KR20070047456A - 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 스페이서는 본체와, 상기 본체 중 상기 전자 방출 유닛 및 발광 유닛에 접하는 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 일면에 형성되는 다수의 돌기를 포함한다. 또한, 상기 스페이서는 전자 방출 표시 디바이스에 적용될 수 있으며, 이 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되는 제1 기판과 제2 기판을 포함하는 진공 용기와, 상기 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛과, 상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛 및 상기 본체와 돌기로 이루어진 스페이서를 포함한다.

전자 방출, 스페이서, 돌기, 접착층

Description

스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스 {SPACER AND ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 도 1에 도시된 스페이서를 나타낸 사시도이다.

도 3은 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스페이서를 나타낸 사시도이다.

도 6은 표면 전도 에미션(SCE)형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

본 발명은 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기를 구성하는 두 기판 사이에 배치되어 기판의 간격을 유지시키는 스페이서에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류될 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; 이하 'FEA'라 함)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; 이하 'SCE'라 함)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; 이하 'MIM'이라 함)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; 이하 'MIS'라 함)형 등이 알려져 있다.

상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의하여 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일함수(work function) 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 전극으로부터 방출되는 원리를 이용한다.

상기 SCE형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

상기 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.

즉, 통상의 전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하여 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출의 온/오프와 전자 방출량을 제어한다. 그리고 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 한다.

또한, 상기 전자 방출 표시 디바이스는 진공 용기의 내,외부 압력 차이에 의한 기판의 변형과 파손을 방지하도록 진공 용기 내부에 다수의 스페이서를 구비한다.

스페이서는 통상의 경우 제1 기판 또는 제2 기판 위에 제공된 구조물 위에서 접착층의 결합력에 의해 고정된다. 이러한 스페이서는 전자의 흐름이 지속적으로 발생하는 진공의 내부 공간에 노출되어 전자 방출부에서 방출되는 전자들과 충돌하 게 되며, 이로 인하여 스페이서에 전하가 대전(charging)된다.

대전된 스페이서는 전자 방출부에서 방출되는 전자들의 경로를 왜곡시켜 전자 방출 표시 디바이스의 발광에 문제를 일으킨다.

상기와 같은 스페이서의 차징을 해소하기 위해, 스페이서를 제1 기판 또는 제2 기판에 형성된 전극과 연결하여 스페이서에 차징된 전하를 전극을 통하여 외부로 흘려주는 구조가 제안되었다. 그러나, 이 구조는 스페이서와 전극 사이에 위치하는 접착층으로 인하여 스페이서와 전극 사이의 접촉 불량을 초래하였으며, 특히 접착층이 절연성인 경우에 접촉 불량은 더욱 심각하게 된다. 이와 같은 접촉 불량은 스페이서와 전극 사이의 접촉 저항 증가로 이어져 스페이서에 차징된 전하를 외부로 원활히 흘려줄 수 없는 문제점을 발생시킨다.

또한, 종래 전자 방출 표시 디바이스는 각각의 스페이서 설치시 접착층의 두께가 달라져 각 스페이서의 높이가 불균일해지는 문제점이 있다. 이는 진공 용기에 작용하는 압력이 각각의 스페이서에 균일하게 분배되지 못하는 문제점을 발생시킨다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 제1 기판 또는 제2 기판에 위치하는 전극과의 접촉 저항을 개선하고, 균일한 높이를 유지할 수 있는 스페이서 및 이를 구비한 전자 방출 표시 디바이스를 제공함에 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 스페이서는 본체 와, 이 본체의 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 일면에 형성되는 다수의 돌기를 포함하며 형성된다.

또한, 상기 스페이서는 전자 방출 표시 디바이스에 적용될 수 있으며, 이 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되는 제1 기판과 제2 기판을 포함하는 진공 용기와, 상기 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛과, 상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛 및 상기 진공 용기 내에 설치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간격을 유지시키는 스페이서를 포함하며, 상기 스페이서는 본체와, 상기 본체 중 상기 전자 방출 유닛 및 발광 유닛에 접하는 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 일면에 형성되는 다수의 돌기를 포함한다.

또한, 상기 돌기는 상기 본체와 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이때 스페이서는 상기 돌기의 형상을 따라 도전층을 더욱 포함할 수 있다.

또한, 상기 돌기는 도전성 재료로 형성될 수 있다.

또한, 상기 돌기는 전체적으로 일정한 높이로 형성될 수 있으며, 그 높이는 1 ~ 3 마이크로미터(㎛)일 수 있다.

또한, 상기 돌기는 원뿔형으로 형성될 수 있다.

또한, 상기 스페이서는 기둥형 또는 벽체형으로 형성될 수 있다.

또한, 상기 돌기 사이에는 절연성 접착층이 채워져 스페이서를 상기 제1 기판 또는 제2 기판에 형성된 구조물에 고정시킨다.

또한, 상기 전자 방출 유닛은 전자 방출부들과, 이 전자 방출부들을 제어하도록 서로 절연 상태를 유지하며 교차하도록 배치되는 캐소드 전극들 및 게이트 전 극들을 포함하고, 상기 발광 유닛은 형광층들과 이 형광층들 사이에 배치되는 흑색층을 포함할 수 있다.

또한, 상기 캐소드 전극들 및 상기 게이트 전극들 상부에는 집속 전극이 더욱 형성될 수 있고, 이때 상기 스페이서는 흑색층이 위치하는 영역에 배치되면서 상기 집속 전극과 접촉할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 스페이서를 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 1에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 1을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10^-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.

이 기판들 중 제1 기판(2)에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되는 전자 방출 유닛이 제공되고, 이 전자 방출 유닛은 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스를 구성한다. 전자 방출 디바이스는 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공되는 발광 유닛과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.

본 실시예에서는 일례로 FEA형 전자 방출 표시 디바이스에 적용되는 전자 방출 유닛(6)과 발광 유닛(8)의 구성을 도시하였다.

먼저 전자 방출 유닛(6)에 대해 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이 제1 기판(2) 위에는 전자 방출부(10)와, 이 전자 방출부(10)의 전자 방출량을 제어하는 구동 전극이 형성된다. 여기서, 구동 전극은 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)으로 구성된다.

캐소드 전극(12)은 제1 기판(2)의 일 방향(도 1에서 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있고, 캐소드 전극(12) 상부에는 제1 기판(2) 전체를 덮는 제1 절연층(16)이 형성된다. 이 제1 절연층(16) 위에는 게이트 전극(14)이 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향(도 2에서 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다.

그리고, 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)의 교차 영역마다 캐소드 전극(12) 위로 하나 이상의 전자 방출부(10)가 형성되고, 제1 절연층(16)과 게이트 전극(14)에는 각 전자 방출부(10)에 대응하는 개구부(161, 141)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(10)가 노출되도록 한다.

도면에서는 전자 방출부들(10)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(12)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(10)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않는다.

전자 방출부(10)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(10)로 사용 바람직한 물질로는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 풀러렌(C₆₀), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있다.

한편, 상기에서는 제1 절연층(16)을 사이에 두고 게이트 전극(14)이 캐소드 전극(12) 상부에 위치하는 구조를 설명하였으나, 그 반대의 경우, 즉 캐소드 전극이 게이트 전극의 상부에 위치하는 구조도 가능하다. 이 구조에서는 전자 방출부가 캐소드 전극의 일측면과 접촉하며 제1 절연층 위에 형성될 수 있다.

그리고, 게이트 전극(14)과 제1 절연층(16) 위에는 제2 절연층(18)과 집속 전극(20)이 순차적으로 형성된다. 제2 절연층(18)과 집속 전극(20) 역시 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(10)가 노출되도록 하는 각각의 개구부(181, 201)를 형성한다.

다음으로 발광 유닛(8)에 대해 살펴보면, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(22)과 더불어 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(24)이 형성되고, 형광층(22)과 흑색층(24) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(26)이 형성된다.

애노드 전극(26)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 애노드 전압을 인가받아 전자를 가속시키며, 형광층(22)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.

그리고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 다수의 스페이서(28)가 설치되어 양 기판(2, 4)의 간격을 일정하게 유지시킨다. 이 스페이서(28)는 도 2에 도시된 바와 같이, 벽체형으로 형성될 수 있다.

스페이서(28)는 도 2에 도시된 바와 같이, 본체(281)와 돌기(282)로 이루어지며, 돌기(282)는 본체(281) 중 전자 방출 유닛과 발광 유닛에 접하는 면, 즉 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 한 면에 형성된다. 이 돌기(282)는 본체(281)의 길이 방향을 따라 나란하게 배열될 수 있으나, 그 배열은 규칙적 배열뿐만 아니라 불규칙적인 배열일 수 있다. 다만, 돌기(282)는 본체(281)의 윗면 또는 아랫면에 골고루 분포되어야 할 것이다.

본체(281)는 유리(glass) 또는 세라믹으로 형성되고, 돌기(282)는 본체(281)에서 차징(charging)된 전하를 돌기(282)를 통하여 외부로 흘려줄 수 있도록 금속과 같은 도전성 재료로 형성될 수 있다.

또한, 돌기(282)는 제1 기판(2) 또는 제2 기판(2)에 형성된 전극과 균일한 접촉을 위해 전체적으로 일정한 높이를 갖도록 형성될 수 있으며, 이때 최대 높이(H)는 접착층의 높이를 고려하면 1 ~ 3 마이크로미터(㎛)로 형성하는 것이 바람직하다.

도전성 재료로 돌기를 형성하는 경우, 본체(281)의 윗면 또는 아랫면에 도전 층을 형성한 후 이 도전층을 물리적 또는 화학적 방법으로 가공하여 돌기를 형성할 수 있다. 물리적 방법으로는 다이아몬드 휠, 샌드블라스트, 레이저 가공 등이 있으며, 화학적 방법으로는 에칭 등이 있다.

그리고, 돌기(282)는 도 2에 도시된 바와 같이, 원뿔형일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 원 기둥형 또는 사각 기둥형 등과 같이 소정의 높이를 갖는 것이라면 다양한 형상으로 변형될 수 있다.

돌기가 기둥형으로 형성되는 경우, 단면이 원형인 경우의 지름은 10 마이크로미터(㎛)이하일 수 있으며, 단면이 사각형인 경우의 각 변의 길이는 10 마이크로미터(㎛)이하일 수 있다.

상기와 같이 본체(281)와 돌기(282)로 이루어진 스페이서(28)는 도 3에 도시된 바와 같이, 흑색층(24)이 위치하는 비발광 영역에 배치될 수 있다. 이때 본체(281)의 상부면에 형성된 돌기(282)는 애노드 전극(26)과 접촉하고, 본체(281)의 하부면에 형성된 돌기(282)는 집속 전극(20)과 접촉한다. 그리고, 돌기(282) 사이에는 일례로, 절연성 접착층(30)이 채워진다.

돌기(282)와 집속 전극(20) 또는 애노드 전극(26)과의 접촉 면적은 접촉 저항에 따라 돌기(282)의 형상을 변경시키면서 조절될 수 있다.

상기와 같은 구조를 갖는 돌기(282)는 제1 기판(2) 또는 제2 기판(4)에 형성되는 전극과 직접 접촉하여 스페이서(28)에 차징된 전하를 전극을 통하여 외부로 흘려줄 수 있어 스페이서(28)의 차징을 억제하고, 접착층의 두께에 따라 가변될 수 있는 스페이서(28)의 높이를 일정하게 유지시켜 준다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도로서, 본체(321)와 돌기(322)가 동일한 재료로 형성된 것을 보여준다. 도 4에 도시된 바와 같이, 돌기(322)는 본체(321)와 동일한 유리 또는 세라믹으로 형성될 수 있으며, 이때 스페이서(32)는 돌기(322)의 형상을 따라 도전층(323)을 더욱 구비할 수 있다. 도전층(323)은 스페이서(32)와 집속 전극(34)을 연결하여 스페이서(32)에 차징된 전하를 외부로 흘려보내는 역할을 한다.

돌기를 본체와 동일한 물질(예를 들면, 유리 또는 세라믹)로 형성하는 경우, 본체의 윗면 또는 아랫면을 다이아몬드 휠 등으로 가공하여 돌기를 형성할 수 있다.

지금까지 벽체형 스페이서에 대해서 살펴보았으나, 본 발명은 벽체형 스페이서뿐만 아니라 이와 다른 형상을 갖는 스페이서에도 적용될 수 있다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스페이서를 나타낸 사시도로서, 원기 둥 형상을 갖는 본체(361)와 이 본체(361)에 형성된 돌기(362)로 이루어진 스페이서(38)를 보여준다.

한편, 상기에서는 전자 방출부가 전계에 의해 전자를 방출하는 FEA형 전자 방출 표시 디바이스에 대해 설명하였으나, 본 발명은 FEA형 구조에 한정되지 않고, SCE형, MIM형 및 MIS형 등 그 이외의 다른 전자 방출 표시 디바이스에도 적용될 수 있다.

도 6은 SCE형 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도로서, 도시된 바와 같이 SCE형 전자 방출 표시 디바이스는 기판상에 제공되는 전자 방출 유닛을 제외한 그 이외의 구조는 FEA형 전자 방출 표시 디바이스와 같다.

도 6을 참고하면, 제1 기판(42) 위에는 제1 전극(44)과 제2 전극(46)이 소정의 간격을 두고 배치되고, 제1 전극(44)과 제2 전극(46)에는 각각 표면의 일부를 덮으면서 서로 근접하도록 제1 도전 박막(48)과 제2 도전 박막(50)이 형성된다. 그리고, 제1 도전 박막(48)과 제2 도전 박막(50) 사이에 이 도전 박막들과 연결되는 전자 방출부(52)가 형성되며, 전자 방출부(52)는 이 도전 박막들(48,50)을 통해 제1 전극(44) 및 제2 전극(46)과 전기적으로 연결된다.

상기 제1 전극(44)과 제2 전극(46)에 각각 전압이 인가되면, 제1 도전 박막(48)과 제2 도전 박막(50)을 통해 전자 방출부(52)의 표면과 수평한 방향으로 전류가 흐르면서 표면 전도형 전자 방출이 이루어지고, 방출된 전자는 애노드 전극(54)에 인가되는 전압에 이끌려 제2 기판(56)으로 향하면서 형광층(58)을 발광시킨다.

도 6에서 스페이서의 도시는 생략되었으나, 스페이서는 전술한 바와 같은 구조로 형성된다.

또한, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 스페이서에 돌기를 구비함으로써, 스페이서와 전극 간의 접촉 저항을 개선 하여 스페이서의 대전 현상을 억제하고, 스페이서의 높이를 일정하게 유지시켜 높이 불균일로 인하여 발생하는 문제점을 제거한다.

Claims (17)

1. 전자 방출 유닛이 제공되는 제1 기판과, 발광 유닛이 제공되는 제2 기판을 포함하는 진공 용기 내에 설치되어 진공의 내부 공간을 유지시키는 스페이서에 있어서,

   상기 스페이서는,

   본체와,

   상기 본체 중 상기 전자 방출 유닛 및 발광 유닛에 접하는 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 일면에 형성되는 다수의 돌기를 포함하는 스페이서.
2. 제1항에 있어서,

   상기 돌기가 도전성 재료로 형성되는 스페이서.
3. 제1항에 있어서,

   상기 돌기가 1 ~ 3 ㎛의 높이를 갖는 스페이서.
4. 서로 대향 배치되는 제1 기판과 제2 기판을 포함하는 진공 용기와;

   상기 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛과;

   상기 제2 기판에 제공되는 발광 유닛; 및

   상기 진공 용기 내에 설치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 간격을 유 지시키는 스페이서를 포함하며,

   상기 스페이서는 본체와, 상기 본체 중 상기 전자 방출 유닛 및 발광 유닛에 접하는 윗면과 아랫면 중 적어도 어느 일면에 형성되는 다수의 돌기를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
5. 제4항에 있어서,

   상기 돌기가 상기 본체와 동일한 물질로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
6. 제5항에 있어서,

   상기 돌기의 형상을 따라 도전층이 더욱 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
7. 제4항에 있어서,

   상기 돌기가 도전성 재료로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
8. 제4항에 있어서,

   상기 돌기가 전체적으로 일정한 높이로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
9. 제4항에 있어서,

   상기 돌기가 1 ~ 3 ㎛의 높이를 갖는 전자 방출 표시 디바이스.
10. 제4항에 있어서,

    상기 돌기가 원뿔형으로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
11. 제4항에 있어서,

    상기 돌기의 단면이 원형이며, 그 단면 지름이 10 ㎛이하인 전자 방출 표시 디바이스.
12. 제4항에 있어서,

    상기 돌기의 단면이 사각형이며, 그 단면의 각 변의 길이가 10 ㎛이하인 전자 방출 표시 디바이스.
13. 제4항에 있어서,

    상기 스페이서가 기둥형 또는 벽체형으로 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
14. 제4항에 있어서,

    상기 전자 방출 유닛은 전자 방출부들과, 이 전자 방출부들을 제어하도록 서로 절연 상태를 유지하며 교차하도록 배치되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들을 포함하고,

    상기 발광 유닛은 형광층들과 이 형광층들 사이에 배치되는 흑색층을 포함하 는 전자 방출 표시 디바이스.
15. 제14항에 있어서,

    상기 캐소드 전극들 및 상기 게이트 전극들 상부에 집속 전극이 더욱 형성되고,

    상기 스페이서는 상기 흑색층이 위치하는 영역에 배치되면서 상기 집속 전극과 접촉하는 전자 방출 표시 디바이스.
16. 제15항에 있어서,

    상기 돌기 사이에 절연성 접착층이 채워지는 전자 방출 표시 디바이스.
17. 제14항에 있어서,

    상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 플러렌(C₆₀) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.

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