JP2005183209A - Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2005183209A
JP2005183209A JP2003423028A JP2003423028A JP2005183209A JP 2005183209 A JP2005183209 A JP 2005183209A JP 2003423028 A JP2003423028 A JP 2003423028A JP 2003423028 A JP2003423028 A JP 2003423028A JP 2005183209 A JP2005183209 A JP 2005183209A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
organic
substrate
display device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003423028A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuhiro Nakamura
伸宏 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Display Corp
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Kyocera Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd, Kyocera Display Corp filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2003423028A priority Critical patent/JP2005183209A/en
Publication of JP2005183209A publication Critical patent/JP2005183209A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent display device that has reduced deterioration in display characteristics. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent display device according to the present invention comprises: a plurality of anode wirings 1 arranged on a substrate 11; a connection terminal 26 provided correspondingly to the plurality of anode wirings 1; an edge cover resin 29 formed to cover the connection terminal 26; an opposite board 51 provided opposite to the substrate 11; and a seal member 53 deposited inside the connection terminal 26, wherein the connection terminal 26 has a laminated metal film, which is formed with a barrier layer on an upper most layer thereof for preventing electrolytic corrosion of an underlying metal. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は有機EL表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display device and a manufacturing method thereof.

近年の情報通信分野における急速な技術開発の進展に伴い、CRTに代わるフラットディスプレイに大きな期待が寄せられている。なかでも有機ELディスプレイは、高速応答性、視認性、輝度などの点に優れるため盛んに研究が行われている。 With the rapid progress of technological development in the information and communication field in recent years, great expectations are placed on a flat display replacing CRT. In particular, organic EL displays are actively studied because they are excellent in terms of high-speed response, visibility, brightness, and the like.

1987年に米国コダック社のTangらによって発表された有機EL素子は、有機薄膜の2層積層構造を有し、発光層にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下「Alq」と略称する)を使用し、10V以下の低電圧駆動で緑色の発光を生じ、1000cd/m2と高輝度が得られた。発光効率は1.5ルーメン/Wであった(Appl.Phys.Lett.,51,913(1987))。   An organic EL device announced by Tang et al. Of Kodak Company in 1987 has a two-layer structure of organic thin films, and uses tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter abbreviated as “Alq”) as a light emitting layer. In addition, green light was emitted when driven at a low voltage of 10 V or less, and a high luminance of 1000 cd / m 2 was obtained. The luminous efficiency was 1.5 lumen / W (Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)).

以降、急速に実用化に向けた研究が進められ、正孔注入電極と電子注入電極に挟まれた有機層が1層〜10層程度の様々な積層型の有機EL素子が開発されてきている。   Since then, research for rapid practical use has been advanced, and various stacked organic EL devices having about 1 to 10 organic layers sandwiched between a hole injection electrode and an electron injection electrode have been developed. .

有機EL材料に関しても、多岐に渡る低分子化合物を真空蒸着法等により薄膜形成する方法のみならず、高分子系化合物をスピンコート法、インクジェット、ダイコート、フレキソ印刷といった方法で薄膜形成して有機EL素子を作成する方法が提案されている。   With regard to organic EL materials, organic EL can be obtained by forming thin films of various low-molecular compounds by a method such as spin coating, ink jet, die coating, or flexographic printing, as well as a method of forming a thin film of various low-molecular compounds by vacuum deposition. A method of creating an element has been proposed.

なお、特許庁のホームページに、「技術分野別特許マップ作成委員会」によって作成された有機EL素子に関する技術情報が掲載されており、いわゆる基本特許や、さまざまな材料、製法、デバイス構造、駆動方法、カラー化技術、耐久性向上、用途などに関し、特許出願公開や登録特許などを引用し統括的に報告が行なわれている。   In addition, technical information about organic EL elements created by the “Technical Field Patent Map Creation Committee” is posted on the JPO homepage, so-called basic patents, various materials, manufacturing methods, device structures, driving methods In regard to color technology, durability improvement, applications, etc., patent reports are published and registered patents are cited and reported collectively.

有機ELディスプレイに用いられる有機EL素子基板は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に薄膜状の有機化合物が積層され、その有機化合物の層の上に、基板上に形成された透明な陽極と対向するように陰極が形成された構造である。有機EL素子は、陽極と陰極との間に配置された有機化合物の層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。以下、積層される有機化合物の薄膜を有機薄膜層と記す。陽極、複数の有機薄膜層および陰極を重ねて配置した個所が表示画素となる。そして、透明な陽極から光を取り出し、所望の画像を表示させる。   An organic EL element substrate used in an organic EL display has an anode formed on the substrate, a thin organic compound layered on the anode, and a transparent layer formed on the organic compound layer on the substrate. In this structure, the cathode is formed so as to face the anode. An organic EL element is a current-driven display element that emits light when a current is supplied to an organic compound layer disposed between an anode and a cathode. Hereinafter, a thin film of an organic compound to be laminated is referred to as an organic thin film layer. A display pixel is a portion where an anode, a plurality of organic thin film layers, and a cathode are stacked. Then, light is extracted from the transparent anode and a desired image is displayed.

ところで、有機EL表示装置は電流駆動素子を使用しており、パッシブ駆動型有機EL表示装置では、各行が選択された時間内で瞬間発光する必要がある。その結果液晶デバイス等の電圧駆動型表示素子を使用する場合と比較して大電流が電極に流れ込むことになる。   By the way, the organic EL display device uses a current drive element, and in the passive drive type organic EL display device, it is necessary to emit light instantaneously within a time when each row is selected. As a result, a large current flows into the electrode as compared with the case where a voltage-driven display element such as a liquid crystal device is used.

従って、陰極配線及び陽極配線を低抵抗にすることが重要となる。パネルの大型化、高精細化、高輝度化が進むとこれらの配線の更なる低抵抗化が必要となってくると同時に、これらの配線と接続される補助配線との間のコンタクトや駆動回路接続端子と補助配線との低抵抗化が課題となって来ている。これに関し、有機EL表示装置の陰極配線と接続される陰極補助配線について、開示された先行技術がある(例えば、特許文献1)。   Therefore, it is important to make the cathode wiring and anode wiring low resistance. As panels become larger, higher definition, and higher brightness, the resistance of these wirings will need to be further reduced, and at the same time, contacts and driving circuits between these wirings and auxiliary wiring Lowering the resistance between the connection terminal and the auxiliary wiring has been an issue. In this regard, there is a disclosed prior art regarding cathode auxiliary wiring connected to the cathode wiring of the organic EL display device (for example, Patent Document 1).

この先行技術では、駆動回路接続端子に透明電極材料を用い、かつ、陰極材料と陰極補助配線材料とを同一とする。この場合、陰極材料と陰極補助配線材料との接続前に陰極表面や陰極補助配線表面が酸化されなければ、陰極と陰極補助配線とのコンタクト抵抗の問題は解消する可能性が大きくなる。   In this prior art, a transparent electrode material is used for the drive circuit connection terminal, and the cathode material and the cathode auxiliary wiring material are the same. In this case, if the cathode surface or the cathode auxiliary wiring surface is not oxidized before the connection between the cathode material and the cathode auxiliary wiring material, the possibility of solving the problem of contact resistance between the cathode and the cathode auxiliary wiring is increased.

また、製造時のベークによる金属電極の接触抵抗の増加を解消しようとする有機エレクトロルミネセンス表示素子が開示されている(例えば、特許文献2)。そのため、透明基板に設けられた引出し電極の表層にバリア層を形成し、その引出し電極は有機発光層を介して透明基板の上に積層された金属電極にバリア層を介して接触させる。   Further, an organic electroluminescence display element that attempts to eliminate an increase in contact resistance of a metal electrode due to baking at the time of manufacture is disclosed (for example, Patent Document 2). Therefore, a barrier layer is formed on the surface layer of the extraction electrode provided on the transparent substrate, and the extraction electrode is brought into contact with the metal electrode laminated on the transparent substrate via the organic light emitting layer via the barrier layer.

引出し電極は、Cr、Al、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Ni、Mo、Ta、Ti、W、C、Fe、In、Ag−Mn、Zn等の金属質導電材料で形成される。バリア層は耐熱変質性の良好な高融点金属、貴金属、酸化物、窒化物又は酸窒化物で形成される。   The extraction electrode is formed of a metallic conductive material such as Cr, Al, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Ni, Mo, Ta, Ti, W, C, Fe, In, Ag-Mn, and Zn. The barrier layer is formed of a refractory metal, a noble metal, an oxide, a nitride, or an oxynitride having good heat resistance and alteration.

よって、層間絶縁膜形成時等の際に加熱を行っても、引出し電極と金属電極との接触抵抗が低く維持され、低電圧で駆動できると説明している。また、密着性改善層を介して引出し電極を形成するとき、透明基板に対する引出し電極の密着性が向上し、引出し電極と金属電極と良好な導通状態が維持される。   Therefore, it is described that the contact resistance between the extraction electrode and the metal electrode is kept low even when heating is performed at the time of forming the interlayer insulating film or the like, and the driving can be performed at a low voltage. Further, when the extraction electrode is formed via the adhesion improving layer, the adhesion of the extraction electrode to the transparent substrate is improved, and a good electrical connection between the extraction electrode and the metal electrode is maintained.

一方、陽極配線は通常、透明導電膜で形成されるためITO(Indium Tin Oxides)等の金属酸化膜が用いられる。このような金属酸化膜は一般的に金属と比べて比抵抗が高いため、配線抵抗の低抵抗化が困難である。従って、表示領域外に金属材料からなる陽極補助配線を設けて低抵抗化を図ることが可能である。さらに、金属材料からなる接続端子を介して陽極配線に信号を供給することによって、外部配線とのコンタクト抵抗を低減することができる。   On the other hand, since the anode wiring is usually formed of a transparent conductive film, a metal oxide film such as ITO (Indium Tin Oxides) is used. Since such a metal oxide film generally has a higher specific resistance than a metal, it is difficult to reduce the wiring resistance. Accordingly, it is possible to reduce the resistance by providing an anode auxiliary wiring made of a metal material outside the display region. Furthermore, by supplying a signal to the anode wiring through the connection terminal made of a metal material, the contact resistance with the external wiring can be reduced.

金属材料からなる接続端子を設けた有機EL表示装置の構成について図8を用いて説明する。図8は有機EL表示装置に用いられる有機EL素子基板100の構成を示す上面図である。   A configuration of an organic EL display device provided with a connection terminal made of a metal material will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a top view showing the configuration of the organic EL element substrate 100 used in the organic EL display device.

基板11の上には透明導電膜により複数の陽極配線1が平行に配列されている。この陽極配線1の基板端側にはそれぞれの陽極配線1に対応して複数の接続端子26が形成される。接続端子26は陽極配線1の上に重ねられるようにパターニングされる。これにより、陽極配線1と接続端子26が接続される。接続端子26は金属材料により形成されるためコンタクト抵抗を低減することができる。   On the substrate 11, a plurality of anode wirings 1 are arranged in parallel by a transparent conductive film. A plurality of connection terminals 26 corresponding to each anode wiring 1 are formed on the substrate end side of the anode wiring 1. The connection terminal 26 is patterned so as to overlap the anode wiring 1. Thereby, the anode wiring 1 and the connection terminal 26 are connected. Since the connection terminal 26 is formed of a metal material, the contact resistance can be reduced.

接続端子26には比抵抗の低いAl又はAl合金が主に用いられる。さらにその上層及び下層にはバリア層として、例えば、高融点金属膜が用いられる。Alの下層の高融点金属膜は透明導電膜とのコンタクト抵抗を良好にするため形成される。Alの上層の高融点金属膜は、後の工程においてAlが酸化等により変質して、コンタクト抵抗が劣化するのを防ぐために形成される。   The connection terminal 26 is mainly made of Al or Al alloy having a low specific resistance. Further, for example, a refractory metal film is used as a barrier layer in the upper layer and the lower layer. The refractory metal film under the Al layer is formed to improve the contact resistance with the transparent conductive film. The refractory metal film on the upper layer of Al is formed in order to prevent the contact resistance from deteriorating due to the deterioration of Al due to oxidation or the like in a later step.

この上から画素電極に対応する開口部23を有する絶縁膜22を形成する。絶縁膜22には、例えば、感光性のポリイミド樹脂が用いられる。この開口部23を形成する工程では、陰極補助配線25と陰極配線5を接続するためのコンタクトホール25が形成される。そして、陰極配線5を分離するため、逆テーパ構造の隔壁10を形成する。その上から図示しない有機薄膜層を形成し、さらにその上から陰極配線5を形成する。陰極配線5は隔壁10により分離され、陽極配線1と交差するように形成される。   An insulating film 22 having an opening 23 corresponding to the pixel electrode is formed from above. For the insulating film 22, for example, a photosensitive polyimide resin is used. In the step of forming the opening 23, a contact hole 25 for connecting the cathode auxiliary wiring 25 and the cathode wiring 5 is formed. And in order to isolate | separate the cathode wiring 5, the partition 10 of a reverse taper structure is formed. An organic thin film layer (not shown) is formed thereon, and a cathode wiring 5 is formed thereon. The cathode wiring 5 is separated by the partition wall 10 and formed so as to intersect the anode wiring 1.

陽極配線1の端部に設けられた接続端子26に信号電極ドライバを接続し、同様に陰極補助配線21の端子部に走査電極ドライバを接続する。具体的には端子部にACFを介して駆動回路が内蔵されたTCPを圧着する。これにより、陽極配線1及び陰極配線5に電流を供給することができる。陰極配線5と陽極配線1とが交差する位置に設けられた開口部23において有機薄膜層に電流が流れ発光する。素子基板100は上述のように形成される。   A signal electrode driver is connected to a connection terminal 26 provided at an end portion of the anode wiring 1, and a scanning electrode driver is connected to a terminal portion of the cathode auxiliary wiring 21 in the same manner. Specifically, a TCP with a built-in drive circuit is crimped to the terminal portion via an ACF. Thereby, current can be supplied to the anode wiring 1 and the cathode wiring 5. In the opening 23 provided at the position where the cathode wiring 5 and the anode wiring 1 intersect, a current flows through the organic thin film layer to emit light. The element substrate 100 is formed as described above.

そして、捕水材が配設された対向基板(図示せず)にシール材を塗布して素子基板100と対向配置させる。シール材は素子基板100側においてシールパターン50に配置されるよう対向基板にディスペンサを用いて塗布される。基板の裏面側からシール材に光を照射して、シール材を硬化させ、素子基板100と対向基板を貼り合わせる。   And a sealing material is apply | coated to the opposing board | substrate (not shown) in which the water catching material was arrange | positioned, and it is made to oppose with the element substrate 100. FIG. The sealing material is applied to the counter substrate using a dispenser so as to be arranged in the seal pattern 50 on the element substrate 100 side. The sealing material is irradiated with light from the back side of the substrate to cure the sealing material, and the element substrate 100 and the counter substrate are bonded together.

接続端子26は封止された空間の外側に配設されることになる。このような、接続端子26が高温、高湿度環境に配置された場合、以下に示す問題点があった。   The connection terminal 26 is disposed outside the sealed space. When the connection terminal 26 is arranged in a high temperature and high humidity environment, there are the following problems.

単純マトリクス型の表示装置については、陰極側は選択されたときにグランド電位になり、非選択時には、高電圧に固定される、このときの電圧は、例えば10〜20V程度である。一方陽極側は、そのラインが点灯状態であれば、所定の電流を流すのに必要な電圧が印加されることとなり、通常は、陰極の非選択電位と同等になるので10〜20V程度である。非点灯状態であれば、グランド電位に固定される。従って、ストライプパターンを表示した場合には、隣接する陽極間電圧は20Vに及ぶことがあり、これは、液晶表示装置で印加される電圧よりも大きい。   In the case of a simple matrix display device, the cathode side becomes a ground potential when selected, and is fixed at a high voltage when not selected. The voltage at this time is about 10 to 20 V, for example. On the other hand, on the anode side, if the line is in a lighting state, a voltage necessary for flowing a predetermined current is applied, and is usually about 10 to 20 V because it is equivalent to the non-selection potential of the cathode. . If it is not lit, it is fixed at the ground potential. Therefore, when a stripe pattern is displayed, the voltage between adjacent anodes may reach 20 V, which is higher than the voltage applied in the liquid crystal display device.

このように隣り合う陽極配線間に高電圧が印加されると接続端子26のAlが電食してしまうということがあった。すなわち、接続端子26に電気化学的な腐食現象が発生し、Alの露出している部分が酸化されてしまうことがあった。特に高精細化のため陽極配線のピッチが狭くなると、隣り合う陽極配線間において電界強度がさらに高くなってしまう。このため、Alの電食がより発生しやすくなる。Alが電食により酸化された場合、コンタクト抵抗が劣化してしまうという問題点があった。   In this way, when a high voltage is applied between the adjacent anode wirings, Al of the connection terminal 26 may be eroded. That is, an electrochemical corrosion phenomenon occurs in the connection terminal 26, and the exposed portion of Al may be oxidized. In particular, when the pitch of the anode wiring is narrowed for high definition, the electric field strength is further increased between the adjacent anode wirings. For this reason, electric corrosion of Al is more likely to occur. When Al is oxidized by electrolytic corrosion, there is a problem that the contact resistance is deteriorated.

接続端子26はシール材により封止された空間の外側に配置される。従って、特に高温、高湿度環境下で有機EL表示装置を使用する場合、徐々にAlの電食が進行してしまう。電食に起因するコンタクト抵抗の劣化により、有機EL表示装置の表示特性が劣化する。また、接続端子26をACFと接続した後、電食を防ぐために接続部を樹脂で覆うようにした場合でも、樹脂に水分等が含まれていることがあるため、電食が発生してしまう。
特開平11−317292号公報 特開2001−351778号公報
The connection terminal 26 is disposed outside the space sealed with the sealing material. Therefore, especially when using an organic EL display device in a high temperature and high humidity environment, the electrolytic corrosion of Al gradually proceeds. The display characteristics of the organic EL display device deteriorate due to the deterioration of the contact resistance caused by the electrolytic corrosion. In addition, even after the connection terminal 26 is connected to the ACF and the connection portion is covered with a resin in order to prevent electric corrosion, the resin may contain moisture or the like, and thus electric corrosion occurs. .
JP 11-317292 A JP 2001-351778 A

このように従来の有機EL表示装置では、接続端子に金属を用いた場合、接続端子を構成する金属の電食に起因して表示特性が劣化するという問題点があった。   As described above, in the conventional organic EL display device, when a metal is used for the connection terminal, there is a problem that display characteristics deteriorate due to the electrolytic corrosion of the metal constituting the connection terminal.

本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、表示特性の劣化が低減された有機EL表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic EL display device in which deterioration of display characteristics is reduced.

本発明の第1の態様にかかる有機EL表示装置は、第1の基板(例えば、本実施の形態における基板11)上に配列された複数の第1配線(例えば、本実施の形態における陽極配線1)と、前記第1配線と交差するよう配列された複数の第2配線(例えば、本実施の形態における陰極配線5)と、前記第1配線と前記第2配線との間に配置された有機層(例えば、本実施の形態における有機薄膜層)と、前記複数の第1配線又は前記複数の第2配線に対応して複数設けられ、前記第1配線又は前記第2配線に外部からの信号を供給する接続端子(例えば、本実施の形態における接続端子26)と、前記接続端子の側面を覆うように設けられた保護膜(例えば、本実施の形態におけるエッジカバー樹脂29)と、前記第1の基板の前記有機層が配置されている面に対向して設けられた第2の基板(例えば、本実施の形態における対向基板51)と、前記有機層を封止するため前記第1の基板と前記第2の基板との間に前記有機層を囲むよう設けられ、前記接続端子の内側に配置されたシール材(例えば、本実施の形態におけるシール材53)とを備え、前記接続端子が、最上層に下部金属よりも酸化電位が高いバリア層が形成された積層金属膜を有するものである。これにより、表示特性の劣化を低減することができる。   The organic EL display device according to the first aspect of the present invention includes a plurality of first wirings (for example, anode wirings in the present embodiment) arranged on a first substrate (for example, the substrate 11 in the present embodiment). 1), a plurality of second wirings arranged to intersect the first wiring (for example, the cathode wiring 5 in the present embodiment), and the first wiring and the second wiring. A plurality of organic layers (for example, the organic thin film layer in the present embodiment) and the plurality of first wirings or the plurality of second wirings are provided, and the first wirings or the second wirings are externally provided. A connection terminal for supplying a signal (for example, the connection terminal 26 in the present embodiment), a protective film (for example, the edge cover resin 29 in the present embodiment) provided so as to cover the side surface of the connection terminal; The organic layer of the first substrate is A second substrate (for example, the counter substrate 51 in the present embodiment) provided to face the placed surface, the first substrate and the second substrate for sealing the organic layer, And a sealing material (for example, the sealing material 53 in the present embodiment) disposed inside the connection terminal and surrounding the organic layer, and the connection terminal is formed of a lower metal on the uppermost layer. Also has a laminated metal film on which a barrier layer having a high oxidation potential is formed. Thereby, deterioration of display characteristics can be reduced.

本発明の第2の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記接続端子がAl又はAl合金を有し、前記バリア層は前記Al又はAl合金よりも酸化電位が高いものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。   In the organic EL display device according to the second aspect of the present invention, in the organic EL display device described above, the connection terminal has Al or an Al alloy, and the barrier layer has an oxidation potential higher than that of the Al or Al alloy. Is. Thereby, good contact resistance can be obtained, and deterioration of display characteristics can be reduced.

本発明の第3の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記バリア層がMo又はMo合金により形成されているものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。   The organic EL display device according to the third aspect of the present invention is the organic EL display device described above, wherein the barrier layer is made of Mo or Mo alloy. Thereby, good contact resistance can be obtained, and deterioration of display characteristics can be reduced.

本発明の第4の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記第1配線がITOにより形成され、前記第1配線上に設けられた前記接続端子の最下層がMo又はMo合金により形成されているものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。   An organic EL display device according to a fourth aspect of the present invention is the above-described organic EL display device, wherein the first wiring is formed of ITO, and the lowermost layer of the connection terminal provided on the first wiring is Mo. Or it is formed with Mo alloy. Thereby, good contact resistance can be obtained, and deterioration of display characteristics can be reduced.

本発明の第5の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記第1配線と前記第2配線とが交差する位置に開口部(例えば、本実施の形態における開口部23)を有し、前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた絶縁膜(例えば、本実施の形態における絶縁膜22)をさらに備え、前記絶縁膜と前記保護膜とが同一の材料により形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で表示特性の劣化を低減することができる。   An organic EL display device according to a fifth aspect of the present invention is the above-described organic EL display device, wherein an opening (for example, an opening in the present embodiment) is formed at a position where the first wiring and the second wiring intersect. And an insulating film (for example, the insulating film 22 in the present embodiment) provided between the first wiring and the second wiring, and the insulating film and the protective film are the same It is formed of the material. Thereby, deterioration of display characteristics can be reduced by a simple manufacturing process.

本発明の第6の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記第2配線をパターニングする隔壁(例えば、本実施の形態における隔壁10)をさらに備え、前記隔壁と前記保護膜とが同一の材料により形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で表示特性の劣化を低減することができる。   An organic EL display device according to a sixth aspect of the present invention is the above-described organic EL display device, further comprising a partition wall (for example, the partition wall 10 in the present embodiment) for patterning the second wiring, The protective film is formed of the same material. Thereby, deterioration of display characteristics can be reduced by a simple manufacturing process.

本発明の第7の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記シール材が前記保護膜の内側に形成されているものである。これにより、有機層が封止された空間に侵入する水分等を低減することができる。   An organic EL display device according to a seventh aspect of the present invention is the organic EL display device described above, wherein the sealing material is formed inside the protective film. Thereby, the water | moisture content etc. which penetrate | invade into the space where the organic layer was sealed can be reduced.

本発明の第8の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記第1配線上に設けられ、前記接続端子と同一の材料で形成された補助配線と、前記補助配線(例えば、本実施の形態における陽極補助配線30)を前記保護膜と同一の材料で被覆する被覆膜(例えば、本実施の形態における被覆膜31)とをさらに備えるものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。   An organic EL display device according to an eighth aspect of the present invention is the above-described organic EL display device, wherein the auxiliary wiring provided on the first wiring and made of the same material as the connection terminal, and the auxiliary wiring A coating film (for example, the coating film 31 in the present embodiment) that covers (for example, the anode auxiliary wiring 30 in the present embodiment) with the same material as the protective film is further provided. Thereby, good contact resistance can be obtained, and deterioration of display characteristics can be reduced.

本発明の第9の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記シール材が前記被覆膜と前記保護膜との間に配置されているものである。これにより、有機層が封止された空間に侵入する水分等を低減することができる。   An organic EL display device according to a ninth aspect of the present invention is the above-described organic EL display device, wherein the sealing material is disposed between the coating film and the protective film. Thereby, the water | moisture content etc. which penetrate | invade into the space where the organic layer was sealed can be reduced.

本発明の第10の態様にかかる有機EL表示装置は、上述の有機EL表示装置において、前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも1V以上高いものである。   The organic EL display device according to the tenth aspect of the present invention is the organic EL display device described above, wherein the oxidation potential of the barrier layer is 1 V or more higher than the oxidation potential of the lower metal.

本発明の第11の態様にかかる有機EL表示装置の製造方法は、第1の基板上に配列された複数の第1配線と、前記第1配線と交差するよう配列された複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた有機層とを備える有機EL表示装置の製造方法であって、第1の基板上に導電性材料を成膜するステップ(例えば、本発明の実施の形態におけるステップS101)と、前記導電性材料をパターニングして、前記複数の第2配線と対応して接続される複数の補助配線又は前記複数の第1配線を形成するステップ(例えば、本発明の実施の形態におけるS102)と、前記第1配線又は前記補助配線の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップ(例えば、本発明の実施の形態におけるステップS103)と、前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第1配線又は前記複数の補助配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップ(例えば、本発明の実施の形態におけるS104)と、前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップ(例えば、本発明の実施の形態におけるステップS106)と、前記第1配線上に有機層を形成するステップ(例えば、本発明の実施の形態におけるステップS108)と、前記第1配線上に形成された有機層の上に前記第2配線を形成するステップ(例えば、本発明の実施の形態におけるステップS109)と、前記第1の基板の前記有機層が形成された面に第2の基板を対向配置するステップと、前記第1の基板と前記第2の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせるステップとを備えるものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。   A method for manufacturing an organic EL display device according to an eleventh aspect of the present invention includes a plurality of first wirings arranged on a first substrate and a plurality of second wirings arranged to intersect the first wiring. And a method of manufacturing an organic EL display device comprising an organic layer provided between the first wiring and the second wiring, wherein a conductive material is formed on the first substrate (for example, Step S101 in the embodiment of the present invention, and patterning the conductive material to form a plurality of auxiliary wirings or the plurality of first wirings connected corresponding to the plurality of second wirings (For example, S102 in the embodiment of the present invention) and a step of forming a laminated metal film on the first wiring or the auxiliary wiring, the uppermost layer serving as a barrier layer having a higher oxidation potential than the lower metal (for example, Embodiments of the present invention Step S103) and patterning the laminated metal film to form a plurality of connection terminals for supplying signals from the outside in association with the plurality of first wirings or the plurality of auxiliary wirings (for example, book S104 in the embodiment of the invention, a step of providing a protective film covering the side surface of the connection terminal (for example, step S106 in the embodiment of the present invention), and a step of forming an organic layer on the first wiring ( For example, step S108) in the embodiment of the present invention, the step of forming the second wiring on the organic layer formed on the first wiring (for example, step S109 in the embodiment of the present invention), A step of disposing a second substrate on a surface of the first substrate on which the organic layer is formed, and a step between the first substrate and the second substrate. It was a sealing material, in which and a step of bonding the first substrate and the second substrate via the sealing material disposed inside of the connection terminal. Thereby, good contact resistance can be obtained, and deterioration of display characteristics can be reduced.

本発明の第12の態様にかかる有機EL表示装置の製造方法は、第1の基板上に配列された複数の第1配線と、前記第1配線と交差するよう配列された複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた有機層とを備える有機EL表示装置の製造方法であって、第1の基板上に導電性材料を成膜するステップと、前記導電性材料の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第1配線又は前記複数の第2配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップと、前記導電性材料をパターニングして、前記複数の接続端子と前記複数の第2配線とを接続する複数の補助配線又は前記複数の第1配線を形成するステップと、前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップと、前記第1配線上に前記有機層を形成するステップと、前記第1配線上に形成された前記有機層の上に前記第2配線を形成するステップと、前記第1の基板の前記有機層が形成された面に第2の基板を対向配置するステップと、前記第1の基板と前記第2の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせるステップとを備えるものである。これにより、表示特性の劣化を低減することができる。   A manufacturing method of an organic EL display device according to a twelfth aspect of the present invention includes a plurality of first wirings arranged on a first substrate and a plurality of second wirings arranged to intersect the first wiring. And a method of manufacturing an organic EL display device comprising an organic layer provided between the first wiring and the second wiring, the step of forming a conductive material on the first substrate; Forming a laminated metal film whose uppermost layer is a barrier layer having an oxidation potential higher than that of the lower metal on the conductive material; and patterning the laminated metal film to send an external signal to the plurality of second layers. Forming a plurality of connection terminals to be supplied in association with one wiring or the plurality of second wirings, and patterning the conductive material to connect the plurality of connection terminals to the plurality of second wirings A plurality of auxiliary wirings or the plurality of first wirings Forming a protective film covering a side surface of the connection terminal, forming the organic layer on the first wiring, and forming the organic layer on the organic wiring on the first wiring. A step of forming a second wiring; a step of disposing a second substrate opposite to the surface of the first substrate on which the organic layer is formed; and providing between the first substrate and the second substrate. And a step of bonding the first substrate and the second substrate through a sealing material disposed inside the connection terminal. Thereby, deterioration of display characteristics can be reduced.

本発明の第13の態様にかかる有機EL表示装置の製造方法は、上述の有機EL表示装置の製造方法の前記保護膜を形成するステップにおいて、前記第1配線と前記第2配線と交差する位置に開口部を有する絶縁膜が前記第1配線と前記第2配線との間に形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で、表示特性の劣化が低減された有機EL表示装置を製造することができる。   According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic EL display device, wherein the first wiring and the second wiring intersect each other in the step of forming the protective film in the method for manufacturing the organic EL display device described above. An insulating film having an opening is formed between the first wiring and the second wiring. Thereby, the organic EL display device in which the deterioration of display characteristics is reduced can be manufactured by a simple manufacturing process.

本発明の第14態様にかかる有機EL表示装置の製造方法は、上述の有機EL表示装置の製造方法の前記保護膜を形成するステップにおいて、前記第2配線をパターニングする隔壁が形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で、表示特性の劣化が低減された有機EL表示装置を製造することができる。   In the method of manufacturing the organic EL display device according to the fourteenth aspect of the present invention, a partition for patterning the second wiring is formed in the step of forming the protective film of the method for manufacturing the organic EL display device described above. is there. Thereby, the organic EL display device in which the deterioration of display characteristics is reduced can be manufactured by a simple manufacturing process.

本発明の第15の態様にかかる有機EL表示装置の製造方法は、上述の有機EL表示装置の製造方法の前記保護膜を形成するステップにおいて、前記第2配線をパターニングする隔壁が形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で、表示特性の劣化が低減された有機EL表示装置を製造することができる。   In the organic EL display device manufacturing method according to the fifteenth aspect of the present invention, a partition for patterning the second wiring is formed in the step of forming the protective film of the organic EL display device manufacturing method. It is. Thereby, the organic EL display device in which the deterioration of display characteristics is reduced can be manufactured by a simple manufacturing process.

本発明の第10の態様にかかる有機EL表示装置の製造方法は、上述の有機EL表示装置の製造方法において、前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも1V以上高いものである。   An organic EL display device manufacturing method according to a tenth aspect of the present invention is the above-described organic EL display device manufacturing method, wherein the oxidation potential of the barrier layer is 1 V or more higher than the oxidation potential of the lower metal. .

本発明によればコンタクト抵抗が低減され、表示特性の劣化が低減された有機EL表示装置を提供することができる。   According to the present invention, an organic EL display device with reduced contact resistance and reduced display characteristics can be provided.

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
発明の実施の形態1.
Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description explains the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description is omitted and simplified as appropriate. Further, those skilled in the art will be able to easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention. In addition, what attached | subjected the same code | symbol in each figure has shown the same element, and abbreviate | omits description suitably.
Embodiment 1 of the Invention

本実施の形態にかかる有機EL表示装置の有機EL発光素子が形成されている素子基板について図1を用いて説明する。図1は有機EL表示装置の素子基板100の構成を示す平面図である。1は陽極配線、5は陰極配線、10は隔壁、11は基板、21は陰極補助配線、22は絶縁膜、23は開口部、25はコンタクトホール、35は端子部である。   An element substrate on which an organic EL light emitting element of the organic EL display device according to the present embodiment is formed will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an element substrate 100 of an organic EL display device. Reference numeral 1 denotes an anode wiring, 5 denotes a cathode wiring, 10 denotes a partition, 11 denotes a substrate, 21 denotes a cathode auxiliary wiring, 22 denotes an insulating film, 23 denotes an opening, 25 denotes a contact hole, and 35 denotes a terminal portion.

基板11上には、基板11の表面に接するように複数の陽極配線1が形成されている。複数の陽極配線1はそれぞれ平行に配列されている。陽極配線1の端部にはそれぞれの陽極配線1に対応付けられた複数の端子部35が配列されている。陽極配線1と交差するように陰極配線5が配置され、陰極配線5の端部には陰極補助配線21が形成されている。陰極補助配線21は陰極配線5の本数に対応して形成されている。この端子部35に接続端子が設けられ、外部配線、駆動回路と接続される。   A plurality of anode wirings 1 are formed on the substrate 11 so as to be in contact with the surface of the substrate 11. The plurality of anode wirings 1 are arranged in parallel. A plurality of terminal portions 35 associated with each anode wiring 1 are arranged at the end of the anode wiring 1. A cathode wiring 5 is disposed so as to intersect the anode wiring 1, and a cathode auxiliary wiring 21 is formed at the end of the cathode wiring 5. The cathode auxiliary wiring 21 is formed corresponding to the number of the cathode wirings 5. The terminal portion 35 is provided with a connection terminal and is connected to an external wiring and a drive circuit.

陽極配線1は例えば、ITO等などの透明導電膜により形成される。端子部35は多層構造の金属膜により形成された接続端子(図1では図示せず)を備えている。例えば、下からMo層、Al層、Mo層の順番で接続端子となる積層金属膜が構成される。なお、陰極補助配線21は接続端子と同様に多層構造の金属膜により形成されてもよい。あるいは陰極補助配線21は陽極配線1と同じ工程により形成されても良い。さらには透明導電膜と積層金属膜とを積層して陰極補助配線21を形成しても良い。これらの配線が形成された基板上には、絶縁膜22が形成される。絶縁膜22の膜厚は、例えば、0.7μmである。絶縁膜22には、陽極配線1と陰極配線5とが交差する位置(すなわち表示画素となる位置)に開口部23が設けられている。   The anode wiring 1 is formed of a transparent conductive film such as ITO. The terminal portion 35 includes a connection terminal (not shown in FIG. 1) formed of a metal film having a multilayer structure. For example, a laminated metal film serving as a connection terminal is formed in the order of Mo layer, Al layer, and Mo layer from the bottom. In addition, the cathode auxiliary wiring 21 may be formed of a metal film having a multilayer structure similarly to the connection terminal. Alternatively, the cathode auxiliary wiring 21 may be formed by the same process as the anode wiring 1. Furthermore, the cathode auxiliary wiring 21 may be formed by laminating a transparent conductive film and a laminated metal film. An insulating film 22 is formed on the substrate on which these wirings are formed. The film thickness of the insulating film 22 is 0.7 μm, for example. In the insulating film 22, an opening 23 is provided at a position where the anode wiring 1 and the cathode wiring 5 intersect (that is, a position serving as a display pixel).

表示領域の外側には陰極補助配線21と陰極配線5とを接続するため、絶縁膜22にコンタクトホール25が形成されている。このコンタクトホール25において、陰極配線5と陰極補助配線21とが接続される。陰極補助配線21の端部には端子部(図示せず)が設けられており、外部配線、駆動回路と接続される。これにより、開口部23において陽極配線1と陰極配線5に挟まれる有機薄膜層に電流を流すことができ、有機薄膜層が発光する。この開口部23が設けられている領域が表示領域となり、所望の画像を表示することができる。   A contact hole 25 is formed in the insulating film 22 to connect the cathode auxiliary wiring 21 and the cathode wiring 5 to the outside of the display area. In the contact hole 25, the cathode wiring 5 and the cathode auxiliary wiring 21 are connected. A terminal portion (not shown) is provided at the end of the cathode auxiliary wiring 21 and is connected to an external wiring and a drive circuit. Thereby, an electric current can be sent through the organic thin film layer sandwiched between the anode wiring 1 and the cathode wiring 5 in the opening 23, and the organic thin film layer emits light. The area where the opening 23 is provided becomes a display area, and a desired image can be displayed.

絶縁膜22の上層には、複数の有機薄膜層(有機化合物層)、陰極配線5が順に積層される。従って、有機薄膜層は陰極配線5と陽極配線1に挟まれる構成となる。ただし、図1では有機薄膜層の図示を省略している。また、有機薄膜層を形成する前に、隣接する陰極配線同士を区分する分離構造体(以下、隔壁10と記す。)が設けられる。隔壁10は、陰極配線5を蒸着等により形成する前に、所望のパターンに形成される。例えば、図1に示すように、陽極配線1と直交する複数の陰極配線5を形成するため、陽極配線1と直交する複数の隔壁10が陽極配線1の上に形成される。   A plurality of organic thin film layers (organic compound layers) and the cathode wiring 5 are sequentially stacked on the insulating film 22. Accordingly, the organic thin film layer is sandwiched between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1. However, illustration of the organic thin film layer is omitted in FIG. In addition, before the organic thin film layer is formed, a separation structure (hereinafter referred to as a partition wall 10) that separates adjacent cathode wirings is provided. The barrier rib 10 is formed in a desired pattern before the cathode wiring 5 is formed by vapor deposition or the like. For example, as shown in FIG. 1, a plurality of partition walls 10 orthogonal to the anode wiring 1 are formed on the anode wiring 1 in order to form a plurality of cathode wirings 5 orthogonal to the anode wiring 1.

隔壁10は、逆テーパ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板11から離れるにつれて断面が広がるように形成されることが好ましい。これにより、隔壁10の側壁及び立ち上がり部分が蒸着の陰となり、陰極配線5を分離配置することができる。隔壁10は例えば、高さが3.4μmで、幅が10μmで形成することができる。   The partition wall 10 preferably has an inverted taper structure. That is, it is preferable that the cross-section is formed so as to be separated from the substrate 11. Thereby, the side wall and the rising portion of the partition wall 10 are the shadow of the vapor deposition, and the cathode wiring 5 can be separately disposed. The partition wall 10 can be formed with a height of 3.4 μm and a width of 10 μm, for example.

隔壁10が形成された後、有機薄膜層が蒸着法あるいは塗布法等により形成される。さらに有機薄膜層の上から金属を蒸着する。蒸着された金属膜は逆テーパ構造の隔壁10により分断され、複数の陰極配線5が形成される。陰極配線5は隔壁10に沿うようにパターニングされ、陰極配線5は隔壁10と平行に配置される。陰極配線5となる金属膜は隔壁10の外側には形成されないようマスクを用いて蒸着される。有機EL素子基板は上述のような構成を備えている。   After the partition wall 10 is formed, an organic thin film layer is formed by a vapor deposition method or a coating method. Further, a metal is deposited on the organic thin film layer. The deposited metal film is divided by a partition wall 10 having a reverse taper structure to form a plurality of cathode wirings 5. The cathode wiring 5 is patterned along the partition wall 10, and the cathode wiring 5 is arranged in parallel with the partition wall 10. The metal film to be the cathode wiring 5 is deposited using a mask so as not to be formed outside the partition wall 10. The organic EL element substrate has the above-described configuration.

端子部35には外部配線と接続する接続端子が設けられている。例えば、陽極配線1の基板端側に設けられた端子部35に異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)を貼付け、駆動回路が設けられたTCP(Tape Carrier Package)を接続する。これにより、それぞれの陽極配線1に駆動電圧を供給することができる。また、陰極補助配線21の一部が外部配線と接続する端子部となり、ACFを介してTCPと接続される。   The terminal portion 35 is provided with a connection terminal that is connected to an external wiring. For example, an anisotropic conductive film (ACF) is attached to the terminal portion 35 provided on the substrate end side of the anode wiring 1 and a TCP (Tape Carrier Package) provided with a drive circuit is connected. Thereby, a driving voltage can be supplied to each anode wiring 1. Further, a part of the auxiliary cathode wiring 21 becomes a terminal portion connected to the external wiring, and is connected to the TCP via the ACF.

この素子基板100に有機薄膜層を封止するための対向基板を貼り合わせる。具体的には捕水材を有する対向基板にシール材を塗布する。素子基板側においてシール材がシールパターン50に配置されるよう、対向基板にシール材がディスペンサにより塗布される。素子基板100と対向基板を対向配置して貼り合わせることにより、有機薄膜層が諷刺され、有機EL表示装置が完成する。端子部35はシールパターン50の外側に設けられているため、シール材により封止された空間の外側に配置される。   A counter substrate for sealing the organic thin film layer is bonded to the element substrate 100. Specifically, a sealing material is applied to the counter substrate having a water capturing material. The sealing material is applied to the counter substrate by a dispenser so that the sealing material is arranged in the seal pattern 50 on the element substrate side. By stacking the element substrate 100 and the counter substrate so as to face each other, the organic thin film layer is stabbed and the organic EL display device is completed. Since the terminal portion 35 is provided outside the seal pattern 50, the terminal portion 35 is disposed outside the space sealed with the sealing material.

次に端子部35の周辺の構成について図2及び図3を用いて説明する。図2は端子部35周辺の構成を拡大して示す上面図である。図3は端子部35周辺の構成を示す断面図である。26は接続端子、29はエッジカバー樹脂、51は対向基板、52は捕水材、53はシール材、61はACF、62はFPC(Flexible Printed Circuit)、63はFPC62に設けられた導電層である。   Next, the configuration around the terminal portion 35 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is an enlarged top view showing the configuration around the terminal portion 35. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration around the terminal portion 35. 26 is a connection terminal, 29 is an edge cover resin, 51 is a counter substrate, 52 is a water catching material, 53 is a sealing material, 61 is an ACF, 62 is an FPC (Flexible Printed Circuit), and 63 is a conductive layer provided on the FPC 62. is there.

図2において、下側が表示領域である。図3においては右側が表示領域である。陽極配線1の端部には接続端子26が形成されている。接続端子26は陽極配線1の上に陽極配線1とほぼ同じ幅あるいは若干狭い幅で形成される。すなわち、接続端子26は陽極配線1上に島状に形成される。接続端子26は例えば、Mo層、Al層、Mo層の3層からなる積層金属膜により形成される。接続端子26はそれぞれの陽極配線1に対応して形成されている。従って、接続端子26は陽極配線1と同様に並列に配置されるため、端子間の距離が短くなる。   In FIG. 2, the lower side is a display area. In FIG. 3, the right side is a display area. A connection terminal 26 is formed at the end of the anode wiring 1. The connection terminal 26 is formed on the anode wiring 1 with substantially the same width as the anode wiring 1 or slightly narrower. That is, the connection terminal 26 is formed in an island shape on the anode wiring 1. For example, the connection terminal 26 is formed of a laminated metal film including three layers of an Mo layer, an Al layer, and an Mo layer. The connection terminal 26 is formed corresponding to each anode wiring 1. Therefore, since the connection terminals 26 are arranged in parallel like the anode wiring 1, the distance between the terminals is shortened.

接続端子26の外周を覆うようにエッジカバー樹脂29が形成されている。エッジカバー樹脂29は絶縁膜22と同一の工程により形成される。エッジカバー樹脂29は一部が陽極配線1の上からはみ出し、基板11上に直接配置される。すなわち、エッジカバー樹脂29は陽極配線1よりも幅広に形成される。図2に示すように隣り合う陽極配線1に対応するエッジカバー樹脂29は分離して形成されている。このため、各陽極配線間においてそれぞれの配線に対応するエッジカバー樹脂29に隙間が生じる。これにより、基板が露出した部分とACF51が接触して、ACF61との密着性を向上することができる。   An edge cover resin 29 is formed so as to cover the outer periphery of the connection terminal 26. The edge cover resin 29 is formed by the same process as the insulating film 22. The edge cover resin 29 partially protrudes from the anode wiring 1 and is directly disposed on the substrate 11. That is, the edge cover resin 29 is formed wider than the anode wiring 1. As shown in FIG. 2, the edge cover resin 29 corresponding to the adjacent anode wirings 1 is formed separately. For this reason, a gap is generated in the edge cover resin 29 corresponding to each wiring between the anode wirings. As a result, the ACF 51 comes into contact with the exposed portion of the substrate, and the adhesion with the ACF 61 can be improved.

図3に示すように、基板11上に設けられた陽極配線1の上には直接、接続端子26が形成されている。従って、接続端子26と陽極配線1は電気的に接続されている。この接続端子26の側面全体を覆うようにエッジカバー樹脂29が形成されている。エッジカバー樹脂29は接続端子26の上面が露出するよう一部が除去されている。エッジカバー樹脂29が除去され、接続端子26が露出している部分にACF61を設ける。   As shown in FIG. 3, the connection terminal 26 is formed directly on the anode wiring 1 provided on the substrate 11. Therefore, the connection terminal 26 and the anode wiring 1 are electrically connected. An edge cover resin 29 is formed so as to cover the entire side surface of the connection terminal 26. The edge cover resin 29 is partially removed so that the upper surface of the connection terminal 26 is exposed. The edge cover resin 29 is removed, and the ACF 61 is provided in the portion where the connection terminal 26 is exposed.

ACF61の上は駆動回路(図示せず)を実装したTCPのFPC62が取り付けられる。従って、FPC62の下側に設けられている導電層63と接続端子26がACF61を介して接続される。これにより、接続端子26を介して駆動回路からの信号を陽極配線1に供給することができる。接続端子26は複数の陽極配線1のそれぞれの上に設けられており、それぞれの陽極配線1に対応した信号を供給することができる。   A TCP FPC 62 mounted with a drive circuit (not shown) is attached on the ACF 61. Therefore, the conductive layer 63 provided on the lower side of the FPC 62 and the connection terminal 26 are connected via the ACF 61. Thereby, a signal from the drive circuit can be supplied to the anode wiring 1 through the connection terminal 26. The connection terminal 26 is provided on each of the plurality of anode wirings 1 and can supply a signal corresponding to each anode wiring 1.

上述の構成により、接続端子26の中間に配置されたAl層では上面がAl層よりも酸化電位が高く酸化し難いバリア層であるMo層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂29で覆われる。Al層の下面は下層のMo層により覆われている。これにより、接続端子26のAl層の全体を覆うことができ、Al層が露出する部分が無くなる。隣り合う陽極配線1間に直流電圧が印加された場合でも、Al層の腐食を防ぐことができる。従って、Al層の腐食に起因するコンタクト抵抗の劣化を防ぐことができ、表示特性の劣化を防止することができる。なお、バリア層の酸化電位は下層の金属の酸化電位よりも1V以上高いことが望ましい。   With the above-described configuration, the upper surface of the Al layer disposed in the middle of the connection terminal 26 is covered with the Mo layer, which is a barrier layer having a higher oxidation potential than the Al layer and hardly oxidizes, and the side surface is covered with the edge cover resin 29. The lower surface of the Al layer is covered with a lower Mo layer. Thereby, the entire Al layer of the connection terminal 26 can be covered, and the portion where the Al layer is exposed is eliminated. Even when a DC voltage is applied between the adjacent anode wirings 1, corrosion of the Al layer can be prevented. Therefore, it is possible to prevent the contact resistance from being deteriorated due to the corrosion of the Al layer, and to prevent the display characteristics from being deteriorated. Note that the oxidation potential of the barrier layer is desirably 1 V or more higher than the oxidation potential of the underlying metal.

さらに、積層金属膜の最上層をMo層とすることで、ACF61とのコンタクト抵抗を低減することができる。また、積層金属膜の最下層をMoとすることにより、Mo層と陽極配線1が接触する構成となる。これにより、ITOからなる陽極配線1とのコンタクト抵抗を低減することができ、配線抵抗を低減することができる。   Furthermore, the contact resistance with ACF61 can be reduced by making Mo the uppermost layer of a laminated metal film. Moreover, it becomes the structure which Mo layer and the anode wiring 1 contact by making the lowest layer of a laminated metal film into Mo. Thereby, contact resistance with the anode wiring 1 made of ITO can be reduced, and wiring resistance can be reduced.

図3に示すように接続端子26及びエッジカバー樹脂29はシール材53の外側に配置される。対向基板51は一部がエッチングにより薄くなっている。この薄くなっている部分が捕水材収納部となる。捕水材収納部に捕水材52が載置される。捕水材52を設けた対向基板51はシール材53を介して基板11に貼り付けられる。シール材53は陽極配線1を横断するよう陽極配線1の上に直接設けられる。これにより、封止された空間に水分等が浸入するのを防ぐことができる。   As shown in FIG. 3, the connection terminal 26 and the edge cover resin 29 are disposed outside the sealing material 53. A part of the counter substrate 51 is thinned by etching. This thinned portion becomes the water catching material storage portion. A water catching material 52 is placed in the water catching material storage unit. The counter substrate 51 provided with the water catching material 52 is attached to the substrate 11 through a sealing material 53. The sealing material 53 is provided directly on the anode wiring 1 so as to cross the anode wiring 1. Thereby, it is possible to prevent moisture and the like from entering the sealed space.

次に、図4を用いて、本実施例にかかる有機ELディスプレイの製造方法について説明する。図4は、本実施例にかかる有機ELディスプレイの製造方法の一例を示すフローチャートである。   Next, the manufacturing method of the organic EL display concerning a present Example is demonstrated using FIG. FIG. 4 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing an organic EL display according to this example.

まず、基板11上に陽極配線1となるITO膜を成膜する(ステップS101)。基板11として、例えばガラス基板等の透明基板を用いる。ガラス基板としては、たとえばソーダライムガラスを使用することができる。ITO膜の厚さは通常50〜200nmである。より好ましくは100〜150nmである。典型的には、DCスパッタ法により作製した厚さ150nmのITO膜である。ITO膜は、一般的には、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD)で作製することができる。この説明ではITO膜を使用する。もちろんITO以外にもIZO等の透明な金属酸化物からなる導電膜でもよい。   First, an ITO film to be the anode wiring 1 is formed on the substrate 11 (step S101). As the substrate 11, for example, a transparent substrate such as a glass substrate is used. As the glass substrate, for example, soda lime glass can be used. The thickness of the ITO film is usually 50 to 200 nm. More preferably, it is 100-150 nm. Typically, it is an ITO film having a thickness of 150 nm manufactured by a DC sputtering method. In addition to the above, the ITO film can be generally produced by physical vapor deposition (PVD) such as vacuum deposition or ion plating. In this description, an ITO film is used. Of course, other than ITO, a conductive film made of a transparent metal oxide such as IZO may be used.

ITOはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。フォトリソグラフィー及びエッチングによりITO膜をパターニングして、陽極配線1を形成する(ステップS102)。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、例えば、塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してITOをパターニングすることができる。レジスト剥離材としては例えば、モノエタノールアミンを使用することができる。   ITO can be formed on the entire surface of the glass substrate with good uniformity by sputtering or vapor deposition. The ITO film is patterned by photolithography and etching to form the anode wiring 1 (step S102). A phenol novolac resin is used as the resist, and exposure development is performed. Etching may be either wet etching or dry etching. For example, ITO can be patterned using a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and nitric acid. As the resist stripping material, for example, monoethanolamine can be used.

次にMo層、Al層、Mo層の積層金属膜をDCスパッタ法により成膜する(ステップS103)。これらは連続して成膜することができる。積層金属膜は、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD)、電解めっき、無電解めっき等のめっき法で作製することができる場合がある。   Next, a laminated metal film of Mo layer, Al layer, and Mo layer is formed by DC sputtering (step S103). These can be continuously formed. In addition, the laminated metal film may be produced by a physical vapor deposition method (PVD) such as a vacuum deposition method or an ion plating method, or a plating method such as electrolytic plating or electroless plating.

上層及び下層のMo層の厚さはそれぞれ、通常50〜200nmであり、Al層の厚さは、通常200〜400nmである。Moの代わりにMo合金を用いると耐腐食性が向上する。Mo合金としては、2成分系のMo−W、Mo−Nb、Mo−V、Mo−Taなどを用いることが好ましい。   The thicknesses of the upper and lower Mo layers are usually 50 to 200 nm, and the thickness of the Al layer is usually 200 to 400 nm. When Mo alloy is used instead of Mo, corrosion resistance is improved. As the Mo alloy, it is preferable to use binary Mo-W, Mo-Nb, Mo-V, Mo-Ta, or the like.

Alの代わりにAl合金を用いることもできる。Al,Al合金のいずれかよりなる層として純Alを適用する場合には、ヒロックの発生を抑制するため、成膜温度を100℃以下にすることが好ましい。Al合金を使用する場合、Al−Ndを使用するとキュア時に低抵抗化できる点で好ましい。さらに、Al−Si、さらに、3成分系のAl−Si−Cu等も適用可能である。ここでは、Mo、Al、Moの3層の組み合わせを使用することとする。   An Al alloy can be used instead of Al. When pure Al is applied as a layer made of either Al or Al alloy, it is preferable to set the film forming temperature to 100 ° C. or lower in order to suppress generation of hillocks. When using an Al alloy, it is preferable to use Al—Nd because the resistance can be reduced during curing. Furthermore, Al—Si, ternary Al—Si—Cu, and the like are also applicable. Here, a combination of three layers of Mo, Al, and Mo is used.

その後、積層金属膜をパターニングする(ステップS104)。例えば、フォトリソ工程でレジストをパターニングし、積層金属膜をエッチングし、レジストを剥離する。この場合のレジストも、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのようなものを使用してもよい。   Thereafter, the laminated metal film is patterned (step S104). For example, the resist is patterned by a photolithography process, the laminated metal film is etched, and the resist is peeled off. Any known resist may be used as long as it does not contradict the spirit of the present invention.

エッチングには、たとえば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。レジストの剥離についても、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのような剥離剤を使用してもよい。   For the etching, for example, an etching solution made of a mixed aqueous solution of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid can be used. Any known stripping agent may be used for stripping the resist as long as it does not violate the gist of the present invention.

Mo層およびAl層はこのエッチング液で一括エッチングが可能である。これにより接続端子26が形成される。なお、この工程で陰極補助配線21をパターニングする。なお、この工程だけでなく、ITOのパターニング工程(S102)で陰極補助配線21が形成することも可能である。この場合、ITOからなる陰極補助配線21が形成される。さらには、この工程(ステップS104)とITOのパターニング工程(S102)の両方で陰極補助配線21を形成することも可能である。この場合、陰極補助配線21はITOと積層金属膜の多層構成となる。   The Mo layer and the Al layer can be collectively etched with this etching solution. Thereby, the connection terminal 26 is formed. In this step, the cathode auxiliary wiring 21 is patterned. The cathode auxiliary wiring 21 can be formed not only in this step but also in the ITO patterning step (S102). In this case, the cathode auxiliary wiring 21 made of ITO is formed. Furthermore, the cathode auxiliary wiring 21 can be formed by both this step (step S104) and the ITO patterning step (S102). In this case, the cathode auxiliary wiring 21 has a multilayer structure of ITO and a laminated metal film.

なお、上記のITO膜の成膜工程(S101)から積層金属膜のパターニング工程(ステップS104)の代わりに、ITO膜と積層金属膜とをスパッタ法で順に成膜し、その後、積層金属膜とITO膜とをこの順番でパターニングすることも可能である。すなわち、ITO膜の成膜工程(ステップS101)、積層金属膜の成膜工程(ステップS103)、積層金属膜のパターニング工程(ステップS104)、ITOのパターニング工程(ステップS102)の順番で陽極配線1及び接続端子26を形成することも可能である。なお、ITOの成膜工程(ステップS101)の前に、基板全面にシリカコート膜を形成しても良い。   Instead of the ITO film forming step (S101) to the laminated metal film patterning step (step S104), an ITO film and a laminated metal film are sequentially formed by sputtering, and then the laminated metal film and It is also possible to pattern the ITO film in this order. That is, the anode wiring 1 in the order of the ITO film forming step (step S101), the laminated metal film forming step (step S103), the laminated metal film patterning step (step S104), and the ITO patterning step (step S102). It is also possible to form the connection terminal 26. Note that a silica coat film may be formed on the entire surface of the substrate before the ITO film forming step (step S101).

次に、陽極配線1、接続端子26及び陰極補助配線21を設けた基板11の面に上から絶縁膜22を成膜する(ステップS105)。例えば、感光性のポリイミドの溶液をスピンコーティングにより塗布する。この絶縁膜22の膜厚は、例えば、0.7μmになるようにすればよい。この絶縁膜22をパターニングする(ステップS106)。例えば、絶縁膜の層をフォトリソグラフィー工程、現像工程でパターニングした後、キュアし、表示画素となる位置の絶縁膜を除去し、開口部23を設ける。後述するステップS109で形成される陰極配線5と、陽極配線1との交差部分が表示画素となる位置である。   Next, the insulating film 22 is formed on the surface of the substrate 11 provided with the anode wiring 1, the connection terminal 26, and the cathode auxiliary wiring 21 (step S105). For example, a photosensitive polyimide solution is applied by spin coating. The thickness of the insulating film 22 may be set to 0.7 μm, for example. The insulating film 22 is patterned (step S106). For example, the insulating film layer is patterned by a photolithography process and a developing process, and then cured, and the insulating film at a position to be a display pixel is removed to provide an opening 23. The intersection between the cathode wiring 5 and the anode wiring 1 formed in step S109, which will be described later, is a position where a display pixel is formed.

この工程では接続端子26の外周に接続端子26の側面全体を覆うエッジカバー樹脂29のパターンが形成される。エッジカバー樹脂29は絶縁膜22のパターニング工程により形成されるため、エッジカバー樹脂29は絶縁膜22と同じ材料により構成される。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性を向上できる。   In this step, a pattern of the edge cover resin 29 that covers the entire side surface of the connection terminal 26 is formed on the outer periphery of the connection terminal 26. Since the edge cover resin 29 is formed by the patterning process of the insulating film 22, the edge cover resin 29 is made of the same material as the insulating film 22. Thereby, a manufacturing process can be simplified and productivity can be improved.

そして、接続端子26の表面が露出するようにパターニングされ、接続端子26の中間層であるAl層では上面がバリア層であるMo層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂29で覆われる。また下層はMo層で覆われる。これにより、接続端子26のAl層の全体を被覆することができる。隣り合う陽極配線間に高電圧が定常的に印加された場合でも電食によるAlの酸化を防ぐことができる。よって、コンタクト抵抗の低減に起因する表示特性の劣化を防ぐことができる。この構成を備えることにより配線間のピッチが狭いため、接続端子間の距離が短くなり、接続端子26が近接して配置された場合でも、接続端子26のAlの電食を防ぐことができる。   Then, patterning is performed so that the surface of the connection terminal 26 is exposed. In the Al layer that is an intermediate layer of the connection terminal 26, the upper surface is covered with the Mo layer that is the barrier layer, and the side surface is covered with the edge cover resin 29. The lower layer is covered with a Mo layer. Thereby, the entire Al layer of the connection terminal 26 can be covered. Even when a high voltage is constantly applied between adjacent anode wirings, Al oxidation due to electrolytic corrosion can be prevented. Therefore, it is possible to prevent display characteristics from being deteriorated due to reduction in contact resistance. By providing this configuration, the pitch between the wirings is narrow, so that the distance between the connection terminals is shortened, and even when the connection terminals 26 are arranged close to each other, Al electrolytic corrosion of the connection terminals 26 can be prevented.

同時に陰極配線5と陰極補助配線21とを接続するコンタクトホール25を形成する。例えば、画素に対応する開口部23は300μm×300μm程度で形成する。陰極配線5と陰極補助配線21とのコンタクトホール25は例えば、200μm×200μm以下で形成する。画素開口部が300μm×300μm程度の場合、陰極と補助配線とのコンタクト形成部を200μm×200μm以下とすると、素子全体の大きさに影響を与えなくて済むため好ましい。   At the same time, a contact hole 25 for connecting the cathode wiring 5 and the cathode auxiliary wiring 21 is formed. For example, the opening 23 corresponding to the pixel is formed with a size of about 300 μm × 300 μm. The contact hole 25 between the cathode wiring 5 and the cathode auxiliary wiring 21 is formed with, for example, 200 μm × 200 μm or less. In the case where the pixel opening is about 300 μm × 300 μm, it is preferable that the contact forming portion between the cathode and the auxiliary wiring is 200 μm × 200 μm or less because it does not affect the size of the entire device.

続いて、絶縁膜(ポリイミドの層)の表面において、64本の陰極配線5を分離配置できるように隔壁10を形成する(ステップS107)。なお、図1では、配線の本数について減らして図示している。隔壁10は、絶縁膜の上層にノボラック樹脂、アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を塗布することにより形成する。例えば、感光性樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。   Subsequently, the partition 10 is formed on the surface of the insulating film (polyimide layer) so that the 64 cathode wirings 5 can be separated and arranged (step S107). In FIG. 1, the number of wires is reduced and shown. The partition 10 is formed by applying a photosensitive resin such as a novolac resin or an acrylic resin film on the upper layer of the insulating film. For example, a photosensitive resin is spin-coated, patterned by a photolithography process, and then photoreacted to form cathode barrier ribs. It is desirable to use a negative type photosensitive resin so that the cathode partition has an inversely tapered structure.

ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。   When a negative photosensitive resin is used, when light is irradiated from above, the photoreaction becomes insufficient at deeper locations. As a result, when viewed from above, the cross-sectional area of the cured portion has a structure that is narrower on the lower side than on the upper side. This means that it has an inverted taper structure. With such a structure, the cathodes can be separated from each other because the portions that are shaded when viewed from the vapor deposition source during vapor deposition of the cathodes do not reach the vapor deposition.

なお、エッジカバー樹脂29は絶縁膜22のパターニング工程(ステップS106)で形成したが、隔壁10を形成する工程(ステップS107)で形成することも可能である。すなわち、隔壁10の材料であるノボラック樹脂等で接続端子26の外周を覆うようにパターニングする。従って、隔壁10と同じ材料でエッジカバー樹脂29が形成される。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性を向上できる。この場合、エッジカバー樹脂29は逆テーパ構造となる。   Note that the edge cover resin 29 is formed in the patterning step of the insulating film 22 (step S106), but may be formed in the step of forming the partition wall 10 (step S107). That is, patterning is performed so as to cover the outer periphery of the connection terminal 26 with a novolac resin or the like which is a material of the partition wall 10. Therefore, the edge cover resin 29 is formed of the same material as the partition wall 10. Thereby, a manufacturing process can be simplified and productivity can be improved. In this case, the edge cover resin 29 has a reverse taper structure.

さらに、開口部23のITO層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。例えば、並行平板RFプラズマ(高周波プラズマ)装置を用い、酸素プラズマ照射を実施して、ITO膜の表面改質を行う。   Further, in order to modify the surface of the ITO layer in the opening 23, oxygen plasma or ultraviolet light may be irradiated. For example, using a parallel plate RF plasma (high frequency plasma) apparatus, oxygen plasma irradiation is performed to modify the surface of the ITO film.

その後、有機薄膜層を積層する(ステップS108)。まず、開口部を有する金属マスクをガラス基板に取り付ける。このとき、金属マスクの開口部と有機薄膜層を設けるべき位置が重なるように配置し、また、金属マスクとガラス基板との間に50μmの空間が空くように取り付ける。そして、0.5%(質量百分率)のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布する。そして、溶液を濃縮乾燥して正孔注入層を形成する。なお、蒸着法によって、正孔注入層を形成することも可能である。   Thereafter, an organic thin film layer is stacked (step S108). First, a metal mask having an opening is attached to a glass substrate. At this time, the metal mask opening and the organic thin film layer are disposed so as to overlap each other, and are attached so that a space of 50 μm is left between the metal mask and the glass substrate. Then, an ethyl benzoate solution in which 0.5% (percentage by mass) of polyvinyl carbazole is dissolved is applied by a mask spray method. Then, the solution is concentrated and dried to form a hole injection layer. It is also possible to form a hole injection layer by a vapor deposition method.

続いて、正孔注入層の上層にα−NPD(N,N'−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン)を蒸着して膜厚40nmの正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるAlq(トリス(8−ヒドロキシナト)アルミニウム)と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン6とを同時に蒸着して、膜厚60nmの発光層を形成する。続いて、発光層の上層にLiFを蒸着して、膜厚0.5nmの陰極界面層を形成する。   Subsequently, α-NPD (N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine) is deposited on the upper layer of the hole injection layer to form a hole transport layer having a thickness of 40 nm. Form. Further, Alq (tris (8-hydroxynato) aluminum) serving as the host compound of the light emitting layer and coumarin 6 serving as the fluorescent dye of the guest compound are simultaneously vapor deposited on the upper layer to form a light emitting layer having a thickness of 60 nm. Form. Subsequently, LiF is deposited on the light emitting layer to form a cathode interface layer having a thickness of 0.5 nm.

その後、アルミニウム等の金属材料を蒸着して、膜厚100nmの陰極配線5を形成する(ステップS109)。この結果、隔壁10によってアルミニウム膜はパターニングされ、それぞれの陰極配線5に分離配置される。それぞれの隔壁間に陽極配線1と交差する陰極配線5を形成することができる。例えば、画素数に対応して64本の陰極配線5を形成する。これらの工程により有機EL素子基板が形成される。   Thereafter, a metal material such as aluminum is vapor-deposited to form a cathode wiring 5 having a thickness of 100 nm (step S109). As a result, the aluminum film is patterned by the partition walls 10 and separated and arranged on the respective cathode wirings 5. A cathode wiring 5 intersecting with the anode wiring 1 can be formed between the respective partition walls. For example, 64 cathode wirings 5 are formed corresponding to the number of pixels. An organic EL element substrate is formed by these steps.

次に上述の工程により形成された有機EL素子基板100の有機EL発光素子を封止するため、封止用の対向基板を製造する工程について説明する。まず。素子基板とは別のガラス基板を用意する。このガラス基板を加工して捕水材を収納するための捕水材収納部を形成する。捕水材収納部はガラス基板にレジストを塗布し、露光、現像により基板の一部を露出させる。この露出部分をエッチングにより薄くすることにより捕水材収納部を形成する。   Next, in order to seal the organic EL light emitting element of the organic EL element substrate 100 formed by the above-described steps, a step of manufacturing a sealing counter substrate will be described. First. A glass substrate different from the element substrate is prepared. The glass substrate is processed to form a water catching material storage for storing the water catching material. The water catching material storage part applies a resist to the glass substrate and exposes a part of the substrate by exposure and development. The exposed part is formed by etching to form a water catching material storage part.

この捕水材収納部に酸化カルシウム等の捕水材を配置した後、2枚の基板を重ね合わせて接着する。具体的には、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材として、例えば、エポキシ系紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、シール材は、有機EL素子と対向する領域の外周全体に塗布する。二枚の基板を位置合わせして対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために80℃のクリーンオーブン中で1時間熱処理を施す。この結果、シール材53および一対の基板によって、有機EL素子が存在する基板間と、基板の外部とが隔離される。捕水材を配置することにより、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機EL素子の劣化を防止することができる。   After a water catching material such as calcium oxide is disposed in the water catching material storage portion, the two substrates are stacked and bonded. Specifically, a sealing material is applied to the surface of the counter substrate on which the water catching material storage unit is provided using a dispenser. For example, an epoxy-based ultraviolet curable resin can be used as the sealing material. The sealing material is applied to the entire outer periphery of the region facing the organic EL element. After the two substrates are aligned and face each other, the sealing material is cured by irradiating ultraviolet rays, and the substrates are bonded to each other. Thereafter, heat treatment is performed in a clean oven at 80 ° C. for 1 hour in order to further accelerate the curing of the sealing material. As a result, the sealing material 53 and the pair of substrates separate the substrate where the organic EL element exists from the outside of the substrate. By disposing the water catching material, it is possible to prevent the organic EL element from being deteriorated due to moisture remaining or entering the sealed space.

シール材53は図3に示すように陽極配線1の上に直接設けられる。シール材53の位置は図1におけるシールパターン50の位置となる。従って、シール材53は接続端子26の内側(表示領域側)に配置される。これにより、シール材53によって封止された空間に水分等が浸入することを防ぐことができる。   The sealing material 53 is provided directly on the anode wiring 1 as shown in FIG. The position of the sealing material 53 is the position of the sealing pattern 50 in FIG. Therefore, the sealing material 53 is disposed on the inner side (display area side) of the connection terminal 26. Thereby, it is possible to prevent moisture and the like from entering the space sealed by the sealing material 53.

基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極補助配線26に信号電極ドライバを接続し、同様に陰極補助配線21の端子部に走査電極ドライバを接続する。陰極補助配線21には基板端部において陽極配線と同様に端子部が形成されている。この端子部に異方性導電フィルム(ACF)を貼付け、駆動回路が設けられたTCP(Tape Carrier Package)を接続する。ACF61は最上層がMo層である接続端子26と接触するため、コンタクト抵抗を低減することができる。   Unnecessary portions near the outer periphery of the substrate are cut and removed, a signal electrode driver is connected to the anode auxiliary wiring 26, and a scanning electrode driver is similarly connected to the terminal portion of the cathode auxiliary wiring 21. The cathode auxiliary wiring 21 is formed with a terminal portion at the substrate end in the same manner as the anode wiring. An anisotropic conductive film (ACF) is attached to this terminal portion, and a TCP (Tape Carrier Package) provided with a drive circuit is connected. Since the ACF 61 is in contact with the connection terminal 26 whose uppermost layer is an Mo layer, the contact resistance can be reduced.

具体的には端子部にACFを仮圧着する。ACFは日立化成製アニソルム7106Uを用いている。仮圧着温度は80℃で、圧着圧力は1.0MPa、圧着時間は5秒である。ついで駆動回路が内蔵されたTCPを端子部に本圧着する。本圧着温度は170度で、圧着圧力は2.0MPa、圧着時間は20秒である。これにより駆動回路が実装される。この有機EL表示パネルが筐体に取り付けられ、有機EL表示装置が完成する。   Specifically, ACF is temporarily crimped to the terminal portion. ACF uses Hitachi Chemical Anisolm 7106U. The temporary pressure bonding temperature is 80 ° C., the pressure bonding pressure is 1.0 MPa, and the pressure bonding time is 5 seconds. Next, the TCP with the built-in drive circuit is finally bonded to the terminal portion. The main pressure bonding temperature is 170 degrees, the pressure bonding pressure is 2.0 MPa, and the pressure bonding time is 20 seconds. Thereby, a drive circuit is mounted. This organic EL display panel is attached to the housing, and the organic EL display device is completed.

上述の説明では接続端子26を構成する積層金属膜のAl層の外周をエッジカバー樹脂29により覆うようにしたが、これ以外の保護膜により外周を覆うようにしてもよい。例えば、写真製版工程を増やせば、積層金属膜を構成する最上層のMo層によりAl層を覆うことも可能である。具体的にはMo層、Al層を成膜してパターニングした後、Mo層とAl層を覆うように最上層のMo層をパターニングする。これにより接続端子26の中間に配置されたAl層では上面及び側面がバリア層であるMo層で覆われる構成となる。このような構成を備えることにより、Al層の電食に基づくAlの酸化を防ぐことができ、発光特性の劣化を防ぐことができる。   In the above description, the outer periphery of the Al layer of the laminated metal film constituting the connection terminal 26 is covered with the edge cover resin 29, but the outer periphery may be covered with a protective film other than this. For example, if the photolithography process is increased, it is possible to cover the Al layer with the uppermost Mo layer constituting the laminated metal film. Specifically, after forming and patterning a Mo layer and an Al layer, the uppermost Mo layer is patterned so as to cover the Mo layer and the Al layer. As a result, the Al layer disposed in the middle of the connection terminal 26 has a configuration in which the upper surface and side surfaces are covered with the Mo layer which is a barrier layer. By providing such a configuration, the oxidation of Al based on the electrolytic corrosion of the Al layer can be prevented, and the deterioration of the light emission characteristics can be prevented.

また、上述の構成は陰極配線5と接続された陰極補助配線21に対しても適用することができる。例えば、上述で示した工程において、陽極配線1を構成する透明導電膜で陰極補助配線21を形成し、その上に積層金属膜からなる接続端子を形成する。さらに接続端子の側面を覆うエッジカバー樹脂を隔壁形成工程(ステップS107)又は絶縁膜形成工程(ステップS106)で形成する。これにより、陰極配線5と接続される陰極補助配線21についても図2及び図3で示した構成と同様の構成とすることができ、同様の効果を得ることができる。   The above-described configuration can also be applied to the cathode auxiliary wiring 21 connected to the cathode wiring 5. For example, in the process described above, the cathode auxiliary wiring 21 is formed with the transparent conductive film constituting the anode wiring 1, and the connection terminal made of the laminated metal film is formed thereon. Further, an edge cover resin that covers the side surfaces of the connection terminals is formed in the partition wall formation step (step S107) or the insulating film formation step (step S106). Thereby, the cathode auxiliary wiring 21 connected to the cathode wiring 5 can also have the same configuration as that shown in FIGS. 2 and 3, and the same effect can be obtained.

発明の実施の形態2.
本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成について図5及び図6を用いて説明する。図5は本実施の形態にかかる有機EL表示装置の有機EL素子基板における端子部周辺の構成を示す上面図である。図6は図5のA−A断面図である。実施の形態1で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
Embodiment 2 of the Invention
The configuration of the organic EL display device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a top view showing the configuration around the terminal portion of the organic EL element substrate of the organic EL display device according to the present embodiment. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The description of the same structure as that described in Embodiment 1 is omitted.

本実施の形態にかかる有機EL表示装置は、陽極配線1と接続された陽極補助配線30をさらに備えている。図6に示すように陽極配線1上に直接、陽極補助配線30を設けている。陽極補助配線30は接続端子26の表示領域側に、接続端子26と分離して形成されている。陽極補助配線30は接続端子26と同じ工程により形成されるため、接続端子26と同じ材料により形成される。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性を向上できる。陽極補助配線30は例えば、Mo層、Al層、Mo層の積層金属膜により構成される。陽極補助配線30はシール材53で封止された空間内に配置される。   The organic EL display device according to the present embodiment further includes an anode auxiliary wiring 30 connected to the anode wiring 1. As shown in FIG. 6, the anode auxiliary wiring 30 is provided directly on the anode wiring 1. The anode auxiliary wiring 30 is formed separately from the connection terminal 26 on the display area side of the connection terminal 26. Since the anode auxiliary wiring 30 is formed by the same process as the connection terminal 26, it is formed by the same material as the connection terminal 26. Thereby, a manufacturing process can be simplified and productivity can be improved. The anode auxiliary wiring 30 is composed of, for example, a laminated metal film of a Mo layer, an Al layer, and a Mo layer. The anode auxiliary wiring 30 is disposed in a space sealed with a sealing material 53.

図5に示すように陽極補助配線30の全体を覆うように被覆膜31が陽極補助配線30の上から形成されている。被覆膜31はエッジカバー樹脂29と同様の工程で形成されるため、エッジカバー樹脂29と被覆膜31は同じ材料で形成することができる。この被覆膜31により、積層金属膜からなる陽極補助配線30の酸化等を防ぐことができ、抵抗の劣化を低減することができる。   As shown in FIG. 5, a coating film 31 is formed on the anode auxiliary wiring 30 so as to cover the whole anode auxiliary wiring 30. Since the coating film 31 is formed in the same process as the edge cover resin 29, the edge cover resin 29 and the coating film 31 can be formed of the same material. The covering film 31 can prevent oxidation of the anode auxiliary wiring 30 made of the laminated metal film, and can reduce resistance deterioration.

陽極補助配線30は陽極配線1上に直接形成されているため、陽極配線1と陽極補助配線30とは電気的に接続している。陽極補助配線30を構成する積層金属膜は通常、陽極配線1を構成するITOよりも比抵抗が低い。従って、陽極補助配線30を設けることにより、陽極配線の配線抵抗を低減することができる。   Since the anode auxiliary wiring 30 is directly formed on the anode wiring 1, the anode wiring 1 and the anode auxiliary wiring 30 are electrically connected. The laminated metal film constituting the anode auxiliary wiring 30 usually has a specific resistance lower than that of the ITO constituting the anode wiring 1. Therefore, by providing the anode auxiliary wiring 30, the wiring resistance of the anode wiring can be reduced.

本実施の形態では図5に示すようにエッジカバー樹脂29と被覆膜31の間にシールパターン50が配置することができる。シール材53の下に、例えば、絶縁膜22や隔壁10を構成する樹脂が配置されると、この樹脂から水分等が浸入してしまう。上述の構成のように接続端子26を覆うエッジカバー樹脂29と陽極補助配線30を覆う被覆膜31との間にシールパターン50を配置することで、シール材53が図6に示すように直接陽極配線の上に配設される。これにより、水分等の浸入を防ぐことが可能になり、表示特性の劣化を低減することができる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 5, a seal pattern 50 can be disposed between the edge cover resin 29 and the coating film 31. For example, when a resin constituting the insulating film 22 or the partition wall 10 is disposed under the sealing material 53, moisture or the like enters from the resin. By arranging the seal pattern 50 between the edge cover resin 29 that covers the connection terminal 26 and the coating film 31 that covers the anode auxiliary wiring 30 as in the above-described configuration, the seal material 53 is directly formed as shown in FIG. Arranged on the anode wiring. Thereby, it becomes possible to prevent intrusion of moisture and the like, and it is possible to reduce deterioration of display characteristics.

また、上述の構成は陰極配線5と接続された陰極補助配線21に対しても適用することができる。例えば、上述で示した工程において、陽極配線1を構成する透明導電膜で陰極補助配線21を形成し、その上に積層金属膜からなる接続端子26及び陰極補助配線21上の補助配線を形成する。さらに接続端子の側面を覆うエッジカバー樹脂29及び被覆膜31を隔壁形成工程(ステップS107)又は絶縁膜形成工程(ステップS106)形成する。陰極配線5と接続される陰極補助配線21についても図2及び図3で示した構成と同様の構成とすることができる。これにより、同様の効果を得ることができる。   The above-described configuration can also be applied to the cathode auxiliary wiring 21 connected to the cathode wiring 5. For example, in the process described above, the cathode auxiliary wiring 21 is formed with the transparent conductive film constituting the anode wiring 1, and the connection terminal 26 made of a laminated metal film and the auxiliary wiring on the cathode auxiliary wiring 21 are formed thereon. . Further, an edge cover resin 29 and a coating film 31 that cover the side surfaces of the connection terminals are formed in a partition wall formation step (step S107) or an insulating film formation step (step S106). The cathode auxiliary wiring 21 connected to the cathode wiring 5 can also have the same configuration as that shown in FIGS. Thereby, the same effect can be acquired.

発明の実施の形態3.
本実施の形態にかかる有機EL表示装置の構成について図7を用いて説明する。図7は本実施の形態にかかる有機EL表示装置の有機EL素子基板の断面図である。実施の形態1及び実施の形態2で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
Embodiment 3 of the Invention
The configuration of the organic EL display device according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the organic EL element substrate of the organic EL display device according to the present embodiment. The description of the same configuration as that described in Embodiments 1 and 2 is omitted.

本実施の形態では陽極配線1の上に設けられた接続端子26が陽極配線1の端部の外側まで延在している。すなわち、接続端子26は陽極配線1の端部を横断するよう形成される。接続端子26は基板11の上から陽極配線1の上に乗り上げるよう配置される。   In the present embodiment, the connection terminal 26 provided on the anode wiring 1 extends to the outside of the end portion of the anode wiring 1. That is, the connection terminal 26 is formed so as to cross the end of the anode wiring 1. The connection terminal 26 is arranged so as to run on the anode wiring 1 from above the substrate 11.

この接続端子26の外周部には側面を覆うようにエッジカバー樹脂29が形成される。従って、エッジカバー樹脂29も陽極配線1の端部を横断するよう形成される。エッジカバー樹脂29は基板11の上から陽極配線1の上に乗り上げるよう配置される。このような構成でも上述の実施の形態1と同様に配線抵抗を低減することができる。また、接続端子26を形成する積層金属膜におけるAl層がMo層及びエッジカバー樹脂29で覆われている。これにより、電食に起因するAlの酸化を防ぐことができ、発光特性の劣化を低減することができる。   An edge cover resin 29 is formed on the outer periphery of the connection terminal 26 so as to cover the side surface. Therefore, the edge cover resin 29 is also formed so as to cross the end portion of the anode wiring 1. The edge cover resin 29 is disposed so as to run on the anode wiring 1 from above the substrate 11. Even with such a configuration, the wiring resistance can be reduced as in the first embodiment. Further, the Al layer in the laminated metal film forming the connection terminal 26 is covered with the Mo layer and the edge cover resin 29. Thereby, the oxidation of Al resulting from electrolytic corrosion can be prevented, and the deterioration of the light emission characteristics can be reduced.

本発明の実施の形態1にかかる有機EL表示装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the organic electroluminescence display concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる有機EL表示装置において、接続端子周辺の構成を示す上面図である。1 is a top view showing a configuration around a connection terminal in an organic EL display device according to a first exemplary embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1にかかる有機EL表示装置において、接続端子周辺の構成を示す断面図である。In the organic EL display device according to the first exemplary embodiment of the present invention, it is a cross-sectional view illustrating a configuration around a connection terminal. 本発明にかかる有機EL表示装置の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the organic electroluminescence display concerning this invention. 本発明の実施の形態2にかかる有機EL表示装置において、接続端子周辺の構成を示す上面図である。FIG. 6 is a top view showing a configuration around a connection terminal in an organic EL display device according to a second exemplary embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2にかかる有機EL表示装置において、接続端子周辺の構成を示す断面図である。In the organic EL display device according to the second exemplary embodiment of the present invention, FIG. 本発明の実施の形態3にかかる有機EL表示装置において、陽接続端子周辺の構成を示す断面図である。In the organic EL display device according to the third exemplary embodiment of the present invention, it is a cross-sectional view showing the configuration around the positive connection terminal. 従来の有機EL表示装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the conventional organic electroluminescence display.

符号の説明Explanation of symbols

1 陽極配線
5 陰極配線
10 隔壁
11 基板
21 陰極補助配線
22 絶縁膜
23 開口部
25 コンタクトホール
26 接続端子
29 エッジカバー樹脂
30 陽極補助配線
31 カバー樹脂
35 端子部
51 対向基板
52 捕水材
53 シール材
61 ACF
62 FPC
63 FPCの導電層
100 有機EL素子基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anode wiring 5 Cathode wiring 10 Partition 11 Board | substrate 21 Cathode auxiliary wiring 22 Insulating film 23 Opening part 25 Contact hole 26 Connection terminal 29 Edge cover resin 30 Anode auxiliary wiring 31 Cover resin 35 Terminal part 51 Opposite substrate 52 Water catching material 53 Sealing material 61 ACF
62 FPC
63 FPC conductive layer 100 Organic EL element substrate

Claims (15)

第1の基板上に配列された複数の第1配線と、
前記第1配線と交差するよう配列された複数の第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に配置された有機層と、
前記複数の第1配線又は前記複数の第2配線に対応して複数設けられ、前記第1配線又は前記第2配線に外部からの信号を供給する接続端子と、
前記接続端子の側面を覆うように設けられた保護膜と、
前記第1の基板の前記有機層が配置されている面に対向して設けられた第2の基板と、
前記有機層を封止するため前記第1の基板と前記第2の基板との間に前記有機層を囲むよう設けられ、前記接続端子の内側に配置されたシール材とを備え、
前記接続端子が、最上層に下部金属よりも酸化電位が高いバリア層が形成された積層金属膜を有する有機EL表示装置。
A plurality of first wirings arranged on the first substrate;
A plurality of second wirings arranged to intersect the first wiring;
An organic layer disposed between the first wiring and the second wiring;
A plurality of connection terminals provided corresponding to the plurality of first wirings or the plurality of second wirings, and supplying a signal from the outside to the first wiring or the second wiring;
A protective film provided to cover the side surface of the connection terminal;
A second substrate provided facing the surface of the first substrate on which the organic layer is disposed;
A sealing material provided to surround the organic layer between the first substrate and the second substrate for sealing the organic layer, and disposed inside the connection terminal;
The organic EL display device, wherein the connection terminal includes a laminated metal film in which a barrier layer having an oxidation potential higher than that of the lower metal is formed on the uppermost layer.
前記接続端子がAl又はAl合金を有し、
前記バリア層が前記Al又はAl合金よりも酸化電位が高い請求項1記載の有機EL表示装置。
The connection terminal has Al or Al alloy,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the barrier layer has an oxidation potential higher than that of the Al or Al alloy.
前記バリア層がMo又はMo合金により形成されている請求項1又は2記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the barrier layer is formed of Mo or an Mo alloy. 前記第1配線がITOにより形成され、
前記第1配線上に設けられた前記接続端子の最下層がMo又はMo合金により形成されている請求項1、2又は3に記載の有機EL表示装置。
The first wiring is formed of ITO;
The organic EL display device according to claim 1, wherein a lowermost layer of the connection terminal provided on the first wiring is formed of Mo or Mo alloy.
前記第1配線と前記第2配線とが交差する位置に開口部を有し、前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜と前記保護膜とが同一の材料により形成されている請求項1から請求項4のいずれかに記載の有機EL表示装置。
An opening formed at a position where the first wiring and the second wiring intersect, and further comprising an insulating film provided between the first wiring and the second wiring;
The organic EL display device according to claim 1, wherein the insulating film and the protective film are formed of the same material.
前記第2配線をパターニングする隔壁をさらに備え、
前記隔壁と前記保護膜とが同一の材料により形成されている請求項1から請求項5のいずれかに記載の有機EL表示装置。
A partition for patterning the second wiring;
The organic EL display device according to claim 1, wherein the partition and the protective film are formed of the same material.
前記シール材が前記保護膜の内側に形成されている請求項1から請求項6のいずれかに記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the sealing material is formed inside the protective film. 前記第1配線又は前記第2配線の上に配置され、前記接続端子と同一の材料で形成された補助配線と、
前記補助配線を前記保護膜と同一の材料で被覆する被覆膜とをさらに備える請求項1から請求項6のいずれかに記載の有機EL表示装置。
An auxiliary wiring disposed on the first wiring or the second wiring and formed of the same material as the connection terminal;
The organic EL display device according to claim 1, further comprising a coating film that covers the auxiliary wiring with the same material as the protective film.
前記シール材が前記被覆膜と前記保護膜の間に配置されている請求項8記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 8, wherein the sealing material is disposed between the coating film and the protective film. 前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも1V以上高い請求項1から請求項9のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein an oxidation potential of the barrier layer is 1 V or more higher than an oxidation potential of the lower metal. 第1の基板上に配列された複数の第1配線と、
前記第1配線と交差するよう配列された複数の第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた有機層とを備える有機EL表示装置の製造方法であって、
第1の基板上に導電性材料を成膜するステップと、
前記導電性材料をパターニングして、前記複数の第2配線と対応して接続される複数の補助配線又は前記複数の第1配線を形成するステップと、
前記第1配線又は前記補助配線の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第1配線又は前記複数の補助配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップと、
前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記第1配線上に前記有機層を形成するステップと、
前記第1配線上に形成された前記有機層の上に第2配線を形成するステップと、
前記第1の基板の前記有機層が形成された面に第2の基板を対向配置するステップと、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせるステップとを備える有機EL表示装置の製造方法。
A plurality of first wirings arranged on the first substrate;
A plurality of second wirings arranged to intersect the first wiring;
A method for manufacturing an organic EL display device comprising an organic layer provided between the first wiring and the second wiring,
Depositing a conductive material on the first substrate;
Patterning the conductive material to form a plurality of auxiliary wirings or the plurality of first wirings connected corresponding to the plurality of second wirings;
Depositing a laminated metal film on the first wiring or the auxiliary wiring, the uppermost layer being a barrier layer having a higher oxidation potential than the lower metal;
Patterning the laminated metal film to form a plurality of connection terminals for supplying signals from the outside in association with the plurality of first wirings or the plurality of auxiliary wirings;
Providing a protective film covering a side surface of the connection terminal;
Forming the organic layer on the first wiring;
Forming a second wiring on the organic layer formed on the first wiring;
Disposing a second substrate opposite to the surface of the first substrate on which the organic layer is formed;
A sealing material provided between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate and the second substrate are attached via a sealing material disposed inside the connection terminal. A method for manufacturing the organic EL display device.
第1の基板上に配列された複数の第1配線と、
前記第1配線と交差するよう配列された複数の第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との間に設けられた有機層とを備える有機EL表示装置の製造方法であって、
第1の基板上に導電性材料を成膜するステップと、
前記導電性材料の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第1配線又は前記複数の第2配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップと、
前記導電性材料をパターニングして、前記複数の接続端子と前記複数の第2配線とを接続する複数の補助配線又は前記複数の第1配線を形成するステップと、
前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記第1配線上に前記有機層を形成するステップと、
前記第1配線上に形成された前記有機層の上に前記第2配線を形成するステップと、
前記第1の基板の前記有機層が形成された面に第2の基板を対向配置するステップと、
前記第1の基板と前記第2の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第1の基板と前記第2の基板を貼り合わせるステップとを備える有機EL表示装置の製造方法。
A plurality of first wirings arranged on the first substrate;
A plurality of second wirings arranged to intersect the first wiring;
A method for manufacturing an organic EL display device comprising an organic layer provided between the first wiring and the second wiring,
Depositing a conductive material on the first substrate;
Forming a laminated metal film on the conductive material, the uppermost layer being a barrier layer having a higher oxidation potential than the lower metal;
Patterning the laminated metal film to form a plurality of connection terminals for supplying signals from the outside in association with the plurality of first wirings or the plurality of second wirings;
Patterning the conductive material to form a plurality of auxiliary wirings or the plurality of first wirings for connecting the plurality of connection terminals and the plurality of second wirings;
Providing a protective film covering a side surface of the connection terminal;
Forming the organic layer on the first wiring;
Forming the second wiring on the organic layer formed on the first wiring;
Disposing a second substrate opposite to the surface of the first substrate on which the organic layer is formed;
A sealing material provided between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate and the second substrate are attached via a sealing material disposed inside the connection terminal. A method for manufacturing the organic EL display device.
前記保護膜を形成するステップにおいて、
前記第1配線と前記第2配線と交差する位置に開口部を有する絶縁膜が前記第1配線と前記第2配線との間に形成される請求項11又は12に記載の有機EL表示装置の製造方法。
In the step of forming the protective film,
The organic EL display device according to claim 11 or 12, wherein an insulating film having an opening at a position intersecting the first wiring and the second wiring is formed between the first wiring and the second wiring. Production method.
前記保護膜を形成するステップにおいて、
前記第2配線をパターニングする隔壁が形成される請求項11又は12に記載の有機EL表示装置の製造方法。
In the step of forming the protective film,
The method for manufacturing an organic EL display device according to claim 11, wherein a partition wall for patterning the second wiring is formed.
前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも1V以上高い請求項11から請求項14のいずれかに記載の表示装置の製造方法。



The method for manufacturing a display device according to claim 11, wherein an oxidation potential of the barrier layer is higher by 1 V or more than an oxidation potential of the lower metal.



JP2003423028A 2003-12-19 2003-12-19 Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same Pending JP2005183209A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003423028A JP2005183209A (en) 2003-12-19 2003-12-19 Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003423028A JP2005183209A (en) 2003-12-19 2003-12-19 Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005183209A true JP2005183209A (en) 2005-07-07

Family

ID=34783702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003423028A Pending JP2005183209A (en) 2003-12-19 2003-12-19 Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005183209A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235766A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Lg Electron Inc Device and method for manufacturing organic electroluminescent display element
KR100730151B1 (en) 2005-09-30 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 Flat display device
JP2008041381A (en) * 2006-08-04 2008-02-21 Dainippon Printing Co Ltd Organic el display and manufacturing method therefor
JP2010003668A (en) * 2008-06-23 2010-01-07 Samsung Electronics Co Ltd Organic light emitting display, and method of manufacturing the same
JP2010027502A (en) * 2008-07-23 2010-02-04 Tdk Corp Organic el display
JP2012174558A (en) * 2011-02-22 2012-09-10 Panasonic Corp Organic el device
WO2012121249A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 パナソニック株式会社 Planar light emitting device
WO2012121254A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 パナソニック株式会社 Planar light emitting device and manufacturing method thereof
CN103579534A (en) * 2012-07-24 2014-02-12 力志国际光电股份有限公司 Method for manufacturing OLED plane lighting unit, product and device thereof
JP5638599B2 (en) * 2010-03-05 2014-12-10 パイオニア株式会社 Organic EL panel and manufacturing method thereof
JP2015141844A (en) * 2014-01-29 2015-08-03 パイオニア株式会社 light-emitting device
KR20190063311A (en) * 2017-11-29 2019-06-07 엘지디스플레이 주식회사 Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same
KR20190066453A (en) * 2017-12-05 2019-06-13 엘지디스플레이 주식회사 Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005235766A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Lg Electron Inc Device and method for manufacturing organic electroluminescent display element
US7919919B2 (en) 2004-02-20 2011-04-05 Lg Electronics Inc. Organic electroluminescent display having a specific structure for a pad supplying the drive signal
KR100730151B1 (en) 2005-09-30 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 Flat display device
US7838880B2 (en) 2005-09-30 2010-11-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display device
JP2008041381A (en) * 2006-08-04 2008-02-21 Dainippon Printing Co Ltd Organic el display and manufacturing method therefor
JP2010003668A (en) * 2008-06-23 2010-01-07 Samsung Electronics Co Ltd Organic light emitting display, and method of manufacturing the same
KR101499235B1 (en) * 2008-06-23 2015-03-06 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
JP2010027502A (en) * 2008-07-23 2010-02-04 Tdk Corp Organic el display
JP5638599B2 (en) * 2010-03-05 2014-12-10 パイオニア株式会社 Organic EL panel and manufacturing method thereof
US9082736B2 (en) 2010-03-05 2015-07-14 Pioneer Corporation Organic EL panel and method of manufacturing the same
JP2012174558A (en) * 2011-02-22 2012-09-10 Panasonic Corp Organic el device
US9054334B2 (en) 2011-02-22 2015-06-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic EL device
WO2012121254A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 パナソニック株式会社 Planar light emitting device and manufacturing method thereof
JP2012186079A (en) * 2011-03-07 2012-09-27 Panasonic Corp Planar light-emitting device
WO2012121249A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 パナソニック株式会社 Planar light emitting device
CN103579534A (en) * 2012-07-24 2014-02-12 力志国际光电股份有限公司 Method for manufacturing OLED plane lighting unit, product and device thereof
JP2015141844A (en) * 2014-01-29 2015-08-03 パイオニア株式会社 light-emitting device
KR20190063311A (en) * 2017-11-29 2019-06-07 엘지디스플레이 주식회사 Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same
JP2019102445A (en) * 2017-11-29 2019-06-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド OLED panel for lighting device and method of manufacturing the same
CN110010640A (en) * 2017-11-29 2019-07-12 乐金显示有限公司 Oled panel and its manufacturing method for lighting device
US10608074B2 (en) 2017-11-29 2020-03-31 Lg Display Co., Ltd. OLED panel for lighting device and method of manufacturing the same
KR102516699B1 (en) * 2017-11-29 2023-03-30 엘지디스플레이 주식회사 Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same
CN110010640B (en) * 2017-11-29 2023-07-11 乐金显示有限公司 OLED panel for lighting device and manufacturing method thereof
KR20190066453A (en) * 2017-12-05 2019-06-13 엘지디스플레이 주식회사 Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same
JP2019102461A (en) * 2017-12-05 2019-06-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド OLED panel for lighting device and method of manufacturing the same
US11152446B2 (en) 2017-12-05 2021-10-19 Lg Display Co., Ltd. OLED panel for lighting device and method of manufacturing the same
KR102441681B1 (en) * 2017-12-05 2022-09-07 엘지디스플레이 주식회사 Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4144687B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP4659141B1 (en) LIGHT EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DEVICE
US20110084257A1 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
JP4271915B2 (en) Organic electroluminescence display element, organic electroluminescence display device
JP2015069854A (en) Organic el display device and manufacturing method of organic el display device
WO2012017488A1 (en) Light emitting element, method for manufacturing same, and light emitting device
WO2014199673A1 (en) Organic electroluminescent display apparatus
KR20130033259A (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same, organic display panel and organic display apparatus
JP2005183209A (en) Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same
JP6789184B2 (en) Manufacturing method of organic EL display panel and organic EL display panel
JP3674848B2 (en) Organic thin film light emitting display and method for manufacturing the same
JPH11144877A (en) Organic electroluminescent element
JP2005108678A (en) Organic el light emitting device and its manufacturing method
KR20070065588A (en) Organic light emitting diode
JP4673579B2 (en) Display device
JP2005183208A (en) Display device and method of manufacturing the same
JP2011034931A (en) Organic el display device
JP4788677B2 (en) Organic EL device and manufacturing method thereof
JP4748147B2 (en) Organic EL device
KR20150075135A (en) Organic light emitting diode display device and fabricating method of the same
JP4399202B2 (en) Manufacturing method of flat panel display device
JP4363928B2 (en) Organic electroluminescence display element
JP6893020B2 (en) Manufacturing method of organic EL display panel and organic EL display panel
KR100768711B1 (en) Organic electro luminescent emitting device and the method for manufacturing the same
JP2008140616A (en) Organic el display device, and its manufacturing method