KR100746570B1 - 반도체 웨이퍼 및 ｆｐｄ기판의 포토레지스트 제거용리모트 플라즈마 시스템 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템은, 포토레지스트 제거 시스템과 제어시스템 및 전처리 시스템으로 구성되어 있으며, 포토레지스트 제거 시스템은; 이 시스템 내부에 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스터를 제거하기 위한 반응부; 반응 시 포토레지스터를 제거하는 처리부; 반응부에 공급될 고온의 물 발생을 위한 가열부를 포함한다.
제어시스템은; 가스와 온도와 압력을 조절하는 가스 및 온도 및 압력 제어부; 반응부에 공급될 전원부; 배관 및 밸브, 펌프 및 보조가스를 갖는 유틸리티부를 포함한다. 상기와 같은 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템은 산화력이 높은 활성라디칼과 고온의 물과 보조가스를 이용하여 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 상에 형성된 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있다.
반도체, 플라즈마, 방전, 활성라디칼, PR제거
Description
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 사시도,
도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 단면도,
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 블럭도,
도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 블럭도,
도 5는 본 발명의 반응부에 삽입되어지는 리모트 플라즈마 전극의 단면도,
도 6은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 평면도,
도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템을 이용하여 처리된 포토레지스트의 400배 확대사진.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 포토레지스트 제거 시스템 200 : 제어시스템
300 : 전처리 시스템 400 : 처리부
500 : 반응부 600 : 가열부
700 : 가스 및 온도 및 압력 제어부 800 : 전원부
900 : 유틸리티부
본 발명은 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 상에 형성된 포토레지스트를 제거하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템 및 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 기술이 날로 초 고집적화/미세화 됨에 따라 최첨단의 제조기술에 의하여 고도의 정밀가공이 수행됨에 따라, 이를 달성하기 위하여 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 높은 청정도가 요구된다.
그러나 모든 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 공정은 그 자체가 오염발생을 동반하는 경우가 많기 때문에 각 공정 후 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다.
따라서, 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 공정 상에서 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 요구되며, 이를 위하여, 실리콘 기판 표면의 초기세정, 산화전처리 후 세정, CVD 전처리 세정, 스파터 전처리세정, 드라이에칭 후처리 및 에칭 후처리 세정, CMP 후처리 세정 등의 다양한 공정에서 반도체 웨이퍼 및 FPD기판를 세정하는 세정공정이 적용되게 된다.
상기 세정 공정으로서, 일반적으로 많이 사용되는 것은 습식 세정공정이다.
상기 습식 세정공정은 SC1(Standard Clean-1, APM)세정공정, SC2(Standard Clean-2, HPM) 세정공정, SPM(Sulfuric acid peroxide mixture)세정공정, 희석HF(Dilute HF)세정공정 등이 있다.
상기 SC1 (Standard Clean-1, APM) 세정 공정은 암모니아, 과산화수소 그리고 물을 1:1:5의 비율(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)로 혼합하여 75~90℃ 정도의 온도에서 암모니아에 의한 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 표면의 에칭과 과산화수소에 의한 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 표면의 산화 반응을 동시에 발생시킴으로써, 먼지조각(particle)과 유기 오염물을 효과적으로 제거한다.
그러나, SC1 세정 공정은 상기 SC1용액의 낮은 레독스 포텐셜(Redox potential)에 의해 표면의 금속 오염을 피할 수 없다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 SC2 세정 공정이 도입되었다.
이 SC2 (Standard Clean-2, HPM) 세정 공정은 염산, 과산화수소 그리고 물을 1:1:5의 비율(HCl:H2O2:H2O = 1:1:5)로 혼합하여 75~90℃ 정도의 온도에서 천이성 금속 오염물을 제거하기 위해 사용되고 있다. 과산화수소와 염산에 의한 전지 화학적 반응에 의해 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 표면과 전기적으로 결합한 금속 오염물을 효과적으로 제거한다.
그리고, 상기 SPM 공정은 황산과 과산화수소를 혼합한 SPM (Piranha) 용액을 이용하는데, 이 SPM 공정은 과산화수소에 의한 유기물 산화와 용해 반응과 황산에 의한 유기물 버닝(burning) 반응을 통하여 효과적으로 고온에서 감광제나 계면활성제 같은 유기 오염물을 제거한다.
한편, 상기 세정 공정들은 모두 산화제를 포함하고 있어 세정 공정 후 웨이퍼 표면에 화학적 산화막이 생성된다는 문제점을 가진다.
이와 같은 산화막을 제거하기 위하여 희석 HF 세정공정이 수행된다. 상기 희석 HF 세정공정은 세정 공정 중 가장 마지막에 수행되어, 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 표면의 자연산화막을 효과적으로 제거하고 동시에 자연 산화막 내에 포함되어 있는 금속 오염물을 효과적으로 제거한다.
그러나, 상기한 종래의 습식 세정공정은 다음과 같은 문제점을 또한 가진다.
상기 SC1세정공정은 암모니아의 증발에 의한 세정 효과 감소, 과산화수소의 농도 감소에 의한 표면 거칠기 증가 등의 문제점을 가지고 있고, 상기 SC2 세정 공정은 세정 비용과 환경적 문제를 발생시키며, 또한, SPM 공정에서 사용되는 SPM용액(Piranha 용액)은 황산과 과산화수소만을 혼합하여 사용하는 것으로, 세정 공정 비용이 비싸고, 고온에서 사용하기 때문에 수조(bath) 수명이 짧다는 문제점을 가지고 있다.
또한, 희석 HF공정은 HF 용액 내 과산화수소가 첨가됨에 따라 과산화수소에 의한 표면 국부 산화에 의해 표면의 거칠기가 증가하게 된다는 문제점을 가진다.
즉, 종래의 습식 세정공정은 과산화수소를 기본으로 하고 있는 용액을 이용 함으로써, 세정액의 수명 감소, 미량금속(trace metal)의 오염, 화학 폐수처리량의 증가 등의 여러 문제점을 발생시키고 있는 것이다.
이를 위하여, 종래의 순수(DIW:DI water)에 H2O2를 희석시키는 방법을 대신하여, 산화환원에너지(redox potential)가 높은 O3와 OH 라디칼 등의 활성라디칼을 순수에 생성시킴으로써, 발생되어지는 오염물을 세정하여 농도를 감소시키는 방안이 제안되었다.
그러나, 이 방식은 환경적 경제적 측면에서 유리할 뿐 아니라 화학적 화합물들에 의한 재 오염을 방지하는 순수한 세정 용액을 제공할 수 있었으나, 산화력이 높은 활성라디칼을 안정적이며 연속적으로 확보하지 못하였다.
뿐만 아니라, 반도체 웨이퍼 및 FPD기판를 반응케이스 외측에 배치시켜 순수한 세정 용액을 상기 반도체 웨이퍼 및 FPD기판에 간접적으로 공급하여 세정시킴으로써, 공급되는 상기 세정 용액의 양에 비해 세정율이 낮다는 단점이 있다.
또한 플라즈마를 이용하여, O3와 OH 라디칼 등의 활성라디칼을 순수에 생성시킴으로써, 발생되어지는 오염물을 세정하여 농도를 감소시키는 방안이 제안되었으나, 산화력이 높은 활성라디칼을 안정적이며 연속적으로 확보 할 만큼 효율이 높지 않은 단점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 종래에 사용되는 세정용 화학 첨가제를 사용하지 않고, 고온의 물과 플라즈마 방전을 리모트로 안정적으로 유지하여 공급함으로, 상기 반도체 웨이퍼 및 FPD기판에 형성되어 있는 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 상기 반도체 웨이퍼 및 FPD기판에 고온의 물을 직접적으로 공급하고, 동시에 안정적인 리모트 타입의 플라즈마와 함께 처리를 돕기 위한 보조가스를 공급함으로, 상기 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 세정율을 높일 수 있는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시 예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 청구 범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현되는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템 및 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 구성은 도 1의 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 사시도와 같이 포토레지스트 제거 시스템과 제어시스템과 전처리 시스템으로 구성되어 있으며, 상기 포토레지스트 제거 시스템은 내부에 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스터를 제거하기 위한 반응부와, 반응 시 포토레지스터를 제거하는 처리부; 반응부에 공급될 고온의 물 발생을 위한 가열부를 포함하여 구성된다.
제어시스템은; 가스와 온도와 압력을 조절하는 가스 및 온도 및 압력 제어 부; 반응부에 공급될 전원부; 배관 및 밸브, 펌프 및 보조가스를 갖는 유틸리티부를 포함하여 구성된다.
한편, 본 발명은 한 쌍 이상의 전극이 설치된 반응케이스를 설치하는 단계와; 상기 반응케이스 내부에 고온수를 가열 및 공급하는 단계와, 상기 한 쌍의 전극에 전원을 인가하여 플라즈마 방전을 유도하는 단계와; 상기 플라즈마 방전에 의해 리모트 플라즈마를 발생시키는 단계와; 상기 리모트 플라즈마를 보조가스를 통해 공급하는 단계와; 상기 공급된 고온수와 플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼 및 FPD기판에 형성된 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거방법을 제공한다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 블럭도 이고, 도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 블럭도이며, 도 5는 본 발명의 반응부에 삽입되어지는 리모트 플라즈마 전극의 단면도이고, 도 6는 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 평면도이며, 도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템을 이용하여 처리된 포토레지스트의 확대사진이다.
도 2를 참조하면, 발명에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템은 포토레지스트(PR) 제거 시스템(100)과 제어시스템(200)으로 구성되어 있으며, 포토레지스트 제거 시스템(100)은 시스템 내부에 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 포토레지스터를 제거하기 위한 반응부(500)가 구비되고, 상기 반응부(500)는 도 5의 반응부(500) 단면도를 참조하면, 상기 한 쌍 이상의 전극(501,502)은 전원이 인가됨에 따라 방전하는 방전극(502)과, 그 방전극(502)에 대면하는 접지극(501)을 포함한다. 구체적으로, 상기 반응케이스 가운데에는 고온수 슬롯(503)이 형성되고, 상기 반응케이스 내부의 좌,우측에는 플라즈마 발생 슬롯(504)이 형성된다. 상기 고온수 슬롯과(503), 플라즈마 발생슬롯(504)은 한 쌍 이상의 다수로 형성 할 수도 있다. 상기 반응부(500)의 한 쌍 이상의 전극(501,502)을 포함한 케이스(505)는 세라믹 구조를 포함한다.
또한, 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 포토레지스터를 제거하기 위한 반응부(500)를 도와 처리부(400)가 구비되고, 상기 처리부(400)는 상기 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 회전을 일으키는 회전 테이블(402)과, 상기 회전 테 이블(402)을 회전시키는 회전모터(403)를 포함한다. 이때, 상기 반응부(500)에서 공급되는 고온 수와 플라즈마는 슬롯형태로 고밀도의 플라즈마가 공급된다. 이때, 회전모터(403)를 통하여 회전 테이블(402)이 회전하게 되며, 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 포토레지스터는 완전히 제거된다. 상기 처리부(400)는 물과 파티클을 포집할 수 있는 보호커버(404)를 포함하며, 상기 보호커버는 드레인(405)과, 배기(406)를 포함한다. 상기 처리부(400)는 고정 할 수 있는 고정지그(407)를 포함한다.
상기 포토레지스트 제거 시스템(100)은 고온수를 다량 공급하기 위한 가열부(600)를 포함한다. 상기 가열부(600)는 가열기 케이스(601)와, 가열기(602)와, 고온 수(603)와, 상기 고온 수(603)가 증발된 수증기(604)와, 상기 고온 수(603)와 수증기(604)를 공급하는 물.수증기 공급기(606)와 압력계(607)와 유량조절장치(608)를 포함한다.
상기 제어시스템(200)은 가스와 온도와 압력을 조절하는 가스 및 온도 및 압력제어부(700)와, 반응부(500)에 공급될 전원부(800)로 구성되며, 상기 전원부(800)는 고전압을 인가하는 것이 바람직하다.
유틸리티부(900)는 배선(701,801)과, 공급배관(904, 905) 및, 가스 및 물 공급을 위한 순환밸브(902), 유량 조절장치(903)및 , 보조가스저장탱크(901)를 포함한다, 이때 상기 보조가스저장탱크(901)는 질소, 산소, 헬륨, 아르곤 등의 가스를 포함하며, 선택하여 저장한다.
또한 본 발명은 포토레지스트 제거 시스템(100)에 앞서 전처리 시스템(300) 을 포함한다. 상기 전처리 시스템(300)은 가열기 케이싱(301)과, 가열기(302)와, 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)과, 고정지그(303)와, 고온 수(304)와, 압력계(305)와, 유량 조절장치(306)와, 배기밸브(307)와, 보충수 공급관(308)과, 드레인(309)과, 순환밸브(310)를 포함한다.
이에 따른 작동원리를 상세히 설명하면,
전처리 시스템(300)은 대상물체인 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR를 제거하기 위한 플라즈마 시스템에 인입하기 전 단계로서 이용되며, 외부로부터 밀폐된 가열기 케이싱(301)내에서 대상물체인 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)을 고정지그(303)에 장착시키고, 유량 조절장치(306)로부터 물을 공급하여, 상기 대상물체를 완전히 물속에 잠기게 하고, 가열기 케이싱(301)의 하단에 장착된 가열기(302)를 작동하여, 가열기 케이싱(301)내의 온도를 100 oC 이상으로 유지하여, 고온/고압에서 대상물체의 PR를 제거하는 전단계로서 이용되도록 이루어진 것이다.
상기 구성된 시스템을 통하여 이하에서는 도3과 4의 본 발명의 일실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 운전 흐름도를 통하여 작동 원리를 설명하고자 한다.
포토레지스터 에싱공정을 설명하면, 상기 반응부의 외부에 위치하는 상기 가열부는 생성된 고온 고압의 고온수를 물.수증기 공급기(606)를 통하여 상기 반응부 내로 고온 고압의 물을 공급한다. 상기 물.수증기 공급기(606)는 고온 수(603)를 공급할 수도 있고, 수증기(604)를 공급할 수도 있으며, 고온 수(603)와 수증 기(604)를 동시에 공급 할 수도 있다. 이때, 고온수(603)는 순수이다.
한편, 상기 전극(501,502)은 상기 전원부(800)로부터 전원이 인가되는 방전극(502) 및 접지상태인 접지극(501)으로 구성되며, 이들 전극(501,502)은 세라믹 계통의 유전체 사이에 도포 접합되어, 외부로는 금속 전극이 전혀 노출되지 않도록 하는 것이 바람직하다.
이는, 상기 고온의 순수를 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401) 세정에 사용하는 경우, 전극(501,502)에서 이물질이 떨어지는 것을 방지하기 위한 것이며, 상기 전극(501,502)은 상기 전원부(800)로부터 고전압이 인가되어 작동하며, 전압이 인가된 상기 전극(501,502)은 상기 반응부 내에 확보된 상기 수증기와 공정가스의 2상의 공간에서 플라즈마 방전을 발생시킨다.
한편, 상기 고온수는 포토레지스터를 무르게 하게 되고 플라즈마 방전에 의해 발생된 고밀도 리모트 플라즈마는 고온수와 결합되어 활성라디칼을 발생하며, 상기와 같이 지속적으로 공급하는 활성라디칼은 상기 반응부 내에서 고농축화되며, 동시에 포토레지스터의 뛰어난 제거가 이루어 진다.
한편, 상기 반응부 내측의 상기 전극(501,502) 하부에 반도체 웨이퍼 및 FPD기판은 회전테이블(402)에 위치하고, 상기 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)은 상기 플라즈마에 의해 활성라디칼이 용존된 고온 고압의 물과 활성라디칼에 의해 직접 세정된다.
상기와 같이 상기 처리부 내에서 세정이 이루어지는 상기 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)는 상기 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)에 형성되어 있는 포토레지스트를 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 실시 예의 작용을 살펴보면 다음과 같다.
먼저 처리부(400)를 통하여 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템의 도어가 열리면(S10,S110) 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)은 시스템 외부로부터 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)을 리모트 플라즈마 시스템 내부로 이송되어 회전 테이블(402)에 장착되고,(S20,S120) 처리부(400)가 닫히고(S30,S130) 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 포토레지스터 에싱 공정에 들어가게되며,(S40,S140) 이때, 상기 FPD기판(401)은 회전 테이블(402)에 안착되어 회전하며 저리가 되므로, PR제거 효과를 극대화 시키게 되고, 상기 반응부(500) 내부에 고온 고압의 물을 공급한다. 이와 함께, 상기 반응부(500) 내부에 보조가스를 공급한다.(S40,S140)
상기 전원부에서 방전극(502)에 고전압을 인가하여 플라즈마 방전을 발생시킨다.(S50,S150)
이와 같은 리모트 플라즈마의 방전상태가 유지되면 고밀도 플라즈마가 발생되고, 고온의 물과 지속적으로 결합되어 다량의 활성라디칼이 만들어지게 된다.(S55,S155)
이렇게 제조된 산화력이 높은 활성라디칼이 용존된 고온의 물은, 상기 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)에 형성되어 있는 포토레지스트를 보다 효과적으로 제거하고,(S60,S160) 제거 시간도 단축할 수 있으며, 상기 포토레지스터가 제거된 반도체 웨이퍼 및 FPD기판는 배기공정 및 드레인(S70,S170)을 지나 처리부가 열리 게 되고,(S80,S180) 배출되어 다른 공정으로 이동된다.(S90,S190)
상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템 및 방법에 의하면,
첫째, 반도체 웨이퍼 및 FPD기판를 상기 반응케이스 내부에 위치시켜, 활성라디칼과 활성라디칼이 용존된 고온수를 직접적으로 반도체 웨이퍼 및 FPD기판에 공급하여 반도체 웨이퍼 및 FPD기판에 형성된 포토레지스트를 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
둘째, 가열기를 통해 세정수 고온 고압의 고온수를 구비하여 산화력이 높은 활성라디칼이 용존된 물을 포함함으로써, 포토레지스트를 효과적으로 제거하고, 제거시간도 단축할 수 있다.
Claims (5)
- 반도체 웨이퍼(401)를 PR제거 시스템(100) 내부로 인입하기 위해 도어를 여는 도어열림 단계와;(S10)상기 PR 제거 시스템(100)의 열린 도어를 통해 반도체 웨이퍼(401)를 인입하는 웨이퍼 인입단계와;(S20)상기 반도체 웨이퍼(401)를 인입한 뒤 도어를 닫는 도어닫힘 단계와;(S30)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR을 제거하기 위해 고온수와 반응가스를 주입하는 수증기 및 반응가스 주입단계와;(S40)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계와;(S50)상기 플라즈마 전극(501,502)에서 발생된 플라즈마와 고온수를 믹싱 및 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 공급단계와;(S55)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR이 반응가스와 고온수 및 활성라디칼과의 반응으로 제거되는 PR에싱 단계와;(S60)상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR제거 반응 후 고온수와 반응가스 및 활성라티칼이 혼합된 배기가스가 배출되고, 처리된 물이 배출되는 배기가스 배출 및 드레인 단계와;(S70)상기 반도체 웨이퍼(401)를 배출하기 위해 PR제거 시스템(100)의 도어를 여는 도어열림 단계와;(S80)상기 PR제거 시스템(100)에서 배출되어 다음 공정 챔버로 이동되어지는 웨이퍼 배출단계;(S90)를 포함하는 반도체 웨이퍼의 PR을 PR 제거설비를 이용한 PR제거 방법에 있어서,상기 반도체 웨이퍼(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계(S50)와;상기 플라즈마 전극(501,502)에서 발생된 플라즈마와 고온수를 믹싱 및 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 공급단계(S55)는 가열부(600), 반응부(500) 및 처리부(400)로 구성되며, 상기 가열부(600)는 가열기 케이스(601)내의 가열기(602)로부터 제조된 고온수(603)와 상기 고온수(603)가 증발된 수증기(604)를 반응부(500)의 고온수 슬롯(503)에 공급하도록 형성되며, 상기 반응부(500)의 중앙부에는 고온수 슬롯(503)이 형성되고, 상기 고온수 슬롯(503)의 좌우측에 플라즈마 발생 슬롯(504)이 형성되며, 상기 플라즈마 발생 슬롯(504)좌우측에 고전압의 방전극(502)과 이에 대응되는 접지극(501)을 위치하여, 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며, 상기 처리부(400)는 상기 반도체 웨이퍼(401)의 회전을 일으키는 회전 테이블(402)과, 상기 회전 테이블(402)을 회전시키는 회전모터(403)로 형성되며, 물과 파티클을 포집할 수 있는 보호커버(404)를 포함하며, 응축된 물을 외부로 배출시키는 드레인(405)과 발생된 연기를 배출시키는 배기(406)를 포함하도록 형성되며, 상기 반응부(500)에서 공급되는 고온수와 플라즈마는 슬롯형태로 고밀도의 플라즈마가 공급되어 반도체 웨이퍼(401)의 포토레지스터를 완전히 제거시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거용 리모트 플라즈마 시스템을 이 용한 PR제거 방법.
- FPD기판(401)을 PR제거 시스템(100) 내부로 인입하기 위해 도어를 여는 도어열림 단계와;(S110)상기 PR 제거 시스템(100)의 열린 도어를 통해 FPD기판(401)을 인입하는 FPD기판 인입단계와;(S120)상기 FPD기판(401)을 인입한뒤 도어를 닫는 도어닫힘 단계와;(S130)상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 고온수와 반응가스를 주입하는 고온수 및 반응가스 주입단계와;(S140)상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계와;(S150)상기 플라즈마 전극(501,502)에서 발생된 플라즈마와 고온수를 믹싱 및 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 공급단계와;(S155)상기 FPD기판(401)의 PR이 반응가스와 고온수 및 활성라디칼과의 반응으로 제거되는 PR에싱 단계와;(S160)상기 FPD기판(401)의 PR제거 반응 후 고온수와 반응가스 및 활성라티칼이 혼합된 배기가스가 배출되고, 처리된 물이 배출되는 배기가스 배출 및 드레인 단계와;(S170)상기 FPD기판(401)를 배출하기 위해 PR제거 시스템(100)의 도어를 여는 도어열림 단계와;(S180)상기 PR제거 시스템(100)에서 배출되어 다음 공정챔버로 이동되어지는 FPD기판 배출단계;(S190)를 포함하는 반도체 웨이퍼의 PR을 PR 제거설비를 이용한 PR제거 방법에 있어서,상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 고온수와 반응가스를 주입하는 고온수 및 반응가스 주입단계(S140)와;상기 FPD기판(401)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(501,502)에 전원을 인가하는 전원인가 단계(S150)는가열부(600), 반응부(500) 및 처리부(400)로 구성되며,상기 가열부(600)는 가열기 케이스(601)내의 가열기(602)로부터 제조된 고온수(603)와 상기 고온수(603)가 증발된 수증기(604)를 반응부(500)의 고온수 슬롯(503)에 공급하도록 형성되며,상기 반응부(500)의 중앙부에는 고온수 슬롯(503)이 형성되고, 상기 고온수 슬롯(503)의 좌우측에 플라즈마 발생 슬롯(504)이 형성되며, 상기 플라즈마 발생 슬롯(504)좌우측에 고전압의 방전극(502)과 이에 대응되는 접지극(501)을 위치하여, 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며,상기 처리부(400)는 상기 FPD기판(401)의 회전을 일으키는 회전 테이블(402)과, 상기 회전 테이블(402)을 회전시키는 회전모터(403)로 형성되며, 물과 파티클을 포집할 수 있는 보호커버(404)를 포함하며, 응축된 물을 외부로 배출시키는 드레인(405)과 발생된 연기를 배출시키는 배기(406)를 포함하도록 형성되며,상기 반응부(500)에서 공급되는 고온수와 플라즈마는 슬롯형태로 고밀도의 플라즈마가 공급되어 FPD기판(401)의 포토레지스터는 완전히 제거시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 FPD기판의 포토레지스트 제거용 베이퍼 시스템을 이용한 PR제거 방법.
- 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR을 제거하는 시스템에 있어서,가열부(600), 반응부(500) 및 처리부(400)로 구성되며,상기 가열부(600)는 가열기 케이스(601)내의 가열기(602)로부터 제조된 고온수(603)와 상기 고온수(603)가 증발된 수증기(604)를 반응부(500)의 고온수 슬롯(503)에 공급하도록 형성되며,상기 반응부(500)의 중앙부에는 고온수 슬롯(503)이 형성되고, 상기 고온수 슬롯(503)의 좌우측에 플라즈마 발생 슬롯(504)이 형성되며, 상기 플라즈마 발생 슬롯(504)좌우측에 고전압의 방전극(502)과 이에 대응되는 접지극(501)을 위치하여, 저온 플라즈마를 발생시키도록 하며,상기 처리부(400)는 상기 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 회전을 일으키는 회전 테이블(402)과, 상기 회전 테이블(402)을 회전시키는 회전모터(403)로 형성되며, 물과 파티클을 포집할 수 있는 보호커버(404)를 포함하며, 응축된 물을 외부로 배출시키는 드레인(405)과 발생된 연기를 배출시키는 배기(406)를 포함하도록 형성되며,상기 반응부(500)에서 공급되는 고온수와 플라즈마는 슬롯형태로 고밀도의 플라즈마가 공급되어 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)의 포토레지스터는 완전 히 제거시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템.
- 제3항에 있어서,고온수 슬롯(503)과, 플라즈마 발생슬롯(504)은 한 쌍 이상의 다수개로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템.
- 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR을 제거하는 플라즈마 시스템에 있어서,전처리 시스템인(300)은 대상물체인 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR를 제거하기 위한 플라즈마 시스템에 인입하기 전 단계로서 이용되며, 외부로부터 밀폐된 가열기 케이싱(301)내에서 대상물체인 반도체 웨이퍼(401) 및 FPD기판(401)을 고정지그(303)에 장착시키고, 유량 조절장치(306)로부터 물을 공급하여, 상기 대상물체를 완전히 물속에 잠기게 하고, 가열기 케이싱(301)의 하단에 장착된 가열기(302)를 작동하여, 가열기 케이싱(301)내의 온도를 100 oC 이상으로 유지하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 리모트 플라즈마 시스템.
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Cited By (2)
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| KR100912704B1 (ko) | 2008-04-22 | 2009-08-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 그의 포토레지스트 제거 방법 |
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