KR20170138979A - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate processing device which can reduce particles in a process chamber by minimizing plasma generation in an unnecessary space during thin film deposition on a substrate. The substrate processing device comprises: a chamber processing the substrate with a gas; a first electrode installed inside the chamber, and having a plurality of electrode rods which face the substrate and protrude toward the substrate; and a second electrode installed inside the chamber, and forming a plurality of through holes through which the electrode rod passes. An interval of the first electrode and the second electrode is narrower than an interval of the electrode rod and the second electrode.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 플라즈마 공정에 불필요한 파티클(Particle)을 감소시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of reducing particles unnecessary for a plasma process.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 될 수 있다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on the surface of the substrate. For this purpose, A semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photo process in which a thin film is selectively exposed using a photosensitive material, and an etching process in which a thin film is selectively removed to remove a thin film may be performed.

이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용될 수 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed in a substrate processing apparatus designed for an optimum environment for the process, and in recent years, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using a plasma can be widely used.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있을 수 있다.Plasma-based substrate processing apparatuses include a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, a plasma etching apparatus for patterning a thin film, and the like.

종래의 Local Space Plasma(LSP) 기판 처리 장치(미도시)는 공정 챔버(110), 제 1 전극(200), 제 2 전극(300), 전극봉(210), 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)사이에 설치된 절연부(미도시), 기판 지지부(120), 가스 공급부(130), 압력 조절수단(미도시) 및 가스 분사 수단(미도시)을 구비 할 수 있다A conventional local space plasma (LSP) substrate processing apparatus (not shown) includes a process chamber 110, a first electrode 200, a second electrode 300, an electrode rod 210, a first electrode 200, (Not shown), a substrate support 120, a gas supply unit 130, a pressure control unit (not shown), and a gas injection unit (not shown) provided between the electrodes 300

챔버(110)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공 할 수 있다. 이때, 챔버(110)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(미도시)에 연통 될 수 있다.The chamber 110 may provide a reaction space for the substrate processing process. At this time, one bottom surface of the chamber 110 may communicate with an exhaust port (not shown) for evacuating the reaction space.

제 1 전극(200), 제 2 전극(300)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(110)의 상부에 설치 될 수 있다.The first electrode 200 and the second electrode 300 may be installed on the upper portion of the chamber 110 to close the reaction space.

제 1 전극(200), 제 2 전극(300)의 일측은 전원 케이블을 통해 RF(Radio Frequency) 전원(미도시)에 전기적으로 접속 될 수 있다. 이때, RF 전원(미도시)은 RF 전력을 생성하여 제 1 전극(200) 또는 제 2 전극(300) 하나의 전극에 공급 할 수 있다.One side of the first electrode 200 and the second electrode 300 may be electrically connected to a RF power source (not shown) through a power cable. At this time, an RF power source (not shown) can generate RF power and supply the RF power to one electrode of the first electrode 200 or the second electrode 300.

또한, 제 1 전극(200)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(130)에 연통 될 수 있다.In addition, the central portion of the first electrode 200 may communicate with the gas supply unit 130 that supplies the process gas for the substrate processing process.

또한, 제 2 전극(200)의 상부 또는 측부로 분사되는 분사부(미도시)가 설치되어 있고, 기판 처리 공정을 위한 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(미도시)가 측부에서 연결 될 수 있다.Further, a jetting unit (not shown) for jetting onto the upper or side of the second electrode 200 is provided, and a gas supply unit (not shown) for supplying a process gas for the substrate processing process may be connected at the side.

이와 같은, 일반적인 Local Space Plasma(LSP) 기판 처리 장치는 기판(140)을 기판 지지부(120)에 로딩시킨 다음, 공정 챔버(110)의 반응 공간에 소정의 공정 가스를 분사하면서 제 1 전극(200) 또는 제 2 전극(300)에 RF 전력을 공급하여 제 1 전극(200)의 전극봉(210)과 제 2 전극(300) 사이에서 플라즈마 방전(P)을 형성함으로써 플라즈마 방전(P)에 의해 이온화되는 공정 가스의 분자들을 기판(S)에 증착시켜 기판(S) 상에 소정의 박막을 형성 될 수 있다.In a typical LSP substrate processing apparatus, a substrate 140 is loaded on a substrate support 120, and a predetermined process gas is injected into a reaction space of the process chamber 110 to form a first electrode 200 The plasma discharge P is generated between the electrode 210 and the second electrode 300 of the first electrode 200 by supplying RF power to the second electrode 300 or the second electrode 300, A predetermined thin film may be formed on the substrate S by depositing the molecules of the process gas on the substrate S.

그러나, 기존의 Local Space Plasma(LSP)장치는 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)의 간격 및 제 1 전극(200)의 전극봉(210)과 제 2 전극(300)의 간격에 대한 고려가 없어 전극간 파티클 발생에 대한 문제점이 발생했다.However, in the conventional LSP apparatus, the distance between the first electrode 200 and the second electrode 300 and the distance between the electrode 210 and the second electrode 300 of the first electrode 200 There was no consideration, and there was a problem about the generation of particles between the electrodes.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판에서의 박막 증착시 불필요한 공간에 플라즈마 생성을 최소화 하여 공정 챔버내에 파티클을 감소 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing particles in a process chamber by minimizing plasma generation in an unnecessary space in thin film deposition on a substrate.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 가스 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극; 상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통홀이 형성된 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격은 상기 전극봉과 상기 제2전극의 간격 보다 좁은 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber for processing a substrate; A first electrode disposed inside the chamber and having a plurality of electrode rods facing the substrate and protruding toward the substrate; And a second electrode provided inside the chamber and having a plurality of through holes through which the electrode rod passes, wherein an interval between the first electrode and the second electrode is narrower than an interval between the electrode and the second electrode .

상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm미만인 것을 특징으로 한다.And the distance between the first electrode and the second electrode is less than 2 mm.

상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 한다.And an interval between the second electrode and the electrode is 3 mm to 27 mm.

상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 한다.And the pressure of the chamber has a process pressure of several mTorr or less.

기판을 가스 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 향하는 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제 1 전극; 상기 복수의 전극봉이 관통되는 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극이 대향되는 제 1 간격; 상기 전극봉과 상기 제 2 전극이 대향되는 제 2 간격; 상기 제 1 간격은 제 2 간격 보다 좁은 것을 특징으로 한다.A chamber for gas treating the substrate; A first electrode disposed inside the chamber and having a plurality of protruding electrode rods facing the substrate; A second electrode through which the plurality of electrode rods pass; A first gap where the first electrode and the second electrode face each other; A second gap where the electrode and the second electrode face each other; And the first interval is narrower than the second interval.

상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm이하인 것을 특징으로 한다.And the distance between the first electrode and the second electrode is 2 mm or less.

상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 한다.And an interval between the second electrode and the electrode is 3 mm to 27 mm.

상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 한다.And the pressure of the chamber has a process pressure of several mTorr or less.

챔버; 상기 챔버에 설치되어 복수의 전극봉을 가지는 제 1 전극; 상기 전극봉이 관통하는 관통홀을 가지는 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극은 제 1 간격으로 이격되고, 상기 제 1 간격과 90도로 수직하게 제 2 간격이 이격 되며, 상기 제 1 간격은 상기 제 2 간격보다 좁은 것을 특징으로 한다.chamber; A first electrode provided in the chamber and having a plurality of electrode rods; A second electrode having a through hole through which the electrode rod passes; The first electrode and the second electrode are spaced apart from each other by a first gap, and the second gap is perpendicular to the first gap by 90 °, and the first gap is narrower than the second gap.

상기 제1전극과 상기 제2전극의 간격이 2mm미만인 것을 특징으로 한다.And the distance between the first electrode and the second electrode is less than 2 mm.

상기 제2전극과 상기 전극봉의 간격이 3mm에서 27mm인 것을 특징으로 한다.And an interval between the second electrode and the electrode is 3 mm to 27 mm.

상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 한다.And the pressure of the chamber has a process pressure of several mTorr or less.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 다음과 같은 효과가 있다.According to the solution of the above problems, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention have the following effects.

첫째, 상기 공정 챔버의 제 1 전극과 제 2 전극 사이를 가깝게 유지하여 파티클 저감 시킬 수 있다.First, particles can be reduced by keeping the first electrode and the second electrode of the process chamber close to each other.

둘째, 공정 챔버의 플라즈마 생성 공간을 두 전극 사이에 두어 플라즈마 생성으로 인한 기판의 증착되는 막 두께의 불균일성을 최소화하여 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다.Secondly, the plasma generation space of the process chamber is placed between the two electrodes, thereby minimizing nonuniformity of the deposited film thickness of the substrate due to plasma generation, thereby forming a thin film of uniform thickness.

셋째, 공정 챔버의 플라즈마 생성 공간을 두 전극 사이에 두어 플라즈마 생성으로 인한 패턴 기판의 식각되는 막을 균일하게 에칭 할 수 있다.Third, the plasma generation space of the process chamber is placed between the two electrodes, so that the etched film of the pattern substrate due to plasma generation can be uniformly etched.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 3은 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 제 1 실시 예의 공정 압력 등을 설명하기 위한 그래프이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a view showing a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
3 is a view showing a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
4 is a graph for explaining the process pressure and the like of the first embodiment.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해될 수 있다.It will be understood that terms such as "comprises" or "having" do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미 할 수 있다.The term "at least one" may be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, May refer to any combination of items that may be presented from more than one.

본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제 3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.The term "on " as used herein is meant to encompass not only when a configuration is formed directly on top of another configuration, but also to the extent that a third configuration is interposed between these configurations.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명할 수 있다.Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 도 1에서 도 3을 참조할 수 있다. 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(110), 상기 공정 챔버(110)의 내부에 설치되어 기판(140)을 지지하는 기판 지지부(120), 상기 공정 챔버(110)의 상부를 덮는 챔버 리드(미도시), 및 상기 기판 지지부(120)에 대향되는 제 1 전극(200) 및 제 2 전극(300)을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention can be referred to FIG. 1 to FIG. A substrate support 120 installed inside the process chamber 110 to support the substrate 140 and a chamber lead 110 covering the top of the process chamber 110 And a first electrode 200 and a second electrode 300 facing the substrate supporter 120.

상기 공정 챔버(110)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정 및 박막 식각 공정)을 위한 반응 공간을 제공 할 수 있다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 및/또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(160)에 연통될 수 있다.The process chamber 110 may provide a reaction space for a substrate processing process (e.g., a thin film deposition process and a thin film etching process). The bottom surface and / or the side surface of the process chamber 110 may communicate with the exhaust pipe 160 for exhausting gas or the like in the reaction space.

상기 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 설치되며, 복수의 기판(미도시) 또는 하나의 대면적 기판(미도시)을 지지할 수 있다.The substrate support 120 is installed inside the process chamber 110 and can support a plurality of substrates (not shown) or a single large area substrate (not shown).

상기 기판 지지부(120)는 전기적으로 플로팅(Floating)될 수도 있고 접지(ground)될 수도 있다. 상기 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 지지축(미도시)에 의해 지지된다. 이때, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기의 지지축(미도시)은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(170)에 의해 밀폐될 수 있다.The substrate support 120 may be electrically floated or grounded. The substrate support 120 is supported by a support shaft (not shown) passing through the center bottom surface of the process chamber 110. At this time, the support shaft (not shown) exposed to the outside of the lower surface of the process chamber 110 may be sealed by the bellows 170 installed on the lower surface of the process chamber 110.

상기 기판 지지부(120)는 기판 처리 공정의 공정 조건에 대한 승강될 수도 있다. 이 경우, 상기 기판 지지부(120)의 지지축(미도시)은 구동 장치(180)의 구동축(미도시)에 지지된다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 상면은, 구동 장치 (180)의 구동에 따른 구동축(미도시)의 승강에 의해, 상기 공정 조건 범위 내에서 상하이동 할 수 있게 된다. 경우에 따라서 상기 기판 지지부(120)는 구동 장치 (180)의 구동에 의해 회전될 수도 있다.The substrate support 120 may be elevated relative to the process conditions of the substrate processing process. In this case, the supporting shaft (not shown) of the substrate supporting part 120 is supported by a driving shaft (not shown) of the driving device 180. Accordingly, the upper surface of the substrate supporting portion 120 can be moved up and down within the process condition range by lifting and lowering a drive shaft (not shown) according to driving of the driving device 180. In some cases, the substrate support 120 may be rotated by driving the driving device 180.

상기 공정 챔버(110)는 상부를 덮도록 설치되어 반응 공간을 밀폐할 수 있다. 그리고, 상기 공정 챔버(110)의 상부는 상기 제 1 전극(200) 및 상기 제 2 전극(300)을 지지한다. The process chamber 110 may be installed to cover the upper portion to seal the reaction space. The upper portion of the process chamber 110 supports the first electrode 200 and the second electrode 300.

상기 공정 챔버(110)의 상면에는 제 1 및 제 2 가스 공급부(130, 131)가 설치되어 공정 가스(processing gas; PG), 희석 가스(dilution gas; DG)가 각각 공급되며, 상기 제 1 전극(200)에는 공정 가스(processing gas; PG)가 분사 될 수 있고, 상기 제 2 전극(300)에서는 희석 가스(dilution gas; DG)가 분사 될 수 있다. 하지만, 상기 제 1 전극(200)에서 희석 가스(dilution gas; DG)가 분사 될 수 있고, 상기 제 2 전극(300)에서 공정 가스(processing gas; PG)가 분사 될 수 있다, 또한, 상기 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)에서 상기 공정가스 및 희석 가스가 동시에 하나의 전극에서 동시에 분사될 수도 있다. 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 플라즈마(P)를 형성하기 위한 플라즈마 전원을 공급하기 위한 플라즈마 전원 공급부(150)가 연결 설치된다. First and second gas supply units 130 and 131 are provided on the upper surface of the process chamber 110 to supply a processing gas PG and a dilution gas DG, A processing gas (PG) may be injected into the first electrode 200 and a dilution gas (DG) may be injected from the second electrode 300. However, a dilution gas (DG) may be injected from the first electrode 200 and a processing gas (PG) may be injected from the second electrode 300, The process gas and the diluting gas may be simultaneously injected from one electrode 200 and the second electrode 300 at the same time. A plasma power supply unit 150 for supplying a plasma power to form the plasma P is connected to the first electrode 200 or the second electrode 300.

식각 공정시에는 상기 제 1 가스 공급부(130)에는 제 1 식각 가스와 상기 제 2 가스 공급부(131)에는 제 2 식각 가스가 연결될 수 있다. 상기 제 1 식각 가스는 상기 제 1 전극을 통해 상기 기판으로 분사될 수 있으며, 상기 제 2 식각 가스는 상기 제 2 전극을 통해 상기 기판으로 분사될 수 있다. 또한 상기 제 1 식각 가스는 상기 제 2 전극을 통해 상기 기판으로 분사될 수 있으며, 상기 제 2 식각 가스는 상기 제 1 전극을 통해 분사될 수 있다. 상기 제 1 식각 가스는 CF4 등의 불소계열을 사용할 수 있으며, 상기 제 2 식각 가스는 산소계열일 수 있다.In the etching process, the first etching gas may be connected to the first gas supply unit 130 and the second etching gas may be connected to the second gas supply unit 131. The first etch gas may be injected into the substrate through the first electrode and the second etch gas may be injected into the substrate through the second electrode. The first etch gas may be injected into the substrate through the second electrode, and the second etch gas may be injected through the first electrode. The first etching gas may be a fluorine series such as CF4, and the second etching gas may be an oxygen series.

증착 공정시에는 상기 제 1 가스 공급부(130)는 공정 가스(PG)를 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급한다. 예를 들어, 상기 공정 가스(PG)는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 등의 가스로 이루어질 수 있다. 이때, 실리콘(Si) 물질을 포함하는 공정 가스(PG)는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다.In the deposition process, the first gas supply unit 130 supplies the process gas PG to the first electrode 200 or the second electrode 300. For example, the process gas PG may be composed of silicon (Si), a titanium group element (Ti, Zr, Hf, etc.), or aluminum (Al) At this time, the process gas (PG) containing a silicon (Si) material may be a gas such as silane (SiH4), disilane (Si2H6), trisilane (Si3H8), tetraethylorthosilicate (TEOS), dichlorosilane Hexachlorosilane, Tri-dimethylaminosilane (TriDMAS), and Trisilylamine (TSA).

상기 제 2 가스 공급부(131)는 희석 가스(DG)를 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급 할 수 있다. 예를 들어, 상기 희석 가스(DG)는 수소(H2), 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 암모니아(NH3), 물(H2O), 또는 오존(O3) 등으로 이루어질 수 있다. 이때, 제 1 가스 공급부(130)는 기판(140)에 증착될 박막의 증착 특성에 따라 상기 희석 가스(DG)에 아르곤(Ar), 제논(Ze), 또는 헬륨(He) 등의 비반응성 가스를 혼합하여 공급할 수도 있다.The second gas supply unit 131 may supply a diluent gas DG to the first electrode 200 or the second electrode 300. For example, the diluent gas DG may be composed of hydrogen (H2), nitrogen (N2), oxygen (O2), nitrogen dioxide (N2O), ammonia (NH3), water (H2O), ozone have. The first gas supply unit 130 may supply a nonreactive gas such as argon (Ar), xenon (Ze), or helium (He) to the diluent gas (DG) according to the deposition characteristics of the thin film to be deposited on the substrate 140 May be mixed and supplied.

상기 플라즈마 전원 공급부(150)는 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 플라즈마(P)를 형성하기 위한 플라즈마 전원을 생성하고 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급할 수 있으며, 하나의 전극에 플라즈마 전원이 연결이 되면, 다른 전극에는 그라운드 전극이 연결될 수 있다. 또한, 식각 공정시에는 상기 기판지지부(120)에도 플라즈마 전원이 연결 될 수 있다. 이때, 상기 플라즈마 전원은 고주파 전력 또는 RF(Radio Frequency) 전력, 예를 들어, LF(Low Frequency) 전력, MF(Middle Frequency), HF(High Frequency) 전력, 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 될 수 있다. 이때, LF 전력은 3㎑ ~ 300㎑ 범위의 주파수를 가지고, MF 전력은 300㎑ ~ 3㎒ 범위의 주파수를 가지고, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The plasma power supply unit 150 generates a plasma power to form a plasma P on the first electrode 200 or the second electrode 300 and supplies the plasma power to the first electrode 200 or the second electrode 300. [ 300, and when a plasma power source is connected to one electrode, a ground electrode may be connected to the other electrode. In addition, a plasma power source may be connected to the substrate support 120 during the etching process. At this time, the plasma power source may be a high frequency power or a radio frequency (RF) power, for example, LF (Low Frequency) power, MF (Middle Frequency), HF (High Frequency) power or VHF . At this time, the LF power has a frequency in the range of 3 kHz to 300 kHz, the MF power has a frequency in the range of 300 kHz to 3 MHz, the HF power has a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz, And may have a frequency in the range of 300 MHz.

상기 플라즈마 전원 공급부(150)는 상기 제 1 전극(200) 또는 상기 제 2 전극(300)에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시키기 위한 임피던스 매칭 회로(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)를 포함하여 이루어질 수 있다.The plasma power supply unit 150 may include an impedance matching circuit (not shown) for matching a source impedance of a load impedance of the plasma power supplied to the first electrode 200 or the second electrode 300 have. The impedance matching circuit may include at least two impedance elements (not shown) formed of at least one of a variable capacitor and a variable inductor.

상기 제 1 전극(200) 및 상기 제 2 전극(300)은 상기 기판 지지부(120)에 대향되도록 상기 공정 챔버(110)의 상부에 착탈 가능하게 결합 될 수 있다.The first electrode 200 and the second electrode 300 may be detachably coupled to the upper portion of the process chamber 110 so as to face the substrate support 120.

상기 제 1 전극의 가스 분사 홀(미도시) 각각은 상기 전극봉(210)을 관통하도록 형성되어 있으며, 상기 기판(140)에 분사 될 수 있다. 또한 상기 제 1 전극의 생성된 가스 분사 홀(미도시) 각각은 상기 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)의 거리 및 상기 전극봉(210)과 상기 제 2 전극(300)과의 거리에 따라서, 상기 기판(140)에 분사 될 수도 있으며, 상기 제 1 전극(200)과 제 2 전극(300)의 사이에 분사될 수도 있다. Each of the gas injection holes (not shown) of the first electrode is formed to penetrate the electrode rod 210 and may be injected into the substrate 140. The distance between the first electrode 200 and the second electrode 300 and the distance between the electrode 210 and the second electrode 300 are set to be equal to the distance between the first electrode 200 and the second electrode 300, And may be injected into the substrate 140 or between the first electrode 200 and the second electrode 300. [

도 3 은 도 1의 C영역을 계략적으로 나타낼 수 있다. FIG. 3 schematically illustrates the C region of FIG.

상기 제 1 전극(200)은 평판형, 원형의 판형 등의 구조 일 수 있으며, 상기 제 1 전극(200)에는 상기 전극봉(210)이 연결 될 수 있다. 상기 전극봉(210)은 상기 제 1 전극(200)과 일체형일 수 있으며, 상기 제 1 전극(200)과 분리형일 수 있다. 상기 전극봉(210)은 상기 제 1 전극(200)과 같이 연결이 되어 같은 전압을 가질 수 있다.The first electrode 200 may have a plate-like shape or a circular plate-like shape, and the electrode 210 may be connected to the first electrode 200. The electrode 210 may be integrated with the first electrode 200 and may be separated from the first electrode 200. The electrode rod 210 may be connected to the first electrode 200 to have the same voltage.

상기 제 2 전극(300)은 평판형, 원형의 판형 등의 구조 일 수 있으며, 상기 제 2 전극(300)에는 복수개의 관통홀(310)이 구성될 수 있다. 상기 복수의 관통홀(310)에는 상기 전극봉(210)이 관통 될 수 있다. 상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)과의 간격은 제 1 간격(A)이고, 상기 제 1 전극(200)의 상기 전극봉(210)과 상기 제 2 전극(300)과의 간격은 제 2 간격(B)일 수 있다. The second electrode 300 may have a planar or circular plate shape, and the second electrode 300 may have a plurality of through holes 310. The electrode bar 210 may penetrate the plurality of through holes 310. The distance between the first electrode 200 and the second electrode 300 is a first distance A and the distance between the electrode 210 of the first electrode 200 and the second electrode 300 The spacing may be a second spacing (B).

상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)과의 상기 제 1 간격(A)는 상기 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)과의 상기 제 2 간격(B)보다 좁을 수 있다. 즉, 상기 제 1 간격(A)이 상기 간격(B)보다 좁을 수 있다. 상기 제 2 간격(B)를 넓게 하고, 상기 제 1 간격(A)를 좁게 할 수 있다. 상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)은 제 1 간격(A)로 이격되고, 상기 제 1 간격(A)과 90도로 수직하게 제 2 간격(B)이 이격 되며, 상기 제 1 간격은 제 2 간격보다 좁은 것을 특징일 수 있다.The first gap A between the first electrode 200 and the second electrode 300 may be narrower than the second gap B between the second electrode 300 and the electrode rod 210 have. That is, the first interval A may be narrower than the interval B. The second gap B can be widened and the first gap A can be narrowed. The first electrode (200) and the second electrode (300) are spaced apart from each other by a first gap (A), a second gap (B) is spaced apart from the first gap (A) One interval may be characterized by being narrower than the second interval.

상기 제 1 간격(A)를 상기 제 2 간격(B)보다 좁게 하여 상기 제 2 간격(B)에서 플라즈마를 생성하고, 상기 제 1 간격(A)은 2mm이하로 유지하여 플라즈마 생성을 하지 않게 할 수 있다. 플라즈마가 생성되지 않으며 전극 표면에 불필요한 파티클이 생성되지 않을 수 있다. 따라서 공정 챔버 내부에 파티클이 저감되어 식각 공정시에 상기 기판(140)의 식각 공정시에 원하는 곳을 식각 할 수 있다.The first interval A is made narrower than the second interval B to generate plasma at the second interval B and the first interval A is kept at 2 mm or less so as not to generate plasma . Plasma may not be generated and unnecessary particles may not be formed on the electrode surface. Accordingly, particles can be reduced inside the process chamber, and the desired portion can be etched during the etching process of the substrate 140 during the etching process.

또한, 증착시에는 파티클이 저감되면 상기 기판(140)에 증착되는 박막의 균일성을 높일 수 있다. 플라즈마를 상기 제 2 전극과 전극봉(210)의 넓은 공간에서 생성할 수 있으며, 상기 기판(140)에 증착시 불균일한 Particle Damage 영향을 주지 않을 수 있다. 이를 통해 생성된 플라즈마를 통해 상기 기판(140)의 전체적인 면적에 균일한 증착이 가능 할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 간격(B)에서 방전 형성이 용의하고 상기 제 1 간격(A)는 방전공간이 형성되지 않아 Particle 생성을 차단 할 수 있다. In addition, when the particles are reduced during the deposition, the uniformity of the thin film deposited on the substrate 140 can be enhanced. Plasma can be generated in the wide space of the second electrode and the electrode bar 210, and nonuniform particle damage may not be exerted on the substrate 140 during deposition. Uniform deposition on the entire area of the substrate 140 may be possible through the generated plasma. Therefore, the discharge is formed at the second gap (B), and the first gap (A) does not form a discharge space, thereby preventing the generation of particles.

상기 제 1 전극(200)과 상기 제 2 전극(300)과의 제 1 간격(A)은 2mm미만으로 될 수 있으며, 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)의 제 2 간격(B)는 2mm이상에서 27mm이하의 간격이 될 수 있다. The first gap A between the first electrode 200 and the second electrode 300 may be less than 2 mm and the second gap B between the second electrode 300 and the electrode 210 may be less than 2 mm. May range from 2 mm or more to 27 mm or less.

도 3 의 그래프의 X축은 상기 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)의 상기 제 2 간격(B)과 공정 챔버(110)의 압력의 곱(Torr-cm)이며, Y축은 플라즈마 생성 전압(Vs)과의 관계를 설명할 수 있고, 그래프의 내용은 각각의 가스별 플라즈마 생성되는 그래프를 설명할 수 있다. 따라서, 상기 X축과 상기 Y축의 그래프로 상기 제 2 간격(B)를 결정할 수 있다. 상기 그래프의 가스의 종류는 아르곤(Ar), 네온(Ne), 수소(H2), 수은(Hg) 등의 가스를 사용할 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버(110)이 고진공(High Vacuum, ~ 수십mTorr이하)일 때에는 상기 제 2 전극(300)과 상기 전극봉(210)의 제 2 간격(B)을 넓게 할 수 있다. 이와 같은 상기 공정 챔버(110)의 공정 분위기에서는 식각 공정에 유리 할 수 있다. 따라서, 상기 제 2 간격은 압력에 따라서 상기 제 2 간격이 결정될 수 있다.The X axis of the graph of FIG. 3 is the product (Torr-cm) of the second gap B between the second electrode 300 and the electrode rod 210 and the pressure of the process chamber 110, (Vs), and the contents of the graphs can describe the plasma generated graph for each gas. Therefore, the second interval B can be determined by the graph of the X-axis and the Y-axis. The gas in the graph may be a gas such as argon (Ar), neon (Ne), hydrogen (H2), or mercury (Hg). Accordingly, the second gap B between the second electrode 300 and the electrode rod 210 can be widened when the process chamber 110 is in a high vacuum state (high vacuum to several tens of mTorr or less). In such a process atmosphere of the process chamber 110, the etching process may be advantageous. Therefore, the second gap can be determined according to the pressure.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110: 공정 챔버 120: 기판 지지부
130: 제 1 가스공급부 131: 제 2 가스공급부
133: 제 1 가스공급라인 132: 제 2 가스공급라인
140: 기판 150: 플라즈마 전원 공급부
160: 배기관 170: 벨로우즈
180: 구동장치 190: 밀봉처리부
200: 제 1 전극 210: 전극봉
300: 제 2 전극 310: 관통홀
A : 제 1 간격 B : 제 2 간격110: process chamber 120: substrate support
130: first gas supply unit 131: second gas supply unit
133: first gas supply line 132: second gas supply line
140: substrate 150: plasma power supply
160: Exhaust pipe 170: Bellows
180: Driving device 190: Sealing processing part
200: First electrode 210: Electrode
300: second electrode 310: through hole
A: first spacing B: second spacing

Claims (3)

기판을 가스 처리하는 챔버;
상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극;
상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통홀이 형성된 제2전극을 포함하고,
상기 제1전극과 상기 제2전극과의 제 1 간격은 2mm 미만이며,
상기 제2전극과 상기 전극봉과의 제 2 간격은 2mm 이상에서 27mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for gas treating the substrate;
A first electrode disposed inside the chamber and having a plurality of electrode rods facing the substrate and protruding toward the substrate;
And a second electrode provided inside the chamber and having a plurality of through holes penetrating the electrode,
Wherein a first interval between the first electrode and the second electrode is less than 2 mm,
And the second gap between the second electrode and the electrode rod is 2 mm or more and 27 mm or less. 기판을 가스 처리하는 챔버;
상기 챔버 내부에 설치되어 상기 기판과 대향하며 상기 기판측으로 돌출된 복수의 전극봉을 가지는 제1전극;
상기 챔버의 내부에 설치되어 상기 전극봉이 관통하는 복수의 관통홀이 형성된 제2전극을 포함하고,
상기 제1전극과 상기 제2전극은 서로 제 1 간격으로 이격되고,
상기 제2전극의 관통홀에 삽입된 전극봉과 상기 제2전극은 서로 제 2 간격으로 이격되되, 상기 제 1 간격에서는 플라즈마가 생성되지 않음과 동시에 상기 제 2 간격에서는 플라즈마가 생성되도록 상기 제 1 간격이 2mm 미만이고 상기 제 2 간격이 2mm 이상에서 27mm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for gas treating the substrate;
A first electrode disposed inside the chamber and having a plurality of electrode rods facing the substrate and protruding toward the substrate;
And a second electrode provided inside the chamber and having a plurality of through holes penetrating the electrode,
Wherein the first electrode and the second electrode are spaced apart from each other by a first interval,
Wherein the first electrode and the second electrode are spaced apart from each other by a second gap, wherein plasma is not generated at the first gap and plasma is generated at the second gap, Is less than 2 mm and the second interval is not less than 2 mm and not more than 27 mm. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 챔버의 압력은 수mTorr이하의 공정 압력을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the pressure of the chamber has a process pressure of several mTorr or less.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0830968A (en) * 1993-07-20 1996-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Film forming device and film formation
KR20060000913A (en) * 2004-06-30 2006-01-06 주식회사 하이닉스반도체 Method for gapfilling in semiconductor device using high-density-plasma process
JP2011071498A (en) * 2009-08-25 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of forming microcrystal semiconductor film, and method of manufacturing semiconductor device
KR20140107932A (en) * 2013-02-28 2014-09-05 주성엔지니어링(주) Plasma processing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0830968A (en) * 1993-07-20 1996-02-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Film forming device and film formation
KR20060000913A (en) * 2004-06-30 2006-01-06 주식회사 하이닉스반도체 Method for gapfilling in semiconductor device using high-density-plasma process
JP2011071498A (en) * 2009-08-25 2011-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of forming microcrystal semiconductor film, and method of manufacturing semiconductor device
KR20140107932A (en) * 2013-02-28 2014-09-05 주성엔지니어링(주) Plasma processing apparatus

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