KR20070042012A

KR20070042012A - 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성방법

Info

Publication number: KR20070042012A
Application number: KR1020050097748A
Authority: KR
Inventors: 김제석; 김경구; 류병길; 신동오
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2005-10-17
Filing date: 2005-10-17
Publication date: 2007-04-20

Abstract

본 발명은, 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성방법에 관한 것으로서, 피디피 패널의 유리기판의 일측면에 형성된 유전판에 노즐을 이용하여 유전물질을 굴곡진 형태가 되도록 낙하시키는 단계와; 상기 노즐을 이동하면서 유전물질을 낙하시켜 상기 유전물질이 상기 유전판의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되게 배치하는 단계와; 상기 노즐로부터 낙하하여 이격 배치된 복수의 유전물질을 소성가공하는 단계를; 순차적으로 실시하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 피디피 패널의 마이크로 렌즈형 유전층 형성에 다면취 기술을 적용할 경우에 적은 비용으로 피디피 패널에 유전체를 용이하게 대량으로 형성할 수 있는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법이 제공된다.

Description

노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성방법{FORMING METHOD OF NONCONDUCTING LAYER OF PDP PANEL USING NOZZLE}

도 1은 피디피의 구조를 도시한 평면도,

도 2a와 도 2b는 종래의 유리 기판상에 전극을 형성하는 과정을 도시한 개략도,

도 3a와 도 3b는 플레이트 몰드를 이용하여 피디피 유전층을 형성하는 과정을 도시한 개략도,

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법을 도시한 개략도,

도 5는 도 4의 과정을 순차적으로 도시한 흐름도이다.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **

100 : 챔버 110 : 유전물질

120 : 노즐 121 : 분사구

130 : 응력 공급 수단 131 : 액츄에이터

132 : 피스톤 133 : 제어부

140 : 유전판 150 : 산화마그네슘 보호막

200 : 유리기판

본 발명은, 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 피디피 패널의 마이크로 렌즈형 유전층 형성에 다면취 기술을 적용할 경우에 적은 비용으로 피디피 패널에 유전체를 용이하게 대량으로 형성할 수 있는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법에 관한 것이다.

도 1은 피디피의 구조를 도시한 평면도이고, 도 2a와 도 2b는 종래의 유리 기판상에 전극을 형성하는 과정을 도시한 개략도이며, 도 3a와 도 3b는 플레이트 몰드를 이용하여 피디피 유전층을 형성하는 과정을 도시한 개략도이다.

이들 도면에 도시한 바와 같이, 이에 도시된 바와 같이, 피디피는 일반적으로, 후면 유리기판(Back Glass Substrate)(1)과, 전면 유리기판(Front Glass Substrate)(11)과, 후면 및 전면 유리기판(1, 11) 사이에 형성되는 방전부로 구성된다.

여기서, 후면 유리기판(1)에는, 알카리이온의 침투를 방지하는 차단막(2)과, AD 전극(Adress Electrode)(3)과, 광반사를 위한 백색 유전층(Under Layer)(4)이 형성되고, 그 상부에 격벽(Barrier)(5) 및 형광체(Phosphor)(6)가 적층된다.

전면 유리기판(11)에는, 유리기판 상에 플라즈마를 유지시키기 위한 투명 전극(12) 및 버스 전극(Bus Electrode)(13)이 설치되고, 버스 전극(13)을 보호하고 전기적으로 컨덴서 기능을 하는 유전층(Dielectric Layer)(14)이 도포되며, 유전층 (14)의 표면에 산화마그네슘(MgO) 보호막(Protection Layer)(15)이 증착된다.

격벽(5)은 후면 및 전면 유리기판(1, 11) 사이의 공간을 구획 및 분할하여 방전부를 형성하고, 격벽(5)에 의하여 형성된 방전부의 내벽에는 형광체(6)가 도포된다.

이러한 구성에 의하여, 피디피는 버스 전극(13)과 AD 전극(3)에 전압이 인가되면, 그 사이에 있는 기체에 방전이 발생되고 그 방전으로 인하여 발생된 플라즈마에 포함된 자외선이 각 형광체(R, G, B)(6)를 여기 및 발광시킨다.

따라서, 형광체(6)로부터 발광된 빛이 전면 유리기판(11)을 통하여 방출됨으로써 사용자의 눈에 현출되는 것이다.

한편, 상기와 같은 피디피의 주요 구성 요소인 전극(3, 12, 13)은 여러 가지 방법에 의하여 제조되는데, 일반적으로 그린 시트(green sheet)법에 의하여 제조된다.

그린 시트법에 의하여 피디피의 전극을 형성하는 방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 2의 (a), (b)에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 의한 그린 시트(20)는, 유리 기판(30)의 상면에 부착된 후 자외선(U.V)에 노광되어 전극이 되는 메인 필름(21)과, 메인 필름(21)의 하면에 부착되었다가 유리 기판(30)에 메인 필름(21)을 라미네이팅하는 과정에서 메인 필름(21)으로부터 탈착되는 베이스 필름(22)과, 메인 필름(21)의 상면에 부착되어 메인 필름(21)을 외부 물질로부터 보호하다가 유리 기판(30)에 메인 필름(21)을 라미네이팅하는 과정에서 메인 필름(21)으로부터 탈착 되는 커버 필름(23)으로 구성된다.

이와 같은 그린 시트(20)는, 메인 필름(21)으로부터 베이스 필름(22)과 커버 필름(23)이 탈착된 상태로 유리 기판(30)의 상면에 부착되고, 메인 필름(21)의 상부에는 패턴(40a)이 형성된 유리 재질의 마스크(40)가 씌워져서 자외선에 노광된다. 그러면, 마스크(40)에 형성된 패턴(40a)을 따라 메인 필름(21)이 노광됨으로써 피디피의 전극 등과 같은 구성 소자로 될 수 있다.

그러나, 이와 같은 그린 시트법을 이용하여서는 피디피 패널의 유전층(4)을 형성하기가 용이하지 않으므로 도 3의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 피디피 패널의 유리기판(1)에 유전층을 형성하는 방법으로는 플레이트 몰드(50)를 이용한 방법이 주로 사용된다.

플레이트 몰드(50)는 평평한 판형의 플레이트(51)의 하단면에 유전층(4)의 상단면과 접촉되어 유전층(4)의 상단면을 굴곡지게 하는 복수의 돌부(52)가 형성되어 있다.

이러한 구성에 의하여, 플레이트 몰드(50)를 이용하여 유리기판(1)에 마이크로 렌즈형 유전층(4)을 형성하는 방법은, 유리기판(1)의 상단면에 유전층(4)을 평활하게 형성하고 유전층(4)의 상단면과 플레이트 몰드(50)의 하단면을 접촉시킨 후, 플레이트 몰드(50)의 상단면에 소정의 압력을 가하면 플레이트 몰드(50)의 돌부(52)가 평활한 유전층(4)의 상단면을 누르게 되어 돌부(52)의 외주면과 동일한 형상으로 유전층(4)의 상단면은 굴곡지게 되어 마이크로 렌즈 형태의 유전층이 형성된다.

그런데, 종래의 유리 기판상에 전극을 형성하는 과정에 있어서는, 상술한 바와 같이, 몰드 플레이트(50)를 이용하여 유전층(4)과 압착하여 마이크로 렌즈 형태의 유전층(4)을 형성하게 되는데 이러한 방법에 의해서는, 반도체 구성 소자를 형성할 경우에 다수개의 구성 소자를 각각 따로 제조하지 않고 한번에 다수개의 구성 소자를 제조한 후 여러 개로 잘라서 사용하는 다면취 기술을 적용하기가 쉽지 않으므로 피디피 패널에 유전체를 용이하게 대량으로 형성할 수 없다는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 피디피 패널의 마이크로 렌즈형 유전층 형성에 다면취 기술을 적용할 경우에 적은 비용으로 피디피 패널에 유전체를 용이하게 대량으로 형성할 수 있는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전체 형성 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 피디피 패널의 유리기판의 일측면에 형성된 유전판에 노즐을 이용하여 유전물질을 굴곡진 형태가 되도록 낙하시키는 단계와; 상기 노즐을 이동하면서 유전물질을 낙하시켜 상기 유전물질이 상기 유전판의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되게 배치하는 단계와; 상기 노즐로부터 낙하하여 이격 배치된 복수의 유전물질을 소성가공하는 단계를; 순차적으로 실시하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전체 형성 방법에 의해 달성된다.

또한, 상기 굴곡진 유전물질 외면과 상기 유전판이 외부로 노출되는 외면에 는 산화마그네슘 보호막을 형성하는 단계가 더 포함되는 것이 바람직하다.

이는 피디피 패널이 구동시에 유리기판에 형성된 전극과 유전층의 표면에서 대항 방전이 발생할 경우에 발생하는 이온이 유전층의 표면에 충돌하여 유전층 표면이 손상됨을 방지하기 위함이다.

아울러, 상기 유전판과 상기 유전물질은 서로 다른 유전률을 갖는 것이 효과적이다.

이는 종래의 평평한 유전층의 경우에는 유전판과 유전층이 동일한 재질이지만 본 발명의 일 실시예에 따른 유전층은 용도에 따라 유전판과 유전물질을 상호 다른 재질로 형성할 수 있으므로 종래와 동일한 효과를 갖기 위해서는 유전층 표면에서의 이온의 분포가 종래와는 다른 분포를 형성하기 위함이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법을 도시한 개략도이고, 도 5는 도 4의 과정을 순차적으로 도시한 흐름도이다.

이들 도면에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전체 형성 방법은, 피디피 패널의 유리기판의 일측면에 형성된 유전판에 노즐을 이용하여 유전물질을 굴곡진 형태가 되도록 낙하시키는 단계(S1)와, 상기 노즐을 이동하면서 유전물질을 낙하시켜 상기 유전물질이 상기 유전판의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되게 배치하는 단계(S2)와, 상기 노즐로부터 낙하하여 이격 배치된 복수의 유전물질을 소성가공하는 단계(S3)를 순차적으로 실시하여 이 루어진다.

본 발명의 일 실시예에 따른 피디피 패널의 유전층 형성 장치는, 유전물질(110)을 수용하는 내부 공간이 마련된 챔버(100)와, 챔버(100)의 내부에 수용된 유전물질(110)이 챔버(100)의 외부로 유출되는 통로가 되는 노즐(120)과, 유전물질(110)을 노즐(120)을 통하여 챔버(100)의 외부로 유출할 수 있도록 유전물질(110)에 응력을 공급하는 응력 공급 수단(130)과, 응력 공급 수단(130)의 구동을 제어하는 제어부(140)로 구성되어 있다.

챔버(100)의 단부에 형성된 노즐(120)에는 유전물질(110)이 챔버(100)의 외부로 낙하되도록 분사구(121)가 관통 형성되어 있으며, 챔버(100)는 유리기판(200)의 판면에 대하여 수직을 이루도록 설치되어 있다.

응력 공급 수단(130)은, 액츄에이터(131)와, 액츄에이터(131)에 의하여 상하로 구동되는 피스톤(132)과, 액츄에이터(131)를 제어하는 제어부(133)로 구성되어 있다.

제어부(133)의 명령에 의하여 액츄에이터(131)가 피스톤(132)을 상하로 구동시키며, 그에 따라 피스톤(132)의 응력이 챔버(100)의 내부에 수용된 유전물질(110)에 전달되며, 피스톤(132)은 그 외주면이 챔버(100)의 내주면과 일치되도록 챔버(100)의 내부에 설치되어, 챔버(100)의 길이 방향을 따라 왕복 구동된다.

이러한 구성에 의하여, 사용자가 본 발명의 일 실시예에 따른 피디피 패널의 유전층 형성 장치를 이용하여 유전층을 형성하고자 할 경우에는, 챔버(100)의 내부 공간에 유전물질(110)를 채워놓고, 챔버(100)의 상부 개구부는 피스톤(132)으로 밀 폐시킨다.

여기서, 종래의 평평한 유전층의 경우에는 유전판과 유전층이 동일한 재질이지만 본 발명의 일 실시예에 따른 유전층은 용도에 따라 유전판과 유전물질을 상호 다른 재질로 형성할 수 있으므로 종래와 동일한 효과를 갖기 위해서는 유전층 표면에서의 이온의 분포가 종래와는 다른 분포를 형성하기 위하여 유전물질(110)은 유전판(140)과 서로 다른 유전률을 갖도록 한다.

챔버(100)가 외부와 밀폐된 상태이므로 유전물질(110)은 분사구(121)를 통하여 챔버(100)의 외부로 유출되지 않으며 제어부(133)를 통하여 명령을 내리면, 제어부(133)의 명령을 받은 액츄에이터(131)가 피스톤(132)을 챔버(100)의 길이 방향을 따라 하측으로 이동하게 되고, 그에 따라 피스톤(132)으로부터 유전물질(110)에 압축 응력이 가해져서 유전물질(110)이 챔버(100)의 외부로 유출되어 유리기판(200)의 상단면에 형성된 유전판(140)에 낙하되면서 그 표면이 굴곡진 형태를 이루게 된다.

그 후, 챔버(100)를 유리기판(200)의 길이 방향을 따라 이동시키면서 상술한 방법으로 유전물질(110)을 계속 낙하시켜 유전판(140)의 상단면에 소정 간격 이격 배치시키고, 이격 배치된 유전물질(110)을 소성 가공한다.

유전물질(110)이 소성 가공된 후, 상기 굴곡진 유전물질 외면과 상기 유전판이 외부로 노출되는 외면에는 산화마그네슘 보호막(150)을 형성하면 유전층 형성 이 완료된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 피디피 패널의 유리기판의 일측면에 형성된 유전판에 노즐을 이용하여 유전물질을 굴곡진 형태가 되도록 낙하시키는 단계와; 상기 노즐을 이동하면서 유전물질을 낙하시켜 상기 유전물질이 상기 유전판의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되게 배치하는 단계와; 상기 노즐로부터 낙하하여 이격 배치된 복수의 유전물질을 소성가공하는 단계를; 순차적으로 실시함으로써, 피디피 패널의 마이크로 렌즈형 유전층 형성에 다면취 기술을 적용할 경우에 적은 비용으로 피디피 패널에 유전체를 용이하게 대량으로 형성할 수 있는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전체 형성 방법이 제공된다.

Claims

피디피 패널의 유리기판의 일측면에 형성된 유전판에 노즐을 이용하여 유전물질을 굴곡진 형태가 되도록 낙하시키는 단계와;

상기 노즐을 이동하면서 유전물질을 낙하시켜 상기 유전물질이 상기 유전판의 길이 방향을 따라 소정간격 이격되게 배치하는 단계와;

상기 노즐로부터 낙하하여 이격 배치된 복수의 유전물질을 소성가공하는 단계를;

순차적으로 실시하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 굴곡진 유전물질 외면과 상기 유전판이 외부로 노출되는 외면에는 산화마그네슘 보호막을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 유전판과 상기 유전물질은 서로 다른 유전률을 갖는 것을 특징으로 하는 노즐을 이용한 피디피 패널의 유전층 형성 방법.
유전물질을 수용하는 내부 공간이 마련된 챔버와, 상기 챔버의 내부에 수용된 상기 유전물질이 상기 챔버의 외부로 유출되는 통로가 되는 노즐과, 상기 유전물질을 상기 노즐을 통하여 상기 챔버의 외부로 유출할 수 있도록 상기 유전물질에 응력을 공급하는 응력 공급 수단과, 상기 응력 공급 수단의 구동을 제어하는 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 피디피 패널의 유전층 형성 장치.
제4항에 있어서,

상기 응력 공급 수단은,

액츄에이터와, 상기 액츄에이터에 의하여 상하로 구동되는 피스톤과, 상기 액츄에이터를 제어하는 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 피디피 패널의 유전층 형성 장치.