스핀 코터에 마련되는 웨이퍼의 에지 비드를 제거하는 장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 기술에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치를 도시한 사시도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치(10)는 스핀 코터(20)의 회전척(21) 상측에 설치되어 웨이퍼(W) 에지부분의 비드를 향하여 신너 등과 같은 유기용제를 분사하는 유기용제분사노즐이다.

이와 같은 종래의 웨이퍼의 에지 비드 제거장치(10)는 스핀 코터(20)의 포토레지스트분사노즐(22)로부터 분사되어 원심력에 의해 웨이퍼(W) 표면을 코팅 후 포토레지스트에 의해 웨이퍼(W) 에지에서 2mm 정도의 포토레지스트를 제거한다.

그러나, 이러한 종래의 웨이퍼의 에지 비드 제거장치(10)는 웨이퍼(W)의 에지부분에 포토레지스트로 이루어진 비드를 제거하기 위하여 다량의 신너를 장시간동안 분사하여야 하기 때문에 웨이퍼의 에지 비드를 제거하는데 많은 양의 신너를 필요로 하며, 많은 시간이 소요되는 문제점을 가지고 있었다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 에지부분의 비드를 이루는 포토레지스트를 유기용제에 의해 웨이퍼로부터 분리시킨 다음 분리된 포토레지스트를 기체의 압력으로 외측으로 제거시킴으로써 웨이퍼의 에지 비드를 효과적으로 제거하고, 이에 소모되는 유기용제의 양을 줄이며, 공정시간을 단축하여 반도체 소자의 수율 향상에 기여하는 웨이퍼의 에지 비드 제거장치를 제공하는데 있다.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 스핀 코터의 회전척상에 척킹된 웨이퍼에 포토레지스트 코팅 후 포토레지스트에 의해 웨이퍼의 에지부분에 형성되는 비드를 제거하는 장치에 있어서, 회전척의 상측에 설치되며, 회전하는 웨이퍼 에지부분의 비드를 향하여 유기용제를 분사하는 유기용제분사노즐과, 유기용제에 의해 웨이퍼 에지부분으로부터 분리되는 포토레지스트를 기체의 분사에 의해 외측 으로 제거시키도록 회전척의 상측에 설치되는 기체샤우어를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치의 작용을 설명하기 위한 측면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치(100)는 스핀 코터(20)의 회전척(21)상에 척킹된 웨이퍼(W)의 에지 비드를 향하여 유기용제를 분사하는 유기용제분사노즐(110)과, 유기용제에 의해 웨이퍼(W)의 에지부분으로부터 분리되는 포토레지스트를 기체의 분사압력에 의해 외측으로 제거시키는 기체샤우어(120)를 포함한다.

유기용제분사노즐(110)은 회전척(21)의 상측에 설치되며, 회전하는 웨이퍼(W) 에지부분의 비드를 향하여 신너 등과 같은 유기용제를 분사하여 비드를 이루는 포토레지스트를 웨이퍼(W)로부터 분리시킨다.

기체샤우어(120)는 회전척(21)의 상측에 설치되며, 외부의 기체공급부(미도시)로부터 일정 압력 이상의 기체를 공급받아 회전척(21)에 척킹되어 회전하는 웨이퍼(W)의 에지 비드를 향하여 기체를 분사함으로써 유기용제에 의해 웨이퍼(W)의 에지부분으로 분리되는 포토레지스트를 기체의 분사 압력에 의해 외측으로 제거시 킨다.

기체샤우어(120)는 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W) 에지부분에서 유기용제분사노즐(110)에 의해 유기용제가 분사되는 지점을 벗어난 지점에 기체를 분사하는 것이 바람직하다. 따라서, 유기용제분사노즐(110)로부터 분사되는 유기용제가 기체의 분사압력에 영향을 받지 않고 웨이퍼(W)의 에지 비드에 정확하게 분사되도록 한다.

기체샤우어(120)는 웨이퍼(W)의 원심력 작용방향, 즉 웨이퍼(W)의 외측방향으로 경사지게 기체를 분사하도록 설치됨이 바람직하며, 이를 위해 본 실시예에서처럼 끝단(121)이 일정 각도로 꺾이도록 형성될 수 있다. 따라서, 기체샤우어(120)로부터 분사되는 기체가 웨이퍼(W)에 작용하는 원심력방향으로 이동하게 됨으로써 웨이퍼(W)의 에지부분으로부터 분리되는 포토레지스트가 외측으로 쉽게 제거되도록 한다.

이와 같은 구조로 이루어진 웨이퍼의 에지 비드 제거장치의 동작은 다음과 같이 이루어진다.

스핀 코터(20)의 포토레지스분사노즐(22)로부터 분사되어 원심력에 의해 웨이퍼(W) 표면을 코팅 후 포토레지스트에 의해 웨이퍼(W) 에지부분에 형성되는 비드를 향하여 유기용제분사노즐(110)이 신너 등과 같은 유기용제를 분사함으로써 비드를 이루던 포토레지스트를 웨이퍼(W)로부터 일차적으로 분리되도록 한다.

이 때, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W) 에지부분으로부터 분리되는 포토레지스트는 기체샤우어(120)로부터 분사되는 기체의 분사압력에 의해 외측으로 제거되며, 기체샤우어(120)는 도 4에 도시된 바와 같이, 유기용제분사노즐(110)로부터 유기용제가 분사되는 지점을 벗어난 지점에 기체를 분사하도록 하여 유기용제분사노즐(110)로부터 분사되는 유기용제가 기체의 분사압력에 영향을 받지 않고 원하는 지점에 정확하게 유기용제를 분사하도록 한다.

또한, 기체샤우어(120)가 웨이퍼(W)의 원심력 작용방향으로 기체를 분사하도록 함으로써 회전척(21)에 의해 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력이 가중됨으로써 포토레지스트를 웨이퍼(W)의 에지부분으로부터 쉽게 분리되도록 한다.

이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼(W) 에지부분의 비드를 이루는 포토레지스트를 유기용제에 의해 웨이퍼(W)로부터 일차적으로 분리시킨 다음 분리된 포토레지스트를 기체의 압력으로 외측으로 제거시킴으로써 웨이퍼(W)의 에지 비드를 효과적으로 제거하고, 이에 소모되는 유기용제의 양을 줄이며, 공정시간을 단축한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치는 웨이퍼 에지부분의 비드를 이루는 포토레지스트를 유기용제에 의해 웨이퍼로부터 분리시킨 다음 분리된 포토레지스트를 기체의 압력으로 외측으로 제거시킴으로써 웨이퍼의 에지 비드를 효과적으로 제거하고, 이에 소모되는 유기용제의 양을 줄이며, 공정시간을 단축하여 반도체 소자의 수율 향상에 기여하는 효과를 가지고 있다.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 웨이퍼의 에지 비드 제거장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (3)

1. 스핀 코터의 회전척상에 척킹된 웨이퍼에 포토레지스트 코팅 후 상기 포토레지스트에 의해 상기 웨이퍼의 에지부분에 형성되는 비드를 제거하는 장치에 있어서,

   상기 회전척의 상측에 설치되며, 회전하는 상기 웨이퍼 에지부분의 비드를 향하여 유기용제를 분사하는 유기용제분사노즐과,

   상기 유기용제에 의해 상기 웨이퍼 에지부분으로부터 분리되는 포토레지스트를 기체의 분사에 의해 외측으로 제거시키도록 상기 회전척의 상측에 설치되는 기체샤우어

   를 더 포함하는 웨이퍼의 에지 비드 제거장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 기체샤우어는,

   상기 웨이퍼 에지부분에서 상기 유기용제가 분사되는 지점을 벗어난 지점에 기체를 분사하는 것

   을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 비드 제거장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 기체샤우어는,

   상기 웨이퍼의 원심력 작용방향을 향하여 경사지게 기체를 분사하도록 설치되는 것

   을 특징으로 하는 웨이퍼의 에지 비드 제거장치.

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