KR20070001381A - Method for fabricating distributing wires for plus terminal of organic light emitting diode display panel - Google Patents

Method for fabricating distributing wires for plus terminal of organic light emitting diode display panel Download PDF

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Abstract

A method for fabricating positive wires of an organic light emitting diode display panel is provided to increase an adhesion force between an auxiliary electrode and an ITO(Indium Tin Oxide) transparent layer by laminating a chrome or a molybdenum on a bottom of the auxiliary electrode. A method for fabricating positive wires of an organic light emitting diode display panel includes the steps of: laminating an oxide used for a transparent electrode and a low resistance metal used for a wire of the transparent electrode on a substrate(S1); forming a first photoresist pattern by applying a photoresist to the low resistance metal(S2); forming an auxiliary electrode by etching the low resistance metal with an etching liquid(S3); removing the photoresist by using a stripper(S4); forming a second photoresist pattern by applying the photoresist to the auxiliary electrode, larger than a width of the auxiliary electrode(S5); forming the transparent electrode by etching the oxide with the etching liquid(S6); and removing the photoresist by using the stripper(S7).

Description

유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 양극 배선 공정 방법{Method for fabricating distributing wires for plus terminal of Organic Light Emitting Diode display panel}Method for fabricating distributing wires for plus terminal of Organic Light Emitting Diode display panel

도 1은 일반적인 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면,1 is a view for explaining a general organic light emitting diode display panel,

도 2는 도 1의 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 A-A선에 따른 단면도,FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A of the organic light emitting diode display panel of FIG. 1;

도 3a 내지 도 3g는 종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 양극전극과 배선 공정 순서에 따른 측단면도,3A to 3G are side cross-sectional views of an anode electrode and a wiring process sequence of a conventional organic light emitting diode display panel;

도 4a 내지 도 4g는 본 발명에 따라 저 저항 보조전극을 사용하여 2차 패턴 형성 공정을 이용한 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 양극전극과 배선 공정 순서에 따른 측단면도, 4A to 4G are side cross-sectional views of an anode electrode and a wiring process sequence of an organic light emitting diode display panel using a second pattern forming process using a low resistance auxiliary electrode according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따라, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극전극과 배선을 형성하는 과정의 순서도, 5 is a flowchart of a process of forming an anode electrode and wirings in manufacturing an organic light emitting diode display panel according to the present invention;

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

1 : 발광체 3 : 양극 1: light-emitting body 3: anode

3a : 투명전극 3b : 보조전극3a: transparent electrode 3b: auxiliary electrode

5 : 음극 11 : 포토레지스트 5: cathode 11: photoresist

본 발명은 디스플레이 패널 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배선저항을 최소화하기 위한 금속을 사용한 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극 배선 공정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display panel manufacturing method, and more particularly, to an anode wiring process method in manufacturing an organic light emitting diode display panel using a metal for minimizing wiring resistance.

일반적으로 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링(sputtering)에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정 및 식각 공정으로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각 공정은 포토레지스트 마스크를 사용하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미한다. In general, the process of forming the metal wiring on the substrate is generally composed of a metal film forming process by sputtering, a photoresist forming process and an etching process in a selective region by photoresist coating, exposure and development, and a separate process. Washing steps before and after the unit step, and the like. This etching process refers to a process of leaving a metal film in a selective region using a photoresist mask.

최근엔 집적회로와 표시소자의 고밀도화에 따라, 인쇄회로 기판과 디스플레이 패널 기판에서의 도전성 배선의 폭은 계속 좁아지게 되고, 배선 재료의 저 저항화가 요구되고 있다.In recent years, as the integrated circuit and the display element become higher, the width of the conductive wiring on the printed circuit board and the display panel substrate continues to be narrow, and the resistance of the wiring material is required to be reduced.

유기 발광 다이오드 디스플레이 장치는 유기 발광 다이오드를 나타내는 유기화합물재료의 적어도 하나의 박막으로 된 발광층을 포함하는 유기 재료층(이하 '유기층'이라 칭함)을 갖는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)소자를 일정 패턴으로 디스플레이 패널 기판 상에 형성하여 이루어진다.An organic light emitting diode display device uses an organic light emitting diode device having an organic material layer (hereinafter referred to as an 'organic layer') including a light emitting layer of at least one thin film of an organic compound material representing an organic light emitting diode. It is made by forming on a display panel substrate in a pattern.

매트릭스 표시 타입의 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 열 방향을 따라 형성된 다수의 양극전극(3)과, 상기 양극전극(3)에 대해 직교하며 행 방향을 따라 형성된 다수의 음극전극(5)은, 각각이 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 배열되어 있다. 그리고, 복수의 양극전극(3)과 음극전극(5)이 교차하는 각 교차점('Dot'라고 함)에 유기 발광 다이오드 소자의 R, G, B 발광화소가 형성되어 화상 표시 배열 영역, 즉 표시패널영역을 형성한다. In the organic light emitting diode display panel of the matrix display type, as illustrated in FIG. 1, a plurality of anode electrodes 3 formed along a column direction and a plurality of anode electrodes 3 formed perpendicular to the anode electrode 3 along a row direction are provided. The cathode electrodes 5 are arranged in parallel with each other at predetermined intervals. Then, R, G, and B light emitting pixels of the organic light emitting diode element are formed at each intersection point (called 'Dot') where the plurality of anode electrodes 3 and the cathode electrode 5 intersect to display an image display array area, that is, display Form a panel area.

도 2를 참조하여, 구체적으로 설명하면, 유리기판(2)위에 스트라이프 형태로 양극전극(3)이 형성되어 있고, 상기 양극전극(3)위에 전극간 절연을 위한 격벽(7)이 형성되어 있으며, 상기 격벽(7)이 형성된 기판 전면에 걸쳐 유기층(8)이 형성되고, 상기 유기층(8) 위에 음극전극(5)이 적층되어 있다.Referring to FIG. 2, in detail, an anode electrode 3 is formed in a stripe shape on the glass substrate 2, and a partition wall 7 for inter-electrode insulation is formed on the anode electrode 3. The organic layer 8 is formed over the entire substrate on which the partition wall 7 is formed, and the cathode electrode 5 is stacked on the organic layer 8.

여기서, 상기 유기층(8)과 음극전극(5)은 상기 격벽(7)과 양극전극(3)에서 발생되는 단차에 의해 스트라이프 형태가 되고, 상기 음극전극(5)은 상기 양극전극(3)과 직교하게 형성되면서 음극전극(5)간에 서로 절연된다. 그리고, 유기층(8)은 절연막(6)에 의해 절연되는 구조로 되어 있다. Here, the organic layer 8 and the cathode electrode 5 have a stripe shape due to the step generated in the partition 7 and the anode electrode 3, and the cathode electrode 5 is formed of the anode electrode 3 and the cathode electrode 5. While formed orthogonally, the cathode electrodes 5 are insulated from each other. The organic layer 8 is insulated by the insulating film 6.

상기 유기 발광 다이오드 소자는 전류 주입형 소자이므로 소비전력은 전극라인의 저항에 크게 의존한다. 전극라인의 저항이 높으면, 전류흐름에 의해 큰 전압강하가 일어나고, 고르지 못한 휘도를 생기게 하여 표시 품질을 훼손한다. 그러므로 전극라인의 저 저항화가 강하게 요구되는데, 양(+)극 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(이하, ITO라 칭함) 등의 투명전극은 저항이 높은 문제점이 있었다. Since the organic light emitting diode device is a current injection type device, power consumption greatly depends on the resistance of the electrode line. If the resistance of the electrode line is high, a large voltage drop occurs due to the flow of current, resulting in uneven luminance, thereby degrading display quality. Therefore, low resistance of the electrode line is strongly required, and transparent electrodes such as indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO) used as a positive electrode have a high resistance.

그래서, 기판 상 표시패널영역 내에서의 투명전극(양극)의 배선을 위해 저항 치가 작은 금속인 크롬(Cr)을 보조전극으로 사용하여 저 저항화를 도모하였다. 이에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 양극전극(3)은 투명전극(3a)과 상기 투명전극(3a)의 수평방향에 전기적으로 접속하는 보조전극(3b)으로 이루어지게 된다. Therefore, for the purpose of wiring the transparent electrode (anode) in the display panel region on the substrate, low resistance was achieved by using chromium (Cr), which is a metal having a small resistance value, as an auxiliary electrode. Accordingly, as shown in FIG. 2, the anode electrode 3 is formed of the transparent electrode 3a and the auxiliary electrode 3b electrically connected to the horizontal direction of the transparent electrode 3a.

종래의 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 제조 공정에서 보조 전극을 형성하는 과정은 도 3a 내지 도 3g의 순서로 이루어진다. 즉, 유리기판(102)에 투명전극(103a)을 형성하기 위한 ITO를 적층하고, 보조전극(103b)을 형성하기 위한 금속 막을 ITO의 상부에 적층한 후(도 3a) 포토레지스트(111)를 이용하여 패턴을 형성한 후(도 3b) 금속 식각액을 사용하여 보조 전극(103b)을 형성하고(도 3c), 이후에 다시 한번 포토레지스트를 사용하여 투명전극(103a)을 형성하였다(도 3d 내지 도 3g). The process of forming the auxiliary electrode in the conventional organic light emitting diode display panel manufacturing process is performed in the order of FIGS. 3A to 3G. That is, the ITO for forming the transparent electrode 103a is laminated on the glass substrate 102, and the metal film for forming the auxiliary electrode 103b is laminated on the ITO (FIG. 3A), and then the photoresist 111 is formed. After the pattern was formed using (Fig. 3B), the auxiliary electrode 103b was formed using the metal etchant (Fig. 3C), and then the transparent electrode 103a was formed using the photoresist again (Fig. 3D to 3D). 3g).

그런데, 보조전극(103b)으로 사용할 금속 배선재료로서 크롬(Cr)을 사용할 경우에는 ITO의 투명전극(103a)용 식각액이 보조전극(103b)에 영향을 주지 않았다. 그러나, 배선재료로서 알루미늄(Al)계 재료, 은(Ag)계 재료 또는 구리(Cu)계 재료와 같은 저 저항 금속을 사용하게 되면, 투명전극(103a)용 식각액에 의해 보조전극(103b)의 부식이 발생하여 원하는 전극의 선폭을 이룰 수가 없게 된다. 이에 따라, 미세한 배선구조의 형성이 어렵게 되고 유기 발광 다이오드 소자구동이 어려워져 화소반응속도가 느려진다.However, when chromium (Cr) is used as the metal wiring material to be used as the auxiliary electrode 103b, the etchant for the transparent electrode 103a of ITO did not affect the auxiliary electrode 103b. However, when a low resistance metal such as aluminum (Al) material, silver (Ag) material, or copper (Cu) material is used as the wiring material, the auxiliary electrode 103b may be formed by the etchant for the transparent electrode 103a. Corrosion occurs and the desired electrode line width cannot be achieved. As a result, formation of a fine wiring structure becomes difficult and driving of the organic light emitting diode becomes difficult, and the pixel reaction speed is slowed.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조 공정에서 저 저항 금속을 사용한 배선형성에 있어서 투명 전극 식각액에 의한 저 저항 금속의 부식을 억제하여 표시 품질을 향상시킬 수 있는 양극 배선 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and in the formation of the wiring using the low resistance metal in the organic light emitting diode display panel manufacturing process, the corrosion of the low resistance metal by the transparent electrode etchant is suppressed to improve the display quality. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing the anode wiring.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극 배선 공정 방법에 있어서, 기판에 투명전극으로 사용할 산화물과, 상기 투명 전극의 배선을 위한 보조전극으로 사용할 저 저항 금속을 적층하는 과정과; 상기 저 저항 금속에 포토레지스트를 도포하여 1차 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정과; 식각액으로 상기 저 저항 금속을 식각하여 보조전극을 형성하는 과정과; 상기 포토레지스트를 박리제를 이용하여 제거하는 과정과; 상기 보조전극에 보조전극의 너비보다 넓게 포토레지스트를 도포하여 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정과; 식각액으로 상기 산화물을 식각하여 투명전극을 형성하는 과정과; 상기 포토레지스트를 박리제를 사용하여 제거하는 과정을 포함하는 것에 의해 달성된다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for fabricating an organic light emitting diode display panel, using an oxide to be used as a transparent electrode on a substrate and a low resistance metal to be used as an auxiliary electrode for wiring the transparent electrode. Laminating; Forming a primary photoresist pattern by applying photoresist to the low resistance metal; Etching the low resistance metal with an etchant to form an auxiliary electrode; Removing the photoresist using a release agent; Forming a secondary photoresist pattern by applying photoresist to the auxiliary electrode wider than the width of the auxiliary electrode; Forming a transparent electrode by etching the oxide with an etchant; By removing the photoresist using a release agent.

상기 보조전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.The auxiliary electrode may include any one of silver (Ag), aluminum (Al), and copper (Cu).

상기 보조전극이 은과 알루미늄인 경우 인산을 주 산화제로 하는 식각액으로 식각을 하고, 상기 보조전극이 구리인 경우 과산화수소수를 주 산화제로 하는 식각액으로 식각을 하는 것이 바람직하다.When the auxiliary electrode is silver and aluminum, it is preferable to etch with an etchant having phosphoric acid as the main oxidant, and when the auxiliary electrode is copper, it is preferably etched with an etchant having hydrogen peroxide solution as the main oxidant.

상기 보조전극의 상부와 하부 적어도 어느 일측에 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)을 적층하는 과정을 더 포함하여, 상기 보조전극을 이중으로 사용할 수 있고, 상기 보조전극의 상부와 하부의 판과 접착력을 향상시킬 수 있다. Further comprising the step of stacking chromium (Cr) or molybdenum (Mo) on at least one side of the upper and lower portions of the auxiliary electrode, it is possible to use the auxiliary electrode in double, the adhesion between the plate and the upper and lower portions of the auxiliary electrode Can improve.

이하 본 발명을 첨부된 예시도면에 의거 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4a는 기판에 ITO(인듐 주석 산화물)과 저 저항 금속을 적층한 측단면도, 도 4b는 도 4a의 기판(2)에 포토레지스트(11)를 도포하여 1차 패턴을 형성한 측단면도, 도 4c는 기판에 저 저항 금속에 대해 식각을 하여 보조전극(3b)을 형성하는 측단면도, 도 4d는 도 4c의 포토레지스트(11)를 제거한 측단면도, 도 4e는 도 4d의 기판에 포토레지스트(13)를 도포하여 2차 패턴을 형성한 측단면도, 도 4f는 투명전극(3a)의 식각을 완료한 측단면도, 도 4g는 도 4f의 포토레지스트(13)를 제거한 후의 측단면도이다. 4A is a side cross-sectional view in which ITO (indium tin oxide) and a low resistance metal are laminated on a substrate, and FIG. 4B is a side cross-sectional view in which a primary pattern is formed by applying a photoresist 11 to the substrate 2 of FIG. 4A. 4C is a side cross-sectional view of etching a low-resistance metal on a substrate to form an auxiliary electrode 3b, FIG. 4D is a side cross-sectional view of removing the photoresist 11 of FIG. 4C, and FIG. 4E is a photoresist on the substrate of FIG. 4D. FIG. 4F is a side cross-sectional view of completing the etching of the transparent electrode 3a, and FIG. 4G is a side cross-sectional view after removing the photoresist 13 of FIG. 4F.

이하에서, 상술한 도면을 참조하여, 디스플레이 패널 제조공정시, 도 5에 도시된 공정방법에 따라 양극전극과 배선을 형성하는 과정을 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, referring to the drawings described above, a process of forming the anode electrode and the wiring according to the process method shown in FIG. 5 during the display panel manufacturing process will be described.

S1단계에서 도 4a에 도시된 바와 같이, 기판(2)상의 양극으로 사용할 ITO 투명전극(3a)과 보조전극(3b)으로 사용될 저 저항 금속을 적층하여 다층을 형성한다. 여기서, 저 저항 금속으로는 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu)등을 주로 하는 금속을 사용할 수 있다. In step S1, as shown in FIG. 4A, a multi-layer is formed by laminating an ITO transparent electrode 3a to be used as an anode on the substrate 2 and a low resistance metal to be used as an auxiliary electrode 3b. Here, as the low resistance metal, a metal mainly composed of silver (Ag), aluminum (Al), copper (Cu), or the like can be used.

그 다음, S2단계에서 도 4b에 도시된 바와 같이, 도 4a의 기판(2)에 1차로 포토레지스트(11)를 도포한 후 베이크, 노광, 현상 등의 공정을 통해 요구하는 포토레지스터 배선을 위한 1차 패턴을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4B in step S2, the photoresist 11 is first applied to the substrate 2 of FIG. 4A, and then a photoresist wiring required through a process such as baking, exposure, and development is performed. Form a primary pattern.

S3단계에서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 저 저항 금속의 식각액을 사용하여 화살표 방향으로 식각을 진행하여 보조전극(3b)을 형성한다. 여기서, 보조전극이 은과 알루미늄인 경우 인산을 주 산화제로 하는 식각액으로 식각을 하고, 보조전극이 구리인 경우 과산화수소수를 주 산화제로 하는 식각액으로 식각을 하는 것이 바람직하다.In step S3, as shown in FIG. 4C, etching is performed in the direction of the arrow using an etchant of a low resistance metal to form the auxiliary electrode 3b. Here, when the auxiliary electrodes are silver and aluminum, etching is performed using an etchant containing phosphoric acid as the main oxidant, and when the auxiliary electrode is copper, etching is performed using an etching solution containing hydrogen peroxide solution as the main oxidant.

S4단계에서, 도 4d에 도시된 바와 같이, 식각이 완료된 후 박리제(stripper)를 이용하여 포토레지스트(11)를 제거한다.In step S4, as shown in FIG. 4D, after the etching is completed, the photoresist 11 is removed by using a stripper.

S5단계에서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 도 4d의 기판에 보조전극(3b)의 너비보다 넓게 포토레지스트(13)를 도포하여 포로레지스터 배선을 위한 2차 패턴을 형성한다.In step S5, as shown in FIG. 4E, the photoresist 13 is coated on the substrate of FIG. 4D to be wider than the width of the auxiliary electrode 3b to form a secondary pattern for the pores.

S6단계에서, 도 4f에 도시된 바와 같이, 투명전극(3a)인 ITO를 식각액을 사용하여 화살표 방향으로 식각을 진행하여 투명전극(3a)을 형성한다.In step S6, as shown in FIG. 4F, ITO, which is the transparent electrode 3a, is etched using the etching solution in the direction of the arrow to form the transparent electrode 3a.

S7단계에서, 도 4g에 도시된 바와 같이, 도 4f에서 얻어진 기판(2)의 포토레지스트(13)를 박리제를 사용하여 제거한다.In step S7, as shown in FIG. 4G, the photoresist 13 of the substrate 2 obtained in FIG. 4F is removed using a release agent.

도면에는 도시하지 않았으나, 이들 보조전극을 형성하는 저 저항 금속(Ag, Al, Cu 등)의 상부 또는 하부에 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 등을 더 적층하여 사용 할 수도 있다. 이에 따라 보조전극이 2개의 금속으로 이루어져 하나의 금속이 단선되어도 보조전극이 제대로 기능을 할 수 있다. 그리고, 보조전극(3b)의 하부에 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)을 적층하면 보조전극과 ITO 투명전극의 접착력을 향상시킬 수 있으며, 보조전극(3b)의 상부에 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)을 적층하면 포토레 지스트의 도포시 접착력을 향상시킬 수 있다. Although not shown in the drawings, molybdenum (Mo), chromium (Cr), and the like may be further stacked on or under the low resistance metals (Ag, Al, Cu, etc.) forming these auxiliary electrodes. Accordingly, the auxiliary electrode may function properly even if one metal is disconnected because the auxiliary electrode is made of two metals. In addition, when chromium (Cr) or molybdenum (Mo) is stacked below the auxiliary electrode 3b, adhesion between the auxiliary electrode and the ITO transparent electrode may be improved, and chromium (Cr) or molybdenum may be disposed on the auxiliary electrode 3b. Lamination of (Mo) can improve the adhesive force during application of the photoresist.

이러한 구성에 의하여, 투명전극의 저 저항 배선을 위한 보조전극으로서, 크롬(Cr) 대신 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu)를 사용하여도, ITO 투명전극의 식각액에 의해 보조전극이 부식되지 않게 되고, 이에 따라 미세 배선구조가 가능하게 되어 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 표시 품질이 향상된다.By such a configuration, even if silver (Ag), aluminum (Al), or copper (Cu) is used instead of chromium (Cr) as an auxiliary electrode for low resistance wiring of the transparent electrode, the auxiliary electrode is formed by the etching solution of the ITO transparent electrode. This does not corrode, thereby enabling a fine wiring structure to improve display quality of the organic light emitting diode display panel.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 양극 배선 공정시에, 저 저항 금속을 사용한 양극 배선 형성에 있어 양극전극의 ITO 식각액에 의한 저 저항 금속의 부식을 억제할 수 있으며 표시 품질이 향상될 수 있다. As described above, according to the present invention, in the formation of the anode wiring using the low resistance metal during the anode wiring process of the organic light emitting diode display panel, the corrosion of the low resistance metal by the ITO etchant of the anode electrode can be suppressed and the display quality can be suppressed. This can be improved.

Claims (4)

유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극 배선 공정 방법에 있어서,In the anode wiring process method for manufacturing an organic light emitting diode display panel, 기판에 투명전극으로 사용할 산화물과, 상기 투명 전극의 배선을 위한 보조전극으로 사용할 저 저항 금속을 적층하는 과정과; Stacking an oxide to be used as a transparent electrode on a substrate and a low resistance metal to be used as an auxiliary electrode for wiring the transparent electrode; 상기 저 저항 금속에 포토레지스트를 도포하여 1차 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정과; Forming a primary photoresist pattern by applying photoresist to the low resistance metal; 식각액으로 상기 저 저항 금속을 식각하여 보조전극을 형성하는 과정과; Etching the low resistance metal with an etchant to form an auxiliary electrode; 상기 포토레지스트를 박리제를 이용하여 제거하는 과정과; Removing the photoresist using a release agent; 상기 보조전극에 보조전극의 너비보다 넓게 포토레지스트를 도포하여 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 과정과; Forming a secondary photoresist pattern by applying photoresist to the auxiliary electrode wider than the width of the auxiliary electrode; 식각액으로 상기 산화물을 식각하여 투명전극을 형성하는 과정과; Forming a transparent electrode by etching the oxide with an etchant; 상기 포토레지스트를 박리제를 사용하여 제거하는 과정을 포함하는 것, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극 배선 공정 방법.And removing the photoresist using a releasing agent. The anode wiring process method of manufacturing an organic light emitting diode display panel. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 보조전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 중 어느 하나를 포함하는, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극 배선 공정 방법.The auxiliary electrode includes any one of silver (Ag), aluminum (Al), and copper (Cu). 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 보조전극이 은과 알루미늄인 경우 인산을 주 산화제로 하는 식각액으로 식각을 하고, 상기 보조전극이 구리인 경우 과산화수소수를 주 산화제로 하는 식각액으로 식각을 하는, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극 배선 공정 방법.When the auxiliary electrodes are silver and aluminum, etching is performed using an etchant having phosphoric acid as a main oxidant, and when the auxiliary electrode is copper, etching is performed with an etchant having hydrogen peroxide solution as a main oxidant. Process method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보조전극의 상부와 하부 적어도 어느 일측에 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)을 적층하는 과정을 더 포함하는, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널 제조시 양극 배선 공정 방법. Laminating chromium (Cr) or molybdenum (Mo) on at least one side of the upper and lower portions of the auxiliary electrode, anode wiring process for manufacturing an organic light emitting diode display panel.
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