KR20060127081A - 투명 전도성 산화물층, 그것의 제조 방법 및 박막 태양전지에서의 용도 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반응성 스퍼터링에 의하여 기판 상에 전도성 투명 산화아연층을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 이력 현상 영역을 포함한다. 상기 방법은 다음 단계를 특징으로 한다: 도핑된 금속 Zn 표적을 사용하며, 표적의 도핑 함량이 2.3 원자% 미만이고, 가열기는 기판에 대하여 기판 온도를 200℃ 이상으로 조절하는 방식으로 조절된다. 동적 침착 속도는 50 nm*m/분 이상으로 조절하는데, 이는 190 nm/분의 정적 침착 속도에 해당하며, 안정화된 작동점은 안정한 금속 공정과 불안정한 공정 간의 전이점과 안정화된 공정 곡선의 변곡점 사이에 위치되도록 불안정한 공정 내에서 선된다.
스퍼터링, 태양 전지, 이력 현상, 금속, 침착, 도핑, 기판
Description
본 발명은 박막 태양 전지 어레이용으로 특히 적합한 투명 전도성 산화아연 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
결정질 Si-웨이퍼 기술에 기초하는 태양 전지 모듈은 수 년 동안 그 효율과 신뢰성이 입증되었다. 반도체에 기초하고, 유리, 금속 또는 플라스틱 필름과 같은 저렴한 기판 상의 대형 표면에 적용되는 박막 기술의 모듈은 아직까지는 완전히 입증된 것은 아니지만, 낮은 재료 소비 및 대형 표면 제조로 인하여 상당한 비용 절감 가능성을 제공한다.
박막 기술에서, 수소화 비정질 규소(α-Si:H)로부터의 전지 및 모듈 개발은 최대한으로 진행되고 있다. 일반적으로, 이러한 α-Si:H 전지 개념의 토대는 층 시퀀스: 기판(유리)/투명 전극(불소 도핑된 산화주석)/p-도핑된 탄화규소/미도핑 α-Si:H/n-도핑된 α-Si:H 금속을 가진 p-i-n 수퍼스트레이트(superstrate) 구조이다. 이 구조로, 태양광은 기판 면으로부터 통상적으로 0.5 ㎛ 두께인 활성 미도핑 흡수재 필름으로 투과한다.
규소 박막 태양 전지 어레이는 광이 태양 전지를 다수 회 통과하도록 태양 전지 내 규소에 대한 계면 상에 입사광을 산란시키는 거친 표면을 가진 투명 전도성 산화물층(TCO 층)을 요한다. 최적으로, 광은 이와 같이 완전하게 흡수된다. 실험실 규모에서, 알루미늄으로 도핑된 산화아연(ZnO:Al)층을 이것에 적당한 필름으로서 사용하였는데, 이는 저렴하게 대형 부피로 생성되는 것으로 생각되었다. 가시광에 대한 고 투과율 이외에, 이러한 TCO 층은 저 저항 레벨을 나타내어야 한다.
거친 TCO 층의 제조에 대하여, 원칙적으로 두 가지 상이한 방법이 문헌상으로 공지되어 있다. 제1의 경우에서, 이 유형의 TCO 층은 제조 중에 적당하게 조절함으로써 거친 필름의 특정한 성장을 통하여 얻어질 수 있다. 이 방법은 화학 증착(CVD) 기술에 의한 대형 표면의 거친 산화주석층을 제조하는 데 현재 사용되고 있다.
제2 방법으로, 초기에 평탄한 TCO 층이 생성된 후, 에칭 공정을 사용함으로써 상응하게 거칠기 처리한다. 현재, 후자의 공정은 집약적 연구의 논제이고, 이것을 대형 표면의 공업적 생산으로 전달할 수 있도록 연구되고 있다. 이 방법에서, 산화아연, 특히 Al로 도핑된 산화아연(ZnO:Al)이 사용되고 있다. 해당 필름은 캐소드 증발(스퍼터링)에 의하여 제조된다. 미가공 상태에서 성장한 필름과 비교하면, 이들은 상당히 개선된 전기 및 광학 특성을 가진다. 이러한 특성은 공정 매개변수, 특히 스퍼터링 공정 중에 사용된 압력 및 온도 레벨에 의하여 상당히 영향을 받는다. 그러나, 스퍼터링 작동 후, 이러한 필름은 대체로 아직까지는 필요한 거칠기를 나타내지 못한다. 이는 이들이 겉보기상으로 평탄하고, 광 산란 효과를 갖지 않는 다는 것을 의미한다. 그러므로, 일반적으로 이들 필름은 후속 공정 단계에서 습식 화학 에칭 조작을 행하여 이들을 거칠기 처리한다.
고도의 전도성 투명 ZnO 필름은 금속 Zn의 반응성 스퍼터링 기술과 세라믹 표적의 비반응성 또는 부분 반응성 스퍼터링 기술을 통하여 생성될 수 있다.
지금까지, 세라믹 표적으로부터의 RF 스퍼터링은 매우 성공적이었다. 이것을 Ar 이온으로 충격을 가함으로써(bombarding), 각각의 필름 재료의 표적은 제거되고 이들과 대향 배치된 기판 상에 침착된다. 다른 방법, 예를 들면 개별 원소의 증발(하이브리드 스퍼터링) 또는 반응 가스(N2, O2 또는 또한 오존)의 플라즈마로의 혼합(반응성 스퍼터링)과의 조합이 가능하다.
문헌 [1]은 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법에 의하여 ZnO 필름의 대형 표면 생산을 위한 관련 분야를 기술한다. 이 방법에서, 기판 온도는 200℃ 이하로 유지된다. 작동점은 발전기 출력을 제어하여 특정한 산소 입자 압력을 안정화시킴으로써 최적화된다. 후속 에칭 공정을 위한 필름의 최적화에서, 스퍼터링 압력은 중심 매개변수로서 제조 중에 변하였고, 온도는 엄격하게 한정된 범위 내에 있었지만, 200℃ 이하였다.
반응성 스퍼터링에 의해 생성된 [1]에 기재된 ZnO 층은 공업적 스퍼터링 공정으로 개발되었으며, 또한 에칭될 수 있다. 이 방식으로 생성된 층은 양호한 전도성 및 투명성 특성을 갖지만, 최적의 광 산란 특성을 나타내지 않는 단점을 가진다. 통상적으로, 이러한 필름을 포함하는 태양 전지의 효율은 세라믹 표적으로부터 RF 스퍼터링으로 생성된 TCO 층을 포함하는 태양 전지의 효율보다 명백히 더 낮다.
본 발명의 목적은 박막 태양 전지 어레이용으로 적당한 표면 구조를 가지며, 개선된 광학 및 전기적 필름 특성을 갖는 투명 전도성 산화물층(TCO 층)을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 전술한 필름의 대형 표면 생산을 위한 대규모에 신속하고 사용 가능한 해당 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 특허 청구의 범위에 따른 모든 특성을 갖는 TCO 층의 제조 방법, 추가의 독립항에 따른 특성을 갖는 개선된 TCO 층, 뿐만 아니라 다른 독립항에 따른 이 유형의 TCO 층의 사용 방법으로 달성된다. 본 발명의 방법, TCO 층 및 그것의 사용 방법은 이러한 청구 범위와 관련된 해당 청구항에서 나타난다.
반응성 스퍼터링 공정에서, 일반적으로 작동점은 제조 공정이 최적의 전기적 및 광학 특성을 가진 필름을 생성하도록 설정된다. 본 발명을 이루는 사상은 스퍼터링 공정을 위한 작동점이 오로지 제조 공정 직후에 생성하고자 하는 필름에 맞추어져 있는 것이 아니라, 대신에 통상적으로 태양 전지 분야에 따르는 후속 에칭 공정을 포함한다는 사실에 기초한다.
본 발명에 따른 방법은 금속 Zn 표적을 사용하는 반응성 스퍼터링 방법이다. 5.3 W/㎠ 또는 13 W/㎠의 동력 밀도 레벨은 150 nm/분 이상 또는 400 nm/분 이상의 정적 침착 속도를 달성할 수 있도록 설정된다. 이는 이중 마그네트론 캐소드를 사용할 경우, 대략 40 nm*m/분 이상 또는 110 nm*m/분의 동적 침착 속도에 해당한다.
Zn 표적은 한 백분율의 도펀트를 포함한다. B, Ga, In 또는 F 이외에, 알루미늄도 적당한 도펀트이다. 일반적으로, 표적 내 도핑 함량은 2.3 원자% 미만, 특히 1.5 원자% 미만, 유리하게는 0.2 내지 1 원자%이다. 여기서 도핑 함량은 금속 성분에만 관련되는데, 이는 산소가 포함되지 않은 것을 의미한다. 따라서, 알루미늄의 함량은 Al/(Al + Zn)에 기초한다.
일반적으로, 표적은 공정에서 사전에 도핑된 표적으로서 사용된다. 그러나, 대안으로 표적은 가스상에 의하여 공정 중에 반응적으로 도핑될 수 있다. 이는 특히 보로에탄 B2O6을 스퍼터링 가스 아르곤 및 산소에 첨가함으로써 달성될 수 있다.
유리하게는, 저 도핑 함량은 생성하고자 하는 필름의 투과율을 개선시킨다. 일반적으로, 투과율 값은 적색 및 적외 분광 영역을 의미하는 400 내지 1100 nm의 분광 영역에 걸친 평균치에 관한다. 동시에, 저 도핑 함량은 도펀트의 농도를 감소시키며, 또한 이온화된 계면 위치에서 산란 효과를 감소시키고, 대체로 전하 캐리어의 이동도를 증가시킨다. 알루미늄은 특히 효과적인 도핑제인 것으로 밝혀졌다.
기판은 200℃ 이상의 온도로 가열한다. 250℃ 이상, 특히 300℃ 이상의 온도가 유리하다. 문헌 [2]에서, Zn 오염의 증가된 위험이 기판 온도를 증가시킴에 따라 예상되고, 따라서 150℃ 이하의 기판 온도가 권장되지만, 일상적으로 고온은 본 발명에 따른 방법을 수 개월에 걸쳐서 작동시킬 경우에도 오염으로부터의 손상을 초래하지 않는다.
일반적으로, 제조 방법은 반응성 가스 유량, 또는 침착실 내 반응성 가스 부분압의 모니터링을 요한다. 산소는 반응성 가스로서 사용되고, 아르곤 및 산소는 스퍼터링 가스로서 사용된다. 대안으로, 오존의 사용도 생각할 수 있다. 일반적으로, Ar은 비반응성 스퍼터링 공정에 사용되며, 산소 및 아르곤은 스퍼터링 산화물층에 사용된다. 전이 모드에서 반응성 공정의 상이한 공정점을 안정화시키기 위하여, 플라즈마 방출 모니터(PEM)를 사용한다. 원자 아연의 방출 라인의 강도는 반응 부피로의 산소 공급을 조절하기 위하여 분석한다. 작동점은 아연 방출의 고정된 강도를 특징으로 한다. 다른 안정화 가능성은, 예를 들면 람다 센서로 측정할 수 있는 산소 부분압을 조절하는 것이다.
모든 작동점은 후속 에칭 단계 후에 ZnO:Al 층의 상이한 물질 특성, 특히 상이한 표면 거칠기 레벨을 초래할 수 있다. 그러므로, 초기에 ZnO 층은 예비 단계의 상이한 작동점에서 생성되는 반면에, 그렇지 않으면 동일한 공정 조건을 유지한다. 이는 침착 압력, 기판 온도, 출력 및 필름 두께와 같은 동일한 조건으로, 상이한 안정화된 작동점이 이력 현상 또는 불안정한 이력 현상을 따라 설정되고, 따라서 해당 필름이 생성된다는 것을 의미한다.
전이 모드에서 반응성 공정의 상이한 작동점을 안정화시키기 위하여, 플라즈마 방출 모니터(PEM)를 사용한다. 원자 아연의 방출 라인의 강도는 반응 부피로의 산소 공급을 조절하기 위하여 분석한다. 작동점은 아연 방출의 고정된 강도를 특징으로 한다.
출력, 침착 압력 및 온도와 같은 규정된 공정 매개변수로, 불안정한 공정 영역 내의 가능한 안정화된 작동점은 S형 과정을 가진다. 본 발명에 따른 작동점은 하기 항목에 기초하여 선택된다:
불안정한 이력 현상 영역 내에 위치되고, 공정 제어를 요한다.
이력 현상 영역의 상부, 즉 금속 영역에 동시에 위치된다.
그러나, 이 방식으로 생성된 필름은 모두 투명성 및 전도성에 관한 최소 요건을 충족시켜야 한다. 저항은 1*10-3 Ω cm 미만이어야 하고, 투과율은 80%보다 커야 한다. 조건이 산화성일수록, 일반적으로 필름의 저항은 더 크다. 임의의 후속 처리 전에, 본 발명에 따른 방법으로 생성되는 ZnO 층은 특히 하기 성질을 나타낸다:
생성되는 필름의 도핑제, 특히 알루미늄의 함량은 3.5 원자% 미만, 유리하게는 3 원자% 미만, 특히 2.5 원자% 미만 및 1.5 원자% 이상이다.
저항은 1*10-3 Ω cm 미만, 특히 5*10-4 Ω cm 미만이다.
전하 캐리어 이동도는 25 ㎠/V s보다 크고, 특히 35 ㎠/V s보다 크다.
투과율은 80%보다 크고, 유리하게는 82%보다 크다. 투과율 값은 필름을 가진 유리 기판 시스템에 적용되고, 400 nm 내지 1100 nm의 규소 태양 전지 모듈에 사용할 수 있는 영역에 걸쳐 평균된다.
ZnO 층의 생성 후, 후속 처리는 습식 화학 에칭 또는 건식 에칭의 형태로 수행한다. 이 에칭 단계로, ZnO 층의 표면은 조직화되고, 규소 박막 태양 전지 어레이에 사용될 때 고 전류 밀도를 허용하는 데 기여하는 표면 거칠기를 제공한다. 본 발명에 따른 방법은 ZnO 층의 고른 표면 거칠기, 예를 들면 30 nm 이상 300 nm 이하의 rms 거칠기를 생성한다. 일반적으로, 거칠기는 특정 지점까지의 에칭 기간으로 증가한다. 거칠기 하한은 에칭 기간을 변경함으로써 거의 임의로 작은 값에서 상한으로 설정할 수 있다. 적어도 1 nm 이상을 하한으로 가정할 수 있는데, 그 이유는 특정한 거칠기가 스퍼터링 공정 후에 이미 제공되기 때문이다. 상한은 성장하는 표면 구조에 의존한다.
통상적으로, 에칭 공정 후 본 방법의 rms 거칠기(δrms)는 30 nm 내지 300 nm이다. rms 거칠기(제곱 평균 거칠기)는 평균 거칠기이다. α:Si의 경우, 50 내지 100 nm의 평균 거칠기가 유리한 것으로 밝혀졌고, 미정질 규소 태양 전지의 경우, 50 내지 300 nm 범위이다. 두 가지 태양 전지 유형을 포함하는 적층식 태양 전지의 경우, 50 내지 200 nm의 평균 거칠기 값이 유리하다.
단지 이 후속 처리 후에 태양 전지에 대한 정면 접촉으로서 ZnO 층의 품질과 적합성은 태양 전지 내에 그것을 사용함으로써 가장 신뢰성있게 검증된다. 이 공정 중에, 특히 광전지 특성이 결정된다. 신뢰성있는 관점에서 태양 전지용으로 요구되는 필름의 특성을 기술하는 신뢰성있는 이론적 연구가 지금까지 존재하지 않기 때문에, 이 과정이 요구된다. ZnO:Al 층의 생성 후 에칭 조작을 위한 에칭 조건은 층 특성과는 무관하게 변할 수 있다. 그러므로, 이들은 본 발명의 기초가 되는 층 생성 매개변수의 일부는 아니다. 에칭 후, 표면 구조는 실질적으로 층 특성 자체에 의하여 결정된다. 미세한 최적화는 에칭 기간을 변경함으로써 달성될 수 있다. 또한, 에칭 매체, 예를 들면 산 또는 알칼리액의 선택은 최종 결과에 영향을 줄 수 있다. 일반적으로, 묽은 염산(HCl)이 필름을 거칠기 처리하는 데 사용한다.
지금까지, 스퍼터링 공정에 대한 작동점은 ZnO 층의 광학 및 전기적 특성이 최적이 되도록 설정하였다. 이와는 대조적으로, 작동점은 본 발명에 다른 방법에서 층의 에칭 거동을 조절하는 중요한 매개변수로서 사용된다. 그 결과, 전기적 및 광학 특성의 관점에서 최소 요건을 고려한다.
본 발명에 따른 방법의 유리한 구체예는 중주파수(mf) 여기를 이용한 이중 마그네트론 배열의 사용을 제공한다. 더욱이, 기판이 스퍼터링 중에 캐리어 아래에서 전후 이동하는 동적 유동 공정으로서 본 방법을 사용하는 것이 유리한 것으로 밝혀졌다.
본 발명의 목적은 하기 도면 및 예시적인 구체예로 더 상세하게 설명하고자 하며, 본 발명의 목적을 한정하는 것은 아니다.
도 1은 ZnO:Al 층의 투과율을 도시한다.
도 2는 산소 유량의 함수로서 방전 전압(U) 및 플라즈마 방출(PEM)을 개략 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 작동점의 표시를 가진 산소 유량의 함수로서 발전기 전압 및 플라즈마 방출(PEM) 강도를 도시한다.
도 4는 묽은 염산으로 에칭한 후 상이한 ZnO 층의 SEM 표면 이미지를 나타내며, 도 4a는 본 발명에 따른 작동점으로 생성된 필름을 나타내고, 도 4b는 금속 영역에서 최적의 작동점 미만으로 생성된 필름을 나타낸다.
도 1은 상이한 알루미늄 함량을 가진 표적으로부터 스퍼터링된 ZnO:Al 층의 투과율을 나타낸다. 스펙트럼의 적색 및 적외 영역에서, 투과율은 알루미늄 함량이 증가함에 따라 감소한다. 미정질 규소 태양 전지 모듈에 적용한 경우, 약 1100 nm 이하의 고 투과율 값이 요구되며, 따라서 저 알루미늄 함량이 유리하다.
도 2는 반응성 스퍼터링 공정의 이력 현상 영역(점선 사이)의 개략 도면이다. 저 산소 유량 및 고 방전 전압의 경우, 안정한 공정 윈도우 M은 금속 영역에 있으며, 고 산소 유량 및 저 방전 전압의 경우, 안정한 공정 윈도우는 산화 영역 O에 있다. UM은 완전 금속 영역 내 스퍼터링 공정 중의 방전 전압을 나타내고, UOX는 완전 산화 공정으로의 방전 전압이다.
또한, 하기 의미를 도 2의 상부에 적용한다:
영역 I 공정 제어가 요구되는 불안정한 공정 영역.
영역 A 소정의 특성을 가진 본 발명에 따라서 선택된 작동점에 대한 공정 윈도우.
영역 O 산화 영역 내 안정한 공정 윈도우.
영역 M 금속 영역 내 안정한 공정 윈도우.
지점 U1 안정한 금속 공정과 불안정한 공정 간의 전이점.
지점 U2 안정한 산화 공정과 불안정한 공정 간의 전이점.
지점 W 안정화된 공정 곡선의 변곡점.
도면의 하부에서, 개별 작동점 A1 내지 A16은 원자 아연에 대한 플라즈마 방 출(PEM)의 강도 대 산소 유량의 공정 곡선에 채택되었다. 공정점은 제어 변수로서 산소 유량을 가진 일정한 PEM 강도로 정의한다. 지점 A5 - A7은 본 발명의 범주 내에서 특히 적당한 것으로 선택되는 불안정한 영역 내 작동점을 나타내는 한편, 작동점 A2 내지 A4는 생성된 필름에 최적의 전기 특성을 산출한다.
상이한 작동점은 필름의 투과율, 예컨대 상이한 알루미늄 함량에 대한 유사한 효과를 가진다.
선택된 작동점(저 PEM 강도)이 보다 산화성일수록, 적색 및 적외 영역에서 투과율은 더 높다.
본 발명의 범주 내에서 선택된 적당한 작동점에 대한 영역은 U1과 W 간의 공정 곡선 상의 영역으로서 도 2의 상부에 표시될 수 있다. 이는 공정 제어된 작동점이 불안정한 금속 영역 내에 위치되도록 설정되어야 한다는 것을 의미한다.
도 3은 이 원리를 예시한다. 침착 압력, 출력 및 온도와 같은 상이한 공정 매개변수를 각각 가진 세 개의 연속물을 산소 유량에 대하여 시작하였다. 상부는 방전 전압에 비례하는 발전기 전압에 대한 진입을 나타낸다. 세 가지 예시된 곡선은 4, 8 및 10 kW의 상이한 출력 레벨에 의하여 야기되는 X 축에 대하여 이동하는 곡선 진행을 나타낸다. 각각의 연속물에서, 불안정한 공정 영역은 점선으로 표시하였다. 중앙의 곡선에서, 추가로 세 개의 선택 작동점 D, E 및 F를 시작하였다.
PEM 강도에 대하여 도 4의 하부에 도시된 세 개의 연속물의 예시에서, 추가로 두 개의 작동점 Aa 및 Ab를 시작하였다.
도 4는 전술한 작동점 Aa 및 Ab에서 생성된 ZnO:Al 층의 주사 전자 현미경(SEM) 표면 이미지를 나타낸다. 생성 후, 필름을 묽은 염산(HCl)으로 에칭하였다. 도 4a)는 본 발명에 따른 영역으로부터 선택된 작동점 Aa에서의 필름 이미지를 나타낸다. 평균 거칠기는 약 70 nm이다.
이와는 대조적으로, 작동점 Ab에서의 필름은 태양 전지에 사용될 때 상당히 더 낮은 효율 레벨을 생성하는 명백히 감소된 거칠기를 나타낸다.
본 발명은 연속물 내에서 의도적으로 벗어난 반면에, 대조적으로 금속, 공정 곡선의 불안정한 영역에서 작동점을 선택하는 반응성 스퍼터링에 의하여 기판 상에 전도성 투명 산화아연층을 생성하는 방법을 산출한다.
하기 표는 본 발명의 범주 내에서 생성된 태양 전지의 특성을 나타내며, 상기 전지는 상이한 ZnO 기판 상에서 생성되었다. 열거된 특성은 플라즈마 강도 PEM, 침착 속도, 에칭 전 필름의 저항 ρ, 효율 η, 공간 인자 FF, 개방 회로 전압 Voc 및 단락 회로 전류 밀도 Jsc이다.
| 영역 | 층 | PEM a.u. | 침착 속도 nm*m/분 | Rho 10-4 Ohm cm | Rsquare Ohm | Eta % | FF % | Voc mV | Jsc mA/㎠ |
| A | A | 35 | 95 | 3.4 | 3.9 | 8.2 | 70.8 | 516 | 22.4 |
| A | B | 30 | 92 | 5.6 | 6.6 | 8.0 | 71.8 | 497 | 22.7 |
| A | C | 40 | 41 | 4.5 | 10 | 8.1 | 71.0 | 523 | 21.9 |
| A | D | 25 | 96 | 9.1 | 16.6 | 7.9 | 69.6 | 504 | 22.5 |
| A | E | 27.5 | 92 | 5.6 | 11.9 | 7.8 | 67.4 | 507 | 22.7 |
| A | F | 30 | 91 | 4.0 | 6.6 | 8.0 | 71.7 | 497 | 22.5 |
| M | G | 50 | 42 | 2.8 | 4.5 | 6.4 | 73.0 | 504 | 17.5 |
| M | H | 46 | 42 | 3.4 | 5.0 | 7.2 | 72.9 | 515 | 19.1 |
| M | I | 42 | 43 | 3.2 | 4.8 | 6.9 | 71.1 | 492 | 19.8 |
| O | J | 20 | 41 | 40000 | |||||
| K | K | 46 | 44 | 8.1 | 7.0 | 5.9 | 62.3 | 488 | 19.5 |
| K | L | 50 | 42 | 3.9 | 4.7 | 6.3 | 66.8 | 492 | 19.3 |
| K | M | 54 | 33 | 3.3 | 4.9 | 6.4 | 71.1 | 521 | 17.4 |
| 기준 | N | 6 | 2.4 | 3.0 | 8.3 | 71.1 | 505 | 23.0 |
층은 도 2에 도시된 이력 현상 및 그 안정화의 상이한 영역에 나타난다. 상이한 층은 이후에 설명하기로 한다.
거친 에칭을 가진 층을 태양 전지에서 기판으로 사용하였다. 일부 층과 이러한 기판 층 상의 태양 전지의 특성을 표에 열거한다. 영역 A는 본 발명에 따라서 생성된 층을 나타낸다. 층 D 내지 F는 이 영역 내 생성 매개변수의 미세한 최적화를 나타낸다. 층 G 내지 I는 당분야의 현 상태에 해당하고 전기적으로 최상의 층을 공급하는 이력 현상 곡선의 상부 섹션에서 반응성 공정의 금속 영역에서 생성하였다.
개량된 에칭 거동 및 생성된 표면 거칠기는 태양 전지에서 전기 수율을 상당히 증가시킬 수 있다(영역 A 및 M). 다른 한편에서 증가된 저항의 결과로서 손실은 산화적으로 스퍼터링된 필름 내 태양 전지의 효율을 제한한다. 고 저항으로 인하여 접속층으로 적합하지 않은 필름 J(영역 O)는 극단적인 경우를 나타낸다. 작동점의 결과로서 변경된 전기 수율은 나머지 생성 매개변수, 예컨대 기판 온도 및 침착 압력과는 독립적으로 고려해야 한다. 태양 전지의 개방 회로 전압은 사용된 기판에 의하여 쉽게 영향을 받을 수 있다. 그러나, 이 효과는 비교적 낮다. 기호 K로 표시된 층 K-M을 Ts < 220℃의 기판 온도에서 생성하였으며, 고 기판 온도가 규소 태양 전지에 대한 양호한 ZnO:Al 기판 층을 생성하기 위하여 필요하다는 것을 명백히 설명해준다. 너무 낮은 온도에서 스퍼터링된 기판 상의 태양 전지의 모든 특성은 불량한 효율로 반영되는 결점을 가진다. 비반응적으로 스퍼터링된 N은 비교층으로 제공된다. 층 N은 태양 전지에서 최상의 특성을 나타내지만, 저 침착 속도(인자 10)로 인하여 태양 전지 모듈의 공업적 생산에 효율적인 비용을 사용할 수 없다. 후자 및 본 발명에 따르는 영역 A로부터의 층은 태양 전지에서 8% 이상의 양호한 효율 레벨을 나타낸다.
본 명세서에서 인용된 기술 현황:
[1] J. Muller et al. State-of-the-art mid-frequency sputtered ZnO films for thin-film silicon solar cells and modules, Thin Solid Films 442 (2003) 158-162.
[2] B. Szyszka et al., Transparent and conductive ZnO:Al films deposited by large area reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films 442 (2003) 179-183.
Claims (16)
- 반응성 스퍼터링에 의하여 기판 상에 전도성 투명 산화아연층을 제조하는 방법으로서, 이력 현상을 가지며,도핑된 금속 Zn 표적을 사용하며, 표적의 도핑 함량이 2.3 원자% 미만인 단계;기판에 대한 가열기를 200℃ 이상의 기판 온도가 되도록 설정하는 단계;50 nm*m/분 이상의 동적 침착 속도를 190 nm/분의 정적 침착 속도에 해당하도록 설정하는 단계; 및불안정한 공정 영역 내 안정화된 작동점이 안정한 금속 공정과 불안정한 공정 간의 전이점과 안정화된 공정 곡선의 변곡점 사이에 위치되도록 선택하는 단계를 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 도핑 함량이 1.5 원자% 미만, 특히 1 원자% 미만인 표적을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 도핑제로서 알루미늄을 가진 표적을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 기판을 250℃ 이상의 온도, 특히 300℃ 이상의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 80 nm*m/분 이상, 특히 100 nm/분 이상의 동적 침착 속도를 300 이상, 특히 380 nm/분 이상의 정적 침착 속도에 해당하도록 설정하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 중주파수(mf) 여기를 가진 이중 마그네트론 배열을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 동적 유동 공정을 수행하고, 여기서 기판은 스퍼터링 중에 이동하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 생성된 산화물층 내 도핑제, 특히 알루미늄의 함량이 3.5 원자% 미만이고, 저항이 1*10-3 Ω cm 미만이며, 전하 캐리어 이동도가 25 ㎠/V 이상이고, 400 내지 1100 nm의 평균 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 전도성 투명 산화아연층.
- 제8항에 있어서, 도핑제의 함량은 3 원자% 미만, 특히 2.5 원자% 미만인 것을 특징으로 하는 산화물층.
- 제8항 또는 제9항에 있어서, 저항은 5*10-4 Ω cm 미만인 것을 특징으로 하는 산화물층.
- 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 전하 캐리어 이동도는 35 ㎠/V 이상인 것을 특징으로 하는 산화물층.
- 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 400 내지 1100 nm의 평균 투과율은 82% 이상인 것을 특징으로 하는 산화물층.
- 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 층은 도핑제로서 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물층.
- 태양 전지에서의 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항의 산화물층의 용도.
- 제14항에 있어서, 결정질 박막 태양 전지 어레이에 사용하는 것을 특징으로 하는 용도.
- 제14항에 있어서, 비정질 및 결정질 규소 탠덤 태양 전지 어레이에 사용하는 것을 특징으로 하는 용도.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010111197A2 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Intermolecular, Inc. | Acid chemistries and methodologies for texturing transparent conductive oxide materials |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2588467C (en) * | 2005-09-09 | 2011-01-11 | The Procter & Gamble Company | Solid skin care composition comprising multiple layers based on water-in-oil emulsions |
| US7463399B2 (en) | 2005-09-28 | 2008-12-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Flat panel display and a method of driving the same |
| US8658887B2 (en) * | 2006-11-20 | 2014-02-25 | Kaneka Corporation | Substrate provided with transparent conductive film for photoelectric conversion device, method for manufacturing the substrate, and photoelectric conversion device using the substrate |
| DE102007024986A1 (de) | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Temperaturstabile TCO-Schicht, Verfahren zur Herstellung und Anwendung |
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| US20100132783A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Applied Materials, Inc. | Transparent conductive film with high surface roughness formed by a reactive sputter deposition |
| US20100320456A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Epv Solar, Inc. | Method for Fabricating a Doped and/or Alloyed Semiconductor |
| CN101997040B (zh) * | 2009-08-13 | 2012-12-12 | 杜邦太阳能有限公司 | 用于制造具有带有纹理表面的透明传导氧化物层的多层结构的工艺和借此制成的结构 |
| DE102009039777A1 (de) * | 2009-09-02 | 2011-03-03 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung einer Zinkoxidschicht und Zinkoxidschicht |
| DE102009040621A1 (de) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Schott Solar Ag | Dünnschichtsolarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102009051345B4 (de) * | 2009-10-30 | 2013-07-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer transparenten Elektrode |
| DE102009060547A1 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 | Verfahren zum Beschichten eines Substrats mit aluminiumdotiertem Zinkoxid |
| DE102010009558A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer texturierten TCO-Schicht |
| KR101084985B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-11-21 | 한국철강 주식회사 | 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101194243B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-10-29 | 한국철강 주식회사 | 탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
| DE102010038796B4 (de) * | 2010-08-02 | 2014-02-20 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| CN102254799B (zh) * | 2011-08-19 | 2013-03-27 | 中国科学院电工研究所 | 一种太阳能电池azo减反射膜制备方法 |
| TWI443846B (zh) * | 2011-11-01 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 透明導電層結構 |
| CN105931960B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-05-03 | 中国科学院电工研究所 | 一种刻蚀掺铝氧化锌薄膜的方法 |
| JP7448909B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2024-03-13 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜方法、及び成膜装置 |
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| US6537428B1 (en) * | 1999-09-02 | 2003-03-25 | Veeco Instruments, Inc. | Stable high rate reactive sputtering |
| WO2002046490A2 (de) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beschichtetes substrat geringer emissivität |
| JP2002222972A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Sharp Corp | 積層型太陽電池 |
| JP2005236337A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-09-02 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
| JP2003068643A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Japan Advanced Inst Of Science & Technology Hokuriku | 結晶性シリコン膜の作製方法及び太陽電池 |
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Cited By (2)
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