KR20070056655A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR20070056655A
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 임의의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치되는 제1 및 제2기판, 상기 제1기판 위에 형성되는 복수의 어드레스 전극들, 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1기판 전면에 형성되는 제1유전층, 상기 제1유전층과 소정의 높이로 제공되며, 방전 공간을 형성하는 복수의 격벽들, 상기 방전 공간 내에 형성되는 형광층, 상기 제1기판에 대향하는 제2기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들, 상기 표시 전극들을 덮으면서 상기 제2기판 전면에 형성되는 제2유전층을 포함하고, 상기 제2유전층을 덮어 형성되며, 결정립의 크기가 100 내지 500 nm이고, 막 밀도가 3.3 g/㎤ 이하인 MgO 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 MgO 보호막은 전융 제조된 MgO를 이용하여 이온 도금증착 방법으로 형성하여 결정립의 크기의 제어가 용이하여 내스퍼터링 특성을 향상시킬 뿐만 아니라 온도에 따라 응답속도가 일정하여 방전 신뢰성을 증가시킴과 동시에 고품질의 화면을 구현한다.
플라즈마 디스플레이 패널, 막 밀도, 보호막,

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 일 예를 모식적으로 나타낸 부분 분해 사시도.
도 2는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 MgO 보호막의 응답 속도를 비교한그래프.
도 3a는 실시예 1에서 제조된 MgO 보호막의 표면을 주사전자현미경으로 측정한 사진이고, 도 3b는 비교예 1에서 제조된 MgO 보호막의 표면을 주사전자현미경으로 측정한 사진.
도 4는 실시예 1에서 제조된 MgO 보호막의 결정립의 성장을 보여주는 주사전자현미경으로 측정한 사진.
도 5는 실시예 1 및 비교예 2에서 제조된 MgO 보호막의 온도별 응답 속도를 비교한 그래프.
[산업상 이용 분야]
본 발명은 보호막의 결정립의 크기 및 막 밀도를 제어하여 표시 품질이 개선 된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
[종래 기술]
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 방전 셀 내에서 일어나는 기체 방전에 의한 진공 자외선으로 형광체를 여기시켜 화상을 구현하는 표시장치로서, 고해상도의 대화면 구성이 가능하여 차세대 박형 표시장치로 각광을 받고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 직류형과 교류형이 있으며, 이 중에서 교류형이 가장 널리 사용되고 있다.
교류형 플라즈마 표시 소자는 방전 기체가 충전된 두 기판에 전극을 교차대향 배열하여 격벽으로 구획한 기본적 구조를 가지는데, 어느 한 전극 상에 벽전하를 형성하는 유전층이 피복되고 대향층의 전극에 형광층이 형성된다. 상기 유전층을 보호하기 위한 보호막이 형성되며, 이러한 보호막으로 MgO를 가장 널리 사용한다.
보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 동작 중의 방전 시 방전가스의 이온충격으로 인한 영향을 완화시킬 수 있는 내스퍼터링 특성을 가져 이온 충돌로부터 유전층을 보호하고, 2차 전자의 방출을 통하여 방전 전압을 낮추는 역할을 하는 투명 보호 박막으로서, 3000 내지 7000 Å 두께로 유전층을 덮어서 형성한다.
보호막은 가열 증착 등 성막 조건에 따라 특성이 크게 변화되어 일정한 표시 품질을 유지하기가 힘들다. 이러한 보호막은 어드레스 방전 지연(address discharge delay)에 따른 검은 노이즈(black noise), 즉 발광하도록 선택된 셀이 발광하지 않는 현상인 방전 미스(address miss)가 발생하기 쉽다. 상기 검은 노이즈의 발생은 스크린 내의 발광 영역과 비 발광 영역 사이의 경계에서 쉽게 일어날 수 있지만 특정 장소에서 나타난다. 또한 방전 미스는 어드레스 방전(address discharge)이 없거나 심지어 주사 방전이 실행될 때 강도가 낮아 발생한다. 따라서 검은 노이즈 및 방전 미스를 억제하기 위해 어드레스 방전 지연 시간을 감소시키기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.
현재 PDP의 보호막으로 MgO 재질이 가장 일반적이며, 스퍼터링법, 전자빔 증착법(Electron-beam deposition), IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법) 및 졸-겔(sol-gel)법 등을 사용하며, 그 중 전자빔 증착법(EB)이 일반적으로 사용되고 있다.
전자빔 증착법은 전기장과 자기장으로 가속되는 전자빔을 MgO 증착 재료에 충돌시켜 증착 재료를 가열 및 증발시킴으로써 MgO 보호막을 형성하는 방법이다. 이러한 전자빔 증착법은 전자 스팟 소스(electron spot source)라는 발열원의 한계로 인해 증착 속도가 느려 통상 60 내지 70 Å/sec로 대량 생산을 위해선 설비수를 늘려야 하는 단점이 있다. 또한 전위차에 의한 가속에너지에만 의존하여 기재의 가속력이 작아 조밀한 보호막을 성장시키는데 한계가 있다.
본 발명의 목적은 결정립의 크기 및 막 밀도를 제어하여 표시 품질이 개선된 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 임의의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치되는 제1 및 제2기판을 포함한다.
상기 제1기판은 제1기판 상에 형성되는 다수의 어드레스 전극들과, 상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1기판 전면에 형성되는 제1유전층을 포함하고, 상기 제1유전층과 소정의 높이로 제공되며, 방전 공간을 형성하는 다수의 격벽들, 상기 방전 공간 내에 형성되는 형광층을 포함한다.
상기 제2기판은 제1기판에 대향하며, 제2기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 직교 상태로 배치되는 복수의 표시 전극들과, 상기 표시 전극들을 덮으면서 상기 제2기판 전면에 형성되는 제2유전층을 포함한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 제2유전층을 덮어 형성되며,결정립의 크기가 100 내지 500 nm이고, 막 밀도가 3.3 g/㎤ 이하인 MgO 보호막을 포함한다.
이때 상기 MgO 보호막은 전융(fused) 방식에 의해 제조된 MgO를 이온 도금증착(ion plating)법에 의해 형성한다.
이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막 형성시 보호막의 결정립의 크기 및 막 밀도를 제어하여 내스퍼터성을 향상시킬 뿐만 아니라 온도에 따라 응답속도가 일정하여 방전 신뢰성을 증가시킴과 동시에 고품질의 화면을 구현한다.
MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전가스와 접촉하고 있으며, 이때 MgO 보호막의 특성으로 인해 방전특성에 크게 영향을 받는다. 상기 MgO 보호막 의 특성은 MgO 산화물의 결정 구조 및 결정립의 크기와, 보호막의 막 밀도와 같은 물성과 증착 시의 성막 조건에 크게 의존한다. 따라서 보호막의 특성을 향상시킬 수 있도록 최적의 조성 및 조건을 설계하여 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성을 향상시키고, 화상의 품질을 증가시킨다.
일반적으로 보호막의 재질인 MgO 결정 입자의 결정성이 높을수록, 결정립의 크기가 클수록 플라즈마에 노출시 2차 전자의 방출 특성이 증가하여 플라즈마 디스플레이 패널의 감마 특성의 변화를 최소화한다. 이때 MgO 보호막은 막의 밀도를 보다 조밀하게 형성할수록 내스퍼터성이 증가되고, 이러한 증가된 내스퍼터성으로 인해 플라즈마 디스플레이 패널의 수명이 증가하며 안정적인 화상의 구현을 가능케 한다.
이에 본 발명에 따른 MgO 보호막은 전술한 바의 요건을 충분히 만족시키기 위해 단결정의 결정 구조를 가지며 100 내지 500 nm, 바람직하기로 100 내지 400 nm, 더욱 바람직하기로 150 내지 300 nm 크기의 결정립을 형성하고, 막 밀도를 3.3 g/㎤ 이하, 바람직하기로 1.0 내지 3.3 g/㎤ 범위로 제어함으로써, 높은 2차 전자 방출성(감마 특성) 및 내스퍼터성을 향상시켜 방전 개시 전압과 방전 유지 전압을 낮춘다. 또한, 온도 변화에 따른 2차 전자 방출성의 변화를 최소화하여 어드레스 방전 지연(address discharge delay)에 의해 야기되는 어드레스 미스(address miss)인 검은 노이즈(black noise), 즉 발광하도록 선택된 셀이 발광하지 않는 현상을 억제하여 표시 품질의 향상을 유도한다.
이러한 특성은 MgO 보호막 증착시 전융 제조된 MgO를 사용하고, 이온 도금증 착법을 이용하여 보호막을 형성함에 기인한다.
전융 제조된 MgO는 종래 고온에서 열처리하는 소결법에 의해 제조된 MgO와 비교하여, 냉각 방식에 의해 제조되며 불순물이 없고 단결정으로 성장이 용이하여 보호막의 결정성을 향상시킨다.
본 발명의 실시예를 통해 전융 제조된 MgO와 종래 소결법에 의해 제조된 MgO를 이용하여 제조된 MgO 보호막을 제조하고, 온도별 응답 속도를 측정한 결과, 본 발명에서와 같이 전융 제조된 MgO를 사용한 경우 온도변화에 따른 감마특성(2차 전자 방출 특성)의 변화가 적어 안정적인 방전 특성을 얻을 수 있다.
이러한 MgO 보호막의 제조는 이온 도금증착법에 의해 수행한다.
이온 도금증착법은 고체물질을 가열 혹은 입자를 충돌시켜 원자, 분자로 분해하고 다시 이것을 직류 전류 등으로 이온화시켜 처리 물질의 표면에 응축시켜서 박막을 형성하는 방법으로, 여기된 이온과 쉬트화된 전자빔을 동시에 이용하여 박막 형성 속도(또는 증착 속도)를 증가시킨다. 이러한 방법은 종래 전자빔, 진공 증착과 같은 박막 형성법에 비해 높은 온도에서 수행되어 입자의 이동성(mobility)을 증가시켜 보호막의 막 밀도를 증가시키고 방전에 의한 활성화 효과로 인한 균일한 막을 형성한다.
상기 이온 도금증착법은 본 발명에서 구체적으로 한정하지는 않으며, 이 분야에서 통상적으로 사용되는 3극 이온 도금증착법(triode ion-plating), 전자관 이온 도금증착법(magnetron ion-plating), 할로우 캐소드(hollow cathode)를 이용한 이온 도금증착법, R.F. 바이어스 이온 도금증착법(R.F. vias ion-plating), 고압 이온 도금증착법(high vacuum ion-plating) 및 반응성 이온 도금증착법(reactive ion-plating) 등이 가능하다.
이러한 이온 도금증착법은 적절한 반응조건의 설계가 선행되어야 하며, 구체적으로 공정압력, 바이어스 전압의 세기, 비활성 가스의 유량, 전류밀도 및 증착속도 등을 고려하며, 이러한 조건은 이온 도금증착 장치에 따라 조금씩 달라질 수 있으며, 적절한 수치는 통상의 지식을 가진 자에 의해 조절된다. 일예로 이온 도금증착법은 소정의 압력 하에 비활성 가스를 일정 속도로 흘려주고, 바이어스 전압을 인가하여 증착을 수행한다.
특히 상기 이온 도금증착법은 종래 전자빔 방출법과 비교하여 결정립의 크기가 상대적으로 큰 MgO 보호막을 제조할 수 있다.
이에 실시예를 통해 이온 도금증착법 및 전자빔 증착법을 이용하여 MgO 보호막을 형성하고, 상기 보호막의 결정립의 크기를 측정한 결과, 본 발명에서와 같이 이온 도금증착법에 의해 형성된 보호막의 결정립이 조대해져 방전 특성을 개선하여 표시 품위를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 보호막의 두께는 500 nm 이상이 바람직하고, 500 내지 9000 nm가 더욱 바람직하다. 또한, 상기 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하고, 90 내지 98%인 것이 더욱 바람직하고, 650 nm에서 얻어진 굴절율의 경우 1.45 내지 1.74 사이에 있는 것이 보다 바람직하다.
상기 보호막을 갖는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 일 예를 도 1에 나타내었다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 일 예를 모식적으로 나타낸 부분 분해 사시도이며, 본 발명의 내용이 상기 도 1의 구조에만 한정되는 것은 아니다. 도면을 참고하면, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널은 제1기판(1) 상에 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 어드레스 전극들(3)이 형성되고, 어드레스 전극들(3)을 덮으면서 제1기판(1)의 전면에 유전층(5)이 형성된다. 이 유전층(5) 위로 격벽(7)이 형성되며, 각각의 격벽(7) 사이의 방전셀에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광층(9)이 위치하고, 상기 격벽(7)의 상단면에는 반사휘도 감소층(19)이 존재한다.
제1기판(1)에 대향하는 제2기판(11)의 일면에는 어드레스 전극(3)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 한쌍의 투명 전극(13a)과 버스 전극(13b)으로 구성되는 표시 전극들(13)이 형성되고, 표시 전극들(13)을 덮으면서 제2기판(11) 전체에 투명 유전층(15)과 보호막(17)이 위치한다. 이때 상기 보호막(17)으로 결정립의 크기가 100 내지 500 nm, 바람직하기로는 100 내지 400 nm, 더욱 바람직하기로는 150 내지 300 nm이고, 막 밀도가 3.3 g/㎤인 MgO 보호막을 형성한다. 이러한 구조로 어드레스 전극(3)과 표시 전극(13)의 교차 지점이 방전 셀을 구성한다.
상기 구성에 의해, 어드레스 전극(3)과 어느 하나의 표시 전극(13) 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 행하고, 다시 한쌍의 표시 전극(13) 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하면, 유지 방전시 발생하는 진공 자외선이 해당 형광층(9)을 여기시켜 투명한 전면 기판(11)을 통해 가시광을 방출하게 된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 방법은,
a) 제1기판에 어드레스 전극과 유전층을 형성하는 단계;
b) 상기 제1기판의 유전층 전면에 격벽을 형성시킨 후 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체를 도포하여 형광층을 형성하는 단계;
c) 제2기판에 표시 전극 및 유전층을 형성하는 단계;
d) 상기 제2기판의 유전층의 전면에 전융 제조된 MgO를 이온 도금증착하여 보호막을 형성하는 단계; 및
e) 상기 제1기판 및 제2기판을 이용하여 패널을 조립, 봉착, 배기, 방전 기체 주입 및 에이징하는 단계를 거쳐 이루어진다.
이때, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 중, a), b), c) 및 e) 단계는 통상적인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 그대로 사용할 수 있며, d)의 MgO 보호막은 전술한 바의 이온 도금증착법으로 수행한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
소다석회 유리로 제조된 상부 기판 위에 인듐 틴 옥사이드 도전체 재료를 이용하여 방전 유지 전극을 통상의 방법으로 스트라이프 상으로 형성하였다.
이어서, 납계 유리의 페이스트를 상기 방전 유지 전극이 형성된 상부 기판의 전면에 걸쳐 코팅하고 소성하여 제2 유전층을 형성하였다.
이후, 상기 제2 유전층 위에 전융 제조된 MgO를 이온 도금증착법을 이용하여 MgO 보호막을 형성하였다.
비교예 1
종래에 사용되는 전자빔 증착법(EB)에 의해 전융 제조된 MgO를 이용하여 보호막을 제조하였다.
비교예 2
전융 제조된 MgO 대신 소결 제조된 MgO를 구입하여 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1에 기재된 이온 도금증착법을 이용하여 MgO 보호막을 형성하였다.
실험예 1: 증착 방법에 따른 응답속도 비교
이온 도금증착법과 전자빔 증착법에 따른 차이를 알아보기 위해, 상기 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 보호막의 응답 속도를 2회 측정하였으며, 얻어진 결과를 도 2에 나타내었다. 이때 응답속도는 전압이 인가되어 화이트(콘트라스트 1.0)에서 블랙(콘트라스트 0.0)으로 가는 경우를 측정하였으며, 낮은 응답속도는 화면 연결동작시 잔상(after image)을 야기한다.
도 2를 참조하면, 이온 도금증착법에 의해 제조된 실시예 1의 보호막의 응답 속도가 전자빔 증착법에 의해 제조된 비교예 2의 보호막에 비하여 지연시간이 상대적으로 짧아, 이온 도금증착에 의해 응답 속도가 증가함을 알 수 있다.
실험예 2: 결정립 크기 비교
이온 도금증착법 및 전자빔 증착법에 의해 제조된 보호막의 결정립의 크기를 알아보기 위해, 상기 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 보호막의 표면을 주사전자현미경으로 측정하고, 얻어진 결과를 도 3a(실시예 1) 및 도 3b(비교예 1)에 나타내었다.
도 3a를 참조하면, 본 발명에 의해 이온 도금증착법에 의해 제조된 MgO 보호막은 단결정의 MgO로 이루어지고, MgO 결정립의 크기가 약 100 내지 200 nm이고, 막 밀도가 3.0 g/㎤ 을 나타내었다. 이때 MgO 보호막의 굴절율은 650 nm에서의 1.64이었다.
이와 비교하여 도 3b에서 나타내는 전자빔 증착법에 의해 제조된 비교예 1의 MgO 보호막은 650 nm에서의 굴절율이 1.62로, 단결정 MgO로 이루어져 있음을 알 수 있다. 그러나, MgO 결정립의 크기가 30 내지 80 nm를 나타내, 이온 도금증착법에 의해 제조된 실시예 1의 MgO의 결정립과 비교하여 상대적으로 매우 작음을 알 수 있다.
실험예 3: 결정립 성장 비교
이온 도금증착법에 의해 보호막의 결정립의 제어를 알아보기 위해, 실시예 1에서 제조된 보호막의 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 측정하고, 얻어진 결과를 도 4에 나타내었다.
도 4는 주사전자현미경 사진으로, 도 4의 a, b, c의 사진으로 알 수 있듯이 이온 도금증착 공정을 진행함에 따라 보호막의 결정립의 크기가 증가함을 확인할 수 있다. 이러한 결과는 이온 도금증착 조건을 변화시켜 보호막의 결정립의 크기를 제어할 수 있음을 의미한다.
실험예 4: MgO 재질에 따른 방전 특성
전융 제조 및 소결 제조된 MgO의 사용에 따른 보호막의 응답 속도를 알아보기 위해, 상기 실시예 1 및 비교예 2에서 제조된 보호막의 온도에 따른 상대적인 응답속도를 측정하였으며, 얻어진 결과를 도 5에 나타내었다.
도 5를 참조하면, 전융 제조된 MgO를 사용한 실시예 1의 MgO 보호막은 -10 내지 60 ℃의 온도를 변화시키더라도 일정한 응답 속도를 나타내어 안정적인 방전 특성을 나타내었다. 이는 전융 제조된 MgO를 사용함으로써 플라즈마에 노출 시 2차 전자 방출 특성이 증가하여 감마 특성의 변화를 최소화함에 기인한다.
이에 비하여 소결 제조된 MgO를 사용한 비교예 2의 MgO 보호막의 경우 온도에 따라 응답 속도가 크게 감소하는 등 큰 변화를 보여 불안정한 방전 특성을 나타내었다.
상술한 것과 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 MgO 보호막으로 전융 제조된 MgO를 사용하여 이온 도금증착 방식으로 형성하여 결정립의 크기의 제어가 용이하며, 방전 특성을 향상시켜 표시 품질을 개선시킨다.

Claims (8)

  1. 임의의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치되는 제1 및 제2기판;
    상기 제1기판 위에 형성되는 복수의 어드레스 전극들;
    상기 어드레스 전극들을 덮으면서 제1기판 전면에 형성되는 제1유전층;
    상기 제1유전층과 소정의 높이로 제공되며, 방전 공간을 형성하는 복수의 격벽들;
    상기 방전 공간 내에 형성되는 형광층;
    상기 제1기판에 대향하는 제2기판의 일면에 상기 어드레스 전극들과 교차하는 방향으로 배치되는 복수의 표시 전극들;
    상기 표시 전극들을 덮으면서 상기 제2기판 전면에 형성되는 제2유전층; 및
    상기 제2유전층을 덮어 형성되며,결정립의 크기가 100 내지 500 nm이고, 막 밀도가 3.3 g/㎤ 이하인 MgO 보호막
    을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 MgO의 결정립의 크기는 150 내지 300 nm인 것인 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 MgO 보호막은 투과율이 90% 이상이고, 650 nm에서의 굴절율이 1.45 내지 1.74인 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 MgO 보호막은 두께가 500 내지 9000 nm인 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 MgO 보호막은 전융(fused) 제조된 MgO로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. a) 제1기판에 어드레스 전극과 유전층을 형성하는 단계;
    b) 상기 제1기판의 유전층 전면에 격벽을 형성시킨 후 상기 격벽으로 구획된 방전셀 내에 형광체를 도포하여 형광층을 형성하는 단계;
    c) 제2기판에 표시 전극 및 유전층을 형성하는 단계;
    d) 상기 제2기판의 유전층의 전면에 전융 제조된 MgO를 이온 도금증착하여 보호막을 형성하는 단계; 및
    e) 상기 제1기판 및 제2기판을 이용하여 패널을 조립, 봉착, 배기, 방전 기체 주입 및 에이징하는 단계
    를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 이온 도금증착은 비활성 가스를 주입하에 바이어스 전압을 인가하여 수행하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 이온 도금증착은 3극 이온 도금증착법(triode ion-plating), 전자관 이온 도금증착법(magnetron ion-plating), 할로우 캐소드(hollow cathode)를 이용한 이온 도금증착법, R.F. 바이어스 이온 도금증착법(R.F. vias ion-plating), 고압 이온 도금증착법(high vacuum ion-plating), 및 반응성 이온 도금증착법(reactive ion-plating)으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법으로 수행하는 것인 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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KR100830335B1 (ko) * 2007-03-16 2008-05-16 삼성에스디아이 주식회사 전극 시트, 그의 제조 방법 및 그를 구비하는 플라즈마디스플레이 패널

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3220644B2 (ja) 1996-08-07 2001-10-22 株式会社日立製作所 移動通信方法及びその実施装置
KR100232134B1 (ko) * 1997-03-18 1999-12-01 구자홍 피디피용 산화마그네슘 박막층 형성을위한 페이스트 및 그를 이용한 산화마그네슘 박막층 제조 방법
US6013309A (en) 1997-02-13 2000-01-11 Lg Electronics Inc. Protection layer of plasma display panel and method of forming the same
KR100281072B1 (ko) * 1998-05-21 2001-02-01 구자홍 플라즈마디스플레이의보호층의박막을형성하기위한페이스트
JP2001243886A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Toray Ind Inc プラズマディスプレイ用部材およびプラズマディスプレイならびにその製造方法
WO2004049375A1 (ja) * 2002-11-22 2004-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネルとその製造方法
KR100599704B1 (ko) * 2003-10-21 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100612297B1 (ko) * 2003-10-24 2006-08-11 삼성에스디아이 주식회사 보호막을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널

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