KR20070033129A - Apparatus for washing chuck for wafer - Google Patents

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KR20070033129A
KR20070033129A KR1020050087397A KR20050087397A KR20070033129A KR 20070033129 A KR20070033129 A KR 20070033129A KR 1020050087397 A KR1020050087397 A KR 1020050087397A KR 20050087397 A KR20050087397 A KR 20050087397A KR 20070033129 A KR20070033129 A KR 20070033129A
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cleaning
chuck
wafer
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screw
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KR1020050087397A
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임영재
박귀수
이영환
김춘식
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세메스 주식회사
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Abstract

A chuck cleaning apparatus for a wafer is provided to remove impurity remaining on slots and a cleaning liquid residing on a chuck by cleaning the chuck comprised of a vertical unit and a horizontal unit and forming a cleaning unit on an opposite position with respect to the slots. A conveying unit(100) elevates and includes a slot(114) and a chuck(110). The slot mounts a wafer. The chuck has a horizontal unit supporting the slot at its side. A bath(200) is installed on a lower portion of the conveying unit and includes an inner cleaning tub(210) and an outer storing tub(220). An upper portion of the inner cleaning tub is opened. The inner cleaning tub is filled with a cleaning liquid. The outer storing tub collects the overflow cleaning liquid. A cleaning unit(120) is installed on an upper portion of the bath. The cleaning unit cleans a foreign substance formed on the chuck to spray the cleaning liquid. A gas spraying nozzle(140) is formed on a supporting unit and sprays nitrogen gas to remove the cleaning liquid remaining on the chuck. A mover(300) moves a side of the supporting unit upwardly and downwardly.

Description

웨이퍼용 척 세정장치{Apparatus for washing chuck for wafer} Apparatus for washing chuck for wafer}

도 1은 종래 기술의 습식 식각장치에 의한 식각공정을 개략적으로 나타낸 공정 흐름도이다. 1 is a process flowchart schematically showing an etching process by a wet etching apparatus of the prior art.

도 2는 종래 기술의 습식 식각설비의 이송부를 세정하는 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 2 is a view schematically showing an apparatus for cleaning a transfer part of a wet etching apparatus of the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼용 척 세정장치를 계략적으로 나타낸 사시도이다. 3 is a perspective view schematically showing a chuck cleaning apparatus for a wafer according to the present invention.

도 4는 도 3의 측면을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 4 is a cross-sectional view schematically showing the side of FIG.

도 5는 도 3의 측면을 개략적으로 나타낸 측면도이다. 5 is a side view schematically showing the side of FIG.

도 6은 도 5의 A를 확대한 부분 확대도이다. FIG. 6 is an enlarged partial view of A of FIG. 5.

도 7은 도 5의 이송부의 동작을 나타낸 사용상태도이다. 7 is a state diagram showing the operation of the transfer unit of FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 이송부 110 : 척100: transfer unit 110: chuck

113 : 수평부 114 : 슬롯113: horizontal portion 114: slot

120 : 세정부 121 : 공급관120: cleaning unit 121: supply pipe

122 : 분사구 140 : 가스분사노즐122: injection nozzle 140: gas injection nozzle

200 : 배스 210 : 내부세정조200: bath 210: internal cleaning tank

212 : 격벽 213 : 세정공급관212 bulkhead 213 cleaning supply pipe

220 : 외부저장조 222 : 배수관220: external storage tank 222: drain pipe

300 : 유동부 302 : 스크류300: flow part 302: screw

304 : 스위치 306 : 전선304: switch 306: wire

308 : 고정너트 310 : 모터부308: fixing nut 310: motor

312 : 관통홀312: through hole

본 발명은 웨이퍼용 척 세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정에서 척에 형성되는 이물질(DIW, chemical)을 제거하기 위해 세정조 상부에 DI 분사노즐과 N2 가스노즐이 구성되어 상승하는 척을 세척하는 웨이퍼용 척 세정장치에　 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chuck cleaning apparatus for a wafer, and more particularly, to remove foreign substances (DIW, chemical) formed in a chuck in a semiconductor manufacturing process, a DI injection nozzle and N 2 are disposed on an upper portion of a cleaning tank. The present invention relates to a wafer chuck cleaning device for cleaning a rising chuck with a gas nozzle.

일반적으로, 반도체소자의 고집적화에 따라 반도체 제조공정에서 웨이퍼의 세정기술은 더욱 다양화되고, 중요성이 증대되어가고 있다. In general, with the higher integration of semiconductor devices, the technology for cleaning wafers is becoming more diversified and more important in semiconductor manufacturing processes.

특히 미세구조를 갖는 반도체소자의 제조공정에 있어서는 웨이퍼의 세정 공정 후 웨이퍼에 부착된 파티클(particles)뿐만 아니라, 이물질(DIW, chemical), 정전기, 워터마크(water mark), 라인성 파티클 등은 후속공정에 커다란 영향을 미치게 되기 때문에, 웨이퍼의 건조공정의 필요성이 더욱 증대된다. In particular, in the manufacturing process of a semiconductor device having a fine structure, not only particles attached to the wafer after the wafer cleaning process, but also foreign matters (DIW, chemical), static electricity, watermarks, line particles, etc. Since the process has a great influence, the necessity of the wafer drying process is further increased.

따라서 반도체 제조공정에서는 각 단계 공정의 전후에 약액(chemical) 또는 순수(DIW)등을 이용하여 웨이퍼의 표면에 대한 세정공정을 실시한다. Therefore, in the semiconductor manufacturing process, a cleaning process is performed on the surface of the wafer using chemical or pure water (DIW) before and after each step.

상기에서 반도체 소자를 제조하는 경우 웨이퍼 표면에의 감광막 도포와 식각 공정 등을 수회 진행하며, 감광막 도포와 식각 공정시 이물질로 인해 웨이퍼의 표면은 오염될 수 있다. When the semiconductor device is manufactured, the photoresist coating and etching processes are performed on the surface of the wafer several times, and the surface of the wafer may be contaminated by foreign matter during the photoresist coating and etching processes.

따라서 오염원인 이물질을 제거하기 위해 웨이퍼에 대해 세정 처리를 진행하는 것은 필수적이라 할 수 있다. Therefore, it can be said that the cleaning process is performed on the wafer in order to remove the foreign matter that is a pollution source.

상기에서 세정공정은 약액이 담겨진 세정조에 다수의 웨이퍼를 슬롯에 삽입하여 척의 유동으로 이물질을 제거하는 방식이 널리 쓰이고 있다. In the cleaning process, a plurality of wafers are inserted into a slot in a cleaning tank containing chemical liquid to remove foreign substances by the flow of the chuck.

이러한 세정공정은 세정조 및 약액 공급관 등을 포함하는 일련의 장치를 구비한 습식세정 장치에 의해 행하여지고 있다. This washing process is performed by a wet washing apparatus equipped with a series of apparatuses including a washing tank and a chemical liquid supply pipe.

습식세정 장치를 이용한 웨이퍼 세정공정에 있어서, 웨이퍼 표면상의 이물질에 대한 에칭 속도는 약액의 종류 및 조성비율에 따라 다소 차이가 있지만 대개는 세정조 내의 약액의 유속 분포와 밀접한 관계가 있다. In the wafer cleaning process using the wet cleaning apparatus, the etching rate of the foreign matter on the wafer surface is somewhat different depending on the type and composition ratio of the chemical liquid, but it is usually closely related to the flow rate distribution of the chemical liquid in the cleaning tank.

도 1은 종래 기술의 습식 식각장치에 의한 식각공정을 개략적으로 나타낸 공정 흐름도이고, 도 2는 종래 기술의 습식 식각설비의 이송부를 세정하는 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. FIG. 1 is a process flowchart schematically illustrating an etching process by a wet etching apparatus of the prior art, and FIG. 2 is a view schematically illustrating an apparatus for cleaning a transfer part of the wet etching apparatus of the prior art.

도 1 내지 도 2를 참조하면, 용액이 저장되어 투입된 웨이퍼를 식각하는 화학조(10)와, 식각된 웨이퍼를 세척하도록 린스액이 담겨진 세정조(20,30)와, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 세척액을 제거하는 건조조(40)와, 웨이퍼를 순차적으로 이송 시키는 이송부(1)로 구성된다. 1 to 2, a chemical bath 10 for etching a wafer into which a solution is stored and injected, cleaning baths 20 and 30 in which a rinse liquid is contained to wash the wafer, and remaining on the surface of the wafer It consists of a drying tank 40 for removing the washing liquid, and a transfer unit 1 for sequentially transferring the wafer.

상기에서 이송부(1)에 의해 척은 세정액(50)이 담겨진 배스(60) 내부로 하강되어 척(2)에 묻어있는 불순물을 제거하게 된다. In the above, the chuck is lowered into the bath 60 in which the cleaning liquid 50 is contained by the transfer unit 1 to remove impurities from the chuck 2.

그러나 이송부는 웨이퍼를 수납하는 슬롯이 형성된 척이 각 공정이 진행되는 동안 각각의 공정조에 웨이퍼와 함께 투입되는데, 이때 척과 슬롯에 이물질이 묻게 되어 척을 주기적으로 세척 하야하는 불편한 문제점이 있다. However, the transfer unit is provided with a wafer in each process tank during the process of the chuck formed with a slot for receiving the wafer, the foreign matter is deposited on the chuck and the slot there is an inconvenient problem that the chuck should be periodically cleaned.

또한, 상기 척에 형성되어 있으며 웨이퍼를 적재하는 슬롯들의 좁은 공간에 잔존하는 불순물은 쉽게 제거되지 않는 문제점이 있다. In addition, the impurities formed in the chuck and remaining in the narrow space of the slots for loading the wafer are not easily removed.

또한, 상기에서 불순물이 완전히 제거되지 않은 척이 웨이퍼를 척킹하게 되어 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있다. In addition, there is a problem in that the chuck that does not completely remove impurities may chuck the wafer and contaminate the wafer.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 척을 세정하는 세정액이 담겨진 배스 상부를 용이하게 세정할 수 있는 웨이퍼용 척 세정장치를 제공하는데 있다. The present invention has been invented to solve the problems of the prior art as described above, to provide a chuck cleaning device for a wafer that can easily clean the top of the bath containing the cleaning liquid for cleaning the chuck.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 이송부, 척, 세정부, 가스분사노즐, 배스, 유동부를 포함한다. In order to achieve the above object, the present invention includes a transfer unit, a chuck, a cleaning unit, a gas injection nozzle, a bath, and a flow unit.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 승 하강되며, 웨이퍼를 적재하는 슬롯과 슬롯을 지지하는 수평부가 일측에 구성되는 척을 포함하는 이송부와 상기 이송부 하부에 구성되며, 상부가 개방되며, 세정액이 채워지는 내부세정조와 넘치는 세정액을 모집하는 외부저장조로 구성되는 배스와 상기 배스 상부에 구성되며, 세정액이 분사되어 척에 형성되는 이물질을 세정하는 세정부와 상기 척에 잔존하는 세정액을 제거하기 위해 질소가스가 분사되고 지지부에 구성되는 가스분사노즐 및 　상기 지지부 일측을 상, 하로 유동시키는 유동부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the present invention is configured to be lowered and lowered in the transfer part and the transfer part including a chuck configured to be raised and lowered, the slot for loading the wafer and the horizontal portion for supporting the slot on one side, A bath consisting of an internal cleaning tank filled with a cleaning liquid and an external storage tank for recruiting overflowing cleaning liquid and an upper portion of the bath, the cleaning portion is sprayed to clean foreign substances formed in the chuck, and the cleaning liquid remaining on the chuck is removed. It is characterized in that it comprises a gas injection nozzle which is injected to the nitrogen gas and configured to the support and the flow unit for flowing up and down one side of the support.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼용 척 세정장치를 계략적으로 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3의 측면을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 3 is a perspective view schematically showing a chuck cleaning apparatus for a wafer according to the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing the side of FIG.

본 발명의 일 실시예에서, 웨이퍼용 척 세정장치는 이송부(100), 척(110), 세정부(120), 가스분사노즐(140), 배스(200), 유동부(300)를 포함한다. In one embodiment of the present invention, the chuck cleaning apparatus for the wafer includes a transfer unit 100, the chuck 110, the cleaning unit 120, the gas injection nozzle 140, the bath 200, the flow unit 300. .

도 3 내지 도 4를 참조하면, 습식 식각장치에 사용되는 이송부(100)의 척(110)을 세정하기 위한 것으로, 배스(200)와 세정부(120), 가스분사노즐(140)이 구성된다. 3 to 4, the bath 200, the cleaning unit 120, and the gas injection nozzle 140 are configured to clean the chuck 110 of the transfer unit 100 used in the wet etching apparatus. .

상기에서 배스(200)는 상부가 개방되고 내부세정조(210)와 외부저장조(220)로 구성되며, 상부에는 이송부(100)가 구성된다. In the bath 200, the upper part is opened and is composed of an internal cleaning tank 210 and an external storage tank 220, the transfer unit 100 is configured at the top.

그리고 내부세정조(210)는 하부에는 일측에 구성되는 펌프(미도시)와 연결된 세정액공급관(213)이 연결되고, 세정액공급관(213)을 통해 내부세정조(210)에 세정액(50)을 공급한다. In addition, the internal cleaning tank 210 is connected to a cleaning liquid supply pipe 213 connected to a pump (not shown) configured at one side thereof, and supplies the cleaning liquid 50 to the internal cleaning tank 210 through the cleaning liquid supply pipe 213. do.

또한, 외부저장조(220)는 하측에 배수관(222)이 설치되고, 내부세정조(210) 에서 오버 플로우되는 세정액(50)을 수용한 후 상기 배수관(222)을 통해 외부로 배수한다. In addition, the external storage tank 220 is a drain pipe 222 is installed on the lower side, after receiving the washing liquid 50 overflows from the internal cleaning tank 210 and drains to the outside through the drain pipe 222.

여기서, 내부세정조(210)는 하나의 개구부(211)를 갖는 용기로 구성될 수 있지만, 바람직하게는 적은 양의 세정액(50)을 사용하기 위해 상기 내부세정조(210)의 중심부에 복수개의 격벽(212)을 형성한다. Here, the internal cleaning tank 210 may be configured as a container having one opening 211, but preferably, a plurality of internal cleaning tanks are formed at the center of the internal cleaning tank 210 in order to use a small amount of the cleaning liquid 50. The partition 212 is formed.

상기에서 세정부(120)와 가스분사노즐(140)은 내부세정조(210) 상부의 개구부(211)와 인접하여 구성되는데, 세정부(120)는 개구부(211)의 길이방향으로 공급관(121)이 구성된다. The cleaning unit 120 and the gas injection nozzle 140 are configured to be adjacent to the opening 211 of the upper portion of the internal cleaning tank 210, the cleaning unit 120 is a supply pipe 121 in the longitudinal direction of the opening 211. ) Is configured.

또한 공급관(121)은 각각의 척(110)에 형성된 슬롯(114)들과 인접되도록 각각 설치된다. In addition, the supply pipe 121 is installed to be adjacent to the slots 114 formed in each chuck 110, respectively.

공급관(121)은 슬롯(114)들과 대향되는 위치에 복수개의 분사구(122)들이 형성되고, 분사구(122)를 통해 탈 이온수를 분사하게 된다. The supply pipe 121 has a plurality of injection holes 122 are formed in a position facing the slots 114, and the deionized water is injected through the injection hole (122).

한편, 개구부(211) 상부의 일측에는 제1 지지부(130a)가 결합되고, 상기 제1 지지부(130a)와 대향되는 위치에 제2 지지부(130b)가 결합되고 제1 지지부(130a)와 제2 지지부(130b)는 공급관(121)보다 높은 위치까지 돌출되고, 제1 지지부(130a)와 제2 지지부(130b)에는 복수개의 가스분사노즐(140)이 구성된다. On the other hand, the first support portion 130a is coupled to one side of the upper portion of the opening 211, and the second support portion 130b is coupled to the position opposite to the first support portion 130a, and the first support portion 130a and the second support portion 130a are coupled to each other. The support part 130b protrudes to a position higher than the supply pipe 121, and a plurality of gas injection nozzles 140 are formed in the first support part 130a and the second support part 130b.

상기에서 가스분사노즐(140)은 질소가스(N2)가 분사되며, 제1 지지부(130a)와 제2 지지부(130b)의 일단이 연결된다. In the gas injection nozzle 140, nitrogen gas N 2 is injected, and one end of the first support part 130a and the second support part 130b is connected.

그리고 제2 지지부(130b) 후방을 일정각도의 기울기로 유동되게 하는 유동부 (300)가 제2 지지부(130b) 후면 일측과 내부세정조(210)의 상부면 일측에 구성된다. In addition, a flow part 300 for allowing the rear of the second support 130b to flow at a predetermined angle is configured at one side of the rear surface of the second support 130b and one side of the upper surface of the inner cleaning tank 210.

상기에서 가스분사노즐(140)은 슬롯(114)들이 형성된 척(110)을 중심으로 양측방향에 각각 한 쌍이 설치되어진다. In the above, the gas injection nozzle 140 is provided with a pair in each side with respect to the chuck 110 in which the slots 114 are formed.

척(110)은 이송부(100)와 수직방향으로 연결되는 복수개의 수직부(111,112)와 수직부(111,112)를 연결하는 수평부(113)로 구성된다. 　　　　　　　 The chuck 110 includes a plurality of vertical parts 111 and 112 connected in a vertical direction with the transfer part 100 and a horizontal part 113 connecting the vertical parts 111 and 112.

그리고 수평부(113)는 제1 수평부(113a)와 제2 수평부(113b)로 구성되고, 다수의 웨이퍼를 적재할 수 있도록 슬롯(114)들이 형성된다. The horizontal portion 113 includes a first horizontal portion 113a and a second horizontal portion 113b, and slots 114 are formed to accommodate a plurality of wafers.

또한, 수직부(111,112)는 한 쌍의 제1 수직부(111a,111b)와 다른 한 쌍의 제 2 수직부(112a,112b)로 구성된다. In addition, the vertical portions 111 and 112 are constituted by a pair of first vertical portions 111a and 111b and a pair of second vertical portions 112a and 112b.

상기에서 제1 수평부(113a)가 한 쌍의 제1 수직부(111a,111b) 하단을 연결하고, 제2 수평부(113b)가 한 쌍의 제2 수직부(112a,112b)의 하단을 연결하는 구조를 갖는다. In the above, the first horizontal portion 113a connects the lower ends of the pair of first vertical portions 111a and 111b, and the second horizontal portion 113b connects the lower ends of the pair of second vertical portions 112a and 112b. It has a structure to connect.

따라서 웨이퍼의 가장자리를 적재하는 슬롯(114)들은 웨이퍼의 크기로 인해 소정거리 이격되어 서로 마주보도록 제 1수평부(113a)와 제2 수평부(113b)의 하단부에 형성된다. Therefore, the slots 114 for loading the edges of the wafer are formed at the lower ends of the first horizontal portion 113a and the second horizontal portion 113b to face each other at a predetermined distance from each other due to the size of the wafer.

또한, 한 쌍의 가스분사노즐(140)이 제1 수평부(113a)를 중심으로 양측 방향에 각각 설치되고, 다른 한 쌍의 가스분사노즐(140)은 제2 수평부(113b)를 중심으로 양측 방향에 설치된다. In addition, a pair of gas injection nozzles 140 are respectively installed in both directions with respect to the first horizontal part 113a, and another pair of gas injection nozzles 140 are centered on the second horizontal part 113b. It is installed in both directions.

도 5는 도 3의 측면을 개략적으로 나타낸 측면도이고, 도 6은 도 5의 A를 확 대한 부분 확대도이고, 도 7은 이송부의 동작을 나타낸 사용상태도이다. FIG. 5 is a side view schematically showing the side of FIG. 3, FIG. 6 is a partially enlarged view of part A of FIG. 5, and FIG. 7 is a state diagram showing the operation of the transfer unit.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 이물질이 묻은 척(110)을 세정하기 위해 내부세정조(210)로 하강하면, 소정시간이 경과되면서 수직부(111,112)와 슬롯(114)이 형성된 수평부(113)에 묻어있는 불순물들이 제거된다. 5 to 7, when descending to the internal cleaning tank 210 to clean the chuck 110, the foreign matter is attached, the horizontal portion (111, 112) and the slot 114 is formed with a predetermined time elapsed ( Impurities in 113 are removed.

다음으로 일정시간이 또 경과하면 척(110)을 상기 내부세정조(210)의 상부로 상승시키면, 개구부(211) 상부에 구성되는 세정부는 의 공급관을 통해 공급되는 순수(DIW)가 다수 구성되는 분사구(122)에서 분사되어 수평부(113)에 형성된 슬롯(114)들을 집중적으로 세정하게 된다. Next, when a predetermined time elapses, when the chuck 110 is raised to the upper portion of the inner cleaning tank 210, the washing unit formed on the opening 211 is composed of a plurality of pure water (DIW) supplied through the supply pipe of the washing unit. Injected from the injection hole 122 is to intensively clean the slots 114 formed in the horizontal portion (113).

다음으로 척(110)이 승강하게 되면서 상기 수평부(113)의 세정이 진행되는 동안 가스분사노즐(140)에서는 질소가스(N2)를 분사하여 세정이 완료된 척(110)을 건조하게 된다. Next, while the chuck 110 is raised and lowered, the gas injection nozzle 140 sprays nitrogen gas (N 2 ) while the horizontal portion 113 is being cleaned, thereby drying the chuck 110.

상기에서 척(110)과 하부의 수평부(113)의 이물질을 제거하는 과정에 세정부(120)에서 분사된 액체가 척(110)의 표면장력에 의해 물방울 형상으로 형성되어, 가스분사노즐(140)에서 분사되는 질소가스를 분사하여도 물방울이 완전히 제거되지 않는다. In the process of removing the foreign substances of the chuck 110 and the lower horizontal portion 113 in the liquid is sprayed in the cleaning unit 120 is formed in a droplet shape by the surface tension of the chuck 110, the gas injection nozzle ( Water droplets are not completely removed even when nitrogen gas is injected from 140).

따라서 척(110)과 수평부(113)에 맺히는 물방을 제거하기 위해 제2 지지부(130b) 하부면에 고정되고, 일측이 내부세정조(210)에 고정되는 유동부(300)가 구성된다. Therefore, the flow part 300 is fixed to the lower surface of the second support part 130b to remove the water droplets formed on the chuck 110 and the horizontal part 113, and one side is fixed to the inner cleaning tank 210.

유동부(300)는 전선(306)과 전기적으로 연결되는 모터부(310)와 전면에 모터 부(310)를 제어하고, 상승, 하강, 및 온오프 기능을 포함하는 스위치(304)가 구성되며, 모터부(310) 상부면에는 회동 가능하도록 스크루(302)가 구성된다. The flow unit 300 includes a motor unit 310 electrically connected to the wire 306 and a switch 304 that controls the motor unit 310 on the front surface and includes a rising, lowering, and on / off function. The upper surface of the motor unit 310, the screw 302 is configured to be rotatable.

스크루는 원통형으로 외부면에 나사산형상이 상부에서 하부로 구성되며, 모터부(310)의 동작으로 회동하여 상부 타단에 결합된 제2 지지부(130b)를 상승 또는 하강시키며, 스위치(304)의 선택으로 모터부(310)가 동작하여 제2 지지부(130b)원하는 위치에 정지를 시킬 수 있다. The screw is cylindrical in shape and has a thread shape on the outer surface from top to bottom, and rotates by the operation of the motor part 310 to raise or lower the second support part 130b coupled to the other end of the screw, and select the switch 304. Thus, the motor 310 may operate to stop the second support 130b at a desired position.

상기에서 제2 지지부(130b) 하부 일측에는 스크루(302)와 결합되고, 스크루(302)의 회동으로 제2 지지부(130b)를 유동시키는 고정너트(308)가 구성되며, 고정너트(308) 상부에는 스크루(302)가 삽입되는 관통홀(312)이 형성된다. The fixing nut 308 is coupled to the lower side of the second support portion 130b and coupled to the screw 302 to flow the second support portion 130b by the rotation of the screw 302, and the upper portion of the fixing nut 308. Through holes 312 into which the screw 302 is inserted are formed.

관통홀(312)은 스크루(302)가 회동하여 제2 지지부(130b)를 하강시킬 때 고정너트(308) 상부로 스크루(302)가 돌출되도록 형성되는 공간이다. The through hole 312 is a space in which the screw 302 protrudes above the fixing nut 308 when the screw 302 is rotated to lower the second support 130b.

또한 관통홀(312)은 고정너트(308)를 삽입하고 스크루(302)가 회동하여 제2 지지부(130b)를 상승 및 하강시킬 때, 고정너트(308) 상부로 돌출되는 스크루(302)가 삽입되는 공간이다. In addition, the through hole 312 inserts the fixing nut 308 and when the screw 302 is rotated to raise and lower the second support part 130b, the screw 302 protruding above the fixing nut 308 is inserted. It is a space.

　따라서 제1 지지부(130a)와 제2 지지부(130b)에 구성되는 가스분사노즐(140)에서 제2 지지부(130b)에 구성되는 유동부(300)의 동작으로 제2 지지부(130b)가 일정각도로 상승하여 가스분사노즐(140)이 기울기가 형성된다.Therefore, the gas support nozzle 140 configured at the first support 130a and the second support 130b is operated at a predetermined angle by the operation of the flow unit 300 configured at the second support 130b. Ascending to the gas injection nozzle 140 is formed a slope.

상기에서 일정각도로 기울어진 가스분사노즐(140)에서 분사되는 질소 가스는 척(110)이 상승하면서 가스분사노즐(140)을 통과할 때, 척(110)과 하부의 수평부(113)에 맺힌 물방울을 전방에서 후방으로 유동시켜, 물방울이 서로 합쳐져 크기가 증가하고, 크기가 증가된 물방울이 자체 무게가 표면장력보다 무거워 척(110)과 수평부(113)에서 이탈하게 된다. Nitrogen gas injected from the gas injection nozzle 140 inclined at a predetermined angle in the chuck 110 is raised to the horizontal portion 113 of the chuck 110 and the lower portion as the chuck 110 passes through the gas injection nozzle 140. The resulting droplets flow from the front to the rear, and the droplets merge with each other to increase in size, and the droplets of increased size are separated from the chuck 110 and the horizontal portion 113 because their weight is heavier than the surface tension.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 일정각도로 기울어진 가스분사노즐에서 분사되는 가스는 척이 상승하면서 가스분사노즐을 통과할 때, 척과 하부의 대응하게 구성되는 수평부에 맺힌 물방울을 전방에서 후방으로 유동시키면, 물방울이 크기를 증가하여 척과 수평부에서 이탈되어 제거되는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, when the gas injected from the gas injection nozzle inclined at a predetermined angle passes through the gas injection nozzle while the chuck rises, the water droplets formed in the corresponding horizontal part of the chuck and the lower part are forward to rearward. When flowing in, the water droplets are increased in size and removed from the chuck and the horizontal portion is effective.

또한, 수직부와 수평부로 구성된 척을 세정함과 동시에, 슬롯들과 대향되는 위치에 세정부가 구비되어 슬롯들의 좁은 공간으로 분사하므로, 슬롯들에 잔존하는 불순물을 보다 효과적으로 제거해 주는 효과가 있다. In addition, at the same time as cleaning the chuck consisting of the vertical portion and the horizontal portion, the cleaning portion is provided in a position opposite to the slots are sprayed into the narrow space of the slots, it is effective to remove the impurities remaining in the slots more effectively.

또한, 세정액이 채워진 배스에서 슬롯 및 슬롯이 형성된 척을 세정하고, 탈 이온수를 분사하는 세정부에서 척에 형성된 슬롯을 집중적으로 세정하여 미세한 불순물을 제거한 후, 가스분사노즐을 통해 질소가스를 분사하여 척에 잔존하는 세정액을 제거해 주는 효과가 있다. In addition, the rinsing slot and slotted chuck are cleaned in the bath filled with the cleaning solution, the slots formed in the chuck are intensively removed from the washing section injecting deionized water to remove fine impurities, and then nitrogen gas is injected through the gas injection nozzle. It is effective in removing the cleaning liquid remaining in the chuck.

결과적으로, 본 발명을 이용하여 구성되는 제품의 부가가치를 향상시켜 제품의 상품성과 품질을 향상시켜 줄 수 있도록 하였음은 물론이고, 더불어 신뢰성 등을 줄 수 있도록 한 효과를 가지게 되는 것이다. As a result, it is possible to improve the added value of the product configured using the present invention to improve the merchandise and quality of the product, as well as to have the effect to give reliability.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And that it can be changed.

Claims (6)

승, 하강되며, 웨이퍼를 적재하는 슬롯과 슬롯을 지지하는 수평부가 일측에 구성되는 척을 포함하는 이송부; A transfer part including a chuck configured to move upward and downward and include a slot for loading a wafer and a horizontal part supporting the slot; 상기 이송부 하부에 설치되며, 상부가 개방되고 세정액이 채워지는 내부세정조와 넘치는 세정액을 수집하는 외부저장조로 구성되는 배스; A bath disposed below the transfer part and configured to include an internal cleaning tank in which an upper portion thereof is opened and a cleaning liquid is filled, and an external storage tank collecting overflowing cleaning liquid; 상기 배스 상부에 설치되며, 세정액이 분사되어 척에 형성되는 이물질을 세정하는 세정부; A cleaning unit installed on the bath and cleaning the foreign matter formed in the chuck by spraying the cleaning liquid; 상기 척에 잔존하는 세정액을 제거하기 위해 질소가스가 분사되고 지지부에 구성되는 가스분사노즐; 및 A gas injection nozzle configured to support a nitrogen gas and to support the cleaning solution remaining in the chuck; And 　상기 지지부 일측을 상, 하로 유동시키는 유동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 척 세정장치. Chuck cleaning device for a wafer, characterized in that it comprises a flow portion for flowing one side of the support portion up and down. 제 1 항에 있어서, 상기 세정부는 배스와 가스분사노즐 사이에 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 척 세정장치. The chuck cleaning apparatus for a wafer according to claim 1, wherein the cleaning unit is configured between the bath and the gas injection nozzle. 제 1 항에 있어서, 상기 유동부는 전기적으로 연결되는 모터부; The apparatus of claim 1, wherein the flow unit comprises a motor unit electrically connected to the flow unit; 상기 모터부 전면에 구성되며, 상승, 하강, 및 온오프 기능을 포함하는 스위치; 및 A switch configured on the front of the motor unit and including a rising, lowering, and on-off function; And 상기 스위치의 동작으로 모터부가 동작되며, 상부면에는 모터부의 구동으로 회동 가능하도록 구성되는 스크루를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 척 세정장치. The motor unit is operated by the operation of the switch, the upper surface of the wafer chuck cleaning apparatus comprising a screw configured to be rotatable by the drive of the motor unit. 제 3 항에 있어서, 상기 스크루는 원통형으로 외부면에 나사산형상이 상부에서 하부로 구성되며, 모터부의 구동으로 회동하며, 상부 타단에 결합된 제2 지지부를 상승 또는 하강시켜 가스분사노즐을 일정각도의 기울기를 유지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 척 세정장치. 4. The screw of claim 3, wherein the screw has a cylindrical shape on the outer surface from top to bottom, rotates by driving of the motor part, and raises or lowers the second support part coupled to the other end to rotate the gas injection nozzle at an angle. Chuck cleaning device for a wafer, characterized in that to maintain the slope of the. 제 1 항에 있어서, 상기 지지부는 전방의 제1 지지부와 후방의 제2 지지부가 구성되며, 제2 지지부 하부 일측에는 스크루와 결합되고, 스크루의 회동으로 제2 지지부를 유동시키는 고정너트를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 척 세정장치. The method of claim 1, wherein the support portion is formed of a first support portion in the front and a second support portion in the rear, the lower side of the second support portion is coupled to the screw, and includes a fixing nut for flowing the second support portion by the rotation of the screw Chuck cleaning device for a wafer, characterized in that. 제 5 항에 있어서, 상기 고정너트를 삽입하고 스크루가 회동하여 제2 지지부를 상승 및 하강시킬 때 고정너트 상부로 돌출되는 스크루를 삽입하도록 형성되는 관통홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼용 척 세정장치. 6. The chuck cleaning method according to claim 5, further comprising a through hole formed to insert the fixing nut and to insert a screw protruding above the fixing nut when the screw rotates to raise and lower the second support. Device.
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