KR20070042617A - 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 형성된 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역을 제외한 영역에 보호막을 형성하고, 상기 보호막이 형성되지 않은 영역을 스크라이빙한 후, 브레이킹 하여 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역에만 스크라이빙이 수행되므로 스크라이빙이 최소화되고, 복수의 반도체 레이저 다이오드들이 결정면을 따라 분리되므로 양질의 거울면을 얻을 수 있으며, 상기 에지 일부 영역을 제외한 영역은 보호막으로 보호되므로 스크라이빙 공정 중에 발생하는 분말(Particle) 등에 의한 오염을 최소화 할 수 있게 된다.
스크라이빙, 브레이킹, 에지 모드, 연속 모드, 벽개면, 마일라

Description

반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법{ Method for fabricating a mirror facet of semiconductor laser diode }
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 질화물 반도체 레이저 다이오드의 개략적인 제조 공정 단면도.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 일 실시예를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 일 실시예에 있어서, 스크라이빙 공정을 수행한 상태를 전면에서 바라본 도면.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 다른 실시예를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 다른 실시예에 있어서, 스크라이빙 공정을 수행한 상태를 전면에서 바라본 도면.
도 6은 본 발명에 있어서 스킵 스크라이빙 공정을 수행한 상태를 나타낸 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : GaN 기판 110 : 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층
120 : 마일라 커버
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로서, 특히 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법에 관한 것이다.
질화물(Nitrides)계 반도체 레이저 다이오드는 대용량 정보 저장장치와 칼라 프린터에 적용하기 위하여 개발 및 시판되고 있고, 최근에 이것을 이용한 여러 가지 새로운 응용들이 시도되고 있다.
대용량 정보 저장장치와 칼라 프린터에 응용을 하기 위해서 질화물계 반도체 레이저 다이오드는 낮은 임계 전류(Threshold Current : Ith)와 높은 외부 양자 효율(External Quantum Efficiency : ηex)이 요구되어 진다.
한편, 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 반도체 레이저 다이오드의 미러(Mirror)면의 상태는 위에서 언급한 임계 전류(Ith)와 외부 양자 효율(ηex)에 매우 중요한 역할을 한다.
반도체 레이저 다이오드에서 상기 미러면은 스크라이빙(Scribing) 공정을 통해 얻어지므로, 양호한 미러면을 얻기 위해서는 스크라이빙 공정이 매우 중요하게 된다.
일반적으로 미러면으로는 기판과 에피층의 단결정 벽개면(Cleavage Facet)을 사용하게 되는데, 결정면이 에피층의 결정면과 일치하는 동종기판을 사용하는 GaAs 계, Si계, InP계 등의 반도체 레이저 다이오드는 대부분의 경우 에지 스크라이빙(Edge Scribing) 및 브레이킹(Breaking)을 통하여 양질의 자연 벽개면을 얻을수 있다.
그러나, 결정면이 에피층의 결정면과 일치하지 않는 이종기판을 사용하는 경우에는 상기의 자연 벽개면 형성이 어려워지며, 특히 사파이어 기판 상부에 GaN계 에피층이 적층된 경우, 상기 사파이어 기판과 GaN계 에피층의 결정면은 30˚어긋나있으므로 일반적인 방법으로는 벽개면을 형성하기가 힘들다.
또한, 사파이어 기판과 GaN계 에피층의 격자 상수 및 열팽창 계수는 차이가 많이 나기 때문에 상기 사파이어 기판이 휘어지는 현상이 발생하며, 이로 인해 발생하는 응력(stress) 역시 반도체 레이저 다이오드의 미러면 형성시 장애로 작용한다.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 질화물 반도체 레이저 다이오드의 개략적인 제조 공정 단면도이다. 먼저 사파이어 기판(10)을 준비하고(도 1a), 상기 사파이어 기판(10) 일면의 상부에 (In, Al)GaN층이 적층되어 이루어진 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)을 성장시킨다(도 1b).
그 후, 상기 사파이어 기판(10)의 일부를 래핑(Lapping) 또는 폴리싱(Polishing) 공정과 같은 연마 공정으로 제거한다(도 1c).
여기서, 도 1b의 사파이어 기판(10)은 연마 공정을 수행하기 전의 두께(d1)에서, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 연마 공정을 수행한 후의 두께(d2)로 줄어들게 된다.
이어서, 상기 연마된 사파이어 기판(11) 면을 따라 스크라이빙 공정을 수행하여 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)을 각각의 개별 반도체 레이저 다이오드(21)(22)(23)(24)(25)(26)로 분리시킨다(도 1d).
여기서, 상기 사파이어 기판(10) 상부에 성장시킨 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)은 GaN계 반도체로 이루어진 층이 적층된 에피층으로서, 상기 사파이어(Al2O3)는 격자 상수가 a:4.758(Å)이고, c:12.991(Å)이며, 열팽창 계수는 a:7.5(×10-6/K)이고, c:8.5(×10-6/K)인데 반하여, 상기 GaN은 격자 상수가 a:3.189(Å)이고, c:5.185(Å)이며, 열팽창 계수는 a:5.59(×10-6/K)이고, c:3.17(×10-6/K)이다.
이와 같이, 상기 사파이어와 GaN는 격자 상수(16.02 %) 및 열팽창 계수(35.5 %)의 차이가 많이나기 때문에, 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)이 형성된 후에, 사파이어 기판(10)이 휘어지는 현상이 발생한다.
상기 사파이어 기판(10)의 휘어짐은 상기 연마 공정 중에 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)과 사파이어 기판(10) 간에 스트레스(Stress)를 유발시키며, 상기 사파이어 기판(10)을 전부 제거하면 휘어짐으로 인하여 적층 에피층에 손상을 주게 되므로, 연마 공정시 사파이어 기판(10)의 두께를 60 ~ 120 ㎛ 정도 남겨두고 종료한다.
그런데, 상기 사파이어 기판(10)과 적층된 에피층의 벽개면(Facet)은 방향성에 차이가 있어 연마 공정 후, 남아있는 사파이어 기판(11)을 개별 소자로 분리하기 위한 스크라이빙 공정을 어렵게 만들고, 이로 인한 스트레스로 분리된 소자의 벽개면이 깨어지거나 크랙(Crack)이 형성되는 등 특성이 저하되는 문제점이 발생한다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, GaN 기판을 사용하여 질화물 반도체 결정을 성장시키고자 하는 연구가 진행되었는데, GaN 기판을 사용하는 경우 상기 질화물 반도체와 재료가 동일하기 때문에 격자 부정합이 없이 양질의 결정이 성장될 수 있게 된다.
그리고, 상기 GaN 기판의 경우 벽개성을 가지므로 기존의 GaAs계 반도체 레이저 다이오드와 같이, 에지 스크라이빙(Edge Scribing) 및 브레이킹(Breaking)을 통하여 양질의 자연 벽개면을 얻을수 있다.
그런데, 기존의 GaAs계 반도체 레이저 다이오드에서 에지 스크라이빙을 하는데 사용하는 스크라이버(Scriber)는 힘이 부족하여 GaN 기판에 적용하기 어렵다는 문제점이 있다.
한편, 기존의 사파이어 기판에 사용하는 스크라이버는 GaAs 기판에 사용하는 스크라이버보다 강력하기는 하나 에지 모드(Edge Mode)가 아닌 연속 모드(Continuous Mode)로 사용되는 것이므로 에지 스크라이빙 및 브레이킹 공정을 수행하는데 적합하지 않다는 문제점이 있다.
즉, 사파이어 기판은 벽개성이 없어 연속 모드로 여러 번 반복 스크라이빙하 여 별개의 칩으로 분리하였기 때문에, 에지 스크라이빙 및 브레이킹 공정을 통하여 칩을 분리하는데는 적합하지 않게 된다.
따라서, GaN 기판을 에지 스크라이빙 및 브레이킹을 통하여 분할하는데 있어서, 기존의 장비 특히, 사파이어 기판용 스크라이버 및 GaAs 기판용 브레이커를 활용하는 방안이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역을 제외한 영역에 보호막을 형성하고, 상기 보호막이 형성되지 않은 영역을 스크라이빙한 후 브레이킹함으로써, 상기 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드들을 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하여, 양질의 거울면을 구현하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 실시예는, 기판 상에 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성하는 단계와, 상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지(Edge)의 일부 영역을 제외한 영역에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막이 형성되지 않은 에지의 일부 영역에 상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하기 위한 스크라이빙을 수행하는 단계와, 상기 기판의 이면에 브레이킹 공정을 수행하여 상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법에 대해 상세히 설명한다. 도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 일 실시예를 나타낸 도면이다.
이에 도시된 바와 같이, 먼저 GaN 기판(100)을 준비한다(도 2a).
여기서, GaN는 융액을 할 수 없기 때문에 액상 성장은 할 수 없다. 즉, 웨이퍼로서 반도체 제조 공정에 이용되기 위해서는 직경이 2 인치 이상인 결정이 필요한데, 이러한 대형 결정을 성장시키는 데는 쵸크랄스키법(Czochralski Method), 브리지맨법(Bridgeman Method) 등이 사용되며, 모두 원료 융액으로부터 고체를 응고시켜 결정을 성장시킨다.
그러나, 상기 GaN은 가열하는 것만으로는 융액으로 되지 않으며 승화해서 기체로 되어 버린다. 따라서, 박막을 성장시키는 기상 성장법을 이용하여 기판의 상부에 GaN 막을 두껍게 형성한 후, 기판을 제거함으로써 GaN의 자립막 결정을 얻는 방법이 이용된다.
예를 들면, GaAs 기판 상에 복수개의 스트라이프창 또는 원형창을 가지는 마스크를 형성하고, 그 상부에 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 또는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 기상 성장법을 이용하여 GaN을 래터럴(Lateral)성장 시킨후, GaAs 기판을 제거하여 GaN 기판을 얻는다.
그리고, 위에서 언급된 방법에 의해 제조된 GaN 기판을 씨결정으로 하여 그 상부에 GaN 결정을 성장시킴으로써 GaN 잉곳(Ingot)을 제작하고, 상기 제작된 GaN 잉곳을 얇게 절단해서 GaN 기판을 얻을 수도 있다.
다음으로, 상기 GaN 기판(100) 상부에 질화물계 반도체층들이 적층되어 이루어진 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110)을 형성한다(도 2b).
여기서, 스크라이빙(Scribing) 및 브레이킹(Breaking) 공정을 보다 용이하게 수행하기 위해서, 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정과 같은 연마공정을 통하여 상기 GaN 기판(100)의 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110)이 형성되지 않은 이면의 두께를 감소시킬 수 있다.
즉, 본래 GaN 기판(100)의 두께는 200 ~ 300㎛ 정도이나, 상기 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정과 같은 연마 공정을 수행한 후의 GaN 기판의 두께는 60 ~ 120㎛ 정도가 된다.
상기 래핑 공정으로 인하여 GaN 기판(100)의 표면 거칠기(Surface Roughness)는 원하는 표면 거칠기 이상으로 거칠어진 상태가 되는데, 폴리싱 공정을 연속적으로 수행하여 상기 래핑 공정으로 인해 거칠어진 GaN 기판(100)의 표면 거칠기를 향상시킨다.
그 후, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110) 상부의 에지 의 일부 영역을 제외한 영역에 마일라 커버(Mylar Cover)(120)를 형성한다(도 2c).
즉, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110) 상부에 에지 스크라이빙(Edge Scribing)을 수행할 영역은 노출시키고, 그 이외의 영역은 상기 마일 라 커버(120)로 보호한다.
이어서, 상기 마일라 커버(120)가 형성되지 않은 에지의 일부 영역에 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110)을 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하기 위한 스크라이빙 공정을 수행한다(도 2d).
여기서 사용되는 스크라이버(Scriber)는 사파이어 기판용 스크라이버로서, 보통 다이아몬드 스크라이버가 사용되며, 상기 다이아몬드 스크라이버를 이용하여 연속 모드(Continuous Mode)로 스크라이빙 공정을 수행한다.
그러나, 상기 마일라 커버(120)가 형성된 영역은 상기 마일라 커버(120)에 의해 보호되어 홈(Nick)이 형성되지 않으며, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110) 상부의 노출된 영역에만 홈이 생기게 된다.
이와 같이, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110) 상부의 에지의 일부 영역을 제외한 영역에 마일라 커버(120)를 형성한 후, 스크라이빙 공정을 수행하면 사파이어 기판용 스크라이버로 에지 스크라이빙을 수행할 수 있게 된다.
다음으로, 상기 GaN 기판(100)의 이면에 브레이킹(Breaking) 공정을 수행하여 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(120)을 각각 별개의 반도체 레이저 다이오드(131)(132)(133)(134)로 분리한다(도 2e).
여기서, 상기 브레이킹 공정에 사용되는 브레이커(Breaker)로는 기존의 GaAs 용 브레이커를 이용할 수 있으며, 상기 에지 스크라이빙이 행해진 영역과 대응되는 위치의 GaN 기판(100) 이면에 브레이킹 공정을 수행한다.
이때, 상기 브레이커와 상기 GaN 기판(100) 사이에 마일라 커버를 추가적으로 형성한 후 브레이킹 공정을 수행하면, GaN 기판(100)의 손상없이 브레이킹 공정을 원활히 수행할 수 있게 된다.
상기 브레이킹 공정을 수행한 후, 상기 마일라 커버(120)를 제거하면 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(120)이 각각 별개의 반도체 레이저 다이오드(131)(132)(133)(134)로 분리된다.
본 발명에 따르면, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110) 상부의 에지의 일부 영역에만 스크라이빙이 수행되어 스크라이빙이 최소화되고, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(110)이 결정면을 따라 분리되므로 양질의 거울면을 얻을 수 있다.
그리고, 상기 에지의 일부 영역을 제외한 영역은 마일라 커버(120)로 보호되므로 스크라이빙 공정 중에 발생하는 분말(Particle) 등에 의한 오염을 최소화 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 일 실시예에 있어서, 스크라이빙 공정을 수행한 상태를 전면에서 바라본 도면이다.
이에 도시된 바와 같이, 마일라 커버(120)가 형성되지 않은 복수의 반도체 레이저 다이오드의 에피층(110)의 에지의 일부 영역에만 홈(Nick)(141)이 형성되며, 이를 통해 결정면을 따라 크랙(Crack)(143)이 전달(Propagation)됨을 알 수 있다.
일반적으로 크랙 전파(Crack Propagation)에는 Transverse Mode와 Longitudinal Mode가 있는데, 상기 Transverse Mode는 사파이어 기판을 사용하는 경우 그 뒷면에 연속 모드로 스크라이빙을 수행할 때 발생하는 크랙 전파 모델로서, 본 발명에서와 같이 표면에 소자 구조가 있어 충격을 가할 수 없는 경우 상대적으로 좋은 단면을 얻기가 힘들다.
상기 Longitudinal Mode는 표면에 에지 또는 스킵(Skip) 모드로 스크라이빙을 수행하고 뒷면에 충격을 가했을 때 발생하는 크랙 전파 모델로서, 중요 부위에는 스크라이빙을 실시하지 않음으로써 단면이 자연 벽개면 형태로 구현되며 흠없고 깨끗한 상태가 된다.
한편, 마일라 커버(120)를 복수의 반도체 레이저 다이오드의 에피층(110)의 에지의 일부 영역에 형성할 때, GaN 기판(100)의 하부에 블루 테이프(150)를 형성하고, 상기 마일라 커버(120)를 상기 블루 테이프(150)에 붙임으로써, 스크라이빙 공정시 상기 마일라 커버(120)를 고정시킨다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 2는 다이아몬드 스크라이버를 사용하는 경우를 나타낸 것이나, 여기서는 레이저를 이용하여 스크라이빙하는 경우를 나타내었다. 따라서, 공정 순서는 도 2의 경우와 유사하다.
즉, 먼저 GaN 기판(200)을 준비하고(도 4a), 상기 GaN 기판(200) 상부에 질화물계 반도체층들이 적층되어 이루어진 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피 층(210)을 형성한다(도 4b).
다음으로, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(210) 상부의 에지의 일부 영역을 제외한 영역에 보호막(220)을 형성한다(도 4c).
그 후, 상기 보호막(220)이 형성되지 않은 에지의 일부 영역에 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(210)을 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하기 위한 스크라이빙 공정을 수행한다(도 4d).
여기서는 레이저를 이용하여 연속 모드(Continuous Mode)로 스크라이빙 공정을 수행한다. 그러나, 상기 보호막(220)이 형성된 영역은 상기 보호막(220)에 의해 보호되어 홈(Nick)이 형성되지 않으며, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(210) 상부의 노출된 영역에만 홈(Nick)이 생기게 된다.
즉, 상기 보호막(220)은 레이저를 반사시키기 위한 막으로서 고 반사율을 가져야 하는데, 상기 보호막(220)은 저 굴절율을 가지는 막과 고 굴절율을 가지는 막을 반복해서 증착함으로써 형성한다.
예를 들면, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(210) 상부의 에지의 일부 영역을 제외한 영역에 저 굴절율을 갖는 막으로서 Al2O3를, 고 굴절율을 가지는 막으로서 TiO2를 반복하여 적층함으로써, 반사율이 90 % 이상이 되는 보호막을 형성한다.
이와 같이, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(210) 상부의 에지의 일부 영역을 제외한 영역에 보호막(220)을 형성한 후, 스크라이빙 공정을 수 행하면 상기 보호막(220)이 형성되지 않고 노출된 영역에만 스크라이빙이 이루어지므로 에지 스크라이빙을 구현할 수 있게 된다.
이어서, 상기 GaN 기판(200)의 이면에 브레이킹(Breaking) 공정을 수행하여 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(220)을 각각 별개의 반도체 레이저 다이오드(231)(232)(233)(234)로 분리한다(도 4e).
여기서, 상기 에지 스크라이빙이 행해진 영역과 대응되는 위치의 상기 GaN 기판(200)의 이면에 브레이킹 공정을 수행하는데, 이때 상기 GaN 기판(200) 하부에 마일라 커버를 형성한 후 브레이킹 공정을 수행하면 GaN 기판의 손상없이 브레이킹 공정을 원활히 수행할 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법의 다른 실시예에 있어서, 스크라이빙 공정을 수행한 상태를 전면에서 바라본 도면이다.
이에 도시된 바와 같이, 보호막(220)이 형성되지 않은 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(210)의 에지의 일부 영역에만 홈(Nick)(241)이 형성되는 점은 도 3의 경우와 같다.
그러나, 레이저를 이용하여 스크라이빙하는 경우에는 크랙이 전파되지 않으며, 따라서 브레이킹 공정을 용이하게 수행하기 위해 다이아몬드 스크라이버를 사용하는 경우보다 홈(Nick)을 보다 깊게 형성한다.
여기까지는 에지 스크라이빙 및 브레이킹 공정을 통하여 복수의 반도체 레이 저 다이오드들의 에피층을 각각 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 경우에 대해서 살펴보았으나, 본 발명은 스킵 스크라이빙(Skip Scribing) 및 브레이킹 공정의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 6은 본 발명에 있어서 스킵 스크라이빙 공정을 수행한 상태를 나타낸 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, GaN 기판(300) 상에 형성된 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(310) 상부의 스킵 스크라이빙이 이루어지는 영역이외의 영역에 마일러 커버 및 보호막(320)을 형성한 후, 스크라이빙 공정을 수행한다.
한편, 상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 상부에 형성된 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역을 제외한 영역에 보호막을 형성하고, 상기 보호막이 형성되지 않은 영역을 스크라이빙한 후, 브레이킹 공정을 수행함으로써, 복수의 반도체 레이저 다이오드들이 결정면을 따라 분리되므로 양질의 거울면을 얻을 수 있으며, 상기 에지 일부 영역을 제외한 영역은 보호막으로 보호되므로 스크라이빙 공정 중에 발생하는 분말(Particle) 등에 의한 오염을 최소화 할 수 있게 된다.

Claims (7)

  1. 기판 상에 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성하는 단계;
    상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지(Edge)의 일부 영역을 제외한 영역에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막이 형성되지 않은 에지의 일부 영역에 상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하기 위한 스크라이빙을 수행하는 단계; 및
    상기 기판의 이면에 브레이킹 공정을 수행하여 상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 GaN 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스크라이빙을 수행하는 단계는 다이아몬드 스크라이버 또는 레이저를 사용하여 스크라이빙하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 브레이킹은 상기 기판의 이면에 마일라 커버(Mylar Cover)를 형성한 후 브레이킹하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 마일라 커버(Mylar Cover)인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 저 굴절율을 가지는 막과 고 굴절율을 가지는 막을 반복 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성한 후, 상기 기판의 이면에 연마 공정을 수행하여 상기 기판의 두께를 감소시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법.
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