KR20070103902A - 전자 방출 표시 디바이스 - Google Patents

전자 방출 표시 디바이스 Download PDF

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KR20070103902A
KR20070103902A KR1020060035823A KR20060035823A KR20070103902A KR 20070103902 A KR20070103902 A KR 20070103902A KR 1020060035823 A KR1020060035823 A KR 1020060035823A KR 20060035823 A KR20060035823 A KR 20060035823A KR 20070103902 A KR20070103902 A KR 20070103902A
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장동수
선형래
이재훈
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판과 함께 진공 용기를 구성하는 사이드 부재, 상기 제1 기판에 형성되며 전자 방출부와 이 전자 방출부를 제어하는 구동전극을 포함하는 전자 방출 소자 및 상기 제2 기판에 형성되며 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광 유닛을 포함하고, 상기 구동 전극은 상기 진공 용기의 사이드 부재를 가로지르면서 상기 진공 용기 외부로 인출되며, 상기 사이드 부재와 교차하는 부위에서 상기 구동 전극 사이의 간격을 G라 할 때, 상기 구동 전극 사이의 간격은 하기 조건을 만족한다.
G ≥ 100 ㎛
전자방출, 리크, 사이드부재, 구동전극, 간격

Description

전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 개략적으로 나타낸 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 캐소드 전극의 부분 평면도이다.
도 5는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 기준으로 절개한 제1 기판, 사이드 부재 및 캐소드 전극의 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 게이트 전극의 부분 평면도이다.
본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자 방출부를 제어하는 구동 전극에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방 식으로 분류될 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; 이하 'FEA'라 함)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; 이하 'SCE'라 함)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; 이하 'MIM'이라 함)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; 이하 'MIS'라 함)형 등이 알려져 있다.
상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속/절연층/금속(MIM)과 금속/절연층/반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 절연층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때, 금속이나 반도체로부터 공급되는 전자가 터널링(tunneling) 현상에 의하여 절연층을 통과하여 상부 금속에 도달하고, 도달한 전자 중 상부 금속의 일함수(work function) 이상의 에너지를 가지는 전자가 상부 전극으로부터 방출되는 원리를 이용한다.
상기 SCE형 전자 방출 소자는 일 기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1 전극과 제2 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 이 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성하며, 양 전극에 전압을 인가하여 도전 박막의 표면으로 전류가 흐를 때 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
상기 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
한편, 전자 방출 소자는 일 기판(이하, '제1 기판'이라 함)에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판(이하, '제2 기판'이라 함)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.
상기한 전자 방출 표시 디바이스에서 구동 전극인 캐소드 전극들과 게이트 전극들은 구동 회로부로부터 구동 전압을 인가받기 위해 제1 기판과 제2 기판으로 이루어진 진공 용기 외부로 인출된다. 즉, 캐소드 전극들과 게이트 전극들은 화소별 전자 방출 제어를 위해 전자 방출부가 위치하는 유효 영역으로부터 그 일단이 진공 용기의 실링부를 관통하여 제1 기판 가장자리의 패드 영역으로 인출된다.
그리고, 외부로 인출된 캐소드 전극들과 게이트 전극들은 상기 패드 영역에서 연성 인쇄회로(Flexible Printed Circuit; FPC)와 같은 접속 부재에 의해 주사 구동부 또는 데이터 구동부와 전기적으로 연결되어 이로부터 주사 구동 전압 또는 데이터 구동 전압을 인가받는다.
그런데, 종래 전자 방출 표시 디바이스에서 캐소드 전극들과 게이트 전극들을 실링부를 관통하여 외부로 인출하는 경우, 실링부에는 이 전극들로 인하여 단차(step)가 형성되고, 이러한 단차는 실링을 취약하게 하여 실링부에서 리크를 발 생시킬 확률을 증가시킨다. 이와 같은 문제는 실링부를 관통하는 부위의 구동 전극들 간의 간격이 작아지는 경우 더욱 심각해진다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공 용기의 실링부에서의 리크를 최소화할 수 있는 구동 전극 사이의 간격을 확보하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공함에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판과 함께 진공 용기를 구성하는 사이드 부재, 상기 제1 기판에 형성되며 전자 방출부와 이 전자 방출부를 제어하는 구동전극을 포함하는 전자 방출 소자 및 상기 제2 기판에 형성되며 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광 유닛을 포함한다. 여기서, 상기 구동 전극은 상기 진공 용기의 사이드 부재를 가로지르면서 상기 진공 용기 외부로 인출되고, 상기 사이드 부재와 교차하는 부위에서 상기 구동 전극 사이의 간격을 G라 할 때, 상기 구동 전극 사이의 간격은 하기 조건을 만족한다.
G ≥ 100 ㎛
또한, 상기 구동 전극은 상기 진공 용기 내부의 유효 영역에 위치하는 유효부, 상기 진공 용기 외부에 위치하여 구동 회로부로부터 전압을 인가받는 단자부 및 상기 유효부와 단자부를 연결하는 리드부로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 유효부와 단자부는 각각 일정한 피치를 가지면서 배치될 수 있 다.
또한, 상기 단자부의 피치는 상기 유효부의 피치보다 작게 형성될 수 있다.
또한, 상기 구동 전극과 사이드 부재는 서로 프릿으로 접합될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판과 함께 진공 용기를 구성하는 사이드 부재, 상기 제1 기판에 형성되며 절연층을 사이에 두고 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극 및 게이트 전극, 상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부, 상기 제2 기판 중 상기 제1 기판과 대향하는 일면에 형성되는 형광층 및 상기 형광층의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 상기 캐소드 전극 및 게이트 전극은 각각 상기 사이드 부재를 가로지르면서 상기 진공 용기 외부로 인출되고, 상기 사이드 부재와 교차하는 부위에서 상기 캐소드 전극 사이의 간격 및 상기 게이트 전극 사이의 간격은 각각 100 ㎛ 이상 형성된다.
또한, 상기 캐소드 전극 및 게이트 전극 상부에는 이들과 절연되어 위치하는 집속 전극이 더욱 형성될 수 있다.
또한, 상기 전자 방출부는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 플러렌(C60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 개략적으로 나타낸 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2) 및 제2 기판(4)과, 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에 위치하여 두 기판을 상호 접합시키는 사이드 부재(6)로 이루어진 진공 용기를 포함한다. 진공 용기 내부는 대략 10-6 torr의 진공도로 유지된다.
상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(4)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성한다. 전자 방출 디바이스(100)는 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공된 발광 유닛(110, 도 2에 도시됨)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(200)를 구성한다.
상기 전자 방출 표시 디바이스에서, 전자 방출 소자의 일 구성 요소인 구동 전극들(8)은 외부로부터 전압을 인가받기 위해 사이드 부재(6)를 관통하여 제1 기판(2)의 일측 가장자리인 패드 영역으로 인출된다. 이에 대해서는 후술하기로 한다.
도 2 및 도 3에서는 일례로, 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 소자로 이 루어진 전자 방출 표시 디바이스의 구성을 도시하였다.
먼저, 제1 기판(2) 위에는 구동 전극(8)인 캐소드 전극들(10)이 제1 기판(2)의 일 방향(도 2에서 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(10)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(12)이 형성된다. 제1 절연층(12) 위에는 다른 구동 전극(8)으로 게이트 전극들(14)이 캐소드 전극(10)과 직교하는 방향(도 2에서 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.
상기 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(14)의 교차 영역이 단위 화소(sub-pixel)를 이룰 수 있으며, 캐소드 전극들(10) 위로 각 단위 화소마다 전자 방출부들(16)이 형성된다. 그리고 제1 절연층(12)과 게이트 전극들(14)에는 각 전자 방출부(16)에 대응하는 개구부(122, 142)가 각각 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(16)가 노출되도록 한다.
전자 방출부(16)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(16)는 탄소 나노튜브(CNT), 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소(DLC), 플러렌(C60), 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.
다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.
전자 방출부들(16)은 각 단위 화소에서 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(14) 중 어느 한 전극, 일례로 캐소드 전극(10)의 길이 방향을 따라 일렬로 위치할 수 있으며, 원형의 평면 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 단위 화소별 전자 방출부들(16)의 배열과 전자 방출부(16)의 평면 형상은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
또한, 상기에서는 제1 절연층(12)을 사이에 두고 게이트 전극들(14)이 캐소드 전극들(10) 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 구조도 가능하며, 이 경우 전자 방출부들은 제1 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 형성될 수 있다.
그리고 게이트 전극들(14)과 제1 절연층(12) 위로 집속 전극(18)이 형성된다. 집속 전극(18) 하부에는 제2 절연층(20)이 위치하여 게이트 전극들(14)과 집속 전극(18)을 절연시키고, 집속 전극(18)과 제2 절연층(20)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(182, 202)가 각각 마련된다.
집속 전극(18)의 개구부(182)는 단위 화소마다 하나씩 형성되어 집속 전극(18)이 하나의 단위 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하거나, 각 게이트 전극(14) 개구부(142)마다 하나씩 형성되어 각 전자 방출부(16)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속할 수 있다. 도면에서는 일례로 전자(前者)의 경우를 도시하였다.
다음으로 발광 유닛(110)에 대해 살펴보면, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(22), 일례로 적색, 녹색 및 청색의 형광층들(22R, 22G, 22B)이 서로간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(22) 사이로 화면의 콘트라 스트 향상을 위한 흑색층(24)이 형성된다. 형광층(22)은 제1 기판(2)에 설정된 단위 화소마다 하나의 형광층(22)이 대응하도록 배치될 수 있다.
그리고 형광층(22)과 흑색층(24)의 일면에는 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(26)이 형성된다. 애노드 전극(26)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(22)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(22)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.
한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(4)을 향한 형광층(22)과 흑색층(24)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극은 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 사용하는 구조도 가능하다.
그리고, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 복수의 스페이서들(28)이 배치된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 캐소드 전극의 부분 평면도이고, 도 5는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 기준으로 절개한 제1 기판, 사이드 부재 및 캐소드 전극의 부분 단면도이다.
도 4를 참고하면, 캐소드 전극(10)은 진공 용기 내부의 표시 영역인 유효 영역에 위치하며 P1의 전극 피치(이웃한 두 전극의 중심간 거리)를 가지는 유효부(102), 진공 용기 외부에 위치하여 구동 회로부(도시되지 않음)로부터 전압을 인가받으며 P2의 전극 피치를 가지는 단자부(104) 및 상기 유효부(102)와 단자 부(104)를 연결하는 리드부(106)로 이루어진다. 상기 구성의 캐소드 전극들(10)은 도면의 x축 방향을 따라 동일한 형상으로 반복하여 배치된다. 일례로, P2의 전극 피치는 P1의 전극 피치보다 작게 형성될 수 있다. 도 4에서 유효부(102), 단자부(104) 및 리드부(106)는 점선으로 구분하였다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 사이드 부재(6)와 교차하는 부위에서 캐소드 전극(10) 사이의 간격(G1)을 100 ㎛ 이상 유지한다. (G1 ≥ 100 ㎛)
여기서, 캐소드 전극(10) 사이의 간격(G1)은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 두 전극에서 서로 대향하는 측면 간의 거리를 의미한다.
캐소드 전극(10)과 사이드 부재(6)의 교차 부위는 단자부(104) 또는 리드부(106) 영역에서 형성될 수 있으며, 캐소드 전극(10)과 사이드 부재(6) 사이에는 프릿(도시되지 않음)이 부가되어 이들을 접합시킬 수 있다.
이와 같이, 캐소드 전극(10) 사이의 간격(G1)을 100 ㎛ 이상 유지하는 이유는 다음과 같다.
도 5를 참고하면, 캐소드 전극(10)은 일 방향으로 서로 간의 간격(G1)을 유지하면서 배치되는데, 캐소드 전극(10)은 소정 두께(t)를 가지므로 캐소드 전극(10)이 위치하는 부위와 캐소드 전극이 위치하지 않는 부위 간에 단차(step)를 형성시킨다. 캐소드 전극(10) 사이의 간격(G1)이 100 ㎛ 미만이 되면, 상기와 같은 단차로 인하여 전극 사이에 프릿이 충분히 스며들지 못하고, 그 부위에 틈새 등이 생겨 리크(leak)가 발생할 수 있기 때문이다.
아래 표 1은 캐소드 전극 사이의 간격에 따른 리크율을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
전극 사이의 간격(㎛) 리크율(atm·㏄/sec) 리크 발생 유무
제1 비교예 80 10-4 유(有)
제1 실시예 105 10-10 무(無)
제2 실시예 250 10-10 무(無)
표 1을 참고하면, 100 ㎛ 이상의 전극 사이의 간격을 갖는 제1,2 실시예에서의 리크율이 100 ㎛ 미만의 전극 사이의 간격을 갖는 제1 비교예의 리크율 보다 현저히 작은 것(약 106배)을 확인할 수 있다.
상기에서는 캐소드 전극에 대해서 살펴보았으나, 본 발명은 게이트 전극에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 게이트 전극의 부분 평면도이다.
도 6을 참고하면, 게이트 전극(14)은 진공 용기 내부의 표시 영역인 유효 영역에 위치하며 P3의 전극 피치(이웃한 두 전극의 중심간 거리)를 가지는 유효부(144), 진공 용기 외부에 위치하여 구동 회로부(도시되지 않음)로부터 전압을 인가받으며 P4의 전극 피치를 가지는 단자부(146) 및 상기 유효부(144)와 단자부(146)를 연결하는 리드부(148)로 이루어진다. 상기 구성의 게이트 전극들(14)은 도면의 y축 방향을 따라 동일한 형상으로 반복하여 배치된다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 사이드 부재(6)와 교차하는 부위에서 게이트 전극(14) 사이의 간격(G2)을 100 ㎛ 이상 유지한다. (G2 ≥ 100 ㎛)
이와 같은 간격을 유지하는 이유는 상기 캐소드 전극에서 설명한 바와 같으므로 생략한다.
상기에서는 전계를 이용해 전자를 방출하는 FEA형에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 FEA형에 한정되지 않으며, SCE형, MIM형, MIS형에도 적용될 수 있다. 즉, 본 발명은 구동 전극을 구비하여 진공 용기 외부로 이들을 인출하는 구조를 갖는 다른 전자 방출 표시 디바이스 모두에 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 진공 용기 외부로 인출되는 전극 사이의 간격을 100 ㎛ 이상 유지함으로써, 진공 용기의 실링부에서 리크 발생을 최소화하여 진공 용기 내부의 진공도를 개선하여 보다 안정된 구동 특성을 확보할 수 있다.

Claims (8)

  1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판과 함께 진공 용기를 구성하는 사이드 부재;
    상기 제1 기판에 형성되며, 전자 방출부와 이 전자 방출부를 제어하는 구동전극을 포함하는 전자 방출 소자; 및
    상기 제2 기판에 형성되며, 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광 유닛;
    을 포함하고,
    상기 구동 전극은 상기 진공 용기의 사이드 부재를 가로지르면서 상기 진공 용기 외부로 인출되며,
    상기 사이드 부재와 교차하는 부위에서 상기 구동 전극 사이의 간격을 G라 할 때, 하기 조건을 만족하는 전자 방출 표시 디바이스.
    G ≥ 100 ㎛
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동 전극은 상기 진공 용기 내부의 유효 영역에 위치하는 유효부, 상기 진공 용기 외부에 위치하여 구동 회로부로부터 전압을 인가받는 단자부 및 상기 유효부와 단자부를 연결하는 리드부로 이루어지는 전자 방출 표시 디바이스.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유효부와 단자부가 각각 일정한 피치를 가지면서 배치되는 전자 방출 표시 디바이스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 단자부의 피치가 상기 유효부의 피치보다 작게 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 구동 전극과 사이드 부재가 서로 프릿으로 접합되는 전자 방출 표시 디바이스.
  6. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판과 함께 진공 용기를 구성하는 사이드 부재;
    상기 제1 기판에 형성되며, 절연층을 사이에 두고 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극 및 게이트 전극;
    상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부;
    상기 제2 기판 중 상기 제1 기판과 대향하는 일면에 형성되는 형광층; 및
    상기 형광층의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,
    상기 캐소드 전극 및 게이트 전극이 각각 상기 사이드 부재를 가로지르면서 상기 진공 용기 외부로 인출되고,
    상기 사이드 부재와 교차하는 부위에서 상기 캐소드 전극 사이의 간격 및 상기 게이트 전극 사이의 간격이 각각 100 ㎛ 이상 형성되는 전자 방출 표시 디바이스.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 캐소드 전극 및 게이트 전극 상부에 이들과 절연되어 위치하는 집속 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 플러렌(C60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
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