KR20070051401A - Edge frame - Google Patents

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KR20070051401A
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권영춘
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Abstract

본 발명은 기판안치대를 포함하는 챔버의 내부에서, 상기 기판안치대 상에 안착되는 기판의 단부에 설치되는 에지프레임에 있어서, 상기 기판을 노출시키는 개방부를 가진 동체(胴體); 상기 동체에서 상기 개방부의 내주연을 따라 선택적으로 설치되는 보상영역을 포함하는 에지프레임을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an edge frame provided at an end portion of a substrate seated on the substrate stabilizer, the chamber including a substrate stabilizer, the body having an opening for exposing the substrate; An edge frame including a compensation area selectively installed along an inner circumference of the opening in the body is provided.

본 발명에 따르면, 에지프레임의 모서리 부근에서 박막불균일 영역이 최소화되므로 기판의 실제 사용면적이 증가하여 원가절감에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 하나의 기판에서 얻을 수 있는 액정패널의 크기를 최대화할 수 있게 된다.According to the present invention, since the thin film non-uniformity area is minimized near the edge of the edge frame, the actual use area of the substrate is increased, thereby not only contributing to cost reduction but also maximizing the size of the liquid crystal panel obtained from one substrate. .

에지프레임, 보상영역 Edge frame, compensation area

Description

에지프레임{Edge frame} Edge frame {Edge frame}

도 1은 기판처리장치의 구성도1 is a block diagram of a substrate processing apparatus

도 2a 및 도 2b는 에지프레임의 평면도 및 단면도2a and 2b is a plan view and a cross-sectional view of the edge frame

도 3은 기판안치대와 에지프레임이 상승한 모습을 나타낸 도면3 is a view showing a state in which the substrate stabilizer and the edge frame is raised

도 4는 기판안치대와 에지프레임의 결합관계를 나타낸 도면4 is a view showing a coupling relationship between the substrate stabilizer and the edge frame

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임의 평면도5 is a plan view of an edge frame according to an embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 에지프레임의 평면도6 is a plan view of an edge frame according to another embodiment of the present invention;

도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 에지프레임의 평면도7 and 8 are a plan view of the edge frame according to another embodiment of the present invention

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Explanation of symbols for main parts of drawings *

100 : 에지프레임 110 : 동체100: edge frame 110: fuselage

112 : 내주연 112a : 돌출부112: inner peripheral 112a: protrusion

112b : 만곡부 114 : 외주연112b: curved portion 114: outer periphery

120 : 개방부 130 : 보상영역120: opening 130: compensation area

본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)를 제조하기 위해 기판을 처리하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판처리장치에 사용되는 에지프레임에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate for manufacturing a liquid crystal display (LCD), and more particularly, to an edge frame used in a substrate processing apparatus.

액정표시장치는 박막트랜지스터가 어레이되는 제1 기판, 컬러필터가 형성되는 제2 기판, 제1,2 기판의 사이에 충진되는 액정층으로 이루어지며, 이러한 기판을 제조하기 위해서는 모재가 되는 기판에 박막증착공정 및 패터닝을 위한 식각공정을 수회 내지 수십 회 반복하여야 한다.The liquid crystal display device includes a liquid crystal layer filled between a first substrate on which thin film transistors are arrayed, a second substrate on which color filters are formed, and first and second substrates. The etching process for the deposition process and the patterning should be repeated several times to several tens of times.

특히 이들 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.In particular, these processes are carried out inside a substrate processing apparatus designed to be optimal for the process.

도 1은 이러한 기판처리장치 중에서 플라즈마를 이용하여 박막을 증착하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장치(10)의 구성을 개략적으로 도시한 것으로서, 반응공간을 가지는 챔버(11)의 내부에 기판(s)을 안치하는 기판안치대(12)가 구비되고, 기판안치대(12)의 상부에는 다수의 분사홀을 가지는 가스분배판(13)이 설치되며, 챔버(11)의 하부에는 잔류가스를 배출하기 위한 배기구(19)가 설치된다.FIG. 1 schematically shows a configuration of a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) apparatus 10 for depositing a thin film using plasma among such substrate processing apparatuses. s) is provided with a substrate support 12, a gas distribution plate 13 having a plurality of injection holes is provided on the upper portion of the substrate support 12, the lower portion of the chamber 11 An exhaust port 19 for discharging is provided.

가스분배판(13)은 주변부가 플라즈마 전극(14)의 하부에 고정되며, 가스분배판(13)과 플라즈마 전극(14)의 사이에는 원료물질을 균일하게 분사하기 위하여 버퍼공간이 형성된다. 플라즈마 전극(14)의 중앙부에는 상기 버퍼공간으로 원료물질 을 공급하는 가스공급관(15)이 관통하여 설치된다.The gas distribution plate 13 has a peripheral portion fixed to the lower portion of the plasma electrode 14, and a buffer space is formed between the gas distribution plate 13 and the plasma electrode 14 to uniformly inject the raw material. In the central portion of the plasma electrode 14, a gas supply pipe 15 for supplying a raw material to the buffer space is provided therethrough.

플라즈마 전극(14)에는 RF전원(16)이 연결되며, 플라즈마 전극(14)과 RF전원(16)의 사이에는 임피던스를 정합시키는 매처(17)가 설치된다.An RF power source 16 is connected to the plasma electrode 14, and a matcher 17 for matching impedance is provided between the plasma electrode 14 and the RF power source 16.

따라서 미도시된 도어를 통해 반입된 기판(s)이 기판안치대(12)의 상면에 안치되면, 진공펌핑을 통해 공정분위기를 형성한 다음 가스분배판(13)을 통해 원료물질을 분사함과 동시에 RF전원(16)에서 플라즈마 전극(14)으로 RF전력을 공급한다.Therefore, when the substrate s loaded through the door (not shown) is placed on the upper surface of the substrate support 12, the process atmosphere is formed by vacuum pumping, and then the raw material is injected through the gas distribution plate 13. At the same time, RF power is supplied from the RF power supply 16 to the plasma electrode 14.

이때 플라즈마 전극(14)과 접지된 기판안치대(12)의 사이에 형성되는 RF전기장에 의하여 가속된 전자가 중성기체와 충돌함으로써 활성종 및 이온의 혼합체인 플라즈마가 발생하며, 이렇게 생성된 활성종 및 이온이 기판(s)으로 입사하여 박막을 증착한다.At this time, when the electrons accelerated by the RF electric field formed between the plasma electrode 14 and the grounded substrate stabilizer 12 collide with the neutral gas, plasma, which is a mixture of active species and ions, is generated. And ions are incident on the substrate s to deposit a thin film.

한편, 챔버의 내부에는 에지프레임(18)이 설치되는데, 상기 에지프레임(18)은 챔버 내측벽에서 돌출된 거치대(20)의 상부에 고정되지 않은 채 거치된다.Meanwhile, an edge frame 18 is installed inside the chamber, and the edge frame 18 is mounted without being fixed to the upper portion of the cradle 20 protruding from the inner wall of the chamber.

에지프레임(18)은 기판안치대(12)에 안치된 기판(s)의 가장자리를 커버하는 역할을 하며, 이는 기판(s)의 하부에서 플라즈마가 발생하여 기판 배면을 버닝(burning)시키는 현상을 방지하는 한편, 기판(s)의 휨을 방지하기 위한 것이다.The edge frame 18 serves to cover the edge of the substrate s placed on the substrate support 12, which generates a plasma at the lower portion of the substrate s to burn the back of the substrate. It is for preventing, while preventing the warping of the substrate s.

도 2a 는 이러한 에지프레임(18)의 평면도이고 도 2b는 도 2a의 I-I선에 따른 단면도이다.FIG. 2A is a plan view of such an edge frame 18 and FIG. 2B is a sectional view taken along the line I-I of FIG. 2A.

이에 의하면, 에지프레임(18)은 장방형 동체(胴體)의 중앙부에 기판(s)을 노출시키는 개방부(18c)가 형성된 것으로서, 상기 동체는 몸체부(18a), 상기 몸체부 (18a)에 비하여 상대적으로 얇은 두께를 가지며 몸체부(18a)에서 상기 개방부(18c) 쪽으로 돌출되는 덮개부(18b)로 이루어진다.According to this, the edge frame 18 is formed with an opening portion 18c exposing the substrate s in the center of the rectangular body, which is larger than the body portion 18a and the body portion 18a. The cover 18b has a relatively thin thickness and protrudes from the body portion 18a toward the opening portion 18c.

에지프레임(18)은 통상 아노다이징 처리된 알루미늄 재질로 제조되며,상면이 플라즈마에 노출되므로 아킹을 방지하기 위하여 몸체부(18a)와 덮개부(18b)의 상면은 평탄하게 가공된다.The edge frame 18 is usually made of anodized aluminum, and the top surface of the body portion 18a and the cover portion 18b are flattened to prevent arcing because the top surface is exposed to plasma.

또한 에지프레임(18)은 기판안치대(12)가 공정을 마치고 하강한 상태에서는 도 1과 같이 챔버 내측벽의 거치대(20)에 거치되어 있다가, 기판안치대(12)가 공정영역으로 상승하면 도 3에 도시된 바와 같이 기판안치대(12)에 의해 들어올려져서 기판안치대(12)와 함께 상승한다. In addition, the edge frame 18 is mounted on the cradle 20 of the inner wall of the chamber when the substrate stabilizer 12 is lowered after finishing the process, and then the substrate stabilizer 12 is raised to the process area. 3 is lifted by the substrate stabilizer 12 and ascends with the substrate stabilizer 12, as shown in FIG.

공정을 마치면 기판안치대(12)와 함께 하강하지만 일정거리를 하강하면 에지프레임(18)은 챔버 내측벽의 거치대(20)에 걸려서 더 이상 하강하지 않고 기판안치대(12)와 분리된다.When the process is finished, the lowering with the substrate support 12, but lowering the predetermined distance, the edge frame 18 is caught by the cradle 20 of the inner wall of the chamber is no longer lowered and separated from the substrate support 12.

기판안치대(12)와 에지프레임(18)의 결합관계를 도 4를 참조하여 살펴보면, 기판안치대(12)의 가장자리에는 에지프레임의 몸체부(18a)에 대응하는 단차(12a)가 형성되어 있으며, 기판안치대(12)가 상승하면 상기 단차(12a)에 에지프레임의 몸체부(18a)가 거치되어 기판안치대(12)와 함께 상승하게 된다. Looking at the coupling relationship between the substrate stabilizer 12 and the edge frame 18 with reference to Figure 4, the step 12a corresponding to the body portion 18a of the edge frame is formed on the edge of the substrate stabilizer 12 In addition, when the substrate stabilizer 12 rises, the body portion 18a of the edge frame is mounted on the step 12a to rise together with the substrate stabilizer 12.

덮개부(18b)는 기판(s)에 접하지 않은 채 기판(s)의 표면으로부터 대략 0.8mm 정도 이격된 상태를 유지하며, 덮개부(18b)가 기판(s)의 가장자리를 커버하는 폭은 대략 3mm 내지 9mm 정도이다.The cover portion 18b is maintained at a distance of about 0.8 mm from the surface of the substrate s without being in contact with the substrate s, and the width of the cover portion 18b covering the edge of the substrate s is Approximately 3 mm to 9 mm.

그런데 이와 같이 에지프레임(18)이 기판(s)의 주변부를 덮게 되면 기판의 사용영역은 그만큼 줄어드는 문제점이 있다. 특히 에지프레임(18)에 의해 커버되지 않은 영역이라고 하더라도 모두 사용될 수 있는 것은 아니고, 에지프레임(18)의 내주연으로부터 소정 폭만큼의 불사용 영역이 발생한다. However, when the edge frame 18 covers the periphery of the substrate s in this way, the use area of the substrate is reduced by that much. In particular, not all of the areas covered by the edge frame 18 can be used, but an unused area of a predetermined width is generated from the inner circumference of the edge frame 18.

이는 도 4에 도시된 바와 같이 기판(s)에 빗금으로 표시된 박막을 증착하는 경우에 덮개부(18b)의 단부로부터 소정 거리까지는 증착되는 박막의 두께가 매우 불균일하므로 실제 액정패널을 제작할 때는 이 영역도 제외시켜야만 하기 때문이다.This is because when the thin film marked by hatching on the substrate s is deposited as shown in FIG. 4, the thickness of the deposited thin film is very uneven from the end of the cover portion 18b to a predetermined distance. This should also be excluded.

이와 같이 박막의 두께가 불균일해지는 것은 덮개부(18b)의 단부 근방에서 플라즈마가 왜곡(distortion)되고 반응가스가 고갈(depletion)되기 때문인데, 특히 에지프레임(18)의 두 변이 만나는 모서리 부근에서는 이러한 현상이 더욱 심해지기 때문에 불사용 영역이 더욱 넓어지게 된다.This non-uniform thickness of the thin film is due to the distortion of the plasma and the depletion of the reaction gas in the vicinity of the end portion of the cover portion 18b. As the phenomenon becomes more severe, the unused area becomes wider.

따라서 실제로 액정패널을 제작할 때에는 기판(s)의 가장자리로부터 약 15mm 정도의 폭은 제외하고 나머지 내측 부분만을 사용하게 되는데, 이로 인해 제조비용이 증가할 뿐만 아니라 대면적 액정패널을 제조하는데 한계요인으로 작용한다.Therefore, when manufacturing the liquid crystal panel, only the remaining inner portion is used except for the width of about 15mm from the edge of the substrate (s), which increases the manufacturing cost and acts as a limiting factor in manufacturing the large area liquid crystal panel. do.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 에지프레임으로 인해 기판의 주변부에서 발생하는 불균일 공정영역을 최소화함으로써 원가절감을 도모하고 나아가 하나의 기판에서 최대한 넓은 액정패널을 생산할 수 있도록 하기 위한 것이다.The present invention is to solve such a problem, to minimize the non-uniform process area generated in the peripheral portion of the substrate due to the edge frame to reduce the cost and further to produce the widest liquid crystal panel in one substrate.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판안치대를 포함하는 챔버의 내부에서, 상기 기판안치대 상에 안착되는 기판의 단부에 설치되는 에지프레임에 있어서, 상기 기판을 노출시키는 개방부를 가진 동체(胴體); 상기 동체에서 상기개방부의 내주연을 따라 선택적으로 설치되는 보상영역 을 포함하는 에지프레임을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a body having an opening for exposing the substrate in an edge frame provided at an end of the substrate seated on the substrate stabilizer in a chamber including the substrate stabilizer (胴體); Provides an edge frame including a compensation region selectively installed along the inner circumference of the open portion in the body.

상기 동체는 제1영역과 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역에 상기 보상영역이 설치되고, 상기 제1영역과 상기 기판의 제1중첩영역은 상기 제2영역의 상기 기판의 제2중첩영역보다 더 작은 것을 특징으로 한다.The body is divided into a first region and a second region, and the compensation region is provided in the first region, and the first overlapping region of the first region and the substrate is a second overlapping of the substrate of the second region. It is characterized by being smaller than the area.

상기 동체의 상기 내주연과 상기 동체의 외주연의 폭에 있어서, 상기 제1중첩영역이 상기 제2중첩영역보다 작은 것을 특징으로 한다.The width of the inner circumference of the body and the outer circumference of the body is characterized in that the first overlapping area is smaller than the second overlapping area.

상기 제1영역은 상기 기판의 모서리영역과 대응되고, 상기 제2영역은 상기 기판의 변영역과 대응되는 것을 특징으로 한다.The first region may correspond to an edge region of the substrate, and the second region may correspond to a side region of the substrate.

상기 보상영역이 설치되는 상기 제1 영역은 상기 기판과 중첩되지 않는 부분을 포함하는 것을 특징으로 한다.The first region in which the compensation region is installed may include a portion that does not overlap the substrate.

또한 본 발명은, 기판안치대를 포함하는 챔버의 내부에서, 상기 기판안치대 상에 안착되는 기판의 단부에 설치되는 에지프레임에 있어서, 상기 기판을 노출시키는 개방부를 가지고 제1영역과 제2영역으로 구분되며, 상기 제1영역과 상기 기판의 제1중첩영역은 상기 제2영역의 상기 기판의 제2 중첩영역보다 더 작은 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention, in the edge frame provided at the end of the substrate seated on the substrate stabilizer in the chamber including the substrate stabilizer, the first region and the second region having an opening for exposing the substrate The first region and the first overlapping region of the substrate may be smaller than the second overlapping region of the substrate of the second region.

상기 제1영역은 상기 기판의 모서리영역과 대응되는 것을 특징으로 한다.The first region may correspond to an edge region of the substrate.

상기 제1영역과 제2영역은 교번되어 설치되는 것을 특징으로 한다.The first region and the second region is characterized in that the alternate installation.

상기 제1영역은 상기 동체의 내주연에서 상기 동체의 외주연 방향으로 확장되는 사각 또는 원 형상인 것을 특징으로 한다.The first region may be a quadrangular or circular shape extending from the inner circumference of the body to the outer circumferential direction of the body.

상기 기판의 모서리영역과 대응되는 상기 제1영역은 상기 기판과 비중첩 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.The first region corresponding to the edge region of the substrate may include the substrate and the non-overlapping region.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임(100)의 평면을 도시한 것으로서, 장방형 동체(110)의 중앙부에 기판(s)을 노출시키는 개방부(120)가 형성되는 점은 종래와 동일하다. 다만 동체(110)의 내주연(112)을 따라 보상영역(130)이 선택적으로 형성되는 점에 특징이 있다.5 is a plan view of the edge frame 100 according to an embodiment of the present invention, the opening portion 120 for exposing the substrate (s) is formed in the center of the rectangular body 110 is the same as the conventional Do. However, the compensation region 130 is selectively formed along the inner circumference 112 of the body 110.

에지프레임(100)의 모서리 부근에서 기판(s)의 불사용 영역이 더 넓게 나타나기 때문에 상기 보상영역(130)은 도시된 바와 같이 내주연(112)의 모서리영역에 형성되는 것이 바람직하지만 변(邊) 영역에 형성하는 것이 배제되지는 않는다.Since the unused region of the substrate s appears wider near the edge of the edge frame 100, the compensation region 130 is preferably formed in the corner region of the inner circumferential edge 112, as shown. ) Is not excluded.

보상영역(130)의 형상은 특히 제한되지 않으며, 모서리 부분에서 균일한 박막 영역을 최대한으로 넓히기 위하여 내주연(112)의 모서리영역에서 바깥쪽, 즉 외주연(114) 방향으로 사각형 또는 원형으로 만곡된 형상을 가지면 된다.The shape of the compensation region 130 is not particularly limited, and is curved in a rectangle or a circle outward from the corner region of the inner circumference 112, that is, in the direction of the outer circumference 114, in order to maximize the uniform thin film region at the corner portion. You just need to have a shape.

보상영역(130)에서는 기판(s)과 동체(110)가 중첩되는 면적의 크기가 다른 영역보다 더 작아지게 된다. 즉, 도 5와 같이 에지프레임(100)의 모서리영역에 보상영역(130)이 형성되면, 에지프레임의 내주연(112)과 외주연(114) 사이의 폭, 즉 최단거리는 모서리 영역에서는 d1이고, 변 영역에서는 이보다 큰 d2가 된다. 따라서 기판(s)과 동체(110)가 중첩되는 폭은 변 영역에서 더 크다.In the compensation area 130, an area in which the substrate s and the body 110 overlap each other is smaller than other areas. That is, when the compensation region 130 is formed in the corner region of the edge frame 100 as shown in Figure 5, the width between the inner periphery 112 and the outer periphery 114 of the edge frame, that is, the shortest distance d 1 in the corner region In the side region, d 2 is larger than this. Therefore, the width at which the substrate s and the body 110 overlap is larger in the side region.

도 5에서는 에지프레임 동체(110)의 내주연(112)은 모든 영역에서 기판(s)의 가장자리와 중첩되는 것으로 도시되었으나, 도 6에 도시된 바와 같이 모서리의 보상영역(130)을 좀더 확장시키면 보상영역(130)에서 동체(110)의 내주연(112)과 기판(s)이 중첩되지 않을 수도 있다.In FIG. 5, the inner circumferential edge 112 of the edge frame body 110 is illustrated as overlapping with the edge of the substrate s in all regions. However, as shown in FIG. In the compensation region 130, the inner circumferential edge 112 of the body 110 and the substrate s may not overlap.

모서리영역에 보상영역(130)을 형성하는 이외에, 변 영역의 내주연(112)에 도 7에 도시된 바와 같이 요철을 형성할 수도 있다.In addition to forming the compensation region 130 in the corner region, irregularities may be formed in the inner circumferential edge 112 of the edge region as shown in FIG. 7.

상기 요철은 에지프레임(100)의 내주연(112)에 개방부(120)쪽을 향하는 돌출부(112a)와 외주연(114)쪽을 향하는 만곡부(112b)를 교대로 형성함으로써 이루어진다.The unevenness is formed by alternately forming the protrusion 112a facing the open portion 120 and the curved portion 112b facing the outer circumference 114 on the inner circumferential edge 112 of the edge frame 100.

이는 에지프레임 동체(110)의 변영역이 기판(s)의 주변부를 덮는 면적을 줄임으로써 균일한 박막영역을 최대한 넓히기 위한 것이다.This is to widen the uniform thin film area as much as possible by reducing the area where the edge region of the edge frame body 110 covers the periphery of the substrate s.

돌출부(112a)와 만곡부(112b)에서 에지프레임(100)은 동체(110)의 폭이 달라지기 때문에, 기판(s)과 에지프레임의 동체(110)가 중첩되는 영역은 만곡부(112b)보다 돌출부(112a)에서 더 커진다.In the protrusion 112a and the curved portion 112b, since the width of the body 110 of the edge frame 100 varies, the area where the substrate s and the body 110 of the edge frame overlap is larger than the curved portion 112b. Larger at 112a.

상기 돌출부(112a)는 10cm 정도의 폭을 가지는 것이 바람직하며, 각 돌출부(112a)의 간격은 20 내지 50cm 정도로 형성되는 것이 바람직하다. 돌출부(112a) 또는 만곡부(112b)가 하부의 기판(s)을 커버하는 폭은 3mm 내지 9mm 정도인 것이 바람직하다.The protrusions 112a preferably have a width of about 10 cm, and the interval of each protrusion 112a is preferably formed about 20 to 50 cm. The width of the protrusion 112a or the curved portion 112b covering the lower substrate s is preferably about 3 mm to 9 mm.

도 7은 에지프레임(100)의 내주연이 기판(s)의 주변부와 모두 중첩되는 경우를 도시한 것이지만, 도 8과 같이 만곡부(112b)를 보다 깊게 형성하여 만곡부(112b)에서는 기판(s)과 중첩되지 않도록 형성할 수도 있다.FIG. 7 illustrates a case in which the inner circumference of the edge frame 100 overlaps all of the periphery of the substrate s. However, as shown in FIG. 8, the curved portion 112b is deeper and the substrate s is formed in the curved portion 112b. It may be formed so as not to overlap with.

한편, 에지프레임(100)의 상면은 플라즈마에 노출되므로 전술한 바와 같이 돌출부(112a), 만곡부(112b), 보상영역(130)의 단부를 라운드처리하여 아킹이 발생하지 않도록 주의하여야 한다.On the other hand, since the upper surface of the edge frame 100 is exposed to the plasma, care must be taken to avoid arcing by rounding the ends of the protrusion 112a, the curved portion 112b, and the compensation region 130 as described above.

본 발명에 따르면, 에지프레임의 모서리 부근에서 박막불균일 영역이 최소화되므로 기판의 실제 사용면적이 증가하여 원가절감에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 하나의 기판에서 얻을 수 있는 액정패널의 크기를 최대화할 수 있게 된다.According to the present invention, since the thin film non-uniformity area is minimized near the edge of the edge frame, the actual use area of the substrate is increased, thereby not only contributing to cost reduction but also maximizing the size of the liquid crystal panel obtained from one substrate. .

Claims (10)

기판안치대를 포함하는 챔버의 내부에서, 상기 기판안치대 상에 안착되는 기판의 단부에 설치되는 에지프레임에 있어서,An edge frame provided at an end of a substrate seated on the substrate stabilizer in the chamber including a substrate stabilizer, 상기 기판을 노출시키는 개방부를 가진 동체(胴體);A body having an opening for exposing the substrate; 상기 동체에서 상기 개방부의 내주연을 따라 선택적으로 설치되는 보상영역Compensation region selectively installed along the inner circumference of the opening in the fuselage 을 포함하는 에지프레임Edge frame containing 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 동체는 제1영역과 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역에 상기 보상영역이 설치되고, 상기 제1영역과 상기 기판의 제1중첩영역은 상기 제2영역의 상기 기판의 제2중첩영역보다 더 작은 것을 특징으로 하는 에지프레임The body is divided into a first region and a second region, and the compensation region is provided in the first region, and the first overlapping region of the first region and the substrate is a second overlapping of the substrate of the second region. Edge frame characterized in that it is smaller than the area 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 동체의 상기 내주연과 상기 동체의 외주연의 폭에 있어서, 상기 제1중첩영역이 상기 제2중첩영역보다 작은 것을 특징으로 하는 에지프레임An edge frame in which the first overlap region is smaller than the second overlap region in the width of the inner circumference of the fuselage and the outer circumference of the fuselage 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1영역은 상기 기판의 모서리영역과 대응되고, 상기 제2영역은 상기 기판의 변영역과 대응되는 것을 특징으로 하는 에지프레임The first region corresponds to an edge region of the substrate, and the second region corresponds to an edge region of the substrate. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보상영역이 설치되는 상기 제1 영역은 상기 기판과 중첩되지 않는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 에지프레임The first frame in which the compensation area is installed includes an edge frame not overlapping with the substrate. 기판안치대를 포함하는 챔버의 내부에서, 상기 기판안치대 상에 안착되는 기판의 단부에 설치되는 에지프레임에 있어서,An edge frame provided at an end of a substrate seated on the substrate stabilizer in the chamber including a substrate stabilizer, 상기 기판을 노출시키는 개방부를 가지고 제1영역과 제2영역으로 구분되며, 상기 제1영역과 상기 기판의 제1중첩영역은 상기 제2영역의 상기 기판의 제2 중첩영역보다 더 작은 것을 특징으로 하는 에지프레임The first region and the second region having an opening for exposing the substrate is divided into, wherein the first overlapping region of the first region and the substrate is smaller than the second overlapping region of the substrate of the second region Edge frame 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1영역은 상기 기판의 모서리영역과 대응되는 것을 특징으로 하는 에지프레임An edge frame, wherein the first region corresponds to an edge region of the substrate 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1영역과 제2영역은 교번되어 설치되는 것을 특징으로 하는 에지프레임Edge frame, characterized in that the first region and the second region are installed alternately 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1영역은 상기 동체의 내주연에서 상기 동체의 외주연 방향으로 확장되는 사각 또는 원 형상인 것을 특징으로 하는 에지프레임The first region is an edge frame, characterized in that the rectangular or circular shape extending from the inner circumference of the fuselage to the outer circumferential direction of the fuselage 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판의 모서리영역과 대응되는 상기 제1영역은 상기 기판과 비중첩 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 에지프레임An edge frame, wherein the first region corresponding to the edge region of the substrate includes the substrate and the non-overlapping region.
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