KR20060136202A - 기판 매립형 인덕터 및 그 제조방법과, 마이크로 소자패키지 및 이 마이크로 소자 패키지의 캡 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 기판 매립형 인덕터는 기판; 상기 기판에 형성된 스파이럴 형상의 홀에 금속이 채워져 매립된 코일전극; 상기 기판 위에 형성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 상기 코일전극과 연결되도록 형성된 외부연결패드;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 인덕터가 매립된 기판은 그 하면에 캐버티를 형성하여 마이크로 소자 패키지용 캡으로 사용 가능하다.
인덕터, 스파이럴, 캐버티, 반도체, 마이크로, 소자, 패키지, 캡, MEMS
Description
도 1a 및 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 매립형 인덕터를 나타낸 사시도 및 단면도,
도 2a 및 2b는 도 1의 기판 매립형 인덕터를 갖는 마이크로 소자 패키지용 캡을 나타낸 사시도 및 단면도,
도 3는 도 2의 캡을 이용한 마이크로 소자 패키지의 한 예를 나타낸 단면도, 그리고,
도 4a 내지 4g는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 매립형 인덕터를 갖는 마이크로 소자 패키지용 캡의 제조 공정도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10,110;기판 11,111;홀
20,120;코일전극 30,130;절연층
40,140;외부연결패드 145;제 2 외부연결패드
150;캐버티 160;소자연결패드
170,230;실링패드 180;연결부재
200;패키지 바디 210;마이크로 소자
220;전극패드 300;솔더
본 발명은 인덕터에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 기판 매립형 인덕터 및 그 제조방법과 기판 매립형 인덕터를 이용한 마이크로 소자 패키지 및 이 마이크로 소자 패키지의 캡을 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근 비디오 기기, 퍼스컴, 핸드폰, 평면형 디스플레이 등 휴대용 전자기기들은 급속한 속도로 경박단소가 진행되고 있으며, 이 기기들에 내장되는 인덕터, 변압기 등 자기소자를 포함하는 전자회로들은 소형 고집적화, 고주파에의 기술 추세에 대응할 수 있는 능력을 강력히 요구받고 있다.
하이-큐(high-Q) 인덕터는 대부분의 통신 반도체 디바이스에서 발견되는 공통 특징이다. 반도체 디바이스에 인덕터를 형성하는 가장 일반적인 방법은 회로의 상부층에 두께가 3㎛ 또는 그 이상인 금속의 침착을 포함한다.
이 방법은 10개의 인덕터를 형성하기 위해서 전형적으로 300㎛×300㎛ 이상의 영역이 요구되는 단점을 내포하고 있다. 이 영역은 결과적으로 전자기 간섭으로 인하여 다른 회로에는 사용하지 못한다. 즉, 종래의 상기와 같은 인덕터는 설계공간 활용도 대비 낮은 인덕턴스를 가질 수밖에 없다. 이는 제한된 공간에서 높은 품 질계수(Q-factor)와 낮은 삽입손실(Insertion Loss)을 가지는 인덕터를 제조하는데 문제로 작용한다.
부가적으로, 포토레지스트와 구리를 사용하는 하이-큐 인덕터를 형성하기 위한 현재의 프로세스 기법은 2 또는 그 이상의 마스크 레벨과 2 또는 그 이상의 노출단계를 필요로 한다. 이 프로세스 결과로 공기 갭(Air Gap)을 갖는 인덕터는 현재의 프로세스 기술과는 호환성을 갖지 못한다. 즉, 공기 갭 형성의 인덕터는 고난이도의 공정이 필요하며, 특히 구조물을 부양하기 위한 습식식각시에 구조물이 기판에 점착되는 문제가 있다. 또 공기 갭 형성의 인덕터는 소자로서의 견고성에도 문제가 있다.
한편, 전자회로들의 소형 고집적화 기술 추세에 따라 여러 소자를 단일칩화하는 패키징 기술이 요구되고 있는데, 종래의 일반적인 인덕터 및 그 제조방법은 그러한 단일칩 패키지 구현에 어려움이 있다.
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 설계공간 활용도 대비 큰 인덕턴스를 가지는 기판 매립형 인덕터를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 공정이 간단하고, 견고할 뿐만 아니라 높은 품질계수 및 낮은 삽입손실을 가지는 기판 매립형 인덕터를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 다른 소자와의 단일칩 패키지 구현이 용이한 기판 매립형 인덕터를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기와 같은 특징을 가지는 기판 매립형 인덕터 를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기와 같은 특징을 가지는 기판 매립형 인덕터를 이용한 마이크로 소자 패키지 및 이 마이크로 소자 패키지에 사용되는 캡을 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 기판 매립형 인덕터는, 기판; 및 상기 기판에 형성된 홀에 금속이 채워져 매립된 코일전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 코일전극은 선형 스파이럴 형상이나 곡선형 스파이럴 형상으로 배선되는 것이 좋으나, 이를 꼭 한정하는 것은 아니다.
그리고, 상기 기판은 실리콘 기판을 이용하는 것이 좋으며, 상기 코일전극은 금, 은 또는 구리 등으로 형성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의하면, 기판 매립형 인덕터는 기판; 상기 기판에 형성된 홀에 금속이 채워져 매립된 코일전극; 상기 기판 위에 형성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 상기 코일전극과 연결되도록 형성된 외부연결패드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 외부연결패드는 상기 코일전극과 같은 금속으로 형성되는 것이 좋으며, 상기 절연층은 저유전물질로 형성되는 것이 좋다.
상기와 같은 본 발명에 의한 기판 매립형 인덕터를 제조하는 방법은, 기판 하면에 도금용 시드층을 형성하는 단계; 상기 기판의 상면에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴에 따라 상기 기판에 홀을 형성하는 단계; 상기 시드층을 이용한 도금으로 상기 홀에 금속을 채워 코일전극을 형성하는 단계; 상기 기판의 상면에 절연층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 위에 외부연결패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 마이크로 소자 패키지는, 마이크로 소자 및 전극패드가 형성된 패키지 바디; 및 상기 마이크로 소자를 밀봉하기 위하여 상기 패키지 바디에 결합되는 캡;을 구비하며, 상기 캡은, 하면에 캐버티가 형성된 기판; 상기 기판에 형성된 홀에 금속이 채워져 매립된 코일전극으로 이루어지는 인버터; 상기 기판의 하면에 상기 패키지 바디의 전극패드와 접속하도록 형성된 소자연결패드; 및 상기 소자연결패드와 연결되며 상기 기판의 상면으로 노출된 제 2 외부연결패드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 코일전극은 선형 스파이럴 형상 또는 곡선형 스파이럴 형상으로 배선되는 것이 좋으나, 이를 꼭 한정하는 것은 아니다.
그리고, 상기 기판은 실리콘 기판을 이용하는 것이 좋으며, 상기 코일전극은 금, 은 또는 구리 등이 이용될 수 있고, 상기 제 2 외부연결패드도 상기 코일전극과 같은 금속으로 형성되는 것이 좋다.
상기 마이크로 소자는 고주파 듀플렉서나 마이크로 스위치와 같은 멤스 소자이다.
상기와 같은 마이크로 소자 패키지용 캡을 제조하는 방법은, 기판 하면에 캐버티를 형성하는 단계; 상기 캐버티를 포함하는 기판 하면에 도금용 시드층을 형성 하는 단계; 상기 기판의 상면에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 식각 마스크 패턴에 따라 상기 기판에 홀을 형성하는 단계; 상기 시드층을 이용한 도금으로 상기 홀에 금속을 채워 코일전극을 형성하는 단계; 상기 기판의 상면에 절연층 패턴을 형성하는 단계; 상기 절연층 위에 외부연결패드를 형성하는 단계; 및 상기 기판 하면의 시드층을 패터닝하여 전극패드와 실링패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기와 같은 목적 및 다른 특징들은 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명함으로써 더욱 명백해질 것이다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1a 및 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 매립형 인덕터를 개략적으로 나타낸 사시도 및 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 인덕터는 기판(10)과 코일전극(20)을 포함한다.
상기 기판(10)에는 상하로 관통하는 스파이럴 형상의 홀(11)이 형성된다. 상기 코일전극(20)은 상기 홀(11)에 금속을 충진하는 것에 의해 기판(10)에 매립되도록 마련된다. 상기 기판(10)의 상면에는 절연층(30)이 형성되며, 이 절연층(30) 위에 상기 코일전극(10)과 연결된 브릿지(bridge) 구조의 외부연결패드(40)가 마련된다.
상기 기판(10)은 실리콘 또는 유리 기판이 사용될 수 있으며, 특히 고저항(high resistivity) 실리콘 기판을 사용하는 것이 좋다. 상기 코일전극(20)은 금, 은, 구리 등과 같이 전기 전도도가 높은 금속이 바람직하게 이용되며, 상기 외부연결패드(40) 또한 상기 코일전극(20)과 같은 금속으로 형성된다. 한편, 상기 절연층(30)은 저유전물질로 형성된다. 또한, 상기 홀(11)은 도면과 같은 선형 스파이럴 형상이나 곡선형 스파이럴 형상으로 구성될 수 있다.
이러한 본 발명에 의한 기판 매립형 인덕터는 고 세장비(ASPECT RATIO)의 단면을 갖는 코일전극(20)을 제공함으로써 품질계수를 높일 수 있으며, 삽입손실을 낮출 수 있다.
도 2a 및 2b는 위에서 설명한 기판 매립형 인덕터를 갖는 마이크로 소자 패키지용 캡에 적용한 예를 나타낸 사시도 및 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 마이크로 소자 패키지용 캡은, 기판(110)의 하면에 소정의 캐버티(150)가 형성되고, 이 캐버티(150)의 대략 양측에 소자연결패드(160)와 실링패드(170)가 형성되며, 기판(110)의 상면에 제 2 외부연결패드(145)가 형성된 것을 제외하고는 앞서 설명한 도 1의 경우와 실질적으로 유사한 구조를 하고 있다. 따라서, 관련된 참조부호를 부여하여 구체적인 설명은 생략한다. 도면에서 부호 180은 상기 소자연결패드(160)와 기판(110) 상부의 제 2 외부연결패드(145)를 전기적으로 연결하기 위한 부재이다.
도 3은 도 2에 도시된 바와 같은 캡(100)을 구비한 마이크로 소자 패키지의 단면도이다. 도시된 바와 같이 마이크로 소자 패키지는 패키지 바디(200)에 마이크로 소자(210)와 전극패드(220) 및 실링패드(230)가 각각 적소에 형성되어 있다. 캡(100)은 상기 패키지 바디(200)에 캡(100)의 캐버티(150)에 상기 마이크로 소자 (210)가 위치하도록 결합되어 있다. 결합은 접착제나 솔더(300) 등을 이용한다.
상기의 마이크로 소자 패키지 구조에서 마이크로 소자는 동작 공간을 필요로 하는 멤스(MEMS) 소자가 될 수 있으며, 더 자세하게는 멤스 소자는 고주파 듀플렉서(RF duplexer) 이나 마이크로 스위치 등이 될 수 있다.
이하, 상기와 바와 같은 마이크로 소자 패키지에 사용되는 기판 매립형 인덕터를 가지는 캡의 제조방법에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 4a에 나타낸 바와 같이, 기판(110) 하부의 소정 영역을 식각하여 캐버티(150)를 형성한다. 여기서, 상기 캐버티(150)는 기판 매립형 인덕터가 도 1과 같은 단순한 인덕터로 사용하는 경우 형성할 필요 없다. 캐버티(150)의 위치는 패키지 바디(200)의 소자영역에 대응하는 위치에 형성된다. 캐버티(150)의 형성은 초산수용액, 불화수소산, 인산수용액 등의 화학영액을 사용하는 습식에칭 방법을 이용하거나 가스, 플라즈마 및 이온 빔을 사용하는 건식에칭 방법을 이용할 수 있다.
캐버티(150)를 형성한 후, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 캐버티(150)의 표면을 포함하는 기판(110)의 하면에 금속을 증착하여 도금을 위한 시드층(310)을 형성한다.
그런 다음, 도 5c와 같이, 기판(110)의 상면에 식각 마스크 패턴(320)을 형성하고, 체적 마이크로 머시닝(bulk micromachining) 기술의 하나인 건식 식각을 통해 세장비가 큰 홀(111)을 가공한다. 상기 홀(111)은 사각 스파이럴 형태이다. 상기 막스크 패턴의 재질은 두께 10㎛ 정도의 포토레지스트가 적당하며, 건식 식각 은 ICP RIE(Induced Coupled Plasma Ion Etching)방법이 바람직하다. 건식 식각 완료후에는 마스크 패턴을 제거한다.
이후, 도 5d에 나타낸 바와 같이, 시드층(310)을 기반으로 도금을 진행하여 홈(111)에 금속을 채워 코일전극(120)을 형성한다. 본 공정에서 도금은 전해도금을 이용하는 것이 바람직하며, 도금 금속은 금, 구리, 은 등 전기 전도도가 높은 금속이 바람직하게 이용된다.
코일전극(120)을 형성한 후 도 5e와 같이, 기판(110)의 상면에 절연층(130) 패턴을 형성한다. 절연층(130) 재료는 저유전물질이 바람직하다. 예컨대, BCB(benzocyclobutene), 폴리이미드(Polyimide) 등이 사용된다. 여기서 절연층(130)의 역할은 코일전극(120)과 연결되는 외부연결패드(140)와 코일전극의 중간부를 전기적으로 절연시키기 위함이며, 상기한 BCB나 폴리미이드 등과 같이 저유전율을 갖는 물질을 사용해야 인덕터의 불필요한 커패시턴스(capacitance)를 최소화 할 수 있다.
인덕터는 주파수가 증가함에 따라 자기 에너지는 점점 감소하고 커패시턴스에 의한 에너지는 점점 커짐에 따라 인덕터로서의 기능을 상실하고 커패시터로 동작하는 자기공진 주파수(SRF : Self Resonant Frequency)가 나타난다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 코일전극(120)과 외부연결패드(140)와의 기생용량(parasitic capacitance)을 줄이기 위해 절연층(130)에 저유전율을 갖는 물질을 사용하고, 절연층(130)의 두께를 증가시켜 기생용량을 최소화 하는 것이 바람직하다.
절연층(130)을 형성한 후 도 4f와 같이, 외부연결패드(140)를 절연층(130) 위에 형성한다. 외부연결패드(140)의 재료는 코일전극(120)과 동일한 재료를 이용한다.
외부연결패드(140)를 형성한 후, 도 4g에 나타낸 바와 같이, 기판(110) 하면의 시드층을 패터닝하여 전극패드(160)와 실링패드(170)를 형성한다.
상기와 같은 과정을 통하여 제조된 마이크로 소자 패키지용 캡(100)을 패키지 바디(200)에 결합하여 도 3에 나타낸 바와 같은 인덕터를 가지는 마이크로 소자 패키지를 제조할 수 있다.
본 발명은 예시적인 방법으로 설명되었다. 여기서 사용된 용어들은 설명을 위한 것이며 한정의 의미로 이해되어서는 안될 것이다. 상기 내용에 따라 본 발명의 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 따로 부가 언급하지 않는 한 본 발명은 청구항의 범주 내에서 자유로이 실행될 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 의하면, 코일전극을 기판에 매립하여 인덕터를 구성하므로 설계공간 활용도 대비 큰 인덕턴스를 가지는 인덕터를 제작할 수 있으며, 이 인덕터가 사용되는 제품의 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다.
또, 인덕터가 매립된 기판을 마이크로 소자 패키지용 캡으로 사용함으로써 인덕터와 다른 소자를 단일의 칩으로 패키징하는 것이 가능하므로 전자회로의 간소화 및 회로 설계의 자유도를 높일 수 있다.
Claims (22)
- 기판; 및상기 기판에 형성된 홀에 금속이 채워져 매립된 코일전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 1 항에 있어서,상기 코일전극은 선형 스파이럴 형상으로 배선된 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 1 항에 있어서,상기 코일전극은 곡선형 스파이럴 형상으로 배선된 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 코일전극은 금, 은 및 구리 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 기판;상기 기판에 형성된 홀에 금속이 채워져 매립된 코일전극;상기 기판 위에 형성된 절연층; 및상기 절연층 위에 상기 코일전극과 연결되도록 형성된 외부연결패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 6 항에 있어서,상기 코일전극은 선형 스파이럴 형상으로 배선된 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 6 항에 있어서,상기 코일전극은 곡선형 스파이럴 형상으로 배선된 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 코일전극은 금, 은 및 구리 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특 징으로 하는 인덕터.
- 제 10 항에 있어서,상기 외부연결패드는 상기 코일전극과 같은 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 절연층은 저유전물질로 형성된 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 기판 하면에 도금용 시드층을 형성하는 단계;상기 기판의 상면에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 식각 마스크 패턴에 따라 상기 기판에 홀을 형성하는 단계;상기 시드층을 이용한 도금으로 상기 홀에 금속을 채워 코일전극을 형성하는 단계;상기 기판의 상면에 절연층 패턴을 형성하는 단계; 및상기 절연층 위에 외부연결패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터 제조방법.
- 마이크로 소자 및 전극패드가 형성된 패키지 바디; 및 상기 마이크로 소자를 밀봉하기 위하여 상기 패키지 바디에 결합되는 캡;을 구비하는 마이크로 소자 패키 지에 있어서, 상기 캡은,하면에 캐버티가 형성된 기판;상기 기판에 형성된 홀에 금속이 채워져 매립된 코일전극으로 이루어지는 인버터;상기 기판의 하면에 상기 패키지 바디의 전극패드와 접속하도록 형성된 소자연결패드; 및상기 소자연결패드와 연결되며 상기 기판의 상면으로 노출된 제 2 외부연결패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 제 14 항에 있어서,상기 코일전극은 선형 스파이럴 형상으로 배선된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 제 14 항에 있어서,상기 코일전극은 곡선형 스파이럴 형상으로 배선된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 제 17 항에 있어서,상기 코일전극은 금, 은 및 구리 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 제 18 항에 있어서,상기 제 2 외부연결패드는 상기 코일전극과 같은 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 제 14 항에 있어서,상기 마이크로 소자는 멤스 소자인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 제 20 항에 있어서,상기 멤스 소자는 고주파 듀플렉서 또는 마이크로 스위치인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지.
- 기판 하면에 캐버티를 형성하는 단계;상기 캐버티를 포함하는 기판 하면에 도금용 시드층을 형성하는 단계;상기 기판의 상면에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 식각 마스크 패턴에 따라 상기 기판에 홀을 형성하는 단계;상기 시드층을 이용한 도금으로 상기 홀에 금속을 채워 코일전극을 형성하는 단계;상기 기판의 상면에 절연층 패턴을 형성하는 단계;상기 절연층 위에 외부연결패드를 형성하는 단계; 및상기 기판 하면의 시드층을 패터닝하여 전극패드와 실링패드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 패키지용 캡 제조방법.
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7791440B2 (en) * | 2004-06-09 | 2010-09-07 | Agency For Science, Technology And Research | Microfabricated system for magnetic field generation and focusing |
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