KR102291236B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버; 상기 챔버의 제1측벽부에 설치되는 기판출입구; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 안치대; 상기 기판 안치대에 대향되고 RF파워와 연결된 RF전극; 및 상기 기판출입구가 설치된 상기 제1측벽부에서 연장되고, 상기 제1측벽부와 전기적으로 연결되는 플라즈마 차폐부재를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention is a chamber; a substrate inlet installed on the first side wall of the chamber; a substrate holder installed in the chamber to support the substrate; an RF electrode facing the substrate mounting table and connected to RF power; and a plasma shielding member extending from the first sidewall portion where the substrate outlet is installed and electrically connected to the first sidewall portion.

Description

기판 처리 장치{Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히 기판지지부재 하부로의 플라즈마 필드의 확산을 방지하고, 챔버 하부면에 불필요한 박막의 증착 감소와 이를 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of preventing diffusion of a plasma field to a lower portion of a substrate support member and reducing unnecessary thin film deposition on a lower surface of a chamber and preventing the same.

대표적인 평판 표시 장치인 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 게이트 배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 화소 영역에 박막 트랜지스터와 화소 전극을 구비한 박막 트랜지스터 기판과, 컬러 필터와 공통 전극을 구비한 컬러 필터 기판과, 두 기판 사이에 개재되는 액정층으로 구성된다. 또한, LCD의 기판으로 유리 기판을 이용할 수 있는데, LCD의 대형화 추세에 맞춰 유리 기판의 크기가 증대되고 있고, 생산성을 향상시키기 위해 대량 생산화되고 있다. 예를 들어, 2200㎜×2500㎜ 정도 크기의 8세대 기판을 이용하여 LCD 제조 공정을 진행하고 있다.A liquid crystal display (LCD), which is a typical flat panel display device, includes a thin film transistor substrate including a thin film transistor and a pixel electrode in a pixel area defined by a gate line and a data line, and a color filter including a color filter and a common electrode. It is composed of a filter substrate and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, a glass substrate can be used as a substrate of the LCD, and the size of the glass substrate is increasing in accordance with the trend of increasing the size of the LCD, and is being mass-produced to improve productivity. For example, the LCD manufacturing process is in progress using an 8th generation substrate with a size of about 2200 mm × 2500 mm.

이러한 LCD를 제조하기 위해 기판 상에 원료 물질을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 형상으로 패터닝(patterning)하는 식각 공정 등을 거치게 된다. 한편, LCD를 제조하기 위한 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 공정 챔버 내에서 진행된다. 예를 들어, 박막 증착 공정은 원료 물질을 플라즈마 상태로 변환시킨 후 이를 이용하여 박막을 증착하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치를 이용하여 실시한다. PECVD 장치는 소정의 반응 공간을 마련하는 챔버와, 챔버 내부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지대와, 기판 지지대와 대향 마련되어 공정 가스를 분사하는 가스 분사부와, 공정 가스를 플라즈마 상태로 변환시키기 위해 소정의 전원을 인가하는 플라즈마 발생부를 포함할 수 있다. 또한, 대면적 유리 기판 등을 처리하기 위해 장치도 대형화되고 있다.To manufacture such an LCD, a thin film deposition process for depositing a raw material on a substrate, a photolithography process for exposing selected areas of these thin films using a photosensitive material, and patterning into a desired shape by removing the thin film from the selected area It is subjected to an etching process such as patterning. Meanwhile, each process for manufacturing the LCD is performed in a process chamber designed in an optimal environment for the process. For example, the thin film deposition process is performed using a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) apparatus that converts a raw material into a plasma state and deposits a thin film using the converted material. The PECVD apparatus includes a chamber for providing a predetermined reaction space, a substrate support provided inside the chamber to support a substrate, a gas injection unit provided opposite the substrate support for spraying a process gas, and a predetermined process gas for converting the process gas into a plasma state. It may include a plasma generator for applying power. Moreover, in order to process a large area glass substrate etc., the apparatus is also enlarged.

그런데, 기판 안치대의 후면으로 플라즈마가 누설되면 챔버 하면의 벽면과 기판 안치대 하면에 박막이 증착이 되고, 증착되었던 박막이 떨어져 나와 챔버 내부에서 파티클로 작용하게 된다. 이후 기판 증착시에 기판 상면에 정상적인 증착과 파티클이 동시에 증착이 되어 균일한 막 생성에 안 좋은 영향을 줄 수 있다.However, when plasma leaks to the rear surface of the substrate mounting table, a thin film is deposited on the wall surface of the chamber and the lower surface of the substrate mounting table, and the deposited thin film comes off and acts as a particle inside the chamber. Thereafter, during substrate deposition, normal deposition and particles are simultaneously deposited on the upper surface of the substrate, which may adversely affect uniform film formation.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 기판 안치대 하부로의 플라즈마 필드의 확산을 방지하고, 챔버 하부면에 불필요한 박막의 증착 감소와 이를 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been devised to solve the above problems, and it is technically to prevent diffusion of the plasma field to the lower part of the substrate seating table, and to provide a substrate processing apparatus capable of reducing and preventing unnecessary thin film deposition on the lower surface of the chamber. make it a task

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예들에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 일 측벽에 설치되어 내부로 기판이 출입하는 기판출입구, 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 안치대, 상기 기판 안치대에 대향되고 RF파워와 연결된 RF전극, 상기 기판출입구가 설치된 일 측벽에만 설치되어 상기 샤워헤드와 상기 기판 안치대 사이에서 생성된 플라즈마 필드가 상기 기판출입구 부근에서의 이상 증착을 방지하는 플라즈마 차폐부재를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention for achieving the above-described technical problem includes a chamber providing a process space, a substrate entrance installed on one side wall of the chamber to allow a substrate to enter and exit, and a substrate installed inside the chamber A substrate holder that supports, an RF electrode opposite to the substrate holder and connected to RF power, is installed only on one sidewall where the substrate entrance is installed, and a plasma field generated between the showerhead and the substrate holder is generated near the substrate entrance. It may include a plasma shielding member to prevent abnormal deposition of the.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예들에 따른 기판 처리 장치는 공정 공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 안치대, 상기 기판 안치대에 대향되고 RF파워와 연결된 샤워헤드, 상기 챔버의 벽면에 설치되어 상기 샤워헤드와 상기 기판 안치대 사이에서 생성된 플라즈마 필드가 상기 기판 안치대 하부로의 확산을 방지하는 플라즈마 차폐부재를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to other examples of the present invention for achieving the above-described technical problem is a chamber providing a process space, a substrate holder installed in the chamber to support a substrate, and an RF power and The connected showerhead may include a plasma shielding member installed on a wall surface of the chamber to prevent a plasma field generated between the showerhead and the substrate mounting table from being diffused to a lower portion of the substrate mounting table.

상기 플라즈마 차폐부재와 상기 기판 안치대의 거리는 3mm이하로 유지될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버의 제1측벽부에 설치되는 기판출입구; 상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 안치대; 상기 기판 안치대에 대향되고 RF파워와 연결된 RF전극; 및 상기 기판출입구가 설치된 상기 제1측벽부에서 연장되고, 상기 제1측벽부와 전기적으로 연결되는 플라즈마 차폐부재를 포함할 수 있다.A distance between the plasma shielding member and the substrate mounting table may be maintained at 3 mm or less.
A substrate processing apparatus according to the present invention includes a chamber; a substrate inlet installed on the first side wall of the chamber; a substrate holder installed in the chamber to support the substrate; an RF electrode facing the substrate mounting table and connected to RF power; and a plasma shielding member extending from the first sidewall portion where the substrate entrance is installed and electrically connected to the first sidewall portion.

본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 플라즈마 차폐부재를 기판 안치대와 챔버의 측벽 사이에 장착하여 챔버의 하부로 필드의 확산을 방지하여 챔버 하부에 박막 증착되는 현상을 방지 할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention, the plasma shielding member is mounted between the substrate rest and the sidewall of the chamber to prevent diffusion of the field to the lower part of the chamber, thereby preventing the deposition of the thin film in the lower part of the chamber.

또한, 챔버 하부면에 불필요한 박막의 증착을 감소 및 방지하여 챔버 내의 파티클 및 이물질을 감소하여 기판 증착 시에 박막의 이물질의 증착을 방지 할 수 있다.In addition, by reducing and preventing the deposition of unnecessary thin films on the lower surface of the chamber, particles and foreign substances in the chamber can be reduced, thereby preventing the deposition of foreign substances on the thin film during substrate deposition.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 기판출입구 부분을 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 플라즈마 차폐부재가 에지 프레임을 지지하는 것을 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 플라즈마 차폐부재가 복수개 설치된 것을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 통과공을 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 통과공을 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 플라즈마 차폐부재를 나타내는 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view illustrating a portion of the substrate inlet shown in FIG. 1 .
4 is a schematic cross-sectional view illustrating that a plasma shielding member supports an edge frame in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a plan view illustrating a plurality of plasma shielding members installed in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a plan view illustrating a through hole in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view showing the through hole shown in FIG.
8 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
9 is a perspective view illustrating the plasma shielding member shown in FIG. 8 .
10 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be embodied in various different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art It is provided for complete disclosure.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 소정의 반응 공간이 마련된 반응 챔버(100)와, 반응 챔버(100) 내에 마련되어 기판(10)을 지지하는 기판 지지대(170)와, 기판 안치대(160) 주위의 소정 영역에 고정되어 마련된 플라즈마 차폐부재(300)와, 기판 안치대(160)와 대향 마련되어 공정 가스를 분사하는 샤워 헤드(200)와, 반응 챔버(100) 내에 마련되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전원을 공급하는 정합기(140), 고주파 전원(15)과 가스 분사부(210)에 공정 가스를 공급하는 가스공급관(130) 및 가스 공급부(미도시)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a reaction chamber 100 provided with a predetermined reaction space, and a substrate support 170 provided in the reaction chamber 100 to support a substrate 10 . and a plasma shielding member 300 fixed to a predetermined area around the substrate mounting table 160 , a shower head 200 provided to face the substrate mounting unit 160 and spraying a process gas, and a reaction chamber 100 . It includes a matcher 140 provided inside and supplying power for generating plasma, a gas supply pipe 130 for supplying a process gas to the high frequency power source 15 and the gas injection unit 210, and a gas supply unit (not shown). .

반응 챔버(100)는 소정의 반응 공간을 마련하고, 이를 기밀하게 유지시킨다. 반응 챔버(100)는 대략 사각형의 평면 리드부(110b) 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽 중 기판출입구(110)측이 있는 제1측벽부(100a)와 반대편으로 연장된 제2측벽부(110e)를 포함하고, 상기 기판출입구(110)하면으로 연장된 챔버 하부(110d)를 포함한다. 이러한 반응 챔버(100)는 기판의 형상에 대응하는 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 반응 챔버(100)의 하면의 소정 영역에는 배기구(120)가 마련된다. 배기구(120)은 배기 장치(미도시)가 연결된다. 배기 장치로는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프가 이용될 수 있다. 따라서, 배기 장치에 의해 반응 챔버(100) 내부를 소정의 감압 분위기, 예를 들어 0.1mTorr 이하의 소정의 압력까지 진공 흡입할 수 있다. 배기구(120)는 반응 챔버(100)의 하면 뿐만 아니라 기판 안치대(160) 하측의 반응 챔버(100) 측면에 설치될 수도 있다. 또한, 배기되는 시간을 줄이기 위해 다수개의 배기구(120) 및 그에 따른 배기 장치가 더 설치될 수도 있다.The reaction chamber 100 provides a predetermined reaction space, and keeps it airtight. The reaction chamber 100 has a substantially rectangular flat lid portion 110b and a second sidewall portion 110e extending opposite to the first sidewall portion 100a having the substrate inlet 110 side among the sidewalls extending upward from the flat portion. ), and a lower chamber (110d) extending to the lower surface of the substrate inlet (110). The reaction chamber 100 may be manufactured in various shapes corresponding to the shape of the substrate. An exhaust port 120 is provided in a predetermined region of the lower surface of the reaction chamber 100 . The exhaust port 120 is connected to an exhaust device (not shown). As the exhaust device, a vacuum pump such as a turbo molecular pump may be used. Accordingly, the inside of the reaction chamber 100 may be vacuum sucked into a predetermined reduced pressure atmosphere, for example, to a predetermined pressure of 0.1 mTorr or less by the exhaust device. The exhaust port 120 may be installed not only on the lower surface of the reaction chamber 100 , but also on the side surface of the reaction chamber 100 under the substrate seat 160 . In addition, a plurality of exhaust ports 120 and a corresponding exhaust device may be further installed in order to reduce the exhaust time.

기판 안치대(160)는 반응 챔버(100)의 내부에 마련되며, 가스 분사부(200)와 대향하는 위치에 설치된다. 예를 들어, 기판 안치대(160)는 반응 챔버(100) 내부의 하측에 마련되고, 가스 분사부(200)는 반응 챔버(100) 내부의 상측에 마련될 수 있다. 기판 안치대(160)는 반응 챔버(100)의 기판출입구(110)으로 유입된 기판(10)이 안착될 수 있다. 이때, 기판(10)은 LCD 제조용 유리 기판이 이용될 수 있고, 유리 기판은 예를 들어 2200㎜×2500㎜ 정도 및 이상의 크기를 가질 수 있다. 또한, 기판 안치대(160)는 기판(10)이 안착되어 지지될 수 있도록 예를 들어 정전척 등이 마련되어 기판(10)을 정전력에 의해 흡착 유지할 수도 있고, 진공 흡착이나 기계적 힘에 의해 기판(10)을 지지할 수도 있다. The substrate holder 160 is provided inside the reaction chamber 100 and is installed at a position opposite to the gas injection unit 200 . For example, the substrate holder 160 may be provided at a lower side of the reaction chamber 100 , and the gas injection unit 200 may be provided at an upper side inside the reaction chamber 100 . The substrate holder 160 may seat the substrate 10 introduced into the substrate inlet 110 of the reaction chamber 100 . In this case, as the substrate 10, a glass substrate for manufacturing LCD may be used, and the glass substrate may have a size of, for example, about 2200 mm×2500 mm or more. In addition, the substrate holder 160 may be provided with, for example, an electrostatic chuck so that the substrate 10 can be seated and supported to adsorb and hold the substrate 10 by electrostatic force, or by vacuum adsorption or mechanical force. (10) may be supported.

또한, 기판 안치대(160)는 기판(10) 형상과 대응되는 형상, 예를 들어 사각형으로 마련될 수 있으며, 기판(10)보다 크게 제작될 수 있다. 기판 안치대(160) 하부에는 기판 안치대(160)를 승하강 이동시키는 기판 승강기(170)가 마련될 수 있다. 기판 승강기(170)는 기판 안치대(160)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙 영역을 지지하도록 마련되고, 기판 안치대(160) 상에 기판(10)이 안착되면 기판 안치대(160)를 가스 분사부(210)와 근접하도록 이동시킬 수 있다. 추가적으로, 기판 안치대(160) 위에는 에지 프레임(500)이 배치될 수 있다. 이 경우, 일 예에 따른 에지 프레임(500)은 기판 안치대(160)의 상면 가장자리 부분을 덮을 수 있다. 다른 예에 따른 에지 프레임(500)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 안치대(160)의 상면 가장자리 부분과 플라즈마 차폐부재(300)를 동시에 덮을 수 있다.In addition, the substrate holder 160 may be provided in a shape corresponding to the shape of the substrate 10 , for example, a quadrangle, and may be manufactured to be larger than the substrate 10 . A substrate lifter 170 for elevating and lowering the substrate mounting table 160 may be provided at a lower portion of the substrate mounting table 160 . The substrate elevator 170 is provided to support at least one region, for example, a central region, of the substrate holder 160 , and when the substrate 10 is seated on the substrate holder 160 , the substrate holder 160 is lifted. It may be moved to be close to the gas injection unit 210 . Additionally, an edge frame 500 may be disposed on the substrate seating unit 160 . In this case, the edge frame 500 according to an example may cover an edge portion of the upper surface of the substrate mounting table 160 . The edge frame 500 according to another example, as shown in FIG. 3 , may simultaneously cover the upper surface edge portion of the substrate seating unit 160 and the plasma shielding member 300 .

가스공급관(130)을 통해 공정 가스가 공급이 되면 평면리드부(110b)와 샤워 헤드(200)사이의 공간에 가득차고, 공정 가스는 샤워헤드(200)의 가스 분사부(210)으로 공급되어 기판(10)으로 분사가 될 수 있다. 이때 플라즈마를 발생시키기 위해 전원을 공급하는 정합기(140)과 고주파 전원(150)을 이용하여 RF를 샤워헤드(200)에 공급하면 샤워헤드(200) 하부에서부터 기판안치대(160)까지 플라즈마 필드(미도시)가 발생이 될 수 있다.When the process gas is supplied through the gas supply pipe 130, the space between the flat lead part 110b and the shower head 200 is filled, and the process gas is supplied to the gas injection part 210 of the shower head 200. It may be sprayed onto the substrate 10 . At this time, when RF is supplied to the showerhead 200 using the matching unit 140 and the high-frequency power source 150 that supply power to generate plasma, the plasma field from the lower portion of the showerhead 200 to the substrate mounting table 160 . (not shown) may occur.

샤워헤드(200) 하면과 기판안치대(160) 상면까지 공간에 플라즈마 필드(미도시)가 발생이 되고, 발생된 플라즈마 필드(미도시)는 기판안치대(160)의 상면에 있는 기판(10)에 공정가스와 반응하여 박막이 증착이 될 수 있다.A plasma field (not shown) is generated in the space up to the lower surface of the showerhead 200 and the upper surface of the substrate holder 160 , and the generated plasma field (not shown) is generated on the substrate 10 on the upper surface of the substrate holder 160 . ) reacts with the process gas to form a thin film.

기판(10) 방향으로 필드가 확산되어 기판(10)에 박막이 증착되고, 확산된 필드는 챔버의 하부(110d) 방향으로도 확산될 수 있다. 따라서, 플라즈마 차폐부재(300)를 기판 안치대(160)과 챔버(100)의 측벽인 제1측벽부(100a)와 제2측벽부110e) 사이에 장착하여 챔버의 하부(110d)로 필드가 확산되지 않게 할 수 있다.The field is diffused in the direction of the substrate 10 to deposit a thin film on the substrate 10 , and the diffused field may also diffuse in the direction of the lower portion 110d of the chamber. Therefore, the plasma shielding member 300 is mounted between the substrate mounting table 160 and the first sidewall portion 100a and the second sidewall portion 110e, which are the sidewalls of the chamber 100, so that the field is transferred to the lower portion 110d of the chamber. can be prevented from spreading.

플라즈마 차폐부재(300)는 챔버의 측벽에 설치 또는 배치가 될 수도 있고, 플라즈마 차폐부재(300)는 기판안치대(160)과의 거리는 3mm이하로 설치가 될 수 있다. 3mm 이상이 될 경우에는 플라즈마 필드가 통과되어 플라즈마 필드 차폐의 역할과 기능을 하지 못하게 되므로 3mm 이하로 간격을 유지되어야 한다.The plasma shielding member 300 may be installed or disposed on the sidewall of the chamber, and the plasma shielding member 300 may be installed at a distance of 3 mm or less from the substrate mounting table 160 . If it is more than 3mm, the plasma field passes through and the role and function of shielding the plasma field is not possible, so the gap should be maintained at 3mm or less.

플라즈마 차폐부재(300)에는 공정가스의 유동이 원활히 되기 위해 3mm이하의 공정홀(미도시)이 있어, 공정가스는 원활히 배기 되고, 플라즈마 필드는 통과가 되지 않게 할 수 있다. The plasma shielding member 300 has a process hole (not shown) of 3 mm or less to facilitate the flow of the process gas, so that the process gas is smoothly exhausted and the plasma field cannot pass through.

플라즈마 발생부는 정합기(140)과 고주파 전원(150)으로 이루어져 있으며, 반응 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위한 전원을 공급한다. 플라즈마 발생부는 반응 챔버(100)의 샤워헤드(200)와 연결되고, 가스 분사부(210)에 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전원을 공급한다. 고주파 전원(150)은 예를 들어 13.56㎒ 등의 이상의 고주파 전원을 생성하고, 정합기(140)는 반응 챔버(100)의 임피던스를 검출하여 임피던스의 허수 성분과 반대 위상의 임피던스 허수 성분을 생성함으로써 임피던스가 실수 성분인 순수 저항과 동일하도록 반응 챔버(100) 내에 최대 전력을 공급하고, 그에 따라 최적의 플라즈마를 발생시키도록 한다. 한편, 플라즈마 발생부가 반응 챔버(100) 상측에 마련되고 가스 분사부(400)에 고주파 전원이 인가되므로 반응 챔버(100)가 접지되어 반응 챔버(100) 내부에 공정 가스의 플라즈마가 생성될 수 있다.The plasma generator includes a matching unit 140 and a high-frequency power source 150 , and supplies power to excite the process gas supplied into the reaction chamber 100 into a plasma state. The plasma generator is connected to the showerhead 200 of the reaction chamber 100 , and supplies high-frequency power for generating plasma to the gas sprayer 210 . The high-frequency power source 150 generates a high-frequency power source of, for example, 13.56 MHz or higher, and the matching unit 140 detects the impedance of the reaction chamber 100 and generates an imaginary component of the impedance opposite to the imaginary component of the impedance. The maximum power is supplied in the reaction chamber 100 so that the impedance is equal to the pure resistance, which is a real component, and accordingly, an optimal plasma is generated. On the other hand, since the plasma generating unit is provided above the reaction chamber 100 and a high frequency power is applied to the gas injector 400 , the reaction chamber 100 is grounded to generate plasma of the process gas inside the reaction chamber 100 . .

도 2를 참조하면, 기판출입구(110)의 영향으로 기판출입구(110)의 방향의 챔버 하부(100d) 측벽 및 기판출입구(110) 내부 및 주변에 이상 증착 및 아킹이 발생할 수 있기 때문에 플라즈마 차폐부재(300)는 챔버 측벽인 제1측벽부(100a) 방향에만 설치될 수 있다. 제1측벽부(100a)에는 기판출입구(110)가 설치가 되어 챔버의 측벽에 개구부가 생겨 플라즈마 필드의 흐름이 개구부가 없는 챔버의 측벽과 다를 수 있어, 기판출입구(110) 주변 및 챔버의 외부와 챔버의 내부를 연결해 주는 통로 부근에만 박막이 이상 증착이 될 수 있어 플라즈마 차폐부재(300)을 설치하여 이를 방지 할 수 있다. 또한, 플라즈마 차폐부재(300)는 기판출입구(110) 상부 측벽에서 연장되며, 상부 측벽인 제1측벽부(100a)와 전기적으로 연결되어 이상 증착을 방지 할 수 있고, 플라즈마 차폐부재(300)는 상부 측벽인 1측벽부(100a)와 동전위이며, 상부 측벽인 제1측벽부(100a)는 접지될 수 있다. 플라즈마 차폐부재(300)는 공정 중에 상기 기판 안치대(160)의 옆에 위치하여 필드 챔버 하부(110d) 방향으로 확산하는 것을 차폐 할 수 있다. 또한, 플라즈마 차폐부재(300)는 기판출입구(110)의 하부에도 설치될 수 있다.Referring to FIG. 2 , due to the influence of the substrate inlet 110 , abnormal deposition and arcing may occur in and around the chamber lower portion 100d sidewall and the substrate inlet 110 in the direction of the substrate inlet 110 . Reference numeral 300 may be installed only in the direction of the first sidewall portion 100a, which is the sidewall of the chamber. The substrate inlet 110 is installed in the first side wall portion 100a, and an opening is formed in the side wall of the chamber, so that the flow of the plasma field may be different from the side wall of the chamber without the opening, around the substrate inlet 110 and outside the chamber Since the thin film can be abnormally deposited only in the vicinity of the passage connecting the inside of the chamber and the chamber, this can be prevented by installing the plasma shielding member 300 . In addition, the plasma shielding member 300 extends from the upper sidewall of the substrate entrance 110, and is electrically connected to the first sidewall portion 100a, which is the upper sidewall, to prevent abnormal deposition, and the plasma shielding member 300 is The first sidewall portion 100a as the upper sidewall is at the same potential, and the first sidewall portion 100a as the upper sidewall may be grounded. The plasma shielding member 300 may be positioned next to the substrate holder 160 during the process to shield diffusion in the direction of the lower field chamber 110d. Also, the plasma shielding member 300 may be installed under the substrate entrance 110 .

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 플라즈마 차폐부재가 에지 프레임을 지지하는 것을 나타내는 개략 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view illustrating that a plasma shielding member supports an edge frame in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 샤워헤드(200)와 상기 기판 안치대(160) 사이에서 생성된 플라즈마 필드가 상기 기판 안치대(160)에 증착되는 것을 방지하기 위한 에지 프레임(500)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the plasma field generated between the showerhead 200 and the substrate holder 160 is deposited on the substrate holder 160 . It may include an edge frame 500 for preventing.

상기 에지 프레임(500)에는 내부에 기판(10)이 위치할 수 있는 공간이 마련된다. 예컨대, 상기 에지 프레임(500)은 전체적으로 내부가 비어있는 사각형 형태로 형성될 수 있다. 상기 에지 프레임(500)은 내부에 상기 기판(10)이 위치할 수 있도록 상기 기판(10)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 상기 에지 프레임(500)은 상기 기판 안치대(160)의 상면 가장자리 부분을 덮을 수 있도록 상기 기판 안치대(160)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 에지 프레임(500)은 상기 기판 안치대(160)의 상면 가장자리에 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.The edge frame 500 is provided with a space in which the substrate 10 can be located. For example, the edge frame 500 may be formed in a rectangular shape with an empty interior as a whole. The edge frame 500 may be formed to be larger than the size of the substrate 10 so that the substrate 10 can be positioned therein. The edge frame 500 may be formed to be larger than the size of the substrate holder 160 so as to cover an edge portion of the upper surface of the substrate holder 160 . Accordingly, the edge frame 500 may prevent a thin film from being deposited on the edge of the upper surface of the substrate rest 160 .

상기 에지 프레임(500)은 기판(10)에 박막을 증착시키는 공정(이하, '증착 공정'이라 함) 중에는 상기 기판 안치대(160)에 지지되고, 상기 증착 공정이 종료된 후에는 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 지지될 수 있다.The edge frame 500 is supported on the substrate holder 160 during a process of depositing a thin film on the substrate 10 (hereinafter, referred to as a 'deposition process'), and after the deposition process is finished, the plasma shielding It may be supported by the member 300 .

예컨대, 상기 증착 공정이 수행되기 전에 상기 기판출입구(110)를 통해 상기 기판 안치대(160)에 상기 기판(10)이 안착되면, 상기 기판 안치대(160)는 상기 기판 승강기(170)에 의해 상승함에 따라 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 지지된 상기 에지 프레임(500)을 지지할 수 있다. 이 과정에서, 상기 기판(10)은 상기 에지 프레임(500)에 마련된 내부 공간에 위치하게 되고, 상기 에지 프레임(500)은 상기 기판 안치대(160)의 상면 가장자리 부분을 덮게 된다. 상기 에지 프레임(500)은 상기 기판 안치대(160)에 지지된 상태에서 상기 기판 안치대(160)가 더 상승함에 따라 상기 플라즈마 차폐부재(300)로부터 이격될 수 있다. 이에 따라, 상기 에지 프레임(500)은 상기 증착 공정 중에 상기 기판 안치대(160)에 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.For example, when the substrate 10 is seated on the substrate holder 160 through the substrate entrance 110 before the deposition process is performed, the substrate holder 160 is moved by the substrate elevator 170 . As it rises, the edge frame 500 supported by the plasma shielding member 300 may be supported. In this process, the substrate 10 is positioned in the inner space provided in the edge frame 500 , and the edge frame 500 covers an upper edge portion of the substrate mounting table 160 . The edge frame 500 may be spaced apart from the plasma shielding member 300 as the substrate holder 160 further rises while being supported on the substrate holder 160 . Accordingly, the edge frame 500 may prevent a thin film from being deposited on the substrate mounting table 160 during the deposition process.

예컨대, 상기 증착 공정이 수행된 후에 상기 기판 안치대(160)가 상기 기판 승강기(170)에 의해 하강하면, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 에지 프레임(500)을 지지할 수 있다. 이 과정에서, 상기 에지 프레임(500)은 상기 기판 안치대(160)로부터 이격될 수 있다.For example, when the substrate rest 160 is lowered by the substrate lifter 170 after the deposition process is performed, the plasma shielding member 300 may support the edge frame 500 . In this process, the edge frame 500 may be spaced apart from the substrate mounting table 160 .

이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 증착 공정이 수행되는 과정에서 상기 플라즈마 차폐부재(300)를 이용하여 상기 에지 프레임(500)을 상기 기판 안치대(160)에 지지시킬 수 있고, 상기 에지 프레임(500)을 상기 기판 안치대(160)로부터 이격시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 에지 프레임(500)을 이용하여 상기 기판 안치대(160)의 가장자리에 박막이 증착되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 기판(10)이 상기 기판출입구(110)를 통해 출입하는 과정에서 상기 기판(10) 및 상기 에지 프레임(500) 간에 간섭이 발생되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the edge frame 500 is supported on the substrate rest 160 using the plasma shielding member 300 during the deposition process. Also, the edge frame 500 may be spaced apart from the substrate mounting table 160 . Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, it is possible to prevent a thin film from being deposited on the edge of the substrate mounting table 160 by using the edge frame 500 , and the substrate 10 . Interference between the substrate 10 and the edge frame 500 may be prevented from occurring in the process of entering and exiting through the substrate entrance 110 .

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 플라즈마 차폐부재가 복수개 설치된 것을 나타내는 평면도이다.5 is a plan view illustrating a plurality of plasma shielding members installed in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 기판출입구(110)의 상부 측벽에 복수개가 설치될 수 있다. 상기 플라즈마 차폐부재(300)들은 상기 기판(10)이 출입하기 위해 이동하는 이동방향에 대해 수직한 방향으로 서로 이격되게 설치될 수 있다. 예컨대, 상기 플라즈마 차폐부재(300)들은 접착, 용접 등의 방법으로 상기 기판출입구(110) 상부 측벽에 결합될 수 있다. 상기 플라즈마 차폐부재(300)들은 일측이 상기 기판출입구(110)의 상부 측벽에 결합되고, 타측이 상기 기판 안치대(160)와 이격되게 설치될 수 있다.4 and 5 , a plurality of the plasma shielding members 300 may be installed on the upper sidewall of the substrate entrance 110 . The plasma shielding members 300 may be installed to be spaced apart from each other in a direction perpendicular to the moving direction in which the substrate 10 moves to enter and exit. For example, the plasma shielding members 300 may be coupled to the upper sidewall of the substrate entrance 110 by bonding, welding, or the like. One side of the plasma shielding members 300 may be coupled to the upper sidewall of the substrate entrance 110 , and the other side may be installed to be spaced apart from the substrate mounting table 160 .

상기 플라즈마 차폐부재(300)가 복수개 설치되는 것을 설명하기에 앞서, 상기 플라즈마 차폐부재(300)가 상기 기판출입구(110)에 대응되는 크기로 한 개만 설치된 경우(도 3에 도시됨)를 먼저 설명하면, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 기판출입구(110)에서 상기 기판 안치대(160)를 향하는 방향으로 돌출되게 상기 기판출입구(110) 상부 측벽에 결합될 수 있다. 이에 따라, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 기판 안치대(160) 상부에서 하부로 배출되는 공정 가스가 상기 기판출입구(110)로부터 이격된 위치에서 배출되도록 할 수 있다. 따라서, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 기판출입구(110)로 이동하는 공정 가스의 유량을 감소시켜 상기 기판출입구(110)에 와류가 발생하는 것을 감소시킴으로써, 상기 기판출입구(110)에 이물질이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 상기 기판 안치대(160) 상부의 공정 가스는 상기 플라즈마 차폐부재(300)와 상기 기판 안치대(160) 사이를 통해 상기 기판 안치대(160) 하부로 배출될 수 있다. 이에 따라, 상기 기판 안치대(160) 상부의 압력은 감소될 수 있다.Before explaining that a plurality of the plasma shielding members 300 are installed, a case in which only one plasma shielding member 300 is installed with a size corresponding to the substrate inlet 110 (shown in FIG. 3 ) will be first described. Then, the plasma shielding member 300 may be coupled to the upper sidewall of the substrate entrance 110 to protrude in a direction from the substrate entrance 110 toward the substrate mounting table 160 . Accordingly, the plasma shielding member 300 may allow the process gas discharged from the upper portion of the substrate mounting table 160 to the lower portion to be discharged at a position spaced apart from the substrate inlet 110 . Therefore, the plasma shielding member 300 reduces the flow rate of the process gas moving to the substrate inlet 110 to reduce the occurrence of eddy currents in the substrate inlet 110 , thereby preventing foreign substances from entering the substrate inlet 110 . deposition can be prevented. In this case, the process gas on the substrate mounting table 160 may be discharged to the lower portion of the substrate mounting table 160 through between the plasma shielding member 300 and the substrate mounting table 160 . Accordingly, the pressure on the substrate mounting table 160 may be reduced.

상기 플라즈마 차폐부재(300)들이 상기 기판출입구(110) 상부 측벽에 서로 이격되게 설치되면(도 5에 도시됨), 상기 플라즈마 차폐부재(300)가 상기 기판출입구(110)에 대응되는 크기로 한 개만 설치된 경우와 동일한 기능과 효과를 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 추가적인 효과를 나타낼 수 있다. 예컨대, 상기 기판출입구(110)로 이동하는 공정 가스의 유량을 감소시켜 상기 기판출입구(110)에 와류가 발생하는 것을 감소시킴으로써 상기 기판출입구(110)에 이물질이 증착되는 것을 방지하는 효과, 및 상기 플라즈마 차폐부재(300)들과 상기 기판 안치대(160) 사이를 통해 상기 기판 안치대(160) 상부의 공정 가스를 상기 기판 안치대(160) 하부로 배출시키는 기능은 동일하다. 추가로 상기 플라즈마 차폐부재(300)들이 상기 기판출입구(110) 상부 측벽에 서로 이격되게 설치되면, 상기 플라즈마 차폐부재(300)들은 상기 기판 안치대(160) 상부의 공정 가스를 상기 플라즈마 차폐부재(300)들과 상기 기판 안치대(160) 사이 뿐만 아니라, 상기 플라즈마 차폐부재(300)들 간에 이격된 사이를 통해서도 상기 기판 안치대(160) 하부로 배출시킬 수 있다. 예컨대, 상기 플라즈마 차폐부재(300)들이 서로 이격된 거리는 3㎜ 이하일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판 안치대(160) 상부에서 하부로 배출되는 공정 가스의 배출량을 증대시킴으로써, 상기 기판 안치대(160) 상부의 압력을 더 감소시킬 수 있다.When the plasma shielding members 300 are installed to be spaced apart from each other on the upper sidewall of the substrate inlet 110 (shown in FIG. 5 ), the plasma shielding member 300 is sized to correspond to the substrate inlet 110 . It can exhibit the same functions and effects as when only dogs are installed, but also can exhibit additional effects. For example, by reducing the flow rate of the process gas moving to the substrate inlet 110 by reducing the occurrence of eddy current in the substrate inlet 110, the effect of preventing the deposition of foreign substances in the substrate inlet 110, and the The function of discharging the process gas above the substrate mounting table 160 to the lower portion of the substrate mounting table 160 through the plasma shielding members 300 and the substrate mounting table 160 is the same. In addition, when the plasma shielding members 300 are installed to be spaced apart from each other on the upper sidewall of the substrate inlet 110, the plasma shielding members 300 transmit the process gas on the substrate mounting table 160 to the plasma shielding member ( 300) and the substrate holder 160, as well as between the plasma shielding members 300 spaced apart from each other, may be discharged to the lower portion of the substrate holder 160. For example, the distance the plasma shielding members 300 are spaced apart from each other may be 3 mm or less. Accordingly, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention increases the amount of the process gas discharged from the upper portion of the substrate seat 160 to the lower portion, thereby further reducing the pressure on the upper portion of the substrate seat 160 . can

따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판출입구(110)로 이동하는 공정 가스의 유량을 감소시켜 상기 기판출입구(110)에 발생되는 와류를 감소시킴으로써, 상기 기판출입구(110)에 이물질이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판 안치대(160) 상부의 압력을 감소시킬 수 있도록 구현됨으로써, 높은 압력으로 인해 상기 기판(10)이 손상 내지 파손되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the flow rate of the process gas moving to the substrate inlet 110 is reduced to reduce the eddy current generated in the substrate inlet 110 , and thus the substrate inlet 110 . It is possible to prevent foreign substances from being deposited on the In addition, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention is implemented to reduce the pressure of the upper portion of the substrate holder 160, thereby preventing the substrate 10 from being damaged or damaged due to the high pressure. have.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치에서 통과공을 나타내는 평면도, 도 7은 도 6에 도시된 통과공을 나타내는 개략 단면도이다.6 is a plan view illustrating a through hole in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating the through hole shown in FIG. 6 .

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)를 관통하여 형성되는 통과공(310)을 포함할 수 있다.6 and 7 , the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention may include a through hole 310 formed through the plasma shielding member 300 .

상기 통과공(310)은 상기 플라즈마 차폐부재(300)를 관통하여 형성된다. 예컨대, 상기 통과공(310)은 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 상부와 하부가 연통되도록 상기 플라즈마 차폐부재(300)를 관통하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 통과공(310)은 상기 기판 안치대(160) 상부의 공정 가스를 상기 기판 안치대(160) 하부로 배출시킬 수 있다.The through hole 310 is formed to pass through the plasma shielding member 300 . For example, the through hole 310 may be formed through the plasma shielding member 300 so that the upper and lower portions of the plasma shielding member 300 communicate with each other. Accordingly, the through hole 310 may discharge the process gas above the substrate mounting table 160 to the lower portion of the substrate mounting table 160 .

상기 통과공(310)은 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 일측(300a) 및 타측(300b) 사이에 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 공정 가스가 상기 플라즈마 차폐부재(300)를 통과하기 위한 면적을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 공정 가스가 상기 통과공(310)을 통과하는 과정에서 배출속도를 증가시킴으로써, 상기 통과공(310)을 통과한 공정 가스가 상기 기판출입구(110) 쪽으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판출입구(110)에 와류가 발생하는 것을 감소시킴으로써, 상기 기판출입구(110)에 플라즈마 필드의 밀도가 집중되어 이물질이 증착되는 것을 방지할 수 있다.The through hole 310 is formed between one side 300a and the other side 300b of the plasma shielding member 300 . Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, an area through which the process gas passes through the plasma shielding member 300 may be reduced. Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention, the process gas passing through the through hole 310 increases the discharge rate while the process gas passes through the through hole 310 so that the process gas passes through the substrate inlet. It can be prevented from moving toward (110). Therefore, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, by reducing the occurrence of eddy currents in the substrate inlet 110, the density of the plasma field is concentrated in the substrate inlet 110 to prevent the deposition of foreign substances. can

상기 통과공(310)은 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 복수개가 서로 이격되어 형성될 수 있다. 상기 통과공(310)들은 상기 기판(10)이 출입하기 위해 이동하는 이동방향에 대해 수직한 방향으로 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 서로 이격되게 설치될 수 있다. 예컨대, 상기 통과공(310)들은 상기 플라즈마 차폐부재(300)를 관통하여 서로 이격되게 형성된 후에 상기 플라즈마 차폐부재(300)가 상기 기판출입구(110) 상부 측벽에 결합됨으로써, 상기 챔버(100) 내부에 설치될 수 있다. 따라서, 상기 통과공(310)들은 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 형성됨으로써, 상기 챔버(100) 내부에 용이하게 설치될 수 있다.A plurality of the through holes 310 may be formed in the plasma shielding member 300 to be spaced apart from each other. The through holes 310 may be installed to be spaced apart from each other in the plasma shielding member 300 in a direction perpendicular to the moving direction in which the substrate 10 moves to enter and exit. For example, the through-holes 310 penetrate the plasma shielding member 300 and are formed to be spaced apart from each other, and then the plasma shielding member 300 is coupled to the upper sidewall of the substrate inlet 110 , thereby forming the chamber 100 inside the chamber 100 . can be installed on Accordingly, the through holes 310 are formed in the plasma shielding member 300 , so that they can be easily installed in the chamber 100 .

상기 플라즈마 차폐부재(300)에 복수개 형성된 상기 통과공(310)들은 하나만 형성된 경우에 비해 상기 기판 안치대(160) 상부의 공정 가스를 상기 기판 안치대(160) 하부로 원활하게 배출시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판 안치대(160) 상부에서 상기 기판 안치대(160) 하부로 배출되는 상기 공정 가스의 배출량을 증대시킴으로써, 상기 기판출입구(110)에 와류가 발생하는 것을 더 감소시킬 수 있으므로 상기 기판출입구(110)에 이물질이 증착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판(10) 출입시 상기 이물질이 파티클로 작용하여 스크래치 등 상기 기판(10)이 손상 내지 파손되는 것을 방지함으로써, 상기 기판(10)의 품질이 저하되는 것을 방지하여 제품 경쟁력을 강화시킬 수 있다.The plurality of through holes 310 formed in the plasma shielding member 300 may smoothly discharge the process gas above the substrate mounting table 160 to the lower portion of the substrate mounting table 160 , compared to the case in which only one is formed. Therefore, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, by increasing the amount of the process gas discharged from the upper portion of the substrate seat 160 to the lower portion of the substrate seat 160 , Since it is possible to further reduce the occurrence of eddy currents, it is possible to prevent the deposition of foreign substances in the substrate inlet 110 . In addition, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, when the substrate 10 enters and exits, the foreign material acts as a particle to prevent the substrate 10 from being damaged or damaged, such as a scratch, thereby preventing the substrate 10 from being damaged. Product competitiveness can be strengthened by preventing quality deterioration.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 형성되는 상기 통과공(310)의 직경 크기를 조절하거나 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 형성되는 상기 통과공(310)의 개수를 조절함으로써, 상기 기판 안치대(160) 상부에서 하부로 배출되는 공정 가스의 배출량을 조절할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the diameter size of the through hole 310 formed in the plasma shielding member 300 is adjusted or the through hole 310 formed in the plasma shielding member 300 is adjusted. By controlling the number of , it is possible to control the amount of the process gas discharged from the upper portion of the substrate mounting table 160 to the lower portion.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도, 도 9는 도 8에 도시된 플라즈마 차폐부재를 나타내는 사시도이다.8 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a perspective view illustrating the plasma shielding member shown in FIG. 8 .

도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 일측(300a)이 상기 챔버(100)의 벽면에 접하고 타측(300b)이 상기 챔버(100)의 벽면으로부터 돌출되어 형성된다. 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 일측(300a)에서 상기 타측(300b)을 향하는 돌출방향(D1화살표 방향)을 향할수록 크기가 감소되게 형성된다. 즉, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 돌출방향(D1화살표 방향)에 반대되는 방향을 향할수록 크기가 증가되게 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 타측(300b)이 상기 챔버(100)의 벽면에 결합되기 위한 결합면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)가 상기 챔버(100)의 벽면에 지지되는 지지력을 강화시킬 수 있다.8 and 9 , the plasma shielding member 300 has one side 300a in contact with the wall surface of the chamber 100 and the other side 300b protrudes from the wall surface of the chamber 100 . The plasma shielding member 300 is formed to decrease in size from the one side 300a to the other side 300b in the protrusion direction (D1 arrow direction). That is, the plasma shielding member 300 is formed to increase in size toward a direction opposite to the protrusion direction (D1 arrow direction). Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the coupling area for coupling the other side 300b of the plasma shielding member 300 to the wall surface of the chamber 100 may be increased. Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the supporting force of the plasma shielding member 300 supported by the wall surface of the chamber 100 may be strengthened.

상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 돌출방향(D1화살표 방향)을 향할수록 크기가 감소되게 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 돌출방향(D1화살표 방향)을 향할수록 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 무게를 경량화시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 타측(300b)이 하부로 처지는 것을 방지할 수 있다.The plasma shielding member 300 is formed to decrease in size toward the protruding direction (D1 arrow direction). Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the weight of the plasma shielding member 300 may be reduced as it goes toward the protruding direction (D1 arrow direction). Accordingly, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention can prevent the other side 300b of the plasma shielding member 300 from sagging downward.

상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 기판 안치대(160)의 상부에서 하부를 향하는 하측방향(D2화살표 방향)을 기준으로 크기가 감소되는 삼각기둥 형태로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 직각 삼각기둥일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 상부가 상기 공정 가스를 차단하기 위한 차단면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판출입구(110)로 이동하는 공정 가스의 유량을 감소시켜 상기 기판출입구(110)에 와류가 발생하는 것을 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 하측방향(D2화살표 방향)을 향할수록 크기가 감소되므로, 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 무게를 경량화시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 챔버(100)의 벽면에 결합되는 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 결합력을 향상시킬 수 있다.The plasma shielding member 300 may be formed in the shape of a triangular prism whose size is reduced based on the downward direction (D2 arrow direction) from the top to the bottom of the substrate holder 160 . For example, the plasma shielding member 300 may be a right-angled triangular prism. Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, an upper portion of the plasma shielding member 300 may increase a blocking area for blocking the process gas. Accordingly, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention may reduce the flow rate of the process gas moving to the substrate inlet 110 to reduce the occurrence of eddy currents in the substrate inlet 110 . In addition, since the size of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention decreases toward the downward direction (D2 arrow direction), the weight of the plasma shielding member 300 can be reduced. Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the coupling force of the plasma shielding member 300 coupled to the wall surface of the chamber 100 may be improved.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략 단면도이다.10 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 결합부재(301) 및 차단부재(302)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10 , the plasma shielding member 300 may include a coupling member 301 and a blocking member 302 .

상기 결합부재(301)는 상기 챔버(100)의 벽면에 접하도록 결합된다. 예컨대, 상기 결합부재(301)는 접착, 용접 등의 방법으로 상기 기판출입구(110) 상부 측벽에 결합될 수 있다. 상기 결합부재(301)의 일측은 상기 기판출입구(110) 상부 측벽에 결합되고, 타측에는 상기 차단부재(302)가 상기 돌출방향(D1화살표 방향)으로 돌출되게 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 플라즈마 차폐부재(300)는 상기 하측방향(D2화살표 방향)을 기준으로 니은자 형태의 단면을 갖도록 형성될 수 있다.The coupling member 301 is coupled to be in contact with the wall surface of the chamber 100 . For example, the coupling member 301 may be coupled to the upper sidewall of the substrate entrance 110 by bonding, welding, or the like. One side of the coupling member 301 may be coupled to the upper sidewall of the substrate entrance 110 , and the blocking member 302 may be formed to protrude in the protruding direction (D1 arrow direction) at the other side. For example, the plasma shielding member 300 may be formed to have a cross-section in the shape of a crooked shape with respect to the downward direction (D2 arrow direction).

상기 결합부재(301)는 상기 하측방향(D2화살표 방향)을 기준으로 상기 차단부재(302)에 비해 긴 길이로 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 결합부재(301)가 상기 챔버(100)의 벽면에 결합되기 위한 결합면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)가 상기 챔버(100)의 벽면에 지지되는 지지력을 강화시킬 수 있다.The coupling member 301 is formed to have a longer length than the blocking member 302 based on the downward direction (D2 arrow direction). Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the coupling area for the coupling member 301 to be coupled to the wall surface of the chamber 100 may be increased. Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the supporting force of the plasma shielding member 300 supported by the wall surface of the chamber 100 may be strengthened.

상기 차단부재(302)는 상기 결합부재(301)로부터 상기 돌출방향(D1화살표 방향)으로 돌출되게 형성된다. 이에 따라, 상기 차단부재(302)는 상기 기판 안치대(160) 상부에서 하부로 배출되는 공정 가스가 상기 기판출입구(110)로부터 이격된 위치에서 배출되도록 할 수 있다. 따라서, 상기 차단부재(302)는 상기 기판출입구(110)로 이동하는 공정 가스의 유량을 감소시켜 상기 기판출입구(110)에 와류가 발생하는 것을 감소시킴으로써, 상기 기판출입구(110)에 이물질이 증착되는 것을 방지할 수 있다.The blocking member 302 is formed to protrude from the coupling member 301 in the protruding direction (D1 arrow direction). Accordingly, the blocking member 302 may allow the process gas discharged from the upper portion of the substrate seating unit 160 to the lower portion to be discharged at a position spaced apart from the substrate inlet 110 . Accordingly, the blocking member 302 reduces the flow rate of the process gas moving to the substrate inlet 110 to reduce the occurrence of eddy currents in the substrate inlet 110 , thereby depositing foreign substances in the substrate inlet 110 . can be prevented from becoming

상기 차단부재(302)는 상기 하측방향(D2화살표 방향)을 기준으로 상기 결합부재(301)에 비해 짧은 길이로 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 타측(300b)을 일측(300a)에 비해 경량화시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)의 타측(300b)이 하부로 처지는 것을 방지할 수 있다.The blocking member 302 is formed to have a shorter length than the coupling member 301 based on the downward direction (D2 arrow direction). Accordingly, in the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, the other side 300b of the plasma shielding member 300 may be lighter than the one side 300a. Accordingly, the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention can prevent the other side 300b of the plasma shielding member 300 from sagging downward.

도시되지 않았지만, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 상기 플라즈마 차폐부재(300)가 직각 삼각기둥 형태, 니은자 형태의 단면을 갖는 경우에도 상기 플라즈마 차폐부재(300)에 상기 통과공(310)을 한 개 이상 형성시킴으로써, 상기 기판 안치대(160) 상부에서 하부로 공정 가스를 배출시켜 상기 기판 안치대(160) 상부의 압력을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 높은 압력으로 인해 상기 기판(10)이 손상 내지 파손되는 것을 방지함으로써, 상기 기판(10)의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.Although not shown, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the through hole 310 is formed in the plasma shielding member 300 even when the plasma shielding member 300 has a cross-section in the form of a right-angled triangular prism or a niche shape. By forming two or more, the process gas may be discharged from the upper portion of the substrate seat 160 to the lower portion, thereby reducing the pressure on the upper portion of the substrate seat 160 . Accordingly, the substrate processing apparatus according to the present invention prevents the substrate 10 from being damaged or damaged due to high pressure, thereby preventing the quality of the substrate 10 from being deteriorated.

본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above embodiments, it should be noted that the above embodiments are for description and not limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical spirit of the present invention.

100: 반응 챔버 100a: 제1측벽부
110e: 제2측벽부 110d: 챔버 하부
110: 기판출입구 120: 배기구
160: 기판 안치대 200: 샤워 헤드
210: 가스 분사부 300: 플라즈마 차폐부재
310: 통과공 500: 에지 프레임100: reaction chamber 100a: first sidewall part
110e: second side wall part 110d: chamber lower part
110: substrate entrance 120: exhaust port
160: substrate mount 200: shower head
210: gas injection unit 300: plasma shielding member
310: through hole 500: edge frame

Claims (17)

챔버;
상기 챔버의 제1측벽부에 설치되는 기판출입구;
상기 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 안치대;
상기 기판 안치대에 대향되고 RF파워와 연결된 RF전극; 및
상기 기판출입구가 설치된 상기 제1측벽부에서 연장되고, 상기 제1측벽부와 전기적으로 연결되는 플라즈마 차폐부재를 포함하고,
상기 플라즈마 차폐부재는 상기 제1측벽부에 복수개가 설치되되, 상기 기판이 출입하기 위해 이동하는 이동방향에 대해 수직한 방향으로 서로 이격되게 설치되며,
상기 플라즈마 차폐부재들이 서로 이격된 거리는 3 mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.chamber;
a substrate inlet installed on the first side wall of the chamber;
a substrate holder installed in the chamber to support the substrate;
an RF electrode facing the substrate mounting table and connected to RF power; and
and a plasma shielding member extending from the first sidewall portion where the substrate entrance is installed and electrically connected to the first sidewall portion,
A plurality of the plasma shielding members are installed on the first side wall portion, and are installed to be spaced apart from each other in a direction perpendicular to the moving direction in which the substrate moves to enter and exit,
A substrate processing apparatus, characterized in that the plasma shielding members are spaced apart from each other by 3 mm or less. 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 차폐부재는 접지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plasma shielding member is a substrate processing apparatus, characterized in that grounded. 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 차폐부재는 상기 기판이 처리될 때에는 상기 기판 안치대의 옆에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plasma shielding member is a substrate processing apparatus, characterized in that located next to the substrate mounting table when the substrate is processed. 청구항 3에 있어서
상기 플라즈마 차폐부재와 상기 기판 안치대의 거리는 3mm이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3
The substrate processing apparatus, characterized in that the distance between the plasma shielding member and the substrate mounting table is maintained to be less than 3mm. 청구항 1에 있어서,
상기 기판 안치대의 상면 가장자리 부분을 덮는 에지 프레임을 포함하고,
상기 플라즈마 차폐부재는 상기 기판 안치대가 하강함에 따라 상기 에지 프레임이 상기 기판 안치대로부터 이격되도록 상기 에지 프레임을 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And an edge frame covering the upper surface edge portion of the substrate mounting table,
The plasma shielding member supports the edge frame so that the edge frame is spaced apart from the substrate holder as the substrate holder descends. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 차폐부재는 일측이 상기 제1측벽부에 접하고, 타측이 상기 제1측벽부로부터 돌출되게 형성되며,
상기 플라즈마 차폐부재의 일측과 타측 사이에는 상기 플라즈마 차폐부재를 관통하는 복수개의 통과공이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plasma shielding member is formed so that one side is in contact with the first sidewall portion and the other side protrudes from the first sidewall portion,
A plurality of through-holes passing through the plasma shielding member are formed between one side and the other side of the plasma shielding member. 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 차폐부재는 상기 기판 안치대의 상부에서 하부를 향하는 하측방향을 기준으로 크기가 감소되는 삼각기둥 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plasma shielding member is a substrate processing apparatus, characterized in that formed in the shape of a triangular prism, the size of which is reduced with respect to a downward direction from the top of the substrate mounting table to the bottom. 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 차폐부재는 상기 기판 안치대의 상부에서 하부를 향하는 하측방향을 기준으로 니은('ㄴ')자 형태의 단면을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plasma shielding member is a substrate processing apparatus, characterized in that it is formed to have a cross section in the shape of a nieun ('b') shape with respect to a downward direction from the top of the substrate mounting table to the bottom. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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