KR102405776B1 - Substrate processing apparatus andsubstrate processing method - Google Patents

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Abstract

기판 처리장치의 일 실시예는, 공정 챔버, 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부, 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 상기 챔버 리드에 설치되어 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 상기 복수의 기판으로 분사하는 가스 분사부; 및 상기 기판 지지부는 자전 가능하도록 구비되는 제 1 디스크를 포함하고, 상기 제 1 디스크에 배치되고, 상면에 상기 기판이 안착되며, 상기 제 1 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 제 2 디스크를 포함할 수 있다.An embodiment of the substrate processing apparatus includes: a process chamber, a substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a predetermined direction, and a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; a gas injection unit installed in the chamber lid to spatially separate different first and second gases to the plurality of substrates; And the substrate support includes a first disk that is provided to be able to rotate, is disposed on the first disk, the substrate is seated on the upper surface, and rotates as the first disk rotates and the center of the first disk is It may include at least one second disk orbiting the axis.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS ANDSUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판 상에 분사되는 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하고, 제 1 디스크 및 제 2 디스크가 각각 공전과 자전하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, spatially separates a source gas and a reactive gas sprayed on a substrate, and deposits a thin film deposited on a substrate by revolving and rotating the first disk and the second disk, respectively It relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of increasing uniformity.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information for the embodiment and does not constitute the prior art.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조공정을 수행하게 된다.In general, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on the surface of a substrate, and for this, a thin film of a specific material is deposited on the substrate. A semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photo process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by removing the thin film from the selectively exposed portion are performed.

이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed in an optimal environment for the process, and recently, a substrate processing apparatus that performs a deposition or etching process using plasma has been widely used.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.A substrate processing apparatus using plasma includes a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, a plasma etching apparatus for etching and patterning a thin film, and the like.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a general substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 플라즈마 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.Referring to FIG. 1 , a typical substrate processing apparatus includes a chamber 10 , a plasma electrode 20 , a susceptor 30 , and a gas injection unit 40 .

챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(12)에 연통된다.The chamber 10 provides a reaction space for a substrate processing process. At this time, the bottom surface of one side of the chamber 10 communicates with the exhaust port 12 for exhausting the reaction space.

플라즈마 전극(20)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.The plasma electrode 20 is installed above the chamber 10 to seal the reaction space.

플라즈마 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 RF 전력을 생성하여 플라즈마 전극(20)에 공급한다.One side of the plasma electrode 20 is electrically connected to a radio frequency (RF) power source 24 through a matching member 22 . At this time, the RF power source 24 generates RF power and supplies it to the plasma electrode 20 .

또한, 플라즈마 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 소스 가스를 공급하는 가스 공급관(26)에 연통된다.In addition, the central portion of the plasma electrode 20 communicates with a gas supply pipe 26 for supplying a source gas for a substrate processing process.

정합 부재(22)는 플라즈마 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 플라즈마 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The matching member 22 is connected between the plasma electrode 20 and the RF power source 24 to match the load impedance and the source impedance of the RF power supplied from the RF power source 24 to the plasma electrode 20 .

서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 플라즈마 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.The susceptor 30 is installed inside the chamber 10 to support a plurality of substrates W loaded from the outside. The susceptor 30 is a counter electrode opposite to the plasma electrode 20 and is electrically grounded through a lifting shaft 32 that elevates the susceptor 30 .

승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.The lifting shaft 32 is lifted up and down by a lifting device (not shown). At this time, the lifting shaft 32 is surrounded by the lifting shaft 32 and the bellows 34 sealing the bottom surface of the chamber 10 .

가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 플라즈마 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 플라즈마 전극(20) 사이에는 플라즈마 전극(20)을 관통하는 가스 공급관(26)으로부터 공급되는 소스 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사홀(44)을 통해 소스 가스를 반응 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.The gas injection means 40 is installed under the plasma electrode 20 to face the susceptor 30 . In this case, a gas diffusion space 42 in which the source gas supplied from the gas supply pipe 26 passing through the plasma electrode 20 is diffused is formed between the gas injection means 40 and the plasma electrode 20 . The gas injection means 40 uniformly injects the source gas to the entire reaction space through the plurality of gas injection holes 44 communicating with the gas diffusion space 42 .

이와 같은, 일반적인 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 반응 공간에 소정의 소스 가스를 분사함과 아울러 플라즈마 전극(20)에 RF 전력을 공급해 반응 공간에 전자기장을 형성함으로써 상기 전자기장에 의해 기판(W) 상에 형성되는 플라즈마를 이용해 기판(W) 상의 소정의 박막을 형성하게 된다.Such a general substrate processing apparatus loads the substrate W into the susceptor 30 , and then injects a predetermined source gas into the reaction space of the chamber 10 and supplies RF power to the plasma electrode 20 . By forming an electromagnetic field in the reaction space, a predetermined thin film is formed on the substrate W using plasma formed on the substrate W by the electromagnetic field.

그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 소스 가스가 분사 공간과 플라즈마 공간이 동일하기 때문에 반응 공간에 형성되는 플라즈마 밀도의 균일도에 따라 기판(W)에 증착되는 박막 물질의 균일도가 결정되고, 이로 인해 박막 물질의 막질 제어에 어려움이 있다.However, in a typical substrate processing apparatus, since the source gas injection space and the plasma space are the same, the uniformity of the thin film material deposited on the substrate W is determined according to the uniformity of the plasma density formed in the reaction space. There is difficulty in controlling the membrane quality.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판 상에 분사되는 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하고, 제 1 디스크 및 제 2 디스크를 각각 공전과 자전시켜 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 챔버 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention is to solve the above problems, spatially separate the source gas and the reactive gas sprayed on the substrate, and the first disk and the second disk to revolve and rotate, respectively, the deposition uniformity of the thin film deposited on the substrate An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving particles by increasing the thickness, easily controlling the film quality of the thin film, and minimizing the cumulative thickness deposited in the chamber.

실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical task to be achieved by the embodiment is not limited to the technical task mentioned above, and other technical tasks not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs from the description below.

기판 처리장치의 일 실시예는, 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 상기 챔버 리드에 설치되어 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 상기 복수의 기판으로 분사하는 가스 분사부; 및 상기 기판 지지부는 자전 가능하도록 구비되는 제 1 디스크를 포함하고, 상기 제 1 디스크에 배치되고, 상면에 상기 기판이 안착되며, 상기 제 1 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 제 2 디스크를 포함할 수 있다.One embodiment of the substrate processing apparatus includes a process chamber; a substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction; a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; a gas injection unit installed in the chamber lid to spatially separate different first and second gases to the plurality of substrates; And the substrate support includes a first disk that is provided to be able to rotate, is disposed on the first disk, the substrate is seated on the upper surface, and rotates as the first disk rotates and the center of the first disk is It may include at least one second disk orbiting the axis.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 가스 분사부는, 상기 챔버 리드에 설치되고, 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련되는 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 모듈; 및 상기 제 1 가스 분사 모듈과 이격되도록 상기 챔버 리드에 설치되고, 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련되는 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 모듈을 포함하여 구성될 수 있다.In one embodiment of the substrate processing apparatus, the gas injection unit may include: a first gas injection module installed in the chamber lid and configured to inject the first gas supplied to a gas injection space provided between a plurality of ground electrode members; and a second gas injection module installed on the chamber lid to be spaced apart from the first gas injection module and configured to inject the second gas supplied to a gas injection space provided between a plurality of ground electrode members. have.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈은 접지 전극 부재들 사이에 배치되어 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성하는 플라즈마 전극 부재를 포함하여 구성될 수 있다.In one embodiment of the substrate processing apparatus, at least one of the first and second gas injection modules may include a plasma electrode member disposed between the ground electrode members to form plasma in the gas injection space. can

기판 처리장치의 일 실시예는, 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 기판 지지부는 자전 가능하도록 구비되는 제 1 디스크를 포함하고, 상기 제 1 디스크에 배치되며, 상면에 기판이 안착되고, 상기 제 1 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 제 2 디스크를 포함하고, 상기 기판 지지부 상의 제 1 가스 분사 영역에 중첩되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 모듈, 및 상기 제 1 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되는 제 2 가스 분사 영역에 중첩되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 2 가스 분사 영역에 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 모듈을 포함하여 이루어지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제 2 가스를 플라즈마화하여 분사하는 것을 포함할 수 있다.One embodiment of the substrate processing apparatus includes a process chamber; a substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction; a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; and a first disk provided so that the substrate support is rotatable, is disposed on the first disk, a substrate is seated on an upper surface, and rotates as the first disk rotates and rotates the center of the first disk as an axis a first gas distributing module including at least one second disk orbiting at a speed and installed in the chamber lid to overlap the first gas distributing area on the substrate support and dispensing a first gas to the first gas distributing area; and a second gas injection module installed in the chamber lid to overlap a second gas injection region spatially separated from the first gas injection region to inject a second gas into the second gas injection region. Including a part, the second gas injection module may include injecting the second gas into a plasma according to plasma power supplied to the plasma electrode members alternately arranged with the plurality of ground electrode members.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 1 가스를 그대로 분사하거나, 상기 복수의 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제 1 가스를 플라즈마화하여 분사하는 것 포함할 수 있다. In one embodiment of the substrate processing apparatus, the first gas ejection module injects the first gas supplied between the plurality of ground electrode members as it is, or supplies the first gas to the plasma electrode members alternately disposed with the plurality of ground electrode members It may include spraying the first gas into a plasma according to the plasma power to be used.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각은 복수로 구성되고, 상기 복수의 제 2 가스 분사 모듈 각각은 복수의 제 1 가스 분사 모듈과 교대로 배치된 것을 포함할 수 있다.In one embodiment of the substrate processing apparatus, each of the first and second gas injection modules is configured in plurality, and each of the plurality of second gas injection modules is alternately disposed with a plurality of first gas injection modules. can

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 가스 분사부는 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 제 3 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈을 더 포함하여 구성되는 것을 포함할 수 있다.In an embodiment of the substrate processing apparatus, the gas ejection unit is installed in the chamber lid to be disposed between the first and second gas ejection modules to inject a third and fourth gas ejecting a third gas to the plurality of substrates. It may include those configured to further include a module.

기판 처리장치의 일 실시예는, 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련된 가스 분사 공간을 포함하도록 형성되어 상기 챔버 리드에 일정한 간격으로 설치된 복수의 가스 분사 모듈을 포함하여 이루어지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나는 상기 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성하며; 상기 기판 지지부는 자전 가능하도록 구비되는 제 1 디스크를 포함하고, 상기 제 1 디스크에 배치되고, 상면에 상기 기판이 안착되며, 상기 제 1 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 제 2 디스크를 포함할 수 있다. One embodiment of the substrate processing apparatus includes a process chamber; a substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction; a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; and a gas injection unit formed to include a gas injection space provided between the plurality of ground electrode members and including a plurality of gas injection modules installed at regular intervals in the chamber lid, wherein at least one of the plurality of gas injection modules includes: forming plasma in the gas injection space according to the plasma power applied to the plasma electrode members alternately arranged with the ground electrode members; The substrate support includes a first disk that is rotatable, is disposed on the first disk, the substrate is seated on an upper surface, and rotates as the first disk rotates and rotates the center of the first disk as an axis It may include at least one second disk orbiting with

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 디스크 및 상기 서셉터와 각각 접촉하도록 배치되는 베어링; 및 상기 디스크를 수용하는 수용부가 구비되는 프레임을 더 포함할 수 있다.An embodiment of the substrate processing apparatus may include a bearing disposed in contact with the disk and the susceptor, respectively; And it may further include a frame provided with an accommodating portion for accommodating the disk.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 수용부의 중심부에 형성되는 통공에 삽입되고, 상기 디스크를 자전시키는 샤프트와, 하측에서 상기 샤프트 상단과 결합하고 상측에서 상기 디스크와 결합하는 디스크지지부가 구비되는 것을 포함할 수 있다.An embodiment of the substrate processing apparatus is inserted into the through hole formed in the center of the accommodating portion, and a shaft for rotating the disk, and a disk support portion coupled with the upper end of the shaft from the lower side and coupled with the disk from the upper side is provided may include

기판 처리장치의 일 실시예는, 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 복수의 기판들을 일정한 간격으로 안착시키는 단계(A); 상기 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부를 회전시켜 제 1 디스크가 중심축을 기준으로 회전함에 따라서 제 2 디스크가 자전 및 공전하는 단계(B); 및 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드에 일정한 간격으로 배치된 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각을 통해 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 상기 복수의 기판으로 분사하는 단계(C)를 포함하여 이루어지고, 상기 단계(C)에서, 상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이의 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하고, 상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이의 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 상기 제 1 가스와 공간적으로 분리되도록 상기 복수의 기판으로 분사하는 것을 포함할 수 있다.An embodiment of the substrate processing apparatus includes: (A) seating a plurality of substrates at regular intervals on a substrate support installed in a process chamber; (B) rotating and revolving the second disk as the first disk rotates about the central axis by rotating the substrate support on which the plurality of substrates are seated; and spatially separating first and second gases different from each other through first and second gas distributing modules respectively disposed at regular intervals on a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support portion to face the plurality of substrates. and injecting into the plurality of substrates, wherein in the step (C), the first gas injection module applies the first gas supplied to the gas injection space between the plurality of ground electrode members to the plurality of substrates. and injecting the second gas supplied to the gas injection space between the plurality of ground electrode members to the plurality of substrates to be spatially separated from the first gas.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 단계(C)는 상기 제 1 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 단계와 상기 제 2 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 단계를 동시에 수행하거나 순차적으로 수행하는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment of the substrate processing apparatus, in the step (C), a first gas injection step of injecting the first gas through the first gas injection module and the second gas injection through the second gas injection module It may include performing the second gas injection step simultaneously or sequentially.

기판 처리장치의 일 실시예는, 상기 제 1 가스 분사 단계는 상기 제 1 가스 분사 모듈의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 플라즈마에 의해 플라즈마화된 제 1 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 것을 포함할 수 있다.In one embodiment of the substrate processing apparatus, the first gas ejecting step includes forming plasma in a gas ejection space of the first gas ejecting module and injecting a first gas plasmaized by the plasma to the plurality of substrates can do.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 기판 지지부 상에 공간적으로 분리되어 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 통해 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리하여 기판 상에 분사함으로써 각 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 공정 챔버 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있다.According to the means for solving the above problems, in the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention, a source gas and a reactive gas are spatially separated through a plurality of gas injection modules that are spatially separated and disposed on a substrate support to be disposed on a substrate. By spraying, the uniformity of deposition of the thin film deposited on each substrate can be increased, the film quality control of the thin film can be easily controlled, and the accumulated thickness deposited in the process chamber can be minimized to improve particles.

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치와 이를 이용한 기판 처리 방법은 퍼지가스를 통해 소스 가스와 반응 가스가 기판으로 분사되는 도중에 반응하는 것을 방지함으로써 박막 물질의 균일도 및 박막 물질의 막질 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the same according to the present invention prevent the source gas and the reactive gas from reacting while being sprayed to the substrate through the purge gas, thereby making it easier to control the uniformity of the thin film material and the film quality of the thin film material. can do.

실시 예에서, 공기 또는 가스를 이용한 별도의 제 2 디스크 회전장비를 사용하지 않고, 제 2 디스크를 자전시킬 수 있으므로 기판 처리장치의 구조를 간소화하고, 기판 가공에 사용되는 전력, 에너지의 소비량을 줄일 수 있는 효과가 있다.In an embodiment, the second disk can be rotated without using a separate second disk rotating equipment using air or gas, thereby simplifying the structure of the substrate processing apparatus and reducing the consumption of power and energy used for processing the substrate. can have an effect.

또한, 공기 또는 가스를 이용한 회전장비를 사용할 경우, 공기 또는 가스에 함유된 이물질이 웨이퍼 등의 기판에 흡착되어 발생하는 제품불량을 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, when using rotating equipment using air or gas, there is an effect that can significantly reduce product defects caused by the adsorption of foreign substances contained in air or gas to a substrate such as a wafer.

또한, 제 2 디스크의 회전시 발생하는 진동, 소음을 억제하여 제 2 디스크 상면에 안착되는 기판의 흔들림, 상기 기판에 불균일한 증착, 식각의 발생을 억제할 수 있다.In addition, by suppressing vibration and noise generated during rotation of the second disk, it is possible to suppress the vibration of the substrate seated on the upper surface of the second disk, and the occurrence of uneven deposition and etching on the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2b는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 단면 사시도이다.
도 3은 도 2a에 도시된 가스 분사 모듈의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a는 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 통한 기판 처리 방법의 변형 예들을 설명하기 위한 파형도들이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 변형 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은 전술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 12는 전술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 14는 전술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a general substrate processing apparatus.
2A is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2B is a cross-sectional perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross-section of the gas injection module shown in FIG. 2A .
4A is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4B is a waveform diagram for explaining an operation sequence of the first to fourth gas injection modules illustrated in FIG. 4A .
5A to 5D are waveform diagrams for explaining modified examples of a method of processing a substrate through the first to fourth gas distributing modules illustrated in FIG. 2 .
6 is a view for explaining a modified example of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
7 is a waveform diagram for explaining an operation sequence of the first to fourth gas injection modules shown in FIG. 6 .
8 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section of the first and third gas injection modules shown in FIG. 8 .
10 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention described above.
11 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
13 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
14 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다.Hereinafter, an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Since the embodiment may have various changes and may have various forms, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the embodiment to a specific disclosed form, and it should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the embodiment. In this process, the size or shape of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.Terms such as “first” and “second” may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, terms specifically defined in consideration of the configuration and operation of the embodiment are only for describing the embodiment, and do not limit the scope of the embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment, in the case where it is described as being formed in "up (up)" or "below (on or under)" of each element, on (on or under) ) includes both elements in which two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are disposed between the two elements indirectly. In addition, when expressed as "up (up)" or "down (on or under)", the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element may be included.

또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.Also, as used hereinafter, relational terms such as "upper/upper/above" and "lower/lower/below" etc. do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements, It may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2a에 도시된 가스 분사 모듈의 단면을 개략적으로 나타내는 단면도이다.2A is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross section of the gas injection module shown in FIG. 2A .

도 2a 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(Chamber Lid; 115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성된다.2A and 3 , the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention includes a process chamber 110 , a chamber lid 115 , a substrate support unit 120 , and a gas injection unit. 130 is included.

공정 챔버(110)는 기판 처리 공정, 예를 들어 박막 증착 공정을 위한 반응공간을 제공한다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(미도시)에 연통된다.The process chamber 110 provides a reaction space for a substrate processing process, for example, a thin film deposition process. A bottom surface or a side surface of the process chamber 110 communicates with an exhaust pipe (not shown) for exhausting gas or the like from the reaction space.

챔버 리드(115)는 공정 챔버(110)의 상부를 덮도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 전기적으로 접지된다. 이러한 챔버 리드(115)는 가스 분사부(130)를 지지하는 것으로, 가스 분사부(130)가 삽입 설치되는 복수의 모듈 설치부(115a,115b, 115c, 115d)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 모듈 설치부(115a,115b, 115c, 115d)은 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 대칭되도록 90도 단위로 이격되도록 챔버 리드(115)에 형성될 수 있다.The chamber lid 115 is installed on the upper portion of the process chamber 110 to cover the upper portion of the process chamber 110 and is electrically grounded. The chamber lid 115 supports the gas injection unit 130 , and includes a plurality of module installation units 115a , 115b , 115c and 115d into which the gas injection unit 130 is inserted. In this case, the plurality of module installation parts 115a , 115b , 115c , and 115d may be formed in the chamber lid 115 so as to be symmetrically symmetrical in a diagonal direction with respect to the center point of the chamber lid 115 and spaced apart from each other by 90 degrees.

도 2a에서, 챔버 리드(115)는 4개의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(115)는 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부를 구비할 수 있다. 이때, 복수의 모듈 설치부 각각은 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 상호 대칭되도록 구비된다. 이하, 챔버 리드(115)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.In FIG. 2A , the chamber lid 115 is illustrated as having four module installation parts 115a, 115b, 115c, and 115d, but is not limited thereto, and the chamber lid 115 is 2N symmetrical with respect to a central point. (However, N is a natural number) The number of module installation units may be provided. In this case, each of the plurality of module installation units is provided to be symmetrical to each other in a diagonal direction with respect to the center point of the chamber lid 115 . Hereinafter, it is assumed that the chamber lid 115 includes the first to fourth module installation parts 115a, 115b, 115c, and 115d.

전술한 상기 챔버 리드(115)에 의해 밀폐되는 공정 챔버(110)의 반응 공간은 챔버 리드(115)에 설치된 펌핑 관(117)을 통해 외부의 펌핑 수단(미도시)에 연결된다.The reaction space of the process chamber 110 closed by the above-described chamber lid 115 is connected to an external pumping means (not shown) through a pumping pipe 117 installed in the chamber lid 115 .

상기 펌핑 관(117)은 챔버 리드(115)의 중심부에 형성된 핌핑 홀(115e)을 통해 공정 챔버(110)의 반응 공간에 연통된다. 이에 따라, 펌핑 관(117)을 통한 펌핑 수단의 펌핑 동작에 따라 공정 챔버(110)의 내부는 진공 상태 또는 대기압 상태가 된다.The pumping pipe 117 communicates with the reaction space of the process chamber 110 through a pumping hole 115e formed in the center of the chamber lid 115 . Accordingly, according to the pumping operation of the pumping means through the pumping tube 117 , the inside of the process chamber 110 is in a vacuum state or an atmospheric pressure state.

기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 회전 가능하게 설치된다. 이러한 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축(미도시)에 의해 지지된다. 상기 회전축은 축 구동 부재(미도시)의 구동에 따라 회전됨으로써 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다. 그리고, 공정 챔버(110)의하면 외부로 노출되는 상기의 회전축은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐된다.The substrate support 120 is rotatably installed inside the process chamber 110 . The substrate support 120 is supported by a rotation shaft (not shown) penetrating the center bottom surface of the process chamber 110 . The rotation shaft rotates according to the driving of a shaft driving member (not shown) to rotate the substrate support unit 120 in a predetermined direction. In addition, the rotation shaft exposed to the outside of the lower surface of the process chamber 110 is sealed by a bellows (not shown) installed on the lower surface of the process chamber 110 .

상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)은 원판 형태를 가지는 것으로, 복수의 기판(W), 예를 들어 반도체 기판 또는 웨이퍼가 일정한 간격을 가지도록 원형태로 배치된다.The substrate support unit 120 supports a plurality of substrates W loaded from an external substrate loading device (not shown). In this case, the substrate support 120 has a circular plate shape, and a plurality of substrates W, for example, semiconductor substrates or wafers, are disposed in a circular shape to have regular intervals.

도 2b는 일 실시 예에 따른 기판 처리장치에서 상기 기판 지지부(120)를 더욱 상세히 나타낸 단면 사시도이다. 실시 예의 기판 처리장치는 제 1 디스크(1000), 제 2 디스크(2000), 금속링(3000), 베어링(6000) 및 프레임(5000)을 포함할 수 있다.2B is a cross-sectional perspective view illustrating the substrate support unit 120 in more detail in the substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment. The substrate processing apparatus of the embodiment may include a first disk 1000 , a second disk 2000 , a metal ring 3000 , a bearing 6000 , and a frame 5000 .

제 1 디스크(1000)는 상기 프레임(5000)에 구비되는 수용부(5100)에 수용되어 상기 프레임(5000)에 대해 제1회전 즉, 자전 가능하도록 구비될 수 있다. 제 1 디스크(1000)에는 후술하는 제 2 디스크(2000)가 제 1 디스크(1000)의 중심을 기준으로 서로 대칭되도록 구비될 수 있다.The first disk 1000 may be accommodated in the receiving part 5100 provided in the frame 5000 to be able to first rotate, that is, rotate with respect to the frame 5000 . In the first disk 1000 , a second disk 2000 , which will be described later, may be provided to be symmetrical with respect to the center of the first disk 1000 .

제 1 디스크(1000)는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 프레임(5000)에 장착될 수 있다. 이때, 상기 프레임(5000)에는 제 1 디스크(1000)의 형상 및 면적에 대응하는 면적 및 형상으로 함몰 형성되어 상기 제 1 디스크(1000)가 안착할 수 있는 수용부(5100)가 구비될 수 있다.The first disk 1000 may be mounted on the frame 5000 as shown in FIG. 2B . In this case, the frame 5000 may be provided with a receiving part 5100 in which the first disk 1000 can be seated by being recessed into an area and shape corresponding to the shape and area of the first disk 1000 . .

한편, 제 2 디스크(2000)는 제 1 디스크(1000)상에 구비될 경우, 그 크기에 따라 제 1 디스크(1000) 상에 다양한 개수로 방사상으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 디스크(1000)의 상부에 상기 제 2 디스크(2000)의 형상 및 면적에 대응하는 면적 및 형상으로 함몰형성되어 상기 제 2 디스크(2000)가 안착할 수 있도록 하는 디스크안착 부위가 구비될 수 있다.Meanwhile, when provided on the first disk 1000 , the second disk 2000 may be radially disposed on the first disk 1000 in various numbers according to the size thereof. In addition, a disk seating portion is formed in the upper portion of the first disk 1000 to have an area and a shape corresponding to the shape and area of the second disk 2000 so that the second disk 2000 can be seated. can be provided.

제 2 디스크(2000)는 상기 제 1 디스크(1000) 상에 배치되고, 상면에 기판이 안착되며, 상기 제 1 디스크(1000)가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크(1000)의 중심을 축으로 제2회전 즉, 공전할 수 있다. The second disk 2000 is disposed on the first disk 1000 , and a substrate is seated on the upper surface, and as the first disk 1000 rotates, it rotates and rotates the center of the first disk 1000 . can make a second rotation, that is, orbit.

상기 제 2 디스크(2000)의 상면에는 기판(미도시)이 안착될 수 있다. 이때, 실시 예처럼 제 2 디스크(2000)가 원형인 경우, 상기 기판은 예를 들어, 원형인 웨이퍼일 수 있다. 따라서, 상기 제 2 디스크(2000)의 상면에 안착되는 웨이퍼 등의 기판에 소스물질 등이 포함된 공정가스를 분사하여 기판 가공을 수행할 수 있다.A substrate (not shown) may be seated on the upper surface of the second disk 2000 . In this case, when the second disk 2000 has a circular shape as in the embodiment, the substrate may be, for example, a circular wafer. Accordingly, substrate processing may be performed by injecting a process gas containing a source material to a substrate such as a wafer seated on the upper surface of the second disk 2000 .

또한, 상기 제 2 디스크(2000)는, 제1기판의 중심을 기준으로 공전과 동시에 상기 제 2 디스크(2000)의 중심을 기준으로 자전을 하므로, 상기 제 2 디스크(2000)에 안착되는 원형의 기판은 그 중심을 기준으로 직경방향으로 상호 대칭되는 증착막 또는 식각 형상이 형성될 수 있다.In addition, since the second disk 2000 rotates with respect to the center of the second disk 2000 while revolving with respect to the center of the first substrate, it has a circular shape that is seated on the second disk 2000 . The substrate may have a deposition film or an etched shape that is symmetrical to each other in the radial direction with respect to the center thereof.

한편, 제 2 디스크(2000) 하부에는 제 1 지지부(2100)가 형성될 수 있다. 상기 제 1 지지부(2100)는 상기 제 2 디스크(2000) 하부에 돌출형성 될 수 있다.Meanwhile, a first support part 2100 may be formed under the second disk 2000 . The first support part 2100 may be formed to protrude under the second disk 2000 .

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치된다. 이러한 가스 분사부(130)는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전되는 복수의 기판(W) 상에 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 분사한다.The gas injection unit 130 is inserted and installed in each of the first to fourth module installation units 115a , 115b , 115c and 115d formed in the chamber lid 115 . The gas ejection unit 130 spatially separates and injects the first and second gases onto the plurality of substrates W rotated according to the rotation of the substrate support unit 120 .

상기 제 1 가스는 기판(W) 상에 증착될 박막 물질을 포함하는 소스 가스(Source Gas)가 될 수 있다. 상기 소스 가스는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti,Zr, Hf 등), 알루미늄(Al) 등을 함유하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si)을 함유하여 이루어진 소스 가스는 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane;Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine) 등이 될 수 있다.The first gas may be a source gas including a thin film material to be deposited on the substrate W. The source gas may contain silicon (Si), a titanium group element (Ti, Zr, Hf, etc.), aluminum (Al), or the like. For example, the source gas containing silicon (Si) is silane (SiH4), disilane (Si2H6), trisilane (Si3H8), tetraethylorthosilicate (TEOS), dichlorosilane (DCS), or HCD (Dichlorosilane). Hexachlorosilane), Tri-dimethylaminosilane (TriDMAS), and Trisilylamine (TSA) may be used.

상기 제 2 가스는 전술한 소스 가스와 반응하여 소스 가스에 함유된 박막 물질이 기판(W) 상에 증착되도록 하는 반응 가스(Reactant Gas)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 가스는 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 및 오존(O3) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The second gas may be formed of a reactant gas that reacts with the above-described source gas so that the thin film material contained in the source gas is deposited on the substrate W. For example, the reaction gas may be formed of at least one type of gas among nitrogen (N 2 ), oxygen (O 2 ), nitrogen dioxide (N 2 O), and ozone (O 3 ).

가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120) 상에 공간적으로 분리되도록 정의된 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 분사하는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into each of the first to fourth module installation units 115a , 115b , 115c and 115d , and first to fourth gas injection regions defined to be spatially separated on the substrate support unit 120 . and first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d for spatially separating and injecting the first and second gases into the air.

제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 챔버 리드(115)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120)의 중심점을 기준으로 X축 및 Y축 방향으로 서로 대칭되도록 배치된다.Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d is inserted into each of the first to fourth module installation parts 115a, 115b, 115c, and 115d of the chamber lid 115 to be installed in the substrate support part ( 120) is arranged to be symmetrical to each other in the X-axis and Y-axis directions based on the central point.

제 1 가스 분사 모듈(130a)은 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 제 1 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 1 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(130a)은 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성된다.The first gas injection module 130a is inserted and installed in the first module installation part 115a overlapping the first gas injection area defined on the substrate support part 120 to form a plasma in the first gas injection area. spray downwards. To this end, the first gas injection module 130a includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 .

접지 프레임(210)은 접지 격벽 부재(220)에 의해 분리된 복수의 가스 분사 공간(212)을 가지도록 하면이 개구되도록 형성된다. 이러한 접지 프레임(210)은 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 프레임(210)은 상면 플레이트(210a) 및 접지 측벽들(210b)로 이루어진다.The ground frame 210 has a plurality of gas injection spaces 212 separated by the ground partition member 220 so that the lower surface thereof is opened. The ground frame 210 is inserted into the first module installation part 115a of the chamber lead 115 and electrically grounded through the chamber lead 115 . To this end, the ground frame 210 includes a top plate 210a and ground sidewalls 210b.

상면 플레이트(210a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 결합된다. 이러한 상면 플레이트(210a)에는 복수의 절연 부재 지지 홀(214), 및 복수의 가스 공급 홀(216)이 형성된다.The upper plate 210a is formed in a rectangular shape and is coupled to the first module installation part 115a of the chamber lid 115 . A plurality of insulating member support holes 214 and a plurality of gas supply holes 216 are formed in the upper plate 210a.

복수의 절연 부재 지지 홀(214) 각각은 복수의 가스 분사 공간(212) 각각에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 복수의 절연 부재 지지 홀(214) 각각은 직사각 형태의 평면을 가지도록 형성된다.Each of the plurality of insulating member support holes 214 is formed to pass through the upper surface plate 210a to communicate with each of the plurality of gas injection spaces 212 . Each of the plurality of insulating member support holes 214 is formed to have a rectangular plane.

복수의 가스 공급 홀(216) 각각은 복수의 가스 분사 공간(212) 각각에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 복수의 가스 공급홀(216) 각각은 가스 공급 관을 통해 외부의 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스를 공급받는다.Each of the plurality of gas supply holes 216 is formed to pass through the upper surface plate 210a to communicate with each of the plurality of gas injection spaces 212 . Each of the plurality of gas supply holes 216 is connected to an external gas supply unit (not shown) through a gas supply pipe, so that the first gas is supplied from the gas supply unit (not shown) through the gas supply pipe.

접지 측벽들(210b) 각각은 상면 플레이트(210a)의 장변 및 단변 가장자리 부분으로부터 수직하게 돌출되어 상면 플레이트(210a)의 하부에 가스 분사 공간(212)을 마련한다. 이러한 접지 측벽들(210b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이때, 상기 장변 접지 측벽들은 접지 전극의 역할을 한다.Each of the ground sidewalls 210b vertically protrudes from edges of the long and short sides of the top plate 210a to provide a gas injection space 212 under the top plate 210a. Each of the ground sidewalls 210b is electrically grounded through the chamber lid 115 . In this case, the long side ground sidewalls serve as ground electrodes.

접지 격벽 부재(220)는 상면 플레이트(210a)의 중앙 하면으로부터 수직하게 돌출되어 접지 측벽들(210b)의 장변들과 나란하게 배치된다. 이러한 접지 격벽 부재(220)는 소정 높이를 가지도록 접지 프레임(210)의 내부에 형성됨으로써 접지 프레임(210)의 내부에 공간적으로 분리되는 복수의 가스 분사 공간(212)을 마련한다. 상기 접지 격벽 부재(220)는 접지 프레임(210)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 프레임(210)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극의 역할을 한다.The ground barrier member 220 vertically protrudes from the center lower surface of the upper surface plate 210a and is disposed parallel to the long sides of the ground sidewalls 210b. The ground partition wall member 220 is formed inside the ground frame 210 to have a predetermined height, thereby providing a plurality of gas injection spaces 212 spatially separated in the ground frame 210 . The ground barrier member 220 is integrated with or electrically coupled to the ground frame 210 to be electrically grounded through the ground frame 210 to serve as a ground electrode.

전술한, 접지 측벽들(210b)의 장변들과 접지 격벽 부재(220)는 접지 프레임(220)에 일정한 간격으로 나란하게 배치되어 복수의 접지 전극 부재를 형성한다.The above-described long sides of the grounding sidewalls 210b and the grounding barrier member 220 are disposed side by side on the grounding frame 220 at regular intervals to form a plurality of grounding electrode members.

복수의 절연 부재(230) 각각은 절연 물질로 이루어져 접지 프레임(210)에 형성된 절연 부재 지지 홀(214)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 프레임(210)의 상면에 결합된다.Each of the plurality of insulating members 230 is made of an insulating material and is inserted into the insulating member support hole 214 formed in the ground frame 210 and is coupled to the upper surface of the ground frame 210 by a fastening member (not shown).

복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 도전성 물질로 이루어져 절연 부재(230)에 관통 삽입되어 접지 프레임(210)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 가스 분사 공간(212)에 배치된다. 이때, 복수의 플라즈마 전극 부재(240) 각각은 접지 격벽 부재(220) 및 접지 프레임(210)의 측벽들(210b) 각각과 동일한 높이로 돌출되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 복수의 플라즈마 전극 부재(240)는 전술한 접지 전극 부재와 소정 간격으로 나란하도록 교대로 배치된다.Each of the plurality of plasma electrode members 240 is made of a conductive material, is inserted through the insulating member 230 , and protrudes from the lower surface of the ground frame 210 to a predetermined height to be disposed in the gas injection space 212 . In this case, each of the plurality of plasma electrode members 240 may protrude at the same height as each of the sidewalls 210b of the ground barrier member 220 and the ground frame 210 . Accordingly, the plurality of plasma electrode members 240 are alternately disposed in parallel with the above-described ground electrode member at a predetermined interval.

상기 플라즈마 전극 부재(240)는 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성한다. 이에 따라, 상기 플라즈마는 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스는 플라즈마화 하고, 플라즈마화된 제 1 가스는 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사된다. 상기 플라즈마화된 제 1 가스는 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스의 유속(또는 흐름)에 의해 가스 분사 공간(212)으로부터 하향 분사될 수 있다.The plasma electrode member 240 is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable to form plasma in the gas injection space 212 according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 . Accordingly, in the plasma, the first gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma, and the plasmaized first gas is sprayed downwardly to the first gas injection region. The plasmaized first gas may be sprayed downward from the gas injection space 212 by a flow rate (or flow) of the first gas supplied to the gas injection space 212 .

플라즈마 전원 공급부(140)는 소정의 주파수를 가지는 플라즈마 전원을 발생하고, 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원을 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a,130b, 130c, 130d) 각각에 공통적으로 공급하거나 개별적으로 공급한다. 이때, 플라즈마 전원은 고주파(예를 들어, HF(High Frequency) 전력 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 공급된다. 예를 들어, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The plasma power supply unit 140 generates plasma power having a predetermined frequency, and supplies the plasma power to each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, 130d in common or individually through a power supply cable. supply At this time, the plasma power is supplied with high frequency (eg, HF (High Frequency) power or VHF (Very High Frequency) power). For example, HF power has a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz, and VHF power is It may have a frequency in the range of 30 MHz to 300 MHz.

한편, 상기 급전 케이블에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속된다.Meanwhile, an impedance matching circuit (not shown) is connected to the power supply cable.

상기 임피던스 매칭 회로는 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.The impedance matching circuit matches a load impedance and a source impedance of the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d, respectively. The impedance matching circuit may include at least two impedance elements (not shown) including at least one of a variable capacitor and a variable inductor.

이와 같은 제 1 가스 분사 모듈(130a)은 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하여 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The first gas injection module 130a forms plasma in the gas injection space 212 according to the plasma power supplied to the plasma electrode member 240 from the plasma power supply unit 140 and supplies it to the gas injection space 212 . The first gas is converted into a plasma and is sprayed downwardly to the first gas injection region.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 1 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되도록 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 2 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 제 2 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 2 가스 분사모듈(130b)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The second gas injection module 130b is inserted and installed in the second module installation part 115b overlapping the second gas injection area defined on the substrate support 120 so as to be spatially separated from the above-described first gas injection area. The plasma-ized second gas is sprayed downward to the second gas injection region. To this end, as shown in FIG. 3 , the second gas injection module 130b includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. Through these configurations, the second gas injection module 130b is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the gas injection space 212 , and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and is sprayed downwardly to the second gas injection region.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 전술한 제 2 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되도록 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 제 3 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 1 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하여 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c is inserted and installed in the third module installation part 115c overlapping the third gas injection area defined on the substrate support 120 so as to be spatially separated from the above-described second gas injection area. The plasma-ized first gas is sprayed downward to the third gas injection region. To this end, as shown in FIG. 3 , the third gas injection module 130c includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. Through these configurations, the third gas injection module 130c is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the gas injection space 212 , and the first gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and is sprayed downwardly to the third gas injection region.

제 4 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 1 및 제 3 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되도록 제 1 및 제 3 가스 분사 영역 사이의 기판 지지부(120) 상에 정의된 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 제 4 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130b overlaps a fourth gas injection region defined on the substrate support 120 between the first and third gas injection regions so as to be spatially separated from the aforementioned first and third gas injection regions. The second gas, which is inserted into the fourth module installation part 115d to be installed, and is plasma-ized to the fourth gas injection region, is downwardly injected. To this end, as shown in FIG. 3 , the fourth gas injection module 130d includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. Through these configurations, the fourth gas injection module 130d is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the gas injection space 212 , and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and sprayed downward to the fourth gas injection region.

이상과 같은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)는 기판 지지부(120) 상에 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 배치하고, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 통해 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 회전되는 기판 지지부(120) 상에 분사함으로써 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스의 상호 반응을 통해 각 기판(W)에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 공정 챔버(110) 내에 증착되는 누적 두께를 최소화하여 파티클을 개선할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, the first to fourth gas injection modules 130a , 130b , 130c , 130d are spatially separated on the substrate support unit 120 , and the , The first to fourth gas injection modules (130a, 130b, 130c, 130d) through each of the plasma first and second gas is spatially separated by spraying on the rotated substrate support 120, the plasma Through the mutual reaction of the first and second gases, the deposition uniformity of the thin film deposited on each substrate W can be increased, the film quality of the thin film can be easily controlled, and the accumulated thickness deposited in the process chamber 110 can be minimized. Particles can be improved.

도 4a는 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.4A is a diagram for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a diagram for explaining an operation sequence of the first to fourth gas injection modules shown in FIG. 4A It is a waveform diagram for

도 4a 및 도 4b를 도 3과 결부하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be schematically described in conjunction with FIGS. 4A and 4B with reference to FIG. 3 .

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각의 가스 분사 공간(212)에 제 1 가스를 공급함과 아울러 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각의 플라즈마 전극 부재(240)에 플라즈마 전원을 인가함으로써 기판 지지부(120) 상의 제 1 및 제 3 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Subsequently, the first gas is supplied to the gas injection space 212 of each of the first and third gas injection modules 130a and 130c, and the plasma electrode member of each of the first and third gas injection modules 130a and 130c ( By applying plasma power to 240 , the plasmaized first gas PG1 is sprayed downward to each of the first and third gas injection regions on the substrate support 120 . At this time, the plasmaized first gas PG1 is continuously sprayed regardless of a process cycle cycle in which the substrate support unit 120 rotates once in a predetermined direction.

이와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 가스 분사 공간(212)에 제 2 가스를 공급함과 아울러 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 플라즈마 전극 부재(240)에 플라즈마 전원을 인가함으로써 기판 지지부(120) 상의 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.At the same time, the second gas is supplied to the gas injection space 212 of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d, and the plasma electrode member of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d is supplied. By applying plasma power to 240 , the plasmaized second gas PG2 is continuously sprayed downward to each of the second and fourth gas injection regions on the substrate support 120 . At this time, the plasma-ized second gas PG2 is continuously sprayed regardless of the process cycle period.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support 120 passes through the first to fourth gas injection regions according to the rotation of the substrate support 120 , and accordingly, the plurality of substrates ( W) on each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d, respectively, a predetermined value by mutual reaction of the plasmaized first and second gases PG1 and PG2 that are spatially separated and sprayed A thin film material is deposited.

전술한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 전술한 바와 같이 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 동시에 분사하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 제어 모듈(미도시)의 제어에 따른 동작 순서에 따라 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 분사할 수도 있다.In the above-described substrate processing apparatus and substrate processing method, each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d simultaneously injects the plasmaized first and second gases PG1 and PG2 as described above. However, the present invention is not limited thereto, and the plasma-ized first and second gases PG1 and PG2 may be sprayed according to an operation sequence according to the control of the control module (not shown).

도 5a 내지 도 5d는 도 2a에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈을 통한 기판 처리 방법의 변형 예들을 설명하기 위한 파형도들이다.5A to 5D are waveform diagrams for explaining modified examples of a method for processing a substrate through the first to fourth gas distributing modules illustrated in FIG. 2A .

도 5a에서 알 수 있듯이, 제 1 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각의 동작을 순차적으로 수행하여 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 순차적으로 분사한다. 이때, 각 공정 싸이클은 제 1 내지 제 4 구간으로 이루어질 수 있다. 이러한 제 1 변형 예에 따른 기판 처리 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.As can be seen from FIG. 5A , the substrate processing method according to the first modified example sequentially performs each operation of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d for each process cycle to obtain a plasma The first and second gases PG1 and PG2 are sequentially sprayed. In this case, each process cycle may consist of first to fourth sections. The substrate processing method according to the first modified example will be described in detail as follows.

먼저, 각 공정 싸이클의 제 1 구간에서는 제 1 가스 분사 모듈(130a)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 1 가스 분사 영역에 분사한다.First, in the first section of each process cycle, the plasma-ized first gas PG1 is sprayed to the first gas injection region only through the first gas injection module 130a.

이어, 각 공정 싸이클의 제 2 구간에서는 제 1 가스 분사 모듈(130a)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 2 가스 분사 모듈(130b)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 가스 분사 영역에 분사된다.Next, in the second section of each process cycle, gas injection through the first gas injection module 130a is stopped, and the second gas PG2 plasmaized through only the second gas injection module 130b is supplied to the second gas. It is sprayed into the spray area.

이어, 각 공정 싸이클의 제 3 구간에서는 제 2 가스 분사 모듈(130b)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 3 가스 분사 모듈(130c)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 3 가스 분사 영역에 분사된다.Subsequently, in the third section of each process cycle, gas injection through the second gas injection module 130b is stopped, and the first gas PG1 plasmaized through only the third gas injection module 130c is supplied to the third gas. It is sprayed into the spray area.

그런 다음, 각 공정 싸이클의 제 4 구간에서는 제 3 가스 분사 모듈(130c)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 4 가스 분사 모듈(130d)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 4 가스 분사 영역에 분사된다.Then, in the fourth section of each process cycle, gas injection through the third gas injection module 130c is stopped, and the second gas PG2 plasmaized through only the fourth gas injection module 130d is supplied to the fourth The gas is injected into the injection area.

도 5b에서 알 수 있듯이, 제 2 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)의 동작과 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)의 동작을 교대로 수행하여 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 교대로 분사할 수 있다. 이때, 각 공정 싸이클은 제 1 내지 제 4 구간으로 이루어질 수 있다. 이러한 제 2 변형 예에 따른 기판 처리 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.As can be seen from FIG. 5B , in the substrate processing method according to the second modified example, the operations of the first and third gas injection modules 130a and 130c and the second and fourth gas injection modules 130b and 130d for each process cycle are performed. may be alternately performed to alternately spray the plasmaized first and second gases PG1 and PG2 . In this case, each process cycle may consist of first to fourth sections. A detailed description of the substrate processing method according to the second modified example is as follows.

먼저, 각 공정 싸이클의 제 1 구간에서는 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.First, in the first section of each process cycle, the plasma-ized first gas PG1 is simultaneously sprayed to the first and third gas injection regions through only the first and third gas injection modules 130a and 130c.

이어, 각 공정 싸이클의 제 2 구간에서는 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.Subsequently, in the second section of each process cycle, the gas injection through the first and third gas injection modules 130a and 130c is stopped, and the second and fourth gas injection modules 130b and 130d are plasmaized only. The second gas PG2 is simultaneously injected into the second and fourth gas injection regions.

이어, 각 공정 싸이클의 제 3 구간에서는 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)만을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.Subsequently, in the third section of each process cycle, gas injection through the second and fourth gas injection modules 130b and 130d is stopped, and the first and third gas injection modules 130a and 130c are used to generate plasma through only the first and third gas injection modules 130a and 130c. The first gas PG1 is simultaneously injected into the first and third gas injection regions.

그런 다음, 각 공정 싸이클의 제 2 구간에서는 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통한 가스 분사를 중단하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)만을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 동시에 분사한다.Then, in the second section of each process cycle, gas injection through the first and third gas injection modules 130a and 130c is stopped, and plasma is formed through only the second and fourth gas injection modules 130b and 130d. The second gas PG2 is simultaneously injected into the second and fourth gas injection regions.

도 5c에서 알 수 있듯이, 제 3 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 소정 구간마다 동시에 분사하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 지속적으로 동시에 분사할 수 있다.As can be seen from FIG. 5C , in the substrate processing method according to the third modification, the first and second gases PG1 plasmaized through the first and third gas injection modules 130a and 130c are applied to the first and second gas injection modules for each process cycle. The second gas PG2 plasmaized through the second and fourth gas injection modules 130b and 130d, which is simultaneously injected into the three gas injection regions at predetermined intervals, is continuously simultaneously simultaneously injected into the second and fourth gas injection regions. can be sprayed

도 5d에서 알 수 있듯이, 제 4 변형 예에 따른 기판 처리 방법은 각 공정 싸이클마다 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c)을 통해 플라즈마화된 제 1 가스(PG1)를 제 1 및 제 3 가스 분사 영역에 지속적으로 동시에 분사하고, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역에 소정 구간마다 동시에 분사할 수 있다.As can be seen from FIG. 5D , in the substrate processing method according to the fourth modification, the first and the first gas PG1 plasmaized through the first and third gas injection modules 130a and 130c are applied to the first and second gas injection modules for each process cycle. The second gas PG2 that is continuously and simultaneously injected into the three gas injection regions and plasmaized through the second and fourth gas injection modules 130b and 130d is simultaneously injected into the second and fourth gas injection regions at predetermined intervals at the same time. can be sprayed

도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 변형 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a modified example of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에서 분사되는 가스의 종류를 제외하고는 도 2a에 도시된 기판 처리 장치와 동일하기 때문에, 이하에서는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에서 분사되는 가스의 종류에 대해서만 설명하기로 한다.Referring to FIG. 6 , a substrate processing apparatus according to a modified example of the first embodiment of the present invention is shown in FIG. Since it is the same as the substrate processing apparatus shown in 2a, only the types of gases injected from each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d will be described below.

제 1 가스 분사 모듈(130a)은 가스 공급 수단으로부터 전술한 제 1 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 1 가스를 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The first gas distributing module 130a receives the first gas supplied from the gas supply means and downwardly injects the plasmaized first gas to the first gas distributing region.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 가스 공급 수단으로부터 제 3 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이때, 제 3 가스는 전술한 제 1 및 제 2 가스를 퍼지(Purge)하기 위한 퍼지 가스가 될 수 있다. 상기 제 3 가스는 기판(W)에 증착되지 않고 남은 제 1 가스 및/또는 제 1 가스와 반응하지 않고 잔존하는 제 2 가스를 퍼지하기 위한 것으로, 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The second gas injection module 130b receives the third gas from the gas supply means and downwardly injects the plasma-ized third gas PG3 to the second gas injection region. In this case, the third gas may be a purge gas for purging the above-described first and second gases. The third gas is for purging the first gas remaining undeposited on the substrate W and/or the second gas remaining without reacting with the first gas, nitrogen (N2), argon (Ar), xenon ( Ze) and helium (He) may be formed of at least one type of gas.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 가스 공급 수단으로부터 전술한 제 2 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 2 가스를 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas distributing module 130c receives the above-described second gas from the gas supply means and downwardly injects the plasma-ized second gas to the third gas distributing region.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 가스 공급 수단으로부터 제 3 가스를 공급받아 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130d receives the third gas from the gas supply means and downwardly injects the plasma-ized third gas PG3 to the fourth gas injection region.

도 7은 도 6에 도시된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈의 동작 순서를 설명하기 위한 파형도이다.7 is a waveform diagram for explaining an operation sequence of the first to fourth gas injection modules shown in FIG. 6 .

도 6과 도 7을 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.A substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a modified example of the first embodiment of the present invention will be schematically described with reference to FIGS. 6 and 7 .

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(130a, 130c) 각각을 통해 제 1 및 제 2 가스(G1, G2)를 공간적으로 분리하여 소정 구간마다 교대로 분사함과 아울러 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d)을 통해 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 지속적으로 분사한다.Next, the first and second gases G1 and G2 are spatially separated through the first and third gas injection modules 130a and 130c, respectively, and alternately sprayed at predetermined intervals, and the second and fourth gases are injected The plasma-ized third gas PG3 is continuously sprayed through the modules 130b and 130d.

이에 따라, 회전하는 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다. 이때, 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)가 기판(W) 상으로 분사되는 도중에 혼합되어 반응하는 것을 방지하여 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)가 기판(W)의 상면에 분사된 후 상호 혼합되어 반응되도록 한다.Accordingly, on each of the plurality of substrates (W) seated on the rotating substrate support unit 120, the first to fourth gas injection modules (130a, 130b, 130c, 130d) are spatially separated from each of the plasmaized injection A predetermined thin film material is deposited by the mutual reaction of the first and second gases PG1 and PG2. At this time, the plasmaized third gas PG3 prevents the plasmaized first and second gases PG1 and PG2 from mixing and reacting while being sprayed onto the substrate W, thereby preventing the plasmaized first and second gases PG1 and PG2 from reacting. After the two gases PG1 and PG2 are sprayed on the upper surface of the substrate W, they are mixed and reacted.

이상과 같은, 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 제 3 가스(G3)를 통해 기판(W) 상으로 분사되는 플라즈마화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)의 혼합을 방지함으로써 각 기판(W)에 증착되는 박막의 증착 균일도 및 막질을 더욱 증가시킬 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus and substrate processing method according to a modified example of the first embodiment of the present invention, the plasmaized first and second gases PG1 are sprayed onto the substrate W through the third gas G3. , PG2) can be prevented from being mixed, thereby further increasing the deposition uniformity and film quality of the thin film deposited on each substrate W.

한편, 본 발명의 제 1 실시 예의 변형 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은 도 4b, 도 5a 내지 도 5d에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 플라즈마화된 제 1 내지 제 3 가스(PG1, PG2, PG3)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.On the other hand, in the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to a modified example of the first embodiment of the present invention, the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, By operating each of 130c and 130d, the first to third gases PG1 , PG2 , and PG3 that have been plasmaized may be spatially separated and sprayed into the first to fourth gas injection regions.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.8 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성되는 것으로, 가스 분사부(130)를 제외한 다른 구성들은 전술한 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 8 , the substrate processing apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention includes a process chamber 110 , a chamber lid 115 , a substrate support unit 120 , and a gas injection unit 130 . As a configuration, other components except for the gas ejection unit 130 are the same as those of the above-described substrate processing apparatus 100 , so the description of the same components will be replaced with the above description.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 플라즈마화되지 않은 제 1 가스와 플라즈마화된 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 기판 지지부(120) 쪽으로 하향 분사한다. 이를 위해, 가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a,130b, 330c, 130d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into each of the first to fourth module installation units 115a , 115b , 115c , and 115d formed in the chamber lid 115 , so that the non-plasma first gas and the plasmaized second gas are installed. is spatially separated and sprayed downward toward the substrate support 120 . To this end, the gas injection unit 130 is configured to include the first to fourth gas injection modules (330a, 130b, 330c, 130d).

제 1 가스 분사 모듈(330a)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 그대로 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(330b)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420),및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성된다.The first gas injection module 330a is inserted and installed in the second module installation part 115b overlapping the above-described first gas injection region to downwardly spray the first gas supplied from the gas supply means into the first gas injection region as it is. do. To this end, as shown in FIG. 9 , the first gas injection module 330b includes a ground frame 410 , a ground barrier member 420 , and a plurality of gas supply holes 430 .

접지 프레임(410)은 접지 격벽 부재(420)에 의해 분리된 복수의 가스 분사 공간(412)을 가지도록 하면이 개구되도록 형성된다. 이러한 접지 프레임(410)은 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 프레임(410)은 상면 플레이트(410a) 및 접지 측벽들(410b)로 이루어진다.The ground frame 410 has a plurality of gas injection spaces 412 separated by the ground partition member 420 so that the lower surface thereof is opened. The ground frame 410 is inserted into the first module installation part 115a of the chamber lead 115 and electrically grounded through the chamber lead 115 . To this end, the ground frame 410 includes a top plate 410a and ground sidewalls 410b.

상면 플레이트(410a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 제 1 모듈 설치부(115a)에 결합된다.The upper plate 410a is formed in a rectangular shape and is coupled to the first module installation part 115a of the chamber lid 115 .

접지 측벽들(410b) 각각은 상면 플레이트(410a)의 장변 및 단변 가장자리 부분으로부터 수직하게 돌출되어 상면 플레이트(410a)의 하부에 가스 분사 공간(412)을 마련한다. 이러한 접지 측벽들(410b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이때, 상기 장변 접지 측벽들은 접지 전극의 역할을 한다.Each of the ground sidewalls 410b vertically protrudes from the edge of the long side and the short side of the top plate 410a to provide a gas injection space 412 under the top plate 410a. Each of the ground sidewalls 410b is electrically grounded through the chamber lid 115 . In this case, the long side ground sidewalls serve as ground electrodes.

접지 격벽 부재(420)는 상면 플레이트(410a)의 중앙 하면으로부터 수직하게 돌출되어 접지 측벽들(410b)의 장변들과 나란하게 배치된다. 이러한 접지 격벽 부재(420)는 소정 높이를 가지도록 접지 프레임(410)의 내부에 형성됨으로써 접지 프레임(410)의 내부에 공간적으로 분리되는 복수의 가스 분사 공간(412)을 마련한다. 상기 접지 격벽 부재(420)는 접지 프레임(410)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 프레임(410)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극의 역할을 한다.The ground barrier member 420 is vertically protruded from the center lower surface of the upper surface plate 410a and is disposed parallel to the long sides of the ground sidewalls 410b. The ground partition wall member 420 is formed inside the ground frame 410 to have a predetermined height, thereby providing a plurality of gas injection spaces 412 spatially separated inside the ground frame 410 . The ground barrier member 420 functions as a ground electrode by being integrated with or electrically coupled to the ground frame 410 and electrically grounded through the ground frame 410 .

전술한, 접지 측벽들(410b)의 장변들과 접지 격벽 부재(420)는 접지 프레임(420)에 일정한 간격으로 나란하게 배치되어 복수의 접지 전극 부재를 형성한다.The above-described long sides of the grounding sidewalls 410b and the grounding barrier member 420 are disposed side by side on the grounding frame 420 at regular intervals to form a plurality of grounding electrode members.

복수의 가스 공급 홀(430) 각각은 복수의 가스 분사 공간(412) 각각에 연통되도록 접지 프레임(410)의 상면 플레이트(410a)를 관통하여 형성된다. 이러한 복수의 가스 공급 홀(430) 각각은 가스 공급 관을 통해 외부의 가스 공급 수단에 연결됨으로써 가스 공급 수단으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스를 공급받는다.Each of the plurality of gas supply holes 430 is formed through the upper plate 410a of the ground frame 410 to communicate with each of the plurality of gas injection spaces 412 . Each of the plurality of gas supply holes 430 is connected to an external gas supply unit through a gas supply pipe, so that the first gas is supplied from the gas supply unit through the gas supply pipe.

이와 같은, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은 가스 공급 수단으로부터 가스 분사 공간(412)에 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 즉, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은 도 2a에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(130a)과 달리 플라즈마 전극 부재가 설치되지 않기 때문에 가스 분사 공간(412)에 공급되는 제 1 가스를 그대로 하향 분사한다. 이로 인하여, 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 공급되는 제 1 가스는 플라즈마에 의해 플라즈마화되지 않고도 제 2 가스와 반응하여 기판 상에 증착될 수 있는 박막 물질을 포함하여 이루어진다.As described above, the first gas injection module 330a downwardly injects the first gas supplied from the gas supply means to the gas injection space 412 into the first gas injection area as it is without turning it into a plasma. That is, in the first gas injection module 330a , unlike the first gas injection module 130a illustrated in FIG. 2A , since the plasma electrode member is not installed, the first gas supplied to the gas injection space 412 is sprayed downward as it is. do. For this reason, the first gas supplied to the first gas distributing module 330a includes a thin film material that can be deposited on the substrate by reacting with the second gas without being converted to plasma by plasma.

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 제 2 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The second gas injection module 130b is inserted and installed in the second module installation part 115b overlapping the above-described first gas injection region to downwardly inject the plasma-ized second gas into the second gas injection region. To this end, as shown in FIG. 3 , the second gas injection module 130b includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. Through these configurations, the second gas injection module 130b is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the gas injection space 212 , and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and is sprayed downwardly to the second gas injection region.

제 3 가스 분사 모듈(330c)은 전술한 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(330c)은 도 9에 도시된 제 1 가스 분사 모듈(330a)과 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 설명은 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The third gas injection module 330c is inserted and installed in the third module installation part 115c overlapping the above-described third gas injection region, so that the first gas supplied from the gas supply means is not converted into plasma, and the third gas is not turned into plasma. Spray down the spray area. To this end, since the third gas injection module 330c has the same configuration as the first gas injection module 330a shown in FIG. 9 , a description thereof will be replaced with the description of the first gas injection module 330a. do.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 전술한 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 제 4 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스를 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은 구성들을 통해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130d is installed in the fourth module installation part 115d overlapping the above-described fourth gas injection region to downwardly inject the plasma-ized second gas into the fourth gas injection region. To this end, as shown in FIG. 3 , the fourth gas injection module 130d includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. Through these configurations, the fourth gas injection module 130d is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the gas injection space 212 , and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and is sprayed downwardly to the second gas injection region.

도 10은 전술한 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.10 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention described above.

도 10을 참조하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.A substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10 .

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈(330a, 330c) 각각의 가스 분사 공간(412)에 제 1 가스를 공급하여 상기 제 1 및 제 3 가스 분사 영역 각각에 제 1 가스(G1)를 하향 분사한다. 이때, 제 1 가스(G1)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Then, the first gas is supplied to the gas injection space 412 of each of the first and third gas injection modules 330a and 330c, and the first gas G1 is downwardly injected into each of the first and third gas injection regions. do. At this time, the first gas G1 is continuously injected regardless of the cycle of the process cycle in which the substrate support 120 rotates once in a predetermined direction.

이와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 가스 분사 공간(212)에 제 2 가스를 공급함과 아울러 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각의 플라즈마 전극 부재(240)에 플라즈마 전원을 인가함으로써 기판 지지부(120) 상의 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.At the same time, the second gas is supplied to the gas injection space 212 of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d, and the plasma electrode member of each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d is supplied. By applying plasma power to 240 , the plasmaized second gas PG2 is continuously sprayed downward to each of the second and fourth gas injection regions on the substrate support 120 . At this time, the plasma-ized second gas PG2 is continuously sprayed regardless of the process cycle period.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support 120 passes through the first to fourth gas injection regions according to the rotation of the substrate support 120 , and accordingly, the plurality of substrates ( W) On each of the first to fourth gas injection modules 330a, 130b, 330c, and 130d, the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2 are spatially separated from each other by the interaction of each other. A predetermined thin film material is deposited.

전술한 제 2 실시 예의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d) 각각은 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 동시에 분사하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 제어 모듈(미도시)의 제어에 따른 도 4b, 도 5a 내지 도 5d에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.In the substrate processing apparatus and substrate processing method of the second embodiment described above, each of the first to fourth gas injection modules 330a , 130b , 330c and 130d generates a first gas G1 and a plasmaized second gas PG2 . Although it has been described as injecting simultaneously, it is not limited thereto, and the first to fourth gas injection modules 330a, 130b, By operating each of 330c and 130d, the above-described first gas G1 and plasmaized second gas PG2 may be spatially separated and sprayed to the first to fourth gas injection regions.

도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.11 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치(500)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성되는 것으로, 가스 분사부(130)를 제외한 다른 구성들은 전술한 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 11 , the substrate processing apparatus 500 according to the third embodiment of the present invention includes a process chamber 110 , a chamber lid 115 , a substrate support unit 120 , and a gas injection unit 130 . As a configuration, other components except for the gas ejection unit 130 are the same as those of the above-described substrate processing apparatus 100 , so the description of the same components will be replaced with the above description.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 플라즈마화되지 않은 제 1 가스와 플라즈마화된 제 2 가스 및 제 3 가스를 공간적으로 분리하여 기판 지지부(120) 쪽으로 하향 분사한다. 이를 위해, 가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 330c, 130d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into each of the first to fourth module installation units 115a , 115b , 115c , and 115d formed in the chamber lid 115 , so that the non-plasma first gas and the plasmaized second gas are installed. and the third gas is spatially separated and sprayed downward toward the substrate support unit 120 . To this end, the gas injection unit 130 is configured to include the first to fourth gas injection modules (330a, 130b, 330c, 130d).

제 1 가스 분사 모듈(330a)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The first gas injection module 330a is inserted and installed in the first module installation part 115a overlapping the above-described first gas injection region, and the first gas supplied from the gas supply means is not converted into plasma, but the first gas as it is. Spray down the spray area. To this end, as shown in FIG. 9 , the first gas injection module 330a is configured to include a ground frame 410 , a ground barrier member 420 , and a plurality of gas supply holes 430 , A description thereof will be replaced with the description of FIG. 9 .

제 2 가스 분사 모듈(130b)은 전술한 제 2 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115b)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 3 가스를 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 2 가스 분사 모듈(130b)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하여 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The second gas injection module 130b is inserted and installed in the second module installation part 115b overlapping the above-described second gas injection region to downwardly spray the plasma-ized third gas to the second gas injection region. . To this end, as shown in FIG. 3 , the second gas injection module 130b includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. As such, the second gas injection module 130b is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable, so that the gas injection space according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the 212 , and the third gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and sprayed downward to the second gas injection region.

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 전술한 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 2 가스를 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c is inserted and installed in the third module installation part 115c overlapping the above-described third gas injection region to downwardly inject the above-described plasmaized second gas to the third gas injection region. . To this end, as shown in FIG. 3 , the third gas injection module 130c includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. As such, the third gas injection module 130c is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable, so that the gas injection space according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the 212 , and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and sprayed downward to the third gas injection region.

제 4 가스 분사 모듈(130d)은 전술한 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 3 가스를 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 4 가스 분사 모듈(130d)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하여 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The fourth gas injection module 130d is inserted and installed in the fourth module installation part 115d overlapping the above-described fourth gas injection region to downwardly inject the plasma-ized third gas into the fourth gas injection region. . To this end, as shown in FIG. 3 , the fourth gas injection module 130d includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. As such, the fourth gas injection module 130d is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable, so that the gas injection space according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the 212 , and the third gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and is sprayed downwardly to the fourth gas injection region.

도 12는 전술한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.12 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

도 12를 참조하여 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.A substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12 .

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 제 1 가스를 공급하여 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스(G1)를 하향 분사하고, 이와 동시에, 제 3 가스 분사 모듈(130c)에 제 2 가스 및 플라즈마 전원을 공급하여 제 3 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 하향 분사한다. 이때, 상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Subsequently, the first gas is supplied to the first gas injection module 330a to downwardly inject the first gas G1 into the first gas injection region, and at the same time, the second gas is supplied to the third gas injection module 130c. and supplying plasma power to downwardly inject the plasma-ized second gas PG2 into the third gas injection region. In this case, the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2 are continuously sprayed regardless of a process cycle period in which the substrate support unit 120 rotates once in a predetermined direction.

상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2) 각각의 동시 분사와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(130b, 130d) 각각에 제 3 가스 및 플라즈마 전원을 공급하여 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Simultaneously with the simultaneous injection of each of the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2, a third gas and plasma power are supplied to each of the second and fourth gas injection modules 130b and 130d to provide a second and continuously downwardly injecting the plasmaized third gas PG3 to each of the fourth gas injection regions. At this time, the plasmaized third gas PG3 is continuously sprayed regardless of the process cycle period.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 130c, 130d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다. 이때, 플라즈마화된 제 3 가스(PG3)는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W) 상으로 분사되는 도중에 혼합되어 반응하는 것을 방지하여 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W)의 상면에 분사된 후 상호 혼합되어 반응되도록 한다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support 120 passes through the first to fourth gas injection regions according to the rotation of the substrate support 120 , and accordingly, the plurality of substrates ( W) on each of the first to fourth gas injection modules 330a, 130b, 130c, and 130d, respectively, the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2 are spatially separated from each other by interaction A predetermined thin film material is deposited. At this time, the plasmaized third gas PG3 prevents the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2 from mixing and reacting while being sprayed onto the substrate W, thereby preventing the first gas G1 from reacting. ) and the plasmaized second gas PG2 are sprayed on the upper surface of the substrate W, and then are mixed and reacted.

한편, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리방법은 도 4b, 도 5a 내지 도 5d, 도 7에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 130b, 130c, 130d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 및 제 3 가스(PG2, PG3)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.Meanwhile, in the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, the first to fourth gas injection modules 330a and 130b according to the operation sequence shown in FIGS. 4B, 5A to 5D, and 7 . , 130c, 130d), the first gas G1 and the plasmaized second and third gases PG2 and PG3 may be spatially separated and sprayed into the first to fourth gas injection regions. .

도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.13 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치(600)는 공정 챔버(110), 챔버 리드(115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성되는 것으로, 가스 분사부(130)를 제외한 다른 구성들은 전술한 기판 처리 장치(100)와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 13 , the substrate processing apparatus 600 according to the fourth embodiment of the present invention includes a process chamber 110 , a chamber lid 115 , a substrate support unit 120 , and a gas injection unit 130 . As a configuration, other components except for the gas ejection unit 130 are the same as those of the above-described substrate processing apparatus 100 , so the description of the same components will be replaced with the above description.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)에 형성된 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 플라즈마화되지 않은 제 1 가스와 플라즈마화된 제 2 가스 및 제 3 가스를 공간적으로 분리하여 기판 지지부(120) 쪽으로 하향 분사한다. 이를 위해, 가스 분사부(130)는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 130c, 330d)을 포함하여 구성된다.The gas injection unit 130 is inserted into each of the first to fourth module installation units 115a , 115b , 115c , and 115d formed in the chamber lid 115 , so that the non-plasma first gas and the plasmaized second gas are installed. and the third gas is spatially separated and sprayed downward toward the substrate support unit 120 . To this end, the gas injection unit 130 is configured to include the first to fourth gas injection modules (330a, 330b, 130c, 330d).

제 1 가스 분사 모듈(330a)은 전술한 제 1 가스 분사 영역에 중첩되는 제 1 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 1 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 1 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 모듈(330a)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410),접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The first gas injection module 330a is inserted and installed in the first module installation part 115a overlapping the above-described first gas injection region, and the first gas supplied from the gas supply means is not converted into plasma, but the first gas as it is. Spray down the spray area. To this end, the first gas injection module 330a is configured to include a ground frame 410 , a ground barrier member 420 , and a plurality of gas supply holes 430 as shown in FIG. 9 , A description thereof will be replaced with the description of FIG. 9 .

제 2 가스 분사 모듈(330b)은 전술한 제 2 가스 분사 영역에 중첩되는 제 2 모듈 설치부(115a)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 2 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 2 가스 분사 모듈(330b)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The second gas injection module 330b is inserted and installed in the second module installation part 115a overlapping the above-described second gas injection region, so that the third gas supplied from the gas supply means is not converted into plasma, and the second gas is not turned into plasma. Spray down the spray area. To this end, as shown in FIG. 9 , the second gas injection module 330b is configured to include a ground frame 410 , a ground barrier member 420 , and a plurality of gas supply holes 430 , A description thereof will be replaced with the description of FIG. 9 .

제 3 가스 분사 모듈(130c)은 전술한 제 3 가스 분사 영역에 중첩되는 제 3 모듈 설치부(115c)에 삽입 설치되어 전술한 플라즈마화된 제 2 가스를 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(210), 접지 격벽 부재(220), 복수의 절연 부재(230), 및 복수의 플라즈마 전극 부재(240)를 포함하여 구성되는 것으로, 이러한 구성들에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신하기로 한다. 이와 같은, 제 3 가스 분사 모듈(130c)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 플라즈마 전극 부재(240)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 가스 분사 공간(212)에 플라즈마를 형성하여 가스 분사 공간(212)에 공급되는 제 2 가스를 플라즈마화하여 상기 제 3 가스 분사 영역에 하향 분사한다.The third gas injection module 130c is inserted and installed in the third module installation part 115c overlapping the above-described third gas injection region to downwardly inject the above-described plasmaized second gas to the third gas injection region. . To this end, as shown in FIG. 3 , the third gas injection module 130c includes a ground frame 210 , a ground barrier member 220 , a plurality of insulating members 230 , and a plurality of plasma electrode members 240 . ), and the description of these components will be replaced with the above description. As such, the third gas injection module 130c is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through a power supply cable, so that the gas injection space according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the plasma electrode member 240 . Plasma is formed in the 212 , and the second gas supplied to the gas injection space 212 is converted into a plasma and sprayed downward to the third gas injection region.

제 4 가스 분사 모듈(330d)은 전술한 제 4 가스 분사 영역에 중첩되는 제 4 모듈 설치부(115d)에 삽입 설치되어 가스 공급 수단으로부터 공급되는 제 3 가스를 플라즈마화하지 않고 그대로 상기 제 4 가스 분사 영역에 하향 분사한다. 이를 위해, 제 4 가스 분사 모듈(330d)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 접지 프레임(410), 접지 격벽 부재(420), 및 복수의 가스 공급 홀(430)을 포함하여 구성되는 것으로, 이에 대한 설명은 도 9에 대한 설명으로 대신하기로 한다.The fourth gas injection module 330d is inserted and installed in the fourth module installation part 115d overlapping the above-described fourth gas injection region, so that the third gas supplied from the gas supply means is not converted into plasma, but the fourth gas as it is. Spray down the spray area. To this end, the fourth gas injection module 330d is configured to include a ground frame 410, a ground barrier member 420, and a plurality of gas supply holes 430, as shown in FIG. A description thereof will be replaced with the description of FIG. 9 .

도 14는 전술한 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.14 is a view for explaining a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

도 14를 참조하여 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.A substrate processing method using a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 14 .

먼저, 복수의 기판(W)을 기판 지지부(120)에 일정한 간격으로 로딩시킨다.First, a plurality of substrates W are loaded on the substrate support 120 at regular intervals.

그런 다음, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향으로 회전시킨다.Then, the substrate support 120 loaded with the plurality of substrates W is rotated in a predetermined direction.

이어서, 제 1 가스 분사 모듈(330a)에 제 1 가스를 공급하여 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스(G1)를 하향 분사하고, 이와 동시에, 제 3 가스 분사 모듈(130c)에 제 2 가스 및 플라즈마 전원을 공급하여 제 3 가스 분사 영역에 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 하향 분사한다. 이때, 상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)는 기판 지지부(120)가 소정 방향으로 1 회전하는 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Subsequently, the first gas is supplied to the first gas injection module 330a to downwardly inject the first gas G1 into the first gas injection region, and at the same time, the second gas is supplied to the third gas injection module 130c. and supplying plasma power to downwardly inject the plasma-ized second gas PG2 into the third gas injection region. In this case, the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2 are continuously sprayed regardless of a process cycle period in which the substrate support unit 120 rotates once in a predetermined direction.

상기 제 1 가스(G1) 및 플라즈마화된 제 2 가스(PG2) 각각의 동시 분사와 동시에, 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈(330b, 330d) 각각에 제 3 가스를 공급하여 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 각각에 플라즈마화되지 않은 제 3 가스(G3)를 지속적으로 하향 분사한다. 이때, 제 3 가스(G3)는 상기 공정 싸이클 주기에 상관없이 지속적으로 분사된다.Simultaneously with the simultaneous injection of each of the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2, a third gas is supplied to each of the second and fourth gas injection modules 330b and 330d to provide the second and fourth The non-plasma third gas G3 is continuously sprayed downward to each of the gas injection regions. At this time, the third gas G3 is continuously injected regardless of the cycle cycle.

이에 따라, 기판 지지부(120) 상에 안착된 복수의 기판(W) 각각은 기판 지지부(120)의 회전에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역을 통과하게 되고, 이에 따라, 복수의 기판(W) 각각 상에는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 130c, 330d) 각각으로부터 공간적으로 분리되어 분사되는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다. 이때, 상기 제 3 가스(G3)는 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W) 상으로 분사되는 도중에 혼합되어 반응하는 것을 방지하여 제 1 가스(G1)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)가 기판(W)의 상면에 분사된 후 상호 혼합되어 반응되도록 한다.Accordingly, each of the plurality of substrates W seated on the substrate support 120 passes through the first to fourth gas injection regions according to the rotation of the substrate support 120 , and accordingly, the plurality of substrates ( W) on each of the first to fourth gas injection modules 330a, 330b, 130c, and 330d, respectively, the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2 are spatially separated from each other by mutual reaction A predetermined thin film material is deposited. At this time, the third gas G3 prevents the first gas G1 and the plasmaized second gas PG2 from being mixed and reacted while being sprayed onto the substrate W, so that the first gas G1 and After the plasma-ized second gas PG2 is sprayed on the upper surface of the substrate W, the second gas PG2 is mixed and reacted with each other.

한편, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법은 도 4b, 도 5a 내지 도 5d, 도 7에 도시된 동작 순서에 따라 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(330a, 330b, 130c, 330d) 각각을 동작시킴으로써 전술한 제 1 및 제 3 가스(G1, G3)와 플라즈마화된 제 2 가스(PG2)를 공간적으로 분리하여 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역에 분사할 수도 있다.Meanwhile, in the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, the first to fourth gas injection modules 330a and 330b according to the operation sequence shown in FIGS. 4B, 5A to 5D, and 7 . , 130c, 330d), the first and third gases G1 and G3 and the plasmaized second gas PG2 may be spatially separated and sprayed into the first to fourth gas injection regions. .

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

110: 공정 챔버
115: 챔버 리드
117: 펌핑 관
120: 기판 지지부
130: 가스 분사부
130a: 제 1 가스 분사 모듈
130b: 제 2 가스 분사 모듈
130c: 제 3 가스 분사 모듈
130d: 제 4 가스 분사 모듈
210: 접지 프레임
220: 접지 격벽 부재
230: 절연 부재
240: 플라즈마 전극 부재
1000: 제 1 디스크
2000: 제 2 디스크
2100: 제 1 지지부
5000: 프레임
5100: 수용부
5200: 통공
6000: 베어링
8200: 제 1 디스크지지부110: process chamber
115: chamber lid
117: pumping tube
120: substrate support
130: gas injection unit
130a: first gas injection module
130b: second gas injection module
130c: third gas injection module
130d: fourth gas injection module
210: ground frame
220: ground bulkhead member
230: insulation member
240: plasma electrode member
1000: first disk
2000: 2nd disc
2100: first support
5000: frame
5100: receptacle
5200: through hole
6000: bearing
8200: first disk support part

Claims (13)

공정 챔버;
복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드;
상기 챔버 리드에 설치되어 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 상기 복수의 기판으로 분사하는 가스 분사부; 및
상기 기판 지지부는 자전 가능하도록 구비되는 제 1 디스크를 포함하고, 상기 제 1 디스크에 배치되고, 상면에 상기 기판이 안착되며, 상기 제 1 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 제 2 디스크를 포함하고,
상기 가스 분사부는 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 모듈, 상기 제 1 가스 분사 모듈과 이격되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 모듈, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 제 3 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.process chamber;
a substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction;
a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support;
a gas injection unit installed in the chamber lid to spatially separate different first and second gases to the plurality of substrates; and
The substrate support includes a first disk that is rotatable, is disposed on the first disk, the substrate is seated on an upper surface, and rotates as the first disk rotates and rotates the center of the first disk as an axis at least one second disk orbiting with
The gas injection unit is a first gas injection module installed in the chamber lid to inject the first gas, and a second gas injection module installed in the chamber lid to be spaced apart from the first gas injection module to inject the second gas. and third and fourth gas ejection modules installed in the chamber lid to be disposed between the first and second gas ejection modules to eject a third gas to the plurality of substrates. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련되는 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 분사하고,
상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이에 마련되는 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The first gas injection module injects the first gas supplied to a gas injection space provided between the plurality of ground electrode members,
The second gas ejection module ejects the second gas supplied to a gas ejection space provided between the plurality of ground electrode members. 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈은 접지 전극 부재들 사이에 배치되어 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성하는 플라즈마 전극 부재를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치3. The method of claim 2,
At least one gas injection module of the first and second gas injection modules comprises a plasma electrode member disposed between the ground electrode members to form plasma in the gas injection space. ◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈Claim 4 was abandoned when paying the registration fee.◈ 공정 챔버;
복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 기판 지지부는 자전 가능하도록 구비되는 제 1 디스크를 포함하고, 상기 제 1 디스크에 배치되며, 상면에 기판이 안착되고, 상기 제 1 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 제 2 디스크를 포함하고,
상기 기판 지지부 상의 제 1 가스 분사 영역에 중첩되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 1 가스 분사 영역에 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 모듈, 및 상기 제 1 가스 분사 영역과 공간적으로 분리되는 제 2 가스 분사 영역에 중첩되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 상기 제 2 가스 분사 영역에 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 모듈을 포함하여 이루어지는 가스 분사부를 포함하고,
상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제 2 가스를 플라즈마화하여 분사하며,
상기 가스 분사부는 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 제 3 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.process chamber;
a substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction;
a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; and
The substrate support includes a first disk that is provided to be rotatable, is disposed on the first disk, a substrate is seated on the upper surface, and rotates as the first disk rotates and rotates about the center of the first disk as an axis at least one second disk orbiting;
a first gas distributing module installed in the chamber lid to overlap the first gas distributing area on the substrate support and distributing a first gas to the first gas distributing area; and a gas injection unit installed in the chamber lid to overlap the second gas injection region and comprising a second gas injection module configured to inject a second gas to the second gas injection region,
The second gas spraying module converts the second gas into a plasma and sprays the second gas according to plasma power supplied to the plurality of ground electrode members and the plasma electrode members alternately arranged,
The gas injection unit further includes third and fourth gas injection modules installed in the chamber lid to be disposed between the first and second gas injection modules to inject a third gas to the plurality of substrates. substrate processing equipment. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈Claim 5 was abandoned when paying the registration fee.◈ 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이에 공급되는 상기 제 1 가스를 그대로 분사하거나, 상기 복수의 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 상기 제 1 가스를 플라즈마화하여 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The first gas injection module may directly spray the first gas supplied between the plurality of ground electrode members or the first gas according to plasma power supplied to the plasma electrode members alternately disposed with the plurality of ground electrode members. A substrate processing apparatus, characterized in that the plasma is sprayed. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각은 복수로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Each of the first and second gas injection modules is a substrate processing apparatus, characterized in that configured in a plurality. 삭제delete 공정 챔버;
복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
복수의 접지 전극 부재 사이에 마련된 가스 분사 공간을 포함하도록 형성되어 상기 챔버 리드에 일정한 간격으로 설치된 복수의 가스 분사 모듈을 포함하여 이루어지는 가스 분사부를 포함하고,
상기 복수의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나는 상기 접지 전극 부재와 교대로 배치된 플라즈마 전극 부재에 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성하며;
상기 기판 지지부는 자전 가능하도록 구비되는 제 1 디스크를 포함하고, 상기 제 1 디스크에 배치되고, 상면에 상기 기판이 안착되며, 상기 제 1 디스크가 자전함에 따라 자전 및 상기 제 1 디스크의 중심을 축으로 공전하는 적어도 하나의 제 2 디스크를 포함하고,
상기 가스 분사부는 상기 챔버 리드에 설치되어 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 모듈, 상기 제 1 가스 분사 모듈과 이격되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 모듈, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 사이에 배치되도록 상기 챔버 리드에 설치되어 제 3 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 제 3 및 제 4 가스 분사 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.process chamber;
a substrate support unit installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotating in a predetermined direction;
a chamber lid covering an upper portion of the process chamber to face the substrate support; and
A gas injection unit formed to include a gas injection space provided between a plurality of ground electrode members and including a plurality of gas injection modules installed at regular intervals in the chamber lid,
at least one of the plurality of gas injection modules forms plasma in the gas injection space according to plasma power applied to the plasma electrode member alternately disposed with the ground electrode member;
The substrate support includes a first disk that is rotatable, is disposed on the first disk, the substrate is seated on an upper surface, and rotates as the first disk rotates and rotates the center of the first disk as an axis at least one second disk orbiting with
The gas injection unit is a first gas injection module installed in the chamber lid to inject a first gas, a second gas injection module installed in the chamber lid so as to be spaced apart from the first gas injection module to inject a second gas; and third and fourth gas ejection modules installed in the chamber lid to be disposed between the first and second gas ejection modules to eject a third gas to the plurality of substrates. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 디스크 및 상기 제 2 디스크와 각각 접촉하도록 배치되는 베어링; 및
상기 제 1 디스크를 수용하는 수용부가 구비되는 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.5. The method of claim 1 or 4,
bearings disposed to respectively contact the first disk and the second disk; and
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a frame having a receiving part accommodating the first disk. 삭제delete 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 복수의 기판들을 일정한 간격으로 안착시키는 단계(A);
상기 복수의 기판들이 안착된 기판 지지부를 회전시켜 제 1 디스크가 중심축을 기준으로 회전함에 따라서 제 2 디스크가 자전 및 공전하는 단계(B); 및
상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드에 일정한 간격으로 배치된 제 1 및 제 2 가스 분사 모듈 각각을 통해 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 공간적으로 분리하여 상기 복수의 기판으로 분사하는 단계(C)를 포함하여 이루어지고,
상기 단계(C)에서,
상기 제 1 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이의 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하고,
상기 제 2 가스 분사 모듈은 복수의 접지 전극 부재 사이의 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 상기 제 1 가스와 공간적으로 분리되도록 상기 복수의 기판으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.(A) seating a plurality of substrates at regular intervals on a substrate support installed in a process chamber;
rotating and revolving the second disk as the first disk rotates about the central axis by rotating the substrate support on which the plurality of substrates are seated (B); and
First and second gases different from each other are spatially separated through first and second gas injection modules arranged at regular intervals on a chamber lid that covers an upper portion of the process chamber to face the substrate support portion, thereby forming the plurality of substrates. It is made including the step (C) of spraying,
In the step (C),
The first gas injection module injects the first gas supplied to the gas injection space between the plurality of ground electrode members to the plurality of substrates;
The second gas injection module sprays the second gas supplied to the gas injection space between the plurality of ground electrode members to the plurality of substrates to be spatially separated from the first gas. 제 11 항에 있어서,
상기 단계(C)는 상기 제 1 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 단계와 상기 제 2 가스 분사 모듈을 통해 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 단계를 동시에 수행하거나 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
In the step (C), a first gas spraying step of spraying the first gas through the first gas spraying module and a second gas spraying step of spraying the second gas through the second gas spraying module are simultaneously performed Or a substrate processing method characterized in that it is performed sequentially. 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 가스 분사 단계는 상기 제 1 가스 분사 모듈의 가스 분사 공간에 플라즈마를 형성해 상기 플라즈마에 의해 플라즈마화된 제 1 가스를 상기 복수의 기판으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
In the first gas injection step, plasma is formed in the gas injection space of the first gas injection module and the first gas plasmaized by the plasma is injected to the plurality of substrates.
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