KR20070038561A - 천연석 실링법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실링된 천연석에 관한 것이다. 그의 기공은 증기에 대해서는 투과성이지만 수성 액체에 대해서는 불투과성이다. 본 발명은 또한 천연석의 제조 방법 및 상기 유형의 천연석의 용도에 관한 것이다.
천연 연마석, 실링제, 졸-겔 시스템, 규소-산소 결합의 망상구조
Description
본 발명은 천연석의 실링, 특히 건축 자재로서 사용되는 천연석, 소위 천연 연마석의 실링 및 실링된 천연 연마석 그 자체에 관한 것이다.
천연석은 모든 건축재 중 현저한 위치를 차지하고 있다. 이에 따라, 천연석의 성분들은 각 경우에 독특한 제품이 된다. 천연석만큼 수많은 색상과 구조를 갖는 건축재는 거의 없다. 천연석의 색상과 구조는 다양한 여러 가지 표면 처리 작업, 예컨대 분쇄 또는 연마에 의해 강화된다.
천연 연마석, 즉, 외관, 바닥, 지붕, 계단, 주방 커버, 욕실 장식, 창틀용 등의 건축재로서 사용되는 천연석은 동형의 공업 제품은 아니지만, 원재료의 고유한 이력을 갖는다. 예를 들어, 화강암 중 어두운 내포물은 암석이 고여 있는 액체 마그마에 용해되었음을 나타낸다. 사암 내 지층은 바다, 삼각주 및 대형 저수지 내 토사 침전의 증거이다. 석회암 중 화석화된 부분은 오랜 단절기를 나타내며, 일부 편마암의 습곡은 변성 과정에서 집중된 운동력을 나타내며, 슬레이트의 균열은 산맥 기원에서의 강력한 힘을 나타낸다.
천연석의 기계적 특성은 또한 설득력이 있다. 이는 다른 건축재보다 열등하지 않다. 천연석의 강도는 종종 콘크리트의 강도보다 높다. 문화사로부터의 건축 물, 예를 들어 그리스 또는 로마 신전, 이집트의 피라미드 또는 유럽의 대성당 및 성이 수백년 또는 수천년이 지난 오늘날 이를 증명한다. 천연석은 매우 독립적으로 개발 및 미개발 부지에 건축물을 도입하거나, 광범위한 색상 및 구조를 이용하여 새로운 색조를 설정할 수 있다. 천연 연마석은 건축물의 역사적인 건축 재료의 전통을 계승하므로, 도심부의 재설계에 바람직한 재료이다.
그러나, 천연 연마석은 또한 인테리어 분야에서 보다 다양하게 사용된다. 화강암으로 제조된 주방 조리대는 내연마성, 스코어링 안정성, 내화학성을 가지며, 실질적으로 영구적이다. 그러나, 이러한 영구성은 단지 거시적인 것이다. 미시적으로, 다른 석재와 마찬가지로 화강암은 기공, 예를 들어 세공 및/또는 중기공을 함유한다. 액상 또는 먼지 입자 (음식 잔여물, 예컨대 우유)에 결집된 착색제 또는 유취 물질이 상기 기공을 통해 스며들고, 침전될 수 있다. 표면을 파괴하지 않고 이들 착색제 또는 유취 물질 또는 음식 잔여물을 제거하는 것은 사실상 불가능하다. 따라서, 천연석 표면은 시간이 경과함에 따라 아름답지 않게 변색되며, 분해된 음식 잔여물에 의해 더 이상 위생적이지 않게 된다.
화강암보다는 대리석이 배니티 유닛(vanity unit) 가장자리 장식에 사용된다. 대리석은 화강암보다 실질적으로 유연하고, 보다 다공성이며, 일반적으로 보다 밝은 색이다. 대리석은 특히 산성 매질, 예컨대 시트르산 또는 초산에 민감하다. 대리석은 또한 머스타드, 케찹 또는 기타 유기 매질에 민감하다. 대리석 표면에 대한 이들 매질의 장기적인 영향은 다시 제거될 수 없는 오염을 유발한다.
천연 연마석의 사용이 문제가 되는 추가적 분야는 바닥 분야이다. 바닥 분 야에서, 예를 들어 주방 조리대 또는 배니티 유닛 상의 완전한 실링은 바람직하지 않으며, 광물 바닥 커버링의 일부 호흡 활성은 유지되어야 한다. 과거에는 일반적이었던 바와 같이, 건조 상태에서 내부 커버링이 제공되지 않았던 신규한 건축물의 경우 매우 특히 그러하다. 바닥 분야에서, 계절에 따른 습도차로 인해 호흡 활성은 매우 중요하다. 그럼에도 불구하고, 예를 들어 먼지가 특히 조질의 다공성 재료, 예컨대 사암에 제거불가능하게 침투 및 침전될 수 없도록 먼지 및 손상으로부터 상기 표면을 보호하는 것도 또한 바람직하다.
상기 기재는 사용 분야, 예컨대 욕실 또는 주방 및 바닥용의 각 경우, 산-안정성 암석, 예컨대 화강암, 반려암 또는 편마암의 각 경우, 및 산-불안정성 석재, 예컨대 대리석 또는 석회석의 각 경우에 천연 연마석의 실링 시스템에 대한 여러가지 요구사항 프로파일을 초래한다.
천연 연마석의 표면을 함침 또는 코팅할 수 있다는 점은 공지되어 있다. 함침은 기공을 막지 않거나 또는 적어도 완전하지 않아, 액체에서 유동하는 먼지 입자 또는 착색제가 계속해서 석재의 기공 및 내부 영역에 주입되게 한다. 예를 들어, 프로텍토실(Protectosil; 등록상표) 안티크라피티(Antigraffiti)로 함침한 석재 표면에서 충분히 시간 동안 잔류할 경우, 적포도주가 기공에 스며든다. 이에 따라, 함침된 밝은 석재의 표면 상에서 미량의 적포도주의 모든 액체가 증발하면 적색 또는 갈색 외양의 스팟이 형성되고, 이는 표면을 손상시키거나 또는 강력한 산화제를 사용하지 않고서는 제거될 수 없다.
표면 코팅은 기공을 막지만, 주방 조리대의 취급성, 및 기계적 및 화학적 특 성을 변화시킨다. 고온의 물품, 예컨대 포트 또는 팬은 페인트 표면에 손상을 유발할 수 있고, 예를 들어 미관상 좋지 않게 변색시키거나 해를 끼칠 수 있다.
문헌 [Building Information Natural Cut Stone 3.2 of the Deutsches Naturwerkstein-Verbandes e.V.]에 따르면, 천연 연마석용 다양한 세척제 및 케어제가 존재한다. 특히, 하기에 인용된 함침제가 흥미롭다.
"함침제: 함침제는 암석 표면 상에 임의의 층을 형성해서는 안된다. 일반적으로, 실리콘- 또는 실란-함유제는 임의의 표면 변형을 일으켜서는 안되며, 임의의 광택을 남겨서도 안된다. 상기 제제는 임의의 기계적 마모에 노출되지 않으므로 일반적으로 양호한 내구성을 갖는다. 암석은 개방된 기공을 유지해야 하며, 수증기 투과성이 사실상 악화되어서는 안된다. 함침제는 내부 및 외부에서 사용될 수 있다. 처리된 표면 케어는 발수 작용 및 가능하게는 또한 발유 작용에 의해 촉진된다."
동일한 문헌에서, 하기와 같이 실링제를 언급하고 있다.
"실링제는 항상 층을 형성하는 코팅제이다. 이는 광택 효과 및 색상의 짙어짐을 유발한다. 바닥 분야에서, 실링제는 응력에 의해 제거되므로 단기적인 내구성을 위한 매체만을 갖는다. 실링제는 암석의 기공을 막으므로, 수증기 확산을 지연시킨다. 이는 천연석에 손상을 유발할 수 있다. 실링제는 일반적으로 내부에만 사용된다. 상기 제제에 의해 형성된 층은 석재를 보호하고, 케어를 촉진한다. 실링제는 바닥 커버링의 비-미끄러짐성을 감소시킬 수 있다."
천연 연마석을 처리하기 위한 공지된 시스템의 단점은 이들 시스템이 기공을 완전히 막아 호흡 활성, 즉, 수증기의 투과를 방해하거나 (도료 또는 실링 시스템), 기공을 완전히 개방된 상태로 유지시켜 액체 침투를 완전히 막을 수 없다 (함침 시스템)는 점이다.
따라서, 액체, 특히 물-함유 액체의 침투는 가능한 완전히 막고, 수증기의 암석 투과는 여전히 가능하도록 천연 연마석의 기공을 처리하는 천연 연마석 실링 시스템을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
놀랍게도, 졸-겔 방법으로 얻어진 조성물로 처리한 천연 연마석의 기공은, 수증기는 천연 연마석을 통과할 수 있지만, 수계 액체는 천연 연마석의 기공을 투과할 수 없도록 밀폐할 수 있다는 것을 발견하였다.
따라서, 본 발명은 기공-함유 천연 연마석 기재의 실링된 천연 연마석에 관한 것이고, 이는 적어도 천연 연마석의 표면으로부터 접근가능한 천연 연마석의 기공이 적어도 부분적으로 규소-산소 결합으로 형성된 망상구조를 갖는 매트릭스 물질로 충전되며, 상기 망상구조 상에 존재하는 규소 원자는 적어도 부분적으로 탄소 원자를 통해 규소에 결합된 유기 라디칼을 갖는다는 점을 특징으로 한다.
본 발명은 또한, 천연 연마석을 실링하기 위해, 먼저 화학식 (Z1)1Si(OR)3 (식 중, Z1 = OR 또는 Gly (= 3-글리시딜옥시프로필) 및 R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼)의 실란, 알코올, 및 수성 산 또는 염기로부터 선택된 함수 개시제의 혼합물을 제조하고, 상기 혼합물을 화학식 (Z2)zSi(OR)4-z (식 중, R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, Z2 = HaFbCn (여기서, a 및 b = 정수, a+b = 1+2n, n = 1 내지 16), z = 1 또는 2, 또는 Z1 = Gly, Z2 = Am (= 3-아미노프로필) 및 z = 1 또는 2, 단, Z2가 Am인 경우 z는 1임)의 제2 실란과 혼합하여 제조한 유동성 유체 조성물을 표면으로부터 접근가능한 기공에 투입하고, 이를 고형화하는 것을 특징으로 하는 천연 연마석의 실링법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 건축물, 벽, 지붕, 바닥, 위생 시설, 주방 또는 보도 건설에서 본 발명에 따른 천연 연마석의 용도, 및 규소-산소 결합으로 형성된 망상구조를 갖는 매트릭스 물질을 갖고, 망상구조 상에 존재하는 규소 원자가 부분적으로 탄소 원자를 통해 규소에 결합된 유기 라디칼을 갖는 것을 특징으로 하는, 본 발명에 따른 천연석 또는 천연 연마석 실링제에 관한 것이다. 또한, 본 발명에 따른 천연석 실링제로 처리한 본 발명에 따른 실링된 천연 연마석의 하기 기재에서 추가 전개가 제공된다.
공지된 실링제와 비교하여 본 발명에 따른 실링제의 이점은, 기공 사이에 존재하는 천연 연마석의 표면의 일부가 아닌 기공을 주로 실링 매트릭스로 처리하기 위해 실링제가 층을 형성할 필요가 없다는 점이다. 상기 방식으로, 특히 천연 연마석의 표면 특성, 예를 들어 산 저항성 또는 색상이 거의 변하지 않고 유지된다는 점이 보장된다. 그럼에도 불구하고, 기공은 함수 액체의 투과가 사실상 거의 이루어지지 않을 정도로 닫힐 수 있다. 실링제가 층을 형성할 경우, 추가 특성, 예컨대 탄산염 광물(carbonatic mineral)의 경우, 특히 대리석 또는 석회암의 경우에 산 안정성의 증가가 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 천연 건축 자재용 실링제는 우세한 무기 졸-겔 시스템의 다양한 양상을 이용한다. 특히, 본 발명에 따른 실링제에 의해 천연 연마석의 기계적 강도는 변하지 않거나 단지 미미하게 변한다. 이는, 임의의 현저한 층을 형성할 수 없지만 주로 기공을 관통하고, 기공에 실링제를 제공하는 특성에 기인한다.
기공 사이의 표면 상에 실링 매트릭스 층을 형성하는 것이 또한 바람직한 경우, 이는 달성될 수 있다. -O-Si-O- 망상구조의 형성으로 인한 상기 시스템의 높은 가교 밀도로 인해, 상기 층이 구비된 표면 상의 화학적 공격, 예를 들어 가정용 세제 또는 통상적인 가정용 제제, 예컨대 식초 또는 머스타드에 의한 공격은 사실상 완전히 배제될 수 있다.
선행 기술에서 실링 매트릭스로서 사용된 유기 페인트 코팅제와 비교하여, 본 발명에 따른 실링제는 표면에 고온의 물품을 두더라도 미관상 좋지 않은 변색이 발생하지 않는다는 이점을 갖는다.
본 발명에 따른 방법은 하기에 예로서 기재되고, 이는 본 발명을 제한하고자 하는 것이 아니며, 본 발명의 보호 범주는 청구항과 발명의 상세한 설명으로부터 명백하다. 청구항 그 자체는 또한 본 발명의 개시 내용의 일부를 형성한다. 하기에 언급되어 있는 범위 또는 바람직한 범위 내에 있는 모든 이론상 가능한 잠재 범위는 또한, 보다 명확히 나타내기 위해 명백히 언급하지 않는 한, 본 발명의 개시 내용의 일부이다.
기공-함유 천연 연마석 기재의 본 발명에 따른 실링된 천연 연마석은, 적어도 천연 연마석의 표면으로부터 접근가능한 천연 연마석의 기공이 적어도 부분적으로 규소-산소 결합으로 형성된 망상구조를 갖는 매트릭스 물질로 충전되며, 상기 망상구조에 존재하는 규소 원자는 적어도 부분적으로 탄소 원자를 통해 규소에 결합한 유기 라디칼을 갖는다는 것을 특징으로 한다. 유기 라디칼은 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알킬 및/또는 플루오로알킬 라디칼을 가질 수 있거나 또는 이들 라디칼일 수 있다. 특히 바람직하게는, 존재하는 유기 라디칼은 메틸, 옥틸, 헥사데실 및/또는 테트라히드로트리데실플루오로옥틸 라디칼일 수 있다. 상기 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알킬 및/또는 플루오로알킬 라디칼 대신에 또는 여기에 추가로, 규소-헤테로유기 라디칼-규소 결합을 형성하는 헤테로유기 라디칼이 본 발명에 따른 실링된 천연 연마석의 매트릭스 물질에 유기 라디칼로서 존재할 수 있다. 헤테로유기 라디칼은 바람직하게는 헤테로원자로서 하나 이상의 질소 원자를 갖는다. 바람직하게는, 망상구조는 아미노기와 글리시딜옥시기, 특히 바람직하게는 3-아미노프로필기와 3-글리시딜옥시프로필기와의 축합 반응에 의해 수득되는 라디칼을 헤테로유기 라디칼로서 갖는다.
바람직하게는, 매트릭스 물질을 사용한 천연석의 기공의 충전도, 바람직하게는 평균 충전도는 25 내지 100%, 바람직하게는 50 내지 98%, 특히 바람직하게는 60 내지 80%이고, 상기 충전도는 산화물 입자로 충전된 천연석 기공의 부피 분율을 나타낸다. 각각의 기공의 충전도는 표면으로부터 접근가능한 기공의 분쇄된 부분을 제조하고, 매트릭스 물질이 차지하는 기공의 단면적을 측정하여 대략 시각적으로 결정할 수 있다. 평균 충전도는 일반적으로 다수의 기공의 충전도로부터 추산할 수 있다.
기공은 표면으로부터 접근가능한 임의의 개구, 틈 등을 의미하는 것으로 해석된다. 표면은 천연 연마석의 전체 표면 또는 단지 천연 연마석의 하나 이상의 면의 표면일 수 있다.
매트릭스 물질은 천연 연마석의 기공에 또는 기공 사이의 표면 상에 독점적으로 존재할 수 있다. 매트릭스 물질이 기공 사이의 천연 연마석 표면 상에 존재하는 경우, 두께는 바람직하게는 0.01 내지 8 ㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 5 ㎛, 특히 바람직하게는 0.1 내지 2 ㎛, 매우 특히 바람직하게는 0.2 내지 1 ㎛이다. 상기 방식으로 실링된 표면은 습윤된 것처럼 보인다. 이는 동시에 구조체가 어두워 보이는 표면으로 강조된다는 것을 의미한다. 표면의 전체적인 인상이 보다 강렬해진다. 0.01 ㎛, 바람직하게는 0.1 ㎛의 특정한 최소 두께 이하로 두께가 감소하는 경우, 실링 매트릭스의 기계적 보호 효과 및 안정성은 실질적으로 감소한다.
산화물 입자, 특히 원소 Ti, Si, Zr, Al, Y, Sn 또는 Ce 중 하나 이상의 산화물 입자가 매트릭스 물질에서 존재할 수 있다. 특히, 산화물 입자, 특별히 10 내지 1000 nm, 바람직하게는 20 내지 500 nm, 보다 바람직하게는 30 내지 250 nm의 평균 입도를 갖는 소수성 산화물 입자 및/또는 0.05 내지 30 ㎛, 바람직하게는 1 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 10 ㎛의 평균 입도를 갖는 친수성 산화물 입자가 매트릭스 물질에 존재할 수 있다. 친수성 입자는 바람직하게는 오직 기공 내에 있는 매트릭스 물질에만 존재한다. 소수성 입자는 기공 내와 기공 외부 모두에 있는 매트릭스 물질에 존재할 수 있고, 기공 외부에 있는 매트릭스 물질에 존재하는 소수성 입자의 평균 입도는 10 내지 250 nm인 것이 바람직한데, 이는 실링 매트릭스를 투명하게, 사실상 거의 무색으로 만들 수 있어 천연 연마석의 표면 색상이 실링 매트릭스에 의해 변하지 않거나 또는 매우 적게 변하기 때문이다. 평균 입도는 제1 입도, 또는 산화물이 응집체로서 존재하는 경우에는 응집체의 입도에 기초한다. 입도는 광 산란법, 예를 들어 레트쉬 테크날로지(Retsch Technology)의 호리바 LB550(Horiba LB550; 등록상표) 유형의 입도 분석기를 사용하여 측정된다.
산화물 입자가 매트릭스 물질에 존재할 경우, 이들은 산소 브릿지 및/또는 산소-규소-산소 브릿지에 의해 또는 매트릭스 물질에 존재하는 망상구조에 의해 매트릭스 물질에 및/또는 서로 간에 및/또는 천연석에 결합한다.
매트릭스 물질에 존재하는 산화물 입자, 특히 소수성 입자는 그의 표면에 유기 라디칼, 바람직하게는 화학식 X1 +2 nCn- (식 중, n = 1 내지 20 및 X = 수소 또는 불소임, X는 불소만, 수소만 또는 불소 및 수소 모두일 수 있음)의 라디칼로부터 선택되는 규소 원자에 결합된 유기 라디칼을 갖는다. 소수성 산화물 입자는 바람직하게는 알킬 라디칼, 예컨대 헵틸, 옥틸, 노닐, 데실, 운데실 또는 도데실 라디칼, 또는 할로알킬 라디칼, 특히 플루오로알킬 라디칼, 예컨대 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸 또는 테트라히드로트리데카플루오로옥틸 라디칼 및 트리메틸실릴 라디칼을 갖는다. 바람직한 소수성 입자는, 예를 들어 발열성 실리카 또는 침강 실리카이다.
원한다면, 매트릭스 물질에 존재하는 친수성 입자는 바람직하게는, 예를 들어 데구사 아게(Degussa AG)로부터 상품명 에어로실(Aerosil; 등록상표) 또는 시페르나트(Sipernat; 등록상표)로 얻을 수 있는 알루미나, 이산화티탄 또는 실리카 입자이다.
산화물 입자, 특히 소수성 산화물 입자의 존재는 매트릭스 물질이 유기 라디칼로서 규소-헤테로유기-규소 결합을 형성하는 헤테로유기 라디칼을 갖지 않는 경우에 특히 이점이 있는 데, 이는, 특히 이 경우에, 산화물 입자의 존재가 상기 매트릭스 물질의 수축 및 이에 따른 천연 연마석의 보호 감소를 매우 현저히 방지하기 때문이다. 그러나, 수축을 방지하거나 최소화하기 위해, 헤테로유기 라디칼이 매트릭스 물질에 존재하는 경우라도 산화물 입자가 존재하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 천연 연마석은 화강암, 반려암, 화강섬록암, 섬장암, 라르비카이트(larvikite), 섬록암, 반려암, 유문암, 석영 반암, 안산암, 조면암, 쿠셀라이트(kuselite), 반암, 현무암, 용암, 멜라파이르(melaphyr), 휘록암, 휘석 감람암, 대리석, 편마암, 사문암, 석회석, 쥐라(Jura) 석회석, 포탄 석회석, 석회화, 백운석, 오닉스, 설화 석고, 사암, 해록석 사암, 경사암, 혈암 및 규암으로부터 선택되는 천연 연마석일 수 있다. 천연 연마석은 특히 바람직하게는 화강암, 반려암, 대리석 또는 사암이다. 사용 분야에 따라, 천연 연마석 또는 그의 표면은 기계적으로 처리될 수 있다. 바람직하게는, 천연 연마석은 연마된 표면을 갖거나, 1, 2, 3, 4, 5 또는 그 이상의 면에서 연마된 표면을 갖는 천연석을 포함한다. 상기 천연석은 위생 분야 및 주방 분야 뿐만 아니라 외관 설계 또는 묘비 생산에서 특히 유리하게 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 실링된 천연 연마석은 바람직하게는 하기에 기재된 본 발명에 따른 방법으로 수득가능하다. 천연 연마석을 실링하는 이러한 방법은, 먼저 화학식 (Z1)1Si(OR)3 (식 중, Z1 = OR 또는 Gly (= 3-글리시딜옥시프로필) 및 R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는, 동일하거나 상이한, 바람직하게는 동일한 알킬 라디칼)의 실란, 알코올, 및 수성 산 또는 염기로부터 선택된 함수 개시제의 혼합물을 제조하고, 상기 혼합물을 화학식 (Z2)zSi(OR)4-z (식 중, R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, Z2 = HaFbCn (여기서, a 및 b = 정수, a+b = 1+2n, n = 1 내지 16), z = 1 또는 2, 또는 Z1 = Gly, Z2 = Am (= 3-아미노프로필)이고, Z2가 Am인 경우 z는 1임)의 제2 실란과 혼합하여 제조한 유동성 유체 조성물을 표면으로부터 접근가능한 기공에 투입하고, 이를 고형화하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 방법에서, 상기에 기재된 천연 연마석을 천연석으로서 사용할 수 있다. 천연 연마석은 특히 바람직하게는 화강암, 반려암, 대리석 또는 사암이다. 천연 연마석은 사전에 기계적으로 처리, 예를 들어 연마될 수 있다. 천연 연마석은 또한 자연 상태 그대로 존재하거나 또는 채석시의 형태로 존재할 수 있다. 바람직하게는, 표면이 하나 이상의 면에서 연마된 천연 (연마)석을 사용하며, 천연 연마석의 연마된 면 또는 모든 면은 바람직하게는 본 발명에 따른 방법으로 처리된다.
화학식 GlySi(OR)3의 화합물과 화학식 AmSi(OR)3의 화합물을 혼합하여 조성물을 제조하는 경우, 혼합물에서 화학식 GlySi(OR)3의 화합물 대 화학식 AmSi(OR)3의 화합물의 몰 비는 광범위 내에서 다양할 수 있다. 바람직하게는, 몰 비는 5:1 내지 1:5, 바람직하게는 1.5:1 내지 1:1.5, 특히 바람직하게는 1:1이다. 상기 조성물을 제조하기 위해, 바람직하게는 3-아미노프로필트리에톡시실란 (AMEO) 및 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란 (GLYEO) 또는 3-아미노프로필트리메톡시실란 (AMMO) 및 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란 (GLYMO)을 사용한다.
화학식 GlySi(OR)3의 화합물과 화학식 AmSi(OR)3의 화합물을 혼합하여 제조하는 것 대신에 또는 여기에 추가로, 화학식 (Z1)1Si(OR)3 (식 중, Z1 = OR)의 화합물과 화학식 (Z2)zSi(OR)4-z (식 중, R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는, 동일하거나 상이한, 바람직하게는 동일한 알킬 라디칼, Z2 = HaFbCn (여기서, a 및 b = 정수, a+b = 1+2n 및 n = 1 내지 16), z = 1 또는 2)의 화합물을 혼합하여 조성물의 제조를 수행할 수 있다. 혼합물 내에서 화학식 (Z1)1Si(OR)3의 화합물 대 화학식 (Z2)zSi(OR)4-z의 화합물의 몰 비는 광범위 내에서 다양할 수 있다. 바람직하게는, 몰 비는 5:1 내지 1:5, 바람직하게는 1.5:1 내지 1:1.5, 특히 바람직하게는 1:1이다. 상기 조성물을 제조하기 위해, 바람직하게는 테트라에톡시실란 및 메틸트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란 및/또는 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란 또는 이들의 혼합물을 사용한다.
상기 혼합물에 첨가되는 알코올의 양은 조성물의 바람직한 점도에 의해 좌우되며, 광범위 내에서 다양할 수 있다. 바람직하게는, 조성물 중 알코올의 분율은 30 내지 75 중량%이다. 보다 긴 반응 시간을 위해, 추가로 보다 높은 비점을 갖는 불활성 성분, 예를 들어 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르 또는 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르를 20 중량% 이하, 바람직하게는 10 중량% 이하의 농도로 첨가하는 것이 유리할 수 있다.
실온에서 또는 승온에서 건조하여 조성물의 고형화를 수행할 수 있다. 승온에서 건조하여 고형화를 수행하는 것이 고형화 시간을 사실상 감소시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 특히 바람직하게는, 상기 조성물로 처리된 천연 연마석을 50 내지 250 ℃, 바람직하게는 75 내지 220 ℃, 특히 바람직하게는 100 내지 150 ℃의 온도로 가열하여 고형화를 수행한다. 가열 기간은 이용되는 고형화 온도에 의해 좌우되고, 5 분 내지 10 시간일 수 있다. 바람직하게는, 조성물의 고형화는 75 내지 220 ℃의 온도에서 5 분 내지 60 분 동안, 바람직하게는 100 내지 150 ℃의 온도, 보다 바람직하게는 110 내지 130 ℃의 온도에서 5 분 내지 20 분 동안, 바람직하게는 10 분 내지 15 분 동안 수행된다.
본 발명에 따른 방법은 졸-겔 기술에 기초한다. 입자 성장 및 망상구조의 형성은 pH- 및 온도-의존적이고, 망상구조 밀도에 영향을 미친다. 7 미만의 pH 값에서는 망상구조-유사 구조가 우세하게 형성된다. 상기 조건은, 예를 들어 산-촉매화 시스템에 잘 견디는 암석에 사용하기에 보다 적합하다. 7 이상의 pH 값에서는 가교가 적은 입자-유사 구조가 시간 및 pH의 함수로서 형성된다. 상기 조건은, 예를 들어 산-민감성인 천연 연마석, 예컨대 대리석에 보다 적합하다. 입자 형성에 대한 pH의 영향에 대한 보다 자세한 설명은, 예를 들어 문헌 [R. Iler, "The chemistry of Silica", Wiley, New York 1979]에서 얻을 수 있다. 개시제의 변화, 즉, 수성 산 또는 염기의 사용으로 망상구조의 형성 또는 입자의 형성을 촉진시킬 수 있다. 또한, 염은 pH 7 내지 10에서 입자 응집을 촉진시킬 수 있다.
망상으로서 형성된 보다 대형인 입자의 중간 형태는 pH를 변화시키고, 점도를 조절하고, 물 농도를 변화시킬 뿐만 아니라, 표면 망상구조 형성이 촉진된 입자를 혼합함으로써 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같이, 산, 바람직하게는 무기산, 또는 염기, 바람직하게는 무기 염기를 개시제로서 사용할 수 있다. 개시제로서 산을 사용하는 경우, 얻어진 졸의 pH가 이론상 2 내지 6이 될 정도의 양으로 산을 사용하는 것이 바람직하다. 개시제로서 염기를 사용하는 경우, 얻어진 졸의 pH가 이론상 8 내지 11이 될 정도의 양으로 염기를 사용하는 것이 바람직하다.
제1 화합물의 제조시 물 대 화학식 (Z1)1Si(OR)3, 특히 GlySi(OR)3에 따른 화합물의 몰 비가 100,000:1 내지 10:1, 바람직하게는 1000:1 내지 100:1이 되도록 수성 염기 또는 산을 첨가하는 것이 바람직하다.
천연석의 표면에 도포된 조성물은 50 중량% 초과의 액체 성분, 특히 에탄올 또는 이소프로판올 함량을 갖는다. 액체 성분의 함량을 이용하여, 조성물이 천연석의 기공을 충전할 수 있으며 기공 내에 존재하는 공기를 치환할 수 있도록 점도를 조정할 수 있다. 실질적으로 저분율의 액체 성분을 갖는 조성물을 사용하는 경우, 조성물 내에 존재하는 졸의 고형화 후에 기공이 완전히 충전되지 않는다. 알코올의 휘발로 인한 점도의 급격한 증가는 또한 기공의 충전도에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 보다 고 비점의 불활성 성분, 예를 들어 에틸렌 글리콜 에테르 또는 디에틸렌 글리콜 에테르를 20 중량% 이하, 바람직하게는 10 중량% 이하 첨가함으로써 충전도에 긍정적인 영향을 줄 수 있다.
알코올 뿐만 아니라, 추가 성분을 조성물의 제조시 첨가할 수 있다. 따라서, 조성물의 제조시, 특히 화학식 GlySi(OR)3의 화합물과 화학식 AmSi(OR)3의 화합물을 혼합하여 조성물을 제조하는 경우, 특히 화학식 (HaFbCn)zSi(OR)4-z (식 중, a 및 b = 정수, a+b = 1+2n, z = 1 또는 2, n = 1 내지 15, 바람직하게는 2 내지 8, 및 R = 1 내지 6개, 바람직하게는 1 또는 2개, 보다 바람직하게는 2개의 탄소 원자를 갖는, 동일하거나 상이한, 바람직하게는 동일한 비치환된 알킬 라디칼)의 실란 및/또는 테트라에톡시실란을 혼합할 수 있다.
제1 혼합물의 제조시 Ti, Si, Zr, Al, Y, Sn 또는 Ce의 산화물로부터 선택되는 산화물 입자를 상기 제1 혼합물에 현탁시키는 경우, 이점이 있을 수 있다. 평균 입도가 10 내지 1000 nm, 바람직하게는 20 내지 500 nm, 보다 바람직하게는 30 내지 250 nm인 산화물 입자, 바람직하게는 소수성 산화물 입자를 바람직하게는 현탁시킨다. 상기 조성물로부터 생성된 실링 매트릭스가 투명하고/거나 무색인 경우, 바람직하게는 평균 입도가 10 내지 250 nm인 산화물 입자만을 현탁시킨다. 평균 입도는 제1 입자, 또는 산화물이 응집체로서 존재하는 경우에는 응집체의 크기에 기초한다. 입도는 광 산란법, 예를 들어 레트쉬 테크날로지의 호리바 LB550 (등록상표) 유형의 장치를 사용하여 측정된다. 소수성 산화물 입자를 현탁시킨 경우, 규소 원자에 결합되고, 화학식 X1 +2 nCn- (식 중, n = 1 내지 20 및 X = 수소 또는 불소임)의 라디칼 (화학식 (I)에 따른 라디칼에서 X가 불소만, 수소만 또는 불소 및 수소 모두일 수 있음)로부터 선택되는 유기 라디칼을 그의 표면 상에 갖는다. 바람직한 라디칼은 트리플루오로메틸 또는 테트라히드로트리데카플루오로옥탄 라디칼이다.
본 발명에 따른 조성물의 도포는 다양한 일반적인 공지된 방법에 의해 수행될 수 있다. 따라서, 상기 조성물은 예를 들어 닥터 블레이드, 브러시 또는 롤러를 사용하거나, 조성물을 천연 연마석에 분무하거나, 또는 천연 연마석을 조성물에 침지시켜 도포할 수 있다. 실링 매트릭스가 천연 연마석의 기공 내에만 존재하는지 또는 기공 사이의 표면 상에, 바람직하게는 특정 두께로 존재하는지 여부에 따라, 조성물은 기공 사이의 표면으로부터 적어도 부분적으로 다시 제거되어야 한다.
조성물에 의해 형성되고, 기계적/화학적으로 및 시각적으로 모두 천연석의 표면 특성을 변화시킬 수 있는 천연석 표면 상의 층을 방지하기 위해서, 조성물을 도포한 후 및 기공 내 조성물을 고형화하기 전에 천연석의 기공 내에 존재하지 않거나 천연석의 기공으로 침투하지 않는 조성물을 천연석의 표면으로부터 제거하는 방법 단계를 수행하는 경우, 이점이 있을 수 있다. 따라서, 천연 연마석의 기공에 존재하지 않는 조성물의 일부를 천연 연마석의 표면으로부터 적어도 부분적으로 제거하는 방법 단계를, 바람직하게는 조성물을 도포한 후 및 기공 내 조성물을 고형화하기 전에 수행한다. 과량의 조성물은, 예를 들어 압축 공기, 에어 나이프(air knife)를 사용하여 제거될 수 있다. 과량의 졸은, 예를 들어 고무 와이퍼를 사용하여 연마된 천연석 표면으로부터 용이하게 제거될 수 있다.
실링 재료의 층이 기공 사이의 표면 상에 보호층으로서 존재하는 경우, 조성물의 고형화 후에 0.01 내지 8 ㎛, 바람직하게는 0.05 내지 5 ㎛, 특히 바람직하게는 0.1 내지 2 ㎛, 매우 특히 바람직하게는 0.5 내지 1 ㎛의 두께를 갖는 실링 층이 천연 연마석의 표면 상의 기공 사이에 존재하도록, 조성물을 도포할 수 있다. 층 두께는 1 평방 미터 당 도포되는 조성물의 양을 조정하거나, 코팅 두께를 제한하면서 닥터 블레이드를 사용하여 제어될 수 있다. 또한, 도포된 조성물을 부분적으로 제거함으로써 표면 상의 기공 사이의 실링 매트릭스 두께에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 사용된 압축 공기압을 변화시키거나 적합한 스페이서가 장착된 와이퍼를 사용하여 도포된 조성물의 일부만을 천연 연마석의 표면으로부터 다시 제거할 수 있다.
25 ℃에서 4 시간 동안 물에서 저장시 1 중량% 초과 (중량에 의해 측정)의 수분 흡수를 갖는 개방-기공 천연석의 경우, 먼저 천연 연마석의 기공 내로 프라이머(primer)를 투입하고, 이를 건조 또는 고형화하는 것이 이로울 수 있다. 프라이머의 제조를 위해, 액체 중에 바람직하게는 0.5 내지 30 ㎛, 보다 바람직하게는 1 내지 20 ㎛, 특히 바람직하게는 5 내지 10 ㎛의 평균 입도를 갖는 친수성 산화물 입자의 현탁액을 제조한다. 친수성 산화물 입자, 예컨대 알루미나, 에어로실 또는 침강 실리카가 바람직하게는 현탁시킬 입자로서 사용된다. 특히 바람직하게 사용되는 입자는 1 내지 100, 바람직하게는 2 내지 60 (BET 흡수 (DIN 66131)에 따라 측정)의 BET 표면적을 갖는다. 현탁된 산화물 입자의 분율은 현탁액을 기준으로 바람직하게는 1 내지 50 중량%, 보다 바람직하게는 2 내지 25 중량%이다.
가장 간단한 경우, 현탁액의 제조에 사용되는 액체는 물일 수 있다. 그러나, 시판용 졸이거나 가수분해성 화합물을 수성산으로 가수분해하여 생성할 수 있는 졸이 바람직하게는 현탁액 제조용 액체로서 사용된다.
상기 졸은 바람직하게는 알코올레이트, 니트레이트, 카르보네이트, 아세틸아세토네이트 또는 할라이드로부터 선택되는, 원소 Ti, Si, Zr, Al, Y, Sn 또는 Ce 중 하나를 갖는 화합물 1종 이상을 수성산으로 가수분해하여 제조된다. 적합한 졸의 제조는, 예를 들어 WO 99/15262호에 기재되어 있다. 특히 바람직하게는, 테트라에톡시실란을 0.01 N 내지 15 N 산, 바람직하게는 0.1 N 내지 2 N 산, 특히 질산 0.001 내지 10 중량%로 가수분해하여 졸을 제조한다. 프라이머의 점도를 조정하기 위해, 알코올, 특히 에탄올을 상기 프라이머에 첨가할 수 있다. 도포될 프라이머에 첨가된 알코올의 함량은 바람직하게는 1 내지 50 중량%이다. 철저한 혼합으로 졸에 산화물 입자를 현탁시킬 수 있다. 초음파로 추가 처리하는 것은, 현탁된 입자 크기의 균일성에 악영향을 미칠 수 있는 응집체를 파괴할 수 있으므로, 특히 이로운 것으로 알려져 있다.
기공 내로 프라이머를 투입하는 것은 통상적인 방법, 예컨대 분무, 닥터 블레이드로 도포하거나 또는 침지하여 도포함으로써 수행될 수 있으며, 후속적으로, 여전히 고형화되지 않은 프라이머를 기공 사이의 천연 연마석의 표면으로부터 다시 제거할 수 있는 후처리가 바람직하게는 수행된다. 후처리는, 예를 들어 고무 와이퍼를 사용한 와이핑, 에어 나이프를 사용한 워싱 또는 블로잉일 수 있다. 이러한 후처리는, 사용되는 입도 때문에 완전히 투명하고/거나 무색이지 않은 프라이머가 천연 연마석의 실제 표면 색상에 영향을 주지 않으면서 기공의 색상/투명도만을 변화시키게 한다.
프라이머의 고형화는 조성물의 고형화에 따라 수행될 수 있고, 실질적으로, 예를 들어 2배 내지 10배 가열 처리 시간을 연장하는 것이 이로울 수 있다.
고형화 후에 상기에 기재된 조성물은, 실링제가 규소-산소 결합 및 규소-헤테로유기 라디칼-규소 결합에 의해 형성된 망상구조를 갖는 매트릭스 물질을 갖고, 매트릭스 물질 내에 산화물 입자가 임의로 결합되거나 또는 존재할 수 있다는 특징을 갖는, 본 발명에 따른 천연석 실링제를 제공한다. 본 발명에 따른 천연석 실링제에 대한 보다 상세한 설명은 실링 매트릭스 또는 매트릭스 물질의 기재에 나타나 있다.
조성물을 고형화한 후, 동일하거나 상이한 조성을 갖는 추가 조성물, 바람직하게는 제1 처리시의 조성물과 동일한 조성물을 적어도 1회 이상, 바람직하게는 1 내지 3회 도포 및 고형화하는 방식으로 본 발명에 따른 방법을 수행하는 경우, 이로울 수 있다. 상기 조성물의 도포 및 고형화를 2회 이상, 바람직하게는 3회 또는 4회 수행한 결과, 졸의 고형화로 인한 수축으로 형성된, 충전된 기공 내 비충전된 일부 영역이 후속 처리로 충전될 수 있으므로, 기공의 충전이 실질적으로 양호해질 수 있다. 상기 방식에서, 보다 견고한 코팅, 및 이로 인해, 예를 들어 산에 의한 공격으로부터의 천연 연마석의 보다 양호한 보호가 이루어진다.
본 발명에 따른 천연 연마석 또는 본 발명에 따라 제조되는 천연 연마석은, 예를 들어 건축물, 벽, 지붕, 바닥, 위생 설비, 주방 또는 보도의 건설 또는 제조용으로 사용될 수 있다. 천연 연마석은 바람직하게는 지붕 널빤지, 조적식 블록, 외관 벽돌, 바닥 석판, 판석, 조리대, 세면기, 찬장, 스프래쉬 가드 또는 욕실 장식으로서 사용된다.
본 발명은 하기 실시예에서 보다 자세히 설명되며, 청구항과 발명의 상세한 설명으로부터 명백한 보호의 범주를 하기 실시예로 제한하고자 하지 않는다.
실시예
1: 본 발명에 따른 천연
연마석의
제조
데구사 아게로부터 상품명 다이나실란(DYNASYLAN; 등록상표) GLYEO로 수득가능한 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란 (GLYEO) 336 중량부를 먼저 비커에 투입 하고, 1 중량% 농도의 수성 질산 30 부와 혼합하였다. 초기 2 상이 하나의 투명한 균질 상이 될 때까지 교반하였다. 이어서, 에탄올 중 에어로실 (등록상표) R 821 S (데구사 아게의 실리카) 15 중량%의 분산액 488 부를 첨가하였다. 데구사 아게로부터 상품명 다이나실란 (등록상표) AMEO로 수득가능한 3-아미노프로필트리에톡시실란 (AMEO) 285 부를 상기 혼합물에 교반하면서 적가하고, 온도는 얼음으로 외부 냉각하여 40 ℃ 미만으로 유지시켰다.
이에 따라 수득한 조성물을 브러시를 사용하여 연마된 화강암 석판에 도포하였다. 돌출된 조성물을 20 분 후 고무 와이퍼를 사용하여 벗겨내었다. 이에 따라 처리된 화강암 석판을 120 ℃의 건조 오븐에서 10 분 동안 처리하여 조성물을 고형화하였다.
실시예
2: 코팅 실험
실험 1:
1 중량% 농도의 수성 HNO3 30 g을 GLYEO 336 g에서 교반하였다. 24 중량% 농도의 에어로실 R 8200 (등록상표, 데구사 아게의 발열성 실리카)의 에탄올성 분산액 114 g을 혼합하였다. 이어서, AMEO 285 g을 계속 교반하면서 적가하며, 상기 첨가는 혼합물의 온도가 40 ℃를 넘지 않도록 수행되었다. 혼합물의 제조가 완료된 후, 얻어진 졸-겔을 냉장고에 보관하였다.
실험 2:
테트라에톡시실란 (TEOS) 9.5 g을 먼저 투입하고, 데구사 아게의 다이나실란 (등록상표) 9116 (헥사데실트리메톡시실란) 0.5 g을 교반하면서 첨가하였다. 이어서, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르 1 g 및 에탄올 중 에어로실 (등록상표) R 8200 24 중량% 농도의 분산액 4.54 g을 혼합하였다. 최종 성분으로서, 1 중량% 농도의 에탄올성 질산 (진한 질산 및 에탄올로부터 제조) 0.15 g을 혼합하였다.
실험 3:
상기 실험 2와 유사하게 본 실험을 수행하였다. 다이나실란 (등록상표) 9116 대신 데구사 아게의 다이나실란 (등록상표) F8261 (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란)을 사용하였다.
실험 4:
상기 실험 2와 유사하게 본 실험을 수행하였다. 다이나실란 (등록상표) 9116 대신 데구사 아게의 다이나실란 (등록상표) OCTEO (옥틸트리에톡시실란)를 사용하였다.
도포:
실험 1 내지 4의 코팅 재료를 각각 브러시를 사용하여 실링될 천연성 표면에 도포하였다. 사전에 천연석을 보풀이 없는 건조한 천으로 문질러 두었다. 암석 온도는 실온이었다. 3 분 후 상기 암석에 스며들지 않은 코팅 재료를 와이핑으로 제거하였다. 단지 상기 방식에 의해, 매우 얇은 코팅이 유지되며, 후속적으로 분석시 코팅 품질을 식별할 수 있었다. 암석의 상이한 기공 구조 때문에 도포량이 측정되지 않았다.
경화:
열적 경화를 수행하였다. 상기 실험 1의 혼합물을 120 ℃에서 30 분 동안 경화하고, 기타 실험으로부터의 혼합물을 250 ℃에서 30 분 동안 경화하였다.
분석:
오염 물질에 대한 저항성을 DIN ISO 10545-14에 따라 조사하였다. 상기 등급 척도에서, 등급이 높을수록 청결성이 양호한 것이다. 10 중량% 농도의 수성 시트르산에 대해 내화학성을 측정하였다. 상기 목적을 위해, 실링된 표면에 한 방울을 적용하고, 반응이 개시 (기포 발생)될 때까지의 시간 (초)을 측정하였다. 사암에 대한 시험 결과를 하기 표 1에 나타내었고, 대리석에 대한 시험 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
트리카프릴린 중 Cr2O3 40 질량%를 포함하는 녹색 오염 물질을 시험 페이스트로서 사용하였다.
1. 뜨거운 물, 2. 물 중 프릴(Pril; 등록상표, 헨켈사(Henkel KGaA)) 1 중량% 농도 용액, 3. ATA (등록상표) (헨켈사)의 스코어링 밀크(scouring milk) 및 4.3 중량% 농도의 HCl 수용액을 세척제로서 사용하였다. 스코어링 밀크로 처리한 지 2 분 후, 클램프 브러시 헤드가 있는 500 rpm 회전 속도의 소형 드릴을 사용하였다.
사암 (비앙코 페를리노(Bianco Perlino)) | ||
내화학성 (초) | 스팟 테스트 | |
코팅 없음 | 0 | 3 |
실험 1에 따른 코팅 | 3 | 4 |
실험 2에 따른 코팅 | 4 | 4 |
실험 3에 따른 코팅 | 5 | 4 |
실험 4에 따른 코팅 | 4 | 4 |
대리석 (연마됨) | ||
내화학성 (초) | 스팟 테스트 | |
코팅 없음 | 0 | 3 |
실험 1에 따른 코팅 | 5 | 3 |
실험 2에 따른 코팅 | 5 | 3 |
실험 3에 따른 코팅 | 5 | 3 |
실험 4에 따른 코팅 | 5 | 3 |
실시예
3: 코팅 실험 및 비교 실험
실험 5:
테트라에톡시실란 (TEOS) 9.5 g을 먼저 투입하고, 데구사 아게의 다이나실란 (등록상표) OCTEO (옥틸트리에톡시실란) 0.5 g을 교반하면서 첨가하였다. 이어서, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르 1 g 및 에탄올 중 에어로실 (등록상표) R 8200 24 중량% 농도의 분산액 4.54 g을 혼합하였다. 1 중량% 농도의 에탄올성 질산 (진한 질산 및 에탄올로부터 제조) 0.15 g을 최종 성분으로서 혼합하였다.
실험 5의 코팅 재료를 브러시를 사용하여 실링될 천연석 표면 (비앙코 카라라(Bianco Carrara) 대리석)에 도포하였다. 사전에 천연석을 보풀이 없는 건조한 천으로 문질러 두었다. 암석 온도는 실온이었다. 10 분 후, 코팅을 건조 오븐 내 120 ℃에서 30 분 동안 건조하였다. 실험 5의 코팅 재료를 브러시를 사용하여 냉각된 제1 실링제에 다시 도포하였다. 10 분 후, 이에 따라 처리된 천연 연마석을 250 ℃에서 30 분 동안 건조하였다.
비교를 위해, 시판되는 천연 연마석 실링제를 실험 6 및 7에서 사용하였다. EAG 에핑게르 앤드 알바니 게엠베하(Efinger & Albani GmbH, 독일 데-30457 하노버 소재)의 그라피네트(Graffinet; 등록상표) 하이드로세큐르(Hydrosecur) 플러스 프라이머를 실험 6에서 사용하고, 슈바네캠프그라니트(SchwanekampGranit, 독일 데-48712 게세르 소재)의 화강암 조리대용 특정 함침제를 실험 7에서 사용하였으며, 각각 제조업자의 사용 지침서에 따랐다. 분석은 상기 실시예 2에서 언급된 분석에 상응하였다.
대리석에 대한 비교 실험 (비앙코 카라라) | ||
내화학성 (초) | 스팟 테스트 | |
코팅 없음 | 2 | 3 |
실험 5에 따른 코팅 | 330 | 5 |
실험 6에 따른 코팅 | 60 | 4 |
실험 7에 따른 코팅 | 30 | 3 |
상기 표 3에 열거된 결과로부터, 본 발명에 따른 실링제가 시판되는 함침제 또는 실링제에 비해 대리석의 내화학성 및 청결성 모두에 대해 실질적으로 양호한 특성을 갖는다는 것이 명백히 입증된다.
Claims (25)
- 적어도 천연 연마석의 표면으로부터 접근가능한 천연 연마석의 기공이 적어도 부분적으로 규소-산소 결합으로 형성된 망상구조를 갖는 매트릭스 물질로 충전되며, 상기 망상구조 상에 존재하는 규소 원자가 적어도 부분적으로 탄소 원자를 통해 규소에 결합된 유기 라디칼을 갖는 것을 특징으로 하는, 기공-함유 천연 연마석 기재의 실링된 천연 연마석.
- 제1항에 있어서, 유기 라디칼이 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 알킬 및/또는 플루오로알킬 라디칼을 갖는 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 유기 라디칼이 규소-헤테로유기 라디칼-규소 결합을 형성하는 헤테로유기 라디칼인 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 매트릭스 물질이 기공 사이의 천연 연마석 표면 상에 0.01 내지 8 ㎛의 두께로 존재하는 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 원소 Ti, Si, Zr, Al, Y, Sn 또는 Ce 중 하나 이상의 산화물 입자가 매트릭스 물질에 존재하는 것을 특징으로 하 는 천연 연마석.
- 제5항에 있어서, 10 내지 1000 nm의 평균 입도를 갖는 소수성 산화물 입자 및/또는 0.05 내지 30 ㎛의 평균 입도를 갖는 친수성 산화물 입자가 매트릭스 물질 에 존재하는 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 산화물 입자가 매트릭스 물질에 의해 천연석에 및 서로 간에 결합된 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 입자가, 규소 원자에 결합되고, 화학식 X1 +2 nCn- (식 중, n = 1 내지 20 및 X = 수소 또는 불소임, X는 불소만, 수소만 또는 불소 및 수소 모두일 수 있음)의 라디칼로부터 선택된 유기 라디칼을 그의 표면 상에 갖는 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 천연 (연마)석이 화강암, 반려암, 화강섬록암, 섬장암, 라르비카이트(larvikite), 섬록암, 반려암, 유문암, 석영 반암, 안산암, 조면암, 쿠셀라이트(kuselite), 반암, 현무암, 용암, 멜라파이르(melaphyr), 휘록암, 휘석 감람암, 대리석, 편마암, 사문암, 석회석, 쥐라(Jura) 석회석, 포탄 석회석, 석회화, 백운석, 오닉스, 설화 석고, 사암, 해록석 사암, 경 사암, 혈암 및 규암으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 천연 (연마)석이 연마된 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 제12항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 수득가능한 천연 연마석.
- 천연 연마석을 실링하기 위해, 먼저 화학식 (Z1)1Si(OR)3 (식 중, Z1 = OR 또는 Gly (= 3-글리시딜옥시프로필) 및 R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는, 동일하거나 상이한 알킬 라디칼)의 실란, 알코올, 및 수성 산 또는 염기로부터 선택된 함수 개시제의 혼합물을 제조하고, 상기 혼합물을 화학식 (Z2)zSi(OR)4-z (식 중, R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼, Z2 = HaFbCn (여기서, a 및 b = 정수, a+b = 1+2n, n = 1 내지 16), z = 1 또는 2, 또는 Z1 = Gly, Z2 = Am (= 3-아미노프로필) 및 z = 1 또는 2, 단, Z2가 Am인 경우 z는 1임)의 제2 실란과 혼합하여 제조한 유동성 유체 조성물을 표면으로부터 접근가능한 기공에 투입하고, 이를 고형화하는 것을 특징으로 하는, 천연 연마석의 실링 방법.
- 제12항에 있어서, 실온 또는 승온에서 건조하여 고형화를 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 천연 연마석을 50 내지 250 ℃로 가열하여 고형화를 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 3-아미노프로필트리에톡시실란 및 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란 또는 3-아미노프로필트리메톡시실란 및 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란을 조성물의 제조에 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 제1 혼합물의 제조에서 화학식 (HaFbCn)zSi(OR)4-z (식 중, a 및 b = 정수, a+b = 1+2n, z = 1 또는 2, n = 1 내지 16, 및 R = 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는, 동일하거나 상이한, 바람직하게는 동일한 비치환된 알킬 라디칼)의 실란 및/또는 테트라에톡시실란을 혼합하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 테트라에톡시실란 및 메틸트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란 및/또는 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란을 조성물의 제조에 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물의 제조에서 Ti, Si, Zr, Al, Y, Sn 또는 Ce의 산화물로부터 선택되는 산화물 입자를 조성물에 현탁시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 규소 원자에 결합되고, 화학식 X1 +2 nCn- (식 중, n = 1 내지 20 및 X = 수소 또는 불소임, X는 불소만, 수소만 또는 불소 및 수소 모두일 수 있음)의 라디칼로부터 선택되는 유기 라디칼을 표면 상에 갖는 산화물 입자를 현탁시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물을 도포한 후 및 기공 내 조성물을 고형화하기 전에 천연 연마석의 기공 내에 존재하지 않는 조성물의 일부를 천연 연마석의 표면으로부터 제거하는 방법 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제20항에 있어서, 과량의 조성물을 에어 나이프로 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물을 고형화한 후에 0.01 내지 8 ㎛의 두께를 갖는 실링 층이 천연 연마석의 표면 상의 기공 사이에 존재하도록 조성물을 도포하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 건축물, 벽, 지붕, 바닥, 위생 설비, 주방 또는 보도의 건설에서 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 천연 연마석의 용도.
- 제23항에 있어서, 천연 연마석이 지붕 널빤지, 조적식 블록, 외관 벽돌, 바닥 석판, 판석, 도로포장용 석판, 조리대, 세면기, 찬장 또는 스프래쉬 가드로 사용되는 것을 특징으로 하는 용도.
- 실링제가 규소-산소 결합에 의해 형성된 망상구조를 갖는 매트릭스 물질을 갖고, 상기 망상구조 내에 존재하는 규소 원자가 부분적으로 탄소 원자를 통해 규소에 결합된 유기 라디칼을 갖는 것을 특징으로 하는 천연 연마석.
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