KR20070065779A - 듀플렉서 및 상기 듀플렉서를 구비한 휴대형 통신장치 - Google Patents

듀플렉서 및 상기 듀플렉서를 구비한 휴대형 통신장치 Download PDF

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KR20070065779A
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Abstract

듀플렉서 및 상기 듀플렉서를 구비한 이동 통신장치가 개시된다. 상기 듀플렉서는 다층 구조를 갖는 패키지 내에 수신신호의 위상을 정합하는 위상 정합회로 및 송신신호의 대역 이외에 대한 억압도를 실현하는 인덕터를 각각 마이크로 스트립 라인의 형태로 형성하고, 상기 마이크로 스트립 라인들 중 하나인 제1 마이크로 스트립 라인을 상기 패키지 내의 어느 한 층에 형성하고, 상기 마이크로 스트립 라인들 중 다른 하나인 제2 마이크로 스트립 라인을 상기 다층 구조를 관통하는 형태로 형성하는 것을 특징으로 함으로써, 세라믹 패키지 안에 제작되는 위상 정합회로와 인덕터의 마이크로 스트립 라인들을 수평 방향과 수직 방향으로 형성함으로써, 각각의 마이크로 스트립 라인들에서 발생하는 전자계의 방향을 직교로 하여 서로 작용하는 전자계의 영향을 최소화하여, 듀플렉서의 성능을 개선하도록 한다.

Description

듀플렉서 및 상기 듀플렉서를 구비한 휴대형 통신장치{Duplexer and mobile communnication apparatus using the duplexer}
도 1은 종래의 위상 정합회로 및 인덕터에 대한 세라믹 패키지의 외관을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 세라믹 패키지의 층별 패턴을 도시한 설명도이다.
도 3은 도 1의 세라믹 패키지의 측면도이다.
도 4는 종래의 전자기적인 영향에 따른 마이크로 스트립 라인들 사이의 차단 특성을 도시한 설명도이다.
도 5는 본 발명의 듀플렉서의 기본 구성을 도시한 일 실시예의 설명도이다.
도 6은 본 발명의 듀플렉서의 기본 구성을 도시한 다른 실시예의 설명도이다.
도 7은 본 발명에 의한 세라믹 패키지의 외관을 도시한 사시도이다.
도 8은 도 7의 세라믹 패키지의 층별 패턴을 도시한 설명도이다.
도 9는 도 8의 제3층의 또 다른 일 실시예의 도면이다.
도 10은 도 7의 세라믹 패키지를 제1 방향에서 본 측면도이다.
도 11은 도 7의 세라믹 패키지를 제2 방향에서 본 측면도이다.
도 12는 본발명에 대한 전자기적인 영향에 따른 마이크로 스트립 라인들 사 이의 차단 특성을 도시한 설명도이다.
도 13은 본 발명에 따른 듀플렉서의 외관을 도시한 설명도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명>
100: 듀플렉서
110: 안테나 단자
120: 위상 정합 회로
130: 수신 필터
140: 송신 필터
150: 인덕터
200: 세라믹 패키지
210: 제1층
220: 제2층
221, 231, 241: 제2 마이크로 스트립 라인
222: 제1 그라운드 플레인
230: 제3층
232: 제1 마이크로 스트립 라인
240: 제4층
242: 제2 그라운드 플레인
본 발명은 듀플렉서 및 이동 통신 장치에 관한 것으로서, 특히 휴대전화 등의 단말에서 송수신 통화를 하는 통신 방식에 사용되는 듀플렉서 및 이동 통신 장치에 관한 것이다.
최근 휴대전화 등의 이동체 통신기기가 널리 보급되는 가운데 거기에 사용되는 전자 기기의 소형화 및 고성능화 요구는 더욱더 높아지고 있다. 그 중에서 듀플렉서(분파기)는 송신 신호와 수신 신호를 분리함과 동시에 필요한 주파수대역의 신호만을 추출하는 기능을 담당하는 것으로서, 아날로그나 CDMA(Code Division Multiple Access) 방식 등의 송수신 통신 방식에서 필수적인 부품이다. 그 중에서도 탄성 표면파 필터를 사용한 탄성 표면파 듀플렉서는 유전체 듀플렉서 등에 비해 소형화 및 고성능화 등이 용이하여 최근 특히 주목받고 있다.
탄성 표면파 듀플렉서는, 예를 들면 탄성 표면파 필터와 세라믹 패키지로 이루어진다. 그 기본 구성은 일반적으로 수신 필터와 송신 필터를, 안테나 단자를 공통 단자로 하여 병렬 접속하여 구성하고, 또 접속점 사이에 위상 정합 회로가 삽입된 구성으로 되어 있다. 송신기의 탄성 표면파 필터는 광대역 및 저손실이 필요하기 때문에 현재 일반적으로 사다리형 필터가 사용되고, 또한 광대역화 및 고대역 이외의 억압도를 실현하기 위해 인덕터가 사용되고 있다. 그 인덕터와 위상 정합 회로는 다층 구조를 가진 세라믹 패키지 내에 마이크로 스트립 라인의 형태로 형성되어 있다.
도 1 내지 도 3은 다층 구조로 이루어진 세라믹 패키지에 형성된 마이크로 스트립 라인을 도시한 설명도이다.
도 1은 종래의 위상 정합회로 및 인덕터에 대한 세라믹 패키지의 외관을 도시한 사시도이다. 이 세라믹 패키지는 상층에서 하층을 향해 순서대로 제1층(10), 제2층(20), 제3층(30), 제4층(40)의 4층 구조이다.
도 2는 도 1의 세라믹 패키지의 층별 패턴을 도시한 설명도이다.
제1층(10)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 입력 포트에 해당하는 제1포트(11) 및 출력 포트에 해당하는 제2포트(12)가 형성되어 있다.
제2층(20)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 패턴(21)과 연결홀들(22 내지 24)이 형성되어 있다. 패턴(21)은, 미엔더(meander) 형상의 마이크로 스트립 라인이다. 미엔더 형상의 마이크로 스트립 라인은 작은 면적으로 배치할 수 있기 때문에 일 평면 내에 제작될 수 있다. 연결홀(22)은 제1층(10)의 제2포트(12)와 연결되고, 연결홀(24)은 제1층(10)의 제1포트(11)와 연결되어 있다.
제3층(30)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 패턴(31)과 연결홀들(32 내지 36)이 형성되어 있다. 패턴(31)은 그라운드 플레인(ground plain)이고, 마이크로 스트립 간의 전자기적인 영향을 차단하기 위해 형성되어 있다. 연결홀(35)은 제2층(20)의 연결홀(23)과 연결되고, 연결홀(36)은 제2층(20)의 연결홀(24)과 연결되어 있다.
제4층(40)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 패턴(41)과 연결홀(42 내지 47)이 형성되어 있다. 패턴(41)은 미엔더 형상의 마이크로 스트립 라인이다. 연결홀(42)은 제3층(30)의 연결홀(32)과 연결되고, 연결홀(43)은 제3층(30)의 연결홀(33)과 연결되고, 연결홀(45)는 제3층(30)의 연결홀(35)와 연결되고, 연결홀(46)은 제3층(30)의 연결홀(34)와 연결되고, 연결홀(47)은 제3층(30)의 연결홀(36)과 연결되어 있다.
도 3은 도 1의 세라믹 패키지의 제1 방향에 대한 측면도이다. 상술한 바와 같이 미엔더 형상의 마이크로 스트립 라인(21, 41)은 작은 면적으로 배치할 수 있기 때문에 일 평면 내에 제작된다. 종래의 세라믹 패키지는, 도 3에 도시한 바와 같이 마이크로 스트립 라인(21, 41)이 수평 방향으로 평행하게 형성되어 있다.
그런데, 최근의 디바이스의 소형화 및 고성능화의 요구에 대응하기 위해서는 패키지의 소형화는 필수이고, 따라서 인덕터와 위상 정합 회로의 마이크로 스트립 라인 간의 거리는 필연적으로 가까워지게 되었다. 따라서 양 마이크로 스트립 간의 전자기적인 영향이 초래되는 문제가 발생하게 되었다. 종래의 구조에서는, 도 3에 도시한 바와 같이 쌍방의 마이크로 스트립 라인이 평면상에 제작되어 있기 때문에 전류 방향이 평행하게 되어 있었다. 이 때문에 소형화하기 위해 서로 간의 거리를 짧게 하면, 상호의 전자계가 평행하게 작용함에 따라 서로 영향을 미치게 된다.
도 4는 종래의 전자기적인 영향에 따른 마이크로 스트립 라인들 사이의 차단 특성을 도시한 설명도이다. 마이크로 스트립 라인 간의 전자기적인 차단 특성이 악화되어, 도 4에 도시한 바와 같이, 대역 이외의 억압도가 저하된다는 문제이 발생한다. 전자기적인 차단 특성을 확보하기 위해, 서로의 층간에 그라운드 플레인 등의 추가층이 필요하게 됨으로써 소형화 및 저층화가 어려운 상황이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 소형이면서도 대역 이외의 감쇄량의 특성을 양호하게 개선할 수 있는 듀플렉서 및 이 듀플렉서를 구비한 이동 통신 장치를 제공하는데 있다.
상기의 과제를 이루기 위해, 본 발명에 의한 듀플렉서는 다층 구조를 갖는 패키지 내에 수신신호의 위상을 정합하는 위상 정합회로 및 송신신호의 대역 이외에 대한 억압도를 실현하는 인덕터를 각각 마이크로 스트립 라인의 형태로 형성하고, 상기 마이크로 스트립 라인들 중 하나인 제1 마이크로 스트립 라인을 상기 패키지 내의 어느 한 층에 형성하고, 상기 마이크로 스트립 라인들 중 다른 하나인 제2 마이크로 스트립 라인을 상기 다층 구조를 관통하는 형태로 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 제1 마이크로 스트립 라인은 미엔더(meander) 형상인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 다층 구조는 제1층, 제2층, 제3층 및 제4층으로 이루어진 4층 구조로서, 상기 제1층에 입력 단자 및 출력 단자를 각각 형성하고, 상기 제2층에 상기 입력 단자 및 상기 출력 단자와 상기 제1 마이크로 스트립 라인과의 전자기적인 영향을 차단하는 제1 그라운드 플레인(ground plain)을 형성하고, 상기 제3층에 상기 제1 마이크로 스트립 라인을 형성하고, 상기 제4층에 상기 제1 마이크로 스트립 라인과 연결하기 위한 연결홀을 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 제4층에 상기 제1 마이크로 스트립 라인과 외부 출력 단 자와의 전자기적인 영향을 차단하는 제2 그라운드 플레인을 더 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 제2 마이크로 스트립 라인은 상기 제2층, 상기 제3층 및 상기 제4층을 관통하는 연결홀들로 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 제2층은 상기 제1층의 상기 입력단자와 상기 제3층의 상기 제1 마이크로 스트립 라인을 연결하기 위한 연결홀을 구비하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 제2 마이크로 스트립 라인은 상기 제1층의 상기 출력단자와 연결홀을 통해 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 위상 정합회로는 상기 수신신호를 필터링하는 수신 필터 및 상기 송신신호를 필터링하는 송신 필터와 안테나 단자 사이에 구비되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 인덕터는 상기 송신신호를 필터링하는 송신 필터와 상기 외부 출력단자 사이에 구비되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 사다리형 필터인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 표면 탄성파 필터(SAW)인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 체적 탄성파 필터(BAW)인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 상기 패키지 위에 플립 칩(flip chip) 형태로 접합되어 있는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 패키지는 세라믹 패키지인 것을 특징으로 한다.
상기의 다른 과제를 이루기 위해, 본 발명에 의한 이동 통신 장치는 전술한 듀플렉서를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 듀플렉서를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 관해서는 동일한 부호를 첨부함으로써 중복 설명을 생략한다.
도 5는 본 발명에 대한 듀플렉서의 기본 구성을 도시한 일 실시예의 설명도이다.
듀플렉서(100)는, 송신 신호와 수신 신호를 분리함과 동시에 필요한 주파수 대역의 신호만을 추출하는 것이다. 듀플렉서(100)는, 도 5에 도시한 바와 같이 안테나 단자(110)를 공통 단자로 하여 병렬 접속된 수신 필터(130) 및 송신 필터(140)와, 안테나 단자(110)와 수신 필터(130) 사이에 삽입되는 위상 정합 회로(120)와, 송신 필터(140)에 접속되는 인덕터(150)를 구비하여 구성된다.
위상 정합 회로(120)는 수신 필터(130)에 접속되고, 수신 신호의 위상 정합을 도모하기 위해 사용된다. 위상 정합 회로(120)는, 예를 들면 세라믹 패키지 내에서 미엔더(meander) 형상으로 이루어진 마이크로 스트립 라인으로서 구성할 수 있다.
도 5에 도시한 일례에서는, 위상 정합 회로(120)는 안테나 단자(110)와 수신 필터(130) 사이에 삽입되어 있는데, 본 발명은 여기에 한정되지 않는다.
도 6은 본 발명의 듀플렉서의 기본 구성을 도시한 다른 실시예의 설명도이다. 도 6에 도시한 예와 같이 위상 정합 회로(120)를 안테나 단자(110)와, 수신 필터(130) 및 송신 필터(140) 사이에 삽입하는 구성으로 해도 좋다.
수신 필터(130)는 수신 신호(RX)용 필터이다. 수신 필터(130)는, 도 5 또는 도 6에 도시한 바와 같은 사다리형 필터로 구성할 수 있다. 수신 필터(130)는 마이크로 스트립 라인(120)과 수신 단자(RX) 사이에 직렬 접속된 1 포트 SAW(Surface Acoustic Wave) 공진자(131, 132, 133)와, 이들 1포트 SAW 공진자(131, 132, 133)에 각각 접속되고, 다른 쪽 단자가 접지된 1포트 SAW 공진자(134, 135, 136)로 구성된다. 한편, 1포트 SAW 공진자(131 내지 136)는 체적 공진자 필터를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
송신 필터(140)는 송신 신호(TX)용 필터이다. 송신 필터(140)는, 예를 들면 도 5 또는 도 6에 도시한 바와 같은 사다리형 필터로서 구성할 수 있다. 송신 필터(140)는, 안테나 단자(110)와 수신 단자(TX) 사이에 직렬 접속된 1포트 SAW 공진자(141, 142, 143)와, 이들 1포트 SAW 공진자(141, 142, 143)에 각각 접속되고, 다른 쪽 단자가 인덕터에 해당하는 마이크로 스트립 라인(150)에 접속된 1포트 SAW 공진자(144, 145, 146)로 구성된다.
마이크로 스트립 라인(150)은 송신 필터(140)에 접속되고, 송신 신호의 광대역화 및 대역 이외의 억압도를 실현하기 위해 사용된다. 마이크로 스트립 라인(150)은, 예를 들면 세라믹 패키지 내에서 미엔더 형상으로 이루어진다. 이 점에 관해서는 후술하기로 한다.
도 5 또는 도 6에 도시된 위상 정합 회로(120) 및 인덕터(150)는 세라믹으로 이루어진 다층 구조를 갖는 패키지 안에 일체로서 형성되어 있다.
도 7은 본 발명에 의한 위상 정합 회로(120) 및 인덕터(150)가 일체화된 세라믹 패키지의 외관을 도시한 사시도이다.
본 실시형태에서는 일례로서, 세라믹 패키지(200)를 4층 구조로 하고, 상층에서 하층을 향해 순서대로 제1층(210), 제2층(220), 제3층(230), 제4층(240)으로 규정한다. 이하에서는 세라믹 패턴(200)의 층별 패턴에 대해서 설명하기로 한다.
도 8은 도 7의 세라믹 패키지(200)의 층별 패턴을 도시한 설명도이다.
제1층(210)에는, 도 8에 도시한 바와 같이 입력 포트인 제1포트(211) 및 출력 포트인 제2포트(212)가 형성되어 있다.
제2층(220)에는, 도 8에 도시한 바와 같이 패턴(221, 222)와 연결홀들(비어(Via)홀이라고도 함(223, 224, 225, 226 및 227))이 형성되어 있다.
패턴(221)은 제3층(230)의 패턴(231) 및 제4층(240)의 패턴(241)과 함께 제2 마이크로 스트립 라인을 형성한다. 제2 마이크로 스트립 라인에 대해서는 후술하기로 한다.
패턴(222)은 디바이스의 그라운드(접지)를 강화하여 노이즈 레벨을 낮추기 위한 제1 그라운드 플레인으로서 기능한다. 즉, 패턴(222)은 제1층(210)으로 형성된 입출력 단자인 제1포트(211) 및 제2포트(212)와, 제3층(230)에 형성된 제1 마이크로 스트립 라인(232) 사이의 전자기적인 영향을 차단하기 위해 형성된다. 연결 홀(223)은 제1층(210)의 제2포트(212)와 접속되고, 연결홀(226)은 제1층(210)의 제1포트(211)와 연결되어 있다.
제3층(230)에는, 도 8에 도시한 바와 같이 패턴(231, 232)과, 연결홀(233, 234, 235, 236, 237 및 238)이 형성되어 있다. 패턴(231)은 제2층(220)의 패턴(221) 및 제4층(240)의 패턴(241)과 함께 제2 마이크로 스트립 라인을 형성한다. 패턴(232)은 미엔더 형상의 제1 마이크로 스트립 라인이다. 미엔더 형상의 제1 마이크로 스트립 라인(232)은 작은 면적으로 배치할 수 있기 때문에 일평면 내에 제작된다.
한편, 도 8에 도시된 제1 마이크로 스트립 라인(232)의 미엔더 형상은 일례에 불과하며, 본 발명은 여기에 한정되지 않는다.
도 9는 도 8의 제3층의 또 다른 일 실시예의 도면이다. 예를 들면 도 8 (c)에 도시한 제3층의 패턴(232)의 미엔더 형상을 도 9에 도시한 패턴(232')과 같은 미엔더 형상으로 할 수도 있다.
도 8의 연결홀(234)은 제2층(220)의 연결홀(224)와 연결되고, 연결홀(236)은 제2층(220)의 연결홀(225)과 연결되고, 연결홀(237)은 제2층(220)의 연결홀(226)과 연결되고, 연결홀(238)은 제2층(220)의 연결홀(227)과 연결되어 있다.
제4층(240)에는, 도 8에 도시한 바와 같이, 패턴(241, 242)과 연결홀들(243, 244, 245, 246 및 247)이 형성되어 있다. 패턴(241)은 제2층(220)의 패턴(221) 및 제3층(230)의 패턴(231)과 함께 제2 마이크로 스트립 라인을 형성한다. 패턴(242)은 디바이스의 그라운드를 강화하여 노이즈 레벨을 낮추기 위한 제2 그라운드 플레 인으로서 기능한다. 즉, 패턴(242)은 제3층(230)에 형성된 제1 마이크로 스트립 라인(232)과, 그라운드와의 전자기적인 영향을 최소화하기 위해 형성된다. 연결홀(243)은 제3층(230)의 연결홀(233)과 연결되고, 연결홀(245)은 제3층(230)의 연결홀(235)과 연결되고, 연결홀(246)은 제3층(230)의 연결홀(236)과 연결되고, 연결홀(247)은 제3층(230)의 연결홀(238)과 연결되어 있다.
한편, 상기 실시형태의 패키지 구조에서는, 제4층(240)에 제2 그라운드 플레인의 기능을 갖는 패턴(242)를 형성한 경우에 대해서 설명했으나, 본 발명은 상기 구성에 한정되지 않으며 제2층(220)에만 제1 그라운드 플레인을 형성하고, 제4층에는 제2 그라운드 플레인을 형성하지 않는 구성으로 할 수도 있다.
도 10은 도 7의 세라믹 패키지를 제1 방향에서 본 측면도이다.
도면 중의 「Via」는 연결홀을 가리킨다. 제2층(220)의 패턴(221), 제3층(230)의 패턴(231) 및 제4층(240)의 패턴(241)에 의해 제2 마이크로 스트립 라인(250)이 형성되어 있다. 이 제2 마이크로 스트립 라인(250)은 다층 구조를 관통하도록 형성되어 있으므로, 제1 마이크로 스트립 라인(232)과 직교하는 방향(수직 방향)으로 형성되어 있는 구조이다.
도 11은 도 7의 세라믹 패키지를 제2 방향에서 본 측면도이다. 제2 마이크로 스트립 라인(250)은 도 11에 도시한 바와 같이 제2층(220)의 패턴(221), 제3층(230)의 패턴(231) 및 제4층(240)의 패턴(241)에 의해 미엔더 형상이 형성되어 있다.
도 12는 본발명에 대한 전자기적인 영향에 따른 마이크로 스트립 라인들 사 이의 차단 특성을 도시한 설명도이다. 도 12에 도시한 바와 같이, 본 실시형태에 관한 세라믹 패키지(200)에 의하면 종래의 발명과 비교하여 전자기적인 영향이 최소화됨을 확인할 수 있다. 즉, 종래 기술에 의한 전자기적인 특성인 도 4와 도 12를 비교하면, 동일한 주파수(예를 들어, 0.7[GHz])에서 종래 기술에 의한 감쇄량은 -54[dB]인데 비해, 본원발명의 한 감쇄량은 -61[dB]에 해당하는 감쇄량을 갖는다는 점에서 감쇄되는 량이 증가하여 대역 이외의 억압도를 개선시키는 특징을 갖는다. 이것은, 다층 세라믹 패키지 내에 제작되는 미엔더 형상의 마이크로 스트립 라인을 수평 방향과 수직 방향으로 하고, 각각의 미엔더 라인에 흐르는 전류의 방향을 직교로 함으로써 각각에 발생하는 자계의 방향이 직교되어 서로 작용하는 전자계의 영향이 적어져 마이크로 스트립 라인 간의 전자기적인 영향이 최소화되었기 때문이다.
한편, 전술한 위상 정합회로 및 인덕터를 형성하기 위한 다층 구조를 갖는 세라믹 패키지(200)를 포함하는 듀플렉서의 구조를 설명한다. 도 13은 본 발명에 따른 듀플렉서의 외관을 도시한 설명도이다. 도 13에 도시된 바와 같이, 도 5 또는 도 6에 도시한 수신 필터(130) 및 송신 필터(140)는 세라믹 패키지(200) 위에 플립 칩(Flip -Chip)에 의해 접합할 수 있다. 플립 칩 방식은 반도체 칩을 리드 없이 기판에 직접 접착하는 방식을 의미한다. 이 상태에서 상부에 캡(160)을 씌워 제품으로서의 듀플렉서가 완성된다.
한편, 상기 실시형태에서는, 인덕터가 송신 필터(140)에 접속되는 구성에 대해서 설명했으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 인덕터는 송신 필터(140) 대신 에 수신 필터(130)에 접속되는 구성으로 해도 좋고, 또는 송신 필터(140) 및 수신 필터(130)에 접속되는 구성으로 해도 좋다.
이러한, 듀플렉서는 소형화 및 저층화가 용이하기 때문에, 휴대 전화 등의 이동 통신 장치에 탑재하는 것이 바람직하다. 특히 탄성 표면파 필터로 구성되는 탄성 표면파 듀플렉서를 이동 통신장치에 구비할 수 있다. 탄성 표면파 듀플렉서는 유전체 듀플렉서 등에 비해 소형화 등을 용이하게 실현할 수 있기 때문이다.
이러한 본원 발명인 듀플렉서 및 이를 이용한 이동 통신장치는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의한 듀플렉서 및 이를 이용한 이동 통신장치는 다층 구조로 이루어진 세라믹 패키지 안에 제작되는 미엔더 형상의 마이크로 스트립 라인을 수평 방향과 수직 방향으로 하고 각각의 미엔더 라인에 흐르는 전류의 방향을 직교하도록 함으로써, 각각에 발생하는 자계의 방향을 직교로 하여 서로 작용하는 전자계의 영향을 최소화할 수 있도록 한다. 이로써 포트간의 전자기적인 영향의 최소화에 따라 대역 이외의 억압도를 개선할 수 있다. 이와 같이 서로의 마이크로 스트립 사이를 접근시켜도 특성의 열화가 매우 적어 소형이면서 고성능의 탄성 표면파 듀플렉서를 실현할 수 있다. 또 추가 그라운드 플레인 층 등을 형성하지 않아도 되므로 디바이 스의 소형화를 이룰 수 있다.

Claims (14)

  1. 다층 구조를 갖는 패키지 내에 수신신호의 위상을 정합하는 위상 정합회로 및 송신신호의 대역 이외에 대한 억압도를 실현하는 인덕터를 각각 마이크로 스트립 라인의 형태로 형성하고,
    상기 마이크로 스트립 라인들 중 하나인 제1 마이크로 스트립 라인을 상기 패키지 내의 어느 한 층에 형성하고, 상기 마이크로 스트립 라인들 중 다른 하나인 제2 마이크로 스트립 라인을 상기 다층 구조를 관통하는 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 마이크로 스트립 라인은
    미엔더(meander) 형상인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조는 제1층, 제2층, 제3층 및 제4층으로 이루어진 4층 구조로서,
    상기 제1층에 입력 단자 및 출력 단자를 각각 형성하고,
    상기 제2층에 상기 입력 단자 및 상기 출력 단자와 상기 제1 마이크로 스트립 라인과의 전자기적인 영향을 차단하는 제1 그라운드 플레인(ground plain)을 형성하고,
    상기 제3층에 상기 제1 마이크로 스트립 라인을 형성하고,
    상기 제4층에 상기 제1 마이크로 스트립 라인과 연결하기 위한 연결홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제4층에 상기 제1 마이크로 스트립 라인과 외부 출력 단자와의 전자기적인 영향을 차단하는 제2 그라운드 플레인을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2 마이크로 스트립 라인은
    상기 제2층, 상기 제3층 및 상기 제4층을 관통하는 연결홀들로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제2층은 상기 제1층의 상기 입력단자와 상기 제3층의 상기 제1 마이크로 스트립 라인을 연결하기 위한 연결홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제2 마이크로 스트립 라인은
    상기 제1층의 상기 출력단자와 연결홀을 통해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  8. 제1항에 있어서, 상기 위상 정합회로는
    상기 수신신호를 필터링하는 수신 필터 및 상기 송신신호를 필터링하는 송신 필터와 안테나 단자 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  9. 제1항에 있어서, 상기 인덕터는
    상기 송신신호를 필터링하는 송신 필터와 상기 외부 출력단자 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  10. 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 사다리형 필터인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  11. 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 표면 탄성파 필터(SAW)인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  12. 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 체적 탄성파 필터(BAW)인 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  13. 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수신 필터 및 상기 송신 필터는 상기 패키지 위에 플립 칩(flip chip) 형태로 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
  14. 제1항에 기재된 듀플렉서를 구비하는 것을 특징으로 하는 이동 통신 장치.
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