KR20070025149A - 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치 및 세정방법 - Google Patents

플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치 및 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수중 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치 및 세정방법에 관한 것으로, 수중에서의 플라즈마 방전을 안정적으로 유지하고, 상기 플라즈마 방전 시 발생되는 산화력이 높은 활성라디칼을 포함한 세정수를 이용하여 반도체 웨이퍼를 세정함으로써, 경제적 측면에서 유리하고, 세정효율도 높으며, 화학 화합물에 의한 재오염을 방지할 뿐만 아니라, 화학폐수 처리량 또한 적은 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치 및 그 방법을 제공하기 위하여, 반도체 세정용의 초순수수를 공급하는 초순수수 공급부와; 상기 초순수수 공급부로부터 초순수수를 공급받으며, 소정부위에 세정수 배출부를 구비하는 반응기와; 상기 반응기 내부에 설치되는 한 쌍 이상의 전극과, 상기 전극에 전원을 인가하는 전원인가 유닛과; 상기 반응기로 공기를 공급하여 상기 한 쌍의 전극 사이가 물과 공기의 2상 공간이 되도록 유도하는 산소 공급부와; 상기 세정수 배출부에서 배출된 세정수를 습식 세정장치로 공급하여 주는 세정수 공급부를 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치를 제공한다.
반도체, 플라즈마, 방전, 활성라디칼, 세정장치

Description

플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치 및 세정방법{semi-conductor cleaner for using plasma discharging and cleaning method thereof}
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마를 이용한 반도체 세정장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 사용되는 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 산기관의 설치한 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 초 순수수 공급부 20 : 캐미컬 공급부
100 : 반응기 101 : 세정수 배출부
103 : 세정가스 배출부 110 : 방전극
111 : 접지극 120 : 산소 공급부
130 : 습식 세정장치 140 : 혼합기
150 : 오존 계측기 151 : 세정수 오존 계측기
본 발명은 물과 공기의 2상 공간에서 플라즈마를 방전함으로서 산화력이 높은 다량의 활성라디칼(OH*, O*,H2O2, O3)이 포함된 세정수를 제조하여 이를 웨이퍼 세정에 이용하는 반도체 세정장치 및 세정방법에 관한 것이다.
최근 반도체 기술이 날로 초 고집적화/미세화 됨에 따라 최첨단의 제조기술에 의하여 고도의 정밀가공이 수행됨에 따라, 이를 달성하기 위하여 높은 청정도가 요구된다. 그러나 모든 웨이퍼 공정은 그 자체가 오염발생을 동반하는 경우가 많기 때문에 각 공정 후 웨이퍼 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다.
따라서, 웨이퍼 공정 상에서 웨이퍼 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 요구되며, 이를 위하여, 실리콘 기판표면의 초기세정, 산화전처리 후 세정, CVD 전처리 세정, 스파터 전처리세정, 드라이에칭 후처리 및 애칭 후처리 세정, CMP 후처리 세정 등의 다양한 공정에서 웨이퍼를 세정하는 세정공정이 적용되게 된다.
상기 세정 공정으로서, 일반적으로 많이 사용되는 것은 습식 세정공정이다.
상기 습식 세정공정은 SC1(Standard Clean-1, APM)세정공정, SC2(Standard Clean-2, HPM) 세정공정, SPM(Sulfuric acid peroxide mixture)세정공정, 희석HF(Dilute HF)세정공정 등이 있다.
상기 SC1 (Standard Clean-1, APM) 세정 공정은 암모니아, 과산화수소 그리고 물을 1:1:5의 비율(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)로 혼합하여 75~90˚C 정도의 온도에서 암모니아에 의한 웨이퍼 표면의 에칭과 과산화수소에 의한 웨이퍼 표면의 산화 반응을 동시에 발생시킴으로써, 먼지조각(particle)과 유기 오염물을 효과적으로 제거한다.
그러나, SC1 세정 공정은 상기 SC1용액의 낮은 레독스 포텐셜(Redox potential)에 의해 표면의 금속 오염을 피할 수 없다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 SC2 세정 공정이 도입되었다.
이 SC2 (Standard Clean-2, HPM) 세정 공정은 염산, 과산화수소 그리고 물을 1:1:5의 비율(HCl:H2O2:H2O = 1:1:5)로 혼합하여 75~90˚C 정도의 온도에서 천이성 금속 오염물을 제거하기 위해 사용되고 있다. 과산화수소와 염산에 의한 전지 화학적 반응에 의해 웨이퍼 표면과 전기적으로 결합한 금속 오염물을 효과적으로 제거한다.
그리고, 상기 SPM 공정은 황산과 과산화수소를 혼합한 SPM (Piranha) 용액을 이용하는데, 이 SPM 공정은 과산화수소에 의한 유기물 산화와 용해 반응과 황산에 의한 유기물 버닝(burning) 반응을 통하여 효과적으로 고온에서 감광제나 계면활성제 같은 유기 오염물을 제거한다.
한편, 상기 세정 공정들은 모두 산화제를 포함하고 있어 세정 공정 후 웨이퍼 표면에 화학적 산화막이 생성된다는 문제점을 가진다.
이와 같은 산화막을 제거하기 위하여 희석 HF 세정공정이 수행된다. 상기 희석 HF 세정공정은 세정 공정 중 가장 마지막에 수행되어, 웨이퍼 표면의 자연산화막을 효과적으로 제거하고 동시에 자연 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물을 효과적으로 제거한다.
그러나, 상기한 종래의 습식 세정공정은 다음과 같은 문제점을 또한 가진다.
상기 SC1세정공정은 암모니아의 증발에 의한 세정 효과 감소, 과산화수소의 농도 감소에 의한 표면 거칠기 증가 등의 문제점을 가지고 있고, 상기 SC2 세정 공정은 세정 비용과 환경적 문제를 발생시키며, 또한, SPM 공정에서 사용되는 SPM용액(Piranha 용액)은 황산과 과산화수소만을 혼합하여 사용하는 것으로, 세정 공정 비용이 비싸고, 고온에서 사용하기 때문에 수조(bath) 수명이 짧다는 문제점을 가지고 있다.
또한, 희석 HF공정은 HF 용액 내 과산화수소가 첨가됨에 과산화수소에 의한 표면 국부 산화에 의해 표면의 거칠기가 증가하게 된다는 문제점을 가진다.
즉, 종래의 습식 세정공정은 과산화수소를 기본으로 하고 있는 용액을 이용함으로써, 세정액의 수명 감소, 미량금속(trace metal)의 오염, 화학 폐수처리량의 증가 등의 여러 문제점을 발생시키고 있는 것이다.
한편, 현재 반도체 공정은 패턴 크기가 작아지고 있고, 고 집적화된 소자를 생산하기 때문에 제어되어야할 오염물의 수치는 더욱 엄격히 제한되고 있으며, 이에 따라 세정 용액자체가 오염물의 근원으로 되지 않도록 아주 순수한 고 순도의 물과 화학약품이 요구된다.
이를 위하여, 종래의 아주 순수한 초순수수(DIW:DI water)에 H2O2를 희석시 키는 방법을 대신하여, 산화환원에너지(redox potential)가 높은 O3와 OH 라디칼 등의 활성라디칼을 초순수수에 생성시킴으로서 발생되어지는 오염물을 세정하여 농도를 감소시키는 방안이 제안되었다.
이 방식은 환경적 경제적 측면에서 유리할 뿐 아니라 화학적 화합물들의 의한 재오염을 방지하는 순수한 세정 용액을 제공할 수 있었으나, 산화력이 높은 활성 라디칼을 안정적이며 연속적으로 다량 확보하는 것에 어려움이 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 종래에 사용되는 세정용 화학 첨가제를 사용하지 아니하고, 수중에서의 플라즈마 방전 시 발생되는 산화력이 높은 활성라디칼을 포함한 세정수를 이용하여 반도체 웨이퍼를 세정함으로써, 경제적 측면에서 유리하고, 세정효율도 높으며, 화학 화합물에 의한 재오염을 방지할 뿐만 아니라, 화학폐수 처리량 또한 적은 친환경적인 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치 및 그 방법을 제공하기 위한 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 세정용의 초순수수를 공급하는 초순수수 공급부와; 상기 초순수수 공급부로부터 초순수수를 공급받으며, 소정부위에 세정수 배출부를 구비하는 반응기와; 상기 반응기 내부에 설치되는 한 쌍 이상의 전극과, 상기 전극에 전원을 인가하는 전원인가 유닛과; 상기 반응기로 공기를 공급하여 상기 한 쌍의 전극 사이가 물과 공기의 2상 공간이 되도록 유도하는 산소 공급부와; 상기 세정수 배출부에서 배출된 세정수를 습식 세정장치로 공급하여 주는 세정수 공급부를 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 한 쌍 이상의 전극이 설치된 반응기를 설치하는 단계와; 상기 반응기 내부에 초순수수와 공기를 공급하여 상기 한쌍의 전극 사이를 2 상 공간으로 만드는 단계와; 상기 한 쌍의 전극에 전원을 인가하여 플라즈마 방전을 유도하는 단계와; 상기 플라즈마 방전으로 발생하는 활성라디칼을 포함하는 세정수를 이용하여 반도체를 세정하는 단계를 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법을 제공한다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 수중 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치의 구조를 도시한 것이다.
도시된 바와 같이 본 실시예의 반도체 세정장치는, 초순수수공급부(10), 반응기(100), 전원인가 유닛(112), 산소공급부(120), 습식 세정장치(130)로 이루어진다.
상기 초순수수 공급부(10)는 물 펌프(12)를 이용하여 초순수수 저장부(11)의 물을 반응기(100)로 공급한다.
그리고, 상기 초순수수 공급부(11)의 일측에는 캐미컬 공급부(20)가 형성된다. 이 캐미컬 공급부(20)는 캐미컬 저장부(21)의 화학 첨가제를 캐미컬 펌프(22)를 이용하여 반응기(100)로 공급한다.
상기 반응기(100)는 초순수수 공급부(10) 및 캐미컬 공급부(20)로부터 초순수수와 화학적 첨가제를 공급받는 입구(102)가 일측에 형성되며, 타측에는 세정수를 배출하는 세정수 배출부(101)가 형성되고, 상기 반응기(100)의 상측에는 세정가스 배출부(103)가 형성된다.
상기 반응기(100)의 내측에는 복수 쌍의 전극이 형성되며, 반응기(100)의 하측에는 산소(또는 공기)를 반응기(100) 안으로 주입하기 위한 산소공급부(120)가 형성된다.
상기 산소공급부는 반응기(100) 챔버 하부에 설치된 다공이 형성된 산기관(121)과, 그 산기관(121)의 미세한 구멍들을 통해 공기를 주입하는 송풍기(122)로 이루어진다.
이와 같이 이루어진 반응기(100) 안으로 물과 함께 공기를 주입되면, 물만의 1상 공간일 경우 바로 통전이 되어 버리던 현상은 일어나지 않게 되며, 플라즈마의 방전이 안정적으로 유지된다.
그리고, 상기 전극(110)(111)은 전원인가유닛(112)으로부터 전원이 인가되는 방전극(110) 및 접지상태인 접지극(111)으로 구성되는데, 이들 전극(110)(111)은 내부식성의 금속봉으로 이루어지며, 표면은 금속오염물이 발생되지 않도록 세라믹 계통의 유전체층으로 코팅하여 사용하는 것이 바람직하다. 이는 상기 활성화된 초순수수를 반도체 세척작업에서 사용하는 경우, 전극에서 이물질이 떨어지는 것을 방지하기 위한 것이다. 그리고, 작동 시에는 전원인가유닛(112)으로부터 고전압 펄스나 교류전원이 운전 조건에 따라 인가된다.
한편, 상기 반응기(100)의 일측에는, 상기 세정가스 배출부(103)에서 배출되는 세정가스와 상기 세정수 배출부(101)에서 배출되는 세정수를 혼합하여, 상기 습식 세정장치(130)로 공급하는 혼합기(140)가 형성된다.
상기 혼합기는 벤추리 관(141)으로 구성되며, 벤추리 관(141)의 입구측(141a)은 세정 가스배출부(103)와 연결되고, 중앙부분의 병목 부분(141b)의 일부가 분기되어 세정수 배출부(101)과 연결되며, 이 벤추리관(141)의 출구측은 습식 세정장치(130)와 연결된다.
그리고, 상기 반응기의 세정수 배출부(101)와 벤추리관(141) 사이에는 세정수의 오존량을 측정하는 세정수 오존 계측기(150)가 설치되고, 상기 반응기의 활성가스 배출부 측에는 활성가스의 오존량을 측정하는 오존 계측기(151)가 설치된다.
상기 세정수 오존 측정기(150)와 오존 측정기(151)는 세정가스 및 세정수 내 에 존재하는 오존을 감지하여, 상기 반응기(100)에서 플라즈마 방전이 적절하게 발생하고 있는지 여부 및 상기 반응기에서 적정 세정수 및 세정가스가 공급되는 지 여부를 판단할 수 있다.
상기 검지 결과에 따라 전원인가 유닛을 적절히 제어하여, 플라즈마 방전을 제어하는 것도 바람직하다.
이와 같이 구성된 본 실시예의 작용을 살펴보면 다음과 같다.
본 실시예의 세정장치를 가동하는 경우, 상기 반응기(100) 안으로 처리 대상 원수(原水)인 초순수수와 산소를 함께 주입한다. 그리고, 전원인가유닛(112)에서 방전극(110)에 고전압 펄스나 교류전원을 인가하면 플라즈마가 생성되면서 푸른색으로 발광하게 된다. 이때 전극(110)(111) 사이는 단순히 물만 매질로 존재하는 것이 아니라, 기포형태의 공기가 함께 공존하기 때문에, 기존처럼 바로 통전이 되면서 절연파괴가 일어나는 현상은 생기지 않게 되며, 물과 공기의 2상이 존재함으로써 절연파괴를 막아 안정적인 플라즈마 방전상태를 유지한다.
이와 같은 플라즈마 방전상태가 유지되면, 수중에서는 지속적으로 다량의 OH라디칼이 발생하게 된다. 이들은 초순수수와 반응하여 과산화수소수, 오존수 등을 생성하는데, 이렇게 제조가 된 산화력이 높은 세정수는 반응기의 세정수 배출부를 통하여 혼합기로 이송된다.
한편, 상기 세정수가 혼합기로 이송됨과 동시에, 반응기의 세정가스 배출부를 통하여, 반응기에서 발생한 세정가스 또한 혼합기로 공급된다.
상기 혼합기로 공급된 세정가스는 세정수에 일부가 용해되는 과정을 거치며, 그 후, 상기 세정수와 세정가스는 습식세정장치로 공급되어, 반도체 웨이퍼로 공급된다.
상기 반도체에 공급된 고 산화력의 세정수는 반도체 웨이퍼 등에 남아 있는 유기물과 산화반응을 일으키게 되며, 이로 인하여 수중에서 다량의 활성 라디칼이 생성되면서 바로 웨이퍼 상의 유기물과 산화반응, 분해, 처리하기 때문에 높은 세정효율을 이룰 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 세정수와 동시에 제공된 세정가스는 고농도의 활성라디칼(OH*, O*,H2O2, O3)이 포함되어 있으며, 이는 상기 세정수와 함께 세정효율을 더욱 더 향상시킨다.
상기 산화반응은 플라즈마가 안정적으로 유지되는 한 지속적으로 이루어지기 때문에, 그 처리속도도 상당히 빨라진다.
본 실시 예는, 물과 공기의 2상 공간에서 플라즈마를 방전시킴으로써, 안정적인 플라즈마 방전상태를 유지할 수 있고, 그에 따라 수중에서 다량의 활성라디칼을 확보할 수 있어서 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 세정장치의 세정효율 극대화를 위하여 활성라디칼의 형성이 잘 되도록, 캐미컬 공급부를 이용하여 초순수수와 함께 과산화수소 등의 화학적 첨가제를 주입하게 되면 세정효율은 더욱 더 향상 된다.
한편, 공기가 주입되는 다공이 형성된 산기관(121)과 전극(110)(111)의 상대위치는 도 1 도 3에 도시된 바와 같이 산기관(121)(221) 위에 방전극(110)(210)과 접지극(111)(211)이 모두 위치되도록 배치된다.
그리고, 상기 전극은 도 1과 같이 다수개의 봉형 전극(110)(111)을 마주하게 해서 사용할 수도 있고, 도 3처럼 봉형 전극(210)(211)을 교대로 설치하여 2단 이상으로 사용할 수도 있다.
특히, 도 3의 구조와 같이, 전극(210)과 접지극(211)을 교대로 평면배치하여 그 사이에서 방전이 일어나도록 하고, 그 효율을 높이기 위해서 다단으로 배치하는 것도 바람직하다.
즉, 필요에 따라 전극의 형태와 배치를 변형해서 선택해도 2상공간만 만들 수 있으면 본 발명의 효과를 무난하게 얻을 수 있다.
상술한 본 발명의 수중 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치 및 세정방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, 본 발명은 물과 공기의 2상 공간에서 플라즈마를 방전하여 산화력이 높은 다량의 활성라디칼(OH*, O*,H2O2, O3)이 포함된 세정수 및 세정가스를 제조하고, 이 세정수 및 세정가스를 이용하여 반도체 웨이퍼를 세정함으로써, 반도체 웨이퍼의 세정 효율을 높일 수 있다.
둘째, 본 발명은, 플라즈마 반응에서 활성라디칼이 생성되면 바로 반도체 웨 이퍼에 존재하는 유기물과 산화반응을 일으키게 하여 활성라디칼의 소멸을 최소화함으로써, 활용율을 향상시킨다.
셋째, 비교적 간단한 구조의 반응기로 2상공간의 구현이 가능하기 때문에, 장치가 단순하며 경제적 부담도 매우 적다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.

Claims (15)

  1. 반도체 세정용의 초순수수를 공급하는 초순수수 공급부와;
    상기 초순수수 공급부로부터 초순수수를 공급받으며, 소정부위에 세정수 배출부를 구비하는 반응기와;
    상기 반응기 내부에 설치되는 한 쌍 이상의 전극과, 상기 전극에 전원을 인가하는 전원인가 유닛과;
    상기 반응기로 공기를 공급하여 상기 한 쌍의 전극 사이가 물과 공기의 2상 공간이 되도록 유도하는 산소 공급부와;
    상기 세정수 배출부에서 배출된 활성화된 세정수를 이용하여 반도체를 세정하는 습식 세정장치를 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반응기에 화학적 첨가제를 공급하는 캐미컬 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반응기의 소정 부위에 세정가스 배출부를 형성하고, 상기 활성가스 배출부에서 배출되는 활성가스와 상기 세정수 배출부에서 배출되는 세정수를 혼합하여, 상기 습식 세정장치로 공급하는 혼합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 혼합기는 벤추리관으로 이루어지며, 상기 벤추리관의 일측은 상기 활성가스 배출부와 연결되고, 병목 부분은 세정수 배출관과 연결되며, 타측은 상기 습식 세정장치와 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공기 주입유닛을 상기 반응기의 입측에 설치된 다공이 형성된 산기관과, 이 산기관의 구멍을 통해 공기를 주입하는 송풍기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 전극은 내 부식성의 금속봉과 금속메쉬 중 선택된 어느 하나의 형태로서, 외부 표면에 유전체 코팅이 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 전극은 전원이 인가됨에 따라 방전하는 방전극과, 그 방전극에 대면하는 접지극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 공기주입유닛은 다공의 산기관을 포함하며,
    상기 한 쌍의 전극 하방에 상기 산기관이 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전원인가유닛은 고전압 펄스나 교류전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 활성가스 배출부에서 배출되는 세정가스의 O3를 계측하는 오존 계측기를 더 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 세정수 배출부에서 배출되는 세정수의 오존량을 계측하는 세정수 오존 계측기를 더 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정장치.
  12. 한 쌍 이상의 전극이 설치된 반응기를 설치하는 단계와; 상기 반응기 내부에 초순수수와 공기를 공급하여 상기 한쌍의 전극 사이를 2 상 공간으로 만드는 단계와; 상기 한 쌍의 전극에 전원을 인가하여 플라즈마 방전을 유도하는 단계와; 상기 플라즈마 방전으로 발생하는 활성라디칼을 포함하는 세정수를 이용하여 반도체를 세정하는 단계를 포함하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법.
  13. 제13항에 있어서,
    상기 반응기 내부에 초순수수와 함께 화학 첨가제를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 반응기에서 미반응하여 배출되는 라디칼을 반응기에서 배출된 세정수에 용해시키는 이차 용해단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 세정수의 오존량을 측정하고, 이 측정치에 따라 상기 플라즈마 방전을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방전을 이용한 반도체 세정방법.
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