KR101442777B1 - Edge frame and substrate processing apparatus comprising the same - Google Patents
Edge frame and substrate processing apparatus comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101442777B1 KR101442777B1 KR1020080028216A KR20080028216A KR101442777B1 KR 101442777 B1 KR101442777 B1 KR 101442777B1 KR 1020080028216 A KR1020080028216 A KR 1020080028216A KR 20080028216 A KR20080028216 A KR 20080028216A KR 101442777 B1 KR101442777 B1 KR 101442777B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- edge frame
- floating member
- hollow portion
- edge
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임과 이를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. 본 발명의 에지프레임은, 중앙에 형성된 개구부를 둘러싸며, 내부에 형성된 중공부와 저면에 형성되어 상기 중공부와 연통하는 결합홈을 구비하는 몸체부; 상기 몸체부에서 상기 개구부쪽으로 연장되며, 상기 몸체부에 비해 얇은 두께를 가지는 기판가림부; 상기 몸체부의 상기 중공부에 적어도 일부가 삽입되어 상기 중공부의 내부에서 승강운동이 가능한 플로팅부재를 포함한다.The present invention discloses an edge frame covering an edge of a substrate and a substrate processing apparatus including the edge frame. According to the present invention, there is provided an edge frame comprising: a body portion surrounding an opening formed at a center and having a hollow portion formed therein and an engaging groove formed in the bottom surface and communicating with the hollow portion; A substrate shielding portion extending from the body portion toward the opening and having a thickness thinner than the body portion; And a floating member inserted at least partially into the hollow portion of the body portion to move up and down in the hollow portion.
본 발명에 따르면 하나의 에지프레임으로 다양한 두께의 기판에 적용할 수 있고, 기판의 두께가 달라질 때마다 에지프레임을 교체해야 하는 불편이 해소된다. 이를 통해 에지프레임 교체시간을 줄임으로써 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the present invention can be applied to a substrate having various thicknesses with one edge frame, and the inconvenience of replacing the edge frame every time the thickness of the substrate changes is eliminated. This can improve the productivity of the device by reducing the edge frame replacement time.
에지프레임, 플로팅부재 Edge frame, floating member
Description
본 발명은 평판표시장치(Flat Panel Display, FPD) 또는 태양전지의 제조를 위한 기판처리장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 공정 중에 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임(edge frame)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for manufacturing a flat panel display (FPD) or a solar cell, and more particularly, to an edge frame covering an edge of a substrate during a process.
일반적으로 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드소자(OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등의 평판표시장치를 제조하기 위해서는 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝(patterning)하는 식각공정 등을 수행하여야 한다. In general, in order to manufacture flat panel display devices such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED), and a plasma display panel (PDP), a thin film deposition process for depositing a raw material on a substrate, A photolithography process for exposing or concealing a selected region of the selected region, an etching process for patterning the target region by removing the thin film of the selected region, and the like.
또한 박막 태양전지를 제조하는 경우에도 기판에 비정질 또는 미세결정질 실리콘을 증착하는 등의 공정을 수행해야 한다.Also, when manufacturing a thin film solar cell, it is necessary to perform processes such as depositing amorphous or microcrystalline silicon on the substrate.
그리고 이들 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치 의 내부에서 진행된다.These processes are performed inside a substrate processing apparatus designed for an optimal environment for the process.
도 1은 플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 증착하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치(10)의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
이를 살펴보면, 일반적인 PECVD장치(10)는 일정한 반응공간을 형성하는 챔버(11)와, 상기 챔버(11)의 내부에 위치하며 상면에 기판(s)을 안치하는 기판안치대(12)와, 상기 챔버(11)의 상부를 밀폐하면서 RF전원(16)에 연결되는 RF전극(14)과, 상기 RF전극(14)의 하부에 결합하는 가스분배판(13)과, 상기 가스분배판(13)의 상부로 원료가스를 공급하는 가스공급관(15)을 포함한다.A
기판안치대(12)의 상부에는 로딩프레임(17)이 설치되고, 로딩프레임(17)의 상부에는 에지프레임(18)이 설치된다. 이하에서는 로딩프레임(17)과 에지프레임(18)을 보다 구체적으로 설명한다. A
로딩프레임(17)은 기판(s)을 로딩 또는 언로딩할 때 기판(s)이 일시 거치되는 지지수단으로서, 구체적으로는 도 2의 사시도에 도시된 바와 같이 중앙에 개구부(17a)를 가지는 사각의 프레임이다.The
로딩프레임(17)에서 기판출입구 쪽의 변은 기판 이송용 로봇의 출입을 위해 도시된 바와 같이 오픈된 구조로 형성될 수도 있고, 로봇이 이동할 수 있는 홈(미도시)을 구비할 수도 있다.The side of the
이러한 로딩프레임(17)은 챔버(11)의 내벽에 형성된 지지부재(미도시)에 단순히 올려진 상태로 설치된다.The
한편 기판안치대(12)의 주변부에는 로딩프레임(17)이 안착되는 단차부(12a)가 형성되며, 단차부(12a)의 높이는 로딩프레임(17)과 실질적으로 동일하다.Meanwhile, a
이러한 로딩프레임(17)은 주로 태양전지용 기판을 처리하는 PECD장치에서 종래의 리프트 핀을 대신하여 사용되는 것이다. 일반적으로 LCD제조장치에서는 두께 0.7mm 의 얇은 기판을 처리하기 때문에 기판(s)의 처짐을 고려하여 기판안치대(12)를 관통하는 리프트 핀을 설치한다. 그러나 태양전지용 제조장치에서는 대부분 2mm 이상의 두꺼운 기판을 사용하기 때문에 리프트 핀을 생략하고 로딩프레임(17)을 주로 사용한다.This
에지프레임(18)은 공정 중에 기판(s)의 가장자리를 커버하는 수단으로서, 도 3의 사시도에 도시된 바와 같이 중앙에 개구부(18c)를 가지는 사각의 프레임이다. 구체적으로는 바깥쪽의 몸체(18a)와 안쪽의 기판가림부(18b)가 일체로 형성된 구조를 가지며, 기판가림부(18b)가 공정 중에 기판(s)의 가장자리를 커버한다.The
기판가림부(18b)의 두께는 몸체(18a)에 비해 얇으며, 기판가림부(18b)와 몸체(18a)의 사이에 형성되는 단차의 높이는 처리할 기판(s)의 두께에 따라 달라져야 한다. 기판가림부(18b)의 저면 가장자리에는 공정가스의 유입을 방지하기 위한 가스차단부(18d)가 돌출 형성될 수도 있다.The thickness of the
이러한 에지프레임(18)은 챔버(11)의 내벽에 형성된 지지부재(미도시)에 몸체(18a)가 단순히 올려진 상태로 거치된다. The
따라서 외부에서 반입된 기판(s)은 도 1에 도시된 바와 같이 먼저 로딩프레임(17)에 올려지고, 기판안치대(12)가 상승하면 로딩프레임(17)이 기판안치대(12)의 단차부(12a)에 안착되면서 기판(s)이 기판안치대(12)의 상면에 안착된다.Therefore, the substrate s carried in from the outside is first loaded on the
기판안치대(12)를 계속 상승시키면 도 4에 도시된 바와 같이 로딩프레임(17)의 상면이 에지프레임(18)의 몸체(18a)의 저면에 접하는 한편 에지프레임(18)의 기판가림부(18b)가 기판(s)의 가장자리를 커버하게 된다.4, the upper surface of the
이때 기판(s)의 손상을 방지하기 위해 기판가림부(18b) 또는 가스차단부(18b)를 기판(s)에 밀착시키지 않고 기판(s)의 상부로 약 0.1mm정도 이격시킨다. 다만 두께가 2mm이상의 두꺼운 기판(s)인 경우에는 파손될 위험이 적으므로 기판가림부(18b)를 기판(s)에 밀착시킬 수도 있다.At this time, the
이 상태에서 가스분배판(13)을 통해 원료물질을 분사하고 플라즈마를 발생시켜 기판(s)에 대한 증착 또는 식각 공정을 진행한다.In this state, the raw material is sprayed through the
그런데 이러한 구조의 에지프레임(18)은 몸체(18a)와 기판가림부(18b)가 고정된 형태이기 때문에 취급가능한 기판(s)의 두께가 한정되는 문제점이 있다.However, the
예를 들어 LCD 제조용 기판의 경우에는 통상 0.7mm 정도의 기판(s)을 사용하기 때문에 대부분의 기판처리장치에는 이에 대응하는 에지프레임(18)이 사용되며, 다른 두께의 기판(s)을 처리하기 위해서는 새로운 에지프레임(18)으로 교체해야 한다. 특히 태양전지 제조에 있어서는 사용되는 기판의 종류가 매우 다양한 편이기 때문에 기판의 두께가 달라질 때마다 적절한 에지프레임으로 교체해야 하는 불편이 있다.For example, in the case of a substrate for LCD manufacturing, since the substrate (s) of about 0.7 mm is generally used, most of the substrate processing apparatuses use the
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 두께가 달라지더라도 하나의 에지프레임을 그대로 사용할 수 있도록 함으로써 에지프레임을 교체하는 불편을 해소하는데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to solve the inconvenience of replacing the edge frame by allowing one edge frame to be used as it is even if the thickness of the substrate is changed.
또한 에지프레임 교체에 따른 시간손실을 줄임으로써 장비의 생산성을 향상시키는데 그 목적이 있다.It is also intended to improve the productivity of equipment by reducing time loss due to edge frame replacement.
본 발명은전술한 목적을 달성하기 위하여, 챔버 내부에 설치되어 공정 중에 기판의 가장자리를 커버하는 에지프레임에 있어서, 중앙에 형성된 개구부를 둘러싸며, 내부에 형성된 중공부와 저면에 형성되어 상기 중공부와 연통하는 결합홈을 구비하는 몸체부; 상기 몸체부에서 상기 개구부쪽으로 연장되며, 상기 몸체부에 비해 얇은 두께를 가지는 기판가림부; 상기 몸체부의 상기 중공부에 적어도 일부가 삽입되어 상기 중공부의 내부에서 승강운동이 가능한 플로팅부재를 포함하는 에지프레임을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an edge frame installed in a chamber and covering an edge of a substrate during a process, the edge frame surrounding an opening formed at the center, A body portion having an engaging groove communicating with the body; A substrate shielding portion extending from the body portion toward the opening and having a thickness thinner than the body portion; And a floating member inserted at least partially into the hollow portion of the body portion and capable of moving up and down in the hollow portion.
본 발명의 에지프레임에서 상기 플로팅부재는 상기 결합홈의 가장자리에 거치되기 위한 걸림턱을 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.In the edge frame of the present invention, the floating member may be provided with a latching jaw for receiving the edge of the coupling groove.
또한 상기 중공부는 상기 몸체부의 둘레방향을 따라 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다. 이때 상기 플로팅부재는 일체로 형성될 수 있다.The hollow portion may be continuously formed along the circumferential direction of the body portion. At this time, the floating member may be integrally formed.
또한 상기 몸체부는 사각 프레임 형태이고, 상기 플로팅부재는 직선형으로서 상기 몸체부의 각 변마다 하나 이상씩 설치되는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the body portion may be a rectangular frame, and the floating member may be linear, and one or more of the floating members may be provided for each side of the body portion.
또한 상기 몸체부는 2이상의 부재가 조립된 것을 특징으로 할 수 있다.Further, the body may be characterized in that two or more members are assembled.
또한 본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되는 기판안치대; 상기 기판안치대의 상부에 설치되고, 중앙에 형성된 개구부를 둘러싸며, 내부에 형성된 중공부와 저면에 형성되어 상기 중공부와 연통하는 결합홈을 구비하는 몸체부와, 상기 몸체부에서 상기 개구부쪽으로 연장되며, 상기 몸체부에 비해 얇은 두께를 가지는 기판가림부와, 상기 몸체부의 상기 중공부에 적어도 일부가 삽입되어 상기 중공부의 내부에서 승강운동이 가능한 플로팅부재를 포함하는 에지프레임을 포함하는 기판처리장치를 제공한다.The present invention also relates to a chamber comprising: a chamber; A substrate table installed inside the chamber; A body portion provided on the substrate bench to surround the opening formed at the center and having a hollow portion formed therein and an engagement groove formed in the bottom surface and communicating with the hollow portion; And an edge frame including a substrate covering portion having a thickness smaller than that of the body portion and a floating member at least partially inserted into the hollow portion of the body portion and capable of moving up and down in the hollow portion, Lt; / RTI >
본 발명에 따르면 하나의 에지프레임으로 다양한 두께의 기판에 적용할 수 있고, 기판의 두께가 달라질 때마다 에지프레임을 교체해야 하는 불편이 해소된다. 이를 통해 에지프레임 교체시간을 줄임으로써 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the present invention can be applied to a substrate having various thicknesses with one edge frame, and the inconvenience of replacing the edge frame every time the thickness of the substrate changes is eliminated. This can improve the productivity of the device by reducing the edge frame replacement time.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임(100)의 저면 사시도이고, 도 6 및 도 7은 각 각 에지프레임(100)의 일 변에 대한 단면도 및 부분단면도이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a bottom perspective view of an
본 발명의 에지프레임(100)은 중앙에 개구부(102)를 가지는 사각 프레임 구조의 몸체(110)와 상기 몸체(110)의 내주면쪽으로 연장되고 상기 몸체(110)보다 상대적으로 얇은 두께의 기판가림부(120)와, 상기 몸체(110)의 저면에 삽입 결합된 플로팅부재(130)를 포함한다.The
에지프레임(100)의 하부에는 몸체(110)와 기판가림부(120)의 두께차로 인하여 단차부(140)가 형성된다. 상기 단차부(140)는 기판(s)의 가장자리를 근접하여 커버하며, 도시된 바와 같이 직각면으로 형성될 수도 있고 약간의 곡면을 갖도록 형성될 수도 있다.A
기판가림부(120)의 저면 가장자리에는 공정가스의 유입을 방지하기 위한 가스차단부(122)가 돌출 형성될 수 있다.A
또한 몸체(110)의 내부에는 몸체(110)의 변의 방향을 따라 중공부(112)가 형성되고, 몸체(110)의 저면에는 상기 중공부(112)와 연통하는 결합홈(114)이 상기 몸체(110)의 변의 방향을 따라 형성된다.A
그리고 중공부(112)의 내부에 플로팅부재(130)가 결합된다. 플로팅부재(130)는 상부의 양 측방으로 돌출된 걸림턱(132)을 구비하며, 상기 걸림턱(132)이 중공부(112)의 내부에서 결합홈(114)의 양쪽 에지에 거치됨으로써 몸체(110)에 결합된다.The floating
이러한 플로팅부재(130)는 도 8의 저면도에 도시된 바와 같이 일체형으로 제작하여 설치될 수도 있고, 도 9의 저면도에 도시된 바와 같이 직선형으로 제작하여 몸체(110)의 각 변마다 하나씩 또는 2이상씩 설치할 수도 있다. As shown in the bottom view of FIG. 8, such a
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임(100)이 설치된 기판처리장치(10)의 내부로 기판(s)을 반입하여 로딩프레임(17)에 안치시킨 상태를 나타낸 도면이고, 도 11은 기판안치대(12)가 상승함에 따라 에지프레임(100)이 기판(s)의 가장자리를 커버한 모습을 나타낸 도면이다.10 is a view showing a state in which the substrate s is carried into the
상기 기판처리장치(10)를 구성하는 챔버(11), 기판안치대(12), 가스분배판(13), RF전극(14) 등은 도 1과 관련하여 설명한 바와 동일하므로 여기서는 설명을 생략한다.The
한편 에지프레임(100)의 플로팅부재(130)의 걸림턱(132)을 몸체(110)의 중공부(112)의 내부에 삽입하기 위해서는 도 12에 도시된 바와 같이 기판가림부(120)와 일체로 형성된 제1몸체(110a)와, 볼트(150) 등을 이용하여 상기 제1몸체(110a)의 하부에 결합하여 상기 제1몸체(110a)와의 사이에 중공부(112)를 형성하는 제2몸체(110b)로 분리하여 제작할 수 있다. 이 경우 제2몸체(110b)의 저면에 상기 결합홈(114)이 형성된다.12, in order to insert the
따라서 먼저 제2몸체(110b)의 결합홈(114)에 플로팅부재(130)를 삽입한 후에 그 상부에 제1몸체(110a)를 결합함으로써 본 발명의 에지프레임(100)을 완성할 수 있다. The
한편 플로팅부재(130)를 결합하기 위해 몸체(110)를 분리 제작하는 방식은 전술한 방법에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형될 수 있다.Meanwhile, the method of separately manufacturing the
도 13 및 도 14는 각각 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임(100)이 기판(s)의 가장자리를 커버하는 모습을 나타낸 부분 단면도이다.13 and 14 are partial cross-sectional views, respectively, of the
기판(s)의 두께가 에지프레임(100)의 몸체(110)와 기판가림부(120)의 사이에 형성된 단차부(140)의 높이보다 작거나 비슷한 경우에는 도 13에 도시된 바와 같이 에지프레임(100)의 플로팅부재(130)가 로딩프레임(17)에 의해 밀어올려져 중공부(112)의 내부로 삽입된다.When the thickness of the substrate s is smaller than or equal to the height of the
이 경우에는 에지프레임(100)의 몸체(110)의 저면이 로딩프레임(17)의 상면에 밀착되며, 따라서 에지프레임(100)의 하중은 로딩프레임(17)에 실린다. 결국 기판(s)의 두께가 상대적으로 얇은 경우에는 기판(s)에 하중이 실리지 않아서 파손이 방지된다.In this case, the bottom surface of the
또한 기판(s)의 두께가 에지프레임(100)의 몸체(110)와 기판가림부(120)의 사이에 형성된 단차부(140)의 높이보다 큰 경우에는 도 14에 도시된 바와 같이 로딩프레임(17)이 에지프레임(100)의 플로팅부재(130)를 완전히 밀어 올리기 전에 기판가림부(120) 또는 기판가림부(120)의 가스차단부(122)가 기판(s)의 상면에 접하게 된다.14, when the thickness of the substrate s is greater than the height of the
따라서 이 경우에는 에지프레임(100)의 하중이 기판(s)에 직접 가해지게 되는데, 기판(s)의 두께가 두껍기 때문에 에지프레임(100)의 하중으로 인해 기판(s)이 파손되지는 않는다. 실제로 태양전지용 기판(s)의 두께는 2mm 또는 4mm 인 경우 가 많은데, 이 정도 두께의 기판(s)은 에지프레임(100)의 하중에 의해 파손되지 않는 것으로 알려져 있다.Therefore, in this case, the load of the
또한 에지프레임(100)의 기판가림부(120) 또는 가스차단부(122)를 기판(s)의 상면에 접촉시키면 공정가스가 기판의 가장자리로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 기판가림부(120)의 폭을 줄여 기판(s)의 미증착 영역을 최소화하는 것이 가능하며, 이를 통해 기판(s)의 사용 효율을 높일 수 있다.
또한, 기판가림부(120) 또는 기판가림부(120)의 가스차단부(122)가 기판(S)의 상면에 접하게 됨으로써, 에지프레임(100)의 플로팅부재(130)가 로딩프레임(17)과 접촉하게 되는데, 이와 같이 플로팅부재(130)가 로딩프레임(17)과 접촉됨으로써 기판(S)의 두께가 몸체(110)와 기판가림부(120)의 사이에 형성된 단차부(140)의 높이보다 크더라도 에지프레임(100)과 로딩프레임(17) 사이에 간격이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 에지프레임(100)과 로딩프레임(17) 사이의 간격으로 공정가스 등이 유입되어 기판(S)의 미증착 영역에서 공정가스에 의한 반응 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In addition, when the
Since the
Therefore, it is possible to prevent the process gas or the like from flowing into the gap between the
한편 본 발명의 에지프레임(100)은 로딩프레임(17)이 설치된 기판처리장치에만 사용되는 것이 아니라 기판안치대(12)에 리프트 핀을 설치한 기판처리장치에도 사용될 수 있다. The
즉, 도 15에 도시된 바와 같이 먼저 외부에서 반입한 기판(s)을 기판안치대(12)를 관통하여 설치된 리프트 핀(30)의 상단부에 올려놓고, 도 16에 도시된 바와 같이 기판안치대(12)를 상승시키면 리프트 핀이 하강하면서 기판(s)이 기판안치대(12)에 안치된다. 이어서 기판안치대(12)를 더 상승시키면 에지프레임(100)의 몸체부(110) 또는 플로팅부재(130)가 기판안치대(12)에 의해 밀어올려진 상태에서 기판(s)의 가장자리를 커버하게 된다.15, the substrate s carried in from the outside is first placed on the upper end of the
한편 이상에서는 PECVD장치에 사용되는 에지프레임을 설명하였으나, 본 발명의 에지프레임은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장치, 식각장치(Etcher) 등과 같은 다른 종류의 증착장치나 기판처리장치에서도 사용될 수 있음 은 물론이다.Although the edge frame used in the PECVD apparatus has been described above, the edge frame of the present invention can also be used in other types of deposition apparatuses and substrate processing apparatuses such as MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) apparatus, etcher Of course.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형 내지 수정되어 실시될 수 있다. 그리고 본 발명의 권리범위는 후술하는 특허청구범위에 기재된 기술적 사상 및 이와 등가적인 범위까지 포함함은 물론이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It is to be understood that the scope of the present invention covers the technical ideas described in the claims and equivalents thereof.
도 1은 일반적인 PECVD장치의 개략 단면도1 is a schematic cross-sectional view of a general PECVD apparatus
도 2는 로딩프레임의 사시도2 is a perspective view of the loading frame
도 3은 종래의 에지프레임의 사시도3 is a perspective view of a conventional edge frame
도 4는 도 1에서 기판안치대가 상승한 모습을 나타낸 단면도FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate bench stands up in FIG. 1
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임의 저면 사시도5 is a bottom perspective view of an edge frame according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임의 일 변의 단면도6 is a cross-sectional view of one side of an edge frame according to an embodiment of the present invention
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임의 일 변의 부분 단면도7 is a partial cross-sectional view of one side of an edge frame according to an embodiment of the present invention
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임에서 플로팅부재의 다양한 설치형태를 나타낸 저면도8 and 9 are bottom views showing various mounting forms of a floating member in an edge frame according to an embodiment of the present invention.
도 10 및 도 11은 각각 본 발명의 에지프레임이 설치된 기판처리장치에서 기판안치대가 하강한 상태와 상승한 상태를 나타낸 도면10 and 11 are views showing a state in which the substrate table is lowered and a state in which the substrate table is raised in the substrate processing apparatus provided with the edge frame of the present invention
도 12는 에지프레임의 분리형 몸체부를 예시한 단면도12 is a cross-sectional view illustrating a detachable body portion of an edge frame
도 13은 상대적으로 얇은 두께의 기판이 안치된 모습을 나타낸 부분 단면도13 is a partial cross-sectional view showing a state in which a substrate having a relatively thin thickness is placed thereon
도 14는 상대적으로 두꺼운 두께의 기판이 안치된 모습을 나타낸 부분 단면도FIG. 14 is a partial cross-sectional view showing a state in which a substrate having a relatively thick thickness is placed thereon
도 15 및 도 16은 본 발명의 에지프레임이 설치된 기판처리장치로서 기판안치대에 리프트 핀이 결합된 경우를 나타낸 도면15 and 16 are views showing a case where a lift pin is coupled to a substrate stand, as a substrate processing apparatus equipped with an edge frame of the present invention
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Description of the Related Art [0002]
100: 에지프레임 110: 몸체부100: edge frame 110: body part
112: 중공부 114: 결합홈112: hollow part 114: engaging groove
120: 기판가림부 122: 가스차단부120: substrate shielding portion 122: gas blocking portion
130: 플로팅부재 132: 걸림턱130: Floating member 132:
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080028216A KR101442777B1 (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Edge frame and substrate processing apparatus comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080028216A KR101442777B1 (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Edge frame and substrate processing apparatus comprising the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090102934A KR20090102934A (en) | 2009-10-01 |
KR101442777B1 true KR101442777B1 (en) | 2014-09-23 |
Family
ID=41532530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080028216A KR101442777B1 (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Edge frame and substrate processing apparatus comprising the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101442777B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110088729B (en) * | 2017-02-08 | 2023-10-03 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | Ultrasonic imaging device |
KR102599630B1 (en) * | 2018-02-09 | 2023-11-07 | 주성엔지니어링(주) | Edge Frame and Substrate Processing Apparatus Including The Same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050076609A (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-26 | 주성엔지니어링(주) | Substrate supporting member, deposition apparatus having the member and method of transferring substrate using the same |
KR20060088151A (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-04 | 주성엔지니어링(주) | Edge frame and handling apparatus for substrate comprising the same |
KR20070051401A (en) * | 2005-11-15 | 2007-05-18 | 주성엔지니어링(주) | Edge frame |
-
2008
- 2008-03-27 KR KR1020080028216A patent/KR101442777B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050076609A (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-26 | 주성엔지니어링(주) | Substrate supporting member, deposition apparatus having the member and method of transferring substrate using the same |
KR20060088151A (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-04 | 주성엔지니어링(주) | Edge frame and handling apparatus for substrate comprising the same |
KR20070051401A (en) * | 2005-11-15 | 2007-05-18 | 주성엔지니어링(주) | Edge frame |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090102934A (en) | 2009-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101443792B1 (en) | Gas Phase Etcher Apparatus | |
US8118940B2 (en) | Clamping mechanism for semiconductor device | |
KR100253134B1 (en) | Substrate process apparatus | |
US8864936B2 (en) | Apparatus and method for processing substrate | |
US20130233491A1 (en) | Dry etching apparatus | |
US20100071624A1 (en) | Substrate support frame, and substrate processing apparatus including the same and method of loading and unloading substrate using the same | |
KR102015657B1 (en) | A grounding assembly for vacuum processing apparatus | |
US20130263782A1 (en) | Flip edge shadow frame | |
KR101568735B1 (en) | Susceptor and substrate processing apparatus having the same | |
KR101442777B1 (en) | Edge frame and substrate processing apparatus comprising the same | |
KR20130135103A (en) | Housing and substrate processing apparatus having the same | |
JPH08260158A (en) | Substrate treating device | |
KR20100053250A (en) | Shadow frame for plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus | |
KR101101710B1 (en) | Shadow frame and process chamber having the same | |
KR20120040802A (en) | Substrate supporting apparatus and thin film deposition apparatus comprising the same | |
KR100892249B1 (en) | A plasma chemical reactor | |
KR100737713B1 (en) | Apparatus for processing substrate using plasma | |
KR102402497B1 (en) | Shadow frame with sides with varying profiles for improved deposition uniformity | |
KR101137691B1 (en) | Edge frame and handling apparatus for substrate comprising the same | |
KR101405362B1 (en) | Edge Frame in Apparatus for treating Substrate | |
WO2023070648A1 (en) | Notched susceptor design for stable shadow frame | |
KR101364196B1 (en) | Batch type ald apparatus and cluster type ald apparatus comprising the same | |
KR100275918B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20110146578A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20150088211A (en) | Susceptor and substrate processing apparatus having the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180518 Year of fee payment: 5 |