KR20090109337A - Edge frame progressing exhaustion conductance and substrate processing apparatus comprising the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An edge frame progressing exhaustion conductance and a substrate processing apparatus comprising the same are provided to prevent the contamination of a substrate due to the particle generation. CONSTITUTION: An edge frame(100) progressing exhaustion conductance is installed inside a chamber(11) and covers the edge of a substrate(S) during the process. The edge frame includes a body portion(110) and lots of penetration parts(130). A body portion surrounds an opening(120) formed in a center. The body portion is the square ring shape. Lots of the penetration parts are formed in the body portion. The penetration parts are formed at every edge or corner part of the body portion.

Description

배기 컨덕턴스를 향상시킨 에지프레임과 이를 포함하는 기판처리장치{Edge frame progressing exhaustion conductance and substrate processing apparatus comprising the same} Edge frame progressing exhaustion conductance and substrate processing apparatus comprising the same}

본 발명은 평판표시장치(Flat Panel Display, FPD) 또는 태양전지의 제조를 위한 기판처리장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 공정 중에 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임(edge frame)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for manufacturing a flat panel display (FPD) or a solar cell, and more particularly, to an edge frame covering an edge of a substrate during a process.

일반적으로 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드소자(OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등의 평판표시장치를 제조하기 위해서는 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝(patterning)하는 식각공정 등을 수행하여야 한다. Generally, in order to manufacture flat panel display devices such as liquid crystal display (LCD), organic light emitting diode (OLED), and plasma display panel (PDP), a thin film deposition process for depositing a raw material on a substrate and a photosensitive material The photolithography process of exposing or hiding the selected region of the photolithography process, the etching process of removing the thin film of the selected region and patterning as desired.

또한 박막 태양전지를 제조하는 경우에도 기판 위에 비정질 또는 미세결정질 실리콘을 증착하는 등의 공정을 수행해야 한다.In the case of manufacturing a thin film solar cell, a process such as depositing amorphous or microcrystalline silicon on a substrate should be performed.

그리고 이들 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.And these processes are carried out in the substrate processing apparatus designed to the optimum environment for the process.

도 1은 플라즈마를 이용하여 기판상에 박막을 증착하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for depositing a thin film on a substrate using a plasma.

이를 살펴보면, 일정한 반응공간을 형성하는 챔버(11)와, 상기 챔버(11)의 내부에 위치하며 상면에 기판(s)을 안치하는 기판안치대(12)와, 상기 챔버(11)의 상부를 밀폐하면서 RF전원(16)에 연결되는 RF전극(14)과, 상기 RF전극(14)의 하부에 결합하는 가스분배판(13)과, 상기 가스분배판(13)의 상부로 원료가스를 공급하는 가스공급관(15)과, 챔버(11)의 하부에 형성되어 공정잔류물질을 배출하는 배기구(19)를 포함한다.Looking at this, the chamber 11 forming a constant reaction space, the substrate support 12 is located in the interior of the chamber 11 and the substrate (s) on the upper surface and the upper portion of the chamber 11 Supplying raw material gas to the RF electrode 14, the gas distribution plate 13 coupled to the lower portion of the RF electrode 14, and the upper portion of the gas distribution plate 13 while being sealed while being connected to the RF power source 16. The gas supply pipe 15 and the exhaust port 19 formed in the lower portion of the chamber 11 to discharge the process residual material.

또한 기판안치대(12)의 상부에는 에지프레임(17)이 설치된다. 에지프레임(17)은 도 2에 도시된 바와 같이 공정도중에 기판(s)의 가장자리를 커버함으로써 원료물질이 기판(s)의 뒷면으로 유입되는 것을 방지한다.In addition, an edge frame 17 is installed above the substrate support 12. The edge frame 17 covers the edge of the substrate s during the process as shown in FIG. 2 to prevent the raw material from flowing to the rear surface of the substrate s.

에지프레임(17)은 도 3에 도시된 바와 같이 중앙부에 형성된 개구부(17b)를 둘러싸는 사각 링 형태의 몸체부(17a)를 포함하며, 상기 몸체부(17a)에서 개구부(17b) 측의 주변부는 기판(s)의 에지를 커버하는 기판가림부(17c)를 구성한다.The edge frame 17 includes a rectangular ring-shaped body portion 17a surrounding the opening portion 17b formed in the center portion as shown in FIG. 3, and a peripheral portion of the opening portion 17b side of the body portion 17a. Constitutes a substrate shield 17c covering the edge of the substrate s.

에지프레임(17)은 기판안치대(12)가 기준위치에 있을 때에는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버(11)의 내측벽에 형성된 지지부재(18)에 몸체부(17a)가 거치된다.In the edge frame 17, when the substrate stabilizer 12 is in the reference position, the body portion 17a is mounted on the support member 18 formed on the inner wall of the chamber 11 as shown in FIG. 1.

그리고 공정진행을 위해 기판안치대(12)가 상승하면 도 2에 도시된 바와 같 이 기판안치대(12)에 의해 들어올려져 공정위치까지 상승한다. 이 과정에서 에지프레임(17)의 몸체부(17a)는 기판안치대(12)의 주변부에 거치되고, 기판가림부(17c)는 기판(s)의 가장자리를 커버한다. 그리고 기판(s)의 중앙부는 에지프레임(17)의 개구부(17b)를 통해 노출된다.Then, when the substrate stabilizer 12 is raised for process progress, as shown in FIG. 2, the substrate stabilizer 12 is lifted by the substrate stabilizer 12 and rises to the process position. In this process, the body portion 17a of the edge frame 17 is mounted to the periphery of the substrate stabilizer 12, and the substrate covering portion 17c covers the edge of the substrate s. The central portion of the substrate s is exposed through the opening 17b of the edge frame 17.

가스분배판(13)을 통해 원료물질을 분사한 후 플라즈마를 발생시키면 플라즈마 중의 활성종이나 이온이 기판(s)으로 입사하여 소정의 박막을 형성한다. 그리고 공정잔류물질은 도 2에 도시된 바와 같이 기판(s)의 가장자리쪽으로 유동하여 에지프레임(17)의 몸체부(17a)의 바깥쪽 가장자리와 챔버(11) 사이의 간극(20)을 통해 챔버 하부의 배기구(19)로 배출된다.When plasma is generated after the raw material is injected through the gas distribution plate 13, active species or ions in the plasma enter the substrate s to form a predetermined thin film. Then, the process residual material flows toward the edge of the substrate s as shown in FIG. 2 and passes through the gap 20 between the outer edge of the body portion 17a of the edge frame 17 and the chamber 11. It is discharged to the exhaust port 19 of the lower part.

한편 평판표시장치 제조용 기판처리장치는 도 4의 평면도에 도시된 바와 같이 대부분의 챔버(11)가 사각의 단면구조를 가지는데, 이 때문에 많은 원료물질이 모서리 부근으로 몰린다.On the other hand, in the substrate processing apparatus for manufacturing a flat panel display device, as shown in the plan view of FIG.

그런데 에지프레임(17)과 챔버(11) 사이의 간극(20)은 모서리나 변에서 차이가 없기 때문에 모서리 부근에서 배기가스가 정체되어 챔버(11)나 가스분배판(13)에 더 많은 파우더가 증착된다.However, since the gap 20 between the edge frame 17 and the chamber 11 has no difference in the corners or sides, the exhaust gas is stagnated near the corners, so that more powder is added to the chamber 11 or the gas distribution plate 13. Is deposited.

파우더가 두껍게 증착될수록 박리되어 기판(s)을 오염시킬 위험이 높아지고, 이를 제거하는데도 더 많은 시간이 소요되어 기판처리장치의 전체적인 생산성이 감소하는 문제점이 있다.The thicker the powder is deposited, the higher the risk of peeling and contaminating the substrate s, and more time is required to remove it, thereby reducing the overall productivity of the substrate processing apparatus.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 에지프레임이 설치된 기판처리장치에서 에지프레임의 모서리 주변의 배기컨덕턴스를 향상시킴으로써 파우더 발생을 감소시키는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve this problem, and an object of the present invention is to reduce powder generation by improving exhaust conductance around edges of edge frames in substrate processing apparatuses having edge frames.

또한 이를 통해 기판의 오염위험을 낮추고, 기판처리장치 전체의 생산성을 향상시키는데 목적이 있다In addition, this aims to reduce the risk of substrate contamination and improve the productivity of the entire substrate processing apparatus.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에지프레임은, 챔버 내부에 설치되어 공정 중에 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임에 있어서, 중앙에 형성되는 개구부를 둘러싸는 몸체부; 상기 몸체부에 형성된 다수의 관통부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Edge frame according to the present invention for achieving the above object, the edge frame is installed in the chamber to cover the edge of the substrate during the process, the body portion surrounding the opening formed in the center; And a plurality of through parts formed in the body part.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 몸체부는 사각 링 형상이고, 상기 다수의 관통부는 상기 몸체부의 각 모서리 또는 코너부마다 형성되는 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the body portion is a rectangular ring shape, the plurality of through portion is characterized in that formed at each corner or corner of the body portion.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 관통부는 각각 상기 몸체부의 장축방향면과 단축방향면에 걸쳐 일정한 폭으로 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of through parts are formed continuously in a predetermined width over the major axis direction and minor axis direction surface of the body portion, respectively.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 관통부의 면적은 상기 장축방향면에 형성된 면적이 상기 단축방향에 형성된 면적에 비해 더 큰 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the area of the through part is characterized in that the area formed in the long axis direction surface is larger than the area formed in the short axis direction.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 관통부는 각각 다수의 홀로 이루어진 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of through portions are characterized in that each consists of a plurality of holes.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 관통부는 각각 메쉬로 이루어진 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of through portions are each made of a mesh.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 관통부는 각각 다수의 슬릿으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of through parts are each composed of a plurality of slits.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 관통부는 챔버에서 반응가스를 연통시키는 기체연통홀(gas communicating hole)의 기능을 수행하는 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of through portions is characterized in that the function of the gas communication hole (gas communicating hole) for communicating the reaction gas in the chamber.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에지프레임은, 챔버 내부에 설치되어 공정 중에 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임에 있어서, 중앙에 형성되는 개구부를 둘러싸는 몸체부; 상기 챔버와의 간격을 넓히기 위해 상기 몸체부의 바깥쪽 가장자리에 형성된 다수의 절취부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Edge frame according to the present invention for achieving the above object, the edge frame is installed in the chamber to cover the edge of the substrate during the process, the body portion surrounding the opening formed in the center; It characterized in that it comprises a; a plurality of cutouts formed on the outer edge of the body portion to widen the gap with the chamber.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 몸체부는 사각 링 형상이고, 상기 다수의 절취부는 상기 몸체부의 각 모서리 또는 코너부마다 형성되는 것을 특징으로 한다. In the edge frame as described above, the body portion is a rectangular ring shape, the plurality of cutout is characterized in that formed at each corner or corner of the body portion.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 절취부는 각각 상기 몸체부의 장축방향면과 단축방향면에 걸쳐 일정한 폭으로 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of cutouts are characterized in that they are continuously formed in a constant width over the major axis direction surface and minor axis direction surface of the body portion, respectively.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 절취부는, 상기 에지프레임의 변에서 모서리로 갈수록 상기 에지프레임과 상기 챔버의 간격이 넓어지도록 형성된 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of cutouts, characterized in that formed so as to increase the interval between the edge frame and the chamber from the edge of the edge frame to the edge.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 절취부는 각각 곡선으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of cutouts are each formed in a curved line.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 다수의 절취부는 각각 상기 에지프레임의 제1변 및 제2변과의 사이에 꼭지점을 갖는 면인 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the plurality of cutouts are characterized in that the surface having a vertex between the first side and the second side of the edge frame, respectively.

상기와 같은 에지프레임에 있어서, 상기 각 모서리 또는 코너부와 대응되는 상기 몸체부의 폭은 각 변과 대응되는 몸체부의 폭보다 작은 것을 특징으로 한다.In the edge frame as described above, the width of the body portion corresponding to each of the corners or corners is smaller than the width of the body portion corresponding to each side.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대; 상기 챔부의 내부에서 상기 기판안치대의 상부에 설치되며, 상기와 같은 에지프레임을 포함하는 것을 특징으로 한다.Substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the chamber; A substrate support installed in the chamber; The chamber is installed above the substrate support in the chamber, characterized in that it comprises an edge frame as described above.

본 발명에 따르면 에지프레임이 설치된 챔버에서 에지프레임의 모서리 부근의 배기컨덕턴스를 향상시킬 수 있기 때문에 이 부분의 파우더 발생량을 크게 줄일 수 있다. 따라서 파티클 발생으로 인한 기판의 오염을 방지할 수 있고, 파우더 제거를 위한 클리닝 시간을 단축시켜 장치 전체의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since the exhaust conductance near the edge of the edge frame can be improved in the chamber where the edge frame is installed, the amount of powder generated in this portion can be greatly reduced. Therefore, contamination of the substrate due to particle generation can be prevented, and the cleaning time for powder removal can be shortened to improve productivity of the entire apparatus.

제1실시예First embodiment

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 에지프레임(100)이 설치된 기판처리장치의 내부를 나타낸 평면도로서, 에지프레임(100)이 중앙의 개구부(120)를 둘러싸는 링 형태의 몸체부(110)를 포함하는 점은 종래와 동일하지만, 몸체부(110)의 각 모서리 또는 코너부마다 관통부(130)가 형성되는 점에 특징이 있다. 에지프레임(100)의 몸체부(110)는 사각형 형태로 제작되며, 몸체부(110)의 각 변이 만나는 모서리 또는 코너부에 관통부(130)가 형성된다.5 is a plan view showing the inside of a substrate processing apparatus in which the edge frame 100 is installed according to the first embodiment of the present invention, wherein the edge frame 100 has a ring-shaped body portion surrounding the opening 120 in the center ( The point of including 110 is the same as in the related art, but it is characterized in that the penetrating portion 130 is formed at each corner or corner of the body portion 110. Body portion 110 of the edge frame 100 is formed in a rectangular shape, the through portion 130 is formed in the corner or corner where each side of the body portion 110 meets.

또한 도면에는 분명하게 나타나진 않지만 몸체부(110)에서 개구부(120)측 가장자리는 기판(s)의 에지를 커버하는 기판가림부를 구성한다.In addition, although not clearly shown in the drawing, the edge of the opening 120 side of the body portion 110 constitutes a substrate covering portion covering the edge of the substrate s.

이와 같이 에지프레임(100)의 몸체부(110)의 모서리에 관통부(130)를 형성하면, 모서리 부분에서 배기컨덕턴스가 향상되므로 파우더의 발생을 크게 줄일 수 있다. 부연하면, 몸체부(110)의 관통부(130)를 통하여 반응가스의 배기저항이 낮아지므로, 모서리 부분에서 파우더의 발생이 감소된다. 그리고, 관통부(130)을 경유하여, 반응가스가 챔버의 배기구로 배기되므로, 관통부(130)는 가스가 연통되는 기체연통홀(gas communicating hole)의 기능을 한다. As such, when the through part 130 is formed at the corner of the body part 110 of the edge frame 100, the exhaust conductance is improved at the corner part, thereby greatly reducing the generation of powder. In other words, since the exhaust resistance of the reaction gas is lowered through the through part 130 of the body part 110, the generation of powder in the corner portion is reduced. And, since the reaction gas is exhausted to the exhaust port of the chamber via the through part 130, the through part 130 functions as a gas communicating hole through which the gas communicates.

도 5의 관통부(130)는 에지프레임(100)의 모서리에서 제1변(장축방향)과 제2변(단축방향)을 따라 연속적으로 형성되어 중간이 꺽어진 모양을 가진다.The through part 130 of FIG. 5 is continuously formed along the first side (long axis direction) and the second side (short axis direction) at the edge of the edge frame 100 to have a shape in which the middle is bent.

이때 각 변의 관통부(130)의 폭이 일정하다면 도 6에 도시된 바와 같이 관통부(130) 중에서 에지프레임(130)의 장축방향으로 형성된 부분의 길이를 D1, 단축방향으로 형성된 부분의 길이를 D2라고 하면 D1=D2 인 것이 바람직하다. 이것은 장축 방향에서 모서리쪽으로 유입되는 배기가스의 양이 더 많기 때문에 장축방향쪽의 배기컨덕턴스를 높이기 위한 것이다. 따라서 에지프레임(130)이 정사각의 형상이면 D1=D2인 것이 바람직하다.At this time, if the width of the through portion 130 of each side is constant as shown in Figure 6 the length of the portion formed in the long axis direction of the edge frame 130 of the through portion 130 D1, the length of the portion formed in the short axis direction Speaking of D2, it is preferable that D1 = D2. This is to increase the exhaust conductance in the long axis direction because the amount of exhaust gas flowing into the corner in the long axis direction is larger. Therefore, if the edge frame 130 is a square shape, it is preferable that D1 = D2.

그리고 예를 들어 에지프레임(130)에 형성되는 관통부(130)는 서로 대칭적으로 형성되는 것이 바람직하고, 관통부(130)의 길이도 한 변 전체 길이의 80%이내로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이 에지프레임(100)의 제1변의 길이를 L이라 하고, 제1변에 형성되는 각 관통부(130)의 길이를 D1, D1'라고 할 때, 제1변에 형성되는 관통부(130)의 총길이는 D1+D1'이므로 (D1+D1')/L 이 0.8 이내인 것이 바람직하다. 이것은 제2변에 형성되는 관통부에도 마찬가지로 적용된다.For example, the through parts 130 formed in the edge frame 130 are preferably formed symmetrically with each other, and the length of the through parts 130 is also preferably formed within 80% of the length of one side. That is, as shown in FIG. 6, when the length of the first side of the edge frame 100 is referred to as L and the length of each through part 130 formed at the first side is referred to as D1 and D1 ′, the first side Since the total length of the penetrating portion 130 formed at D1 + D1 'is (D1 + D1') / L is preferably within 0.8. The same applies to the penetrating portion formed on the second side.

그리고 에지프레임(100)의 강성을 유지하기 위해서는, 관통부(130)의 폭이 몸체부(110)의 폭의 70%를 넘지 않는 것이 바람직하다.In order to maintain the rigidity of the edge frame 100, it is preferable that the width of the through part 130 does not exceed 70% of the width of the body part 110.

한편 장축방향과 단축방향의 관통부(130)의 길이를 달리하는 것은 장축방향의 배기컨덕턴스를 보다 높이기 위한 것이므로, 장축방향과 단축방향의 관통부(130)의 길이를 달리하지 않고 각각의 관통부(130)의 크김 및 면적을 다르게 설계할 수도 있다. 다시 말하면, 필요에 따라 각각의 관통부(130)의 배기컨덕턴스의 양을 다르게 설계할 수 있다.On the other hand, since the different lengths of the through portions 130 in the long axis direction and the short axis direction are for increasing the exhaust conductance in the long axis direction, the respective through portions do not vary in the lengths of the through portions 130 in the long axis direction and the short axis direction. The size and area of the 130 may be designed differently. In other words, the amount of exhaust conductance of each through part 130 may be designed differently as necessary.

즉, 에지프레임(130)의 관통부(130)에서 장축방향으로 형성된 부분의 면적을 단축방향으로 형성된 부분의 면적보다 크게 할 수도 있다. 간단하게는 D1=D2으로 설정하고, 장축방향에 형성된 관통부의 폭을 더 넓게 형성함으로써 장축방향의 배 기컨덕턴스를 더 높일 수도 있다.That is, the area of the portion formed in the long axis direction in the through part 130 of the edge frame 130 may be larger than the area of the portion formed in the short axis direction. By simply setting D1 = D2 and forming the width of the penetrating portion formed in the long axis direction wider, the exhaust conductance in the long axis direction can be further increased.

한편, 이상에서는 각 모서리마다 1개의 관통부(130)를 형성하였으나, 관통부(130)가 반드시 1개의 홀로만 형성되어야 하는 것은 아니므로, 도 7에 도시된 바와 같이 에지프레임(100)의 모서리 부근에 다수의 홀(132)을 구성할 수도 있다.Meanwhile, in the above, one through part 130 is formed at each corner, but the through part 130 is not necessarily formed as only one hole, as shown in FIG. 7, the edge of the edge frame 100. A plurality of holes 132 may be configured in the vicinity.

이 경우에도 장축방향의 배기컨덕턴스를 높이기 위하여 장축방향에 형성된 각 홀(132)의 총면적을 단축방향에 형성된 각 홀(132)의 총면적보다 크거나 같도록 하는 것이 바람직하다.Also in this case, in order to increase the exhaust conductance in the long axis direction, it is preferable that the total area of each hole 132 formed in the long axis direction is larger than or equal to the total area of each hole 132 formed in the short axis direction.

다른 방법으로서 도 8에 도시된 바와 같이 에지프레임(100)의 몸체부(110)의 각 모서리에 메쉬(134)를 형성할 수도 있다. 이 경우에도 장축방향에 형성된 메쉬(134)의 총면적이 단축방향에 형성된 메쉬(134)의 총면적보다 크거나 같은 것이 바람직하다.Alternatively, as shown in FIG. 8, the mesh 134 may be formed at each corner of the body portion 110 of the edge frame 100. Also in this case, it is preferable that the total area of the mesh 134 formed in the major axis direction is greater than or equal to the total area of the mesh 134 formed in the minor axis direction.

또 다른 방법으로서 도 9에 도시된 바와 같이 에지프레임(100)의 몸체부(110)의 각 모서리에 다수의 슬릿(136)을 형성할 수도 있다. 이 경우에도 장축방향에 형성된 슬릿(136)의 총면적이 단축방향에 형성된 슬릿(136)의 총면적보다 크거나 같은 것이 바람직하다.As another method, as shown in FIG. 9, a plurality of slits 136 may be formed at each corner of the body portion 110 of the edge frame 100. Also in this case, the total area of the slit 136 formed in the major axis direction is preferably equal to or larger than the total area of the slit 136 formed in the minor axis direction.

제2실시예Second embodiment

도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 에지프레임(200)이 설치된 기판처리장치의 내부를 나타낸 평면도로서, 에지프레임(200)이 중앙의 개구부(220)를 둘러싸 는 링 형태의 몸체부(210)를 포함하는 점은 종래와 동일하지만, 몸체부(210)의 각 모서리 또는 코너부 부분의 바깥쪽 가장자리에 컨덕턴스 향상을 위한 절취부(240)를 형성한 점에 특징이 있다. 에지프레임(200)의 몸체부(210)는 사각형 형태로 제작되며, 몸체부(210)의 각 변이 만나는 모서리 또는 코너부에 절취부(240)가 형성된다. 따라서, 각 모서리 또는 코너부와 대응되는 몸체부(210)의 폭은 각 변과 대응되는 몸체부(210)의 폭보다 작다. FIG. 10 is a plan view showing the inside of a substrate processing apparatus in which an edge frame 200 is installed according to a second embodiment of the present invention, wherein the edge frame 200 includes a ring-shaped body portion surrounding an opening portion 220 in the center thereof. The point of including 210 is the same as that of the related art, but is characterized in that the cutout portion 240 is formed at the outer edge of each corner or corner portion of the body portion 210 to improve conductance. The body portion 210 of the edge frame 200 is manufactured in a quadrangular shape, and the cutout portion 240 is formed at the corner or corner where each side of the body portion 210 meets. Therefore, the width of the body portion 210 corresponding to each corner or corner portion is smaller than the width of the body portion 210 corresponding to each side.

도 10의 절취부(140)는 도 5에서 에지프레임(100)의 몸체부(110)에 형성된 관통부(130)와 실질적으로 동일한 형상이나 크기로 형성될 수 있다. 즉, 상기 절취부(240)의 장축방향의 길이를 단축방향의 길이보다 더 길게 함으로써 장축방향의 배기컨덕턴스를 더 높이는 것이 바람직하다. The cutout 140 of FIG. 10 may be formed in substantially the same shape or size as the through part 130 formed in the body part 110 of the edge frame 100 in FIG. 5. That is, it is preferable to further increase the exhaust conductance in the long axis direction by making the length in the long axis direction of the cutout 240 longer than the length in the short axis direction.

이와 달리 장축 및 단축 방향의 절취부(240)의 길이를 동일하게 하고, 장축방향의 절취부(240)의 면적을 더 크게 할 수도 있다.Alternatively, the lengths of the cutouts 240 in the long axis and the short axis may be the same, and the area of the cutouts 240 in the long axis may be increased.

한편 도 11에 도시된 바와 같이 절취부(240)를 곡선으로 형성할 수도 있다. 그리고 예를 들어 에지프레임(200)의 절취부(240)는 서로 대칭적으로 형성되는 것이 바람직하고, 한 변에서 절취부(240)가 형성된 구간은 한 변 전체 길이의 80%이내로 형성하는 것이 바람직하다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 11, the cutout 240 may be formed in a curve. For example, the cutouts 240 of the edge frame 200 are preferably formed symmetrically with each other, and the section formed with the cutouts 240 on one side is preferably formed within 80% of the entire length of one side. Do.

즉, 도 11에 도시된 바와 같이 에지프레임(200)의 제1변의 길이를 L이라고 할 때, 제1변에 형성되는 절취부(240)의 총길이는 D1+D1'이므로 (D1+D1')/L 이 0.8 이내인 것이 바람직하다. 이것은 제2변에 형성되는 절취부(240)에서도 마찬가지이다.That is, as shown in FIG. 11, when the length of the first side of the edge frame 200 is L, the total length of the cutout 240 formed on the first side is D1 + D1 ′, so (D1 + D1 ′). It is preferable that / L is within 0.8. The same applies to the cutout portion 240 formed on the second side.

그리고 에지프레임(200)의 모서리 부근에서 배기컨덕턴스가 지나치게 높아지는 것을 방지하기 위하여, 챔버(11)의 모서리와 에지프레임(200)의 절취부(240)의 최단거리(B)는 챔버(11)의 일변과 에지프레임(200)에서 절취부가 형성되지 않은 일 변 사이의 최단거리(A)에 비해 적어도 2배 이상 10배 이내인 것이 바람직하다. In order to prevent the exhaust conductance from being excessively high near the edge of the edge frame 200, the shortest distance B between the edge of the chamber 11 and the cutout 240 of the edge frame 200 may be defined by the chamber 11. It is preferable to be at least 2 times or more and 10 times less than the shortest distance A between one side and one side where the cutout is not formed in the edge frame 200.

절취부(240)의 형상은 전술한 것에 한정되지 않으며, 요구되는 배기컨덕턴스에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.The shape of the cutout 240 is not limited to the above, and may be modified in various forms according to the exhaust conductance required.

예를 들어 도 12에 도시된 바와 같이 에지프레임(200)의 모서리를 모따기하여 곡선이 아니라 인접한 면과의 사이에 꼭지점이 형성된 절취부(240)를 형성할 수도 있다. For example, as illustrated in FIG. 12, the edges of the edge frame 200 may be chamfered to form a cutout 240 having vertices formed between adjacent surfaces instead of curves.

또한 도 13에 도시된 바와 같이 에지프레임(200)의 변에서 모서리쪽으로 갈수록 챔버(11)와 에지프레임(200)의 간격이 점진적으로 넓어지도록 절취부(240)를 형성할 수도 있다.In addition, as shown in FIG. 13, the cutout 240 may be formed so that the interval between the chamber 11 and the edge frame 200 gradually increases from the side of the edge frame 200 toward the edge.

그리고 도 12 및 도 13의 경우에도 (D1+D1')/L 이 0.8 이내인 것이 바람직하다.12 and 13, it is preferable that (D1 + D1 ') / L is within 0.8.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형 내지 수정되어 실시될 수 있다. 그리 고 본 발명의 권리범위는 후술하는 특허청구범위에 기재된 기술적 사상 및 이와 등가적인 범위까지 포함함은 물론이다.Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment and may be modified or modified in various forms. And the scope of the present invention includes, of course, the technical spirit and equivalent range described in the claims to be described later.

도 1은 일반적인 PECVD장치의 개략 단면도1 is a schematic cross-sectional view of a general PECVD apparatus

도 2는 도 1에서 기판안치대가 상승한 모습을 나타낸 단면도2 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate support is raised in FIG.

도 3은 종래 에지프레임의 사시도3 is a perspective view of a conventional edge frame

도 4는 종래의 에지프레임이 설치된 챔버 내부를 나타낸 평면도Figure 4 is a plan view showing the interior of the chamber is a conventional edge frame is installed

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 에지프레임이 설치된 챔버 내부를 나타낸 평면도5 is a plan view showing the inside of the chamber in which the edge frame according to the first embodiment of the present invention is installed

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 에지프레임을 나타낸 평면도6 is a plan view showing an edge frame according to the first embodiment of the present invention.

도 7 내지 도 9는 에지프레임에 형성된 다양한 형태의 관통부를 나타낸 부분 확대도7 to 9 are partially enlarged views illustrating the penetrating portions of various shapes formed on the edge frame.

도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 에지프레임이 설치된 챔버 내부를 나타낸 평면도10 is a plan view showing the inside of the chamber in which the edge frame according to the second embodiment of the present invention is installed

도 11은 모서리가 곡면으로 형성된 에지프레임을 나타낸 도면11 is a view showing an edge frame having a curved surface

도 12는 모서리가 모따기로 형성된 에지프레임을 나타낸 도면12 illustrates an edge frame in which edges are formed by chamfers.

도 13은 챔버와의 간격이 모서리로 갈수록 점차 넓어지는 에지프레임을 나타낸 도면FIG. 13 is a view showing an edge frame in which a gap with a chamber is gradually widened toward an edge. FIG.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100, 200: 에지프레임 210, 110: 몸체부100, 200: edge frame 210, 110: body part

220, 120: 개구부 130: 관통부220, 120: opening 130: through part

240: 절취부240: cutout

Claims (16)

챔버 내부에 설치되어 공정 중에 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임에 있어서,In the edge frame installed inside the chamber to cover the edge of the substrate during the process, 중앙에 형성되는 개구부를 둘러싸는 몸체부;A body part surrounding an opening formed at a center thereof; 상기 몸체부에 형성된 다수의 관통부;A plurality of through parts formed in the body part; 를 포함하는 에지프레임.Edge frame comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 몸체부는 사각 링 형상이고, 상기 다수의 관통부는 상기 몸체부의 각 모서리 또는 코너부마다 형성되는 것을 특징으로 하는 에지프레임.The body portion has a rectangular ring shape, wherein the plurality of through portions of the edge frame, characterized in that formed at each corner or corner of the body portion. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 다수의 관통부는 각각 상기 몸체부의 장축방향면과 단축방향면에 걸쳐 일정한 폭으로 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of through parts of the edge frame, characterized in that continuously formed in a constant width across the major axis direction and minor axis direction of the body portion, respectively. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 관통부의 면적은 상기 장축방향면에 형성된 면적이 상기 단축방향에 형성된 면적에 비해 더 큰 것을 특징으로 하는 에지프레임.Edge area of the through portion is characterized in that the area formed in the long axis direction is larger than the area formed in the short axis direction. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 다수의 관통부는 각각 다수의 홀로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of through parts of the edge frame, characterized in that each consisting of a plurality of holes. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 다수의 관통부는 각각 메쉬로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of penetrating portions are edge frames, characterized in that each made of a mesh. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 다수의 관통부는 각각 다수의 슬릿으로 이루어진 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of through parts of the edge frame, characterized in that each consisting of a plurality of slits. 제 1 항에 있어서The method of claim 1 상기 다수의 관통부는 챔버에서 반응가스를 연통시키는 기체연통홀(gas communicating hole)의 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of through parts of the edge frame, characterized in that to perform the function of the gas communication hole (gas communicating hole) for communicating the reaction gas in the chamber. 챔버 내부에 설치되어 공정 중에 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임에 있어서,In the edge frame installed inside the chamber to cover the edge of the substrate during the process, 중앙에 형성되는 개구부를 둘러싸는 몸체부;A body part surrounding an opening formed at a center thereof; 상기 챔버와의 간격을 넓히기 위해 상기 몸체부의 바깥쪽 가장자리에 형성된 다수의 절취부;A plurality of cutouts formed at outer edges of the body to widen the chamber; 를 포함하는 에지프레임.Edge frame comprising a. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 몸체부는 사각 링 형상이고, 상기 다수의 절취부는 상기 몸체부의 각 모서리 또는 코너부마다 형성되는 것을 특징으로 하는 에지프레임.The body portion is a rectangular ring shape, the plurality of cutout edge frame, characterized in that formed at each corner or corner of the body portion. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 다수의 절취부는 각각 상기 몸체부의 장축방향면과 단축방향면에 걸쳐 일정한 폭으로 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of cutouts are edge frames, characterized in that formed continuously in a constant width across the major axis direction and minor axis direction of the body portion, respectively. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 다수의 절취부는, 상기 에지프레임의 변에서 모서리로 갈수록 상기 에지프레임과 상기 챔버의 간격이 넓어지도록 형성된 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of cutouts, edge frame, characterized in that formed so that the interval between the edge frame and the chamber becomes wider from the side of the edge frame to the edge. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 다수의 절취부는 각각 곡선으로 형성되는 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of cutouts are edge frames, characterized in that each formed in a curve. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 다수의 절취부는 각각 상기 에지프레임의 제1변 및 제2변과의 사이에 꼭지점을 갖는 면인 것을 특징으로 하는 에지프레임.The plurality of cutouts are edge frames, characterized in that the surface having a vertex between the first and second sides of the edge frame, respectively. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 각 모서리 또는 코너부와 대응되는 상기 몸체부의 폭은 각 변과 대응 되는 몸체부의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 에지프레임.An edge frame, characterized in that the width of the body portion corresponding to each corner or corner portion is smaller than the width of the body portion corresponding to each side. 챔버;chamber; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대;A substrate support installed in the chamber; 상기 챔부의 내부에서 상기 기판안치대의 상부에 설치되며, 상기 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 의한 에지프레임;An edge frame according to any one of claims 1 to 13, installed on an upper portion of the substrate stabilizer in the chamber; 을 포함하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus comprising a.
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