KR102076512B1 - Substrate processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및 상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함하고, 상기 가스를 분사하는 단계는 상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계; 및 상기 공정 싸이클 주기에서 지속적으로 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention includes the steps of: injecting gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region spatially separated on a substrate support on which a plurality of substrates are seated; And the substrate is rotated by one rotation so that the substrates mounted on the substrate support part pass through the first gas injection region, the second gas injection region, the third gas injection region, and the fourth gas injection region. And rotating the support, wherein the spraying the gas comprises simultaneously spraying the gas into the first gas spraying region and the third gas spraying region at predetermined intervals in the process cycle period; And injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region continuously in the process cycle period.

Figure 112019020500113-pat00008
Figure 112019020500113-pat00008

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate Processing Method {SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판 상에 분사되는 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for spatially separating a source gas and a reactive gas injected onto a substrate to increase deposition uniformity of a thin film deposited on the substrate. It is about.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.In general, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a surface of a substrate. Semiconductor manufacturing processes such as a thin film deposition process, a photo process for selectively exposing the thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by removing the thin film of the selectively exposed portion are performed.

이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed in an optimal environment for the process, and in recent years, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma has been widely used.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.The substrate processing apparatus using plasma includes a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, a plasma etching apparatus for etching and patterning a thin film.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a general substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 플라즈마 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus includes a chamber 10, a plasma electrode 20, a susceptor 30, and a gas ejection means 40.

챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(12)에 연통된다.Chamber 10 provides a reaction space for a substrate processing process. At this time, one bottom surface of the chamber 10 communicates with an exhaust port 12 for exhausting the reaction space.

플라즈마 전극(20)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.The plasma electrode 20 is installed above the chamber 10 to seal the reaction space.

플라즈마 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 RF 전력을 생성하여 플라즈마 전극(20)에 공급한다.One side of the plasma electrode 20 is electrically connected to an RF (Radio Frequency) power source 24 through the matching member 22. In this case, the RF power source 24 generates RF power and supplies the RF power to the plasma electrode 20.

또한, 플라즈마 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 소스 가스를 공급하는 가스 공급관(26)에 연통된다.In addition, the central portion of the plasma electrode 20 is in communication with the gas supply pipe 26 for supplying the source gas for the substrate processing process.

정합 부재(22)는 플라즈마 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 플라즈마 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The matching member 22 is connected between the plasma electrode 20 and the RF power supply 24 to match the load impedance and source impedance of the RF power supplied from the RF power supply 24 to the plasma electrode 20.

서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 플라즈마 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.The susceptor 30 supports a plurality of substrates W installed in the chamber 10 and loaded from the outside. The susceptor 30 is an opposite electrode facing the plasma electrode 20, and is electrically grounded through the lifting shaft 32 that lifts the susceptor 30.

승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.The lifting shaft 32 is lifted up and down by a lifting device (not shown). At this time, the lifting shaft 32 is wrapped by the bellows 34 sealing the lifting shaft 32 and the bottom surface of the chamber 10.

가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 플라즈마 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 플라즈마 전극(20) 사이에는 플라즈마 전극(20)을 관통하는 가스 공급관(26)으로부터 공급되는 소스 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사홀(44)을 통해 소스 가스를 반응 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.The gas injection means 40 is installed below the plasma electrode 20 so as to face the susceptor 30. At this time, a gas diffusion space 42 through which the source gas supplied from the gas supply pipe 26 penetrates the plasma electrode 20 is formed between the gas injection means 40 and the plasma electrode 20. The gas injection means 40 uniformly injects the source gas to the entire portion of the reaction space through the plurality of gas injection holes 44 communicated with the gas diffusion space 42.

이와 같은, 일반적인 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 반응 공간에 소정의 소스 가스를 분사함과 아울러 플라즈마 전극(20)에 RF 전력을 공급해 반응 공간에 전자기장을 형성함으로써 상기 전자기장에 의해 기판(W) 상에 형성되는 플라즈마를 이용해 기판(W) 상의 소정의 박막을 형성하게 된다.In such a general substrate processing apparatus, the substrate W is loaded into the susceptor 30, and then sprays a predetermined source gas into the reaction space of the chamber 10 and supplies RF power to the plasma electrode 20. By forming an electromagnetic field in the reaction space, a predetermined thin film on the substrate W is formed by using a plasma formed on the substrate W by the electromagnetic field.

그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 소스 가스가 분사 공간과 플라즈마 공간이 동일하기 때문에 반응 공간에 형성되는 플라즈마 밀도의 균일도에 따라 기판(W)에 증착되는 박막 물질의 균일도가 결정되고, 이로 인해 박막 물질의 막질 제어에 어려움이 있다.However, in the general substrate processing apparatus, since the source gas has the same injection space and the plasma space, the uniformity of the thin film material deposited on the substrate W is determined according to the uniformity of the plasma density formed in the reaction space. There is a difficulty in controlling the membrane quality.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판 상에 분사되는 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 챔버 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention is to solve the above-described problems, by spatially separating the source gas and the reactive gas injected on the substrate to increase the deposition uniformity of the thin film deposited on the substrate, it is possible to facilitate the film quality control of the thin film, It is a technical object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving particles by minimizing accumulated thickness deposited in a chamber.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 설치되어 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 상기 복수의 기판으로 분사하는 가스 분사부를 포함하고, 상기 가스 분사부는 상기 챔버 리드에 설치되고, 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련되는 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 모듈; 및 상기 제 1 가스 분사 모듈과 이격되도록 상기 챔버 리드에 설치되고, 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련되는 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 모듈을 포함하여 구성될 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber; A substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber so as to face the substrate support; And a gas injector installed in the chamber lid to spatially separate the first and second gases different from each other and to inject the plurality of substrates, wherein the gas injector is provided in the chamber lid and is disposed between the plurality of ground electrode members. A first gas injection module for injecting the first gas supplied to the gas injection space provided in the gas injection space; And a second gas injection module installed in the chamber lid to be spaced apart from the first gas injection module and injecting the second gas supplied to the gas injection space provided between the plurality of ground electrode members. have.

상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈은 접지 전극 부재들 사이에 배치되어 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성하는 플라즈마 전극 부재를 포함하여 구성될 수 있다.At least one gas injection module of the first and second gas injection modules may include a plasma electrode member disposed between the ground electrode members to form a plasma in the gas injection space.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 기판 지지부 상의 제 1 가스 분사 영역에 중첩되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 모듈, 및 상기 제 1 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되는 제 2 가스 분사 영역에 중첩되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 2 가스 분사 영역에 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 모듈을 포함하여 이루어지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제 2 가스를 플라즈마화하여 분사할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber; A substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber so as to face the substrate support; And a first gas injection module installed in the chamber lid so as to overlap the first gas injection region on the substrate support, and spatially separated from the first gas injection region, and a first gas injection module for injecting a first gas into the first gas injection region. And a gas injector installed in the chamber lid so as to overlap the second gas injecting region, the second gas injecting module configured to inject a second gas into the second gas injecting region. The second gas may be plasma-formed and sprayed according to the plasma power supplied to the plasma electrode member alternately arranged with the ground electrode member.

상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 1 가스를 그대로 분사하거나, 상기 복수의 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제 1 가스를 플라즈마화하여 분사할 수 있다.The first gas injection module injects the first gas supplied between the plurality of ground electrode members as it is, or the first gas according to a plasma power source supplied to the plasma electrode members alternately arranged with the plurality of ground electrode members. Can be sprayed by plasma.

상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각은 복수로 구성되고, 상기 복수의 제 2 가스 분사 모듈 각각은 복수의 제 1 가스 분사 모듈과 교대로 배치될 수 있다.Each of the first and second gas injection modules may be configured in plural, and each of the plurality of second gas injection modules may be alternately disposed with the plurality of first gas injection modules.

상기 가스 분사부는 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 제 3 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈을 더 포함하여 구성될 수 있다.The gas injector may further include third and fourth gas injector modules installed in the chamber lid to be disposed between the first and second gas injector modules to inject a third gas to the plurality of substrates. .

상기 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈 각각은 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 3 가스를 그대로 분사하거나, 상기 복수의 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제 3 가스를 플라즈마화하여 분사할 수 있다.Each of the third and fourth gas injection modules injects the third gas supplied between the plurality of ground electrode members as it is, or according to a plasma power source supplied to the plasma electrode members alternately arranged with the plurality of ground electrode members. The third gas may be sprayed by plasma.

상기 제 1 가스는 상기 기판에 형성될 박막 물질을 포함하는 소스 가스이고, 상기 제 2 가스는 상기 기판에 분사된 제 1 가스와 반응하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 반응 가스이며, 상기 제 3 가스는 상기 제 1 및 제 2 가스를 퍼지하기 위한 퍼지 가스일 수 있다.The first gas is a source gas including a thin film material to be formed on the substrate, the second gas is a reaction gas for reacting with the first gas injected to the substrate to form a thin film on the substrate, the third The gas may be a purge gas for purging the first and second gases.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련된 가스 분사 공간을 포함하도록 형성되어 상기 챔버 리드에 일정한 간격으로 설치된 복수의 가스 분사 모듈을 포함하여 이루어지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나는 상기 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber; A substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber so as to face the substrate support; And a gas injection unit formed to include a gas injection space provided between the plurality of ground electrode members, the gas injection unit including a plurality of gas injection modules provided at regular intervals on the chamber lid, wherein at least one of the plurality of gas injection modules includes: Plasma is formed in the gas injection space according to a plasma power source applied to the plasma electrode member alternately arranged with the ground electrode member.

상기 플라즈마는 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 플라즈마화하고, 상기 플라즈마화된 가스는 상기 기판 지지부의 소정 영역에만 분사된다. 이때, 상기 가스는 소스 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스 중 어느 한 종류의 가스일 수 있다.The plasma converts a gas supplied to the gas ejection space into a plasma, and the plasmaized gas is injected only to a predetermined region of the substrate support. In this case, the gas may be any one of a source gas, a reaction gas, and a purge gas.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 복수의 기판들을 일정한 간격으로 안착시키는 단계(A); 상기 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드에 일정한 간격으로 배치된 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각을 통해 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 상기 복수의 기판으로 분사하는 단계(C)를 포함하여 이루어지고, 상기 단계(C)에서 상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이의 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하고, 상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이의 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 상기 제 1 가스와 공간적으로 분리되도록 상기 복수의 기판으로 분사한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising: seating a plurality of substrates at regular intervals on a substrate support installed in a process chamber; Rotating the substrate support on which the plurality of substrates are seated (B); And a plurality of substrates by spatially separating the first and second gases different from each other through the first and second gas injection modules disposed at regular intervals in the chamber lid covering the upper portion of the process chamber so as to face the substrate support. And a step (C), wherein the first gas injection module injects the first gas supplied to a gas injection space between a plurality of ground electrode members to the plurality of substrates. The second gas injection module injects the second gas supplied to the gas injection spaces between the plurality of ground electrode members to the plurality of substrates so as to be spatially separated from the first gas.

상기 기판 처리 방법은 상기 챔버 리드의 중심부에 설치된 펌핑 관을 통해 상기 공정 챔버 내부를 펌핑하는 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다.The substrate processing method may further include pumping the inside of the process chamber through a pumping tube installed at the center of the chamber lid.

상기 단계(C)는 상기 제 1 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 단계와 상기 제 2 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 단계를 동시에 수행하거나 순차적으로 수행할 수 있다.The step (C) is performed simultaneously with the first gas injection step of injecting the first gas through the first gas injection module and the second gas injection step of injecting the second gas through the second gas injection module. Or sequential.

상기 제 1 가스 분사 단계는 상기 제 1 가스 분사 모듈의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 플라즈마에 의해 플라즈마화된 제 1 가스를 상기 복수의 기판으로 분사한다.In the first gas injection step, a plasma is formed in the gas injection space of the first gas injection module to inject the first gas plasmad by the plasma onto the plurality of substrates.

상기 제 1 가스 분사 단계는 상기 제 1 가스 분사 모듈의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 플라즈마에 의해 플라즈마화된 제 1 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하고, 상기 제 2 가스 분사 단계는 상기 제 2 가스 분사 모듈의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 플라즈마에 의해 플라즈마화된 제 2 가스를 상기 복수의 기판으로 분사한다.The first gas injection step forms a plasma in a gas injection space of the first gas injection module to inject a first gas plasmad by the plasma onto the plurality of substrates, and the second gas injection step includes the second gas injection step. Plasma is formed in the gas injection space of the gas injection module to inject the second gas plasmad by the plasma to the plurality of substrates.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 복수의 기판들을 일정한 간격으로 안착시키는 단계(A); 상기 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 상기 기판 지지부 상에 공간적으로 분리되는 제 1 및 제 2 가스 분사 영역에 중첩되도록 배치된 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각을 통해 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스를 분사하고, 상기 제 2 가스 분사 영역에 제 2 가스를 분사하는 단계(C)를 포함하여 이루어지고, 상기 단계(C)에서, 상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련되어 상기 제 2 가스가 공급되는 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성하여 상기 플라즈마에 의해 플라즈마화된 제 2 가스를 상기 제 2 가스 분사 영역에 분사할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising: seating a plurality of substrates at regular intervals on a substrate support installed in a process chamber; Rotating the substrate support on which the plurality of substrates are seated (B); And injecting a first gas into the first gas injection region through each of the first and second gas injection modules disposed to overlap the first and second gas injection regions spatially separated on the substrate support. And a step (C) of injecting a second gas into a second gas injection region, wherein in the step (C), the second gas injection module is provided between a plurality of ground electrode members to supply the second gas. Plasma may be formed in a gas injection space to inject the second gas plasmad by the plasma into the second gas injection region.

상기 단계(C)에서, 상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 1 가스를 상기 제 1 가스 분사 영역에 분사하거나, 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 1 가스를 플라즈마화하여 상기 제 1 가스 분사 영역에 분사할 수 있다.In the step (C), the first gas injection module injects the first gas supplied between the plurality of ground electrode members to the first gas injection region, or the first gas supplied between the plurality of ground electrode members. Gas may be plasma-injected into the first gas injection region.

상기 단계(C)는 상기 제 1 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 1 가스 또는 상기 플라즈마화된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 단계와 상기 제 2 가스 분사 모듈을 통해 상기 플라즈마화된 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 단계를 동시에 수행하거나 순차적으로 수행할 수 있다.The step (C) is a first gas injection step of injecting the first gas or the plasmaized first gas through the first gas injection module and the plasmad second gas through the second gas injection module. The second gas injection step of spraying may be performed simultaneously or sequentially.

상기 제 1 및 제 2 가스 분사 영역 각각은 상기 기판 지지부 상에 교대로 배치되고, 상기 단계(C)는 상기 제 1 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 1 가스 또는 상기 플라즈마화된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 단계와 상기 제 2 가스 분사 모듈을 통해 상기 플라즈마화된 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 단계를 동시에 수행하거나 순차적으로 수행할 수 있다.Each of the first and second gas ejection regions are alternately disposed on the substrate support, and the step (C) injects the first gas or the plasmalized first gas through the first gas ejection module. The first gas injection step and the second gas injection step of injecting the plasmated second gas through the second gas injection module may be simultaneously or sequentially performed.

상기 제 1 및 제 2 가스 분사 영역 각각은 상기 기판 지지부 상에 교대로 배치되고, 상기 단계(C)는 상기 제 1 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 1 가스 또는 상기 플라즈마화된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 단계와 상기 제 2 가스 분사 모듈을 통해 상기 플라즈마화된 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 단계를 포함하고, 상기 제 1 가스 분사 단계 또는 상기 제 2 가스 분사 단계는 소정 구간마다 가스를 분사할 수 있다.Each of the first and second gas ejection regions are alternately disposed on the substrate support, and the step (C) injects the first gas or the plasmalized first gas through the first gas ejection module. And a second gas injection step of injecting the plasmad second gas through the first gas injection step and the second gas injection module, wherein the first gas injection step or the second gas injection step is performed at predetermined intervals. Gas can be injected.

상기 단계(C)는 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 사이에 배치된 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈 각각을 통해 제 3 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 제 3 가스 분사 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다.The step (C) further includes a third gas injection step of injecting a third gas into the plurality of substrates through each of the third and fourth gas injection modules disposed between the first and second gas injection modules. Can be done.

상기 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈 각각은 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 3 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하거나, 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 3 가스를 플라즈마화하여 상기 복수의 기판으로 분사할 수 있다.Each of the third and fourth gas injection modules injects the third gas supplied between the plurality of ground electrode members to the plurality of substrates, or converts the third gas supplied between the plurality of ground electrode members into plasma. The substrate may be sprayed onto the plurality of substrates.

상기 단계(C)는 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 1 내지 제 3 가스를 동시에 분사하거나, 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈 각각을 통해 상기 제 1 가스와 상기 제 3 가스와 상기 제 2 가스 및 상기 제 3 가스의 순서로 분사할 수 있다.In the step (C), the first to third gases may be simultaneously injected through the first to fourth gas injection modules, or the first and third gases may be respectively injected through the first to fourth gas injection modules. And may be injected in the order of the second gas and the third gas.

상기 단계(C)는 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각을 통해 상기 제 1 및 제 2 가스를 동시 또는 교대로 분사하고, 상기 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈 각각을 통해 상기 제 3 가스를 지속적으로 분사할 수 있다.In step (C), the first and second gas injection modules are injected simultaneously or alternately through the first and second gas injection modules, respectively, and the third gas is injected through the third and fourth gas injection modules, respectively. Continuous spraying is possible.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 복수의 기판들을 일정한 간격으로 안착시키는 단계(A); 상기 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계(B); 및 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련된 가스 분사 공간을 포함하도록 형성되어 상기 기판 지지부 상에 일정한 간격으로 배치된 복수의 가스 분사 모듈 각각을 통해 상기 기판 지지부 상에 가스를 분사하는 단계(C)를 포함하여 이루어지고, 상기 단계(C)에서, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나는 상기 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising: seating a plurality of substrates at regular intervals on a substrate support installed in a process chamber; Rotating the substrate support on which the plurality of substrates are seated (B); And (C) injecting gas onto the substrate support through each of the plurality of gas ejection modules formed to include a gas ejection space provided between the plurality of ground electrode members and disposed at regular intervals on the substrate support. In the step (C), at least one of the plurality of gas injection modules may form a plasma in the gas injection space according to the plasma power applied to the plasma electrode member disposed alternately with the ground electrode member. have.

상기 플라즈마는 상기 가스 분사 공간에 공급되는 가스를 플라즈마화하고, 상기 플라즈마화된 가스는 상기 기판 지지부의 소정 영역에만 분사된다. 이때, 상기 가스는 소스 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스 중 어느 한 종류의 가스일 수 있다.The plasma converts a gas supplied to the gas ejection space into a plasma, and the plasmaized gas is injected only to a predetermined region of the substrate support. In this case, the gas may be any one of a source gas, a reaction gas, and a purge gas.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및 상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가스를 분사하는 단계는 상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계; 및 상기 공정 싸이클 주기에서 지속적으로 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to the present invention injects gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region that are spatially separated on a substrate support on which a plurality of substrates are seated. Making; And the substrate is rotated by one rotation so that the substrates mounted on the substrate support part pass through the first gas injection region, the second gas injection region, the third gas injection region, and the fourth gas injection region. Rotating the support. The injecting the gas may include simultaneously injecting a gas into the first gas injection region and the third gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period; And continuously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region in the process cycle period.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및 상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가스를 분사하는 단계는 상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계; 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사할 때, 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 대한 가스 분사를 중단하는 단계; 상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계; 및 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사할 때, 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 대한 가스 분사를 중단하는 단계를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to the present invention injects gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region that are spatially separated on a substrate support on which a plurality of substrates are seated. Making; And the substrate is rotated by one rotation so that the substrates mounted on the substrate support part pass through the first gas injection region, the second gas injection region, the third gas injection region, and the fourth gas injection region. Rotating the support. The injecting the gas may include simultaneously injecting a gas into the first gas injection region and the third gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period; Stopping gas injection to the second gas injection region and the fourth gas injection region when simultaneously injecting gas into the first gas injection region and the third gas injection region; Simultaneously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period; And stopping gas injection to the first gas injection region and the third gas injection region when simultaneously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및 상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가스를 분사하는 단계는 상기 공정 싸이클 주기에서 지속적으로 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및 상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to the present invention injects gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region that are spatially separated on a substrate support on which a plurality of substrates are seated. Making; And the substrate is rotated by one rotation so that the substrates mounted on the substrate support part pass through the first gas injection region, the second gas injection region, the third gas injection region, and the fourth gas injection region. Rotating the support. The injecting the gas may include continuously injecting gas into the first gas injection region and the third gas injection region in the process cycle period; And simultaneously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period.

본 발명에 따른 기판 처리 방법은 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및 상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 가스를 분사하는 단계는 상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 교대로 분사하는 단계; 및 상기 공정 싸이클 주기에서 지속적으로 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.The substrate processing method according to the present invention injects gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region that are spatially separated on a substrate support on which a plurality of substrates are seated. Making; And the substrate is rotated by one rotation so that the substrates mounted on the substrate support part pass through the first gas injection region, the second gas injection region, the third gas injection region, and the fourth gas injection region. Rotating the support. The injecting the gas may include injecting gas alternately into the first gas injection region and the third gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period; And continuously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region in the process cycle period.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 기판 지지부 상에 공간적으로 분리되어 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 통해 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사함으로써 각 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 공정 챔버 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있다.According to the above solution, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention spatially separate the source gas and the reactive gas through a plurality of gas injection modules disposed spatially separated on the substrate support portion on the substrate By spraying, the deposition uniformity of the thin films deposited on each substrate may be increased, the film quality control of the thin films may be easily performed, and the cumulative thickness deposited in the process chamber may be minimized to improve particles.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치와 이를 이용한 기판 처리 방법은 퍼지 가스를 통해 소스 가스와 반응 가스가 기판으로 분사되는 도중에 반응하는 것을 방지함으로써 박막 물질의 균일도 및 박막 물질의 막질 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same according to the present invention prevent the reaction of the source gas and the reaction gas to the substrate through the purge gas to facilitate the uniformity of the thin film material and the film quality control of the thin film material. can do.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 가스 분사 모듈의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a는 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 통한 기판 처리 방법의 변형 예들을 설명하기 위한 파형도들이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 변형 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은 전술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 전술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 14는 전술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a general substrate processing apparatus.
2 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section of the gas injection module illustrated in FIG. 2.
4A is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention described above.
4B is a waveform diagram illustrating an operation procedure of the first to fourth gas injection modules illustrated in FIG. 4A.
5A through 5D are waveform diagrams for describing modifications of the substrate processing method through the first to fourth gas injection modules illustrated in FIG. 2.
6 is a view for explaining a modified embodiment of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a waveform diagram illustrating an operation procedure of the first to fourth gas injection modules illustrated in FIG. 6.
8 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the first and third gas injection modules illustrated in FIG. 8.
10 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention described above.
11 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention described above.
13 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
14 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention described above.

이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 가스 분사 모듈의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.2 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section of the gas injection module illustrated in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(Chamber Lid; 115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성된다.2 and 3, the substrate processing apparatus 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention may include a process chamber 110, a chamber lid 115, a substrate support 120, and a gas injection unit. And 130.

공정 챔버(110)는 기판 처리 공정, 예를 들어 박막 증착 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(미도시)에 연통된다.The process chamber 110 provides a reaction space for a substrate processing process, for example a thin film deposition process. The bottom or side surface of the process chamber 110 is in communication with an exhaust pipe (not shown) for exhausting the gas of the reaction space.

챔버 리드(115)는 공정 챔버(110)의 상부를 덮도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 전기적으로 접지된다. 이러한 챔버 리드(115)는 가스 분사부(130)를 지지하는 것으로, 가스 분사부(130)가 삽입 설치되는 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)은 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 대칭되도록 90도 단위로 이격되도록 챔버 리드(115)에 형성될 수 있다.The chamber lid 115 is installed on the upper portion of the process chamber 110 to cover the upper portion of the process chamber 110 and is electrically grounded. The chamber lid 115 supports the gas injector 130, and includes a plurality of module mounting units 115a, 115b, 115c, and 115d into which the gas injector 130 is inserted. In this case, the plurality of module installation units 115a, 115b, 115c, and 115d may be formed in the chamber lid 115 to be spaced in units of 90 degrees so as to be symmetrical in a diagonal direction with respect to the center point of the chamber lid 115.

도 2에서, 챔버 리드(115)는 4개의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(115)는 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부를 구비할 수 있다. 이때, 복수의 모듈 설치부 각각은 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 상호 대칭되도록 구비된다. 이하, 챔버 리드(115)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.In FIG. 2, the chamber lid 115 is shown as having four module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d, but is not limited thereto, and the chamber lid 115 is 2N symmetric with respect to the center point. However, N can be provided with module installation parts. At this time, each of the plurality of module mounting portion is provided to be symmetrical to each other in a diagonal direction with respect to the center point of the chamber lead 115. Hereinafter, it will be assumed that the chamber lid 115 includes the first to fourth module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d.

전술한 상기 챔버 리드(115)에 의해 밀폐되는 공정 챔버(110)의 반응 공간은 챔버 리드(115)에 설치된 펌핑 관(117)을 통해 외부의 펌핑 수단(미도시)에 연결된다.The reaction space of the process chamber 110 sealed by the chamber lid 115 described above is connected to an external pumping means (not shown) through a pumping pipe 117 installed in the chamber lid 115.

상기 펌핑 관(117)은 챔버 리드(115)의 중심부에 형성된 핌핑 홀(115e)을 통해 공정 챔버(110)의 반응 공간에 연통된다. 이에 따라, 펌핑 관(117)을 통한 펌핑 수단의 펌핑 동작에 따라 공정 챔버(110)의 내부는 진공 상태 또는 대기압 상태가 된다.The pumping pipe 117 communicates with the reaction space of the process chamber 110 through a pimping hole 115e formed at the center of the chamber lid 115. Accordingly, the inside of the process chamber 110 is in a vacuum state or an atmospheric pressure state according to the pumping operation of the pumping means through the pumping pipe 117.

기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 회전 가능하게 설치된다. 이러한 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축(미도시)에 의해 지지된다. 상기 회전축은 축 구동 부재(미도시)의 구동에 따라 회전됨으로써 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다. 그리고, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기의 회전축은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐된다.The substrate support part 120 is rotatably installed in the process chamber 110. The substrate support part 120 is supported by a rotating shaft (not shown) penetrating the central bottom surface of the process chamber 110. The rotation shaft rotates according to the driving of the shaft driving member (not shown) to rotate the substrate support part 120 in a predetermined direction. In addition, the rotating shaft exposed to the outside of the lower surface of the process chamber 110 is sealed by a bellows (not shown) installed on the lower surface of the process chamber 110.

상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)은 원판 형태를 가지는 것으로, 복수의 기판(W), 예를 들어 반도체 기판 또는 웨이퍼가 일정한 간격을 가지도록 원 형태로 배치된다.The substrate support part 120 supports a plurality of substrates W loaded from an external substrate loading device (not shown). In this case, the substrate support part 120 has a disc shape, and is disposed in a circle shape such that a plurality of substrates W, for example, semiconductor substrates or wafers have a predetermined interval.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치된다. 이러한 가스 분사부(130)는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 상에 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 분사한다.The gas injection unit 130 is inserted into each of the first to fourth module mounting units 115a, 115b, 115c, and 115d formed in the chamber lid 115. The gas injector 130 spatially separates and injects the first and second gases onto the plurality of substrates W that are rotated according to the rotation of the substrate supporter 120.

상기 제 1 가스는 기판(W) 상에 증착될 박막 물질을 포함하는 소스 가스(Source Gas)가 될 수 있다. 상기 소스 가스는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 알루미늄(Al) 등을 함유하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si)을 함유하여 이루어진 소스 가스는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다.The first gas may be a source gas including a thin film material to be deposited on the substrate (W). The source gas may contain silicon (Si), titanium group elements (Ti, Zr, Hf, etc.), aluminum (Al), and the like. For example, the source gas containing silicon (Si) may be silane (Silane; SiH4), disilane (Disilane; Si2H6), trisilane (Si3H8), TEOS (Tetraethylorthosilicate), DCS (Dichlorosilane), HCD ( Hexachlorosilane), Tri-dimethylaminosilane (TriDMAS) and Trisylylamine (TSA).

상기 제 2 가스는 전술한 소스 가스와 반응하여 소스 가스에 함유된 박막 물질이 기판(W) 상에 증착되도록 하는 반응 가스(Reactant Gas)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 가스는 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 및 오존(O3) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The second gas may be made of a reactant gas that reacts with the above-described source gas so that the thin film material contained in the source gas is deposited on the substrate (W). For example, the reaction gas may include at least one of nitrogen (N 2), oxygen (O 2), nitrogen dioxide (N 2 O), and ozone (O 3).

가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120) 상에 공간적으로 분리되도록 정의된 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 분사하는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into each of the first to fourth module installation units 115a, 115b, 115c, and 115d to be spaced apart on the substrate support unit 120. And first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d for spatially separating and injecting the first and second gases.

제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 챔버 리드(115)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120)의 중심점을 기준으로 X축 및 Y축 방향으로 서로 대칭되도록 배치된다.Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d may be inserted into each of the first to fourth module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d of the chamber lid 115 to provide a substrate support ( 120 is disposed to be symmetrical to each other in the X-axis and Y-axis direction with respect to the center point.

제 1 가스 분사 모듈(130a)은 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 제 1 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 1 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(130a)은 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성된다.The first gas injection module 130a is inserted into and installed in the first module installation unit 115a overlapping the first gas injection region defined on the substrate support 120 to plasma the first gas injection region. Spray down. To this end, the first gas injection module 130a includes a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240.

접지 프레임(210)은 접지 격벽 부재(220)에 의해 분리된 복수의 가스 분사 공간(212)을 가지도록 하면이 개구되도록 형성된다. 이러한 접지 프레임(210)은 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 프레임(210)은 상면 플레이트(210a) 및 접지 측벽들(210b)로 이루어진다.The ground frame 210 is formed such that the bottom surface of the ground frame 210 has a plurality of gas injection spaces 212 separated by the ground partition member 220. The ground frame 210 is inserted into the first module installation unit 115a of the chamber lead 115 and electrically grounded through the chamber lead 115. To this end, the ground frame 210 is composed of a top plate 210a and ground sidewalls 210b.

상면 플레이트(210a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 결합된다. 이러한 상면 플레이트(210a)에는 복수의 절연 부재 지지 홀(214), 및 복수의 가스 공급 홀(216)이 형성된다.The upper plate 210a is formed in a rectangular shape and is coupled to the first module installation unit 115a of the chamber lid 115. A plurality of insulating member support holes 214 and a plurality of gas supply holes 216 are formed in the upper plate 210a.

복수의 절연 부재 지지 홀(214) 각각은 복수의 가스 분사 공간(212) 각각에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 복수의 절연 부재 지지 홀(214) 각각은 직사각 형태의 평면을 가지도록 형성된다.Each of the plurality of insulating member support holes 214 is formed through the top plate 210a to communicate with each of the plurality of gas injection spaces 212. Each of the plurality of insulating member support holes 214 is formed to have a rectangular plane.

복수의 가스 공급 홀(216) 각각은 복수의 가스 분사 공간(212) 각각에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 복수의 가스 공급 홀(216) 각각은 가스 공급 관을 통해 외부의 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스를 공급받는다.Each of the plurality of gas supply holes 216 is formed through the top plate 210a to communicate with each of the plurality of gas injection spaces 212. Each of the plurality of gas supply holes 216 is connected to an external gas supply means (not shown) through a gas supply pipe to receive the first gas from the gas supply means (not shown) through the gas supply pipe.

접지 측벽들(210b) 각각은 상면 플레이트(210a)의 장변 및 단변 가장자리 부분으로부터 수직하게 돌출되어 상면 플레이트(210a)의 하부에 가스 분사 공간(212)을 마련한다. 이러한 접지 측벽들(210b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이때, 상기 장변 접지 측벽들은 접지 전극의 역할을 한다.Each of the ground sidewalls 210b protrudes vertically from the long side and short side edge portions of the top plate 210a to provide a gas injection space 212 below the top plate 210a. Each of these ground sidewalls 210b is electrically grounded through the chamber lid 115. In this case, the long side ground sidewalls serve as ground electrodes.

접지 격벽 부재(220)는 상면 플레이트(210a)의 중앙 하면으로부터 수직하게 돌출되어 접지 측벽들(210b)의 장변들과 나란하게 배치된다. 이러한 접지 격벽 부재(220)는 소정 높이를 가지도록 접지 프레임(210)의 내부에 형성됨으로써 접지 프레임(210)의 내부에 공간적으로 분리되는 복수의 가스 분사 공간(212)을 마련한다. 상기 접지 격벽 부재(220)는 접지 프레임(210)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 프레임(210)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극의 역할을 한다.The ground partition wall member 220 protrudes vertically from the center lower surface of the top plate 210a and is disposed in parallel with the long sides of the ground sidewalls 210b. The ground partition member 220 is formed in the ground frame 210 to have a predetermined height to provide a plurality of gas injection spaces 212 that are spatially separated in the ground frame 210. The ground partition member 220 is integrally or electrically coupled to the ground frame 210 to be electrically grounded through the ground frame 210 to serve as a ground electrode.

전술한, 접지 측벽들(210b)의 장변들과 접지 격벽 부재(220)는 접지 프레임(220)에 일정한 간격으로 나란하게 배치되어 복수의 접지 전극 부재를 형성한다.The above-described long sides of the ground sidewalls 210b and the ground partition wall member 220 are disposed in parallel to the ground frame 220 at regular intervals to form a plurality of ground electrode members.

복수의 절연 부재(230) 각각은 절연 물질로 이루어져 접지 프레임(210)에 형성된 절연 부재 지지 홀(214)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 프레임(210)의 상면에 결합된다.Each of the plurality of insulating members 230 is made of an insulating material and inserted into the insulating member support hole 214 formed in the ground frame 210, and is coupled to the upper surface of the ground frame 210 by a fastening member (not shown).

복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 도전성 물질로 이루어져 절연 부재(230)에 관통 삽입되어 접지 프레임(210)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 가스 분사 공간(212)에 배치된다. 이때, 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 접지 격벽 부재(220) 및 접지 프레임(210)의 측벽들(210b) 각각과 동일한 높이로 돌출되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 복수의 플라즈마 전극 부재(240)는 전술한 접지 전극 부재와 소정 간격으로 나란하도록 교대로 배치된다.Each of the plurality of plasma electrode members 240 is made of a conductive material and inserted into the insulating member 230 to protrude to a predetermined height from the lower surface of the ground frame 210 and disposed in the gas injection space 212. In this case, each of the plurality of plasma electrode members 240 may protrude to the same height as each of the sidewalls 210b of the ground partition wall member 220 and the ground frame 210. Accordingly, the plurality of plasma electrode members 240 are alternately arranged to be parallel to the above-described ground electrode member at predetermined intervals.

상기 플라즈마 전극 부재(240)는 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성한다. 이에 따라, 상기 플라즈마는 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스는 플라즈마화 하고, 플라즈마화된 제 1 가스는 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사된다. 상기 플라즈마화된 제 1 가스는 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스의 유속(또는 흐름)에 의해 가스 분사 공간(212)으로부터 하향 분사될 수 있다.The plasma electrode member 240 is electrically connected to the plasma power supply 140 through a feed cable to form plasma in the gas injection space 212 according to the plasma power supplied from the plasma power supply 140. Accordingly, the plasma converts the first gas supplied to the gas injection space 212 into a plasma, and the plasma converted first gas is injected downward into the first gas injection region. The plasmated first gas may be injected downward from the gas injection space 212 by the flow rate (or flow) of the first gas supplied to the gas injection space 212.

플라즈마 전원 공급부(140)는 소정의 주파수를 가지는 플라즈마 전원을 발생하고, 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원을 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공통적으로 공급하거나 개별적으로 공급한다. 이때, 플라즈마 전원은 고주파(예를 들어, HF(High Frequency) 전력 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 공급된다. 예를 들어, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The plasma power supply unit 140 generates plasma power having a predetermined frequency, and supplies plasma power to each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d through a feed cable or separately. Supply. At this time, the plasma power is supplied with high frequency (eg, High Frequency (HF) power or Very High Frequency (VHF) power. For example, the HF power has a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz, and the VHF power is It may have a frequency in the range of 30MHz to 300MHz.

한편, 상기 급전 케이블에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속된다.On the other hand, an impedance matching circuit (not shown) is connected to the feed cable.

상기 임피던스 매칭 회로는 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.The impedance matching circuit matches the load impedance and the source impedance of the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d. The impedance matching circuit may be composed of at least two impedance elements (not shown) composed of at least one of a variable capacitor and a variable inductor.

이와 같은 제 1 가스 분사 모듈(130a)은 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하여 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The first gas injection module 130a forms a plasma in the gas injection space 212 according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240, and supplies the plasma to the gas injection space 212. The first gas to be turned into a plasma is injected downward into the first gas injection region.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 1 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되도록 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 2 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 제 2 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The second gas injection module 130b is inserted into and installed in the second module installation portion 115b overlapping the second gas injection region defined on the substrate support 120 so as to be spatially separated from the first gas injection region. The second gas plasmated is injected downward into the second gas injection region. To this end, as shown in FIG. 3, the second gas injection module 130b may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. Through the above configurations, the second gas injection module 130b is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a feed cable, thereby depending on the plasma power supply supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in the gas injection space 212, and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the second gas injection region.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 전술한 제 2 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되도록 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 제 3 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 1 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하여 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c is inserted into and installed in the third module installation unit 115c overlapping the third gas injection region defined on the substrate support 120 to be spatially separated from the second gas injection region. The plasma first gas is injected downward into the third gas injection region. To this end, as illustrated in FIG. 3, the third gas injection module 130c may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. Through the above configurations, the third gas injection module 130c may be electrically connected to the plasma power supply 140 through a feed cable, thereby depending on the plasma power supplied from the plasma power supply 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in the gas injection space 212, and the first gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the third gas injection region.

제 4 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 1 및 제 3 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되도록 제 1 및 제 3 가스 분사 영역 사이의 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 제 4 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130b overlaps the fourth gas injection region defined on the substrate support 120 between the first and third gas injection regions so as to be spatially separated from the aforementioned first and third gas injection regions. The second module inserted into the fourth module installation unit 115d is injected downward into the fourth gas injection region to form a plasma. To this end, as shown in FIG. 3, the fourth gas injection module 130d may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. Through such configurations, the fourth gas injection module 130d may be electrically connected to the plasma power supply 140 through a feed cable, thereby depending on the plasma power supplied from the plasma power supply 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in the gas injection space 212, and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the fourth gas injection region.

이상과 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판 지지부(120) 상에 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 배치하고, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 통해 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 회전되는 기판 지지부(120) 상에 분사함으로써 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스의 상호 반응을 통해 각 기판(W)에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 공정 챔버(110) 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention as described above is disposed on the substrate support part 120 to arrange the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d. The plasmalized agent by spraying the plasmalized first and second gases through the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d onto the substrate support 120 that is spatially separated and rotated. By increasing the deposition uniformity of the thin film deposited on each substrate (W) through the mutual reaction of the first and second gas, it is easy to control the film quality of the thin film, and by minimizing the cumulative thickness deposited in the process chamber 110 Particles can be improved.

도 4a는 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.4A is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention described above, and FIG. 4B is a view illustrating an operation procedure of the first to fourth gas injection modules shown in FIG. 4A. It is a waveform diagram for that.

도 4a 및 도 4b를 도 3과 결부하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.4A and 4B, a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described as follows.

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, the plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support part 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각의 가스 분사 공간(212)에 제 1 가스를 공급함과 아울러 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각의 플라즈마 전극 부재(240)에 플라즈마 전원을 인가함으로써 기판 지지부(120) 상의 제 1 및 제 3 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Subsequently, the first gas is supplied to the gas injection spaces 212 of each of the first and third gas injection modules 130a and 130c, and the plasma electrode member of each of the first and third gas injection modules 130a and 130c ( By applying a plasma power source to the 240, the first gas PG1, which has been plasma-formed, is injected downward into each of the first and third gas injection regions on the substrate support part 120. At this time, the plasmaized first gas PG1 is continuously sprayed regardless of the process cycle period in which the substrate support 120 rotates once in a predetermined direction.

이와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 가스 분사 공간(212)에 제 2 가스를 공급함과 아울러 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 플라즈마 전극 부재(240)에 플라즈마 전원을 인가함으로써 기판 지지부(120) 상의 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.At the same time, the second gas is supplied to the gas injection space 212 of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d, and the plasma electrode member of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d is provided. By applying plasma power to the 240, the second gas PG2 that has been plasma is continuously sprayed downward on each of the second and fourth gas injection regions on the substrate support 120. At this time, the plasmaized second gas PG2 is continuously injected regardless of the process cycle period.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support part 120 passes through the first to fourth gas injection regions in accordance with the rotation of the substrate support part 120. W) On each of the first to fourth gas injection module (130a, 130b, 130c, 130d) by the mutual reaction of the plasmaized first and second gas (PG1, PG2) which is spatially separated and injected from each of the predetermined Thin film material will be deposited.

전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 전술한 바와 같이 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 동시에 분사하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 제어 모듈(미도시)의 제어에 따른 동작 순서에 따라 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 분사할 수도 있다.In the above-described substrate processing apparatus and substrate processing method, each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d simultaneously sprays the first and second gases PG1 and PG2 that have been plasmaized as described above. Although the present invention is not limited thereto, the first and second gases PG1 and PG2 may be sprayed according to the operation sequence according to the control of the control module (not shown).

도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 통한 기판 처리 방법의 변형 예들을 설명하기 위한 파형도들이다.5A through 5D are waveform diagrams for describing modifications of the substrate processing method through the first to fourth gas injection modules illustrated in FIG. 2.

도 5a에서 알 수 있듯이, 제 1 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각의 동작을 순차적으로 수행하여 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 순차적으로 분사한다. 이때, 각 공정 싸이클은 제 1 내지 제 4 구간으로 이루어질 수 있다. 이러한 제 1 변형 예에 따른 기판 처리 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.As can be seen in FIG. 5A, the substrate treating method according to the first modified example sequentially performs operations of each of the first to fourth gas distributing modules 130a, 130b, 130c, and 130d for each process cycle. The first and second gases PG1 and PG2 are sequentially sprayed. In this case, each process cycle may be composed of first to fourth sections. Hereinafter, a substrate processing method according to the first modified example will be described in detail.

먼저, 각 공정 싸이클의 제 1 구간에서는 제 1 가스 분사 모듈(130a)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 1 가스 분사 영역에 분사한다.First, in a first section of each process cycle, the first gas PG1 that has been plasma-formed is injected into the first gas injection region through only the first gas injection module 130a.

이어, 각 공정 싸이클의 제 2 구간에서는 제 1 가스 분사 모듈(130a)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 2 가스 분사 모듈(130b)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 가스 분사 영역에 분사된다.Subsequently, in the second section of each process cycle, gas injection through the first gas injection module 130a is stopped, and the second gas PG2 that has been plasma-formed through only the second gas injection module 130b is transferred to the second gas. Sprayed in the spraying region.

이어, 각 공정 싸이클의 제 3 구간에서는 제 2 가스 분사 모듈(130b)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 3 가스 분사 모듈(130c)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 3 가스 분사 영역에 분사된다.Subsequently, in the third section of each process cycle, gas injection through the second gas injection module 130b is stopped, and the first gas PG1 that has been plasma-formed through only the third gas injection module 130c is transferred to the third gas. Sprayed in the spraying region.

그런 다음, 각 공정 싸이클의 제 4 구간에서는 제 3 가스 분사 모듈(130c)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 4 가스 분사 모듈(130d)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 4 가스 분사 영역에 분사된다.Then, in the fourth section of each process cycle, the gas injection through the third gas injection module 130c is stopped, and the second gas PG2 that has been plasma-formed through only the fourth gas injection module 130d is discharged. Is injected into the gas injection zone.

도 5b에서 알 수 있듯이, 제 2 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)의 동작과 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)의 동작을 교대로 수행하여 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 교대로 분사할 수 있다. 이때, 각 공정 싸이클은 제 1 내지 제 4 구간으로 이루어질 수 있다. 이러한 제 2 변형 예에 따른 기판 처리 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.As shown in FIG. 5B, the substrate processing method according to the second modification may include operations of the first and third gas injection modules 130a and 130c and the second and fourth gas injection modules 130b and 130d for each process cycle. By alternately performing the operation, the plasmalized first and second gases PG1 and PG2 may be alternately injected. In this case, each process cycle may be composed of first to fourth sections. Hereinafter, a substrate processing method according to the second modified example will be described in detail.

먼저, 각 공정 싸이클의 제 1 구간에서는 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.First, in the first section of each process cycle, the first gas PG1, which has been plasma-formed, is sprayed simultaneously to the first and third gas injection regions through only the first and third gas injection modules 130a and 130c.

이어, 각 공정 싸이클의 제 2 구간에서는 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.Subsequently, in the second section of each process cycle, gas injection through the first and third gas injection modules 130a and 130c is stopped, and plasma treatment is performed through only the second and fourth gas injection modules 130b and 130d. 2 gas PG2 is sprayed simultaneously to the said 2nd and 4th gas injection area | region.

이어, 각 공정 싸이클의 제 3 구간에서는 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.Subsequently, in the third section of each process cycle, the gas injection through the second and fourth gas injection modules 130b and 130d is stopped, and the plasma treatment is performed through only the first and third gas injection modules 130a and 130c. One gas PG1 is simultaneously sprayed into the first and third gas injection regions.

그런 다음, 각 공정 싸이클의 제 2 구간에서는 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.Then, in the second section of each process cycle, the gas injection through the first and third gas injection modules 130a and 130c is stopped, and only the second and fourth gas injection modules 130b and 130d are plasmamed. The second gas PG2 is simultaneously sprayed into the second and fourth gas injection regions.

도 5c에서 알 수 있듯이, 제 3 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 소정 구간마다 동시에 분사하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 지속적으로 동시에 분사할 수 있다.As shown in FIG. 5C, the substrate treating method according to the third modified example may include the first gas PG1 that has been plasma-formed through the first and third gas injection modules 130a and 130c for each process cycle. Simultaneously spraying the three gas injection zones at predetermined intervals, and simultaneously plasma-forming the second gas PG2 through the second and fourth gas injection modules 130b and 130d to the second and fourth gas injection zones. Can spray

도 5d에서 알 수 있듯이, 제 4 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 지속적으로 동시에 분사하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 소정 구간마다 동시에 분사할 수 있다.As shown in FIG. 5D, the substrate treating method according to the fourth modified example may include the first gas PG1 that has been plasma-formed through the first and third gas injection modules 130a and 130c for each process cycle. Simultaneously simultaneously spraying the three gas injection regions and simultaneously plasma-forming the second gas PG2 plasma-formed through the second and fourth gas injection modules 130b and 130d to the second and fourth gas injection regions at predetermined intervals. Can spray

도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 변형 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a modified embodiment of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에서 분사되는 가스의 종류를 제외하고는 도 2에 도시된 기판 처리 장치와 동일하기 때문에, 이하에서는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에서 분사되는 가스의 종류에 대해서만 설명하기로 한다.Referring to FIG. 6, the substrate processing apparatus according to the modified example of the first embodiment of the present invention except for the type of gas injected from each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d is illustrated in FIG. Since it is the same as the substrate processing apparatus shown in FIG. 2, only the kind of gas injected from each of the 1st-4th gas injection module 130a, 130b, 130c, 130d is demonstrated below.

제 1 가스 분사 모듈(130a)은 가스 공급 수단으로부터 전술한 제 1 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 1 가스를 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The first gas injection module 130a receives the above-described first gas from the gas supply means and injects the plasma first gas downwardly into the first gas injection region.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 가스 공급 수단으로부터 제 3 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이때, 제 3 가스는 전술한 제 1 및 제 2 가스를 퍼지(Purge)하기 위한 퍼지 가스가 될 수 있다. 상기 제 3 가스는 기판(W)에 증착되지 않고 남은 제 1 가스 및/또는 제 1 가스와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스를 퍼지하기 위한 것으로, 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The second gas injection module 130b receives the third gas from the gas supply means and injects the plasma-formed third gas PG3 downward into the second gas injection region. In this case, the third gas may be a purge gas for purging the above-described first and second gases. The third gas is to purge the first gas remaining without being deposited on the substrate W and / or the second gas remaining without reacting with the first gas, and include nitrogen (N 2), argon (Ar), and xenon ( Ze) and helium (He).

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 가스 공급 수단으로부터 전술한 제 2 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 2 가스를 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c receives the above-described second gas from the gas supply means and injects the plasma-formed second gas downward into the third gas injection region.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 가스 공급 수단으로부터 제 3 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130d receives the third gas from the gas supply means and injects the plasma-formed third gas PG3 downward into the fourth gas injection region.

도 7은 도 6에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.FIG. 7 is a waveform diagram illustrating an operation procedure of the first to fourth gas injection modules illustrated in FIG. 6.

도 6과 도 7을 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.6 and 7, a substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a modified example of the first embodiment will be described below.

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, the plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support part 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각을 통해 제 1 및 제 2 가스(G1, G2)를 공간적으로 분리하여 소정 구간마다 교대로 분사함과 아울러 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 지속적으로 분사한다.Subsequently, the first and second gases G1 and G2 are spatially separated through the first and third gas injection modules 130a and 130c, respectively, and alternately sprayed at predetermined intervals, and the second and fourth gas injections are performed. Plasmaized third gas PG3 is continuously injected through the modules 130b and 130d.

이에 따라, 회전하는 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다. 이때, 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)가 기판(W) 상으로 분사되는 도중에 혼합되어 반응하는 것을 방지하여 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)가 기판(W)의 상면에 분사된 후 상호 혼합되어 반응되도록 한다.As a result, plasma-forming injection is performed on each of the plurality of substrates W seated on the rotating substrate support part 120. The plasma is spatially separated from each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d. The predetermined thin film material is deposited by the mutual reaction of the first and second gases PG1 and PG2. In this case, the plasmalized third gas PG3 prevents the first and second plasmaized gases PG1 and PG2 from being mixed and reacted while being sprayed onto the substrate W to form the first and second plasmaized gases. 2 gases PG1 and PG2 are injected onto the upper surface of the substrate W and then mixed with each other to react.

이상과 같은, 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 제 3 가스(G3)를 통해 기판(W) 상으로 분사되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 혼합을 방지함으로써 각 기판(W)에 증착되는 박막의 증착 균일도 및 막질을 더욱 증가시킬 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the modification of the first embodiment of the present invention include the plasma-formed first and second gases PG1 sprayed onto the substrate W through the third gas G3. By preventing the mixing of PG2), the deposition uniformity and film quality of the thin films deposited on the respective substrates W can be further increased.

한편, 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은 도 4b, 도 5a 내지 도 5d에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 플라즈마화된 제 1 내지 제 3 가스(PG1, PG2, PG3)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.On the other hand, the substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention according to the operation sequence shown in Figs. 4b, 5a to 5d, the first to fourth gas injection module (130a, 130b, By operating the respective 130c and 130d, the above-described plasma first to third gases PG1, PG2 and PG3 may be spatially separated and injected into the first to fourth gas injection regions.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.8 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성되는 것으로, 가스 분사부(130)를 제외한 다른 구성들은 전술한 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다.8, the substrate processing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a chamber lid 115, a substrate supporter 120, and a gas injector 130. Since the other components except for the gas injection unit 130 are the same as the substrate processing apparatus 100 described above, the description of the same components will be replaced with the above description.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 플라즈마화되지 않은 제 1 가스와 플라즈마화된 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 기판 지지부(120) 쪽으로 하향 분사한다. 이를 위해, 가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into and installed in each of the first to fourth module mounting units 115a, 115b, 115c, and 115d formed in the chamber lid 115, and the first gas that is not plasmaified and the second gas that has been plasma-formed. Are spatially separated and sprayed downward toward the substrate support part 120. To this end, the gas injection unit 130 is configured to include the first to fourth gas injection module (330a, 130b, 330c, 130d).

제 1 가스 분사 모듈(330a)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 그대로 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(330b)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성된다.The first gas injection module 330a is inserted into and installed in the second module installation unit 115b overlapping the above-described first gas injection region, and directly blows down the first gas supplied from the gas supply means to the first gas injection region. do. To this end, the first gas injection module 330b includes a ground frame 410, a ground partition member 420, and a plurality of gas supply holes 430, as shown in FIG. 9.

접지 프레임(410)은 접지 격벽 부재(420)에 의해 분리된 복수의 가스 분사 공간(412)을 가지도록 하면이 개구되도록 형성된다. 이러한 접지 프레임(410)은 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 프레임(410)은 상면 플레이트(410a) 및 접지 측벽들(410b)로 이루어진다.The ground frame 410 is formed such that the bottom surface of the ground frame 410 has a plurality of gas injection spaces 412 separated by the ground partition member 420. The ground frame 410 is inserted into the first module installation unit 115a of the chamber lead 115 and electrically grounded through the chamber lead 115. To this end, the ground frame 410 is composed of a top plate 410a and ground sidewalls 410b.

상면 플레이트(410a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 결합된다.The upper plate 410a is formed in a rectangular shape and is coupled to the first module installation unit 115a of the chamber lid 115.

접지 측벽들(410b) 각각은 상면 플레이트(410a)의 장변 및 단변 가장자리 부분으로부터 수직하게 돌출되어 상면 플레이트(410a)의 하부에 가스 분사 공간(412)을 마련한다. 이러한 접지 측벽들(410b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이때, 상기 장변 접지 측벽들은 접지 전극의 역할을 한다.Each of the ground sidewalls 410b protrudes vertically from the long side and short side edge portions of the top plate 410a to provide a gas injection space 412 under the top plate 410a. Each of these ground sidewalls 410b is electrically grounded through the chamber lid 115. In this case, the long side ground sidewalls serve as ground electrodes.

접지 격벽 부재(420)는 상면 플레이트(410a)의 중앙 하면으로부터 수직하게 돌출되어 접지 측벽들(410b)의 장변들과 나란하게 배치된다. 이러한 접지 격벽 부재(420)는 소정 높이를 가지도록 접지 프레임(410)의 내부에 형성됨으로써 접지 프레임(410)의 내부에 공간적으로 분리되는 복수의 가스 분사 공간(412)을 마련한다. 상기 접지 격벽 부재(420)는 접지 프레임(410)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 프레임(410)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극의 역할을 한다.The ground partition wall member 420 protrudes vertically from the center lower surface of the top plate 410a and is disposed in parallel with the long sides of the ground sidewalls 410b. The ground partition wall member 420 is formed in the ground frame 410 to have a predetermined height to provide a plurality of gas injection spaces 412 that are spatially separated in the ground frame 410. The ground partition member 420 is integrally or electrically coupled to the ground frame 410 to be electrically grounded through the ground frame 410 to serve as a ground electrode.

전술한, 접지 측벽들(410b)의 장변들과 접지 격벽 부재(420)는 접지 프레임(420)에 일정한 간격으로 나란하게 배치되어 복수의 접지 전극 부재를 형성한다.The above-described long sides of the ground sidewalls 410b and the ground partition wall member 420 are arranged side by side at regular intervals on the ground frame 420 to form a plurality of ground electrode members.

복수의 가스 공급 홀(430) 각각은 복수의 가스 분사 공간(412) 각각에 연통되도록 접지 프레임(410)의 상면 플레이트(410a)를 관통하여 형성된다. 이러한 복수의 가스 공급 홀(430) 각각은 가스 공급 관을 통해 외부의 가스 공급 수단에 연결됨으로써 가스 공급 수단으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스를 공급받는다.Each of the plurality of gas supply holes 430 is formed through the upper plate 410a of the ground frame 410 so as to communicate with each of the plurality of gas injection spaces 412. Each of the plurality of gas supply holes 430 is connected to an external gas supply means through a gas supply pipe to receive the first gas from the gas supply means through the gas supply pipe.

이와 같은, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은 가스 공급 수단으로부터 가스 분사 공간(412)에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 즉, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은 도 2에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(130a)과 달리 플라즈마 전극 부재가 설치되지 않기 때문에 가스 분사 공간(412)에 공급되는 제 1 가스를 그대로 하향 분사한다. 이로 인하여, 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 공급되는 제 1 가스는 플라즈마에 의해 플라즈마화되지 않고도 제 2 가스와 반응하여 기판 상에 증착될 수 있는 박막 물질을 포함하여 이루어진다.As described above, the first gas injection module 330a injects the first gas supplied from the gas supply means to the gas injection space 412 directly into the first gas injection region without being converted into plasma. That is, unlike the first gas injection module 130a shown in FIG. 2, since the plasma electrode member is not installed, the first gas injection module 330a directly injects the first gas supplied to the gas injection space 412 as it is. do. As a result, the first gas supplied to the first gas injection module 330a includes a thin film material that can react with the second gas and be deposited on the substrate without being plasmalated by the plasma.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 제 2 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The second gas injection module 130b is inserted into the second module installation unit 115b overlapping the above-described first gas injection region, and downwardly injects the plasmad second gas into the second gas injection region. To this end, as shown in FIG. 3, the second gas injection module 130b may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. Through the above configurations, the second gas injection module 130b is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a feed cable, thereby depending on the plasma power supply supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in the gas injection space 212, and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the second gas injection region.

제 3 가스 분사 모듈(330c)은 전술한 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(330c)은 도 9에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 설명은 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The third gas injection module 330c is inserted into and installed in the third module installation unit 115c overlapping the above-described third gas injection region, so that the third gas is supplied as it is without plasmaation of the first gas supplied from the gas supply means. Spray down into the spray area. To this end, since the third gas injection module 330c has the same configuration as the first gas injection module 330a shown in FIG. 9, the description thereof will be replaced with the description of the first gas injection module 330a. do.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 전술한 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 제 4 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130d is inserted into and installed in the fourth module installation unit 115d overlapping the fourth gas injection region, and injects the second gas plasmad downward into the fourth gas injection region. To this end, as shown in FIG. 3, the fourth gas injection module 130d may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. Through such configurations, the fourth gas injection module 130d may be electrically connected to the plasma power supply 140 through a feed cable, thereby depending on the plasma power supplied from the plasma power supply 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in the gas injection space 212, and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the second gas injection region.

도 10은 전술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.10 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention described above.

도 10을 참조하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.A substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10.

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, the plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support part 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(330a, 330c) 각각의 가스 분사 공간(412)에 제 1 가스를 공급하여 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 영역 각각에 제 1 가스(G1)를 하향 분사한다. 이때, 제 1 가스(G1)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Subsequently, the first gas is supplied to the gas injection space 412 of each of the first and third gas injection modules 330a and 330c to downwardly inject the first gas G1 into each of the first and third gas injection regions. do. In this case, the first gas G1 is continuously injected regardless of the process cycle period in which the substrate support 120 rotates one direction in a predetermined direction.

이와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 가스 분사 공간(212)에 제 2 가스를 공급함과 아울러 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 플라즈마 전극 부재(240)에 플라즈마 전원을 인가함으로써 기판 지지부(120) 상의 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.At the same time, the second gas is supplied to the gas injection space 212 of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d, and the plasma electrode member of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d is provided. By applying plasma power to the 240, the second gas PG2 that has been plasma is continuously sprayed downward on each of the second and fourth gas injection regions on the substrate support 120. At this time, the plasmaized second gas PG2 is continuously injected regardless of the process cycle period.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support part 120 passes through the first to fourth gas injection regions in accordance with the rotation of the substrate support part 120. W) On each of the first to fourth gas injection module (330a, 130b, 330c, 130d) by the mutual reaction of the first gas (G1) and the plasmalized second gas (PG2) which is spatially separated and injected from each of Certain thin film materials will be deposited.

전술한 제 2 실시 예의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d) 각각은 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 동시에 분사하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 제어 모듈(미도시)의 제어에 따른 도 4b, 도 5a 내지 도 5d에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.In the above-described substrate processing apparatus and substrate processing method of the second embodiment, each of the first to fourth gas injection modules 330a, 130b, 330c, and 130d may use the first gas G1 and the plasmalized second gas PG2. Although described as simultaneous injection, the present invention is not limited thereto, and the first to fourth gas injection modules 330a and 130b according to the operation sequence shown in FIGS. 4B and 5A to 5D according to the control of the control module (not shown). By operating the respective 330c and 130d, the first gas G1 and the plasmalized second gas PG2 may be spatially separated and injected into the first to fourth gas injection regions.

도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.11 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치(500)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성되는 것으로, 가스 분사부(130)를 제외한 다른 구성들은 전술한 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 11, a substrate processing apparatus 500 according to a third embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a chamber lid 115, a substrate support 120, and a gas injector 130. Since the other components except for the gas injection unit 130 are the same as the substrate processing apparatus 100 described above, the description of the same components will be replaced with the above description.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 플라즈마화되지 않은 제 1 가스와 플라즈마화된 제 2 가스 및 제 3 가스를 공간적으로 분리하여 기판 지지부(120) 쪽으로 하향 분사한다. 이를 위해, 가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into and installed in each of the first to fourth module mounting units 115a, 115b, 115c, and 115d formed in the chamber lid 115, and the first gas that is not plasmaified and the second gas that has been plasma-formed. And the third gas is spatially separated and injected downward toward the substrate support part 120. To this end, the gas injection unit 130 is configured to include the first to fourth gas injection module (330a, 130b, 330c, 130d).

제 1 가스 분사 모듈(330a)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The first gas injection module 330a is inserted into and installed in the first module installation unit 115a overlapping the above-described first gas injection region, so that the first gas supplied from the gas supply means is not converted into plasma, and the first gas is supplied as it is. Spray down into the spray area. To this end, as shown in FIG. 9, the first gas injection module 330a includes a ground frame 410, a ground partition member 420, and a plurality of gas supply holes 430. Description of this will be replaced with the description of FIG. 9.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 2 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 3 가스를 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The second gas injection module 130b is inserted into and installed in the second module installation unit 115b overlapping the above-described second gas injection region, and injects the above-mentioned plasma-formed third gas downward into the second gas injection region. . To this end, as shown in FIG. 3, the second gas injection module 130b may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. As described above, the second gas injection module 130b is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a feed cable, and according to the plasma power supply space supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in 212, and the third gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma and injected downward into the second gas injection region.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 전술한 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 2 가스를 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c is inserted into and installed in the third module installation unit 115c overlapping the third gas injection region to inject the above-mentioned plasma-formed second gas downward into the third gas injection region. . To this end, as illustrated in FIG. 3, the third gas injection module 130c may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. As such, the third gas injection module 130c is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power feeding cable, so that the third gas injection module 130c is supplied in accordance with the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in 212, and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the third gas injection region.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 전술한 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 3 가스를 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하여 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130d is inserted into and installed in the fourth module installation unit 115d overlapping the fourth gas injection region to inject the above-mentioned plasma-formed third gas downward into the fourth gas injection region. . To this end, as shown in FIG. 3, the fourth gas injection module 130d may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. As such, the fourth gas injection module 130d may be electrically connected to the plasma power supply 140 through a power feeding cable, and according to the plasma power supplied from the plasma power supply 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in 212, and the third gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the fourth gas injection region.

도 12는 전술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.12 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention described above.

도 12를 참조하여 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.A substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12.

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, the plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support part 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 제 1 가스를 공급하여 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스(G1)를 하향 분사하고, 이와 동시에, 제 3 가스 분사 모듈(130c)에 제 2 가스 및 플라즈마 전원을 공급하여 제 3 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 하향 분사한다. 이때, 상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Subsequently, the first gas is supplied to the first gas injection module 330a to inject the first gas G1 downward into the first gas injection region, and at the same time, the second gas is supplied to the third gas injection module 130c. And supplying plasma power to inject the plasmad second gas PG2 downward in the third gas injection region. In this case, the first gas G1 and the plasmalized second gas PG2 are continuously sprayed regardless of the process cycle period in which the substrate support 120 rotates once in a predetermined direction.

상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2) 각각의 동시 분사와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각에 제 3 가스 및 플라즈마 전원을 공급하여 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Simultaneously spraying each of the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2, a third gas and a plasma power supply are supplied to each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d to provide a second gas. And continuously plasma-discharge the third gas PG3 plasmated to each of the fourth gas injection regions. At this time, the plasmaized third gas PG3 is continuously injected regardless of the process cycle period.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 130c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다. 이때, 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W) 상으로 분사되는 도중에 혼합되어 반응하는 것을 방지하여 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W)의 상면에 분사된 후 상호 혼합되어 반응되도록 한다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support part 120 passes through the first to fourth gas injection regions in accordance with the rotation of the substrate support part 120. W) On each of the first to fourth gas injection module (330a, 130b, 130c, 130d) by the mutual reaction of the first gas (G1) and the plasmalized second gas (PG2) which is spatially separated and injected from each of Certain thin film materials will be deposited. At this time, the plasmated third gas PG3 prevents the first gas G1 and the plasmalized second gas PG2 from being mixed and reacted while being injected onto the substrate W, thereby preventing the first gas G1 from reacting. ) And the plasmalized second gas PG2 are injected onto the upper surface of the substrate W and then mixed with each other to react.

한편, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은 도 4b, 도 5a 내지 도 5d, 도 7에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 130c, 130d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 및 제 3 가스(PG2, PG3)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.On the other hand, the substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention, the first to fourth gas injection module (330a, 130b) in accordance with the operation sequence shown in Figs. 4b, 5a to 5d, 7 , The first gas G1 and the plasmalized second and third gases PG2 and PG3 may be spatially separated from each other, and the first gas G1 may be injected into the first to fourth gas injection regions. .

도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.13 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치(600)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성되는 것으로, 가스 분사부(130)를 제외한 다른 구성들은 전술한 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 13, the substrate processing apparatus 600 according to the fourth embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a chamber lid 115, a substrate supporter 120, and a gas injector 130. Since the other components except for the gas injection unit 130 are the same as the substrate processing apparatus 100 described above, the description of the same components will be replaced with the above description.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 플라즈마화되지 않은 제 1 가스와 플라즈마화된 제 2 가스 및 제 3 가스를 공간적으로 분리하여 기판 지지부(120) 쪽으로 하향 분사한다. 이를 위해, 가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 130c, 330d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into and installed in each of the first to fourth module mounting units 115a, 115b, 115c, and 115d formed in the chamber lid 115, and the first gas that is not plasmaified and the second gas that has been plasma-formed. And the third gas is spatially separated and injected downward toward the substrate support part 120. To this end, the gas injection unit 130 is configured to include the first to fourth gas injection module (330a, 330b, 130c, 330d).

제 1 가스 분사 모듈(330a)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The first gas injection module 330a is inserted into and installed in the first module installation unit 115a overlapping the above-described first gas injection region, so that the first gas supplied from the gas supply means is not converted into plasma, and the first gas is supplied as it is. Spray down into the spray area. To this end, as shown in FIG. 9, the first gas injection module 330a includes a ground frame 410, a ground partition member 420, and a plurality of gas supply holes 430. Description of this will be replaced with the description of FIG. 9.

제 2 가스 분사 모듈(330b)은 전술한 제 2 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(330b)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The second gas injection module 330b is inserted into the second module installation unit 115a overlapping the above-described second gas injection region, so that the second gas is supplied as it is without plasmaation of the third gas supplied from the gas supply means. Spray down into the spray area. To this end, as shown in FIG. 9, the second gas injection module 330b includes a ground frame 410, a ground partition member 420, and a plurality of gas supply holes 430. Description of this will be replaced with the description of FIG. 9.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 전술한 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 2 가스를 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c is inserted into and installed in the third module installation unit 115c overlapping the third gas injection region to inject the above-mentioned plasma-formed second gas downward into the third gas injection region. . To this end, as illustrated in FIG. 3, the third gas injection module 130c may include a ground frame 210, a ground partition member 220, a plurality of insulation members 230, and a plurality of plasma electrode members 240. ), And the description of these components will be replaced by the above description. As such, the third gas injection module 130c is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power feeding cable, so that the third gas injection module 130c is supplied in accordance with the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240. Plasma is formed in 212, and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into plasma to be injected downward into the third gas injection region.

제 4 가스 분사 모듈(330d)은 전술한 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(330d)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The fourth gas injection module 330d is inserted into and installed in the fourth module installation unit 115d overlapping the above-described fourth gas injection region, so that the fourth gas supplied from the gas supply means is not plasmatized and the fourth gas injection module 330d is provided as it is. Spray down into the spray area. To this end, the fourth gas injection module 330d includes a ground frame 410, a ground partition member 420, and a plurality of gas supply holes 430, as shown in FIG. 9. Description of this will be replaced with the description of FIG. 9.

도 14는 전술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.14 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention described above.

도 14를 참조하여 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 14, a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention will be described.

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, the plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support part 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 제 1 가스를 공급하여 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스(G1)를 하향 분사하고, 이와 동시에, 제 3 가스 분사 모듈(130c)에 제 2 가스 및 플라즈마 전원을 공급하여 제 3 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 하향 분사한다. 이때, 상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Subsequently, the first gas is supplied to the first gas injection module 330a to inject the first gas G1 downward into the first gas injection region, and at the same time, the second gas is supplied to the third gas injection module 130c. And supplying plasma power to inject the plasmad second gas PG2 downward in the third gas injection region. In this case, the first gas G1 and the plasmalized second gas PG2 are continuously sprayed regardless of the process cycle period in which the substrate support 120 rotates once in a predetermined direction.

상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2) 각각의 동시 분사와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(330b, 330d) 각각에 제 3 가스를 공급하여 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화되지 않은 제 3 가스(G3)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 제 3 가스(G3)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Simultaneous injection of each of the first gas G1 and the plasmated second gas PG2 simultaneously supplies a third gas to each of the second and fourth gas injection modules 330b and 330d, thereby providing a second gas and a fourth gas. The third gas G3 that is not plasmated is continuously injected downward into each gas injection region. At this time, the third gas G3 is continuously injected regardless of the process cycle period.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 130c, 330d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다. 이때, 상기 제 3 가스(G3)는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W) 상으로 분사되는 도중에 혼합되어 반응하는 것을 방지하여 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W)의 상면에 분사된 후 상호 혼합되어 반응되도록 한다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support part 120 passes through the first to fourth gas injection regions in accordance with the rotation of the substrate support part 120. W) On each of the first to fourth gas injection modules (330a, 330b, 130c, 330d) by the mutual reaction of the first gas (G1) and plasma-formed second gas (PG2) that is spatially separated and injected from each of Certain thin film materials will be deposited. In this case, the third gas G3 is mixed with the first gas G1 and the plasmated second gas PG2 while being injected onto the substrate W to prevent the third gas G3 from reacting with the first gas G1. Plasmaized second gas PG2 is injected onto the upper surface of the substrate W and then mixed with each other to react.

한편, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은 도 4b, 도 5a 내지 도 5d, 도 7에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 130c, 330d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 제 1 및 제 3 가스(G1, G3)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.On the other hand, the substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention is the first to fourth gas injection module (330a, 330b) according to the operation sequence shown in Figs. 4b, 5a to 5d, 7 , 130c and 330d, respectively, may spatially separate the above-described first and third gases G1 and G3 and the plasmaized second gas PG2 into the first to fourth gas injection regions. .

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

110: 공정 챔버 115: 챔버 리드
117: 펌핑 관 120: 기판 지지부
130: 가스 분사부 130a: 제 1 가스 분사 모듈
130b: 제 2 가스 분사 모듈 130c: 제 3 가스 분사 모듈
130d: 제 4 가스 분사 모듈 140: 플라즈마 전원 공급부
210: 접지 프레임 220: 접지 격벽 부재
230: 절연 부재 240: 플라즈마 전극 부재110: process chamber 115: chamber lead
117: pumping pipe 120: substrate support
130: gas injection unit 130a: first gas injection module
130b: second gas injection module 130c: third gas injection module
130d: fourth gas injection module 140: plasma power supply
210: ground frame 220: ground bulkhead member
230: insulating member 240: plasma electrode member

Claims (6)

챔버의 상부에 배치된 챔버 리드에 형성된 복수의 모듈 설치부에 삽입 되어 챔버 리드로부터 기판 지지부를 향하여 적어도 일부 연장되게 설치된 복수의 가스 분사 모듈의 하면에 대응하여, 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및
상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함하고,
상기 가스를 분사하는 단계는,
상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계; 및
상기 공정 싸이클 주기에서 지속적으로 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.On the substrate support on which the plurality of substrates are seated, corresponding to the lower surface of the plurality of gas injection modules inserted into the plurality of module mounting portions formed in the chamber lid disposed above the chamber and extending at least partially from the chamber lid toward the substrate support. Injecting gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region spatially separated from each other; And
The substrate support part according to a process cycle in which the substrates seated on the substrate support part rotate once to pass through the first gas injection area, the second gas injection area, the third gas injection area, and the fourth gas injection area. Rotating the;
Injecting the gas,
Simultaneously injecting gas into the first gas injection region and the third gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period; And
And injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region continuously in the process cycle period. 제1항에 있어서,
상기 가스를 분사하는 단계는 박막 물질이 함유된 소스 가스, 상기 소스 가스와 반응하여 상기 소스 가스에 함유된 박막 물질이 기판 상에 증착되도록 하는 반응 가스, 및 퍼지 가스 중에서 어느 하나의 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
The injecting of the gas may include injecting any one of a source gas containing a thin film material, a reaction gas reacting with the source gas to deposit the thin film material contained in the source gas on a substrate, and a purge gas. The substrate processing method characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,
상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 상기 제 4 가스 분사 영역 중에서 적어도 하나의 가스 분사 영역에는 플라즈마화된 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 1,
Plasma gas is injected into at least one of the first gas injection region, the second gas injection region, the third gas injection region, and the fourth gas injection region. 챔버의 상부에 배치된 챔버 리드에 형성된 복수의 모듈 설치부에 삽입 되어 챔버 리드로부터 기판 지지부를 향하여 적어도 일부 연장되게 설치된 복수의 가스 분사 모듈의 하면에 대응하여, 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및
상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함하고,
상기 가스를 분사하는 단계는,
상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계;
상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사할 때, 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 대한 가스 분사를 중단하는 단계;
상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계; 및
상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사할 때, 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 대한 가스 분사를 중단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.On the substrate support on which the plurality of substrates are seated, corresponding to the lower surface of the plurality of gas injection modules inserted into the plurality of module mounting portions formed in the chamber lid disposed above the chamber and extending at least partially from the chamber lid toward the substrate support. Injecting gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region spatially separated from each other; And
The substrate support part according to a process cycle in which the substrates seated on the substrate support part rotate once to pass through the first gas injection area, the second gas injection area, the third gas injection area, and the fourth gas injection area. Rotating the;
Injecting the gas,
Simultaneously injecting gas into the first gas injection region and the third gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period;
Stopping gas injection to the second gas injection region and the fourth gas injection region when simultaneously injecting gas into the first gas injection region and the third gas injection region;
Simultaneously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period; And
And discontinuing gas injection to the first gas injection region and the third gas injection region when simultaneously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region. Treatment method. 챔버의 상부에 배치된 챔버 리드에 형성된 복수의 모듈 설치부에 삽입 되어 챔버 리드로부터 기판 지지부를 향하여 적어도 일부 연장되게 설치된 복수의 가스 분사 모듈의 하면에 대응하여, 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및
상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함하고,
상기 가스를 분사하는 단계는,
상기 공정 싸이클 주기에서 지속적으로 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및
상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 동시에 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.On the substrate support on which the plurality of substrates are seated, corresponding to the lower surface of the plurality of gas injection modules inserted into the plurality of module mounting portions formed in the chamber lid disposed above the chamber and extending at least partially from the chamber lid toward the substrate support. Injecting gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region spatially separated from each other; And
The substrate support part according to a process cycle in which the substrates seated on the substrate support part rotate once to pass through the first gas injection area, the second gas injection area, the third gas injection area, and the fourth gas injection area. Rotating the;
Injecting the gas,
Continuously injecting gas into the first gas injection region and the third gas injection region in the process cycle period; And
And simultaneously injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period. 챔버의 상부에 배치된 챔버 리드에 형성된 복수의 모듈 설치부에 삽입 되어 챔버 리드로부터 기판 지지부를 향하여 적어도 일부 연장되게 설치된 복수의 가스 분사 모듈의 하면에 대응하여, 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부 상에 공간적으로 분리된 제 1 가스 분사 영역, 제 2 가스 분사 영역, 제 3 가스 분사 영역, 및 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계; 및
상기 기판 지지부에 안착된 기판들이 상기 제 1 가스 분사 영역, 상기 제 2 가스 분사 영역, 상기 제 3 가스 분사 영역, 및 상기 제 4 가스 분사 영역을 통과하도록 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 단계를 포함하고,
상기 가스를 분사하는 단계는,
상기 공정 싸이클 주기에서 소정 구간마다 상기 제 1 가스 분사 영역과 상기 제 3 가스 분사 영역에 가스를 교대로 분사하는 단계; 및
상기 공정 싸이클 주기에서 지속적으로 상기 제 2 가스 분사 영역과 상기 제 4 가스 분사 영역에 가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.On the substrate support on which the plurality of substrates are seated, corresponding to a lower surface of the plurality of gas injection modules inserted into the plurality of module mounting portions formed in the chamber lid disposed above the chamber and extending at least partially from the chamber lid toward the substrate support. Injecting gas into a first gas injection region, a second gas injection region, a third gas injection region, and a fourth gas injection region spatially separated from each other; And
The substrate support part according to a process cycle in which the substrates seated on the substrate support part rotate once to pass through the first gas injection area, the second gas injection area, the third gas injection area, and the fourth gas injection area. Rotating the;
Injecting the gas,
Alternately injecting gas into the first gas injection region and the third gas injection region at predetermined intervals in the process cycle period; And
And injecting gas into the second gas injection region and the fourth gas injection region continuously in the process cycle period.
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