KR20060128146A - 중성화빔을 이용한 표면처리장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 공급된 반응가스가 플라즈마를 생성하게 하고, 생성된 플라즈마를 중성화빔으로 전환시키고, 반응가스 공급 루트와 분리하여 소스가스를 공급하며, 하부에 다수의 분사홀을 형성하여 샤워링 방식에 의해 상기 중성화빔과 소스가스를 피처리물의 처리공간으로 균일하게 분사하는 샤워헤드와;상기 샤워헤드의 상부에 형성되어 플라즈마 발생을 위한 외부 RF 전원이 공급되는 RF 인가부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 샤워헤드는, 플라즈마 생성공간으로서 플라즈마 발생부와, 중성화빔 생성공간으로서 상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되는 중성화빔 생성부와, 상기 중성화빔 생성부의 하부에 형성되어 상기 중성화빔 생성부에서 발생하는 열을 냉각시키는 냉각부와, 상기 냉각부의 하부에 형성되어 소스가스가 공급되는 소스가스 주입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제2항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는, 상기 RF 인가부의 하부에 형성되어 상호 연결된 부분과 전기적으로 절연시켜주는 절연부재와, 상기 절연부재에 의해 형성된 내부 공 간으로 유입된 반응가스를 플라즈마 이온 상태로 변환시키는 플라즈마 발생 공간을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제2항에 있어서,상기 중성화빔 생성부는, 상기 플라즈마 발생부로부터 생성된 플라즈마 이온을 반사시켜 중성화빔으로 전환시키는 리플렉터와, 상기 리플렉터를 관통하여 형성되며 상기 중성화빔이 상기 처리공간으로 이동하게 하는 통로인 복수의 유도관을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제4항에 있어서,상기 리플렉터에 (-)바이어스 단자를 형성하고, 상기 (-)바이어스 단자에 (-) 전압을 인가하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제5항에 있어서,상기 처리공간을 둘러싸는 챔버의 내벽 일측에 (+) 바이어스 단자를 형성하고, 상기 (+)바이어스 단자에 (+) 전압을 인가하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제5항에 있어서,상기 샤워헤드의 소스가스통의 일측에 (+) 바이어스 단자를 형성하고, 상기 (+)바이어스 단자에 (+) 전압을 인가하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제2항에 있어서,상기 냉각부는, 공급된 냉수가 가열된 상기 중성화빔 생성부를 유통하여 상기 중성화빔 생성부를 냉각시키는 냉각통과, 상기 냉각통의 일측면과 연결되어 냉수 공급부로부터 상기 냉수가 상기 냉각통으로 유입되게 하는 냉수 유입관과, 상기 냉각통의 타측면과 연결되어 상기 냉각통에 제공된 냉수를 외부로 배출시키는 냉수 유출관을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제2항에 있어서,상기 소스가스 주입부는, 공급된 소스가스를 저장하여 상기 처리공간으로 상기 소스가스 분사시 균일하게 분포되도록 하는 소스가스통과, 상기 소스가스통의 일측면 또는 하부 일측과 연결되어 소스가스 공급부로부터 상기 소스가스통으로 소스가스가 유입되게 하는 소스 유입관과, 상기 소스가스통의 하부면에 형성되어 상기 소스가스가 상기 처리공간으로 분사되게 복수의 소스가스홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제9항에 있어서,상기 소스가스통의 하부면에 상기 중성화빔을 상기 처리공간으로 이동하게 하는 복수의 유도관이 관통하는 복수의 관통홀을 형성하고, 상기 복수의 소스가스홀은 상기 복수의 관통홀보다 직경을 더 크게 하여 형성하거나 상기 복수의 관통홀이 형성된 사이 공간에 형성하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제1항에 있어서,상기 RF 인가부는, 일측면에 형성되어 상기 외부 RF 전원이 연결되는 RF 전극판과, 상기 RF 전극판을 통해 인가된 고주파 전원이 상기 RF 인가부 전체에 균일하게 확산되도록 하는 RF 분배판을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제11항에 있어서,공급된 반응가스가 상기 RF 인가부의 하부에 형성되는 플라즈마 발생 공간에 균일하게 분포되도록, 상기 RF 분배판을 관통하여 형성되는 가스 디스트리뷰터를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
- 제1항에 있어서,제1 클리닝 가스를 제공하는 제1 클리닝 시스템을 상기 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부와 병렬 배치하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리 장치.
- 제1항 또는 제13항에 있어서,제2 클리닝가스를 제공하는 제2 클리닝 시스템을 상기 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부와 병렬 배치하는 것을 특징으로 하는 중성화빔을 이용한 표면처리장치.
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