KR20060120776A - 전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환드라이버 - Google Patents

전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환드라이버 Download PDF

Info

Publication number
KR20060120776A
KR20060120776A KR1020050042929A KR20050042929A KR20060120776A KR 20060120776 A KR20060120776 A KR 20060120776A KR 1020050042929 A KR1020050042929 A KR 1020050042929A KR 20050042929 A KR20050042929 A KR 20050042929A KR 20060120776 A KR20060120776 A KR 20060120776A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
level
pull
generating
output voltage
Prior art date
Application number
KR1020050042929A
Other languages
English (en)
Inventor
윤재윤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050042929A priority Critical patent/KR20060120776A/ko
Publication of KR20060120776A publication Critical patent/KR20060120776A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0016—Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
    • G11C2207/2227—Standby or low power modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버가 게시된다. 본 발명의 전압 변환 드라이버에서는, 풀 스윙(full swing)하는 입력전압을 다중 스윙 레벨의 출력전압으로 변환시킬 수 있는 전압 레벨 변환부가 구비된다. 상기 전압 레벨 변환부는 제어신호의 논리상태에 따라, 상기 출력전압을 풀 스윙 레벨로 생성시키거나, 상기 풀 스윙 레벨에서 소정의 조절 전압 만큼 감소되는 스몰 스윙(small swing) 레벨로 생성시킨다. 그러므로, 본 발명의 전압 변환 드라이버에 의하면, 반도체 디바이스의 입력전압을 반도체 디바이스의 동작 주파수에 따른 출력전압으로 변환시켜, 동작 주파수와는 무관하게 모든 구간에서 풀 스윙되는 전압을 제공함으로써 발생되는 불필요한 전력의 낭비를 방지할 수 있다. 또한, 하나의 전압 레벨 변환부에 의하여 다양한 레벨을 갖는 출력전압을 생성시킴으로써, 레이아웃 면적을 개선시킬 수 있다.
반도체 디바이스, 전압 변환 드라이버, 다중 전압 스윙, 모스 레지스터 셋트

Description

전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버{VOLTAGE CONVERT DRIVER IN SEMICONDUCTOR DEVICE FOR SAVING POWER}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 종래의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버를 개략적으로 나타내는 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버를 개략적으로 나타내는 블럭도이다.
도 3은 도 2의 전압 레벨 변환부에 따른 구체적인 회로도이다.
도 4a부터 도 4d는 각각 도 2의 제어신호의 논리상태에 따른 도 2의 출력전압의 스윙 레벨의 변화를 나타내는 도면이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
VIN : 입력전압 VOUT : 출력전압
XCON1 : 제1 제어신호 XCON2 : 제2 제어신호
MINF : 메모리정보
122 : 전압 출력 수단 124 : 풀업전압 발생수단
126 : 풀다운전압 발생수단
본 발명은 반도체 디바이스에 관한 것으로서, 특히 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버에 관한 것이다.
현재, 반도체 디바이스는 휴대용 정보장치로서의 쓰임이 확대되는 추세에 있다. 그리고, 하나의 반도체 디바이스의 칩에 내장되는 소자의 수도 현저히 증가되고 있다. 그러므로, 높은 에너지 밀도를 가지는 배터리의 개발과 함께, 반도체 디바이스의 전력소비를 낮추기 위한 노력이 필수적이라 할 수 있다.
한편, 반도체 디바이스의 동작시에는, 다양한 종류의 신호 및 데이터가 스윙(swing)을 하면서 다음의 경로로 이동된다. 그리고, 신호 및 데이터를 전송하는 회로들의 주파수는 매우 다양하며, 이때 요구되는 풀업전압 및 풀다운전압의 종류로 다양하다. 이때, 외부에서 공급되는 전압은 다양한 종류의 신호 및 데이터들 중에서, 가장 큰 폭으로 스윙하는 경우를 기준으로 설계된다. 그리고, 작은 폭의 스윙을 위해서, 별도의 전압 변환 드라이버가 반도체 디바이스에 내장된다. 이와 같은 전압 변환 드라이버를 통하여, 불필요한 전류의 소모를 저감시킬 수 있다.
도 1은 종래의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버(10)를 개략적으로 나 타내는 블럭도이다. 종래의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버(10)는, 서로 다른 레벨의 풀업전압을 생성하는 제1 기준전압 변환회로(12) 및 제2 기준전압 변환회로(14)를 구비한다. 상기 기준전압 변환회로들(12,14) 각각은 반도체 디바이스의 동작 주파수에 따라, 입력전압(VIN)의 서로 상이한 2이상의 기준전압으로 변환하여 출력전압(VOUT)을 생성시킨다.
그런데, 도1의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버(10)에 의하면, 입력전압(VIN)을 각각의 동작 주파수에 따른 출력전압(VOUT)으로 변환시키기 위한 각자의 변환회로(12,14)가 별도로 구현되므로, 레이아웃 면적 및 전력소모가 크게 된다는 단점을 지닌다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 레이아웃 면적 및 전류소모를 저감시킬 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버를 제공하는데 있다.
상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버에 관한 것이다. 본 발명의 전압 변환 드라이버는 풀 스윙(full swing) 레벨로 스윙할 수 있는 입력전압을 소정의 전압 레벨로 스윙하는 출력전압으로 변환시키는 전압 레벨 변환부로서, 소정의 제어신호의 논리상태에 따 라, 상기 출력전압의 레벨을 풀 스윙 레벨로 스윙하거나, 상기 풀 스윙 레벨에서 소정의 조절 전압 만큼 감소되는 스몰 스윙(small swing) 레벨로 스윙하는 상기 전압 레벨 변환부; 및 상기 반도체 디바이스의 동작 주파수에 의하여, 논리상태가 제어되는 상기 제어신호를 발생시키는 전압 레벨 제어부를 구비한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
이하, 첨부한 도면은 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버를 개략적으로 나타내는 블럭도이다. 도 2을 참조하면, 본 발명의 전압 변환 드라이버(100)는 전압 레벨 변환부(120) 및 전압 레벨 제어부(140)를 포함한다.
상기 전압 레벨 변환부(120)는 풀 스윙(full swing)하는 입력전압(VIN)을, 소정의 전압 레벨로 스윙하는 출력전압(VOUT)으로 변환시킨다. 이때, 상기 출력전압(VOUT)의 스윙폭은 상기 전압 레벨 제어부(140)으로부터 제공되는 제어신호(XCON1, XCON2)의 논리상태에 의하여 조절된다. 즉, 상기 전압 레벨 변환부(120)는, 상기 제어신호(XCON1, XCON2)의 논리상태에 따라, 상기 출력전압(VOUT)의 레벨 을 풀 스윙 레벨로 스윙하거나, 상기 풀 스윙 레벨에서 소정의 조절 전압 만큼 감소되는 스몰 스윙(small swing) 레벨로 스윙한다.
상기 전압 레벨 변환부(120)에 따른 구체적인 회로도는 도 3에 도시된다. 도 3을 참조하면, 상기 전압 레벨 변환부(120)는 전압 출력 수단(122), 풀업전압 발생수단(124) 및 풀다운전압 발생수단(126)을 포함하여 구현될 수 있다.
상기 전압 출력 수단(122)은 상기 입력전압(VIN)에 의하여 제어되고, 상기 출력전압(VOUT)을 생성한다. 상기 전압 출력 수단(122)은 상기 입력전압(VIN)을 게이트 전압으로 하는 피모스 트랜지스터(122a)와 앤모스 트랜지스터(122b)를 포함할 수 있고, 상기 피모스 트랜지스터(122a)의 드레인과 상기 엔모스 트랜지스터(122b)의 드레인은 공통접속된다.
상기 풀업전압 발생수단(124)은 상기 출력전압(VOUT)의 풀업 레벨을 발생시킨다. 상기 풀업전압 발생수단(124)은 피모스 트랜지스터(124a)와, 풀업 다이오드(124b)를 포함한다.
상기 출력전압(VOUT)의 풀업 레벨을 상기 풀 스윙 레벨로 발생시키는 피모스 트랜지스터(124a)와, 상기 출력전압(VOUT)의 풀업 레벨을 상기 스몰 스윙 레벨로 발생시키는 다이오드(124b)를 포함한다. 상기 피모스 트랜지스터(124a)는 상기 제어신호(XCON1)에 의하여 게이팅된다. 본 명세서에서는 상기 피모스 트랜지스터(124a)의 게이팅에 관여하는 제어신호(XCON1)는 설명의 편의상 이하 '제1 제어신호'라 불리울 수 있다.
상기 제1 제어신호(XCON1)가 논리 "L"이면, 상기 피모스 트랜지스터(124a)에 의하여, 상기 전압 출력 수단(122)의 피모스 트랜지스터(122a)의 드레인 단자(N123)의 전압은 전원전압(VDD)으로 된다. 따라서, 상기 제1 제어신호(XCON1)가 논리 "L"인 구간에서는, 상기 출력전압(VOUT)의 풀업 레벨은 전원전압(VDD)으로 된다.
반면에, 상기 제1 제어신호(XCON1)가 논리 "H"인 구간에서는, 상기 피모스 트랜지스터(122a)는 턴오프된다. 따라서, 상기 단자(N123)의 전압은, 풀업 다이오드(124b)에 의하여, 전원전압(VDD)에서 상기 다이오드(124b)의 문턱전압(Vth)이 감소된 전압(VDD-Vth)으로 된다. 이경우 상기 출력전압(VOUT)의 풀업 레벨은 상기 감소된 전압(VDD-Vth) 레벨로 변환된다.
계속해서 도 3을 참조하면, 상기 풀다운전압 발생수단(126)은 상기 출력전압(VOUT)의 풀다운 레벨을 발생시킨다. 상기 풀다운전압 발생수단(126)은, 상기 출력전압(VOUT)의 풀다운 레벨을 상기 풀 스윙 레벨로 발생시키는 엔모스 트랜지스터(126a)와, 상기 출력전압(VOUT)의 풀다운 레벨을 상기 스몰 스윙 레벨로 발생시키는 풀다운 다이오드(126b)를 포함한다. 상기 엔모스 트랜지스터(126a)는 상기 제어신호(XCON2)에 의하여 게이팅된다. 본 명세서에서는 상기 엔모스 트랜지스터(126a)의 게이팅에 관여하는 제어신호(XCON2)는 설명의 편의상 이하 '제2 제어신호'라 불리울 수 있다.
상기 제2 제어신호(XCON2)가 논리 "H"이면, 상기 엔모스 트랜지스터(126a)에 의하여, 상기 전압 출력 수단(122)의 엔모스 트랜지스터(122b)의 드레인 단자(N125)의 전압은 접지전압(VSS)으로 된다. 따라서 상기 제2 제어신호(XCON2)가 논 리 "H"인 구간에서는, 상기 출력전압(VOUT)의 풀다운 레벨은 접지전압(VSS)으로 된다.
반면에, 상기 제2 제어신호(XCON2)가 논리 "L"인 구간에서는, 상기 다이오드(126b)에 의하여, 상기 전압 출력 수단(122)의 엔모스 트랜지스터(122b)의 소스전압은, 접지전압(VSS)에서 상기 다이오드(126b)의 문턱전압(Vth)이 증가된 전압(VSS+Vth)으로 된다. 이경우 상기 출력전압(VOUT)의 풀다운 레벨은 상기 증가된 전압(VSS+Vth) 레벨로 변환된다.
본 실시예에서, 상기 전압 레벨 변환부(120)는 상기 풀업전압 발생수단(124)과 상기 풀다운전압 발생수단(126)을 모두 구비하고 있으나, 변환하고자 하는 상기 출력전압(VOUT)의 레벨에 따라, 상기 풀업전압 발생수단(124)과 상기 풀다운전압 발생수단(126) 중 어느 하나만으로 구현될 수도 있다.
이때 상기 풀업전압 발생수단(124)만이 구비된다면, 상기 출력전압(VOUT)의 풀업 레벨만이 변환될 수 있을 것이다. 그리고, 상기 풀다운전압 발생수단(126)만이 구비된다면, 상기 출력전압(VOUT)의 풀다운 레벨만이 변환될 것이다.
다시 도 2를 참조하면, 상기 전압 레벨 제어부(140)는 상기 출력전압(VOUT)의 스윙 레벨을 상기 반도체 디바이스(1000)의 동작 주파수에 따라 제어하는 상기 제어신호(XCON1, XCON2)를 발생시킨다. 상기 제어신호(XCON1,XCON2)는, 상기 반도체 디바이스의 제어회로(200)로 부터 상기 반도체 디바이스의 메모리(300)의 동작 주파수에 대한 메모리정보(MINF)를 수신하여 활성화될 수 있다.
바람직하기로는, 상기 제어신호(XCON1,XCON2)의 논리상태는 전압레벨 제어부 (140) 등에 내장될 수 있는 모드 레지스터 셋트(MRS) 신호 또는 퓨즈(fuse)의 절단여부에 따라 제어될 수 있다. 일반적으로 모드 레지스터 셋트에는, 사용자가 직접 동작모드나 타이밍을 세팅할 수 있도록 하기 위한 정보가 저장되어 있어, 상기 제어신호(XCON1, XCON2)의 논리상태는 상기 모드 레지스터 셋트의 값을 제어함으로써 결정될 수 있다.
또한, 상기 전압 레벨 제어부(140)가 소정의 퓨즈들을 내장하도록 구현되는 경우, 상기 제어신호(XCON1, XCON2)의 논리상태는 상기 퓨즈의 절단여부에 의할 수도 있다.
도 2의 메모리(300)는 상기 반도체 디바이스의 데이터의 기입/독출에 관여하는 반도체 저장장치로서, 디램(DRAM), 에스램(SRAM) 등 다양한 종류의 반도체 저장장치로 구현될 수 있다.
도 2의 버퍼(400)는 상기 출력전압(VOUT)이 스몰 스윙 레벨로 스윙하고 뒷단의 풀 스윙하는 소자와 연결되는 경우, 발생하는 누설전류를 방지하기 위해 구비된다. 상기 누설전류의 증가는 결과적으로 반도체 디바이스의 대기시의 전력소비를 크게 증가시켜, 본 발명의 전압 변환 드라이버(100)에 의한 반도체 디바이스의 전력 세이빙의 목적에 반하게 된다. 상기 버퍼부(400)는 레벨 쉬프터 또는 차동 증폭기로 구현될 수 있다.
상기 제어회로(200), 메모리(300), 버퍼(400)의 구현과 동작은 당업자가 용이하게 이해할 수 있으므로, 본 명세서에서는, 그에 대한 구체적인 기술은 생략된다.
도 4a 내지 도 4d는 각각 도 1의 제어신호(XCON1, XCON2)의 논리상태에 따른 도 1의 출력전압(VOUT)의 스윙 레벨의 변화를 나타내는 도면이다. 도 4a부터 도 4d 각각을 참조하면, 전술한 상기 제1 제어신호(XCON1)와 상기 제2 제어신호(XCON2)의 논리상태에 따른 상기 출력전압(VOUT)의 스윙을 확인할 수 있다. 정리하면, 상기 제어신호들(XCON1, XCON2)의 논리상태에 의하여 상기 출력전압(VOUT)은 도 4a와 같이 전원전압(VDD)에서 접지전압(VSS)으로 풀 스윙하거나, 도 4d와 같이 전원전압(VDD)에서 문턱전압(Vth)이 감소된 풀업전압(VDD-Vth)에서 접지전압(VSS)에서 문턱전압(Vth)이 증가된 풀다운전압(VSS+Vth)으로 스몰 스윙하기도 한다. 또한, 도 4b와 도 4c와 같이 풀업전압이나 풀다운 전압만이 변환될 수도 있다.
본 실시예에서는, 상기 조절 전압이 상기 풀업전압 발생수단(124)과 상기 풀다운전압 발생수단(126)의 다이오드(124b,126b)의 문턱전압(Vth)이였으나, 상기 문턱전압(Vth)의 배수로서 조절될 수 있다. 이경우 상기 풀업전압 발생수단(124) 또는 풀다운전압 발생수단(126)이 다수개의 트랜지스터와 다이오드를 포함하게 된다.
정리하면, 본 발명의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버(100)에 의하면, 도 1의 전압 변환 드라이버(10)에서 반도체 디바이스의 동작 주파수에 따른 출력전압(VOUT)을 생성하기 위해 입력전압(VIN)의 기준전압을 변환하는 각각의 회로(12,14)를 구비해야 되는 것과는 달리, 하나의 전압 레벨 변환부(120)에 의하되 제어신호(XCON1,XCON2)에 따라 다양한 스윙 레벨을 갖는 출력전압(VOUT)을 생성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버(100)에 의하면, 레이아웃 면적이 현저히 감소된다. 또한, 본 발명의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버(100)에 의하면, 동작전류이 감소되어 불필요한 전력소비가 방지될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버에서는, 풀 스윙하는 입력전압을 소정의 전압레벨로 스윙하는 출력전압으로 변환시키는 전압 레벨 변환부가 구비된다. 상기 전압 레벨 변환부는 소정의 제어신호의 논리상태에 의하여 상기 출력전압이 다양한 전압 레벨을 갖도록 한다. 상기 제어신호의 논리상태는 상기 반도체 디바이스의 동작 주파수에 따라 제어된다. 그러므로, 본 발명의 전압 변환 드라이버에 의하면, 레이아웃 면적이 저감된다.
또한, 동작 주파수에 따른 최소한의 전압만이 공급되므로 반도체 디바이스의 동작전류가 감소된다. 따라서, 본 발명의 전압 변환 드라이버에 의하면, 불필요한 전력소비가 방지될 수 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버에 있어서,
    풀 스윙(full swing) 레벨로 스윙할 수 있는 입력전압을 소정의 전압 레벨로 스윙하는 출력전압으로 변환시키는 전압 레벨 변환부로서, 소정의 제어신호의 논리상태에 따라, 상기 출력전압의 레벨을 풀 스윙 레벨로 스윙하거나, 상기 풀 스윙 레벨에서 소정의 조절 전압 만큼 감소되는 스몰 스윙(small swing) 레벨로 스윙하는 상기 전압 레벨 변환부; 및
    상기 반도체 디바이스의 동작 주파수에 의하여, 논리상태가 제어되는 상기 제어신호를 발생시키는 전압 레벨 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제어신호의 논리상태는
    모드 레지스터 셋트(MRS) 신호 또는 퓨즈(fuse)의 절단여부에 따라 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 전압 레벨 변환부는
    상기 입력전압에 의하여 제어되고, 상기 출력전압을 생성하는 전압 출력 수 단; 및
    상기 출력전압의 풀업 레벨을 발생시키는 풀업전압 발생수단으로서, 상기 출력전압의 풀업 레벨을 상기 풀 스윙 레벨로 발생시키는 피모스 트랜지스터와 상기 출력전압의 풀업 레벨을 상기 스몰 스윙 레벨로 발생시키는 풀업 다이오드를 포함하는 상기 풀업전압 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 전압 레벨 변환부는
    상기 입력전압에 의하여 제어되는 상기 출력전압을 생성하는 전압출력 수단; 및
    상기 출력전압의 풀다운 레벨을 발생시키는 풀다운전압 발생수단으로서, 상기 출력전압의 풀다운 레벨을 상기 풀 스윙 레벨로 발생시키는 엔모스 트랜지스터와 상기 출력전압의 풀다운 레벨을 상기 스몰 스윙 레벨로 발생시키는 풀다운 다이오드를 포함하는 상기 풀다운전압 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 전압 레벨 변환부는
    상기 입력전압에 의하여 제어되는 상기 출력전압을 생성하는 전압출력 수단;
    상기 출력전압의 풀업 레벨을 발생시키는 풀업전압 발생수단으로서, 상기 출력전압의 풀업 레벨을 상기 풀 스윙 레벨로 발생시키는 피모스 트랜지스터와 상기 출력전압의 풀업 레벨을 상기 스몰 스윙 레벨로 발생시키는 풀업 다이오드를 포함하는 상기 풀업전압 발생수단; 및
    상기 출력전압의 풀다운 레벨을 발생시키는 풀다운전압 발생수단으로서, 상기 출력전압의 풀다운 레벨을 상기 풀 스윙 레벨로 발생시키는 엔모스 트랜지스터와 상기 출력전압의 풀다운 레벨을 상기 스몰 스윙 레벨로 발생시키는 풀다운 다이오드를 포함하는 상기 풀다운전압 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 전압 변환 드라이버.
KR1020050042929A 2005-05-23 2005-05-23 전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환드라이버 KR20060120776A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050042929A KR20060120776A (ko) 2005-05-23 2005-05-23 전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환드라이버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050042929A KR20060120776A (ko) 2005-05-23 2005-05-23 전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환드라이버

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060120776A true KR20060120776A (ko) 2006-11-28

Family

ID=37706762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050042929A KR20060120776A (ko) 2005-05-23 2005-05-23 전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환드라이버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060120776A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150116099A (ko) * 2014-04-04 2015-10-15 에스케이하이닉스 주식회사 신호 전달회로 및 그의 동작방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150116099A (ko) * 2014-04-04 2015-10-15 에스케이하이닉스 주식회사 신호 전달회로 및 그의 동작방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100610020B1 (ko) 반도체 메모리 장치에서의 셀 파워 스위칭 회로와 그에따른 셀 파워 전압 인가방법
US7994820B2 (en) Level shifter with embedded logic and low minimum voltage
KR100238247B1 (ko) 고속 저전력 신호라인 드라이버 및 이를 이용한 반도체메모리장치
JP2005537768A (ja) 状態保持回路の電力消費量を減少させる方法、状態保持回路および電子装置
JPH10261946A (ja) 半導体集積回路
US20070188194A1 (en) Level shifter circuit and method thereof
US11133039B2 (en) Power switch control in a memory device
JP5209083B2 (ja) 半導体装置
US6566932B2 (en) On-chip system with voltage level converting device for preventing leakage current due to voltage level difference
US7990189B2 (en) Power-up signal generating circuit and integrated circuit using the same
US8149632B2 (en) Output circuit for a semiconductor memory device and data output method
JP2005517338A (ja) 低消費電力のディジタル電子回路
US7917776B2 (en) System-on-chip including deepstop mode to reduce total leakage current and method thereof
KR20060120776A (ko) 전력소비를 줄일 수 있는 반도체 디바이스의 전압 변환드라이버
TW202240580A (zh) 雙軌式電源切斷系統及方法
US20110057687A1 (en) Input buffer circuit
US7317334B2 (en) Voltage translator circuit and semiconductor memory device
KR100406579B1 (ko) 램버스 디램의 출력 버퍼 회로
EP4191882A1 (en) Register with data retention
US7545695B2 (en) Asynchronous sense amplifier for read only memory
KR100774459B1 (ko) 레벨 쉬프터
KR100295065B1 (ko) 반도체메모리장치의출력장치
JP2004241021A (ja) 記憶装置およびリーク電流低減方法
KR200205375Y1 (ko) 데이타 입력 버퍼
KR20010004550A (ko) 데이타 출력 버퍼

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination