JP2005108678A - Organic el light emitting device and its manufacturing method - Google Patents
Organic el light emitting device and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005108678A JP2005108678A JP2003341607A JP2003341607A JP2005108678A JP 2005108678 A JP2005108678 A JP 2005108678A JP 2003341607 A JP2003341607 A JP 2003341607A JP 2003341607 A JP2003341607 A JP 2003341607A JP 2005108678 A JP2005108678 A JP 2005108678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- light emitting
- emitting device
- layer
- color filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 44
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 44
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機EL(Electroluminescence)発光装置およびその製造方法に関するものであり、特にカラーフィルターを有する有機EL発光装置に関する。 The present invention relates to an organic EL (Electroluminescence) light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to an organic EL light emitting device having a color filter.
有機EL素子を用いたカラー表示装置は、優れた表示性能から近年注目されているが、表示色(赤色、緑色、青色)毎にそれぞれ発光層を形成する構成では、有機EL層の発光層は、通常、R、G、Bの塗り分け方式で形成され、素子の構造が複雑であり、マスクアライメントが困難であった。このように、製造が複雑になるとコストが高くなり、また、高精密化、大画面化が困難である。これらの問題を解決する構成として、発光層を白色発光層とし、カラーフィルターにより所望の発光色を得る構成が提案されている。 In recent years, a color display device using an organic EL element has attracted attention because of its excellent display performance. In a configuration in which a light emitting layer is formed for each display color (red, green, blue), the light emitting layer of the organic EL layer is However, it is usually formed by R, G, and B coating methods, the device structure is complicated, and mask alignment is difficult. As described above, when the manufacturing is complicated, the cost becomes high, and it is difficult to achieve high precision and a large screen. As a configuration for solving these problems, a configuration has been proposed in which a light emitting layer is a white light emitting layer and a desired light emission color is obtained by a color filter.
図5は、従来のカラー表示装置の断面図である。図5に示すように、前記構成のカラー表示装置500は、ガラス製の基板501の上にカラーフィルター503および平坦化膜504からなるカラーフィルター構造部510が形成され、カラーフィルター構造部510の上に陽極505、有機EL層506および陰極507が順次積層形成されている(特許文献1参照)。
また、有機EL材料は、酸素や水分との反応性が高いため、有機EL層506を外気から遮断するためシール部508が基板501と基板502の間に設置され、内部が密閉されている。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional color display device. As shown in FIG. 5, in the
In addition, since the organic EL material has high reactivity with oxygen and moisture, a
一般的に、カラーフィルター503および平坦化膜504の外周部の構造は、急峻な段差509である。このため、この平坦化膜504上に陽極505が形成されると、陽極505は、段差部509でその膜厚が薄くなり、断線が発生してしまう。また、線膨張率の異なる層が積層された段差509、特に屈曲している部分は、応力が発生しやすく、陽極505の浮き(分離)あるいは断線が発生しやすくなる。さらに、このような形状では、この後陽極505が成膜されパターニングされる際、エッチングによる侵食が、断線の発生の原因となる。
一方、平坦化膜504がシール部508の外部にまで延びていると、水分は、シール部508の外部の平坦化膜504を通過して(水分ルート511)、シール部508内部にまで浸入する(水分ルート512)。これらの水分によって有機EL層506が劣化し、ダークスポットの原因となる。
In general, the structures of the outer peripheral portions of the
On the other hand, when the
上記のとおり、従来の平坦化膜の構造は、平坦化膜およびカラーフィルターの外周部が急峻な段差である。このため、この上に成膜される陽極も同様な段差を生じ、段差のエッジ部分において陽極の膜厚が薄くなり、また応力が生じるため、陽極の断線が発生しやすい。
一方、平坦化膜がシール部の外部まで延びていると、シール部内に水分が浸入し、有機EL発光層が劣化する問題があった。
As described above, the structure of the conventional planarization film has a steep step at the outer periphery of the planarization film and the color filter. For this reason, the anode formed on this also has a similar step, the thickness of the anode becomes thin at the edge of the step, and stress is generated, so that the anode is easily disconnected.
On the other hand, when the planarizing film extends to the outside of the seal portion, there is a problem that moisture enters the seal portion and the organic EL light emitting layer is deteriorated.
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、本発明が解決しようとする第1の課題は、平坦化膜の構造に伴う陽極のエッジ部分の膜厚を均一にし、またこの部分での応力を緩和して、陽極の断線を防ぐことができる有機EL発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明が解決しようとする第2の課題は、シール部内への水分の浸入を防止する有機EL発光装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve such problems. The first problem to be solved by the present invention is to make the film thickness of the edge portion of the anode uniform with the structure of the planarization film. Another object of the present invention is to provide an organic EL light-emitting device that can relieve stress at this portion and prevent disconnection of the anode, and a method for manufacturing the same.
A second problem to be solved by the present invention is to provide an organic EL light-emitting device that prevents moisture from entering the seal portion.
本発明にかかる第1の有機EL発光装置は、カラーフィルターを平坦化するための平坦化膜と、当該平坦化膜上に設けられた第1の電極と、前記第1の電極と第2の電極間に設けられた有機EL層とを備えた有機EL発光装置であって、前記平坦化膜の外周部はテーパーを有する。このような構成により、平坦化膜の構造に伴う陽極の膜厚を均一にし、この段差部の応力を緩和して、陽極の断線を防ぐことができる。 A first organic EL light emitting device according to the present invention includes a planarization film for planarizing a color filter, a first electrode provided on the planarization film, the first electrode, and a second electrode. An organic EL light emitting device including an organic EL layer provided between electrodes, wherein an outer peripheral portion of the planarizing film has a taper. With such a configuration, the thickness of the anode accompanying the structure of the planarizing film can be made uniform, the stress at the step portion can be relaxed, and disconnection of the anode can be prevented.
また、本発明にかかる第1の有機EL発光装置は、前記カラーフィルターの外周部でテーパーを有する。このような構成により、平坦化膜のテーパーを製造しやすくし、陽極の断線を防ぐことができる。
本発明にかかる第1の有機EL発光装置は、前記平坦化膜のテーパー角は、10〜40°である。
Moreover, the 1st organic electroluminescent light-emitting device concerning this invention has a taper in the outer peripheral part of the said color filter. With such a configuration, the taper of the planarizing film can be easily manufactured and the disconnection of the anode can be prevented.
In the first organic EL light emitting device according to the present invention, the planarization film has a taper angle of 10 to 40 °.
さらに、本発明にかかる第1の有機EL発光装置は、前記平坦化膜の端部が、封止用シール材の外壁面より内側に設置されている。このような構成により、封止用シール材の外部の水分は、平坦化膜を通過することができないので、封止用シール材の内部への水分の浸入を防止し、有機EL素子の劣化を防ぐことができる。 Furthermore, in the first organic EL light emitting device according to the present invention, the end portion of the planarizing film is installed on the inner side of the outer wall surface of the sealing material for sealing. With such a configuration, moisture outside the sealing material cannot pass through the planarization film, so that moisture can be prevented from entering the sealing material and deterioration of the organic EL element can be prevented. Can be prevented.
本発明にかかる第1の有機EL発光装置は、カラーフィルター、平坦化膜、陽極、有機EL層および陰極がこの順に積層された素子基板と、前記素子基板と対向する対向基板とを有する有機EL発光装置であって、前記有機EL層は画素を形成する位置に分離して配置され、前記カラーフィルターは前記有機EL層の配置に対応した位置に配設され、前記有機EL層の発光層は白色発光層であり、前記平坦化膜の外周部はテーパーを有し、前記テーパー角が10〜40°である。 A first organic EL light emitting device according to the present invention includes an element substrate in which a color filter, a planarizing film, an anode, an organic EL layer, and a cathode are stacked in this order, and an opposing substrate facing the element substrate. In the light emitting device, the organic EL layer is separately disposed at a position where a pixel is formed, the color filter is disposed at a position corresponding to the arrangement of the organic EL layer, and the light emitting layer of the organic EL layer is It is a white light emitting layer, the outer peripheral part of the said planarization film | membrane has a taper, and the said taper angle is 10-40 degrees.
本発明にかかる第2の有機EL発光装置は、カラーフィルターを平坦化するための平坦化膜を備えた素子基板と、前記素子基板と対向し、封止用シール材をはさんで前記素子基板に対して固定された対向基板とを有し、前記平坦化膜の端部が、前記封止用シール材の外壁面より内側に設置されている。
さらに、前記平坦化膜の端部は、前記封止用シール材の内壁面から離間して設置されている。このような構成により、封止用シール材の外部の水分は、平坦化膜を通過することができないので、封止用シール材の内部への水分の浸入を防止し、有機EL素子の劣化を防ぐことができる。
A second organic EL light emitting device according to the present invention includes an element substrate provided with a flattening film for flattening a color filter, and the element substrate facing the element substrate and sandwiching a sealing material for sealing. And an end portion of the flattening film is disposed on the inner side of the outer wall surface of the sealing material for sealing.
Further, the end portion of the flattening film is disposed away from the inner wall surface of the sealing material for sealing. With such a configuration, moisture outside the sealing material cannot pass through the planarization film, so that moisture can be prevented from entering the sealing material and deterioration of the organic EL element can be prevented. Can be prevented.
本発明にかかる有機EL発光装置の製造方法は、カラーフィルターを平坦化するための平坦化膜を有する有機EL発光装置の製造方法であって、透明基板にカラーフィルターを形成するステップと、前記カラーフィルター上に感光性樹脂層を形成するステップと、前記感光性樹脂層表面に対してプロキシミティギャップをもってマスクを配置するステップと、マスクを介して紫外線を照射して前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することによりテーパーを有する平坦化膜を形成するステップとを備える。このような構成により、平坦化膜の構造に伴う陽極の膜厚を均一にし、この段差部の応力を緩和して、陽極の断線を防ぐことができる。 A method for manufacturing an organic EL light emitting device according to the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device having a flattening film for flattening a color filter, the step of forming a color filter on a transparent substrate, and the color Forming a photosensitive resin layer on the filter; arranging a mask with a proximity gap on the surface of the photosensitive resin layer; and exposing the photosensitive resin layer by irradiating ultraviolet rays through the mask. And a step of forming a flattened film having a taper by subsequent development. With such a configuration, the thickness of the anode accompanying the structure of the planarizing film can be made uniform, the stress at the step portion can be relaxed, and disconnection of the anode can be prevented.
本発明にかかる有機EL発光装置の製造方法は、カラーフィルターを有する有機EL発光装置の製造方法であって、透明基板上に感光性樹脂層を形成するステップと、前記感光性樹脂層表面に対してプロキシミティギャップをもってマスクを配置するステップと、マスクを介して紫外線を照射して前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することによりテーパーを有するカラーフィルターを形成するステップとを備える。このような構成により、カラーフィルターの上の平坦化膜のテーパーを形成しやすくし、平坦化膜の構造に伴う陽極の膜厚を均一にし、この段差部の応力を緩和して、陽極の断線を防ぐことができる。
本発明にかかる有機EL発光装置の製造方法は、前記プロキシミティギャップが、60μm〜400μmである。前記プロキシミティギャップを制御することによって、所望のテーパー角を有するカラーフィルターあるいは平坦化膜を製造することができる。
A method for manufacturing an organic EL light emitting device according to the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device having a color filter, the step of forming a photosensitive resin layer on a transparent substrate, and the surface of the photosensitive resin layer. And arranging a mask with a proximity gap, and exposing the photosensitive resin layer by irradiating ultraviolet rays through the mask, and thereafter developing to form a tapered color filter. With such a configuration, it becomes easy to form a taper of the flattening film on the color filter, uniform the film thickness of the anode accompanying the structure of the flattening film, relieve the stress of the stepped portion, and disconnect the anode. Can be prevented.
In the method for manufacturing an organic EL light emitting device according to the present invention, the proximity gap is 60 μm to 400 μm. By controlling the proximity gap, a color filter or a flattened film having a desired taper angle can be manufactured.
本発明により、陽極の断線を防ぎ、また、シール部内に水分を浸入させない有機EL発光装置およびその製造方法を提供する。 The present invention provides an organic EL light-emitting device that prevents disconnection of the anode and prevents moisture from entering the seal portion, and a method for manufacturing the same.
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略および簡略化がなされている。また、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。 Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description is to describe the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description is omitted and simplified as appropriate. Further, those skilled in the art will be able to easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention. In addition, what attached | subjected the same code | symbol in each figure has shown the same element, and abbreviate | omits description suitably.
発明の実施の形態1.
本発明にかかる第1の有機EL発光装置について、図1、図6を用いて説明する。図6は、本発明にかかる有機EL発光装置の断面図を示す。図1は、本発明にかかる有機EL発光装置のなかの有機EL発光パネルの断面図である。100は有機EL発光パネル、102は有機EL層、103は素子基板、104は対向基板、105はカラーフィルター、106は平坦化膜、107はテーパー角、108は平坦化膜106の外周部、109は陽極、110は発光層、111は陰極、112は正孔輸送層、113は電子輸送層、600は有機EL発光装置、601は補水材、603はλ/4板、604は偏光板、605は補助配線、606は駆動ICである。
Embodiment 1 of the Invention
A first organic EL light emitting device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a sectional view of the organic EL light emitting device according to the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL light emitting panel in the organic EL light emitting device according to the present invention. 100 is an organic EL light emitting panel, 102 is an organic EL layer, 103 is an element substrate, 104 is a counter substrate, 105 is a color filter, 106 is a planarizing film, 107 is a taper angle, 108 is an outer periphery of the
図6において、有機EL発光装置600は、補助配線605を介して駆動IC606が取り付けられた有機EL発光パネル100を有し、素子基板103の有機EL発光層102に対向する面にλ/4板603および偏光板604が取り付けられている。
有機EL発光パネル100は、マトリックス状に配置された複数の画素から構成される表示領域とその外周領域である額縁領域とを有している。又、有機EL発光パネル100は、アレイ回路が形成された素子基板103とその対向基板104とを有し、その2つの基板の間に有機EL素子が封入されている。カラーの有機EL発光装置は、素子基板103上にRGBのカラーフィルター105を有している。有機EL発光パネル100の表示領域内の各画素は、RGBいずれかの色表示を行う。もちろん、白黒ディスプレイにおいては、白と黒のいずれかの表示を行う。素子基板103上の表示領域内には、複数の信号線とゲート線がマトリックス状に配設されている。信号線とゲート線とはお互いにほぼ直角に重なるように配設されている。
In FIG. 6, the organic EL
The organic EL
駆動IC606から入力されるゲート電圧によって選択された各画素は、駆動IC606から入力される表示信号電圧に基づき有機EL発光層102に電界を印加する。駆動IC606から入力される電圧が、TFTのソース/ドレインを介して画素電極に送られ、画素電極と共通電極とが有機EL発光層に電界を印加する。この電圧を変えることにより有機EL発光層への印加電圧を変化させることができ、有機EL発光層の光の輝度を制御する。共通電極に共通電位を与える回路は、制御回路基板(不図示)上に構成される。有機EL発光パネル100は、上記のアクティブマトリックス型の他に、スイッチング素子を有していない単純マトリックス型などが知られている。本発明は様々なタイプの有機EL発光パネルに適用可能である。あるいは、面状光源装置からの光を、パネルによって制御する様々な表示装置に適用することができる。
有機EL発光パネル100の光学的動作について説明する。有機EL発光層102から発光された白色発光は、アルミニウム等の金属反射電極からなる陰極111によって反射され、カラーフィルター105を通過して、R(赤)、G(緑)、B(青)に分けて配色される。配色された光は、素子基板103、λ/4板603、偏光板604を通過する。
なお、素子基板103の外側に配置されるλ/4板603、偏光板604は、外光の素子基板103表面による反射光、陰極111による反射光を除去する目的のものであり、これらの配設により、表示のコントラストを格段に向上させることができる。
Each pixel selected by the gate voltage input from the
The optical operation of the organic EL
Note that the λ / 4
本発明にかかる有機EL発光装置の有機EL発光パネルについて、図1を用いて説明する。図1において、有機EL発光パネル100は、素子基板103の上に、順に、カラーフィルター105、カラーフィルター105の表面の凹凸を平坦化するための平坦化膜106、陽極109、有機EL層102及び陰極111を備える素子基板103と、前記素子基板103と対向する対向基板104とを有し、平坦化膜106の外周部108はテーパーを有する。
The organic EL light emitting panel of the organic EL light emitting device according to the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, an organic EL
平坦化膜106のテーパー角107は、10〜40°であり、好ましくは、15〜25°である。テーパー角107が10°未満であると、平坦化膜106の外周部108の表面が粗くなり、この後陽極を成膜しても平坦化膜ごと剥離して、断線してしまう。また、所望の角度のテーパーを製造することが困難となる。一方、テーパー角107が40°を超えると、平坦化膜106の外周部108が急な角度の段差となるためこの上に形成される陽極109の膜厚が薄くなり、また屈曲している部分で生じる応力が大きくなり、断線の原因となる。
The
図1において、カラーフィルターの外周部は急峻な段差として記載されているが、図2のようにカラーフィルター105もその外周部においてテーパーを有してよい。これにより、この後形成される平坦化膜106も、その外周部のテーパーが形成しやすくなる。
In FIG. 1, the outer peripheral portion of the color filter is described as a steep step, but the
このような構成により、平坦化膜106の構造に伴う陽極109の段差部の膜厚を均一にし、その部分で生じる応力を緩和して、陽極109の断線を防ぐことができる。
前記有機EL層102は、前記素子基板103であって、画素を形成する位置に分離して配置され、前記カラーフィルター105は前記有機EL層102の配置に対応した位置に配設されている。したがって、カラーフィルター105は、素子基板103全面に形成されてはおらず、有機EL層102の位置に対応して部分的に形成されている。
With such a configuration, the thickness of the stepped portion of the
The
本発明の実施の形態において、有機EL層102の発光層110は、例えば、白色発光層で構成されている。本発明においては、カラーフィルターとして赤、青、緑のフィルターを形成して、光の三原色を得る。したがって、白色光以外の発光の組み合わせで、必要な三原色を得る構成に比較して、有機EL素子102の構造が簡単であり、製造面においても赤、青、緑の発光層を別々に塗り分けてマスク露光で形成する必要がない。
本発明にかかる有機EL発光装置の製造方法については後に説明する。
In the embodiment of the present invention, the
A method for manufacturing the organic EL light emitting device according to the present invention will be described later.
発明の実施の形態2.
本発明にかかる第2の有機EL発光装置について、図4及び図6を用いて説明する。図4は、本発明にかかる有機EL発光装置の中に組み込まれる有機EL発光パネルの断面図を示す。401は封止用シール材、701は有機EL発光領域である。図1および図6と同じ符号を付した構成については、同一または相当部を示し、説明を省略する。
Embodiment 2 of the Invention
The second organic EL light emitting device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a sectional view of an organic EL light-emitting panel incorporated in the organic EL light-emitting device according to the present invention. 401 is a sealing material for sealing, and 701 is an organic EL light emitting region. About the structure which attached | subjected the same code | symbol as FIG. 1 and FIG. 6, the same or equivalent part is shown and description is abbreviate | omitted.
図4に示されるように、平坦化膜106の端部は、封止用シール材401の外壁面より内側に設置されている。
As shown in FIG. 4, the end portion of the flattening
図4(a)においては、前記平坦化膜106の端部は、前記封止用シール材401の外壁面と内壁面との間に設置されている。
図4(b)においては、前記平坦化膜106の端部は、前記封止用シール材401の内壁面と接触して設置されている。
図4(c)においては、前記平坦化膜106の端部は、前記封止用シール材401の内壁面から離間して設置されている。水分が外部から浸入しにくいという観点からは、図4(c)に示すように平坦化膜106の端部を封止用シール材401の内壁面から離間されたほうがより好ましい。
In FIG. 4A, the end portion of the
In FIG. 4B, the end portion of the
In FIG. 4C, the end portion of the
図4(a)〜(c)の各図において、平坦化膜106の端部は、急峻な段差として示されている。一方、図4(d)に示されるように、平坦化膜106の端部は、前記封止用シール材401の内壁面から離間して設置され、かつ、テーパーを有するようにしてもよい。
このような構成により、封止用シール材の外部の水分は、平坦化膜を通過することができないので、封止用シール材の内部への水分の浸入を防止し、有機EL素子の劣化を防ぐことができる。
図6に示されているように、通常、平坦化膜106の上には、陽極109が形成されている。
本発明にかかる有機EL発光装置の製造方法については後に説明する。
In each of FIGS. 4A to 4C, the end portion of the
With such a configuration, moisture outside the sealing material cannot pass through the planarization film, so that moisture can be prevented from entering the sealing material and deterioration of the organic EL element can be prevented. Can be prevented.
As shown in FIG. 6, an
A method for manufacturing the organic EL light emitting device according to the present invention will be described later.
発明の実施の形態3.
本発明にかかる有機EL発光装置の製造方法について、図1及び図8を用いて説明する。図1は、本発明にかかる有機EL発光装置の有機EL発光パネルの断面図である。図8は、本発明にかかる有機EL発光装置の製造工程を示すフローチャートである。図1、図4および図6と同じ符号を付した構成については、同一または相当部を示し、説明を省略する。有機EL発光装置は、通常、画素となる有機EL層102を複数配置した有機EL発光パネルを備えている。図1に示すように、有機EL発光パネル100は、有機EL素子が形成された素子基板103と有機EL層102を封止するため素子基板103と対向配置された対向基板104とを備えている。
Embodiment 3 of the Invention
A method for manufacturing an organic EL light emitting device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL light emitting panel of an organic EL light emitting device according to the present invention. FIG. 8 is a flowchart showing manufacturing steps of the organic EL light emitting device according to the present invention. About the structure which attached | subjected the same code | symbol as FIG.1, FIG.4 and FIG.6, the same or equivalent part is shown and description is abbreviate | omitted. The organic EL light emitting device usually includes an organic EL light emitting panel in which a plurality of organic EL layers 102 serving as pixels are arranged. As shown in FIG. 1, the organic EL
まず、有機EL素子を備える素子基板の製造方法について説明する。
はじめに、素子基板103には厚さが例えば、0.7mm〜1.1mmの透明ガラス基板を用いる(ステップS801)。透明ガラス基板には、無アルカリガラス(例えば、旭硝子社製AN100)あるいはアルカリガラス(例えば、旭硝子社製AS)を用いることができる。
この素子基板103の上にブラックマトリックス(図1に図示せず)を、例えば、膜厚約0.1μm程度で成膜、パターン化する(ステップS802)。ブラックマトリックスの材料及び形成方法は、公知のものであればよく、例えば、金属クロムをスパッタリング法で成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、形成することができる。
First, the manufacturing method of an element substrate provided with an organic EL element is demonstrated.
First, a transparent glass substrate having a thickness of, for example, 0.7 mm to 1.1 mm is used for the element substrate 103 (step S801). As the transparent glass substrate, alkali-free glass (for example, AN100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) or alkali glass (for example, AS manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) can be used.
A black matrix (not shown in FIG. 1) is formed and patterned on the
次いで、ブラックマトリックスで覆われていない部分にカラーフィルター105を配置する(ステップS803)。カラーフィルター105の材料としては、色材は公知の染料あるいは顔料であればよく、また着色樹脂もエポキシ樹脂、アクリル樹脂などの公知の材料であればよい。また、カラーフィルター105の製造方法も、例えば、顔料分散法(エッチング法、カラーレジスト法)、染色法、染料分散法、印刷法、電着法などの公知の方法を用いることができる。本発明の実施の形態においてカラーフィルター105は、たとえば、ネガ型アクリル系感光性樹脂を用い、その膜厚は、約1.2μmであった。
Next, the
次に、平坦化膜106を形成する(ステップS804およびS805)。平坦化膜106は、カラーフィルター105の表面を保護し、その凹凸を平坦化し、および平坦化膜106の外周部がテーパーである、透明な感光性樹脂層である。
平坦化膜106の材料は、公知の感光性樹脂であればよく、例えば、感光性ポリイミド樹脂、感光性アクリル樹脂などがあげられ、本発明の実施の形態においては、ネガ型アクリル系感光性樹脂を使用している。
Next, the
The material of the
平坦化膜の成膜方法(ステップS804)としては公知の方法を用いることができ、基板表面に塗布液をディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロールコート法、フレキソ印刷などの方法で塗布すればよい。平坦化膜106の厚さは、カラーフィルター105の凹凸を平坦化できるようにカラーフィルター105の厚さより厚くし、また陽極109とカラーフィルター105との距離が離れすぎないような厚さにすることが好ましい。本発明の実施の形態においては、例えば、ネガ型アクリル系感光性樹脂をスピンコートにて所定の膜厚になるようにカラーフィルター105及びブラックマトリックスの上に配置して、平坦化膜となる感光性樹脂層201を成膜し、その膜厚は約1.5μmであった。
A known method can be used as the method for forming the flattening film (step S804). If the coating solution is applied to the substrate surface by a dipping method, a spinner method, a spray method, a roll coating method, flexographic printing, or the like. Good. The thickness of the flattening
図1及び図3を用いて平坦化膜の形成方法(ステップS804、S805)を説明する。図3は、感光性樹脂層の形成方法を示す図である。201は感光性樹脂層、202はマスク、203〜205はプロキシミティギャップ、206は紫外線、207〜209は平坦化膜である。図1、図4および図6と同じ符号を付した構成については、同一または相当部を示し、説明を省略する。
図3(b)において、透明基板である素子基板103に感光性樹脂層201を形成し、前記感光性樹脂層201表面に対してプロキシミティギャップ204をもってマスク202を配置し、マスクを介して紫外線206を照射して前記感光性樹脂層201を露光し、その後現像することにより、テーパーを有する感光性樹脂層208を形成する。
A method for forming a planarizing film (steps S804 and S805) will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a diagram illustrating a method for forming a photosensitive resin layer. 201 is a photosensitive resin layer, 202 is a mask, 203 to 205 are proximity gaps, 206 is ultraviolet rays, and 207 to 209 are flattening films. About the structure which attached | subjected the same code | symbol as FIG.1, FIG.4 and FIG.6, the same or equivalent part is shown and description is abbreviate | omitted.
In FIG. 3B, a
また、図3における感光性樹脂層201は、図1における平坦化膜106にあたる。
本発明の実施の形態においては、平坦化膜106の形成方法は、図3(b)あるいは図3(c)のように紫外線206を照射してマスク露光し、感光性樹脂層201を硬化させる。紫外線206を感光性樹脂層201にマスク露光する際に、マスク202と感光性樹脂層201との間に特定のプロキシミティギャップを設けて、マスクを介して紫外線を露光する。通常、紫外線を露光するときは、図3(a)に示されるように、プロキシミティギャップ203は小さく、マスク202を通過した紫外線206はまっすぐに感光性樹脂層201を照射する。したがって、出来上がる感光性樹脂層201の外周部は、急峻な段差となる。
Further, the
In the embodiment of the present invention, the
本発明にかかる製造方法においては、通常より大きなプロキシミティギャップを設けて、紫外線を露光し、外周部108にテーパーを有する平坦化膜106を製造することができる。例えば、図3(b)のプロキシミティギャップ204は、図3(a)のプロキシミティギャップ203より大きく設定されている。プロキシミティギャップを大きくしたことより、マスク202を通過した図8(b)の紫外線206は回折して、感光性樹脂層201を照射する。マスク202を通過し、回折した紫外線の裾野部分は、紫外線エネルギー量が、中央部分で照射された紫外線のそれより小さく、感光性樹脂を完全に硬化させることができない。従って、回折した紫外線の裾野部分で硬化した感光性樹脂層201は、完全に硬化せずテーパー形状で硬化され、現像される。
In the manufacturing method according to the present invention, it is possible to manufacture a
また、図3(c)のようにプロキシミティギャップ205を更に大きく設定して、より緩やかなテーパーを形成することもできる。
本発明における製造方法において、プロキシミティギャップは、60μm〜400μmであり、好ましくは、80μm〜300μmである。
使用する露光機は、プロキシミティギャップを設定できる露光機であれば特に制限はない。
上記のプロキシミティギャップを制御することによって形成される平坦化膜106のテーパー角107は、10〜40°であり、好ましくは、15〜25°である。テーパー角が10°未満であると、平坦化膜106の外周部の表面が粗くなり、この後陽極109を成膜しても平坦化膜106ごと剥離して、断線してしまう。また、所望の角度のテーパーを製造することが困難となる。一方、テーパー角が40°を超えると、平坦化膜106の外周部108が急な角度の段差となるためこの上に形成される陽極の膜厚が薄くなり、また、この部分の応力が大きくなり、断線の原因となる。
Further, as shown in FIG. 3C, the
In the manufacturing method in the present invention, the proximity gap is 60 μm to 400 μm, and preferably 80 μm to 300 μm.
The exposure machine to be used is not particularly limited as long as the exposure machine can set the proximity gap.
The
図1では、カラーフィルター105の端部は急峻な段差で、平坦化膜106はテーパー構造となっている。そして、テーパー角107は平坦化膜106のテーパー角である。カラーフィルター105の外周部の形状は、このような急峻な段差のほか、テーパー構造であってもよい(図2)。外周部にテーパーを有するカラーフィルターの製造方法は、平坦化膜における方法と同様である。
In FIG. 1, the end of the
カラーフィルター105は、複数個分離して配置された有機EL層102に対応した位置に配置されている。したがって、カラーフィルター105は、素子基板103全面に形成されてはおらず、有機EL層102の位置に対応して部分的に形成されている。
The
このように、本発明の製造方法においては、上記のプロキシミティギャップを制御することにより、平坦化膜106の外周部において所望のテーパー角107を得ることができる。これにより、この後平坦化膜106の上に成膜される陽極109も、平坦化膜106の外周部108においてなだらかな傾斜に沿って均一に成膜し、この応力が緩和され、断線を防ぐことができる。さらに、陽極109がこのようなテーパーで成膜されることにより、この後に行われるITOのエッチング液が侵食しにくくなり、陽極の断線の発生が防止される。
なお、平坦化膜106の外周部108において所望のテーパーを設ける方法としては、平坦化膜106を硬化後、切削する方法もある。しかし、本発明の製造方法のようにプロキシミティギャップを制御することにより、平坦化膜106の外周部108においてテーパーを設けるほうが、はるかに簡便である。
Thus, in the manufacturing method of the present invention, a desired
As a method of providing a desired taper at the outer
平坦化膜106形成後、陽極109の電極材料であるITOの密着力を向上させるための酸化ケイ素を成膜し、次いで、ITOを成膜する(ステップS807)。ITOは、スパッタや蒸着によって、平坦化膜106を形成した素子基板103全面に均一性よく成膜することができる。ここでは、DCスパッタ法により膜厚150nmで成膜する。フォトリソグラフィーおよびエッチングによりITOパターンを形成する。このITOパターンが陽極となる。レジストとしては、フェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングは、ウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、ここでは塩酸および硝酸の混合液を使用してITOをパターニングした。レジスト剥離材としてはモノエタノールアミンを使用した。
After the
ITOパターンの上から補助配線605の材料を成膜する(ステップS808)。補助配線電極材料は、AlまたはAl合金などの低抵抗な金属が用いられ、スパッタ、蒸着によって成膜することができる。さらに下地との密着性を向上させるために、あるいは腐食を防止するために、Al膜の下層または上層にTiNやCr等のバリヤ層を形成して補助配線を積層構造としてもよい。このバリヤ層もスパッタ、蒸着によって成膜することができる。ここでは例えば、DCスパッタ法により総厚が450nmのCr/Al/Crの積層膜やMoNb/Al/MoNbの積層膜を補助配線電極材料として成膜する。この補助配線電極材料をフォトリソグラフィー及びエッチングによりパターニングして、補助配線パターンを形成する(ステップS809)。エッチングには燐酸、酢酸、硝酸等の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。なお、陽極材料と補助配線電極材料とを順に成膜し、その後に補助配線電極材料と陽極材料を順番にパターニングすることも可能である。この補助配線パターンにより、陽極又は陰極に信号が供給される。
A material for the
次に開口絶縁膜を形成する(ステップS810)。絶縁膜としては感光性のポリイミドをスピンコーティングして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、キュアし画素に画素開口部を有する開口絶縁膜を形成する。同時に陰極と補助配線とのコンタクトホールを形成する。例えば、画素開口部は300μm×300μm程度、陰極と補助配線とのコンタクトホールを200μm×200μm程度で形成する。 Next, an opening insulating film is formed (step S810). As the insulating film, photosensitive polyimide is spin-coated, patterned after a photolithography process, and then cured to form an opening insulating film having a pixel opening in a pixel. At the same time, a contact hole between the cathode and the auxiliary wiring is formed. For example, the pixel opening is formed with a size of about 300 μm × 300 μm, and the contact hole between the cathode and the auxiliary wiring is formed with a size of about 200 μm × 200 μm.
次に陰極隔壁を形成する(ステップS811)。陰極隔壁には、例えば、ノボラック樹脂を用いる。ノボラック樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。さらに、開口部のITO層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。 Next, a cathode barrier is formed (step S811). For the cathode partition, for example, novolac resin is used. A novolak resin is spin-coated, patterned by a photolithography process, and then photoreacted to form cathode barrier ribs. It is desirable to use a negative type photosensitive resin so that the cathode partition has an inversely tapered structure. When a negative photosensitive resin is used, when light is irradiated from above, the photoreaction becomes insufficient at deeper locations. As a result, when viewed from above, the cross-sectional area of the cured portion has a structure that is narrower on the lower side than on the upper side. This means that it has an inverted taper structure. With such a structure, the cathodes can be separated from each other because the portions that are shaded when viewed from the vapor deposition source during vapor deposition of the cathodes do not reach the vapor deposition. Further, oxygen plasma or ultraviolet light may be irradiated in order to modify the surface of the ITO layer in the opening.
次に画素開口部の上に有機EL素子を形成する(ステップS812)。例えば、蒸着装置を用い、図1における有機EL層102と陰極111を蒸着する。有機EL層102は界面層、正孔輸送層、発光層、電子注入層等を構成要素とすることが多い。ただし、これとは異なる層構成を有する場合もある。
本発明で使用することができる有機EL素子の代表的な構成例を以下に示す。もっとも、これらに限定されるものではなく、これらとは異なる層構成を有する場合もあり得る。
Next, an organic EL element is formed on the pixel opening (step S812). For example, the
The typical structural example of the organic EL element which can be used by this invention is shown below. But it is not limited to these, It may have a layer structure different from these.
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(1) Anode / light emitting layer / cathode (2) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode (3) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode (4) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron Injection layer / cathode (5) anode / organic semiconductor layer / light emitting layer / cathode
(6)陽極/有機半導体層/電子障害層/発光層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/発光層/付着改善層/陰極
(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
これらの中で、(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極、(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極の構成が好ましい。
(6) Anode / organic semiconductor layer / electron barrier layer / light emitting layer / cathode (7) anode / hole injection layer / light emitting layer / adhesion improving layer / cathode (8) anode / hole injection layer / hole transport layer / Light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Among these, (4) anode / hole injection layer / light emission layer / electron injection layer / cathode, (8) anode / hole injection layer / hole transport layer The configuration of / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode is preferable.
有機EL層102の厚さは通常100〜300nm程度である。界面層として銅フタロシアニン(CuPc)を厚さ10nm、正孔輸送層としてN,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン(α―NPD)を厚さ60nm、発光層としてAlqを厚さ50nm、電子注入層としてLiFを厚さ0.5nm蒸着する。上述の構成で正孔輸送層をα―NPDの代わりにトリフェニルジアミン(TPD)等のトリフェニルアミン系の物質を使用することもできる。
The thickness of the
本発明の実施の形態において、発光層110は、例えば、白色発光層で構成されている。本発明においては、カラーフィルターとして赤、青、緑のフィルターを形成して、光の三原色を得る。したがって、白色光以外の発光の組み合わせで、必要な三原色を得る構成に比較して、有機EL素子102の構造が簡単であり、製造面においても赤、青、緑の発光層を別々に塗り分けてマスク露光で形成する必要がない。
In the embodiment of the present invention, the
陰極111にはAlを使用することが多いが、Li等のアルカリ金属、Ag、Ca、Mg、Y、Inやそれらを含む合金を用いることも可能である。陰極111の厚さは通常50〜300nm程度であり、ここでは厚さ200nmのAlとする。陰極111はこの他、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理的気相成長法(PVD)で形成することができる。これにより、有機EL素子が形成される。これらの工程により有機EL素子が複数形成された素子基板が製造される。通常1枚の基板には複数の有機EL素子を有する有機EL表示パネルが複数形成される。そして、各有機EL表示パネルを切断分離することにより、1枚のマザーガラスから複数の有機EL表示パネルが得られる。上述の有機EL素子基板の製造工程は典型的な有機EL表示装置に用いられる素子基板の製造工程の一例であり、上述の製造工程に限られるものではない。
Al is often used for the
次に有機EL素子を封止するための対向基板の製造工程について図6及び図8を用いて説明する。図1、図3、図4および図6と同じ符号を付した構成については、同一または相当部を示し、説明を省略する。
有機EL素子は空気中の水分により劣化するので、対向基板104を用いて窒素雰囲気下で封止する。対向基板104として厚さ0.7mm〜1.1mmのガラス基板が使用され(ステップS821)、素子基板103と同様のものを用いることができる。そして、この対向基板104を加工して、水分を捕獲する捕水材601を配置するための捕水材収納部を設ける(ステップS822)(図6では図示せず)。捕水材収納部は例えば、エッチングやサンドブラストにより、対向基板104の一部を掘り込むことによって形成される。この捕水材収納部に捕水材601を配置する(ステップS823)。捕水材601には酸化カルシウム粉末などが用いられる。
Next, the manufacturing process of the counter substrate for sealing the organic EL element will be described with reference to FIGS. The same reference numerals as those in FIGS. 1, 3, 4, and 6 denote the same or corresponding parts, and the description thereof is omitted.
Since the organic EL element is deteriorated by moisture in the air, the
次いで、封止用シール材の塗布について図7及び図8を用いて説明する。図7は、本発明にかかる有機EL発光装置の平面図である。701は有機EL表示領域、702は有機EL発光パネルである。図1、図3、図4および図6と同じ符号を付した構成については、同一または相当部を示し、説明を省略する。
図6においては、封止用シール材401の内部には補水材601が備えられているが、このほかに酸素などのガスを吸収するためのゲッター剤を使用してもよい。
Subsequently, application | coating of the sealing material for sealing is demonstrated using FIG.7 and FIG.8. FIG. 7 is a plan view of the organic EL light emitting device according to the present invention.
In FIG. 6, a
まず、対向基板104の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いて封止用シール材401を塗布する(ステップS824)。封止用シール材401は、有機EL表示領域701を囲むように設けられる。封止用シール材401としては感光性エポキシ樹脂が望ましく、例えば、光カチオン重合型エポキシ樹脂を用いることができ、素子基板103と対向基板104を貼り合わせるための接着材として機能する。
First, the sealing
封止用シール材401と平坦化膜106の端部の位置関係は、封止用シール材401の外部の水分を遮断する上で重要となる。すなわち、図4の各図に示すように、本発明にかかる有機EL発光装置において、平坦化膜106は、その端部が、封止用シール材401の外壁面より内側になるように配置されている。
The positional relationship between the sealing
例えば、図4(a)において、平坦化膜106の端部は、封止用シール材401の外壁面と内壁面の内部になるように配置されている。図4(b)においては、平坦化膜106の端部は、封止用シール材401の内壁面と接触するように配置されている。図4(c)においては、平坦化膜106の端部は、封止用シール材401の内壁面から離間して配置されている。このように、平坦化膜106は封止用シール材401の外部にまで延びていないので、封止用シール材401の外部の水分は、封止用シール材401を介して封止用シール材401内部に侵入することはできない。したがって、有機EL層102の水分による劣化を防ぐことができる。
For example, in FIG. 4A, the end portion of the
図4(a)〜(c)の各図については、平坦化膜106の端部は、急峻な段差として示されている。また、図4(d)のように、平坦化膜106の端部は、封止用シール材401の内壁面から離間して配置され、かつ、テーパー形状でもよい。
上記の製造工程により封止基板が製造される。なお、上述の製造工程は典型的な一例であり、これに限られるものではない。
In each of FIGS. 4A to 4C, the end portion of the
A sealing substrate is manufactured by the above manufacturing process. The above manufacturing process is a typical example, and the present invention is not limited to this.
次に素子基板と対向基板を貼り合わせて、有機EL素子を封止する(ステップS813)。これ以降の工程について図6、図7及び図8を用いて説明する。図1、図3、図4および図6と同じ符号を付した構成については、同一または相当部を示し、説明を省略する。 Next, the element substrate and the counter substrate are bonded together to seal the organic EL element (step S813). Subsequent steps will be described with reference to FIGS. The same reference numerals as those in FIGS. 1, 3, 4, and 6 denote the same or corresponding parts, and the description thereof is omitted.
素子基板103には、上述のステップS801〜S812により形成された有機EL素子を複数含む有機EL表示領域701と各素子に信号を供給する補助配線605が設けられている。図7に示すように素子基板103には6個の有機EL表示領域701が設けられており、基板を切断分離することにより有機EL発光パネルが形成される。素子基板103より若干小さい対向基板104には各有機EL表示領域701に対して捕水材収納部が形成され、捕水材601が配置されている。対向基板104にはそれぞれの有機EL表示領域701を囲む封止用シール材401が設けられる。
The
素子基板103と対向基板104とが対向するよう位置合わせして、両基板を加圧し、各シール材にUV光を照射する。これにより、図6に示すように両基板が接着された構成となる。素子基板103に設けられたそれぞれの有機EL表示領域701は図7に示すように封止用シール材401で全周を囲まれる。両基板と封止用シール材401で囲まれた空間には捕水材601が配置され、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機EL素子の劣化を防止する。素子基板103と対向基板104からなる1対の基板で有機EL素子が封止される。補助配線605は外部の駆動回路と接続されるため、封止用シール材401の一部は補助配線605をまたがって接着されてもよい。
The
素子基板103と対向基板104とを貼り合せて一対の基板を形成した後、駆動回路等を実装する(ステップS814)。素子基板103には封止用シール材401で囲まれた領域の外側に補助配線605が配設されている。補助配線605の外側の端部には端子部が形成されており、この端子部に異方性導電フィルム(ACF)を貼付け、駆動IC606を接続する。具体的には端子部にACFを仮圧着する。ACFは日立化成製アニソルム7106Uを用いている。仮圧着温度は80℃で、圧着圧力は1.0MPa、圧着時間は5秒である。ついで駆動ICを端子部に本圧着する。本圧着温度は170℃とした。これにより駆動ICが実装される。さらに、駆動IC606に外部からの信号を供給するためのフレキシブル基板を接続している。
After the
この後、素子基板103の、対向基板104に対抗する面に、λ/4板603、偏光板604を取り付け、この有機EL表示パネルが筐体に取り付けられ、有機EL表示装置が完成する(ステップS815)。このようにして有機EL表示装置を提供することができる。
これらの工程によって有機EL層102が複数形成された基板素子が製造される。通常、1枚の素子基板には複数の有機EL素子を有する有機EL表示パネルが複数形成される。上述の有機EL素子基板の製造工程は、典型的な有機EL表示装置に用いられる素子基板の製造工程の一例であり、上述の製造工程に限られるものではない。
Thereafter, a λ / 4
Through these steps, a substrate element on which a plurality of organic EL layers 102 are formed is manufactured. Usually, a plurality of organic EL display panels having a plurality of organic EL elements are formed on one element substrate. The manufacturing process of the organic EL element substrate described above is an example of a manufacturing process of an element substrate used in a typical organic EL display device, and is not limited to the above manufacturing process.
尚、本発明の有機EL発光装置は、有機EL素子を用いた有機EL表示装置あるいは有機EL光源装置に対しても利用可能である。有機EL発光装置には、有機EL表示装置および有機EL光源装置等の有機EL素子の発光を利用した装置が含まれるものとする。
以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明する。
The organic EL light emitting device of the present invention can also be used for an organic EL display device or an organic EL light source device using an organic EL element. The organic EL light emitting device includes devices utilizing light emission of an organic EL element such as an organic EL display device and an organic EL light source device.
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
(有機EL発光装置1の作成)
まず、透明ガラス基板にネガ型アクリル系感光性樹脂(三菱化学社製 RE0410)を用い、膜厚約1.2μmのカラーフィルターを形成した。その後、当該カラーフィルター上に、透明平坦化膜を形成した。平坦化膜の材料としては、ネガ型アクリル系感光性樹脂(新日鉄化学社製 V2301PR)を使用し、約1.5μmの膜厚で形成した。その後、これに対して、有機EL表示領域に対応した位置が開口されたマスクを用いて、光源として高圧水銀灯を使用し、露光量400mJ、プロキシミティギャップ150μmとした条件のもので紫外線を照射し、平坦化膜を硬化させた。平坦化膜の硬化後、炭酸カリウム/炭酸水素カリウム混合系の現像液で現像し、外周部のテーパー角が20°の平坦化膜を得た。
(Creation of organic EL light emitting device 1)
First, a negative type acrylic photosensitive resin (RE0410 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was used on a transparent glass substrate to form a color filter having a film thickness of about 1.2 μm. Thereafter, a transparent flattening film was formed on the color filter. As a material for the flattening film, a negative acrylic photosensitive resin (V2301PR manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was used and formed with a film thickness of about 1.5 μm. Thereafter, using a mask having an opening corresponding to the organic EL display area, a high pressure mercury lamp is used as a light source, and an ultraviolet ray is irradiated under the conditions of an exposure amount of 400 mJ and a proximity gap of 150 μm. The planarizing film was cured. After the flattening film was cured, it was developed with a potassium carbonate / potassium bicarbonate mixed developer to obtain a flattening film having an outer peripheral taper angle of 20 °.
そして、5mmの酸化珪素を成膜し、この後、陽極としてITOを抵抗値10Ω/□、膜厚約150nmで成膜した。ITO上に有機EL層を形成した。正孔注入層として銅フタロシアニン(CuPc)を厚さ10nm、正孔輸送層としてN,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン(α―NPD)を厚さ60nm、発光層としてAlqを厚さ30nm、電子注入層としてLiFを厚さ30nm蒸着した。発光層は、白色発光層とした。陰極にはAlを使用し、その厚さは約200nmであった。以上により、平坦化膜の外周部のテーパー角が20°の有機EL発光装置1を形成した。 Then, 5 mm of silicon oxide was formed, and then ITO was formed as an anode with a resistance value of 10Ω / □ and a film thickness of about 150 nm. An organic EL layer was formed on the ITO. Copper phthalocyanine (CuPc) is 10 nm thick as the hole injection layer, and N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine (α-NPD) is thick as the hole transport layer. 60 nm, Alq as a light emitting layer was deposited with a thickness of 30 nm, and LiF was deposited as an electron injection layer with a thickness of 30 nm. The light emitting layer was a white light emitting layer. Al was used for the cathode, and its thickness was about 200 nm. Thus, the organic EL light emitting device 1 having a taper angle of 20 ° at the outer peripheral portion of the planarizing film was formed.
(有機EL発光装置2〜10の作成)
実施例1において、プロキシミティギャップの値を表1のように変えた以外は、実施例1と同様にして、有機EL発光装置2〜10を作成した。
(Creation of organic EL light emitting devices 2 to 10)
In Example 1, organic EL light emitting devices 2 to 10 were produced in the same manner as in Example 1 except that the value of the proximity gap was changed as shown in Table 1.
(有機EL発光装置の断線発生率の評価)
実施例1で作成した平坦化膜の外周部のテーパー角が20°の有機EL発光装置1を駆動させて、発光するかどうかで陽極配線の断線を確認した。テーパー角が異なる毎に100個の有機EL発光装置を使用した。
これと同様にして、有機EL発光装置2〜10を評価した。
その結果を表1に表す。
(Evaluation of disconnection rate of organic EL light emitting device)
The organic EL light-emitting device 1 having a taper angle of 20 ° at the outer peripheral portion of the planarizing film prepared in Example 1 was driven, and the disconnection of the anode wiring was confirmed depending on whether light was emitted. For each taper angle, 100 organic EL light emitting devices were used.
In the same manner, the organic EL light emitting devices 2 to 10 were evaluated.
The results are shown in Table 1.
100:有機EL発光パネル
102:有機EL層 103:素子基板
104:対向基板 105:カラーフィルター
106:平坦化膜 107:テーパー角
108:平坦化膜の外周部
109:陽極 110:発光層
111:陰極 112:正孔輸送層
113:電子輸送層 201:感光性樹脂層
202:マスク
203、204、205:プロキシミティギャップ
206:紫外線
207、208、209:平坦化膜
401:封止用シール材 501:有機EL発光パネル
501、502:基板 503:カラーフィルター
504:平坦化膜 505:陽極
506:有機EL層 507:陰極
508:シール部 509:陽極端部
510:カラーフィルター構造部 511、512:水分の浸入
600:有機EL発光装置 601:補水材
603:λ/4板
604:偏光板 605:補助配線
606:駆動IC 701:有機EL表示領域
702:有機EL発光パネル
100: Organic EL light emitting panel
102: Organic EL layer 103: Element substrate 104: Counter substrate 105: Color filter 106: Flattened film 107: Tapered angle 108:
Claims (10)
前記平坦化膜の外周部はテーパーを有する有機EL発光装置。 A flattening film for flattening the color filter, a first electrode provided on the flattening film, and an organic EL layer provided between the first electrode and the second electrode are provided. An organic EL light emitting device,
An organic EL light emitting device having an outer peripheral portion of the planarizing film having a taper.
前記素子基板と対向する対向基板と、を有する有機EL発光装置であって、
前記有機EL層は画素を形成する位置に分離して配置され、
前記カラーフィルターは前記有機EL層の配置に対応した位置に配設され、
前記有機EL層の発光層は白色発光層であり、
前記平坦化膜の外周部はテーパーを有し、前記テーパー角が10〜40°である有機EL発光装置。 An element substrate in which a color filter, a planarizing film, an anode, an organic EL layer and a cathode are laminated in this order;
An organic EL light emitting device having a counter substrate facing the element substrate,
The organic EL layer is separately disposed at a position where a pixel is formed,
The color filter is arranged at a position corresponding to the arrangement of the organic EL layer,
The light emitting layer of the organic EL layer is a white light emitting layer,
An organic EL light emitting device in which an outer peripheral portion of the planarizing film has a taper, and the taper angle is 10 to 40 °.
前記素子基板と対向し、封止用シール材をはさんで前記素子基板に対して固定された対向基板とを有し、
前記平坦化膜の端部が、前記封止用シール材の外壁面より内側に設置されている有機EL発光装置。 An element substrate having a flattening film for flattening the color filter;
Opposing the element substrate, and having a counter substrate fixed to the element substrate with a sealing material interposed therebetween,
An organic EL light-emitting device in which an end portion of the flattening film is installed inside an outer wall surface of the sealing material for sealing.
透明基板にカラーフィルターを形成するステップと、
前記カラーフィルター上に感光性樹脂層を形成するステップと、
前記感光性樹脂層表面に対してプロキシミティギャップをもってマスクを配置するステップと、
マスクを介して紫外線を照射して前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することによりテーパーを有する平坦化膜を形成するステップとを備えた有機EL発光装置の製造方法。 A method for manufacturing an organic EL light-emitting device having a flattening film for flattening a color filter,
Forming a color filter on a transparent substrate;
Forming a photosensitive resin layer on the color filter;
Placing a mask with a proximity gap on the surface of the photosensitive resin layer;
Forming a planarized film having a taper by exposing the photosensitive resin layer by irradiating ultraviolet rays through a mask and then developing the organic resin light emitting device.
透明基板上に感光性樹脂層を形成するステップと、
前記感光性樹脂層表面に対してプロキシミティギャップをもってマスクを配置するステップと、
マスクを介して紫外線を照射して前記感光性樹脂層を露光し、その後現像することによりテーパーを有するカラーフィルターを形成するステップとを備えた有機EL発光装置の製造方法。 A method of manufacturing an organic EL light emitting device having a color filter,
Forming a photosensitive resin layer on a transparent substrate;
Placing a mask with a proximity gap on the surface of the photosensitive resin layer;
Forming a color filter having a taper by exposing the photosensitive resin layer by irradiating ultraviolet rays through a mask and then developing the organic resin light-emitting device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003341607A JP2005108678A (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Organic el light emitting device and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003341607A JP2005108678A (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Organic el light emitting device and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005108678A true JP2005108678A (en) | 2005-04-21 |
Family
ID=34536165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003341607A Pending JP2005108678A (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Organic el light emitting device and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005108678A (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005164818A (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Display device |
WO2013136771A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | Organic electroluminescence element |
JP2014044793A (en) * | 2012-07-31 | 2014-03-13 | Sony Corp | Display device and electronic apparatus |
CN104205406A (en) * | 2012-03-23 | 2014-12-10 | 株式会社Lg化学 | Method for producing a substrate for organic electronic devices |
CN104303327A (en) * | 2011-10-17 | 2015-01-21 | 株式会社Lg化学 | Substrate for organic electronic device |
EP2557896A4 (en) * | 2010-04-08 | 2016-07-27 | Asahi Glass Co Ltd | Organic led element, translucent substrate, and method for manufacturing organic led element |
US9499725B2 (en) | 2007-04-19 | 2016-11-22 | Lg Chem, Ltd. | Acrylic pressure-sensitive adhesive compositions |
JP2017103252A (en) * | 2012-07-31 | 2017-06-08 | 株式会社Joled | Display device and electronic equipment |
KR101812120B1 (en) * | 2013-08-14 | 2017-12-26 | 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 | Light emitting element and method for manufacturing light emitting element |
EP2882006B1 (en) * | 2012-07-31 | 2021-05-19 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05164915A (en) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Color filter and its manufacture |
JPH0843618A (en) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | Production of color filter |
JPH08327814A (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Casio Comput Co Ltd | Production of color filter and color liquid crystal display device |
JPH1126156A (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic el multicolor light emitting display device |
JP2002093578A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | Color converting filter substrate, and color converting system organic light emitting device and color display having color converting filter substrate |
JP2003229260A (en) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method of color conversion filter |
-
2003
- 2003-09-30 JP JP2003341607A patent/JP2005108678A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05164915A (en) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Color filter and its manufacture |
JPH0843618A (en) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | Production of color filter |
JPH08327814A (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Casio Comput Co Ltd | Production of color filter and color liquid crystal display device |
JPH1126156A (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic el multicolor light emitting display device |
JP2002093578A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | Color converting filter substrate, and color converting system organic light emitting device and color display having color converting filter substrate |
JP2003229260A (en) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method of color conversion filter |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005164818A (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | Display device |
US9499725B2 (en) | 2007-04-19 | 2016-11-22 | Lg Chem, Ltd. | Acrylic pressure-sensitive adhesive compositions |
US9419248B2 (en) | 2010-04-08 | 2016-08-16 | Asahi Glass Company, Limited | Organic LED element, translucent substrate, and method for manufacturing organic LED element |
EP2557896A4 (en) * | 2010-04-08 | 2016-07-27 | Asahi Glass Co Ltd | Organic led element, translucent substrate, and method for manufacturing organic led element |
EP2770551A4 (en) * | 2011-10-17 | 2015-08-19 | Lg Chemical Ltd | Substrate for organic electronic device |
US9461275B2 (en) | 2011-10-17 | 2016-10-04 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
CN104303327A (en) * | 2011-10-17 | 2015-01-21 | 株式会社Lg化学 | Substrate for organic electronic device |
WO2013136771A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | パナソニック株式会社 | Organic electroluminescence element |
US9203047B2 (en) | 2012-03-12 | 2015-12-01 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent element |
JPWO2013136771A1 (en) * | 2012-03-12 | 2015-08-03 | パナソニック株式会社 | Organic electroluminescence device |
EP2830111A4 (en) * | 2012-03-23 | 2015-12-30 | Lg Chemical Ltd | Substrate for organic electronic device |
US9698366B2 (en) | 2012-03-23 | 2017-07-04 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
EP2830119A4 (en) * | 2012-03-23 | 2015-12-30 | Lg Chemical Ltd | Method for producing a substrate for organic electronic devices |
EP2830114A4 (en) * | 2012-03-23 | 2015-12-30 | Lg Chemical Ltd | Substrate for organic electronic device |
US20150104891A1 (en) * | 2012-03-23 | 2015-04-16 | Lg Chem, Ltd. | Method for producing a substrate for organic electronic devices |
US9349981B2 (en) | 2012-03-23 | 2016-05-24 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
EP2830114A1 (en) * | 2012-03-23 | 2015-01-28 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
CN104321899A (en) * | 2012-03-23 | 2015-01-28 | 株式会社Lg化学 | Substrate for organic electronic device |
CN104205406A (en) * | 2012-03-23 | 2014-12-10 | 株式会社Lg化学 | Method for producing a substrate for organic electronic devices |
CN104321899B (en) * | 2012-03-23 | 2018-05-29 | 乐金显示有限公司 | For the substrate of organic electronic device |
US9530979B2 (en) | 2012-03-23 | 2016-12-27 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
US9666828B2 (en) | 2012-03-23 | 2017-05-30 | Lg Display Co., Ltd. | Method for producing a substrate for organic electronic devices |
TWI624097B (en) * | 2012-03-23 | 2018-05-11 | 樂金顯示科技股份有限公司 | Method of manufacturing substrate for organic electronic device |
JP2015517178A (en) * | 2012-03-23 | 2015-06-18 | エルジー・ケム・リミテッド | Substrates for organic electronic devices |
US9716242B2 (en) | 2012-03-23 | 2017-07-25 | Lg Display Co., Ltd. | Substrate for organic electronic device |
JP2017103252A (en) * | 2012-07-31 | 2017-06-08 | 株式会社Joled | Display device and electronic equipment |
JP2014044793A (en) * | 2012-07-31 | 2014-03-13 | Sony Corp | Display device and electronic apparatus |
EP2882006B1 (en) * | 2012-07-31 | 2021-05-19 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
KR101812120B1 (en) * | 2013-08-14 | 2017-12-26 | 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 | Light emitting element and method for manufacturing light emitting element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3948082B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element | |
JP4144687B2 (en) | Manufacturing method of organic EL device | |
US7915098B2 (en) | Method of fabricating display device and display device | |
US9012271B2 (en) | Thin film transistor array substrate and method of manufacturing the same | |
JP2009164107A (en) | Organic el display | |
JP4608921B2 (en) | Display device manufacturing method and display device | |
JP2019102446A (en) | Organic light-emitting device | |
JP4427321B2 (en) | Organic electroluminescence display and its manufacture | |
JP2005322619A (en) | Organic electroluminescent display device, and its manufacturing method | |
JP2000294371A (en) | Organic electroluminescence display panel and its manufacture | |
JP2005108678A (en) | Organic el light emitting device and its manufacturing method | |
JP2006253097A (en) | Spontaneous light-emitting panel and its manufacturing method | |
JPH11329743A (en) | Electroluminescent element and its manufacture | |
KR20130025821A (en) | Organic luminescent device and method for manufacturing the same | |
JP2005183209A (en) | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same | |
JP2005285573A (en) | Display device and its manufacturing method | |
JP2008034198A (en) | Forming method of thin film pattern, manufacturing method of organic el display, and organic el display | |
JP2001076866A (en) | Organic electroluminecent device | |
JP2004273438A (en) | Etching mask | |
JP2007005047A (en) | Organic el display device and manufacturing method of the same | |
JP4788677B2 (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
JP4263474B2 (en) | Method for manufacturing element substrate for display device and transfer body | |
JP2005078932A (en) | Organic el light emitting device and its manufacturing method | |
JP4486840B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
JP4673579B2 (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060921 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100406 |