KR20070010647A - 정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기제거 시스템 - Google Patents

정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기제거 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20070010647A
KR20070010647A KR1020050065411A KR20050065411A KR20070010647A KR 20070010647 A KR20070010647 A KR 20070010647A KR 1020050065411 A KR1020050065411 A KR 1020050065411A KR 20050065411 A KR20050065411 A KR 20050065411A KR 20070010647 A KR20070010647 A KR 20070010647A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
semiconductor substrate
blade
ion
static electricity
Prior art date
Application number
KR1020050065411A
Other languages
English (en)
Inventor
김종수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050065411A priority Critical patent/KR20070010647A/ko
Publication of KR20070010647A publication Critical patent/KR20070010647A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

반도체 기판의 정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기 제거 시스템을 제공한다. 본 발명에 따른 로봇암은 반도체 기판의 언로딩시 반도체 기판을 밀착하게 하는 로봇암에 걸린 진공을 제거할 때 진공 홀을 통하여 이온 압축 공기를 분사한다. 이에 의하여 반도체 기판과의 진공 밀착을 제거함과 동시에 대전된 반도체 기판의 정전기를 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 본 발명의 반도체 기판 정전기 제거 시스템은 상기 로봇암을 채용하는 한편, 언로딩하는 반도체 기판이 놓이는 카세트의 슬롯을 따라 아래 위로 움직이며 동작하는 대전 막대를 구비한다. 대전 막대의 움직임에 의하여 언로딩되는 모든 슬롯의 반도체 기판에 대하여 제전 거리를 일정하게 유지할 수 있으므로 카세트 안의 모든 슬롯의 반도체 기판의 정전기를 동일하게 효과적으로 제거할 수 있다.

Description

정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기 제거 시스템{Robot arm system for removing static electricity and System for removing static electricity having the same}
도 1은 종래의 반도체 기판의 정전기 제거 시스템을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 기판의 정전기 제거용 로봇암 시스템을 설명하기 위해 도시한 개략적인 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 기판의 정전기 제거 시스템을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 카세트 플레이트 200 : 카세트
210 : 슬롯 300 : 반도체 기판
400 : 제전 막대 410 : 노즐
500 : 이온 압축 공기 600 : 로봇암
610 : 몸체 612 : 블레이드
620 : 홀라인 640 : 진공 펌프
650 : 이온 공급부 660 : 컨트롤러
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 특히 반도체 기판의 정전기를 방지할 수 있는 반도체 제조 설비에 관한 것이다.
사진, 식각, 증착, 이온주입, 확산 등의 여러 공정 단계를 거쳐 반도체 기판에 제조된 반도체 소자는 패키지를 거쳐 하나의 제품으로 완성된다. 반도체 제품의 소형화를 위하여 패키지의 두께를 감소시킬 필요가 있으며, 그러한 방법의 하나로서 패키지 공정 전에 백그라인딩(back grinding) 공정이 수행된다. 백그라인딩 공정은 그라인딩 휠을 회전하면서 반도체 기판의 뒷면을 연마하여 두께를 감소시킨다.
상기 백그라인딩 공정 중에 휠과 반도체 기판과의 마찰에 의하여 반도체 기판이 대전되기 쉽다. 따라서 대전된 반도체 기판의 정전기를 제거하기 위하여 백그라인딩 설비는 제전 시스템을 갖춘다.
도 1에 종래의 정전기 제거 시스템을 도시하였다. 백그라인딩을 수행한 반도체 기판(30)을 카세트 플레이트(10)에 놓인 카세트(20)로 언로딩할 때 카세트(20) 앞 상단부분에 고정된 제전 막대(40)로부터 이온 압축 공기(50)가 분사되어 반도체 기판(30)의 정전기를 제거한다. 분사되는 이온 압축 공기(50)와 반도체 기판(30)의 거리가 가까울수록 전하간 상호작용이 잘 일어나므로 제전 능력이 좋다. 그런데 제전 막대(40)의 위치가 고정되어 있으므로 반도체 기판이 들어있는 카세트(20)의 슬 롯(21)에 따라 제전거리가 달라지며 따라서 정전기를 제거하는 능력도 달라진다. 제전 막대(40)로부터의 거리가 상대적으로 먼 카세트(20) 하단부분의 슬롯(21)에 반도체 기판을 언로딩할 때 정전기 제거가 충분히 되지 않아 반도체 기판이 로봇암에 딸려나와 바닥으로 떨어져 깨질 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 기판의 정전기를 효과적으로 제거할 수 있는 정전기 제거용 로봇암 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 카세트의 슬롯에 관계없이 반도체 기판의 정전기를 동일하게 효과적으로 제거할 수 있는 정전기 제거 시스템을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 기판 정전기 제거용 로봇암은 반도체 기판을 이송하기 위하여 움직이는 몸체, 상기 몸체에 연결되고 반도체 기판을 탑재할 수 있는 블레이드를 포함한다. 상기 몸체와 상기 블레이드 내부를 관통하고 상기 블레이드의 표면에 일단이 드러난 홀라인, 상기 홀라인의 다른 일단에 이어지는 제 1라인과 상기 제 1라인에 연결되는 제 2라인을 통하여 상기 홀라인에 연결되는 진공 펌프 및 상기 제 1라인에 연결되는 제 3라인을 통하여 상기 홀라인에 연결되는 이온 공급부를 포함한다.
또한, 상기 로봇암 시스템은 상기 제 1라인에 상기 제 2라인 및 상기 제 3라인을 연결시키는 밸브 및 상기 제 1라인에 상기 제 2라인 또는 상기 제 3라인을 배 타적으로 개방하도록 상기 밸브를 조절하는 제 1 컨트롤러를 더 포함한다.
또한, 상기 로봇암 시스템의 상기 이온 공급부는 양이온과 음이온을 발생하는 이온발생기 및 상기 양이온과 음이온의 발생량 및 발생주기를 조절하는 제 2 컨트롤러를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 기판 정전기 제거 시스템은 반도체 기판을 슬롯에 담아 운반하는 카세트를 안착시키는 카세트 플레이트; 상기 카세트 플레이트 앞에 위치하고, 이온 압축 공기를 분사하는 노즐을 포함하는 제전 막대; 및 반도체 기판을 이송하기 위하여 움직이는 몸체, 상기 몸체에 연결되고 반도체 기판을 탑재할 수 있는 블레이드, 상기 몸체와 상기 블레이드 내부를 관통하고 상기 블레이드의 표면에 일단이 드러난 홀라인, 상기 홀라인에 진공을 제공하는 진공 펌프, 및 상기 홀라인에 이온 압축 공기를 제공하는 이온 공급부를 포함하는 정전기 제거용 로봇암 시스템을 포함한다.
상기 반도체 기판 정전기 제거 시스템의 상기 제전 막대는 상기 이온 공급부에 연결되며, 상기 카세트 플레이트에 안착된 상기 카세트의 슬롯을 따라 수직방향으로 움직인다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한 다. 이하 실시예에서는 백그라인딩 설비의 정전기 제거 시스템의 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 반도체 기판의 정전기 제거를 필요로 하는 모든 종류의 반도체 설비에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 정전기 제거용 로봇암 시스템을 간략하게 도시한 도면이다. 로봇암(600)은 몸체(610)와 웨이퍼(300)를 탑재할 수 있는 블레이드(612)의 내부를 관통하고 블레이드(612)의 표면에 홀(621)이 드러난 홀라인(620)을 구비한다. 홀라인(620)은 로봇암(600)의 몸체(610) 밖으로 연결된 제 1라인(622)과 제 1라인(622)에 연결된 밸브(630)를 통하여 진공 펌프(640)와 이온 공급부(650)에 연결된다. 밸브(630)는 제 1라인(622)에 진공 펌프(640)가 연결된 제 2라인(624)을 배타적으로 개방시킬 것인지, 제 1라인(622)에 이온 공급부(650)가 연결된 제 3라인(626)을 배타적으로 개방할 것인지를 조절하는 컨트롤러(660)를 구비한다. 컨트롤러(660)의 조절에 의하여 로봇암(600)은 반도체 기판(300)을 이송할 때에는 홀(621)을 통하여 진공을 제공하고 반도체 기판(300)을 언로딩할 때에는 홀(621)을 통하여 이온 압축 공기(50)를 제공한다.
일반적으로 반도체 기판(300)을 카세트(200)에 언로딩할 때에는 같은 홀(621)을 통하여 공기를 분사(back blow)함으로써 반도체 기판(300)을 카세트(200)에 내려놓을 수 있게 된다. 본 발명에서는 공기 대신 이온 공급부(650)에서 공급되는 이온 압축 공기(500)를 고속 분사함으로써 로봇암(600)과 반도체 기판(300)의 진공 밀착을 제거하는 한편, 이온 압축 공기(500) 속의 이온에 의하여 반도체 기판(300)의 정전기를 제거할 수 있다. 이온 공급부(650)는 양이온과 음이온을 발생하 는 이온발생기(미도시) 및 상기 양이온과 음이온의 발생량 및 발생주기를 조절하는 컨트롤러(미도시)를 포함한다. 반도체 기판(300)의 대전 종류와 대전 정도에 따라 상기 컨트롤러에서 양이온과 음이온의 발생량 및 발생주기를 조절함으로써 반도체 기판(300)의 정전기를 효과적으로 제거할 수 있다.
백그라인딩 공정은 반도체 기판(300)의 뒷면을 그라인딩 휠과 마찰시켜 연마하므로 마찰에 의한 정전기가 반도체 기판(300)의 뒷면에 주로 발생한다. 로봇암(600)에서 나오는 이온 압축 공기(500)는 블레이드(612)의 홀(621)을 통하여 반도체 기판(300)의 뒷면에 직접적으로 분사되므로 반도체 기판(300)의 뒷면에 발생된 정전기를 효과적으로 제거할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 정전기 제거 시스템을 설명하기 위하여 도시한 도면이다. 백그라인딩 공정을 마친 반도체 기판(300)을 언로딩하는 카세트(200) 앞쪽에 제전 막대(400)가 설치되어 있다. 제전 막대(400)는 반도체 기판(300)을 카세트(200)로 언로딩할 때 반도체 기판(300)이 들어갈 카세트(200)의 슬롯(210)의 위치에 따라 위 아래로 움직이며, 제전 막대(400)의 노즐(410)로부터 이온 압축 공기(500)가 분사된다. 제전 막대(400)는 도 2에서 설명한 이온 공급부(650)에 함께 연결될 수 있다. 백그라인딩 공정 중에 대전된 반도체 기판(300)은 분사된 이온 압축 공기(500) 속의 이온에 의하여 정전기가 중화되어 제전된다. 또한, 제전 막대(400)가 카세트(200)의 슬롯(210)에 따라 위 아래로 움직이며 동작하므로 제전 막대(400)와 반도체 기판(300) 간의 제전 거리가 슬롯(210) 별로 일정하게 유지된다. 따라서 슬롯(210)의 위치에 관계 없이 일정한 제전거리를 유지하여 모든 슬롯(210) 의 반도체 기판(300)에 대하여 동일하게 효과적으로 정전기를 제거할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 기판의 정전기 제거 시스템은 도 2에서 설명한 바와 같이 이온 압축 공기(500)를 분사하는 기능을 갖는 로봇암 시스템을 포함한다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 그 변형이나 개량이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 로봇암 시스템은 반도체 기판을 카세트에 언로딩할 경우 반도체 기판과의 진공 밀착을 제거하기 위한 공기 분사 시에 이온 압축 공기를 분사함으로써 반도체 기판과의 진공 밀착을 제거할 뿐만 아니라 반도체 기판에 발생한 정전기를 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 정전기 제거 시스템은 본 발명에 따른 로봇암에서 정전기를 띠는 반도체 기판의 뒷면에 직접적으로 이온 압축 공기를 분사하고, 언로딩되는 반도체 기판의 슬롯을 따라 수직방향으로 움직이는 제전 막대를 제공함으로써 카세트의 모든 슬롯에 대하여 반도체 기판과의 제전 거리를 일정하게 유지하게 하여 반도체 기판에 발생한 정전기를 효과적으로 제거할 수 있다.

Claims (8)

  1. 반도체 기판을 이송하기 위하여 움직이는 몸체;
    상기 몸체에 연결되고 반도체 기판을 탑재할 수 있는 블레이드;
    상기 몸체와 상기 블레이드 내부를 관통하고 상기 블레이드의 표면에 일단이 드러난 홀라인;
    상기 홀라인의 다른 일단에 이어지는 제 1라인과 상기 제 1라인에 연결되는 제 2라인을 통하여 상기 홀라인에 연결되는 진공 펌프; 및
    상기 제 1라인에 연결되는 제 3라인을 통하여 상기 홀라인에 연결되는 이온 공급부를 포함하는 정전기 제거용 로봇암 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 로봇암 시스템은 상기 제 1라인에 상기 제 2라인 및 상기 제 3라인을 연결시키는 밸브; 및
    상기 제 1라인에 상기 제 2라인 또는 상기 제 3라인을 배타적으로 개방하도록 상기 밸브를 조절하는 제 1 컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 제거용 로봇암 시스템.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 이온 공급부는 양이온과 음이온을 발생하는 이온발생기; 및
    상기 양이온과 음이온의 발생량 및 발생주기를 조절하는 제 2 컨트롤러를 포 함하는 것을 특징으로 하는 정전기 제거용 로봇암 시스템.
  4. 반도체 기판을 슬롯에 담아 운반하는 카세트를 안착시키는 카세트 플레이트;
    상기 카세트 플레이트 앞에 위치하고, 이온 압축 공기를 분사하는 노즐을 포함하는 제전 막대; 및
    반도체 기판을 이송하기 위하여 움직이는 몸체, 상기 몸체에 연결되고 반도체 기판을 탑재할 수 있는 블레이드, 상기 몸체와 상기 블레이드 내부를 관통하고 상기 블레이드의 표면에 일단이 드러난 홀라인, 상기 홀라인에 진공을 제공하는 진공 펌프, 및 상기 홀라인에 이온 압축 공기를 제공하는 이온 공급부를 포함하는 정전기 제거용 로봇암 시스템을 포함하는 정전기 제거 시스템.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 로봇암 시스템은 상기 홀라인에 상기 진공 펌프 또는 상기 이온 공급부를 배타적으로 연결하도록 조절하는 제 1 컨트롤러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 제거 시스템.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 이온 공급부는 양이온과 음이온을 발생하는 이온발생기; 및
    상기 양이온과 음이온의 발생량 및 발생주기를 조절하는 제 2 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 제거 시스템.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 제전 막대는 상기 이온 공급부에 연결된 것을 특징으로 하는 정전기 제거 시스템.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 제전 막대는 상기 카세트 플레이트에 안착된 상기 카세트의 슬롯을 따라 수직방향으로 움직이는 것을 특징으로 하는 정전기 제거 시스템.
KR1020050065411A 2005-07-19 2005-07-19 정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기제거 시스템 KR20070010647A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050065411A KR20070010647A (ko) 2005-07-19 2005-07-19 정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기제거 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050065411A KR20070010647A (ko) 2005-07-19 2005-07-19 정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기제거 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070010647A true KR20070010647A (ko) 2007-01-24

Family

ID=38011839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050065411A KR20070010647A (ko) 2005-07-19 2005-07-19 정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기제거 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070010647A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110346545A (zh) * 2019-06-05 2019-10-18 大连沃隆峰英鸿纳米科技有限公司 一种用于纳米纤维生产的检测机器人行走装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110346545A (zh) * 2019-06-05 2019-10-18 大连沃隆峰英鸿纳米科技有限公司 一种用于纳米纤维生产的检测机器人行走装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230405762A1 (en) Substrate processing apparatus
US7000623B2 (en) Apparatus and method for substrate preparation implementing a surface tension reducing process
JP6055648B2 (ja) 研磨装置及び研磨方法
TW202006858A (zh) 基板處理裝置及處理方法
KR100867458B1 (ko) 기판 처리 시스템
TW201425191A (zh) 基板處理裝置
US11367629B2 (en) Cleaning apparatus of cleaning tool, substrate processing apparatus, and cleaning method of cleaning tool
US20060124155A1 (en) Technique for reducing backside particles
US11081373B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
CN112289703A (zh) 基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法
US20100108095A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate cleaning method
WO2012026148A1 (en) Separation system, separation method, program and computer storage medium
US20050163598A1 (en) Method for carrying substrate
US11837482B2 (en) Substrate holding and rotation mechanism and substrate processing apparatus
KR20070010647A (ko) 정전기 제거용 로봇암 시스템 및 이를 구비하는 정전기제거 시스템
JP3633854B2 (ja) 半導体ウェハの加工装置
JPWO2006115157A1 (ja) カセット搬送システム
CN111987012A (zh) 半导体混合蚀刻装置及方法
JP2000294472A (ja) 除電機能付きステージ及び被加工体の除電方法及びそれを用いた加工装置とシール剤塗布装置
KR20220104641A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101042320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN114585454A (zh) 基片清洗装置和基片清洗方法
JP2000082732A (ja) 静電気除去用ロボットハンド
KR101236806B1 (ko) 기판 연마 장치 및 방법
JP2005223359A (ja) 半導体ウェハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination