KR20060105225A - 발광다이오드 구조체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광다이오드 구조체에 관한 것으로서, 발광다이오드 구조체는 베이스부분과, 베이스부분의 상면 가장자리로부터 일정거리 내측에서 상방으로 일정 높이로 돌출된 돌출부분을 갖고 돌출부분 내에 발광다이오드 칩이 실장된 방열용 메인기판과, 돌출부분이 관통될 수 있는 삽입홀이 형성되어 방열용 메인기판의 베이스부분 상면에 장착되고, 저면 일부가 방열용 메인기판에 대해 노출되게 방열용 메인기판보다 확장된 크기로 형성되며, 측면 및 저면 중 노출된 적어도 한 부분에는 도전패드가 형성되어 있고, 상면에는 도전패드와 전기적으로 결선된 칩본딩패드가 형성된 메인 회로기판과, 방열용 메인기판이 관통되되 메인 회로기판이 안착 될 수 크기의 관통홀이 형성되어 있고, 관통홀 주변에는 메인 회로기판의 도전패드와 전기적으로 접속될 수 있는 단자패드가 형성된 보조 회로기판을 구비한다. 이러한 발광다이오드 구조체에 의하면, 보조 회로기판에 형성된 관통홀을 통해 방열용 메인기판이 외부로 노출됨에 의해 방열효율이 향상되고, 보조 방열 기판의 부착이 가능하여 방열용량의 확장성이 용이한 장점을 제공한다.

Description

발광다이오드 구조체{Light emitting diode structure}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광다이오드 구조체를 나타내 보인 단면도이고,
도 2는 도 1의 개략적인 평면도이고,
도 3은 도 1의 일부 요소를 분리 도시한 분리 사시도이고,
도 4는 도 1의 발광다이오드 구조체를 제조하는 과정을 설명하기 위하여 일부 부품을 분리 도시한 분리 사시도이고,
도 5는 도 1의 메인 회로기판과 방열용 메인기판과의 접합과정을 설명하기 위한 단면도이고,
도 6은 도 1의 발광다이오드 칩으로부터 생성된 광의 출사경로를 나타내 보인 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100: 발광다이오드 구조체 110: 발광다이오드칩
120: 렌즈 130: 방열용 메인기판
140: 메인 회로기판 160: 보조 회로기판
170: 보조 방열기판
본 발명은 발광다이오드 구조체에 관한 것으로서, 상세하게는 방열 용량의 확장이 가능한 구조를 갖는 발광다이오드 구조체에 관한 것이다.
최근 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)는 형광체를 이용한 백색광을 생성하여 출사할 수 있는 구조가 알려지면서 단순 발광표시 기능 이외에 기존의 조명등을 대체할 수 있는 조명분야까지 그 응용범위가 확장되고 있고, 이를 위한 고출력용 발광다이오드에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.
그런데 반도체 소자의 하나인 발광다이오드는 정격 동작온도보다 온도가 올라가면 수명 및 출력이 감소되기 때문에 발광다이오드의 출력을 높이기 위해서는 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방열시켜 동작 온도를 낮출 수 있는 방열 구조가 요구된다.
이러한 고출력용 방열구조를 제공하기 위해 본 발명자에 의해 제안되어 공개된 국내 공개 특허 제 2004-0098191호에는 방열용 메인기판 위에 세라믹 보조기판을 접합하고, 세라믹 보조기판의 노출된 하부에 리드핀 또는 표면 실장용 리드프레임을 결합한 구조가 개시되어 있다.
그런데 상기 패키지 구조체는 회로기판(PCB; Printed Circuit Board)에 실장 되면 방열용 메인기판의 저부가 회로기판에 밀착된 상태로 외부와 차폐되기 때문에 방열용 메인기판과 외부와의 열교환 효율이 떨어지는 단점이 있다. 또한, 발광다이오드의 출력이 보다 높은 것을 적용하거나, 다수의 발광소자를 회로기판에 어레이 시켜 고출력용 조명장치로 사용하고자 하는 경우 방열용 메인기판에 보조적인 방열소재를 필요에 따라 부착하여 방열능력을 확장시키기 어려운 구조적 제약을 안고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서 방열능력의 확장성이 용이하고, 조립성이 좋은 발광다이오드 구조체를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광다이오드 구조체는 베이스부분과, 상기 베이스부분의 상면 가장자리로부터 일정거리 내측에서 상방으로 일정 높이로 돌출된 돌출부분을 갖고 상기 돌출부분 내에 발광다이오드 칩이 실장 된 방열용 메인기판과; 상기 돌출부분이 관통될 수 있는 삽입홀이 형성되어 상기 방열용 메인기판의 상기 베이스부분 상면에 장착되고, 저면 일부가 상기 방열용 메인기판에 대해 노출되게 상기 방열용 메인기판보다 확장된 크기로 형성되며, 측면 및 저면 중 노출된 적어도 한 부분에는 도전패드가 형성되어 있고, 상면에는 상기 도전패드와 전기적으로 결선 된 칩본딩패드가 형성된 메인 회로기판과; 상기 방열용 메인기판이 관통되되 상기 메인 회로기판이 안착 될 수 크기의 관통홀이 형성되어 있고, 상기 관통홀 주변에는 상기 메인 회로기판의 상기 도전패드와 전기적으로 접속될 수 있는 단자패드가 형성된 보조 회로기판;을 구비한다.
바람직하게는 상기 돌출부분은 상기 베이스부분의 상면 가장자리로부터 일정 거리 내측에서 상방으로 일정 높이로 돌출된 측벽과, 상기 측벽 내측에 상기 측벽보다 일정깊이 함몰되게 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 출사되는 광을 집속할 수 있는 반사경 구조가 되도록 상기 측벽 상면으로부터 하방으로 점진적으로 좁아지게 형성된 칩안착부;를 갖는다.
또한, 상기 메인 회로기판은 상기 방열용 메인기판의 상기 베이스부분 위에 접합되며 상기 측벽이 삽입될 수 있는 제1삽입홀이 형성되어 있고, 상기 보조 회로기판의 상기 단자패드와 전기적으로 접속하기 위해 측면에 상기 도전패드가 형성된 제1층과; 상기 제1층 상부에 접합되며, 상기 측벽이 삽입될 수 있는 제2삽입홀이 형성되어 있고, 노출된 상면에는 상기 칩본딩패드가 상기 도전패드와 전기적으로 연결되게 형성된 제2층;을 구비한다.
더욱 바람직하게는 상기 메인 회로기판은 상기 제2층 상부에 접합되며 상기 칩본딩패드가 노출되게 상기 제2삽입홀보다 확장된 크기의 제3삽입홀이 형성된 제3층;을 더 구비한다.
상기 메인회로기판은 세라믹소재의 시트로 형성된 것이 바람직하다.
또한, 상기 제3층은 상기 측벽 보다 높이가 낮게 형성된다.
바람직하게는 상기 제3층과 상기 측벽 사이에 형성된 홈에 삽입되어 상기 측벽을 에워싸도록 형성된 렌즈;를 더 구비한다.
또한, 상기 방열용 메인기판의 저면에는 금속소재로 된 보조 방열기판;이 더 접합된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광다 이오드 구조체를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광다이오드 구조체를 나타내 보인 단면도이고, 도 2는 도 1의 평면도이고, 도 3은 도 1의 일부 요소를 분리 도시한 분리 사시도이다.
도면을 참조하면, 발광다이오드 구조체(100)는 발광다이오드 칩(110), 렌즈(120), 방열용 메인기판(130), 메인 회로기판(140), 보조 회로기판(160), 보조 방열기판(170)을 구비한다.
방열용 메인기판(130)은 베이스부분(131)과, 측벽(133) 및 칩안착부(135)로 된 돌출부분을 갖는 구조로 되어 있다.
베이스 부분(131)은 원통형으로 형성된 구조가 예시되었고, 측벽(133)은 베이스부분(131)의 상면 가장자리로부터 일정거리 내측에서 상방으로 일정 높이로 원형형태로 돌출되게 형성되어 있다.
칩안착부(135)는 측벽(133) 내측에 측벽보다 일정깊이 함몰되게 형성되어 장착된 발광다이오드 칩(110)에서 출사되는 광을 집속할 수 있는 반사경 구조가 되도록 측벽(133) 상면으로부터 하방으로 점진적으로 좁아지게 경사진 구조로 형성되어 있다.
도시된 예와 다르게 돌출부분은 측벽(133) 높이로 평평하게 형성된 구조가 적용될 수 있음은 물론이다.
바람직하게는 방열용 메인기판(130)은 열전도 및 방열성이 좋은 금속소재로 형성된다.
방열용 메인기판(130)의 예로서는 열전도성이 좋은 구리, 또는 구리합금 예를들면 황동, 텅스텐/구리, 몰리브덴/구리 합금 소재 등으로 된 금속판을 도시된 구조로 형성한 후에 표면 전체를 1차로 니켈 도금 처리하고, 측벽(133)에 의해 형성된 반사경의 내부 공간부에 반사율이 높은 소재 예를 들면 은, 알루니늄, 광택 니켈소재 중 적어도 하나로 2차 도금 처리한 것이 적용되는 것이 바람직하다.
이러한 구조의 방열용 메인기판(130)의 칩안착부(135)에는 적어도 하나의 발광다이오드 칩(110)이 직접 또는 서브마운트(111)를 매개로 하여 실장된다.
메인 회로기판(140)은 발광다이오드 칩(110)과 보조회로기판(160)과의 전기적 결선을 중계하며, 렌즈(120)의 형성영역을 제공하는 기능을 한다.
메인 회로기판(140)은 알루미나(Al2O3)를 주소재로 한 적어도 하나의 세라믹시트에 와이어 본딩패드(156)와 도전 패드(157)가 상호 연결되게 형성된 것이 바람직하다.
도시된 예와 다르게 메인 회로기판(140)은 PCB 기판을 이용하여 와이어 본딩패드(156)와 도전패드(157)를 갖는 도시된 구조로 형성한 것이 적용될 수 있음은 물론이다.
와이어 본딩패드(156)는 발광다이오드 칩(110)과의 결선용이고, 도전패드(157)는 메인 회로기판(160)의 단자패드(165)와의 결선용이다.
메인 회로기판(140)의 저면의 가장자리부분은 방열용 메인기판(130)에 대해 노출될 수 있게 방열용 메인기판(130)의 베이스부분(131)의 외경 보다 크게 형성되 어 있다.
또한, 메인 회로기판(140)은 삽입홀(145)이 상부가 넓고 중간부분이 좁게 단차진 형태로 형성되어 노출된 패드 안착부분(148)에는 와이어 본딩패드(156)가 형성되어 있고, 와이어 본딩패드(156)는 측면에 형성된 도전패드(157)와 도전패턴에 의해 내부적으로 결선되어 있다.
와이어 본딩패드(156)는 발광다이오드칩(110)과 금소재의 와이어(180)로 본딩된다.
이러한 메인 회로기판에 대해 도 4 및 도 5를 함께 참조하여 설명한다.
메인 회로기판(140)은 제1층(141), 제2층(142) 및 제3층(143)이 순차적으로 적층되어 접합된 구조로 되어 있다.
제1층(141)은 방열용 메인기판(130)에 직접 접합되는 부분이며 측벽(133)이 삽입될 수 있는 제1삽입홀(145a)이 형성되어 있고, 보조 회로기판(160)과 전기적으로 연결되게 측면에 도전패턴(157b)이 형성되어 있다.
제2층(142)은 제1층(141) 상부에 접합되며, 측벽(133)이 삽입될 수 있는 제2삽입홀(145b)이 형성되어 있고, 노출된 상면에는 칩본딩패드(156)가 도전패턴에 의해 도전패드(157a))와 전기적으로 연결되게 형성되어 있다.
제3층(143)은 제2층(142) 상부에 접합되며 칩본딩패드(156)가 노출되게 제2삽입홀(145b) 보다 확장된 크기의 제3삽입홀(145c)이 형성되어 있다. 참조부호 157c는 제1 및 제2층(141)(142)의 도전패드(157a)(157b)와 연결되어 도전패드(157)의 영역을 확장할 수 있도록 형성된 것으로 생략될 수 있음은 물론이다.
제3층(143)에 형성된 제3삽입홀(145c)은 제2층(142)의 제2삽입홀(145b) 보다 크게 형성되어 상호 적층시 앞서 설명된 패드 안착부분(148)을 형성한다.
메인 회로기판(140)은 세라믹 소재의 시트를 적용하여 형성하는 경우 제1 내지 제3층(141)(142)(143)을 상호 순차적으로 적층된 상태에서 소결과정을 거쳐 형성하면 된다.
이를 보다 상세하게 설명하면, 와이어 본딩패드(156) 및 도전패드(157) 및 도전패턴은 1차로 텅스텐(W) 또는 몰리브덴/망간(Mo/Mn)합금으로 1차 형성하고, 와이어 본딩패드(156) 및 도전패드(157)는 2차로 니켈도금처리되며, 와이어 본딩패드(156)는 3차로 금도금 처리되는 것이 바람직하다.
한편, 참조부호 152로 표기된 부분은 도전패드(157)와 이격되게 형성된 금속패턴으로서 방열용 메인기판(130)과의 접합의 용이성을 제공할 수 있도록 형성되며, 앞서 도전패드(157)에 대해 설명된 바와 같이 1차로 텅스텐(W) 또는 몰리브덴/망간(Mo/Mn)합금으로 1차 형성되고, 2차로 니켈도금처리된 것이 적용되는 것이 바람직하다.
렌즈(120)는 메인 회로 기판(140)의 단차진 패드 안착부분(148)에 결합되어 있다.
이러한 렌즈(120)는 메인 회로 기판(140)의 단차진 패드 안착부분(148)에 끼움결합될 수 있는 구조로 성형된 것을 장착할 수 도 있고, 액상의 소재를 메인 회로 기판(140)의 단차진 패드 안착부분(148)에 충진시킨 다음 고형화시켜 형성할 수 있음은 물론이다.
렌즈(120)의 곡률 및 형태는 도시된 구조 이외에도 적용하고자 하는 광의 발산각 등에 따라 적절하게 설계한 것을 적용하면 된다.
렌즈(120)의 소재는 에폭시와 같은 투명 합성수지소재 또는 유리소재 등이 적용될 수 있다.
이러한 구조의 발광다이오드 구조체(100)는 도 6에 도시된 바와 같이 칩안착부(135) 내에 안착된 발광다이오드칩(110)으로부터 방출된 광이 측벽(133)의 내측면의 경사도 및 렌즈(120)에 의해 집속되어 원하는 발산각으로 집속되어 출사되는 광빔을 제공할 수 있다.
보조 회로기판(160)은 통상의 PCB기판이 적용될 수 있다.
보조 회로기판(160)은 메인 회로기판(140)이 안착될 수 있으면서 방열용 메인기판(130)이 관통될 수 있는 크기의 관통홀(162)이 형성되어 있고, 관통홀(162) 주변에는 메인 회로기판(140)의 측면에 형성된 도전패드(157)와 전기적으로 접속될 수 있는 단자패드(165)가 형성되어 있다.
메인 회로기판(140)의 도전패드(157)와 보조 회로기판(160)의 단자패드(165)는 납땜에 의해 접합하면 된다.
보조 회로기판(160)은 다수의 발광다이오드 패키지 구조체를 어레이시켜 실장할 수 있도록 다수의 관통홀이 형성된 구조가 적용될 수 있음은 물론이다.
보조 방열기판(170)은 방열능력이 높은 금속소재로 형성된 것이 적용되는 것이 바람직하고, 보조 회로기판(160) 저부에서 노출된 방열용 메인기판(130)의 저부와 접합되어 있다.
보조 방열기판(170)은 생략될 수 있음은 물론이다.
이하에서는 이러한 구조의 발광다이오드 구조체에 대한 제조과정을 설명한다.
먼저, 메인 회로기판(140) 및 방열용 메인회로기판(130) 및 보조 회로기판(160)을 각각 형성한다.
메인 회로기판(140)은 앞서 설명된 구조를 갖도록 공지된 방법에 의해 형성한다.
일 예로서, 도 4에 도시된 바와 같이 제1층(141), 제2층(142) 및 제3층(143) 각각에 해당하는 세라믹 시트에 설정된 도전패턴, 와이어본딩패드(156) 및 도전패드(157)에 대응되는 형상의 패턴을 금속페이스트로 인쇄한 다음 적층 순서대로 상호 적층한 후 알려진 소성온도에서 소결하여 형성하면 된다. 또한, 소결 이후 메인 회로기판(140)의 저면, 측면 및 패드 안착부분(148)에 노출된 와이어 본딩패드(156), 도전패드(157) 및 저면에 방열용 메인기판(130)과의 결합용으로 형성된 보조 패드(152)에도 니켈도금 처리하는 것이 바람직하다.
한편, 방열용 메인기판(130)은 적용대상 금속소재를 성형 또는 프레스 가공하여 제작하면 된다. 바람직하게는 방열용 메인기판(130)은 열전도성이 좋은 구리, 황동 소재의 금속판을 도시된 구조로 형성한 후에 표면 전체를 1차로 니켈 도금 처리한 것이 적용된다.
보조 회로기판(160)은 방열용 메인기판(130)이 관통될 수 있는 관통홀(162)을 갖으면서 메인 회로기판(140)의 측면에 형성된 도전패드(157)와 연결하기 위한 단자패드(165)가 형성된 구조로 형성하면 된다. 단자패드(165) 상호간의 내부적 결선구조 및 외부전원 결선구조는 발광다이오드 칩(110)의 구동방식에 따라 적절하게 형성하면 된다.
이렇게 방열용 메인기판(130)과, 메인 회로기판(140) 및 보조 회로기판(160)이 준비되면, 솔더링용 본딩제로 상호 접합한다.
바람직하게는 방열용 메인기판(130)과, 메인 회로기판(140)을 상호 접합한 후 적절한 도금처리를 수행한 후 보조 회로기판(160) 장착한다.
일 예로서, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 메인 회로기판(140)과 방열용 메인기판(130) 사이에 브레이징용 시트(154)를 삽입한 상태로 상호 조립한 후 브레이징용 시트(154)의 융점 이상에서 융합하면 된다. 여기서 브레이징용 시트(154)는 은/구리 합금 또는 금/주석 합금 등이 적용될 수 있다. 또 다르게는 페이스트 상태로 형성된 은/구리 합금 또는 금/주석 합금으로 솔더링해도 된다.
이렇게 조립체가 완성되면, 메인 회로기판(140)상에 형성된 와이어본딩 패드(156)와 도전패드(157) 및 방열용 메인 기판(130)의 노출된 부분에 2차 니켈 도금처리 한다.
다음으로 와이어 본딩패드(156)와 도전패턴(157)에 은 또는 금 도금 처리한다.
마지막으로 방열용 메인 기판(130)의 반사경 내측에 높은 반사율을 제공하는 소재인 은, 알루니늄, 광택 니켈을 포함하는 반사소재 그룹중 적어도 하나로 도금처리한다.
이렇게 메인 회로기판(140)과 방열용 메인기판(130)의 상호 접합 조립체가 완성되면, 방열용 메인기판(130)의 칩안착부(135)에 적용대상 발광다이오드 칩(110)을 직접 또는 서브마운트(111)를 이용하여 실장처리하고, 발광다이오드 칩(110)과 와이어본딩 패드(156)의 대응되는 결선패턴에 따라 와이어(180)로 본딩한 후, 에폭시소재로 메인 회로기판(140)과 측벽(133) 사이 부분까지 충진되게 하여 렌즈(120)를 형성한다.
이후, 보조 회로기판(160)에 방열용 메인기판(130)이 삽입되게 실장한 후 보조 회로기판(160) 상면의 단자패드(165)와 메인 회로기판(140)의 도전패드(157) 상호간을 솔더에 의해 납땜 처리하면된다.
또한, 보조 방열기판(170)을 적용하는 경우 방열용 메인기판(130)의 저부에 보조 방열기판(170)을 접합하면 된다.
한편, 도시된 예들에서는 칩안착부(135)에 장착되는 발광다이오드칩(110)은 하나인 경우에 대해 설명되었지만, 백색광을 생성하기 위해 적, 녹, 청색 광을 각각 출사하는 3개의 발광다이오드 칩이 칩안착부(135)에 장착될 수 있다.
이 경우 상호 다른 색의 광을 출사하는 발광다이오드 칩이 함께 실장되는 경우 4개의 와이어 본딩패드를 공통전극용 와이어 본딩패드와 각 발광다이오드 칩 구동 전극용 와이어본딩 패드로 이용하면 된다.
지금까지 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 발광다이오드 구조체에 의하면, 보조 회로기판에 형성된 관통홀을 통해 방열용 메인기판이 외부로 노출됨에 의해 방열효율이 향상되고, 보조 방열 기판의 부착이 가능하여 방열용량의 확장성이 용이한 장점을 제공한다.

Claims (8)

  1. 베이스부분과, 상기 베이스부분의 상면 가장자리로부터 일정거리 내측에서 상방으로 일정 높이로 돌출된 돌출부분을 갖고 상기 돌출부분 내에 발광다이오드칩이 실장된 방열용 메인기판과;
    상기 돌출부분이 관통될 수 있는 삽입홀이 형성되어 상기 방열용 메인기판의 상기 베이스부분 상면에 장착되고, 저면 일부가 상기 방열용 메인기판에 대해 노출되게 상기 방열용 메인기판 보다 확장된 크기로 형성되며, 측면 및 저면 중 노출된 적어도 한 부분에는 도전패드가 형성되어 있고, 상면에는 상기 도전패드와 전기적으로 결선된 칩본딩패드가 형성된 메인 회로기판과;
    상기 방열용 메인기판이 관통되되 상기 메인 회로기판이 안착 될 수 크기의 관통홀이 형성되어 있고, 상기 관통홀 주변에는 상기 메인 회로기판의 상기 도전패드와 전기적으로 접속될 수 있는 단자패드가 형성된 보조 회로기판;을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 돌출부분은 상기 베이스부분의 상면 가장자리로부터 일정거리 내측에서 상방으로 일정 높이로 돌출된 측벽과, 상기 측벽 내측에 상기 측벽보다 일정깊이 함몰되게 형성되어 상기 발광다이오드 칩에서 출사되는 광을 집 속할 수 있는 반사경 구조가 되도록 상기 측벽 상면으로부터 하방으로 점진적으로 좁아지게 형성된 칩안착부;를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 메인 회로기판은
    상기 방열용 메인기판의 상기 베이스부분 위에 접합되며 상기 측벽이 삽입될 수 있는 제1삽입홀이 형성되어 있고, 상기 보조 회로기판의 상기 단자패드와 전기적으로 접속하기 위해 측면에 상기 도전패드가 형성된 제1층과;
    상기 제1층 상부에 접합되며, 상기 측벽이 삽입될 수 있는 제2삽입홀이 형성되어 있고, 노출된 상면에는 상기 칩본딩패드가 상기 도전패드와 전기적으로 연결되게 형성된 제2층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조체.
  4. 제3항에 있어서, 상기 메인 회로기판은
    상기 제2층 상부에 접합되며 상기 칩본딩패드가 노출되게 상기 제2삽입홀 보다 확장된 크기의 제3삽입홀이 형성된 제3층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조체.
  5. 제4항에 있어서, 상기 메인회로기판은 세라믹소재의 시트로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조체.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제3층은 상기 측벽 보다 높이가 낮게 형성된 것을 특 징으로 하는 발광다이오드 구조체.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제3층과 상기 측벽 사이에 형성된 홈에 삽입되어 상기 측벽을 에워싸도록 형성된 렌즈;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조체.
  8. 제4항에 있어서, 상기 방열용 메인기판의 저면에는 금속소재로 된 보조 방열기판;이 더 접합된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조체.
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