KR20060121417A - 발광 소자의 패키지 - Google Patents

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KR20060121417A
KR20060121417A KR1020050043587A KR20050043587A KR20060121417A KR 20060121417 A KR20060121417 A KR 20060121417A KR 1020050043587 A KR1020050043587 A KR 1020050043587A KR 20050043587 A KR20050043587 A KR 20050043587A KR 20060121417 A KR20060121417 A KR 20060121417A
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이현재
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Abstract

본 발명은 발광 소자의 패키지에 관한 것으로, 제 1 극성층 상부에 활성층과 제 2 극성층이 순차적으로 형성되어 있고, 이 제 1 극성층 하부에 오믹 컨택 및 반사용 전극이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층 상부에 전극패드가 형성되어 있는 발광 소자와; 상부면에 개구를 갖는 절연층이 형성되어 있고, 상기 개구로 노출된 상부면에 솔더가 형성되어 있고, 상기 절연층 상부에 전도성 라인이 형성되어 있는 금속 기판과; 상기 발광 소자의 전극패드과 상기 전도성 라인과 전기적으로 연결하는 와이어와; 상기 오믹 컨택 및 반사용 전극과 솔더 사이에 개재되어 상기 발광 소자와 상기 금속 기판을 본딩시키는 금속 지지 박막을 포함하여 구성된다.
따라서, 본 발명은 발광 소자와 금속기판이 접합되는 면에 유전체를 제거하고, 직접 금속접합 수행함으로서 열 방출을 극대화하고 전류의 균일한 흐름을 얻을 수 있는 효과가 있다.
그리고, 본 발명은 발광 소자용 에피를 성장시킨 기판이 제거된 소자를 사용하여, 수직적으로 균일하게 전류가 흐를 수 있도록 하여, 광 출력을 극대화 할 수 있는 효과가 있다.
발광소자, 유전체, 솔더, 측벽, 경사, 지지부, 금속

Description

발광 소자의 패키지 { Package for light emitting device }
도 1은 종래 기술에 따른 금속 기판에 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 단면도
도 2는 종래 기술에 따른 서브마운트 기판을 이용하여 금속 기판에 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 단면도
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도
도 5a와 5b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자의 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 금속 기판 101,510 : 홈
110 : 절연층 120 : 전도성 라인
150,450 : 솔더 160,460 : 금속지지 박막
200,220,400,420,600,620 : 극성층 210,410,610 : 활성층
250 : 오믹 컨택층 260 : 반사용 전극층
270 : 전극 패드 290,530 : 유전체막
300 : 렌즈 430,520 : 오믹컨택 및 반사용 전극
455 : 전극 패드 500 : 금속 지지부
본 발명은 발광 소자의 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 소자와 금속기판이 접합되는 면에 유전체를 제거하고, 직접 금속접합 수행함으로서 열 방출을 극대화하고 전류의 균일한 흐름을 얻을 수 있는 발광 소자의 패키지에 관한 것이다.
최근, 고휘도 및 고출력용 광 소자 패키지인 경우, 광 출력 및 그 신뢰성이 가장 큰 이슈(Issue)가 되고 있다.
그 중, 최근 각광을 받고 있는 백라이트 유닛(Backlight Unit, BLU)용 발광 다이오드의 경우, 그 신뢰성이 가장 큰 문제점으로 대두되고 있는데 이러한 신뢰성에 가장 치명적인 문제가 광 소자에서 발생하는 열 문제이다.
광 소자 내부에서 발생되는 열은 광소자의 특성을 나쁘게 할 뿐만 아니라 소자의 수명시간을 짧게 한다.
현재, 많은 광소자 업체에서 패키지 구조 설계시 소자의 열방출 문제를 가장 심각하게 고려하고 있다.
그러나, 소자의 대부분의 면적이 일차적으로 절연물체인 유전체(Dielectric)로 덮은 후, 열 전달 특성이 우수한 열 전달 물질을 이용하여 접합하고 있는 실정이다.
도 1은 종래 기술에 따른 금속 기판에 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 단면도로서, 먼저, 발광 소자는 기판(20) 상부에 N-GaN층(21), 활성층(22)과 P-GaN층(23)이 순차적으로 적층되어 있고; 상기 P-GaN층(23)에서 N-GaN층(21)의 일부까지 메사식각되어 있고; 상기 P-GaN층(23) 상부에 오믹 컨택 및 반사용 전극(24)이 형성되어 있고; 상기 오믹 컨택 및 반사용 전극(24) 상부 일영역에 P-전극 패드(31)가 형성되어 있고; 상기 P-전극 패드(31)가 형성되어 있지 않은 상기 오믹 컨택 및 반사용 전극(24) 상부 나머지 영역에 유전체층(35)이 형성되어 있고; 상기 유전체층(35) 상부에 열적 컨택층(41)이 형성되어 있고; 상기 메사 식각된 N-GaN층(21) 상부에 N-전극(32)이 형성되어 이루어진다.
그리고, 금속 기판(10)은 상부에 개구(15)를 형성하며 유전체층(11)이 형성되어 있고, 상기 유전체층(11) 상부에 전도성 라인(12)이 형성되어 있다.
이러한, 발광 소자는 금속 기판(10)에 뒤집혀져 상기 도전성 라인(12)에 전극 패드들(31,32)이 솔더(35)로 플립칩(Flip chip) 본딩되어 실장된다.
그리고, 상기 열적 컨택층(41)은 상기 개구(15)에 의해 노출된 금속 기판(10)에 열전달 물질층(42)을 사이에 개재되어 본딩된다.
이렇게 발광 소자가 금속기판에 본딩된 후, 상기 발광 소자를 감싸며 렌즈(50)를 상기 금속기판에 접합시킨다.
그러므로, 이러한 종래 기술에 따른 발광 소자는 소자 표면의 가장 넓은 영역이 금속 기판과 접합을 위해, 비전도 물질인 유전체로 소자 표면을 덮은 후, 열전달 특성이 우수한 컨택 물질을 이용하여 금속 기판과 접합하는 것이다.
도 2는 종래 기술에 따른 서브마운트 기판을 이용하여 금속 기판에 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 단면도로서, 서브마운트 기판을 이용하는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 상부에 형성된 도전성 라인(81)이 하부의 도전성 라인(미도시)과 전기적으로 연결되는 서브마운트 기판(80)을 준비하고, 이 서브마운트 기판(80) 상부에 있는 도전성 라인(81)에 솔더 범프(Solder bump)(71)을 이용하여 발광 소자(70)를 본딩하고, 상기 서브마운트 기판(80)의 하부에 있는 도전성 라인은 금속 기판(60) 상부에 형성된 도전성 라인(62)와 솔더(85)를 이용하여 플립칩(Flip chip) 본딩된다.
그리고, 상기 서브마운트 기판(80)의 하부에는 열적 컨택층(87)이 구비되어 있고, 이 열적 컨택층(87)은 금속 기판(60) 상부와 열전달 물질층(90)에 의해 본딩된다.
상기 발광 소자가 금속기판에 본딩된 후, 상기 발광 소자를 감싸며 렌즈(50)를 상기 금속기판(60)에 접합시킨다.
여기서, 도 2의 '62'는 유전체층이다.
이러한, 서브 마운트 기판을 이용하여 발광 소자와 금속 기판을 본딩하는 기 술은 발광 소자의 대부분의 면적이 절연물질인 유전체층으로 덮혀 있으며, 유전체층보다는 상대적으로 작은 영역이 솔더로 서브마운트 기판에 접합되어 잇다.
따라서, 전술된 바와 같이, 발광 소자와 금속 기판이 본딩된 영역의 대부분에는 유전체층이 존재하여, 발광 소자에서 금속 기판으로의 열전달이 원활하지 않고, 전극 컨택부위를 만들어야 하기 때문에 복잡한 구조를 갖는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 발광 소자와 금속기판이 접합되는 면에 유전체를 제거하고, 직접 금속접합 수행함으로서 열 방출을 극대화하고 전류의 균일한 흐름을 얻을 수 있는 발광 소자의 패키지를 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 발광 소자용 에피를 성장시킨 기판이 제거된 소자를 사용하여, 수직적으로 균일하게 전류가 흐를 수 있도록 하여, 광 출력을 극대화 할 수 있는 발광 소자의 패키지를 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 제 1 극성층 상부에 활성층과 제 2 극성층이 순차적으로 형성되어 있고, 이 제 1 극성층 하부에 오믹 컨택 및 반사용 전극이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층 상부에 전극패드가 형성되어 있는 발광 소자와;
상부면에 개구를 갖는 절연층이 형성되어 있고, 상기 개구로 노출된 상부면에 솔더가 형성되어 있고, 상기 절연층 상부에 전도성 라인이 형성되어 있는 금속 기판과;
상기 발광 소자의 전극패드과 상기 전도성 라인과 전기적으로 연결하는 와이어와;
상기 오믹 컨택 및 반사용 전극과 솔더 사이에 개재되어 상기 발광 소자와 상기 금속 기판을 본딩시키는 금속 지지 박막을 포함하여 구성되는 발광 소자의 패키지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 다른 양태(樣態)는, 제 1 극성층 상부에 활성층과 제 2 극성층이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층에서 제 1 극성층으로 갈수록 폭이 증가되는 형상으로 측벽이 경사져 있고, 상기 제 2 극성층 상부에 전극패드가 형성되어 있는 발광 소자와;
상부면에 홈이 형성되어 있고, 상기 홈의 내부면에 상기 발광 소자가 본딩되는 금속 지지부와;
상부면에 개구를 갖는 절연층이 형성되어 있고, 상기 절연층 상부에 전도성 라인이 형성되어 있는 금속 기판과;
상기 금속 지지부를 상기 개구로 노출된 상기 금속 기판 상부에 본딩시키는 솔더와;
상기 발광 소자의 전극패드와 상기 전도성 라인과 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하여 구성된 발광 소자의 패키지가 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도로서, 제 1 극성층(200) 상부에 활성층(210)과 제 2 극성층(220)이 순차적으로 형성되어 있고, 이 제 1 극성층(200) 하부에 오믹 컨택 및 반사용 전극이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층(220) 상부에 전극패드(270)가 형성되어 있는 발광 소자와; 상부면에 개구(111)를 갖는 절연층(110)이 형성되어 있고, 상기 개구(111)로 노출된 상부면에 솔더(150)가 형성되어 있고, 상기 절연층(110) 상부에 전도성 라인(120)이 형성되어 있는 금속 기판(100)과; 상기 발광 소자의 전극패드(270)과 상기 전도성 라인(120)과 전기적으로 연결하는 와이어(280)와; 상기 오믹 컨택 및 반사용 전극(250,260)과 솔더(150) 사이에 개재되어 상기 발광 소자와 상기 금속 기판(100)을 본딩시키는 금속 지지 박막(160)를 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 오믹 컨택 및 반사용 전극은 오믹 컨택 및 반사 기능을 수행하는 하나의 전극을 사용할 수 있고, 오믹 컨택층(250)과 반사용 전극층(260)이 적층되어 있는 것을 사용하여도 된다.
그리고, 상기 발광 소자와 와이어를 포함하여 감싸는 렌즈(300)가 상기 금속 기판(100) 상부에 접착되어 있다.
또한, 상기 제 1 극성층(200)에서 제 2 극성층(220)까지의 측벽에 유전체막(290)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 유전체막(290)은 소자 측벽 보호용으로도 사용할 수 있지만, 상기 발광 소자의 활성층(210)에서 방출되는 광이 소자의 측벽으로 빠져나가지 못하도록 반사시켜 소자의 상부로 출사되도록 하는 HR(High reflection)막과 같은 반사용 유전체막이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도로서, 제 1 극성층(400) 상부에 활성층(410)과 제 2 극성층(420)이 순차적으로 형성되어 있고, 이 제 2 극성층(420) 하부에 오믹 컨택 및 반사용 전극(430)이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층(420) 상부에 전극패드(455)가 형성되어 있는 발광 소자와; 상부면에 홈(101)이 형성되어 있고, 상기 홈(101)의 내부면에 솔더(450)가 코팅되어 있고, 상기 홈(101)이 형성되어 있지 않은 상부면에 절연층(110)이 형성되어 있고, 상기 절연층(110) 상부에 전도성 라인(120)이 형성되어 있는 금속 기판(100)과; 상기 발광 소자의 전극패드(455)와 상기 전도성 라인(120)과 전기적으로 연결하는 와이어(470)와; 상기 발광 소자와 상기 금속 기판(100)을 본딩시키기 위하여, 상기 오믹 컨택 및 반사용 전극(430)과 솔더(450) 사이에 개재되는 금속지지 박막(460)으로 구성된다.
이와 같이, 본 발명의 제 1과 2 실시예의 발광 소자는 금속지지 박막(160,460)을 통하여 금속 기판(100)에 본딩됨으로, 열 방출 효율이 증가되고, 패키지의 구조를 단순화시킬 수 잇다.
도 5a와 5b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자의 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 먼저, 도 5a에서 발광소자의 제 1 극성층(200)에서 제 2 극성층(220)까지의 측벽은 상기 제 2 극성층(220)에서 제 1 극성층(200)으로 갈 수록 폭이 증가되는 형상으로 경사져 있다.
그리고, 이 측벽에는 유전체막(290)이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층(220)의 하부에는 오믹 컨택층(250)과 반사용 전극층(260)이 적층되어 있다.
여기서, 상기 유전체막(290)은 소자 측벽 보호용으로도 사용할 수 있지만, 상기 발광 소자의 활성층(210)에서 방출되는 광이 소자의 측벽으로 빠져나가지 못하도록 반사시켜 소자의 상부로 출사되도록 하는 HR(High reflection)막과 같은 반사용 유전체막이 바람직하다.
그리고, 발광소자의 측벽이 경사져 있으면, 소자 상부로 출사되는 광량을 증가시킬 수 있다.
그리고, 도 5b에서는 유전체막(290)과 제 2 극성층(220) 하부를 감싸는 오믹 컨택 및 반사용 전극층(430)이 형성되어 있다.
그러므로, 이 오믹 컨택 및 반사용 전극층(430)이 금속지지 박막(160)에 본딩된다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도로서, 제 1 극성층(600) 상부에 활성층(610)과 제 2 극성층(620)이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층(620)에서 제 1 극성층(600)으로 갈수록 폭이 증가되는 형상으로 측벽이 경사져 있고, 상기 측벽에 유전체막(530)이 형성되어 있고, 상기 측벽과 제 2 극성층(620) 하부에 오믹 컨택 및 반사용 전극(520)이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층(620) 상부에 전극패드(550)가 형성되어 있는 발광 소자와; 상부면에 홈(510)이 형성되어 있고, 상기 홈(510)의 내부면에 상기 발광 소자의 오믹 컨 택 및 반사용 전극(520)이 본딩되는 금속 지지부(500)와; 상부면에 개구(111)를 갖는 절연층(110)이 형성되어 있고, 상기 개구(111)로 노출된 상부면에 솔더(150)가 형성되어 있고, 상기 절연층(110) 상부에 전도성 라인(120)이 형성되어 있는 금속 기판(100)과; 금속 지지부(550)를 상기 개구(111)로 노출된 상기 금속 기판(100) 상부에 본딩시키는 솔더(260)와; 상기 발광 소자의 전극패드(550)와 상기 전도성 라인(120)과 전기적으로 연결하는 와이어(470)를 포함하여 구성된다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 소자의 패키지의 단면도로서, 제 1 극성층(600) 상부에 활성층(610)과 제 2 극성층(620)이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층(620)에서 제 1 극성층(600)으로 갈수록 폭이 증가되는 형상으로 측벽이 경사져 있고, 상기 측벽에 유전체막(530)이 형성되어 있고, 상기 측벽과 제 2 극성층(620) 하부에 오믹 컨택 및 반사용 전극(520)이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층(620) 상부에 전극패드(550)가 형성되어 있는 발광 소자와; 상부면에 홈(510)이 형성되어 있고, 상기 홈(510)의 내부면에 상기 발광 소자의 오믹 컨택 및 반사용 전극(520)이 본딩되는 금속 지지부(500)와; 상부면에 홈(101)이 형성되어 있고, 상기 홈(101)이 형성되어 있지 않은 상부면에 절연층(110)이 형성되어 있고, 상기 절연층(110) 상부에 전도성 라인(120)이 형성되어 있는 금속 기판(100)과; 상기 발광 소자의 전극패드(455)와 상기 전도성 라인(120)과 전기적으로 연결하는 와이어(470)와; 상기 홈(101)의 내부면에 코팅되어 있고, 상기 홈(101)에 삽입되어진 발광 소자를 본딩시키는 솔더(450)를 포함하여 구성된다.
전술된 바와 같이, 본 발명은 도 3과 도 6은 금속 기판 상부에 발광 소자가 본딩되는 것이고, 도 4와 도 7은 금속 기판에 홈을 만들고, 이 홈 내부면에 발광 소자를 본딩하는 것이고, 도 6과 7은 상부에 홈이 형성되어 있는 금속 지지부에 발광 소자를 본딩시킨 후, 상기 금속 지지부를 금속 기판에 본딩한 것이다.
그러므로, 본 발명의 제 1 내지 5 실시예의 발광 소자는, 각각의 본딩되는 영역상에 유전체를 개재하지 않고, 솔더를 이용하여 본딩한다.
따라서, 본 발명은 발광 소자와 금속기판이 접합되는 면에 유전체를 제거하고, 직접 금속접합 수행함으로서 열 방출을 극대화하고 전류의 균일한 흐름을 얻을 수 있다는데 장점이 있다.
그리고, 본 발명은 발광 소자용 에피 성장에 사용된 기판을 제거하고, 수직적으로 균일하게 전류가 흐를 수 있도록 하여, 광 출력을 극대화 할 수 있는 장점이 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 발광 소자와 금속기판이 접합되는 면에 유전체를 제거하고, 직접 금속접합 수행함으로서 열 방출을 극대화하고 전류의 균일한 흐름을 얻을 수 있는 효과가 있다.
그리고, 본 발명은 발광 소자용 에피를 성장시킨 기판이 제거된 소자를 사용하여, 수직적으로 균일하게 전류가 흐를 수 있도록 하여, 광 출력을 극대화 할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (9)

  1. 제 1 극성층 상부에 활성층과 제 2 극성층이 순차적으로 형성되어 있고, 이 제 1 극성층 하부에 오믹 컨택 및 반사용 전극이 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층 상부에 전극패드가 형성되어 있는 발광 소자와;
    상부면에 개구를 갖는 절연층이 형성되어 있고, 상기 개구로 노출된 상부면에 솔더가 형성되어 있고, 상기 절연층 상부에 전도성 라인이 형성되어 있는 금속 기판과;
    상기 발광 소자의 전극패드과 상기 금속기판의 전도성 라인을 전기적으로 연결하는 와이어와;
    상기 오믹 컨택 및 반사용 전극과 솔더 사이에 개재되어 상기 발광 소자와 상기 금속 기판을 본딩시키는 금속 지지 박막을 포함하여 구성되는 발광 소자의 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 기판의 개구에는 홈이 형성되어 있으며,
    그 홈 내부면에 솔더가 형성되어 있고,
    상기 발광 소자는 상기 홈 내부에 삽입되어 금속 지지 박막을 통하여 솔더에 의해 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자의 제 1 극성층에서 제 2 극성층까지의 측벽은,
    상기 제 2 극성층에서 제 1 극성층으로 갈수록 폭이 증가되는 형상으로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 패키지.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 소자의 상기 제 1 극성층에서 제 2 극성층까지의 측벽에 유전체막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 패키지.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 소자와 와이어를 포함하여 감싸는 렌즈가 상기 금속 기판 상부에 더 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 패키지.
  6. 제 1 극성층 상부에 활성층과 제 2 극성층이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 제 2 극성층에서 제 1 극성층으로 갈수록 폭이 증가되는 형상으로 측벽이 경사 져 있고, 상기 제 2 극성층 상부에 전극패드가 형성되어 있는 발광 소자와;
    상부면에 홈이 형성되어 있고, 상기 홈의 내부면에 상기 발광 소자가 본딩되는 금속 지지부와;
    상부면에 개구를 갖는 절연층이 형성되어 있고, 상기 절연층 상부에 전도성 라인이 형성되어 있는 금속 기판과;
    상기 금속 지지부를 상기 개구로 노출된 상기 금속 기판 상부에 본딩시키는 솔더와;
    상기 발광 소자의 전극패드와 상기 금속기판의 전도성 라인을 전기적으로 연결하는 와이어를 포함하여 구성된 발광 소자의 패키지.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 발광 소자의 측벽에 유전체막이 더 형성되어 있고,
    상기 발광 소자의 측벽과 제 2 극성층 하부에 상기 오믹 컨택 및 반사용 전극이 더 형성되어 있고,
    상기 오믹 컨택 및 반사용 전극은 상기 금속지지부의 홈 내부면에 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 패키지.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 금속 기판의 개구에는 홈이 형성되어 있으며,
    상기 솔더는 그 홈 내부면에 형성되어 있고,
    상기 금속 지지부는 상기 홈 내부에 삽입되어 상기 솔더에 의해 상기 금속 기판과 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 패키지.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 발광 소자와 와이어를 포함하여 감싸는 렌즈가 상기 금속 기판 상부에 더 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 패키지.
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