JP2005183208A - Display device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Nobuhiro Nakamura
伸宏 中村
Naoki Kato
直樹 加藤
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Kyocera Display Corp
AGC Inc
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Kyocera Display Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of reducing wiring resistance and has excellent display characteristics. <P>SOLUTION: The display device according to the present invention comprises: an anode wiring 1 provided on a substrate 11 to have a conductive metal oxide film; a metal pad 28 having a laminated metal film formed on the anode wiring 1 and connected to the anode wiring 1; a protective film 29 formed to cover the side of the metal pad 28; an anode auxiliary wiring 26 formed separately from the anode wiring 1; and a bridge wiring 30 formed on the metal pad 28 to electrically connect the metal pad 28 and anode auxiliary wiring 26, wherein a barrier layer is formed at an uppermost layer of the metal pad 28 to prevent oxidation of an AI layer deposited at a lower layer. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.

近年の情報通信分野における急速な技術開発の進展に伴い、CRTに代わるフラットディスプレイに大きな期待が寄せられている。なかでも有機ELディスプレイは、高速応答性、視認性、輝度などの点に優れるため盛んに研究が行われている。 With the rapid progress of technological development in the information and communication field in recent years, great expectations are placed on a flat display replacing CRT. In particular, organic EL displays are actively studied because they are excellent in terms of high-speed response, visibility, brightness, and the like.

1987年に米国コダック社のTangらによって発表された有機EL素子は、有機薄膜の2層積層構造を有し、発光層にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下「Alq」と略称する)を使用し、10V以下の低電圧駆動で緑色の発光を生じ、1000cd/m2と高輝度が得られた。発光効率は1.5ルーメン/Wであった(Appl.Phys.Lett.,51,913(1987))。   An organic EL device announced by Tang et al. Of Kodak Company in 1987 has a two-layer structure of organic thin films, and uses tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter abbreviated as “Alq”) as a light emitting layer. In addition, green light was emitted when driven at a low voltage of 10 V or less, and a high luminance of 1000 cd / m 2 was obtained. The luminous efficiency was 1.5 lumen / W (Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)).

以降、急速に実用化に向けた研究が進められ、正孔注入電極と電子注入電極に挟まれた有機層が1層〜10層程度の様々な積層型の有機EL素子が開発されてきている。   Since then, research for rapid practical use has been advanced, and various stacked organic EL devices having about 1 to 10 organic layers sandwiched between a hole injection electrode and an electron injection electrode have been developed. .

有機EL材料に関しても、多岐に渡る低分子化合物を真空蒸着法等により薄膜形成する方法のみならず、高分子系化合物をスピンコート法、インクジェット、ダイコート、フレキソ印刷といった方法で薄膜形成して有機EL素子を作成する方法が提案されている。   With regard to organic EL materials, organic EL can be obtained by forming thin films of various low-molecular compounds by a method such as spin coating, ink jet, die coating, or flexographic printing, as well as a method of forming a thin film of various low-molecular compounds by vacuum deposition. A method of creating an element has been proposed.

なお、特許庁のホームページに、「技術分野別特許マップ作成委員会」によって作成された有機EL素子に関する技術情報が掲載されており、いわゆる基本特許や、さまざまな材料、製法、デバイス構造、駆動方法、カラー化技術、耐久性向上、用途などに関し、特許出願公開や登録特許などを引用し統括的に報告が行なわれている。   In addition, technical information about organic EL elements created by the “Technical Field Patent Map Creation Committee” is posted on the JPO homepage, so-called basic patents, various materials, manufacturing methods, device structures, driving methods In regard to color technology, durability improvement, applications, etc., patent reports are published and registered patents are cited and reported collectively.

有機ELディスプレイに用いられる有機EL素子基板は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に薄膜状の有機化合物が積層され、その有機化合物の層の上に、基板上に形成された透明な陽極と対向するように陰極が形成された構造である。有機EL素子は、陽極と陰極との間に配置された有機化合物の層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。以下、積層される有機化合物の薄膜を有機薄膜層と記す。陽極、複数の有機薄膜層および陰極を重ねて配置した個所が表示画素となる。そして、透明な陽極から光を取り出し、所望の画像を表示させる。   An organic EL element substrate used in an organic EL display has an anode formed on the substrate, a thin organic compound layered on the anode, and a transparent layer formed on the organic compound layer on the substrate. In this structure, the cathode is formed so as to face the anode. An organic EL element is a current-driven display element that emits light when a current is supplied to an organic compound layer disposed between an anode and a cathode. Hereinafter, a thin film of an organic compound to be laminated is referred to as an organic thin film layer. A display pixel is a portion where an anode, a plurality of organic thin film layers, and a cathode are stacked. Then, light is extracted from the transparent anode and a desired image is displayed.

ところで、有機EL表示装置は電流駆動素子を使用しており、パッシブ駆動型有機EL表示装置では、各行が選択された時間内で瞬間発光する必要がある。その結果液晶デバイス等の電圧駆動型表示素子を使用する場合と比較して大電流が電極に流れ込むことになる。   By the way, the organic EL display device uses a current drive element, and in the passive drive type organic EL display device, it is necessary to emit light instantaneously within a time when each row is selected. As a result, a large current flows into the electrode as compared with the case where a voltage-driven display element such as a liquid crystal device is used.

従って、陰極配線及び陽極配線を低抵抗にすることが重要となる。パネルの大型化、高精細化、高輝度化が進むとこれらの配線の更なる低抵抗化が必要となってくると同時に、これらの配線と接続される補助配線との間のコンタクトや駆動回路接続端子と補助配線との低抵抗化が課題となって来ている。これに関し、有機EL表示装置の陰極配線と接続される陰極補助配線について、開示された先行技術がある(例えば、特許文献1)。   Therefore, it is important to make the cathode wiring and anode wiring low resistance. As panels become larger, higher definition, and higher brightness, the resistance of these wirings will need to be further reduced, and at the same time, contacts and driving circuits between these wirings and auxiliary wiring Lowering the resistance between the connection terminal and the auxiliary wiring has been an issue. In this regard, there is a disclosed prior art regarding cathode auxiliary wiring connected to the cathode wiring of the organic EL display device (for example, Patent Document 1).

この先行技術では、駆動回路接続端子に透明電極材料を用い、かつ、陰極材料と陰極補助配線材料とを同一とする。この場合、陰極材料と陰極補助配線材料との接続前に陰極表面や陰極補助配線表面が酸化されなければ、陰極と陰極補助配線とのコンタクト抵抗の問題は解消する可能性が大きくなる。   In this prior art, a transparent electrode material is used for the drive circuit connection terminal, and the cathode material and the cathode auxiliary wiring material are the same. In this case, if the cathode surface or the cathode auxiliary wiring surface is not oxidized before the connection between the cathode material and the cathode auxiliary wiring material, the possibility of solving the problem of contact resistance between the cathode and the cathode auxiliary wiring is increased.

また、製造時のベークによる金属電極の接触抵抗の増加を解消しようとする有機エレクトロルミネセンス表示素子が開示されている(例えば、特許文献2)。そのため、透明基板に設けられた引出し電極の表層にバリア層を形成し、その引出し電極は有機発光層を介して透明基板の上に積層された金属電極にバリア層を介して接触させる。   Further, an organic electroluminescence display element that attempts to eliminate an increase in contact resistance of a metal electrode due to baking at the time of manufacture is disclosed (for example, Patent Document 2). Therefore, a barrier layer is formed on the surface layer of the extraction electrode provided on the transparent substrate, and the extraction electrode is brought into contact with the metal electrode laminated on the transparent substrate via the organic light emitting layer via the barrier layer.

引出し電極は、Cr、Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Ni、Mo、Ta、Ti、W、C、Fe、In、Ag−Mn、Zn等の金属質導電材料で形成される。バリア層は耐熱変質性の良好な高融点金属、貴金属、酸化物、窒化物又は酸窒化物で形成される。   The extraction electrode is formed of a metallic conductive material such as Cr, Al, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Ni, Mo, Ta, Ti, W, C, Fe, In, Ag-Mn, and Zn. The barrier layer is formed of a refractory metal, a noble metal, an oxide, a nitride, or an oxynitride having good heat resistance and alteration.

よって、層間絶縁膜形成時等の際に加熱を行っても、引出し電極と金属電極との接触抵抗が低く維持され、低電圧で駆動できると説明している。また、密着性改善層を介して引出し電極を形成するとき、透明基板に対する引出し電極の密着性が向上し、引出し電極と金属電極と良好な導通状態が維持される。   Therefore, it is described that the contact resistance between the extraction electrode and the metal electrode is kept low even when heating is performed at the time of forming the interlayer insulating film or the like, and the driving can be performed at a low voltage. Further, when the extraction electrode is formed via the adhesion improving layer, the adhesion of the extraction electrode to the transparent substrate is improved, and a good electrical connection between the extraction electrode and the metal electrode is maintained.

一方、陽極配線は通常、透明導電膜で形成されるためITO(Indium Tin Oxides)等の金属酸化膜が用いられる。このような金属酸化膜は一般的に金属と比べて比抵抗が高いため、配線抵抗の低抵抗化が困難である。従って、表示領域外に金属材料からなる陽極補助配線を設けて低抵抗化を図ることが可能である。   On the other hand, since the anode wiring is usually formed of a transparent conductive film, a metal oxide film such as ITO (Indium Tin Oxides) is used. Since such a metal oxide film generally has a higher specific resistance than a metal, it is difficult to reduce the wiring resistance. Accordingly, it is possible to reduce the resistance by providing an anode auxiliary wiring made of a metal material outside the display region.

陽極補助配線を設けた有機EL表示装置の構成について図8を用いて説明する。図8は有機EL表示装置に用いられる有機EL素子基板の構成を示す上面図である。   The structure of the organic EL display device provided with the anode auxiliary wiring will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a top view showing a configuration of an organic EL element substrate used in the organic EL display device.

透明導電膜により複数の陽極配線1が形成されている。この時、陰極補助配線21に対応するパターンも同時に形成する。この陽極配線1の基板端側にはそれぞれの陽極配線1に対応して陽極補助配線26が形成される。陽極補助配線26の陽極配線1の上に重ねられるようにパターニングされる。これにより、陽極配線1と陽極補助配線26が接続される。陽極補助配線26は陽極配線1よりも比抵抗の低い金属膜により形成されるため、配線抵抗を低減することができる。   A plurality of anode wirings 1 are formed of a transparent conductive film. At this time, a pattern corresponding to the cathode auxiliary wiring 21 is simultaneously formed. On the substrate end side of the anode wiring 1, anode auxiliary wiring 26 is formed corresponding to each anode wiring 1. The anode auxiliary wiring 26 is patterned so as to be overlaid on the anode wiring 1. Thereby, the anode wiring 1 and the anode auxiliary wiring 26 are connected. Since the anode auxiliary wiring 26 is formed of a metal film having a specific resistance lower than that of the anode wiring 1, the wiring resistance can be reduced.

陽極補助配線26には比抵抗の低いAl又はAl合金が主に用いられる。さらにその上層及び下層にはバリア層として、例えば、高融点金属膜が用いられる。Alの下層の高融点金属膜は透明導電膜とのコンタクト抵抗を良好にするため形成される。Alの上層の高融点金属膜は、後の工程においてAlが酸化等により変質して、コンタクト抵抗が劣化するのを防ぐために形成される。   For the anode auxiliary wiring 26, Al or Al alloy having a low specific resistance is mainly used. Further, for example, a refractory metal film is used as a barrier layer in the upper layer and the lower layer. The refractory metal film under the Al layer is formed to improve the contact resistance with the transparent conductive film. The refractory metal film on the upper layer of Al is formed in order to prevent the contact resistance from deteriorating due to the deterioration of Al due to oxidation or the like in a later step.

この上から画素電極に対応する開口部23を有する絶縁膜22を形成する。絶縁膜22には例えば、感光性のポリイミド樹脂が用いられる。この開口部23を形成する工程では、陰極補助配線25と陰極配線5を接続するためのコンタクトホール25が形成される。そして、陰極配線5を分離するため、逆テーパ構造の隔壁10を形成する。その上から図示しない有機薄膜層を形成し、さらにその上から陰極配線5を形成する。陰極配線5は隔壁10により分離され、陽極配線1と交差するように形成される。この陰極配線5と陽極配線1とが交差する位置に設けられた開口部23において有機薄膜層に電流が流れ発光する。   An insulating film 22 having an opening 23 corresponding to the pixel electrode is formed from above. For example, a photosensitive polyimide resin is used for the insulating film 22. In the step of forming the opening 23, a contact hole 25 for connecting the cathode auxiliary wiring 25 and the cathode wiring 5 is formed. And in order to isolate | separate the cathode wiring 5, the partition 10 of a reverse taper structure is formed. An organic thin film layer (not shown) is formed thereon, and a cathode wiring 5 is formed thereon. The cathode wiring 5 is separated by the partition wall 10 and formed so as to intersect the anode wiring 1. In the opening 23 provided at the position where the cathode wiring 5 and the anode wiring 1 intersect, a current flows through the organic thin film layer to emit light.

しかしながら、陽極配線に対して金属からなる陽極補助配線を接続させる構成では以下のような問題点があった。この問題点について図9を用いて説明する。図9は図8のA−A断面図であり、絶縁膜22に開口部23を形成する工程における構成を示している。   However, the configuration in which the anode auxiliary wiring made of metal is connected to the anode wiring has the following problems. This problem will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 8 and shows a configuration in the step of forming the opening 23 in the insulating film 22.

陽極配線1の上には配線抵抗を低減するため陽極補助配線26が形成されている。ここで、例えば、陽極補助配線26には上層及び下層の高融点金属と中間層のAlからなる3層の積層金属膜が形成されている。すなわち、積層金属膜では、下から順番に高融点金属層、Al層、高融点金属層の順番に配置される。陽極補助配線1の上にはさらに感光性のポリイミドからなる絶縁膜22が形成されている。この絶縁膜22を画素に対応する開口部23を形成するため、絶縁膜22をパターン露光して、アルカリ性の現像液40に浸着する。   An anode auxiliary wiring 26 is formed on the anode wiring 1 in order to reduce wiring resistance. Here, for example, the anode auxiliary wiring 26 is formed with a three-layered laminated metal film made of upper and lower refractory metals and an intermediate layer of Al. That is, in the laminated metal film, the refractory metal layer, the Al layer, and the refractory metal layer are arranged in order from the bottom. An insulating film 22 made of photosensitive polyimide is further formed on the anode auxiliary wiring 1. In order to form the opening 23 corresponding to the pixel in the insulating film 22, the insulating film 22 is subjected to pattern exposure and immersed in an alkaline developer 40.

この時、Alの上に高融点金属からなるバリア層を設けても陽極補助配線26のAlがAl3+となって現像液に溶け出してしまう。すなわち、Alが酸化されて、電子が陽極配線1に流れてしまうことがあった。この電子によりITOからなる陽極配線1が還元腐食されると、陽極配線1の表面状態が荒れてしまう。有機薄膜層は膜厚が薄いため、陽極配線1の表面状態が荒れて凸凹になると有機薄膜層の耐圧が下がり、陽極と陰極間の短絡が発生しやすくなる。これにより、表示装置の表示特性が劣化してしまうという問題点があった。
特開平11−317292号公報 特開2001−351778号公報
At this time, even if a barrier layer made of a refractory metal is provided on Al, Al in the anode auxiliary wiring 26 becomes Al 3+ and dissolves in the developer. That is, Al may be oxidized and electrons may flow to the anode wiring 1. When the anode wiring 1 made of ITO is reduced and corroded by these electrons, the surface state of the anode wiring 1 becomes rough. Since the organic thin film layer is thin, if the surface condition of the anode wiring 1 becomes rough and uneven, the breakdown voltage of the organic thin film layer decreases, and a short circuit between the anode and the cathode tends to occur. As a result, the display characteristics of the display device are deteriorated.
JP 11-317292 A JP 2001-351778 A

このように従来の有機EL表示装置では、陽極配線の配線抵抗を低減するために陽極補助配線を形成した場合、十分な発光特性を得ることができないという問題点があった。   As described above, in the conventional organic EL display device, when the anode auxiliary wiring is formed in order to reduce the wiring resistance of the anode wiring, there is a problem that sufficient light emission characteristics cannot be obtained.

本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、配線抵抗が低減され、良好な表示特性を有する表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a display device having reduced wiring resistance and good display characteristics.

本発明の第1の態様にかかる表示装置は、基板(例えば、本実施の形態における基板11)上に設けられ、導電性の金属酸化膜を有する第1の配線(例えば、本実施の形態における陽極配線1)と、前記第1の配線の上に形成され、前記第1の配線と接続された積層金属膜を有する金属パッド(例えば、本実施の形態における金属パッド28)と、前記金属パッドの側面を覆うように形成された保護膜(例えば、本実施の形態におけるエッジカバー樹脂29)と、前記基板上に前記第1の配線と分離して形成された補助配線(例えば、本実施の形態における陽極補助配線26)と、前記金属パッドの上に形成され、前記金属パッドと前記補助配線とを電気的に接続するブリッジ配線(例えば、本実施の形態におけるブリッジ配線30)とを備え、前記金属パッドの最上層に、下層に配置された金属の酸化を防ぐバリア層が形成されているものである。これにより、低配線抵抗で、積層金属膜の下層に配置された金属の酸化に起因する発光特性の劣化を低減された表示装置を提供することができる。   The display device according to the first aspect of the present invention is provided on a substrate (for example, the substrate 11 in the present embodiment) and has a first wiring (for example, in the present embodiment) having a conductive metal oxide film. Anode wiring 1), a metal pad (for example, metal pad 28 in the present embodiment) formed on the first wiring and having a laminated metal film connected to the first wiring, and the metal pad A protective film (for example, the edge cover resin 29 in the present embodiment) formed so as to cover the side surface of the substrate, and an auxiliary wiring (for example, the present embodiment) formed separately from the first wiring on the substrate. Anode auxiliary wiring 26) in the embodiment, and a bridge wiring (for example, bridge wiring 30 in the present embodiment) formed on the metal pad and electrically connecting the metal pad and the auxiliary wiring. , The uppermost layer of the metal pad, in which a barrier layer to prevent oxidation of the metal disposed below is formed. Accordingly, it is possible to provide a display device with low wiring resistance and reduced deterioration in light emission characteristics due to oxidation of a metal disposed in the lower layer of the laminated metal film.

本発明の第2の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記金属パッドがAl又はAl合金を有し、前記バリア層により、前記Al又はAl合金の酸化が防止されるものである。これにより、Al又はAl層の酸化を防ぐことができる。   In the display device according to the second aspect of the present invention, in the above display device, the metal pad has Al or an Al alloy, and the barrier layer prevents oxidation of the Al or Al alloy. Thereby, oxidation of Al or Al layer can be prevented.

本発明の第3の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記バリア層がMo又はMo合金により形成されているものである。これにより、ブリッジ配線とのコンタクト抵抗を低減することができる。   A display device according to a third aspect of the present invention is such that the barrier layer is formed of Mo or Mo alloy in the above-described display device. Thereby, contact resistance with bridge wiring can be reduced.

本発明の第4の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記第1の配線がITOにより形成されているものである。   A display device according to a fourth aspect of the present invention is the above-described display device in which the first wiring is formed of ITO.

本発明の第5の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記補助配線と前記金属パッドとが同一材料で形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で、配線抵抗を低減することができる。これにより、簡易な製造工程で、配線抵抗を低減することができる。   A display device according to a fifth aspect of the present invention is the above-described display device in which the auxiliary wiring and the metal pad are formed of the same material. Thereby, wiring resistance can be reduced with a simple manufacturing process. Thereby, wiring resistance can be reduced with a simple manufacturing process.

本発明の第6の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記第1の配線の上に設けられた絶縁膜(例えば、本実施の形態における絶縁膜22)をさらに備え、前記保護膜と前記絶縁膜とが同一材料で形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で、積層金属膜の下層に配置された金属の酸化に起因する発光特性の劣化を低減することができる。   A display device according to a sixth aspect of the present invention further includes an insulating film (for example, the insulating film 22 in the present embodiment) provided on the first wiring in the above-described display device, and the protective film And the insulating film are made of the same material. Thereby, it is possible to reduce the deterioration of the light emission characteristics due to the oxidation of the metal disposed in the lower layer of the laminated metal film with a simple manufacturing process.

本発明の第7の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記絶縁膜の上に前記第1の配線と交差するよう設けられた第2の配線(例えば、本実施の形態における陰極配線5)をさらに備え、前記第2の配線と前記ブリッジ配線とが同一の材料により形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で、配線抵抗を低減することが可能になる。   A display device according to a seventh aspect of the present invention includes a second wiring (for example, a cathode wiring according to the present embodiment) provided on the insulating film so as to intersect the first wiring in the display device described above. 5), wherein the second wiring and the bridge wiring are formed of the same material. Thereby, it becomes possible to reduce wiring resistance with a simple manufacturing process.

本発明の第8の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記絶縁膜が前記第1の配線と前記第2の配線との交差する位置に設けられた開口部(例えば、本実施の形態における開口部23)を備え、前記開口部に有機発光層が形成されているものである。これにより、平坦な絶縁膜の上に有機発光膜を形成することができ、良好な発光特性を得ることができる。   In the display device according to the eighth aspect of the present invention, in the above display device, the insulating film is provided with an opening (for example, in the present embodiment) provided at a position where the first wiring and the second wiring intersect. And an organic light emitting layer is formed in the opening. Thereby, an organic light emitting film can be formed on a flat insulating film, and good light emission characteristics can be obtained.

本発明の第9の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記金属パッドの積層金属膜が前記開口部の外側を通って、前記第1の配線と前記第2の配線との交差する位置まで延設されているものである。これにより、製造工程を増やさずに配線抵抗を低減することができる。   In the display device according to the ninth aspect of the present invention, in the above display device, the laminated metal film of the metal pad crosses the first wiring and the second wiring through the outside of the opening. It extends to the position. Thereby, wiring resistance can be reduced without increasing a manufacturing process.

本発明の第10の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記補助配線が前記第2の配線と接続される配線と同一の材料により形成されているものである。これにより、製造工程を増やさずに配線抵抗を低減することができる。   A display device according to a tenth aspect of the present invention is such that the auxiliary wiring is formed of the same material as the wiring connected to the second wiring in the above-described display device. Thereby, wiring resistance can be reduced without increasing a manufacturing process.

本発明の第11の態様にかかる表示装置の製造方法は、基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップ(例えば、本実施の形態におけるステップS101)と、前記金属酸化膜をパターニングして第1の配線を形成するステップ(例えば、本実施の形態におけるステップS102)と、前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップ(例えば、本実施の形態におけるステップS103)と、前記積層金属膜をパターニングして、前記第1の配線と接続される金属パッドを形成するステップ(例えば、本実施の形態におけるステップS104)と、前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップ(例えば、本実施の形態におけるステップS106)と、前記金属パッドと前記第1の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップ(例えば、本実施の形態におけるステップS109)とを備えるものである。これにより、配線抵抗を低減することができ、表示特性を向上することができる。   A method for manufacturing a display device according to an eleventh aspect of the present invention includes a step of forming a conductive metal oxide film on a substrate (for example, step S101 in the present embodiment), and patterning the metal oxide film. Then, a step of forming the first wiring (for example, step S102 in the present embodiment) and a laminated metal film that forms a barrier layer that prevents oxidation of the lower layer metal on the metal oxide film are formed. Step (for example, step S103 in the present embodiment) and patterning the laminated metal film to form a metal pad connected to the first wiring (for example, step S104 in the present embodiment). Providing a protective film that covers the side surface of the metal pad (for example, step S106 in the present embodiment), the metal pad, Forming a bridge wire connecting the separated and formed auxiliary wiring 1 of the wiring (e.g., step S109 in the embodiment) in which and a. Thereby, wiring resistance can be reduced and display characteristics can be improved.

本発明の第12の態様にかかる表示装置の製造方法は基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップと、前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、前記積層金属膜をパターニングして、前記金属酸化膜と接続される前記金属パッドを前記金属酸化膜の上に形成するステップと、前記金属酸化膜をパターニングして第1の配線を形成するステップと、前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップと、前記金属パッドと前記第1の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップとを備えるものである。これにより、配線抵抗を低減することができ、表示特性を向上することができる。   A method for manufacturing a display device according to a twelfth aspect of the present invention includes a step of forming a conductive metal oxide film on a substrate, and a barrier that prevents oxidation of the lowermost metal on the metal oxide film. Forming a laminated metal film to be a layer; patterning the laminated metal film to form the metal pad connected to the metal oxide film on the metal oxide film; and the metal oxide film A first wiring is formed by patterning, a step of providing a protective film covering a side surface of the metal pad, and an auxiliary wiring formed separately from the first wiring are connected to each other. Forming a bridge wiring. Thereby, wiring resistance can be reduced and display characteristics can be improved.

本発明の第13の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記補助配線が前記金属パッドを形成するステップと同じステップにより形成されるものである。これにより製造工程を簡略化することができる。   A display device manufacturing method according to a thirteenth aspect of the present invention is such that the auxiliary wiring is formed by the same step as the step of forming the metal pad in the manufacturing method described above. Thereby, a manufacturing process can be simplified.

本発明の第14の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記保護膜を形成するステップにおいて、表示領域内において前記第1の配線の上に開口部を有する絶縁膜が形成される。これにより、簡易な製造工程で積層金属膜の酸化に起因する発光特性の劣化を低減することができる。   According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a display device manufacturing method, wherein in the step of forming the protective film in the above-described manufacturing method, an insulating film having an opening is formed on the first wiring in the display region. Is done. Thereby, it is possible to reduce the deterioration of the light emission characteristics due to the oxidation of the laminated metal film by a simple manufacturing process.

本発明の第15の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記ブリッジ配線を形成する工程において、前記絶縁膜の上を介して前記第1の配線と交差する第2の配線が形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で配線抵抗を低減することができる。   According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, wherein the second wiring intersects the first wiring through the insulating film in the step of forming the bridge wiring in the manufacturing method described above. Is formed. Thereby, wiring resistance can be reduced with a simple manufacturing process.

本発明の第16の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記絶縁膜の開口部に有機発光層を形成するステップをさらに備えるものである。これにより、簡易な製造工程で平坦な絶縁膜の上に有機発光膜を形成することができ、良好な発光特性を得ることができる。   The display device manufacturing method according to the sixteenth aspect of the present invention further includes the step of forming an organic light emitting layer in the opening of the insulating film in the above manufacturing method. Thereby, an organic light emitting film can be formed on a flat insulating film by a simple manufacturing process, and good light emission characteristics can be obtained.

本発明の第17の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記補助配線が前記第2の配線と接続される配線と同じステップにより形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で配線抵抗を低減することができる。   According to a seventeenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a display device, wherein the auxiliary wiring is formed by the same steps as the wiring connected to the second wiring in the manufacturing method described above. Thereby, wiring resistance can be reduced with a simple manufacturing process.

本発明によれば配線抵抗が低減され、良好な表示特性を有する表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a display device with reduced wiring resistance and good display characteristics.

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
発明の実施の形態1.
Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description is to describe the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description is omitted and simplified as appropriate. Further, those skilled in the art will be able to easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention. In addition, what attached | subjected the same code | symbol in each figure has shown the same element, and abbreviate | omits description suitably.
Embodiment 1 of the Invention

本実施の形態にかかる有機EL表示装置の有機EL発光素子が形成されている素子基板について図1を用いて説明する。図1は有機EL表示装置の素子基板の構成を示す平面図である。1は陽極配線、5は陰極配線、10は隔壁、11は基板、21は陰極補助配線、22は絶縁膜、23は開口部、25はコンタクトホール、26は陽極補助配線、27は陽極配線1と陽極補助配線26とが接続される接続部である。   An element substrate on which an organic EL light emitting element of the organic EL display device according to the present embodiment is formed will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an element substrate of an organic EL display device. 1 is anode wiring, 5 is cathode wiring, 10 is a partition, 11 is a substrate, 21 is cathode auxiliary wiring, 22 is an insulating film, 23 is an opening, 25 is a contact hole, 26 is anode auxiliary wiring, 27 is anode wiring 1 And the anode auxiliary wiring 26 are connected to each other.

基板11上には、基板11の表面に接するように複数の陽極配線1が形成されている。複数の陽極配線1はそれぞれ平行に形成されている。陽極配線1の端部にはそれぞれの陽極配線1に対応された陽極補助配線26が基板11の端部まで形成されている。陽極配線1と一列になるようにそれぞれの陽極補助配線26が配置される。この陽極配線1の上には接続部27が形成され、陽極補助配線26とは接続される。陽極補助配線26には外部配線等と接続するための端子部(図示せず)が設けられている。陰極補助配線21は陰極配線5の本数に対応して形成されている。   A plurality of anode wirings 1 are formed on the substrate 11 so as to be in contact with the surface of the substrate 11. The plurality of anode wirings 1 are formed in parallel. Anode auxiliary wiring 26 corresponding to each anode wiring 1 is formed at the end of the anode wiring 1 up to the end of the substrate 11. Each auxiliary anode wiring 26 is arranged so as to be in line with the anode wiring 1. A connecting portion 27 is formed on the anode wiring 1 and connected to the anode auxiliary wiring 26. The anode auxiliary wiring 26 is provided with a terminal portion (not shown) for connection to an external wiring or the like. The cathode auxiliary wiring 21 is formed corresponding to the number of the cathode wirings 5.

陽極配線1は例えば、ITO等などの透明導電膜により形成される。陽極補助配線26は多層構造の金属膜により形成される。例えば、下からMo層、Al層、Mo層の順番で陽極補助配線26となる積層金属膜が構成される。なお、陰極補助配線21は陽極補助配線26と同様に多層構造の金属膜により形成されてもよい。あるいは陰極補助配線21は陽極配線1と同じ工程により形成されても良い。さらには透明導電膜と積層金属膜とを積層して陰極補助配線21を形成しても良い。これらの配線が形成された基板上には、絶縁膜22が形成される。絶縁膜22の膜厚は、例えば、0.7μmである。絶縁膜22には、陽極配線1と陰極配線5とが交差する位置(すなわち表示画素となる位置)に開口部23が設けられている。   The anode wiring 1 is formed of a transparent conductive film such as ITO. The anode auxiliary wiring 26 is formed of a metal film having a multilayer structure. For example, a laminated metal film that becomes the anode auxiliary wiring 26 is formed in the order of the Mo layer, the Al layer, and the Mo layer from the bottom. The cathode auxiliary wiring 21 may be formed of a metal film having a multilayer structure, like the anode auxiliary wiring 26. Alternatively, the cathode auxiliary wiring 21 may be formed by the same process as the anode wiring 1. Furthermore, the cathode auxiliary wiring 21 may be formed by laminating a transparent conductive film and a laminated metal film. An insulating film 22 is formed on the substrate on which these wirings are formed. The film thickness of the insulating film 22 is 0.7 μm, for example. In the insulating film 22, an opening 23 is provided at a position where the anode wiring 1 and the cathode wiring 5 intersect (that is, a position serving as a display pixel).

表示領域の外側には陰極補助配線21と陰極配線5とを接続するため、絶縁膜22にコンタクトホール25が形成されている。このコンタクトホール25において、陰極配線5と陰極補助配線21とが接続される。陰極補助配線21の端部には端子部(図示せず)が設けられており、外部配線、駆動回路と接続される。これにより、開口部23において陽極配線1と陰極配線5に挟まれる有機薄膜層に電流を流すことができ、有機薄膜層が発光する。この開口部23が設けられている領域が表示領域となり、所望の画像を表示することができる。   A contact hole 25 is formed in the insulating film 22 to connect the cathode auxiliary wiring 21 and the cathode wiring 5 to the outside of the display area. In the contact hole 25, the cathode wiring 5 and the cathode auxiliary wiring 21 are connected. A terminal portion (not shown) is provided at the end of the cathode auxiliary wiring 21 and is connected to an external wiring and a drive circuit. Thereby, an electric current can be sent through the organic thin film layer sandwiched between the anode wiring 1 and the cathode wiring 5 in the opening 23, and the organic thin film layer emits light. The area where the opening 23 is provided becomes a display area, and a desired image can be displayed.

絶縁膜22の上層には、複数の有機薄膜層(有機化合物層)、陰極配線5が順に積層される。従って、有機薄膜層は陰極配線5と陽極配線1に挟まれる構成となる。ただし、図1では有機薄膜層の図示を省略している。また、有機薄膜層を形成する前に、隣接する陰極配線同士を区分する分離構造体(以下、隔壁10と記す。)が設けられる。隔壁10は、陰極配線5を蒸着等により形成する前に、所望のパターンに形成される。例えば、図1に示すように、陽極配線1と直交する複数の陰極配線5を形成するため、陽極配線1と直交する複数の隔壁10が陽極配線1の上に形成される。   A plurality of organic thin film layers (organic compound layers) and the cathode wiring 5 are sequentially stacked on the insulating film 22. Accordingly, the organic thin film layer is sandwiched between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1. However, illustration of the organic thin film layer is omitted in FIG. In addition, before the organic thin film layer is formed, a separation structure (hereinafter referred to as a partition wall 10) that separates adjacent cathode wirings is provided. The barrier rib 10 is formed in a desired pattern before the cathode wiring 5 is formed by vapor deposition or the like. For example, as shown in FIG. 1, a plurality of partition walls 10 orthogonal to the anode wiring 1 are formed on the anode wiring 1 in order to form a plurality of cathode wirings 5 orthogonal to the anode wiring 1.

隔壁10は、逆テーパ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板11から離れるにつれて断面が広がるように形成されることが好ましい。これにより、隔壁10の側壁及び立ち上がり部分が蒸着の陰となり、陰極配線5を区分することができる。隔壁10は例えば、高さが3.4μmで、幅が10μmで形成することができる。   The partition wall 10 preferably has an inverted taper structure. That is, it is preferable that the cross-section is formed so as to be separated from the substrate 11. Thereby, the side wall and the rising portion of the partition wall 10 are shadowed by vapor deposition, and the cathode wiring 5 can be divided. The partition wall 10 can be formed with a height of 3.4 μm and a width of 10 μm, for example.

隔壁10が形成された後、有機薄膜層が蒸着法あるいは塗布法等により形成される。さらに有機薄膜層の上から金属を蒸着する。蒸着された金属膜は逆テーパ構造の隔壁10により分断され、複数の陰極配線5が形成される。陰極配線5となる金属膜は隔壁10の外側には形成されないようマスクを用いて蒸着される。有機EL素子基板は上述のような構成を備えている。この素子基板が対向基板と対向配置されて有機EL表示装置が形成される。   After the partition wall 10 is formed, an organic thin film layer is formed by a vapor deposition method or a coating method. Further, a metal is deposited on the organic thin film layer. The deposited metal film is divided by a partition wall 10 having a reverse taper structure to form a plurality of cathode wirings 5. The metal film to be the cathode wiring 5 is deposited using a mask so as not to be formed outside the partition wall 10. The organic EL element substrate has the above-described configuration. The element substrate is disposed to face the counter substrate to form an organic EL display device.

次に陽極配線1と陽極補助配線26とを接続する接続部27の周辺の構成について図2及び図3を用いて説明する。図2は接続部27周辺の構成を拡大して示す上面図であり、1本の陽極配線1に着目して図示している。図3は図2のA−A断面図である。28は金属パッド、29はエッジカバー樹脂、30はブリッジ配線、31はコンタクトホールである。   Next, a configuration around the connection portion 27 that connects the anode wiring 1 and the anode auxiliary wiring 26 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is an enlarged top view showing the configuration around the connection portion 27, focusing on one anode wiring 1. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 28 is a metal pad, 29 is an edge cover resin, 30 is a bridge wiring, and 31 is a contact hole.

図2において、下側が表示領域であり、上述のように陽極配線1上に開口部23を有する絶縁膜22並びに陰極を分断する隔壁10が形成されている。陽極配線1の端部の基板端側には陽極配線1と一列になるように陽極補助配線26が形成されている。陽極補助配線26は陽極配線1と分離して形成されている。陽極配線1の端部に配置される接続部27には金属パッド28が設けられている。金属パッド28は陽極補助配線26と同一の工程により形成される。金属パッドの28の外周を覆うようにエッジカバー樹脂29が形成されている。エッジカバー樹脂29は絶縁膜22と同一の工程により形成される。金属パッド28及びエッジカバー樹脂29は陽極配線1の上に島状に形成されている。   In FIG. 2, the lower side is a display region, and the insulating film 22 having the opening 23 and the partition 10 for dividing the cathode are formed on the anode wiring 1 as described above. An anode auxiliary wiring 26 is formed on the substrate end side of the end of the anode wiring 1 so as to be in line with the anode wiring 1. The anode auxiliary wiring 26 is formed separately from the anode wiring 1. A metal pad 28 is provided at the connection portion 27 disposed at the end of the anode wiring 1. The metal pad 28 is formed by the same process as the anode auxiliary wiring 26. An edge cover resin 29 is formed so as to cover the outer periphery of the metal pad 28. The edge cover resin 29 is formed by the same process as the insulating film 22. The metal pad 28 and the edge cover resin 29 are formed in an island shape on the anode wiring 1.

図3に示すように、基板11上に設けられた陽極配線1の上には直接、金属パッド28が形成されている。従って、金属パッド28と陽極配線1は電気的に接続されている。この金属パッド28の側面全体を覆うようにエッジカバー樹脂29が形成されている。エッジカバー樹脂29は金属パッド28の上面が露出するよう一部が除去され、コンタクトホール31が形成されている。エッジカバー樹脂29に設けられたコンタクトホール31の上からブリッジ配線30を形成する。これによりブリッジ配線30と金属パッド28が電気的に接続される。   As shown in FIG. 3, a metal pad 28 is formed directly on the anode wiring 1 provided on the substrate 11. Therefore, the metal pad 28 and the anode wiring 1 are electrically connected. An edge cover resin 29 is formed so as to cover the entire side surface of the metal pad 28. The edge cover resin 29 is partially removed so that the upper surface of the metal pad 28 is exposed, and a contact hole 31 is formed. A bridge wiring 30 is formed from above the contact hole 31 provided in the edge cover resin 29. Thereby, the bridge wiring 30 and the metal pad 28 are electrically connected.

このブリッジ配線30は陽極補助配線26と接続されるよう、金属パッド28の上から陽極補助配線26の上まで形成される。すなわち、ブリッジ配線30の端部は陽極補助配線26の上に配置される。さらにブリッジ配線30は金属パッド28及びエッジカバー樹脂29を覆うように形成される。ブリッジ配線30は陰極5と同じ工程により形成されるため、マスクを用いた蒸着法によりパターニングされる。すなわち、形成されるパターンに応じたマスクにより接続部27が露出した状態で蒸着される。これにより、接続部27から表示領域までの間及び基板端部には陰極材料となる金属膜が配置されない構成となる。   The bridge wiring 30 is formed from above the metal pad 28 to above the anode auxiliary wiring 26 so as to be connected to the anode auxiliary wiring 26. That is, the end of the bridge wiring 30 is disposed on the anode auxiliary wiring 26. Further, the bridge wiring 30 is formed so as to cover the metal pad 28 and the edge cover resin 29. Since the bridge wiring 30 is formed by the same process as the cathode 5, it is patterned by a vapor deposition method using a mask. That is, the vapor deposition is performed in a state where the connection portion 27 is exposed by a mask corresponding to the pattern to be formed. As a result, the metal film serving as the cathode material is not disposed between the connection portion 27 and the display region and at the substrate end.

また各々の陽極配線1に対応するブリッジ配線30は逆テーパ構造の分離構造体により分離することも可能である。すなわち、複数の陽極配線1にそれぞれ対応して形成された複数のブリッジ配線の間に逆テーパ構造の隔壁を形成して、ブリッジ配線30を分離することが可能である。この場合、ブリッジ配線30の両側に逆テーパ構造の隔壁が形成される。これにより、それぞれの陽極配線1に対して、異なるブリッジ配線30を接続することができる。この逆テーパ構造の分離構造体は陰極配線間の隔壁10と同じ工程で形成される。   Further, the bridge wiring 30 corresponding to each anode wiring 1 can be separated by a separation structure having an inverted taper structure. That is, it is possible to separate the bridge wiring 30 by forming a partition wall having an inverted taper structure between the plurality of bridge wirings formed corresponding to the plurality of anode wirings 1. In this case, a reverse-tapered partition is formed on both sides of the bridge wiring 30. Thereby, different bridge wirings 30 can be connected to each anode wiring 1. The reverse tapered structure is formed in the same process as the partition 10 between the cathode wirings.

上述の構成により、金属パッド28の中間に配置されたAl層では上面がバリア層であるMo層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂29で覆われる。Al層の下面はMo層のより覆われている。これにより、陽極補助配線26のAl層の全体を覆うことができる。絶縁膜22の現像時において、現像液に浸着されてもAlが現像液に溶け出すことを防ぐことができる。よって、Alの酸化に起因するITOの還元腐食を防ぐことができる。陽極配線1の表面が荒くなることがなく、良好な発光特性を有する有機EL表示素子を提供することができる。   With the above-described configuration, the upper surface of the Al layer disposed in the middle of the metal pad 28 is covered with the Mo layer as the barrier layer, and the side surface is covered with the edge cover resin 29. The lower surface of the Al layer is covered with the Mo layer. Thereby, the entire Al layer of the anode auxiliary wiring 26 can be covered. When the insulating film 22 is developed, it is possible to prevent Al from being dissolved into the developer even if it is immersed in the developer. Therefore, it is possible to prevent reductive corrosion of ITO caused by oxidation of Al. The surface of the anode wiring 1 is not roughened, and an organic EL display element having good light emission characteristics can be provided.

さらに、積層金属膜の最上層をMo層とすることで、ブリッジ配線30とのコンタクト抵抗を低減することができる。また、積層金属膜の最下層をMoとすることにより、Mo層と陽極配線1が接触する構成となる。これにより、ITO等からなる陽極配線1とのコンタクト抵抗を低減することができる。また、積層金属膜の最下層をMo層とすることで、陽極配線1とのコンタクト抵抗を低減することができる。   Furthermore, the contact resistance with the bridge | bridging wiring 30 can be reduced by making Mo the uppermost layer of a laminated metal film. Moreover, it becomes the structure which Mo layer and the anode wiring 1 contact by making the lowest layer of a laminated metal film into Mo. Thereby, contact resistance with the anode wiring 1 which consists of ITO etc. can be reduced. Moreover, contact resistance with the anode wiring 1 can be reduced by making the lowest layer of a laminated metal film into Mo layer.

陽極補助配線26の一部が外部配線と接続するための端子部となる。例えば、陽極補助配線26の基板端側に設けられた端子部に異方性導電フィルム(ACF)を貼付け、駆動回路が設けられたTCP(Tape Carrier Package)を接続する。これにより、それぞれの陽極配線1に駆動電圧を供給することができる。   A part of the anode auxiliary wiring 26 becomes a terminal portion for connection to the external wiring. For example, an anisotropic conductive film (ACF) is attached to a terminal portion provided on the substrate end side of the anode auxiliary wiring 26, and a TCP (Tape Carrier Package) provided with a drive circuit is connected. Thereby, a driving voltage can be supplied to each anode wiring 1.

次に、図4を用いて、本実施例にかかる有機ELディスプレイの製造方法について説明する。図4は、本実施例にかかる有機ELディスプレイの製造方法の一例を示すフローチャートである。   Next, the manufacturing method of the organic EL display concerning a present Example is demonstrated using FIG. FIG. 4 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing an organic EL display according to this example.

まず、基板11上に陽極配線1となるITO膜を成膜する(ステップS101)。基板11として、例えばガラス基板等の透明基板を用いる。ガラス基板としては、たとえばソーダライムガラスを使用することができる。ITO膜の厚さは通常50〜200nmである。より好ましくは100〜150nmである。典型的には、DCスパッタ法により作製した厚さ150nmのITO膜である。ITO膜は、一般的には、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD)で作製することができる。この説明ではITO膜を使用する。もちろんITO以外にもIZO等の透明な金属酸化物からなる導電膜でもよい。   First, an ITO film to be the anode wiring 1 is formed on the substrate 11 (step S101). As the substrate 11, for example, a transparent substrate such as a glass substrate is used. As the glass substrate, for example, soda lime glass can be used. The thickness of the ITO film is usually 50 to 200 nm. More preferably, it is 100-150 nm. Typically, it is an ITO film having a thickness of 150 nm manufactured by a DC sputtering method. In addition to the above, the ITO film can be generally produced by physical vapor deposition (PVD) such as vacuum deposition or ion plating. In this description, an ITO film is used. Of course, other than ITO, a conductive film made of a transparent metal oxide such as IZO may be used.

ITOはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。フォトリソグラフィー及びエッチングによりITO膜をパターニングして、陽極配線1を形成する(ステップS102)。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、例えば、塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してITOをパターニングすることができる。レジスト剥離材としては例えば、モノエタノールアミンを使用することができる。なお、この工程で陰極補助配線21が形成することも可能である。   ITO can be formed on the entire surface of the glass substrate with good uniformity by sputtering or vapor deposition. The ITO film is patterned by photolithography and etching to form the anode wiring 1 (step S102). A phenol novolac resin is used as the resist, and exposure development is performed. Etching may be either wet etching or dry etching. For example, ITO can be patterned using a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and nitric acid. As the resist stripping material, for example, monoethanolamine can be used. It is possible to form the cathode auxiliary wiring 21 in this step.

次にMo層、Al層、Mo層の積層金属膜をDCスパッタ法により成膜する(ステップS103)。これらは連続して成膜することができる。積層金属膜は、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD)、電解めっき、無電解めっき等のめっき法で作製することができる場合がある。   Next, a laminated metal film of Mo layer, Al layer, and Mo layer is formed by DC sputtering (step S103). These can be continuously formed. In addition, the laminated metal film may be produced by a physical vapor deposition method (PVD) such as a vacuum deposition method or an ion plating method, or a plating method such as electrolytic plating or electroless plating.

上層及び下層のMo層の厚さはそれぞれ、通常50〜200nmであり、Al層の厚さは、通常200〜400nmである。Moの代わりにMo合金を用いると耐腐食性が向上する。Mo合金としては、2成分系のMo−W、Mo−Nb、Mo−V、Mo−Taなどを用いることが好ましい。   The thicknesses of the upper and lower Mo layers are usually 50 to 200 nm, and the thickness of the Al layer is usually 200 to 400 nm. When Mo alloy is used instead of Mo, corrosion resistance is improved. As the Mo alloy, it is preferable to use binary Mo-W, Mo-Nb, Mo-V, Mo-Ta, or the like.

Alの代わりにAl合金を用いることもできる。Al,Al合金のいずれかよりなる層として純Alを適用する場合には、ヒロックの発生を抑制するため、成膜温度を100℃以下にすることが好ましい。Al合金を使用する場合、Al−Ndを使用するとキュア時に低抵抗化できる点で好ましい。さらに、Al−Si、さらに、3成分系のAl−Si−Cu等も適用可能である。ここでは、Mo、Al、Moの3層の組み合わせを使用することとする。   An Al alloy can be used instead of Al. When pure Al is applied as a layer made of either Al or Al alloy, it is preferable to set the film forming temperature to 100 ° C. or lower in order to suppress generation of hillocks. When using an Al alloy, it is preferable to use Al—Nd because the resistance can be reduced during curing. Furthermore, Al—Si, ternary Al—Si—Cu, and the like are also applicable. Here, a combination of three layers of Mo, Al, and Mo is used.

その後、積層金属膜をパターニングする(ステップS104)。例えば、フォトリソ工程でレジストをパターニングし、積層金属膜をエッチングし、レジストを剥離する。この場合のレジストも、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのようなものを使用してもよい。   Thereafter, the laminated metal film is patterned (step S104). For example, the resist is patterned by a photolithography process, the laminated metal film is etched, and the resist is peeled off. Any known resist may be used as long as it does not contradict the spirit of the present invention.

エッチングには、たとえば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。レジストの剥離についても、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのような剥離剤を使用してもよい。   For the etching, for example, an etching solution made of a mixed aqueous solution of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid can be used. Any known stripping agent may be used for stripping the resist as long as it does not violate the gist of the present invention.

Mo層およびAl層はこのエッチング液で一括エッチングが可能である。これにより陽極補助配線パターン26が形成される。また。この工程により、陽極配線1の上に金属パッド28が形成される。陽極補助配線26と金属パッド28は同じ工程により形成されるため、陽極補助配線26と金属パッド28は同一の材料により形成される。同じ工程で陽極補助配線26及び金属パッド28を形成することにより製造工程を簡略化できる。なお、この工程で陰極補助配線21をパターニングすることも可能である。   The Mo layer and the Al layer can be collectively etched with this etching solution. As a result, the anode auxiliary wiring pattern 26 is formed. Also. By this step, the metal pad 28 is formed on the anode wiring 1. Since the anode auxiliary wiring 26 and the metal pad 28 are formed by the same process, the anode auxiliary wiring 26 and the metal pad 28 are formed of the same material. By forming the anode auxiliary wiring 26 and the metal pad 28 in the same process, the manufacturing process can be simplified. In this step, the auxiliary cathode wiring 21 can be patterned.

なお、上記のITO膜の成膜工程(S101)から積層金属膜のパターニング工程(ステップS104)の代わりに、ITO膜と積層金属膜とをスパッタ法で順に成膜し、その後、積層金属膜とITO膜とをこの順番でパターニングすることも可能である。すなわち、ITO膜の成膜工程(ステップS101)、積層金属膜の成膜工程(ステップS103)、積層金属膜のパターニング工程(ステップS104)、ITOのパターニング工程(ステップS102)の順番で陽極配線1及び陽極補助配線26を形成することも可能である。なお、ITOの成膜工程(ステップS101)の前に、基板全面にシリカコート膜を形成しても良い。   Instead of the ITO film forming step (S101) to the laminated metal film patterning step (step S104), an ITO film and a laminated metal film are sequentially formed by sputtering, and then the laminated metal film and It is also possible to pattern the ITO film in this order. That is, the anode wiring 1 in the order of the ITO film forming step (step S101), the laminated metal film forming step (step S103), the laminated metal film patterning step (step S104), and the ITO patterning step (step S102). It is also possible to form the anode auxiliary wiring 26. Note that a silica coat film may be formed on the entire surface of the substrate before the ITO film forming step (step S101).

次に、陽極配線1、金属パッド28及び陽極補助配線26を設けた基板11の面に上から絶縁膜22を成膜する(ステップS105)。例えば、感光性のポリイミドの溶液をスピンコーティングにより塗布する。この絶縁膜22の膜厚は、例えば、0.7μmになるようにすればよい。この絶縁膜22をパターニングする(ステップS106)。例えば、絶縁膜の層をフォトリソグラフィー工程、現像工程でパターニングした後、キュアし、表示画素となる位置の絶縁膜を除去し、開口部23を設ける。後述するステップS109で形成される陰極配線5と、陽極配線1との交差部分が表示画素となる位置である。   Next, the insulating film 22 is formed on the surface of the substrate 11 provided with the anode wiring 1, the metal pad 28, and the anode auxiliary wiring 26 (step S105). For example, a photosensitive polyimide solution is applied by spin coating. The thickness of the insulating film 22 may be set to 0.7 μm, for example. The insulating film 22 is patterned (step S106). For example, the insulating film layer is patterned by a photolithography process and a developing process, and then cured, and the insulating film at a position to be a display pixel is removed to provide an opening 23. The intersection between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1 formed in step S109, which will be described later, is a position where a display pixel is formed.

この工程では金属パッド28の外周に金属パッド28の側面全体を覆うエッジカバー樹脂29が形成される。すなわち、エッジカバー樹脂29は絶縁膜22のパターニング工程により形成されるため、エッジカバー樹脂29は絶縁膜22と同じ材料により構成される。そして、金属パッド28の表面が露出するようにパターニングされ、金属パッド28に設けられるコンタクトホール31を形成される。金属パッド28の中間に配置されたAl層では上面がバリア層であるMo層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂29で覆われる。また下層はMo層で覆われる。これにより、金属パッド28のAl層の全体を被覆することができる。現像液に浸着されてもAlが現像液に溶け出すことを防ぐことができる。Alの酸化に基づくITOの還元腐食を防ぐことができ、陽極配線1の表面を平坦にすることができる。よって、後の工程で形成される有機薄膜層を平坦な面に形成することができ、良好な発光特性を有する有機EL表示素子を提供することができる。   In this step, an edge cover resin 29 that covers the entire side surface of the metal pad 28 is formed on the outer periphery of the metal pad 28. That is, since the edge cover resin 29 is formed by the patterning process of the insulating film 22, the edge cover resin 29 is made of the same material as the insulating film 22. Then, patterning is performed so that the surface of the metal pad 28 is exposed, and a contact hole 31 provided in the metal pad 28 is formed. In the Al layer disposed in the middle of the metal pad 28, the upper surface is covered with the Mo layer as a barrier layer, and the side surface is covered with the edge cover resin 29. The lower layer is covered with a Mo layer. Thereby, the entire Al layer of the metal pad 28 can be covered. Even when immersed in the developer, Al can be prevented from dissolving into the developer. The reduction corrosion of ITO based on the oxidation of Al can be prevented, and the surface of the anode wiring 1 can be flattened. Therefore, an organic thin film layer formed in a later step can be formed on a flat surface, and an organic EL display element having favorable light emission characteristics can be provided.

同時に陰極配線5と陰極補助配線21とを接続するコンタクトホールを形成する。例えば、画素に対応する開口部は300μm×300μm程度で形成する。陰極配線5と陰極補助配線21とのコンタクトホール25は例えば、200μm×200μm以下で形成する。画素開口部が300μm×300μm程度の場合、陰極と補助配線とのコンタクト形成部を200μm×200μm以下とすると、素子全体の大きさに影響を与えなくて済むため好ましい。   At the same time, a contact hole for connecting the cathode wiring 5 and the cathode auxiliary wiring 21 is formed. For example, the opening corresponding to the pixel is formed with a size of about 300 μm × 300 μm. The contact hole 25 between the cathode wiring 5 and the cathode auxiliary wiring 21 is formed with, for example, 200 μm × 200 μm or less. In the case where the pixel opening is about 300 μm × 300 μm, it is preferable that the contact forming portion between the cathode and the auxiliary wiring is 200 μm × 200 μm or less because it does not affect the size of the entire device.

続いて、絶縁膜(ポリイミドの層)の表面において、64本の陰極配線5を分離配置できるように隔壁10を形成する(ステップS107)。なお、図1では、配線の本数について減らして図示している。隔壁10は、絶縁膜の上層にノボラック樹脂、アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を塗布することにより形成する。例えば、感光性樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。   Subsequently, the partition 10 is formed on the surface of the insulating film (polyimide layer) so that the 64 cathode wirings 5 can be separated and arranged (step S107). In FIG. 1, the number of wires is reduced and shown. The partition 10 is formed by applying a photosensitive resin such as a novolac resin or an acrylic resin film on the upper layer of the insulating film. For example, a photosensitive resin is spin-coated, patterned by a photolithography process, and then photoreacted to form cathode barrier ribs. It is desirable to use a negative type photosensitive resin so that the cathode partition has an inversely tapered structure.

ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。   When a negative photosensitive resin is used, when light is irradiated from above, the photoreaction becomes insufficient at deeper locations. As a result, when viewed from above, the cross-sectional area of the cured portion has a structure that is narrower on the lower side than on the upper side. This means that it has an inverted taper structure. With such a structure, the cathodes can be separated from each other because the portions that are shaded when viewed from the vapor deposition source during vapor deposition of the cathodes do not reach the vapor deposition.

さらに、開口部23のITO層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。例えば、並行平板RFプラズマ(高周波プラズマ)装置を用い、酸素プラズマ照射を実施して、ITO膜の表面改質を行う。   Further, in order to modify the surface of the ITO layer in the opening 23, oxygen plasma or ultraviolet light may be irradiated. For example, using a parallel plate RF plasma (high frequency plasma) apparatus, oxygen plasma irradiation is performed to modify the surface of the ITO film.

その後、有機薄膜層を積層する(ステップS108)。まず、開口部を有する金属マスクをガラス基板に取り付ける。このとき、金属マスクの開口部と有機薄膜層を設けるべき位置が重なるように配置し、また、金属マスクとガラス基板との間に50μmの空間が空くように取り付ける。そして、0.5%(質量百分率)のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布する。そして、溶液を濃縮乾燥して正孔注入層を形成する。   Thereafter, an organic thin film layer is stacked (step S108). First, a metal mask having an opening is attached to a glass substrate. At this time, the metal mask opening and the organic thin film layer are disposed so as to overlap each other, and are attached so that a space of 50 μm is left between the metal mask and the glass substrate. Then, an ethyl benzoate solution in which 0.5% (percentage by mass) of polyvinyl carbazole is dissolved is applied by a mask spray method. Then, the solution is concentrated and dried to form a hole injection layer.

続いて、正孔注入層の上層にα−NPD(N,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン)を蒸着して膜厚40nmの正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるAlq(トリス(8−ヒドロキシナト)アルミニウム)と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン6とを同時に蒸着して、膜厚60nmの発光層を形成する。続いて、発光層の上層にLiFを蒸着して、膜厚0.5nmの陰極界面層を形成する。   Subsequently, α-NPD (N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine) is deposited on the upper layer of the hole injection layer to form a hole transport layer having a thickness of 40 nm. Form. Further, Alq (tris (8-hydroxynato) aluminum) serving as the host compound of the light emitting layer and coumarin 6 serving as the fluorescent dye of the guest compound are simultaneously vapor deposited on the upper layer to form a light emitting layer having a thickness of 60 nm. Form. Subsequently, LiF is deposited on the light emitting layer to form a cathode interface layer having a thickness of 0.5 nm.

その後、アルミニウム等の金属材料を蒸着して、膜厚100nmの陰極配線を形成する(ステップS109)。この結果、隔壁によってアルミニウム膜は分離され、それぞれの隔壁間に陽極配線1と交差する陰極配線5を形成することができる。例えば、画素数に対応して64本の陰極配線5を形成する。これらの工程により有機EL素子基板が形成される。   Thereafter, a metal material such as aluminum is vapor-deposited to form a cathode wiring with a film thickness of 100 nm (step S109). As a result, the aluminum film is separated by the partition walls, and the cathode wiring 5 that intersects the anode wiring 1 can be formed between the partition walls. For example, 64 cathode wirings 5 are formed corresponding to the number of pixels. An organic EL element substrate is formed by these steps.

また、陰極配線5を形成する工程と同じ工程で接続部27にブリッジ配線30を形成する。そのため、ブリッジ配線30と陰極配線5は同じ材料により形成される。ブリッジ配線30は陽極補助配線26と金属パッド28を接続するように形成される。また、陽極補助配線26の端部が露出して形成されるようマスクを用いて蒸着される。この陽極補助配線26が露出した部分が外部配線と接続される端子部となる。   Further, the bridge wiring 30 is formed in the connection portion 27 in the same process as the process of forming the cathode wiring 5. Therefore, the bridge wiring 30 and the cathode wiring 5 are formed of the same material. The bridge wiring 30 is formed so as to connect the anode auxiliary wiring 26 and the metal pad 28. Moreover, it vapor-deposits using a mask so that the edge part of the anode auxiliary wiring 26 may be exposed and formed. A portion where the anode auxiliary wiring 26 is exposed becomes a terminal portion connected to the external wiring.

次に上述の工程により形成された有機EL発光素子を封止するため、封止用の対向基板を製造する工程について説明する。まず。素子基板とは別のガラス基板を用意する。このガラス基板を加工して捕水材を収納するための捕水材収納部を形成する。捕水材収納部はガラス基板にレジストを塗布し、露光、現像により基板の一部を露出させる。この露出部分をエッチングにより薄くすることにより捕水材収納部を形成する。   Next, in order to seal the organic EL light emitting element formed by the above-mentioned process, a process for manufacturing a sealing counter substrate will be described. First. A glass substrate different from the element substrate is prepared. The glass substrate is processed to form a water catching material storage for storing the water catching material. The water catching material storage part applies a resist to the glass substrate and exposes a part of the substrate by exposure and development. The exposed part is formed by etching to form a water catching material storage part.

この捕水材収納部に酸化カルシウム等の捕水材を配置した後、2枚の基板を重ね合わせて接着する。具体的には、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材として、例えば、エポキシ系紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、シール材は、有機EL素子と対向する領域の外周全体に塗布する。二枚の基板を位置合わせして対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために80℃のクリンオーブン中で1時間熱処理を施す。この結果、シール材および一対の基板によって、有機EL素子が存在する基板間と、基板の外部とが隔離される。捕水材を配置することにより、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機EL素子の劣化を防止することができる。   After a water catching material such as calcium oxide is disposed in the water catching material storage portion, the two substrates are stacked and bonded. Specifically, a sealing material is applied to the surface of the counter substrate on which the water catching material storage unit is provided using a dispenser. For example, an epoxy-based ultraviolet curable resin can be used as the sealing material. The sealing material is applied to the entire outer periphery of the region facing the organic EL element. After the two substrates are aligned and face each other, the sealing material is cured by irradiating ultraviolet rays, and the substrates are bonded to each other. Thereafter, in order to further accelerate the curing of the sealing material, heat treatment is performed in a clean oven at 80 ° C. for 1 hour. As a result, the sealing material and the pair of substrates separate the substrate where the organic EL element is present from the outside of the substrate. By disposing the water catching material, it is possible to prevent the organic EL element from being deteriorated due to moisture remaining or entering the sealed space.

シール材は陽極補助配線26の上に直接設けられる。例えば、接続部27にシール材を塗布すると、シール材が金属パッド28に跨って形成されることになる。この場合、シール材がエッジカバー樹脂29の上にエッジカバー樹脂29を横断するように配置されることになる。エッジカバー樹脂29は例えば、ポリイミド樹脂からなるため、このような構成では2枚の基板とシール材により封止された領域に水分が浸入されやすくなってしまうおそれがある。従って、シール材は陽極補助配線26の上に塗布すること望ましい。さらに、ブリッジ配線30の外側に配置すると、シール材の下層がより平坦に近くなる。このシール材の外側に外部配線と接続するための端子部が配置される。   The sealing material is provided directly on the anode auxiliary wiring 26. For example, when a sealing material is applied to the connection portion 27, the sealing material is formed across the metal pad 28. In this case, the sealing material is disposed on the edge cover resin 29 so as to cross the edge cover resin 29. Since the edge cover resin 29 is made of, for example, a polyimide resin, in such a configuration, there is a risk that moisture may easily enter the region sealed by the two substrates and the sealing material. Therefore, it is desirable to apply the sealing material on the anode auxiliary wiring 26. Furthermore, when it is disposed outside the bridge wiring 30, the lower layer of the sealing material becomes more flat. A terminal portion for connecting to the external wiring is disposed outside the sealing material.

基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極補助配線26に信号電極ドライバを接続し、同様に陰極補助配線21に走査電極ドライバを接続する。基板端部において各補助配線に接続される端子部が形成されている。この端子部に異方性導電フィルム(ACF)を貼付け、駆動回路が設けられたTCP(Tape Carrier Package)を接続する。最上層がMo層である陽極補助配線26の基板端側の一部が端子部となり、コンタクト抵抗を低減することができる。   Unnecessary portions near the outer periphery of the substrate are cut and removed, a signal electrode driver is connected to the anode auxiliary wiring 26, and a scanning electrode driver is connected to the cathode auxiliary wiring 21 in the same manner. A terminal portion connected to each auxiliary wiring is formed at the substrate end. An anisotropic conductive film (ACF) is attached to this terminal portion, and a TCP (Tape Carrier Package) provided with a drive circuit is connected. A part of the substrate auxiliary side of the anode auxiliary wiring 26 whose uppermost layer is a Mo layer serves as a terminal portion, and the contact resistance can be reduced.

具体的には端子部にACFを仮圧着する。ACFは日立化成製アニソルム7106Uを用いている。仮圧着温度は80℃で、圧着圧力は1.0MPa、圧着時間は5秒である。ついで駆動回路が内蔵されたTCPを端子部に本圧着する。本圧着温度は170度で、圧着圧力は2.0MPa、圧着時間は20秒である。これにより駆動回路が実装される。この有機EL表示パネルが筐体に取り付けられ、有機EL表示装置が完成する。   Specifically, ACF is temporarily crimped to the terminal portion. ACF uses Hitachi Chemical Anisolm 7106U. The temporary pressure bonding temperature is 80 ° C., the pressure bonding pressure is 1.0 MPa, and the pressure bonding time is 5 seconds. Next, the TCP with the built-in drive circuit is finally bonded to the terminal portion. The main pressure bonding temperature is 170 degrees, the pressure bonding pressure is 2.0 MPa, and the pressure bonding time is 20 seconds. Thereby, a drive circuit is mounted. This organic EL display panel is attached to the housing, and the organic EL display device is completed.

上述の説明では金属パッド28を構成する積層金属膜のAl層の外周をエッジカバー樹脂29により覆うようにしたが、これ以外の保護膜により外周を覆うようにしてもよい。例えば、写真製版工程を増やせば、積層金属膜を構成する最上層のMo層によりAl層を覆うことも可能である。具体的にはMo層、Al層を成膜してパターニングした後、Mo層とAl層を覆うように最上層のMo層をパターニングする。これにより金属パッド28の中間に配置されたAl層では上面及び側面がバリア層であるMo層で覆われる構成となる。Alの酸化に基づくITOの還元腐食を防ぐことができ、陽極配線1の表面を平坦にすることができる。よって、後の工程で形成される有機薄膜層を平坦な面に形成することができ、良好な発光特性を有する有機EL表示素子を提供することができる。   In the above description, the outer periphery of the Al layer of the laminated metal film constituting the metal pad 28 is covered with the edge cover resin 29, but the outer periphery may be covered with a protective film other than this. For example, if the photolithography process is increased, it is possible to cover the Al layer with the uppermost Mo layer constituting the laminated metal film. Specifically, after forming and patterning a Mo layer and an Al layer, the uppermost Mo layer is patterned so as to cover the Mo layer and the Al layer. As a result, the Al layer disposed in the middle of the metal pad 28 has a configuration in which the upper surface and side surfaces are covered with the Mo layer which is a barrier layer. The reduction corrosion of ITO based on the oxidation of Al can be prevented, and the surface of the anode wiring 1 can be flattened. Therefore, an organic thin film layer formed in a later step can be formed on a flat surface, and an organic EL display element having favorable light emission characteristics can be provided.

発明の実施の形態2.
本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成について図5を用いて説明する。図5は本実施の形態にかかる有機EL表示装置の有機EL素子基板の上面図であり、1本の陽極配線の端部における構成を示している。実施の形態1で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
Embodiment 2 of the Invention
The configuration of the organic EL display device according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a top view of the organic EL element substrate of the organic EL display device according to the present embodiment, and shows the configuration at the end of one anode wiring. The description of the same structure as that described in Embodiment 1 is omitted.

本実施の形態では陽極配線1の上に形成されたエッジカバー樹脂29から絶縁膜22までエッジカバー樹脂29の延在パターン32が設けられている。この延在パターン32は絶縁膜22のパターニング工程(ステップS106)にて形成されるため、エッジカバー樹脂29を形成する工程と同一の工程で形成される。この延在パターン32により、表示領域内において陽極配線を覆う絶縁膜22とエッジカバー樹脂29が接続される。   In the present embodiment, an extending pattern 32 of the edge cover resin 29 is provided from the edge cover resin 29 formed on the anode wiring 1 to the insulating film 22. Since this extended pattern 32 is formed in the patterning process (step S106) of the insulating film 22, it is formed in the same process as the process of forming the edge cover resin 29. By this extended pattern 32, the insulating film 22 covering the anode wiring and the edge cover resin 29 are connected in the display area.

エッジカバー樹脂29の延在パターン32の下には金属パッド28から積層金属膜が延設されている。この積層金属膜は陽極補助配線26を形成する工程(ステップS104)と同一の工程により形成される。よって、積層金属膜は陽極配線1の上に直接設けられ、陽極配線1と電気的に接続される。延設された積層金属膜は表示領域内において陽極配線上に配置されるようにパターンニングされる。この延設された積層金属膜は開口部22の外側に配置されるよう形成される。すなわち、開口部23の両外側を通るように積層金属膜が形成される。この積層金属膜及び延在パターン32は基板11の反対側の端部まで延設される。すなわち、陽極配線1が伸びている方向の全体に渡って形成される。   A laminated metal film is extended from the metal pad 28 under the extended pattern 32 of the edge cover resin 29. This laminated metal film is formed by the same process as the process of forming the auxiliary anode wiring 26 (step S104). Therefore, the laminated metal film is directly provided on the anode wiring 1 and is electrically connected to the anode wiring 1. The extended laminated metal film is patterned so as to be disposed on the anode wiring in the display region. The extended laminated metal film is formed so as to be disposed outside the opening 22. That is, the laminated metal film is formed so as to pass through both outer sides of the opening 23. The laminated metal film and the extended pattern 32 are extended to the opposite end of the substrate 11. That is, the anode wiring 1 is formed over the entire extending direction.

この積層金属膜は陽極配線1の上に直接設けられ、陽極配線1の一部となる。この延在パターン32の下部において、積層金属膜が露出しないようにポリイミド樹脂からなる絶縁膜をパターニングする。Mo/Al/Moの積層金属膜は透明導電膜(ITO)である陽極配線1より比抵抗が低いため、陽極配線の配線抵抗を低減することができる。また開口部23の外側を通るため、有機薄膜層からの光に影響を与えることがない。絶縁膜22のパターンは積層金属膜の延設パターンを覆うよう形成される。本実施の形態の構成を備えることにより、Alの酸化に起因する発光特性の劣化を低減することができる。   This laminated metal film is directly provided on the anode wiring 1 and becomes a part of the anode wiring 1. Under the extended pattern 32, an insulating film made of polyimide resin is patterned so that the laminated metal film is not exposed. Since the laminated metal film of Mo / Al / Mo has a lower specific resistance than the anode wiring 1 which is a transparent conductive film (ITO), the wiring resistance of the anode wiring can be reduced. Further, since the light passes through the outside of the opening 23, the light from the organic thin film layer is not affected. The pattern of the insulating film 22 is formed so as to cover the extended pattern of the laminated metal film. By providing the structure of this embodiment mode, it is possible to reduce deterioration in light emission characteristics due to oxidation of Al.

発明の実施の形態3.
本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成について図6及び図7を用いて説明する。図6は本実施の形態にかかる有機EL表示装置の有機EL素子基板の上面図であり図7は図6のA−A断面図である。実施の形態1で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
Embodiment 3 of the Invention
The configuration of the organic EL display device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a top view of the organic EL element substrate of the organic EL display device according to the present embodiment, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. The description of the same structure as that described in Embodiment 1 is omitted.

本実施の形態では陽極配線1の上に設けられた金属パッド28が陽極配線1の端部の外側まで延在している。すなわち、金属パッド28は陽極配線1の端部を横断するよう形成される。金属パッド28は基板11の上から陽極配線1の上に乗り上げるよう配置される。この金属パッド28及び陽極配線1と分離されるよう陽極補助配線26はパターニングされる。そして、金属パッド28と陽極補助配線26とを接続するようにブリッジ配線30が形成される。このブリッジ配線30を介して金属パッド28と陽極補助配線26とが接続され、陽極補助配線26と陽極配線1が導通される。   In the present embodiment, the metal pad 28 provided on the anode wiring 1 extends to the outside of the end portion of the anode wiring 1. That is, the metal pad 28 is formed so as to cross the end of the anode wiring 1. The metal pad 28 is arranged so as to run on the anode wiring 1 from above the substrate 11. The anode auxiliary wiring 26 is patterned so as to be separated from the metal pad 28 and the anode wiring 1. Then, a bridge wiring 30 is formed so as to connect the metal pad 28 and the anode auxiliary wiring 26. The metal pad 28 and the anode auxiliary wiring 26 are connected via the bridge wiring 30, and the anode auxiliary wiring 26 and the anode wiring 1 are electrically connected.

この金属パッド28の外周部には側面を覆うようにエッジカバー樹脂29が形成される。従って、エッジカバー樹脂29も陽極配線1の端部を横断するよう形成される。エッジカバー樹脂29は基板11の上から陽極配線1の上に乗り上げるよう配置される。このような構成でも上述の実施の形態1と同様に配線抵抗を低減することができる。また、金属パッドを形成する積層金属膜におけるAl層がMo層及びエッジカバー樹脂29で覆われているため、Alの酸化を防ぐことができ、良好な発光特性を得ることができる。   An edge cover resin 29 is formed on the outer periphery of the metal pad 28 so as to cover the side surface. Therefore, the edge cover resin 29 is also formed so as to cross the end portion of the anode wiring 1. The edge cover resin 29 is disposed so as to run on the anode wiring 1 from above the substrate 11. Even with such a configuration, the wiring resistance can be reduced as in the first embodiment. In addition, since the Al layer in the laminated metal film forming the metal pad is covered with the Mo layer and the edge cover resin 29, the oxidation of Al can be prevented and good light emission characteristics can be obtained.

本発明の実施の形態1にかかる有機EL表示装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the organic electroluminescence display concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる有機EL表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す上面図である。In the organic EL display device according to the first exemplary embodiment of the present invention, it is a top view showing a configuration of a connection portion for connecting an anode wiring and an anode auxiliary wiring. 本発明の実施の形態1にかかる有機EL表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す断面図である。In the organic EL display device according to the first exemplary embodiment of the present invention, it is a cross-sectional view illustrating a configuration of a connection portion that connects an anode wiring and an anode auxiliary wiring. 本発明にかかる有機EL表示装置の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the organic electroluminescence display concerning this invention. 本発明の実施の形態2にかかる有機EL表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す上面図である。In the organic EL display device according to the second exemplary embodiment of the present invention, it is a top view showing a configuration of a connection portion for connecting an anode wiring and an anode auxiliary wiring. 本発明の実施の形態3にかかる有機EL表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す上面図である。In the organic EL display device according to Embodiment 3 of the present invention, it is a top view showing a configuration of a connection portion for connecting an anode wiring and an anode auxiliary wiring. 本発明の実施の形態3にかかる有機EL表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す断面図である。In the organic EL display device according to the third exemplary embodiment of the present invention, it is a cross-sectional view showing a configuration of a connection portion for connecting an anode wiring and an anode auxiliary wiring. 従来の有機EL表示装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the conventional organic electroluminescence display. 従来の有機EL表示装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional organic EL display apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 陽極配線
5 陰極配線
10 隔壁
11 基板
21 陰極補助配線
22 絶縁膜
23 開口部
25 コンタクトホール
26 陽極補助配線
27 接続部
28 金属パッド
29 エッジカバー樹脂
30 ブリッジ配線
31 コンタクトホール
32 エッジカバー樹脂の延在パターン
40 現像液
100 有機EL素子基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anode wiring 5 Cathode wiring 10 Partition 11 Board | substrate 21 Cathode auxiliary wiring 22 Insulation film 23 Opening part 25 Contact hole 26 Anode auxiliary wiring 27 Connection part 28 Metal pad 29 Edge cover resin 30 Bridge wiring 31 Contact hole 32 Extension of edge cover resin Pattern 40 Developer 100 Organic EL element substrate

Claims (17)

基板上に設けられ、導電性の金属酸化膜を有する第1の配線と、
前記第1の配線の上に形成され、前記第1の配線と接続された積層金属膜を有する金属パッドと、
前記金属パッドの側面を覆うように形成された保護膜と、
前記基板上に前記第1の配線と分離して形成された補助配線と、
前記金属パッドの上に形成され、前記金属パッドと前記補助配線とを電気的に接続するブリッジ配線とを備え、
前記金属パッドの最上層に、下層に配置された金属の酸化を防ぐバリア層が形成されている表示装置。
A first wiring provided on the substrate and having a conductive metal oxide film;
A metal pad formed on the first wiring and having a laminated metal film connected to the first wiring;
A protective film formed to cover the side surface of the metal pad;
An auxiliary wiring formed on the substrate separately from the first wiring;
A bridge wiring formed on the metal pad and electrically connecting the metal pad and the auxiliary wiring;
A display device in which a barrier layer for preventing oxidation of metal disposed in a lower layer is formed on the uppermost layer of the metal pad.
前記金属パッドがAl又はAl合金を有し、
前記バリア層により、前記Al又はAl合金の酸化が防止される請求項1記載の表示装置。
The metal pad comprises Al or Al alloy;
The display device according to claim 1, wherein oxidation of the Al or Al alloy is prevented by the barrier layer.
前記バリア層がMo又はMo合金により形成されている請求項1又は2記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the barrier layer is made of Mo or Mo alloy. 前記第1の配線がITOにより形成されている請求項1乃至3いずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the first wiring is made of ITO. 前記補助配線と前記金属パッドとが同一材料で形成されている請求項1乃至4いずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the auxiliary wiring and the metal pad are formed of the same material. 前記第1の配線の上に設けられた絶縁膜をさらに備え、
前記保護膜と前記絶縁膜とが同一材料で形成されている請求項1乃至5いずれかに記載の表示装置。
An insulating film provided on the first wiring;
The display device according to claim 1, wherein the protective film and the insulating film are formed of the same material.
前記絶縁膜の上に前記第1の配線と交差するよう設けられた第2の配線をさらに備え、
前記第2の配線と前記ブリッジ配線とが同一の材料により形成されている請求項6記載の表示装置。
A second wiring provided on the insulating film so as to intersect the first wiring;
The display device according to claim 6, wherein the second wiring and the bridge wiring are formed of the same material.
前記絶縁膜が前記第1の配線と前記第2の配線との交差する位置に設けられた開口部を備え、
前記開口部に有機発光層が形成されている請求項7記載の表示装置。
The insulating film includes an opening provided at a position where the first wiring and the second wiring intersect;
The display device according to claim 7, wherein an organic light emitting layer is formed in the opening.
前記金属パッドの積層金属膜が前記開口部の外側を通って、前記第1の配線と前記第2の配線との交差する位置まで延設されている請求項8記載の表示装置。   9. The display device according to claim 8, wherein the laminated metal film of the metal pad is extended to a position where the first wiring and the second wiring intersect each other through the outside of the opening. 前記補助配線が前記第2の配線と接続される配線と同一の材料により形成されている請求項7、8又は9記載の表示装置。   The display device according to claim 7, wherein the auxiliary wiring is formed of the same material as that of the wiring connected to the second wiring. 基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップと、
前記金属酸化膜をパターニングして第1の配線を形成するステップと、
前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、前記第1の配線と接続される金属パッドを形成するステップと、
前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記金属パッドと前記第1の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップとを備える表示装置の製造方法。
Depositing a conductive metal oxide film on the substrate;
Patterning the metal oxide film to form a first wiring;
Depositing a laminated metal film on the metal oxide film, the uppermost layer serving as a barrier layer for preventing oxidation of the underlying metal;
Patterning the laminated metal film to form a metal pad connected to the first wiring;
Providing a protective film covering a side surface of the metal pad;
Forming a bridge line that connects the metal pad and the auxiliary line formed separately from the first line.
基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップと、
前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、前記金属酸化膜と接続される前記金属パッドを前記金属酸化膜の上に形成するステップと、
前記金属酸化膜をパターニングして第1の配線を形成するステップと、
前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記金属パッドと前記第1の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップとを備える表示装置の製造方法。
Depositing a conductive metal oxide film on the substrate;
Depositing a laminated metal film on the metal oxide film, the uppermost layer serving as a barrier layer for preventing oxidation of the underlying metal;
Patterning the laminated metal film to form the metal pad connected to the metal oxide film on the metal oxide film;
Patterning the metal oxide film to form a first wiring;
Providing a protective film covering a side surface of the metal pad;
Forming a bridge line that connects the metal pad and the auxiliary line formed separately from the first line.
前記補助配線が前記金属パッドを形成するステップと同じステップにより形成される請求項10又は12記載の表示装置の製造方法。   13. The method of manufacturing a display device according to claim 10, wherein the auxiliary wiring is formed by the same step as the step of forming the metal pad. 前記保護膜を形成するステップにおいて、表示領域内において前記第1の配線の上に開口部を有する絶縁膜が形成される請求項10乃至12いずれかに記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 10, wherein in the step of forming the protective film, an insulating film having an opening is formed on the first wiring in the display region. 前記ブリッジ配線を形成する工程において、前記絶縁膜の上を介して前記第1の配線と交差する第2の配線が形成される請求項13記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 13, wherein in the step of forming the bridge wiring, a second wiring intersecting with the first wiring is formed via the insulating film. 前記絶縁膜の開口部に有機発光層を形成するステップをさらに備える請求項14記載の表示装置の製造方法。   The method of manufacturing a display device according to claim 14, further comprising forming an organic light emitting layer in the opening of the insulating film. 前記補助配線が前記第2の配線と接続される配線と同じステップにより形成される請求項15又は16記載の表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a display device according to claim 15, wherein the auxiliary wiring is formed by the same step as a wiring connected to the second wiring.
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