KR20150088211A - Susceptor and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a susceptor for a substrate processing apparatus, comprising: a process chamber forming a sealed processing space; and the susceptor installed in the process chamber and where a substrate is mounted. The susceptor comprises: a substrate support surface corresponding to the plane size of the substrate and supporting the substrate; and an outside protruding unit formed along edges of the substrate supported on the substrate support surface, and protruding upwards by leaving a space with the edges of the substrate supported on the substrate support surface.

Description

엘시디용 서셉터 및 섀도우프레임 기능을 구비한 히터 {Susceptor and substrate processing apparatus having the same}A susceptor for an LCD and a heater having a shadow frame function.

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착 증 기판처리를 수행하는 기판처리장치의 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a susceptor of a substrate processing apparatus that performs vapor deposition substrate processing and a substrate processing apparatus having the same.

기판처리장치의 일종인 화학기상 증착장비는 박막 트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display Device)용 패널기판 또는 유기발광장치 패널기판 등 기판 표면에 박막을 증착하는 공정에 주로 이용되고 있다. Chemical vapor deposition equipment, which is a kind of substrate processing apparatus, is mainly used for a process of depositing a thin film on a substrate surface such as a panel substrate for a thin film transistor liquid crystal display device or an organic light emitting device panel substrate.

화학기상 증착장치로는 일반적으로 플라즈마 화학기상 증착장비(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Device 이하, PECVD 장치로 약칭함)가 많이 사용되므로 이하 상기 PECVD를 중심으로 종래 기술에 관하여 설명한다. As a chemical vapor deposition apparatus, a plasma chemical vapor deposition apparatus (hereinafter abbreviated as a PECVD apparatus) is often used, so that the conventional art will be described with reference to the PECVD.

도 1은 종래의 PECVD 장비(한국 공개특허공보 제10-2004-0075180호)를 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional PECVD apparatus (Korean Patent Laid-Open No. 10-2004-0075180).

도시한 바와 같이, 가스 주입구(12) 및 배기구(14)를 가지는 처리공간을 형성하는 공정챔버(16)는 상부전극을 이루면서, 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드(11 ; showerhead)와 하부전극을 이루는 서셉터(20 ; susceptor)가 일정간격 이격되어 대향하고 있고, 이 샤워헤드(11)에는 고주파를 공급하는 RF(Radio Frequency) 전원(24)이 연결되어 있으며, 서셉터(20)는 접지된다.As shown in the figure, the process chamber 16 forming the process space having the gas inlet 12 and the exhaust port 14 includes a showerhead 11 (showerhead) for spraying gas into the process space, Susceptors 20 are spaced apart from each other by a predetermined distance and an RF (Radio Frequency) power source 24 for supplying a high frequency is connected to the showerhead 11. The susceptor 20 is connected to a ground do.

상기 샤워헤드(11)는 가스 주입구(12)를 통해 공급되는 반응가스가 처리공간으로 주입하는 하고, 서셉터(20)는 기판(18)에 열에너지를 공급하는 히터기능과, 기판(18)을 상부 및 하부 방향으로 움직이도록 이동성을 가진다. The showerhead 11 injects the reaction gas supplied through the gas inlet 12 into the processing space and the susceptor 20 functions as a heater for supplying thermal energy to the substrate 18, And has mobility so as to move upward and downward.

그리고, 상기 기판(18)의 양 외곽부 상에는 섀도우 프레임(30)이 위치하는데, 이 섀도우 프레임(30)은 기판 외곽부를 일정간격 덮음으로써, 기판(18)의 외부로 플라즈마(31)가 방전되는 것을 방지하여 증착 두께의 균일성을 유지시키는 일종의 마스크 역할을 한다.A shadow frame 30 is placed on both outer sides of the substrate 18. The shadow frame 30 covers the outer edge of the substrate at a predetermined interval so that the plasma 31 is discharged to the outside of the substrate 18. [ And serves as a kind of mask which maintains the uniformity of the deposition thickness.

상기 서셉터(20)의 하부에는 이 서셉터(20)와 일정간격 이격되어 핀 플레이트(40 ; pin plate)가 형성되어 있고, 이 핀 플레이트(40)와 서셉터(20) 사이 중앙부에는 서셉터(20)를 상, 하로 움직이게 하는 승강기구(42 ; elevator)가 위치하고 있다. A pin plate 40 is formed at a lower portion of the susceptor 20 at a predetermined distance from the susceptor 20. A susceptor 20 is disposed at a central portion between the pin plate 40 and the susceptor 20, And an elevator 42 (elevator) for moving the elevator 20 upward and downward.

이 핀 플레이트(40)의 상부에는 서셉터(20)의 기판 접촉영역(i)과 기판 비접촉영역(ii)의 경계부를 관통하며 기판(18)의 양끝을 가이드하는 가이드 핀(32)이 상부방향으로 형성되어 있다.A guide pin 32 for guiding both ends of the substrate 18 through the boundary between the substrate contact region i of the susceptor 20 and the substrate noncontact region ii is formed on the upper portion of the pin plate 40, Respectively.

또한, 상기 서셉터(20)의 상부에 놓여진 기판(18)의 양 외곽부와 대응하는 상부에는 섀도우 프레임(30)이 위치하고 있는데, 이 단계에서 이 섀도우 프레임(30)은 챔버하부 월(37)에 의해 지지되며, 기판(18)과는 일정간격 이격된 상태이다. The shadow frame 30 is located at an upper portion corresponding to both outer portions of the substrate 18 placed on the upper portion of the susceptor 20. In this stage, And is spaced apart from the substrate 18 by a predetermined distance.

상기 챔버하부 월(37)은 섀도우 프레임과 접촉하는 내부월로서, 공정챔버의 외곽을 구성하여 진공상태를 유지하는 외부월과는 구별되며, 이하 기술된 챔버하부 월은 상기 내부월을 의미한다. The chamber lower wall 37 is an inner wall in contact with the shadow frame, and is distinguished from an outer wall which constitutes an outer portion of the process chamber and maintains a vacuum state, and the chamber lower wall described below means the inner wall.

상기 PECVD를 사용하여 기판(18)에 증착작업을 수행하는 과정의 일예를 보다 상세히 설명하면 하기와 같다. An example of a process of performing a deposition operation on the substrate 18 using the PECVD will be described in detail as follows.

기판 제조공정 중 박막 증착을 위한 PECVD 장치에서는 공정챔버 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면, RF 전원을 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판 위에 증착을 하는 것으로, 증착 메커니즘(mechanism)은 챔버 내로 유입된 기체 화합물이 분해되는 1차 반응, 분해된 가스 이온들과 불안정한 이온상태인 라디칼 이온(Radical Ion)들이 상호 반응하는 2차반응, 피증착 기판(18) 상에서 가스 이온과 라디칼 이온들의 재결합으로 생긴 원자들의 상호작용으로 핵생성 후에 박막이 형성되는 3차 반응으로 나눌 수 있다. In the PECVD apparatus for thin film deposition during the substrate fabrication process, when the gas required for deposition is injected into the process chamber and the desired pressure and substrate temperature are set, the gas injected using the RF power source is decomposed into a plasma state, The deposition mechanism includes a first reaction in which a gaseous compound introduced into the chamber is decomposed, a second reaction in which radical ions (radical ions) in an unstable ion state with the decomposed gas ions interact with each other, ), And a tertiary reaction in which a thin film is formed after nucleation due to the interaction of atoms formed by the recombination of gas ions and radical ions on the surface.

유입되는 기체 화합물은 형성하는 막의 종류에 따라 달라지며, 일반적으로 실리콘 질화막 경우는 SiH4, H2, NH3, N2 의 혼합 Gas가 이용되고, 비정질 실리콘막의 증착에는 SiH4, H2 가 쓰이며, 인(P)을 도핑하여 전자 이동도를 높이는 불순물 비정질 실리콘막(n+ a-Si)의 형성 시에는 상기 비정질 실리콘용 반응가스에 PH3가 첨가된다. The gas compound to be introduced depends on the type of the film to be formed. Generally, a mixed gas of SiH 4 , H 2 , NH 3 and N 2 is used for the silicon nitride film, and SiH 4 and H 2 are used for the deposition of the amorphous silicon film PH 3 is added to the reaction gas for amorphous silicon when the impurity amorphous silicon film (n + a-Si) is doped to increase the electron mobility by doping phosphorus (P).

상기 PECVD 장치에 의한 증착공정에서는, RF 전원(Radio Frequency Power), 증착 온도, 가스 유입량 및 전극과 기판 간의 거리가 형성되는 박막의 특성을 좌우한다. In the deposition process by the PECVD apparatus, the RF power (Radio Frequency Power), the deposition temperature, the gas inflow amount, and the distance between the electrode and the substrate are influenced by the characteristics of the thin film.

이하, 기술될 내용에서는 PECVD 장치의 내부구조에 대해서 상세히 설명하고 PECVD장치의 섀도우 프레임(30)을 공정챔버 내에 고정시키는 방법에 대해서 상세히 설명한다. Hereinafter, the internal structure of the PECVD apparatus will be described in detail and a method of fixing the shadow frame 30 of the PECVD apparatus in the process chamber will be described in detail.

도 2는 상기 도 1의 'I' 영역에 해당하는 평면을 개략적으로 도시한 것으로, 설명의 편의상 기판의 도시는 생략하였다. FIG. 2 schematically shows a plane corresponding to the region 'I' of FIG. 1, and the illustration of the substrate is omitted for the sake of explanation.

도시한 바와 같이, 상기 서셉터(20)를 포함하는 공정챔버(16) 하부와 사각틀 형상의 섀도우 프레임(30)을 각각 분리하여 나타내었다. As shown in the figure, the lower part of the process chamber 16 including the susceptor 20 and the shadow frame 30 are shown separately.

상기 서셉터(20)의 외곽에는 섀도우 프레임(30)을 지지하기 위한 챔버하부 월(wall ; 37)이 둘러싸고 있다. A chamber lower wall (37) for supporting the shadow frame (30) surrounds the outer periphery of the susceptor (20).

상기 서셉터(20)의 기판 비접촉영역(ii) 상에는 기판 각 모서리부를 고정시키기 위한 다수 개의 가이드 핀(32)과, 네 변의 중심점과 대응하는 위치에서 섀도우 프레임(30)을 고정시키기 위한 얼라인 핀(34)이 형성되어 있고, 기판 접촉영역 내에는 기판을 상, 하로 이동시켜 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 용이하게 하는 다수 개의 리프트 핀(36)들이 형성되어 있다. A plurality of guide pins 32 for fixing respective corner portions of the substrate are formed on the substrate noncontact region ii of the susceptor 20 and alignment pins 32 for fixing the shadow frame 30 at positions corresponding to the center points of the four sides, And a plurality of lift pins 36 are formed in the substrate contact area to move the substrate up and down to facilitate loading and unloading of the substrate.

한편, 상기 섀도우 프레임(30)에는 다수 개의 얼라인 홈(38)이 형성되어 있는데, 이 얼라인 홈(38)은 섀도우 프레임(30)의 마주보는 변의 중심과 대응하는 위치 및 점선으로 표시한 바와 같이 상기 서셉터(20)의 얼라인 핀(34)과 대응되는 위치관계를 가져, 도 1에서 도시한 단면도에서 보여지듯이 이 얼라인 홈(38)에 얼라인 핀(34)이 정상 삽입되도록 한다. A plurality of alignment grooves 38 are formed in the shadow frame 30. The alignment grooves 38 are formed in positions corresponding to the centers of the opposing sides of the shadow frame 30, The aligning pin 34 has a positional relationship corresponding to the aligning pin 34 of the susceptor 20 so that the aligning pin 34 is normally inserted into the aligning groove 38 as shown in the cross- .

즉, 상기 섀도우 프레임(30)이 챔버 내에 안정되게 고정되는 것은 얼라인 홈(38)과 얼라인 핀(34)의 결합 정도에 의존하게 됨을 알 수 있다. That is, it can be seen that the shadow frame 30 is stably fixed in the chamber depending on the degree of engagement between the alignment groove 38 and the alignment pin 34. [

이하, 증착공정의 진행단계 별로 서셉터(20)의 상하 이동에 따라서 섀도우 프레임(30)의 얼라인의 필요성에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the necessity of aligning the shadow frame 30 in accordance with the upward and downward movement of the susceptor 20 for each stage of the deposition process will be described in detail.

우선, 공정챔버(16)의 일측부에 형성된 로딩부로부터 기판(18)이 서셉터(20)의 상면으로 로딩된다. 이때, 상기 서셉터(20)에 구비된 얼라인 핀(34)은 섀도우 프레임(30)과 비접촉된 상태이며, 섀도우 프레임(30)은 챔버하부 월(37)에 의하여 지지된다.First, a substrate 18 is loaded onto the upper surface of the susceptor 20 from a loading portion formed at one side of the process chamber 16. At this time, the alignment pins 34 provided on the susceptor 20 are not in contact with the shadow frame 30, and the shadow frame 30 is supported by the chamber lower wall 37.

이후, 상기 서셉터(20)를 증착위치로 이동시키는 단계가 진행되며, 승강기구(42)에 의하여 서셉터(20)의 기판 접촉영역(i)과 기판 비접촉영역(ii)이 동시에 상부방향으로 움직이게 되고, 서셉터(20)의 얼라인 핀(34)이 섀도우 프레임(30) 하부의 얼라인 홈(38)과 대응되는 방향으로 같이 이동하게 된다. Thereafter, the step of moving the susceptor 20 to the deposition position proceeds and the substrate contact area i of the susceptor 20 and the substrate non-contact area ii of the susceptor 20 are simultaneously moved upward by the elevating mechanism 42 And the aligning pin 34 of the susceptor 20 is moved in the same direction as the alignment groove 38 in the lower portion of the shadow frame 30.

이후, 상기 기판(18)의 증착을 진행하기 위해 기판(18)이 놓인 서셉터(20)를 증착위치로 이동시키게 된다. Subsequently, the susceptor 20 on which the substrate 18 is placed is moved to the deposition position to advance the deposition of the substrate 18.

상기 증착위치에서, 섀도우 프레임(30)은 서셉터(20)의 상승력에 의해 챔버하부 월(37)과 일정간격 이격되며, 서셉터(20)와의 접촉에 의해 고정된다. At the deposition position, the shadow frame 30 is spaced apart from the chamber lower wall 37 by the upward force of the susceptor 20, and is fixed by contact with the susceptor 20.

이때, 이 서셉터(20)와 섀도우 프레임(30)간의 접촉 안정도는 얼라인 핀(34)과 얼라인 홈(도 2의 38) 간의 얼라인 정도에 달려있다. At this time, the contact stability between the susceptor 20 and the shadow frame 30 depends on the degree of alignment between the alignment pins 34 and the alignment grooves (38 in FIG. 2).

도 3a 및 3b는 각각 섀도우 프레임(30)이 미스 얼라인되는 경우를 나타낸 도면이다. 3A and 3B are views showing a case where the shadow frame 30 is misaligned.

도 3a는 서셉터(20)로 기판이 로딩되는 단계에 관한 도면으로서, 이 경우에서는 섀도우 프레임(30)이 챔버 내로 로딩시, 챔버하부 월(37) 상부에 별도의 얼라인 장치없이 임시고정되므로, 챔버(16) 내의 펌핑 오프(off)시의 백 스트림(back stream)이나 펌핑(pumping)시에 챔버(16)내의 압력이 급변화함에 따라, 도시한 바와 같이, 섀도우 프레임(30)이 원래 위치에서 빗겨나게 된다. 따라서, 섀도우 프레임(30)이 서셉터(20)에 고정시 추후 서셉터(20)의 상승력에 의해 섀도우 프레임(30)과 서셉터(20) 간에 미스 얼라인이 발생할 확률이 높아진다. 3A is a diagram illustrating the step of loading the substrate with the susceptor 20. In this case, when the shadow frame 30 is loaded into the chamber, it is temporarily fixed to the upper portion of the chamber lower wall 37 without a separate alignment device The pressure in the chamber 16 at the time of pumping or back stream at the time of pumping off in the chamber 16 changes rapidly so that the shadow frame 30 is moved to the original position It is deflected from its position. Therefore, when the shadow frame 30 is fixed to the susceptor 20, there is a high probability of misalignment between the shadow frame 30 and the susceptor 20 due to the upward force of the susceptor 20.

도 3b는 상기 챔버하부 월(37)에 의해 고정되어 있던 섀도우 프레임(30)을 서셉터(20)의 상승력에 의해 섀도우 프레임(30)이 챔버하부 월(37)로부터 일정간격 이격되어, 기판(18)의 외곽부를 덮으며, 서셉터(20)의 얼라인 핀(34)에 의해 고정되는 단계이다. 도 3b는 도 3a에서 설명한 바와 같은 미스 얼라인이 발생하여 얼라인 핀(34)이 손상된 모습을 보이고 있다.3B shows a state in which the shadow frame 30 fixed by the chamber lower wall 37 is spaced apart from the chamber lower wall 37 by a rising force of the susceptor 20, 18, and is fixed by the aligning pin 34 of the susceptor 20. 3B shows a state where misalignment as described with reference to FIG. 3A is generated and the alignment pin 34 is damaged.

미스 얼라인이 발생하게 되면 다음과 같은 문제점을 가지게 된다.When a misalignment occurs, the following problems arise.

첫째, 일반적으로 얼라인 핀(34)은 세라믹(ceramic) 재질로 이루어지며 서셉터(20)의 기판 비접촉부(ⅱ)에 나사체결 방식으로 고정되어 있으며 상기 얼라인 핀(34)의 재질 특성상 나사체결 부위는 기계적 충격에 취약한 구조를 갖는다.First, in general, the align pin 34 is made of a ceramic material and fixed to the substrate non-contact portion ii of the susceptor 20 by a screw fastening method. Due to the material characteristics of the align pin 34, The fastening site has a structure vulnerable to mechanical impact.

따라서, 상기와 같이 미스 얼라인이 발생한 경우 서셉터(20)가 상승함에 따라 얼라인 핀(34)이 얼라인 홈(38)에 삽입되지 못하고 섀도우 프레임(30)과 부딪침으로써 얼라인 핀(34)이 파손되는 문제점이 있다. When the susceptor 20 rises, the alignment pin 34 can not be inserted into the alignment groove 38 and collides with the shadow frame 30 to thereby align the alignment pins 34 ) Is damaged.

둘째, 상기 섀도우 프레임(30)은 세라믹보다 기계적인 강도가 낮은 알루미나(Al2O3)로 이루어지기 때문에 서셉터(20)의 상승력에 의해 섀도우 프레임(30)과 얼라인 핀(34)이 충돌하게 되면, 이 섀도우 프레임(30)과 얼라인 핀(34)의 접촉면에서 증착불량을 일으키는 파티클(particle)이 발생하게 된다. Secondly, since the shadow frame 30 is made of alumina (Al2O3) having lower mechanical strength than ceramic, if the shadow frame 30 and the alignment pins 34 collide with each other due to the upward force of the susceptor 20, A particle causing defective deposition occurs on the contact surface between the shadow frame 30 and the alignment pin 34. [

이 파티클의 발생은 상기 증착막을 사이에 두고 전, 후 공정에 형성된 금속배선간에 쇼트를 발생시키는 원인으로 작용하여, 제품불량을 초래할 수 있는 문제점이 있다. The generation of these particles causes a short between the metal wires formed in the pre- and post-processes with the deposition film interposed therebetween, which may cause defective products.

셋째, 상기 도 3a 및 3b와 같이 섀도우 프레임(30)이 공정챔버(16) 내에 불안정하게 고정되면, 증착공정에서 챔버 내에서 양극(Anode)으로서 기능하는 서셉터(20) 측의 일부에 틈이 생겨 플라즈마 밀도의 균일성이 파괴되는 플라즈마 리크(leak)가 유발되며, 이로 인하여 불균일한 증착이 이루어지는 등의 증착불량을 초래함으로써 장비가동률이 저하되고 생산수율이 떨어지는 문제점이 있다.Third, when the shadow frame 30 is unstably fixed in the process chamber 16 as shown in FIGS. 3A and 3B, a gap is formed in a part of the susceptor 20 side which functions as an anode in the chamber in the deposition process Plasma is generated which causes plasma density uniformity to be destroyed, resulting in poor deposition, such as non-uniform deposition, resulting in lower operating rate of the equipment and lower yield.

더 나아가 상기와 같이, 종래의 기판처리장치는, 섀도우 프레임(30)을 사용함으로써 다음과 같은 문제점들 있다.Further, as described above, the conventional substrate processing apparatus has the following problems by using the shadow frame 30.

첫째, 섀도우 프레임(30) 및 기판이 서로 중첩되는 부분으로 인하여 기판 표면에 기판처리, 즉 증착되지 않은 부분의 발생되는 문제점이 있다.First, there is a problem that substrate processing, that is, a non-deposited portion is generated on the surface of the substrate due to the overlapping portions of the shadow frame 30 and the substrate.

둘째, 섀도우 프레임(30) 및 기판이 서로 중첩될 때 그 사이의 간극으로 증착물질이 유입되어 파티클 등이 발생되어 기판을 오염시키는 문제점이 있다.Secondly, when the shadow frame 30 and the substrate are overlapped with each other, there is a problem that the evaporation material flows into the gap therebetween and particles or the like are generated to contaminate the substrate.

셋째, 섀도우 프레임(30)이 설치되는 경우 섀도우 프레임(30)의 지지구조, 정렬구조 등 그 구조가 복잡한 문제점이 있다.Third, when the shadow frame 30 is installed, the structure of the shadow frame 30, such as the support structure and the alignment structure, is complicated.

넷째, 섀도우 프레임(30)의 사용으로 인하여 처리대상인 기판의 크기가 제한되는 문제점이 있다.Fourth, there is a problem that the size of the substrate to be processed is limited due to the use of the shadow frame 30. [

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 서셉터의 상면 중 기판이 안착된 상태에서 기판의 가장자리 외측에서 기판의 가장자리를 따라 상측으로 돌출시킴으로써 섀도우 프레임과의 중첩되는 부분을 없애 기판처리 효율을 현저하게 향상시킬 수 있는 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the problems described above, the present invention proposes a method of manufacturing a plasma display panel in which a substrate is mounted on an upper surface of a susceptor and protrudes upward along an edge of the substrate from outside the edge of the substrate to thereby eliminate overlapping portions with the shadow frame, And a substrate processing apparatus having the susceptor.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 서셉터를 포함하는 기판처리장치의 서셉터로서, 기판의 평면크기에 대응되어 기판을 지지하는 기판지지면과, 상기 기판지지면에 지지된 기판의 가장자리를 따라서 형성되며 상기 기판지지면에 지지된 기판의 가장자리와 간격을 두고 상측으로 돌출되어 형성된 외곽돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber for forming a closed process space; A susceptor of a substrate processing apparatus including a susceptor installed in the process chamber and on which a substrate is mounted, the susceptor comprising: a substrate supporting surface for supporting a substrate corresponding to a plane size of the substrate; And an outer protrusion formed so as to protrude upward from the edge of the substrate supported on the substrate support surface.

상기 기판지지면 및 상기 외곽돌출부의 상면은, 아노다이징 처리되거나, 세라믹 용사에 의하여 코팅될 수 있다.The substrate support surface and the upper surface of the outer overhang may be anodized or coated by ceramic spray.

상기 기판지지면에서 기판이 안착된 상태에서 기판의 가장자리 일부분의 내측부분에서의, 상기 아노다이징 처리된 층의 두께 또는 상기 세라믹 용사 코팅된 층의 두께보다 나머지 부분이 더 두껍게 형성됨이 바람직하다.It is preferable that the thickness of the anodized layer or the thickness of the ceramic spray-coated layer is larger in the inner portion of the edge portion of the substrate in a state where the substrate is placed on the substrate support surface.

상기 외곽돌출부는, 상기 기판지지면으로부터 경사를 이루는 경사면과, 상기 기판지지면에 대하여 상측으로 돌출되며 상기 기판지지면과 평행을 이루는 평면부를 포함할 수 있다.The outer protruding portion may include an inclined surface inclined from the substrate support surface and a planar portion protruding upward from the substrate support surface and parallel to the substrate support surface.

상기 서셉터의 내부에 설치되는 히터를 더 포함할 수 있다.And a heater installed inside the susceptor.

본 발명은 또한 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 서셉터로서, 상기와 같은 구성을 가지는 서셉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention also relates to a process chamber for forming an enclosed process space; And a susceptor provided in the process chamber and on which the substrate is placed, the susceptor having the above-described structure.

상기 외곽돌출부는, 상기 기판지지면으로부터 경사를 이루는 경사면과, 상기 기판지지면에 대하여 상측으로 돌출되며 상기 기판지지면과 평행을 이루는 평면부를 포함할 수 있다.The outer protruding portion may include an inclined surface inclined from the substrate support surface and a planar portion protruding upward from the substrate support surface and parallel to the substrate support surface.

상기 서셉터의 내부에 설치되는 히터를 더 포함할 수 있다.And a heater installed inside the susceptor.

여기서 히터의 설치와 관련하여, 본 발명의 또 다른 측면으로는, 엘시디용 서셉터 및 섀도우프레임 기능을 구비한 히터를 개시한다.Here, regarding the installation of the heater, another aspect of the present invention discloses a heater having a susceptor for LCD and a shadow frame function.

상기 기판처리장치는 PECVD 공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus may perform a PECVD process.

상기 공정챔버의 상측에는 기판처리를 위한 가스를 분사하는 샤워헤드가 설치될 수 있다.A showerhead for spraying gas for substrate processing may be provided on the upper side of the process chamber.

상기 서셉터는 상기 공정챔버 내에서 상하로 이동가능하게 설치될 수 있다.The susceptor may be installed so as to be movable up and down in the process chamber.

상기 공정챔버는, 기판의 저면을 지지하는 복수의 리프트핀들이 관통되어 설치되며, 상기 서셉터가 상기 공정챔버에 대하여 하강할 때 상기 복수의 리프트핀들의 저면을 지지하여 복수의 리프트핀들을 상기 서셉터에 대하여 상승시켜 기판의 저면을 지지하도록 하는 리프트핀지지부가 설치될 수 있다.Wherein the process chamber is provided with a plurality of lift pins for supporting a bottom surface of the substrate, the plurality of lift pins supporting the bottom surface of the plurality of lift pins when the susceptor is lowered relative to the process chamber, A lift pin support portion for raising the susceptor to support the bottom surface of the substrate can be provided.

본 발명에 따른 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치는, 기판인 안착된 상태에서 기판의 가장자리를 따라 상측으로 돌출시킴으로써 기판처리시 섀도우 프레임과 중첩되는 부분을 없애 기판처리 효율을 현저하게 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The susceptor and the substrate processing apparatus having the susceptor according to the present invention can protrude upward along the edge of the substrate in a state in which the susceptor is mounted as a substrate to thereby eliminate a portion overlapping the shadow frame during substrate processing, There is an advantage.

또한 본 발명에 따른 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치는, 기판처리시 섀도우 프레임과 중첩될 필요가 없어 처리 가능한 기판의 크기의 제한을 없애 보다 다양한 크기의 기판들에 대한 처리가 가능하여 기판의 생산효율을 현저하게 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, since the susceptor and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention do not need to be overlapped with the shadow frame during substrate processing, it is possible to process substrates of various sizes by eliminating the limitation of the size of the processable substrate, There is an advantage that the efficiency can be remarkably improved.

더 나아가 본 발명에 따른 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치는, 기판처리시 섀도우 프레임과 중첩될 필요가 없어 기판 표면 전체에 대한 기판처리가 가능하여 기판처리의 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Furthermore, since the susceptor and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention do not need to be overlapped with the shadow frame during substrate processing, it is possible to process the entire substrate surface, thereby improving the efficiency of substrate processing.

또한 본 발명에 따른 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치는, 섀도우 프레임을 구비하지 않아 서셉터의 승하강 및 섀도우 프레임의 미스얼라인에 따른 기판처리의 불량을 방지할 수 있으며, 기판 및 섀도우 프레임 사이의 간극을 통한 파티클의 발생을 방지할 수 있으며, 서셉터 등의 구조가 간단한 이점이 있다.Further, the susceptor and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention can prevent defective substrate processing due to rise and fall of the susceptor and misalignment of the shadow frame without providing a shadow frame, It is possible to prevent the generation of particles through the gap of the susceptor.

또한 본 발명에 따른 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치는, 섀도우 프레임을 구비하는 대신, 섀도우 프레임에 대응되는 부분을 기판을 지지하는 지지면의 가장자리에 상측으로 돌출시킴으로써 구조가 간단하며 섀도우 프레임의 설치에 따른 문제점을 해소할 수 있는 이점이 있다.Further, the susceptor and the substrate processing apparatus having the susceptor according to the present invention have a simple structure by projecting the portion corresponding to the shadow frame to the edge of the supporting surface for supporting the substrate instead of providing the shadow frame, There is an advantage that it is possible to solve the problem according to the present invention.

도 1은, 종래 기술에 의한 화학기상 증착장비의 단면도이다.
도 2는, 도 1의 "I" 부분에 관한 평면도이다.
도 3a는, 종래기술에 의한 언리딩 상태에서 섀도우 프레임에 미스얼라인이 발생하는 경우에 관한 단면도이다.
도 3b는, 종래기술에 의한 섀도우 프레임을 증착 위치로 상승시킨 경우의 단면도이다.
도 4는, 본 발명에 따른 서셉터를 보여주는 일부 단면도이다.
도 5는, 도 4의 서셉터를 보여주는 평면도이다.
도 6a 내지 도 6c는, 도 4의 서셉터의 제조방법의 일예를 보여주는 일부단면도들이다.
도 7a 내지 도 7c는, 도 4의 서셉터의 제조방법의 다른 예를 보여주는 일부단면도들이다.1 is a cross-sectional view of a conventional chemical vapor deposition apparatus.
Fig. 2 is a plan view of the portion "I" in Fig.
3A is a cross-sectional view of a case where misalignment occurs in a shadow frame in the unleaded state according to the prior art.
Fig. 3B is a cross-sectional view of the case where the shadow frame according to the prior art is raised to the deposition position.
4 is a partial cross-sectional view showing a susceptor according to the present invention.
Fig. 5 is a plan view showing the susceptor of Fig. 4; Fig.
6A to 6C are partial cross-sectional views showing an example of a method of manufacturing the susceptor of FIG.
7A to 7C are partial cross-sectional views showing another example of the method of manufacturing the susceptor of FIG.

이하 본 발명에 따른 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 서셉터를 제외한 나머지 구성은 동일하거나 유사한바 설명의 편의상 종래기술과 동일한 도면부호를 부여한다.Hereinafter, a susceptor according to the present invention and a substrate processing apparatus having the same will be described with reference to the accompanying drawings. Here, the remaining components except for the susceptor are the same or similar, and the same reference numerals as those of the prior art are given for convenience of explanation.

참고로, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판처리방식 및 조건, 전원인가방식, 배기구조, 샤워헤드구조, 서셉터 구조를 제외한 나머지 구조는 도 1에 도시된 기판처리장치와 유사한 구성을 가질 수 있다.For reference, the substrate processing apparatus according to the present invention has a structure similar to the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 except for the substrate processing method and conditions, the power applying system, the exhaust structure, the showerhead structure, and the susceptor structure .

특히 본 발명에 따른 기판처리장치는 섀도우 프레임(30)을 구비하지 않은바, 도 1에 도시된 기판처리장치에서 섀도우 프레임(30)의 설치를 전제로 한 구성들, 즉 섀도우 프레임(30), 섀도우 프레임(30)의 지지구조, 가이드 핀(32), 얼라인 핀(34) 등을 구비하지 않음은 물론이다.Particularly, the substrate processing apparatus according to the present invention does not include the shadow frame 30, and the configurations of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 based on the installation of the shadow frame 30, namely, the shadow frame 30, It is needless to say that it does not include the support structure of the shadow frame 30, the guide pin 32, the alignment pins 34, and the like.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버(16)와; 공정챔버(16) 내에 설치되어 기판(18)이 안착되는 서셉터(200)를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes: a process chamber (16) forming an enclosed process space; And a susceptor 200 installed in the process chamber 16 and on which the substrate 18 is seated.

상기 기판처리장치는, 기판처리, 바람직하게는 증착, 보다 바람직하게는 PECVD를 수행하는 장치로서 기판처리 조건에 따라서 다양한 조건을 가질 수 있다.The substrate processing apparatus is an apparatus for performing substrate processing, preferably deposition, more preferably PECVD, and may have various conditions depending on substrate processing conditions.

상기 공정챔버(16)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간을 형성하는 구성으로서, 밀폐된 처리공간을 형성할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The process chamber 16 is configured to form a closed process space for substrate processing, and any configuration is possible as long as it can form a closed process space.

그리고 상기 공정챔버(16)의 상측에는 기판처리의 수행을 위한 공정가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드(11), 처리공간 내의 압력제어 및 배기를 위한 배기시스템 등 다양한 구성들이 추가로 설치되거나 연결될 수 있다.A showerhead 11 for spraying a process gas for performing a substrate process into the process space is installed on the upper side of the process chamber 16, and various configurations such as a pressure control in the process space and an exhaust system for exhaust are additionally installed or connected .

또한 공정조건에 따라서 앞서 설명한 바와 같이, 샤워헤드(11)에 RF전원이 인가되고 서셉터(200)는 접지되는 등 공정조건에 따라서 다양한 방식에 의하여 전원이 인가될 수 있다.Also, as described above, according to the process conditions, the RF power is applied to the showerhead 11, the susceptor 200 is grounded, and the power can be applied by various methods according to process conditions.

상기 서셉터(200)는, 공정챔버(16) 내에 설치되어 기판(18)이 안착되는 구성으로서 내부에 히터(미도시)가 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.The susceptor 200 may have various configurations such as a heater (not shown) installed inside the process chamber 16 and a substrate 18 mounted thereon.

상기 서셉터(200)는, 기판처리 대상인 직사각형의 기판(18)이 직사각형임을 고려하여 평면형상이 직사각형 형상을 가지며 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질을 가지며 상면은 플라즈마처리 등을 고려하여 아노다이징 처리 또는 세라믹 용사 코팅될 수 있다.Considering that the rectangular substrate 18 to be processed is rectangular, the susceptor 200 has a rectangular shape in plan view and has an aluminum or aluminum alloy material. The upper surface of the susceptor 200 is subjected to an anodizing treatment or a ceramic spray coating .

여기서 상기 서셉터(200)는, 기판(18)의 입출시 기판(18)을 서셉터(200)에 대하여 상하로 승강시키는 복수의 리프트핀(36)들이 설치될 수 있으며 이를 위하여 공정챔버(16)에 대하여 상하로 승강가능하게 설치될 수 있다.The susceptor 200 may be provided with a plurality of lift pins 36 for vertically moving the substrate 18 up and down with respect to the susceptor 200 when the substrate 18 moves in and out. (Not shown).

그리고 상기 서셉터(200)는 공정챔버(16) 내에서 상하로 이동가능하게 설치될 수 있다.The susceptor 200 may be installed vertically movably in the process chamber 16.

또한 상기 복수의 리프트핀(36)들의 구성과 관련하여, 공정챔버(16)는, 기판(18)의 저면을 지지하는 복수의 리프트핀(36)들이 관통되어 설치되며, 서셉터(200)가 공정챔버(16)에 대하여 하강할 때 복수의 리프트핀(36)들의 저면을 지지하여 복수의 리프트핀들을 서셉터(200)에 대하여 상승시켜 기판(18)의 저면을 지지하도록 하는 리프트핀지지부(40)가 설치되는 등 다양한 구성이 가능하다.In connection with the configuration of the plurality of lift pins 36, the process chamber 16 is provided with a plurality of lift pins 36 for supporting the bottom surface of the substrate 18, and the susceptor 200 A lift pin support portion (not shown) for supporting the bottom surface of the plurality of lift pins 36 when lowered relative to the process chamber 16 to support the bottom surface of the substrate 18 by raising the plurality of lift pins relative to the susceptor 200 40) are installed.

한편 상기 서셉터(200)는, 서셉터(200)의 가장자리에서 중앙 쪽으로 가스의 흐름을 유도하는 한편 서셉터(200)의 가장자리에서 중앙 쪽으로 플라즈마의 집중되도록 할 필요가 있다.On the other hand, it is necessary that the susceptor 200 induces a flow of gas toward the center from the edge of the susceptor 200, while concentrating the plasma toward the center from the edge of the susceptor 200.

따라서, 본 발명에 따른 서셉터(200)는, 섀도우 프레임(30)을 사용하는 대신에 도 4 (도 5에서 Ⅳ-Ⅳ 방향의 단면) 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(18)의 평면크기에 대응되어 기판(18)을 지지하는 기판지지면(210)과, 기판지지면(210)에 지지된 기판(18)의 가장자리를 따라서 형성되며 기판지지면(210)에 지지된 기판(18)의 가장자리와 간격을 두고 상측으로 돌출되어 형성된 외곽돌출부(220)를 포함한다.Therefore, the susceptor 200 according to the present invention is not limited to the use of the shadow frame 30, but may be formed on the substrate 18 as shown in Fig. 4 (sectional view in the IV-IV direction in Fig. 5) A substrate supporting surface 210 for supporting the substrate 18 in correspondence with a planar size and a substrate supporting surface 210 formed along the edge of the substrate 18 supported on the substrate supporting surface 210 18, and an outer protrusion 220 protruding upward from the edge of the outer protrusion 220.

상기 기판지지면(210)은, 기판(18)의 평면크기에 대응되어 기판(18)을 지지하는 기판지지면(210)으로서 기판(18)의 평면형상과 대응되는 형상을 가진다.The substrate support surface 210 has a shape corresponding to the planar shape of the substrate 18 as a substrate support surface 210 that supports the substrate 18 in correspondence with the planar size of the substrate 18. [

특히 상기 기판지지면(210)은, 기판(18)이 안착될 때 오차 등을 고려하여 기판(18)의 평면크기보다 크게 형성됨이 바람직하다.In particular, the substrate support surface 210 is preferably formed larger than the planar size of the substrate 18 in consideration of an error or the like when the substrate 18 is seated.

한편 상기 기판지지면(210)은 앞서 설명한 리프트핀(36)의 설치위치에 대응되어 리프트핀(36)이 관통되어 설치될 수 있도록 복수의 관통공(230)이 형성된다.The plurality of through holes 230 are formed in the substrate support surface 210 so that the lift pins 36 may be inserted through the substrate support surface 210 in correspondence with the installation position of the lift pins 36 described above.

이때 상기 관통공(230)은, 상측으로 노출되는 경우 아크가 발생될 수 있는바 기판(18) 안착시 상측으로 노출되지 않도록 기판(18)이 안착된 상태에서 기판(18)에 의하여 덮일 수 있도록 기판지지면(210) 중 적절한 위치에 위치됨이 바람직하다.In this case, the through hole 230 may be covered by the substrate 18 in a state where the substrate 18 is seated so as not to be exposed to the upper side when the bar substrate 18 is seated, It is preferable to be located at an appropriate position among the substrate supporting surfaces 210. [

상기 외곽돌출부(220)는, 기판지지면(210)에 지지된 기판(18)의 가장자리를 따라서 형성되며 기판지지면(210)에 지지된 기판(18)의 가장자리와 간격을 두고 상측으로 돌출되어 형성된다.The outer protrusion 220 protrudes upward from the edge of the substrate 18 formed along the edge of the substrate 18 supported on the substrate support surface 210 and supported on the substrate support surface 210 .

구체적으로 상기 외곽돌출부(220)는, 기판지지면(210)으로부터 경사를 이루는 경사면(221)과, 기판지지면(210)에 대하여 상측으로 돌출되며 기판지지면(210)과 평행을 이루는 평면부(222)를 포함함이 바람직하다.Specifically, the outer protruding portion 220 includes an inclined surface 221 inclined from the substrate supporting surface 210, a planar portion 221 projecting upward from the substrate supporting surface 210 and parallel to the substrate supporting surface 210, (222).

상기 경사면(221)은, 앞서 설명한 섀도우 프레임(30)의 설치되었을 때와 동일한 조건을 가지도록, 종래의 기판처리장치에서 섀도우 프레임(30)이 서셉터(200)에 결합된 상태에서의 섀도우 프레임(30)과 동일하거나 근접한 경사각을 가지도록 형성됨이 바람직하다.The inclined surface 221 is formed in the shadow frame 30 in a state where the shadow frame 30 is coupled to the susceptor 200 in the conventional substrate processing apparatus so that the inclined surface 221 has the same condition as that of the shadow frame 30 described above. It is preferable that the inclination angle is equal to or close to the inclination angle.

상기 평면부(222)는, 기판지지면(210) 상의 기판(18)에 대한 균일한 기판처리환경을 형성할 수 있도록 적절한 폭 및 높이(기판지지면(210)으로부터의 높이)을 가지는 것이 바람직하며, 앞서 설명한 섀도우 프레임(30)의 설치되었을 때와 동일한 조건을 가지도록, 종래의 기판처리장치에서 섀도우 프레임(30)이 서셉터(200)에 결합된 상태에서 섀도우 프레임(30)과 동일하거나 근접된 폭 및 높이을 가지는 것이 바람직하다.The plane portion 222 preferably has a suitable width and height (height from the substrate support surface 210) so as to form a uniform substrate processing environment for the substrate 18 on the substrate support surface 210 And the shadow frame 30 is attached to the susceptor 200 in the conventional substrate processing apparatus so as to have the same conditions as those of the shadow frame 30 described above, It is preferable to have a close width and a height.

한편 상기 서셉터(200)의 상면, 즉 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)의 상면은, 아노다이징 처리되거나, 세라믹 용사에 의하여 코팅되는 것이 것이 바람직하다.The upper surface of the susceptor 200, that is, the upper surface of the substrate supporting surface 210 and the outer protruding portion 220, is preferably anodized or coated by ceramic spraying.

특히 상기 외곽돌출부(220)는, 플라즈마 등 기판처리 환경에 노출되는바 아킹 등의 발생을 방지할 수 있는 구조가 필요하다.Particularly, the outer protruding portion 220 needs a structure capable of preventing the occurrence of baring or the like which is exposed to a substrate processing environment such as a plasma.

따라서 상기 외곽돌출부(220)은, 아노다이징 처리 또는 플라즈마 용사에 의한 코팅시 기판지지면(210)보다 두껍게 형성됨이 바람직하다.Therefore, it is preferable that the outer protrusion 220 is thicker than the substrate supporting surface 210 when the anodizing or plasma coating is applied.

특히 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(18) 안착의 오차 등으로 인하여 기판처리면(210)의 가장자리부분이 상측으로 노출될 수 있는바, 기판지지면(210)에서 기판(18)이 안착된 상태에서 기판(18)의 가장자리 일부분의 내측부분에서의, 아노다이징 처리된 층의 두께 또는 세라믹 용사 코팅된 층의 두께보다 나머지 부분이 더 두껍게 형성됨이 바람직하다.4, the edge of the substrate processing surface 210 may be exposed upward due to an error in the seating of the substrate 18, so that the substrate 18 is seated on the substrate supporting surface 210 The thickness of the anodized layer or the thickness of the ceramic spray coated layer at the inner portion of the edge portion of the substrate 18 in the state where the ceramic coating layer is formed is thicker.

즉, 상기 외곽돌출부(220) 및 기판처리면(210)의 가장자리 일부분이 플라즈마 노출시 아킹이 발생되지 않을 만큼 충분한 두께로 아노다이징 처리되거나 세라믹 등으로 플라즈마 용사 코팅됨이 바람직하다.That is, it is preferable that a portion of the edges of the outer protrusion 220 and the substrate processing surface 210 are anodized or plasma-sprayed with ceramics or the like to a thickness sufficient to prevent arcing at the time of plasma exposure.

한편 아노다이징 처리 및 세라믹 용사코팅에 따라서 서셉터의 제조방법은 다음과 같다.The process for preparing the susceptor according to the anodizing treatment and the ceramic spray coating is as follows.

아노다이징 처리에 의한 서셉터의 제조방법은 다음과 같다.A method of producing the susceptor by the anodizing treatment is as follows.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질의 부재를 기계가공에 의하여 상면에 앞서 설명한 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)를 형성한다. 여기서 리프트핀(36)의 설치를 위한 관통공(230)을 함께 형성한다.First, as shown in FIG. 6A, the substrate support surface 210 and the outer protrusion 220 described above are formed on the upper surface by machining a member made of aluminum or an aluminum alloy. Here, a through hole 230 for the installation of the lift pin 36 is formed together.

다음으로 도 6b에 도시된 바와 같이, 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)의 형성 후에 서셉터(200)의 상면 또는 표면 전체, 즉 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)를 포함하는 표면에 대한 1차 아노다이징 처리를 수행한다.6b, the upper surface or the entire surface of the susceptor 200, that is, the substrate supporting surface 210 and the outermost protruding portion 220, is formed after the formation of the substrate supporting surface 210 and the outer protruding portion 220. Next, A primary anodizing treatment is carried out on the surface including the surface.

이때 1차 아노다이징 처리에 의하여 형성되는 아노다이징 층은 미리 설계된 조건에 따라서 결정된다.At this time, the anodizing layer formed by the primary anodizing treatment is determined according to a pre-designed condition.

마지막으로 도 6c에 도시된 바와 같이, 서셉터(200)에 대한 1차 아노다이징 처리 후 기판지지면(210)의 일부, 즉 가장자리 부분을 제외한 나머지 부분에 대한 아노다이징을 방지하기 위하여 마스킹 후 외곽돌출부(220) 및 기판처리면(210)의 가장자리 일부분에 대한 2차 아노다이징 처리를 수행한다.Finally, as shown in FIG. 6C, after the first anodizing process with respect to the susceptor 200, to prevent anodization of a part of the substrate supporting surface 210, 220 and a portion of the edge of the substrate processing surface 210.

이때 2차 아노다이징 처리에 의하여 형성되는 아노다이징 층은 미리 설계된 조건에 따라서 결정된다.At this time, the anodizing layer formed by the secondary anodizing treatment is determined according to a pre-designed condition.

한편 상기와 같은 방법 이외에, 기판지지면(210)의 일부, 즉 가장자리 부분을 제외한 나머지 부분에 대한 아노다이징을 방지하기 위하여 마스킹 후 1차 아노다이징 처리 후, 마스킹을 제거한 후 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)의 형성 후에 서셉터(200)의 상면 또는 표면 전체, 즉 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)를 포함하는 표면에 대한 2차 아노다이징 처리를 수행할 수 있다.In addition to the above-described method, in order to prevent anodization of a part of the substrate supporting surface 210, that is, except for the edge portion, the masking is removed after the first anodizing process after the masking, The secondary anodizing process can be performed on the upper surface or the entire surface of the susceptor 200 after the formation of the protrusion 220, that is, the surface including the substrate supporting surface 210 and the outer protruding portion 220.

세라믹에 의한 플라즈마 용사코팅에 서셉터의 제조방법은 다음과 같다.The process for preparing the susceptor in plasma spray coating by ceramic is as follows.

먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질의 부재를 기계가공에 의하여 상면에 앞서 설명한 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)를 형성한다. First, as shown in FIG. 7A, the substrate supporting surface 210 and the outer protruding portion 220 described above are formed on the upper surface by machining a member made of aluminum or an aluminum alloy.

여기서 리프트핀(36)의 설치를 위한 관통공(230)을 함께 형성한다.Here, a through hole 230 for the installation of the lift pin 36 is formed together.

또한 상기 외곽돌출부(220) 및 기판처리면(210)의 가장자리 일부분에 형성된 세라믹 코팅층의 두께가 더 두껍게 형성됨을 고려하여 외곽돌출부(220) 및 기판처리면(210)의 가장자리 일부분에 대응되는 부분에서 기판처리면(210) 중 기판처리면(210)의 가장자리 일부분은 더 깊게 형성한다.In order to increase the thickness of the ceramic coating layer formed on the edge portions of the outer protrusion 220 and the substrate processing surface 210, the outer protrusion 220 and the portion corresponding to a part of the edge of the substrate processing surface 210 A part of the edge of the substrate processing surface 210 of the substrate processing surface 210 is formed deeper.

다음으로 도 7b에 도시된 바와 같이, 기판지지면(210)의 일부, 즉 가장자리 부분을 제외한 나머지 부분에 대한 플라즈마 용사코팅을 방지하기 위하여 마스킹 후 1차 플라즈마 용사코팅을 수행한다.Next, as shown in FIG. 7B, a first plasma spray coating is performed after masking in order to prevent plasma spray coating on a part of the substrate support surface 210, that is, except for the edge portions.

이때 1차 플라즈마 용사코팅에 의하여 형성되는 코팅층은 미리 설계된 조건에 따라서 결정된다.At this time, the coating layer formed by the first plasma spray coating is determined according to the pre-designed conditions.

마지막으로 도 7c에 도시된 바와 같이, 마스킹의 제거 후 마스킹을 제거한 후 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)의 형성 후에 서셉터(200)의 상면 또는 표면 전체, 즉 기판지지면(210) 및 외곽돌출부(220)를 포함하는 표면에 대한 2차 플라즈마 용사코팅을 수행한다.Finally, as shown in FIG. 7C, after removing the masking and removing the masking, the upper surface or the entire surface of the susceptor 200, that is, the entire surface of the substrate supporting surface 210 And outer protrusions 220. The second plasma spray coating is performed on the surface including the outer protrusion 220 and the outer protrusion 220. [

이때 2차 플라즈마 용사코팅에 의하여 형성되는 코팅층은 미리 설계된 조건에 따라서 결정된다.At this time, the coating layer formed by the secondary plasma spray coating is determined according to the previously designed conditions.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

200 : 서셉터 210 : 지지면
220 : 외곽돌출부200: susceptor 210: support surface
220: Outer protrusion

Claims (1)

밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 서셉터를 포함하는 기판처리장치의 서셉터로서,
기판의 평면크기에 대응되어 기판을 지지하는 기판지지면과,
상기 기판지지면에 지지된 기판의 가장자리를 따라서 형성되며 상기 기판지지면에 지지된 기판의 가장자리와 간격을 두고 상측으로 돌출되어 형성된 외곽돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.A process chamber for forming a closed process space; A susceptor of a substrate processing apparatus comprising a susceptor installed in the process chamber and on which a substrate is mounted,
A substrate supporting surface for supporting a substrate corresponding to a plane size of the substrate,
And an outer protrusion formed along the edge of the substrate supported on the substrate support surface and protruding upward from the edge of the substrate supported on the substrate support surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220130688A1 (en) * 2020-10-26 2022-04-28 Applied Materials, Inc. Semiconductor chamber components with high-performance coating
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