KR20060104737A - 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 관한 것으로, 형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물이 표면에 형성된 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 있어서, 고분자 재질의 몰드를 플라즈마 표면처리한 후, 여기에 특정 실란 화합물을 증착 또는 흡착시키고 건조시키는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법을 제공한다.
인쇄회로기판, 임프린트, 몰드, 이형처리, 고분자, 플라즈마, 실란 화합물
Description
도 1은 종래기술에 따른 임프린트용 몰드의 이형처리과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※
10 : 임프린트용 몰드 20 : 이형제 용액
30 : 기화된 이형제 화합물 40 : 이형처리된 몰드 표면
100 : 인쇄회로기판용 임프린트 몰드
101 : 고분자 102 : 실리카
103 : 플리즈마 표면처리 104 : 이형제층
본 발명은 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 고분자 재질의 몰드를 플라즈마 표면처리한 후, 특정 실란 화합물로 처리하여 몰드의 이형성을 장시간 유지시키고 우수한 이형성을 부여할 수 있는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 관한 것이다.
현재 전자 전기 기술은 21세기 고도 정보 통신 사회의 구현에 발 맞추기 위하여 더 많은 용량의 정보 저장, 더 빠른 정보 처리와 전송, 더 간편한 정보 통신망의 구축을 위해 빠르게 발전해가고 있다.
특히, 주어진 정보 전송 속도의 유한성이라는 조건 하에서, 이러한 요구 조건을 충족시킬 수 있는 한 방법으로서 그 구성 소자들을 가능한 더욱 작게 구현하는 동시에 신뢰성을 높여 새로운 기능성을 부여하기 위한 방안이 제시되고 있다.
상술한 바와 같이, 전자제품의 경박 단소화 추세에 따라 인쇄회로기판 역시 미세 패턴(fine pattern)화, 소형화 및 패키지화가 동시에 진행되고 있으며, 이에 따라 신호 처리 능력이 뛰어난 회로를 보다 좁은 면적에 구현하기 위해서 고밀도의 기판(line/space≤10㎛/10㎛, Microvia＜30㎛) 제조에 대한 필요성이 대두되고 있다.
지금까지 가장 널리 사용되고 있는 미세 구조 제작 기술 중의 하나는 포토리소그래피(photolithography)로서, 포토 레지스트 박막이 입혀진 기판 위에 패턴을 형성시키는 방법이다.
하지만, UV 리소그라피 방법을 사용하여 기판 제조할 때에는 회로로 사용되 는 동박이 두꺼워야 한다는 점과 습식 에칭법을 사용해야 한다는 두 가지 제한점이 있기 때문에 UV 리소그라피로 10㎛ 이하의 미세 선폭을 형성할 경우 제품의 신뢰성이 떨어진다는 문제점을 안고 있다.
한편, 최근에는 인쇄회로기판의 집적도가 더욱 높아지는 추세이며 그에 따라 미세 패턴을 형성하는 방법에 대한 연구가 더욱 활발해지고 있는 바, 상술한 UV 리소그라피의 대체 공법으로서 임프린트 방법을 이용하여 고밀도의 기판을 제조하려는 시도가 주목을 받고 있다.
임프린트 방법은 사용하는 몰드에 따라서 종류를 분류할 수 있는데, 단단한 금속이나 세라믹을 몰드로 사용하는 경우에는 전체적으로 고른 형상을 기판에 형성하기 위해 고온 및 고압을 사용해야하는 공정 상의 어려움이 있다.
이에, 원자/분자 크기에서 근본적인 물질의 특정한 용도를 결정할 수 있는 구조와 조성을 제어/조작하는 기술의 하나로서, 고분자 물질을 사용하는 방법이 연구개발되고 있다.
고분자는 선택적인 에칭 레지스터, 광학 디바이스, 생화학적 센서, 나아가 티슈 엔지니어링에까지 이르는 폭넓은 응용범위를 가지고 있어 차세대 신소재 개발에 큰 영향을 줄 수 있을 것으로 기대되어 최근 많은 관심의 대상이 되고 있다.
특히, 나노 미터(nanometer) 크기의 미세 패턴을 고분자 박막을 이용하여 형성하는 데 있어서, 종래 임프린트 방법을 이용하는 방법이 있다.
상기 나노 스케일로 각인하는 방법(nanoimprint)은 미국 프린스턴 대학교의 스테판 쵸우(Stephen Chou) 등(미국 특허 제5,772,905호)에 의하여 발명된 방법으 로 상대적 강도가 강한 물질의 표면에 필요로 하는 형상을 미리 제작하여 이를 다른 물질 위에 마치 도장을 찍듯이 찍어서 패터닝을 시킴으로써 반도체 등의 미세 패턴을 형성하는 유력한 방법으로 알려져 있다. 동 발명자들은 동일한 기술을 응용하여 나노-캠팩트 광학 디스크(미국 특허 제6,518,189호) 등에 대한 응용도 제안하고 있다. 이러한 나노 임프린트 방법은 생산성이 낮다는 문제점을 극복하여 나노 크기의 미세 패턴을 대량 제조할 수 있다는 장점이 있다.
한편, 이러한 임프린트 공정을 이용하여 인쇄회로기판과 같은 대면적의 기판을 제조할 경우에는 양산성을 위해서 대면적 임프린트 공정을 고려해야 하는데, 이 경우에 임프린트 몰드와 기판간의 이형문제가 꼭 해결해야할 문제로 대두되고 있다.
이와 관련하여, 도 1에 종래기술에 따른 임프린트용 몰드의 이형처리과정을 개략적으로 나타내었다.
도 1을 참조하면, 임프린트 몰드(10) 상으로 이형제 용액(20)을 이용하여 휘발성을 갖는 이형제 단량체를 기화(30)시켜 몰드의 표면에 흡착(40)시키면 몰드의 표면과 이형제 간에 공유 결합이 형성되어 몰드의 이형성이 장기간 유지된다. 이때, 주로 사용되는 이형제로는 불소를 함유한 실란 화합물 등이 있고, 몰드로는 실리콘 웨이퍼 또는 PDMS(polydimethylsiloxane)와 같은 실리콘계 물질 등이 있다. 그러나, 이러한 실리콘계 물질 이외의 물질로 제작되는 고분자 몰드의 경우에는 공유 결합 형성을 통해서 장기간의 이형성을 유지시킬 수 있는 이형제가 아직 개발되지 못했다.
따라서, 임프린트 공정을 이용하여 인쇄회로기판과 같은 대면적의 기판을 제조하는데 있어서, 이형성이 우수한 물질을 임프린트 몰드의 표면에 강하게 결합시켜 장기간 이형성을 유지시키기 위한 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법이 시급히 요구되고 있는 실정이다. 특히, 지금까지 실리콘계 화합물로 된 몰드에 대한 이형처리방법에 대해서는 많은 연구 결과가 발표되었으나, 이러한 실리콘계 화합물 이외의 통상의 고분자 재질로 된 몰드에 대한 효과적인 이형처리방법은 소개된 바 없었다.
이에 본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 광범위한 연구를 거듭한 결과, 고분자 재질의 임프린트용 몰드를 플라즈마로 표면처리한 후, 특정 실란 화합물로 처리하여 임프린트 몰드의 표면과 이형제 간에 비교적 강한 결합을 형성시켜 대면적의 인쇄회로기판 제조과정에 적용시 우수한 이형특성을 발현시킬 수 있음을 발견하였고, 본 발명은 이에 기초하여 완성되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 실리콘계 화합물을 포함하는 통상의 고분자 재질로 된 인쇄회로기판용 임프린트 몰드에 우수한 이형특성과 함께 장기간의 이형 지속성을 부여할 수 있는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법은:
형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물이 표면에 형성된 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 있어서,
(a) 고분자 재질의 몰드를 플라즈마 표면처리하는 단계;
(b) 상기 플라즈마 처리된 몰드 상에 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 증착 또는 흡착시키는 단계; 및
(c) 상기 실란 화합물이 증착 또는 흡착된 몰드를 건조시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 한다:
상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 서로 같거나 다르게 C1∼C20의 알킬기이고, n은 1∼20의 정수이다.
여기서, 상기 고분자 재질의 몰드는 폴리우레탄, 폴리에스테르, 실리콘 고무, 에폭시, 테프론 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 열 또는 자외선 경화형 프리폴리머를 경화시켜 되는 것을 특징으로 한다.
상기 고분자 재질의 몰드는 또한 상기 열 또는 자외선 경화형 프리폴리머 100중량부에 대하여 50∼90중량부의 실리카를 더욱 포함할 수 있다. 이때, 상기 실리카의 평균입경은 0.1∼5.0㎛인 것이 바람직하다.
한편, 상기 플라즈마 표면처리단계는 1∼1000mTorr의 압력 및 1∼100W의 정전압 조건하에서 5∼20분 동안 수행되는 것이 바람직하다.
상기 플라즈마 표면처리단계는 또한 대기 또는 O2의 플라즈마 가스를 이용하여 수행되는 것이 바람직하다.
상기 실란 화합물의 증착은 실란 화합물을 기화시켜 상기 플라즈마 처리된 몰드 상에 증착시켜 수행된다.
상기 실란 화합물의 흡착은 또한 상기 플라즈마 처리된 몰드를 실란 화합물을 함유하는 용액에 침지시키거나 실란화합물을 기화시키는 방법으로 수행된다. 용액에 침지시킬 경우는, 상기 실란 화합물 용액의 용매는 C1∼C20의 탄화수소, 톨루엔 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 실란 화합물 용액의 농도는 바람직하게는 0.1∼10mmol인 것이 좋다. 그리고, 기화시킬 경우에는 실란 화합물이 기화될 수 있는 온도와 압력 범위의 진공 챔버에서 수행하는 것이 좋다.
한편, 상기 건조단계는 50∼200℃의 온도에서 30분 내지 2시간 동안 수행되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2에 본 발명의 일 실시예에 따른 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리과정을 개략적으로 나타내었다.
본 발명에서 사용되는 몰드(100)는 통상의 고분자 재질(101)의 몰드로서, 특별히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 폴리우레탄, 폴리에스테르, 실리콘 고무, 에폭시, 테프론 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 열 또는 자외선 경화형 프리폴리머를 당업계에 공지된 통상의 방법에 따라 매스터 몰드(master mold)에 가한 후, 열이나 UV를 이용하여 경화시켜 제작된다.
상기 고분자 재질(101)의 몰드(100)에는 실리카(102)가 함침되어 더욱 포함될 수 있으며, 이 경우, 후술되는 플라즈마 표면처리시 실리카 표면에도 반응성이 큰 반응기가 형성된다.
이때, 상기 실리카의 함량은 상기 열 또는 자외선 경화형 프리폴리머 100중량부에 대하여 50 내지 90중량부인 것이 좋다. 상기 실리카의 함량이 50중량부 미만인 경우에는 몰드 표면에 실리카가 전체적으로 분포하기 어렵고, 90중량부를 초과하는 경우에는 몰드의 탄성을 잃기 쉽다.
상기 실리카의 평균입경은 0.1 내지 5.0㎛, 바람직하게는 0.1 내지 1.0㎛인 것이 좋다. 상기 실리카의 평균입경이 0.1㎛ 미만인 경우에는 실리카를 처리하거나 다루는데에 어려움이 크며, 5.0㎛을 초과하는 경우에는 표면의 조도가 작으면서도 미세 패턴을 갖는 몰드를 제조하기 어렵다.
이외에도, 본 발명의 몰드(100)에는 필요에 따라 경화촉진제, 착색제 등의 첨가제가 더욱 첨가될 수 있다.
한편, 상기 실리카(102)를 프리폴리머(101)에 골고루 분산시키기 위한 방법으로는 당업계에 공지된 방법이라면 특별히 한정되지 않고 사용될 수 있다.
이하, 상술한 고분자 재질의 몰드를 인쇄회로기판 제조과정에 사용하기 위하여 그 표면을 이형처리하는 방법을 설명한다.
본 발명에 따르면, 우선, 상기 고분자 재질의 몰드를 플라즈마로 표면처리(103)하여 고분자 표면에 라디칼이나 산소 이온, 수산화기와 같은 반응성이 큰 반응기를 형성시킨다.
상기 플라즈마 표면처리과정은 바람직하게는, 상기 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고, 감압펌프를 작동시켜 약 1.0∼1000mTorr의 적정압력으로 유지한 후, 약 1.0∼100W의 정전압 조건하에서 약 5∼20분 동안 수행하는 것이 전형적이다.
상기 플라즈마 표면처리단계는 또한 대기 또는 O2 플라즈마 가스를 이용하여 수행되는 것이 좋고, 가장 바람직하게는 O2 가스를 사용하는 것이 좋다.
다음으로, 상기 플라즈마 표면처리된 몰드 상에 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 증착 또는 흡착시켜 이형제층(104)을 형성시킨다:
화학식 1
상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 서로 같거나 다르게 C1∼C20의 알킬기이고, n은 1∼20의 정수이다.
상기 실란 화합물의 증착과정은 특별히 한정되지 않고, 당업계에 공지된 방법에 따라 실란 화합물을 기화시켜 상기 플라즈마 처리된 몰드 상에 증착시켜 수행된다.
또한, 상기 증착과정 대신 실란 화합물의 흡착과정을 적용할 경우에는, 상기 플라즈마 처리된 몰드를 실란 화합물을 함유하는 용액에 예를 들어, 10분 내지 1시간 동안 침지시켜 수행되는 것이 전형적이다.
상술한 바와 같이, 실란 화합물을 기화시켜 플라즈마 처리된 몰드의 표면 상에 증착시키거나 또는 용액의 형태로 흡착시키면 몰드 표면에 불소계 실란 화합물이 공유 결합된다. 이와 같이 공유 결합된 화합물은 강한 결합력에 기인하여 몰드 표면으로부터 쉽게 떨어지지 않으므로, 몰드의 이형성이 오래도록 유지되어 공정에 필요한 이형 처리 시간이나 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 장점이 있다.
여기서, 상기 실란 화합물 용액의 용매는 특별히 한정되지 않고 통상의 유기 용매가 사용될 수 있으나, 바람직하게는 C1∼C20의 탄화수소, 톨루엔 및 이들의 혼 합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 좋다. 상기 실란 화합물 용액의 농도는 0.1∼10mmol인 것이 균일한 이형제 막을 형성한다는 측면에서 바람직하다.
마지막으로, 상기 침지된 몰드를 바람직하게는 약 50∼200℃의 온도에서 30분 내지 2시간 동안 건조시켜 이형처리를 마무리한다.
여기서, 상기 이형처리된 몰드의 건조조건이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 이형제가 균일하고 안정하게 형성되지 않을 가능성이 크다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 이형처리방법에 따르면, 고분자 재질로 된 몰드의 표면을 플라즈마로 처리하여 고분자 표면에 반응성이 큰 반응기를 형성시킨 후, 여기에 이형제로서 불소와 알콕시기를 함께 갖는 실란 화합물을 증착 또는 흡착시킴으로써 고분자 몰드 표면에 불소계 실란 화합물을 공유 결합시켜 결합력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 통상의 나노 임프린트 방법에 적용하는 경우와는 달리, 형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물의 크기가 마이크론(㎛) 차수(예를 들어, line/space≤10㎛/10㎛, Microvia≤30㎛)이고 대면적에의 적용이 요구되는 인쇄회로기판에 적용하는 경우에도 몰드의 이형성을 장시간 유지할 수 있을 뿐 아니라 공정에 필요한 이형 처리 시간이나 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 이점이 있다.
이하 하기 실시예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하지만 이에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
미세 패턴이 형성되어 있으며, 평균 입경이 0.5㎛인 구형의 실리카가 분산제를 통하여 70중량% 균일 함침된 폴리우레탄 몰드를 플라즈마 반응기 홀더에 장착하고 감암펌프를 작동시켜 약 100mTorr의 압력으로 유지한 후, 약 30W의 방전압으로 약 10분간 플라즈마 처리를 하였다. 이를 약 5mmol의 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리클로로실란((heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trychlorosilane) 톨루엔 용액에 약 1시간 동안 침지시켰다. 침지된 몰드를 꺼내어 약 100℃ 온도의 오븐에서 약 1시간 동안 베이킹(baking)하였다. 이와 같이 이형처리된 임프린트 몰드의 이형특성을 접촉각 측정 방법에 따라 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 2
실시예 1과 동일하며, 다만 몰드를 이루는 고분자로서 에폭시를 사용하였다.
실시예 3
실시예 1과 동일하며 다만, 이형제인 실란 화합물로서 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리메톡시실란((heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trymethoxysilane)을 사용하였다.
비교예 1
실시예 1과 동일하며, 다만 몰드에 플라즈마 처리를 하지 않고, 실란 이형제를 처리하였다.
| 접 촉 각 | |
| 실시예 1 | 128 |
| 실시예 2 | 125 |
| 실시예 3 | 118 |
| 비교예 1 | 85 |
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 이형처리방법(실시예 1∼3)의 경우, 고분자 몰드의 소수성이 크게 증가하여 이형성이 향상되는 것을 확인할 수 있다. 또한, 이형제 처리를 위해서는 플라즈마 처리가 필요하다는 것을 비교예 1을 통해 알 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 인쇄회로기판용 임프린트 몰드 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 고분자 재질로 된 임프린트용 몰드의 표면을 플라즈마로 처리하여 고분자 표면에 반응성이 큰 반응기를 형성시킨 후, 여기에 이형제로서 불소와 알콕시기를 함께 갖는 특정 실란 화합물을 증착 또는 흡착시킴으로써 고분자 몰드 표면에 불소계 실란 화합물을 공유 결합시켜 결합력을 향상시킬 수 있다. 따라서, 통상의 나노 임프린트 방법에 적용하는 경우와는 달리, 형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물의 크기가 마이크론(㎛) 차수(예를 들어, line/space≤10㎛/10㎛, Microvia≤30㎛)이고 대면적에의 적용이 요구되는 인쇄회로기판에 적용하는 경우에도 우수한 이형 특성을 부여할 수 있을 뿐 아니라, 몰드의 이형성을 장시간 유지할 수 있어 공정에 필요한 이형 처리 시간이나 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
Claims (11)
- 형성하고자 하는 복수의 비아 및 패턴에 대응되는 구조물이 표면에 형성된 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법에 있어서,(a) 고분자 재질의 몰드를 플라즈마 표면처리하는 단계;(b) 상기 플라즈마 처리된 몰드 상에 하기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 증착 또는 흡착시키는 단계; 및(c) 상기 실란 화합물이 증착 또는 흡착된 몰드를 건조시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법:화학식 1
상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 서로 같거나 다르게 C1∼C20의 알킬기이고, n은 1∼20의 정수임. - 제1항에 있어서, 상기 고분자 재질의 몰드는 폴리우레탄, 폴리에스테르, 실리콘 고무, 에폭시, 테프론 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 열 또는 자외선 경화형 프리폴리머를 경화시켜 되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 재질의 몰드는 상기 열 또는 자외선 경화형 프리폴리머 100중량부에 대하여 50∼90중량부의 실리카를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제3항에 있어서, 상기 실리카의 평균입경은 0.1∼5.0㎛인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 표면처리단계는 1∼1000mTorr의 압력 및 1.0∼100W의 정전압 조건하에서 5∼20분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 플라즈마 표면처리단계는 대기 또는 O2 플라즈마 가스를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실란 화합물의 증착은 실란 화합물을 기화시켜 상기 플라즈마 처리된 몰드 상에 증착시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실란 화합물의 흡착은 상기 플라즈마 처리된 몰드를 실란 화합물을 함유하는 용액에 침지시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제8항에 있어서, 상기 실란 화합물 용액의 용매는 C1∼C20의 탄화수소, 톨루엔 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제8항에 있어서, 상기 실란 화합물 용액의 농도는 0.1∼10mmol인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 건조단계는 50∼200℃의 온도에서 30분 내지 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판용 임프린트 몰드의 이형처리방법.
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