KR20060096332A - 자체 발광 패널의 제조 방법 - Google Patents

자체 발광 패널의 제조 방법 Download PDF

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KR20060096332A
KR20060096332A KR1020060020007A KR20060020007A KR20060096332A KR 20060096332 A KR20060096332 A KR 20060096332A KR 1020060020007 A KR1020060020007 A KR 1020060020007A KR 20060020007 A KR20060020007 A KR 20060020007A KR 20060096332 A KR20060096332 A KR 20060096332A
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구니조 오고시
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도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤
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    • E01—CONSTRUCTION OF ROADS, RAILWAYS, OR BRIDGES
    • E01H—STREET CLEANING; CLEANING OF PERMANENT WAYS; CLEANING BEACHES; DISPERSING OR PREVENTING FOG IN GENERAL CLEANING STREET OR RAILWAY FURNITURE OR TUNNEL WALLS
    • E01H5/00—Removing snow or ice from roads or like surfaces; Grading or roughening snow or ice
    • E01H5/04—Apparatus propelled by animal or engine power; Apparatus propelled by hand with driven dislodging or conveying levelling elements, conveying pneumatically for the dislodged material
    • E01H5/08—Apparatus propelled by animal or engine power; Apparatus propelled by hand with driven dislodging or conveying levelling elements, conveying pneumatically for the dislodged material dislodging essentially by driven elements
    • E01H5/09—Apparatus propelled by animal or engine power; Apparatus propelled by hand with driven dislodging or conveying levelling elements, conveying pneumatically for the dislodged material dislodging essentially by driven elements the elements being rotary or moving along a closed circular path, e.g. rotary cutter, digging wheels
    • E01H5/096—Apparatus propelled by animal or engine power; Apparatus propelled by hand with driven dislodging or conveying levelling elements, conveying pneumatically for the dislodged material dislodging essentially by driven elements the elements being rotary or moving along a closed circular path, e.g. rotary cutter, digging wheels about axes parallel or substantially parallel to the direction of clearing

Abstract

본 발명은 자체 발광 패널이 구비하는 자체 발광 소자에서의 하부 전극과 상부 전극과의 단락 방지를 도모하는 것을 목적으로 한다.
하부 전극(106)과 상부 전극(107) 사이에 발광층을 포함하는 성막층(108)이 설치된 자체 발광 소자(102)를 기판(101)과 밀봉 기재(103) 사이에 밀봉한 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 있어서, 하부 전극(106)의 밀봉 기재(103)측에 성막층(108)을 형성하는 성막층 형성 공정시, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부를 매립(embedding) 처리하는 볼록부 매립 처리 공정과, 하부 전극(106)에 있어서의 오목부를 매립 처리하는 오목부 매립 처리 공정을 행한 후, 성막층(108)의 밀봉 기재(103)측에 상부 전극(107)을 형성하도록 하였다. 이것에 의해 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있다.

Description

자체 발광 패널의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING SELF-LIGHT-EMITTING PANEL}
도 1은 본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용하여 제조된 자체 발광 패널을 도시한 종단 측면도.
도 2는 본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용하여 제조된 다른 자체 발광 패널을 도시한 종단 측면도.
도 3은 자체 발광 패널의 일반적인 제조 방법에 기초한 공정의 흐름을 도시한 흐름도.
도 4a는 하부 전극 형성 후에 생긴 볼록부를 도시한 종단 측면도.
도 4b는 하부 전극 형성 후에 생긴 볼록부를 도시한 종단 측면도.
도 4c는 하부 전극 형성 후에 생긴 오목부를 도시한 종단 측면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 자체 발광 패널
101 : 기판
102 : 자체 발광 소자
103 : 밀봉 기재
106 : 하부 전극
107 : 상부 전극
108 : 성막층
본 발명은 자체 발광 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
전극 쌍 사이에 발광층을 포함하는 성막층이 설치된 자체 발광 소자는, 상기 전극 사이에 전압이 인가되는 것에 의한 발광층 내에서의 정공(正孔)과 전자의 재결합에 의해 발광한다. 자체 발광 소자는 디스플레이 또는 조명이나 각종 정보 표시 등을 행하는 자체 발광 패널에 이용되고 있다. 자체 발광 패널은 자체 발광 소자가 기판 상에 단수 또는 복수 형성되며, 밀봉 수단에 의해 밀봉된 구성을 갖고 있다. 여기서 말하는 밀봉 수단은 밀봉 기재에 의해 기밀 밀봉된 것, 기판과 밀봉 기재 사이에 수지 등을 충전한 고체 밀봉된 것, 자체 발광 소자를 배리어성을 갖는 필름형이나 막형의 밀봉 기재로 덮은 것을 들 수 있다.
자체 발광 소자에는, 예컨대 발광층을 유기 화합물에 의해 형성한 유기 EL(Electro Luminescence) 소자 등이 있다. 유기 EL 소자는 전극 사이에서 성막층이 올바르게 개재되어 있는 경우에는 다이오드 특성을 나타낸다. 그런데, 기판 상에 흠집, 돌기, 이물 등이 존재하면 전극이나 성막층이 흐트러진 상태로 성막되게 된다.
흐트러진 상태로 성막된 성막층에 있어서는, 국소적으로 층의 두께가 얇은 부위가 존재한다. 층의 두께가 얇은 부위에서는 절연 내성이 낮아진다. 마찬가지로, 도전성 이물이 기판 상에 부착되어 있으면, 역시 전극이나 성막층이 흐트러진 상태로 성막되게 되며, 국소적으로 절연 내성이 낮은 부위가 발생하게 된다.
유기 EL 소자에 있어서의 절연 내성이 낮은 부위는 다이오드 특성을 나타내지 않는다. 또한, 유기 EL 소자에 있어서의 절연 내성이 낮은 부위는 전극간 단락이 발생하거나 저임피던스가 되어, 소위 누설 전류가 발생한 상태가 된다. 누설 전류의 발생은, 소자 파괴나 구동 불량, 표시 불량 등의 원인이 되기 때문에, 제조시 누설 전류가 발생하고 있는 자체 발광 패널은 불량품이 된다. 이러한 불량품의 발생률이 높은 경우, 자체 발광 패널의 제조에 있어서의 수율이 저하하기 때문에, 자체 발광 패널의 제조 단가가 증가하게 된다.
이러한 문제점을 해소하기 위해, 종래로부터 하부 전극에 있어서의 볼록부에 대한 매립 처리를 행하도록 한 각종 기술이 개시되어 있다(예컨대, 하기 특허 문헌1∼6 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2000－91067호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2001－68272호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제2001－267071호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 평성 제09－245965호 공보
[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 평성 제08－54833호 공보
[특허 문헌 6] 일본 특허 공표 제2001－523768호 공보
그러나, 전술한 특허 문헌 1∼6에 나타낸 종래 기술에서는 모두 하부 전극에 있어서의 볼록부에 대한 매립 처리로서, 하부 전극에 있어서의 오목부를 원인으로 하여 발생하는 문제를 해결하는 것은 아니다.
동일한 하부 전극에 있어서도, 국소적으로 절연 내성이 낮아지는 원인이 볼록부에 기인하는 경우와 오목부에 기인하는 경우에는, 절연 내성의 향상을 도모하기 위한 방책도 다르다고 생각되지만, 전술한 특허 문헌 1∼6을 포함하는 종래의 기술에서는 오목부에 기인하는 누설 전류의 발생을 방지하는 것은 곤란하다는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명은 이러한 문제점에 대처하는 것을 과제의 일례로 한다. 즉, 본 발명은 하부 전극과 상부 전극과의 단락 방지를 도모하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 하부 전극과 상부 전극과의 단락에 의한 누설 전류의 발생 방지를 도모하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 자체 발광 패널의 제조에 있어서 수율의 향상을 도모하며, 자체 발광 패널의 제조 단가의 증가 억제를 도모하는 것을 목적으로 한다.
전술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해 청구항 1의 발명에 관한 자체 발광 패널의 제조 방법은 하부 전극과 상부 전극 사이에 발광층을 포함하는 성막층이 설치된 자체 발광 소자가 기판 상에 설치된 자체 발광 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 기판 상에 상기 하부 전극을 형성하는 하부 전극 형성 공정과, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극의 밀봉 기재측에 성막층을 형성하는 성막층 형성 공정과, 상기 성막층 형성 공정시, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극에 있어서의 볼록부를 매립 처리하는 볼록부 매립 처리 공정과, 상기성막층 형성 공정시, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극에 있어서의 오목부를 매립 처리하는 오목부 매립 처리 공정과, 상기 성막층 형성 공정에 의해 형성된 성막층의 상기 밀봉 기재측에 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성 공정을 포함한 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 11의 발명에 관한 자체 발광 패널의 제조 방법은, 하부 전극과 상부 전극 사이에 발광층을 포함하는 성막층이 설치된 자체 발광 소자를 기판 상에 형성한 자체 발광 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 기판 상에 상기 하부 전극을 형성하는 하부 전극 형성 공정과, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극의 상부에 성막층을 형성하는 성막층 형성 공정과, 상기 성막층 형성 공정시, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극에 있어서의 오목부 또는 볼록부 중 적어도 어느 한쪽을 매립하는 제1 매립 처리 공정과, 상기 성막층 형성 공정시, 상기 제1 매립 처리 공정에 의해 오목부 또는 볼록부 중 적어도 어느 한쪽이 매립된 하부 전극에 대하여, 이 하부 전극에 있어서의 오목부 또는 볼록부 중 적어도 어느 한쪽을 매립하는 제2 매립 처리 공정과, 상기 성막층 형성 공정에 의해 형성된 성막층의 상부에 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성 공정을 포함한 것을 특징으로 한다.
이하에 첨부 도면을 참조하여, 본 발명에 관한 자체 발광 패널의 제조 방법의 적합한 실시형태를 상세히 설명한다.
(자체 발광 패널의 개략 구성)
도 1은 본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용하여 제조된 자체 발광 패널을 도시하는 종단 측면도이다. 본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용하여 제조된 자체 발광 패널(100)은 기판(101)과, 자체 발광 소자(102)와, 밀봉 기재(103)와, 접착제(104)와, 건조제(105)를 구비하고 있다. 기판(101)을 형성하는 재료로서는, 예컨대 유리 또는 플라스틱 등을 이용할 수 있다.
자체 발광 패널(100)은 휴대 전화, 차재용 모니터, 가전 조작 모니터, 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 등의 도트 매트릭스의 디스플레이 패널 외에, 시계나 선전용 패널의 고정 표시 디스플레이, 스캐너나 프린터의 광원, 조명, 액정의 백라이트 등의 각종 정보 기기의 표시부 등에 이용되고 있다. 자체 발광 패널(100)에는 자체 발광 소자(102)를 도트 매트릭스형으로 나열한 것이나 아이콘부(고정 표시부)를 형성한 표시부나, 평면의 2차원 형상이나 구면형으로 한 3차원 형상인 것이나, 크기도 소형용부터 오로라비전 등의 대형 스크린 등 각종 형태가 있다.
대표적인 자체 발광 소자로서, 유기 EL 소자가 있다. 유기 EL 소자는 유기 일렉트로 루미네센트 소자, 유기 EL(OEL) 디바이스, 유기 발광 다이오드(OLED) 디바이스, 전장 발광 광원이라고도 불리지만, 본 실시형태에서는 유기 EL 소자라고 한다. 이하, 자체 발광 소자(102)를 유기 EL 소자로서 설명하고, 부호 102를 붙여 설명한다.
유기 EL 소자(102)를 형성하는 유기 재료(발광 재료나 전하 주입·수송 재료 등)에는, 고분자 재료를 이용하여도 좋고, 저분자 재료를 이용하여도 좋다. 현재, 재료 개발이나 제조 공정 개발의 진척으로부터, 저분자 재료를 이용한 유기 EL 소자(102)가 표시 디스플레이로서 제품화되어 있다. 본 실시형태에서는 유기 재료에 저분자 재료를 이용한 경우의 일례를 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는 한 쌍의 전극간의 소자 구조를 「유기 EL 소자」라고 호칭한다.
일반적으로, 유기 EL 소자(102)는 도 1에 도시하는 바와 같이, 하부 전극[본 실시형태에서는 애노드(양극, 정공 주입 전극)](106)와 상부 전극[본 실시형태에서는 캐소드(음극, 전자 주입 전극)](107) 사이에 성막층(108)을 끼운 구조를 가지고 있다. 성막층(108)은 적어도 1층의 발광층을 갖고 있으면 좋고, 그 외에 복수의 기능을 갖는 유기층 등을 적층한 구조를 갖고 있어도 좋다. 유기 EL 소자(102)에 있어서는 「하부 전극(양극)/정공 주입층/정공 수송층/유기 EL 발광층/전자 수송층/전자 주입층/상부 전극(음극)」(부호 생략)이라는 층 구성이 일반적이다.
성막층(108)을 형성하는 각 층은, 함께 단일 유기 재료로 형성되어도 좋고, 복수의 재료를 혼합한 것(혼합층)이나, 고분자 바인더 중에 유기 재료나 무기 재료의 기능 재료(전하 수송 기능, 발광 기능, 전하 차단 기능, 광학 기능 등)를 분산시킨 것도 좋다.
그 외에도, 유기 EL 소자(102)에는 하부 전극(106)을 음극(상부 전극을 양극)으로 한 구성, 성막층(108)에 있어서의 발광층을 복수층으로 한 구성, 유기 EL 소자(102)를 복수 적층시킨 구성(SOLED : Stacked OLED), 캐소드와 애노드 사이에 전하 발생층을 개재시킨 구성(멀티포톤 소자), 정공 수송층 등의 층을 생략한 구성 이나 복수 적층시킨 구성, 성막층 1층만의 구성(각 기능층을 연속적으로 형성시키는, 층 경계를 없앤 것) 등 각종 구성이 있다.
또한, 본 실시형태는 유기 EL 소자(102)의 구성에 제한을 더하지 않는다. 본 실시형태의 자체 발광 패널(100)과 동일한 효과를 발휘하는 유기 EL 소자(102)이면, 본 실시형태의 기술 범위에 포함되는 것으로 해석한다.
유기 EL 소자(102)에 있어서는, 애노드[본 실시형태에서는 하부 전극(106)]및 캐소드[본 실시형태에서는 상부 전극(107)]에 전압을 인가하면, 애노드로부터 성막층(108)에 있어서의 발광층에 정공이 주입·수송되고, 캐소드로부터 성막층(108)에 있어서의 발광층에 전자가 주입·수송된다. 이들의 정공과 전자는 발광층에서 재결합한다. 유기 EL 소자(102)에서는, 정공과 전자와의 재결합에 의해 발광층을 형성하는 발광 재료가 여기되고, 이 발광 재료가 여기 상태로부터 기저 상태로 천이되는 과정에서 발광을 얻고 있다.
하부 전극(106) 및 상부 전극(107)은 한쪽이 음극으로 설정되고, 다른 한쪽이 양극으로 설정된다. 양극으로 설정되는 전극[하부 전극(106) 또는 상부 전극(107)]은 일함수가 높은 재료로 구성되는 것이 좋다. 양극을 형성하는 재료로서는, 예컨대 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 백금(Pt) 등의 금속막이나 ITO(Indium－Tin－Oxide), IZO 등의 산화 금속막 등의 투명 도전막을 이용할 수 있다.
음극으로 설정되는 전극[상부 전극(107) 또는 하부 전극(106)]은 일함수가 낮은 재료로 구성되는 것이 좋다. 음극을 형성하는 재료로서는, 특히, 알칼리 금속(Li, Na, K, Rb, Cs), 알칼리 토류 금속(Be, Mg, Ca, Sr, Ba), 희토류 금속 등의 일함수가 낮은 금속, 그 화합물, 또는 이들을 함유하는 합금을 이용할 수 있다. 하부 전극(106) 및 상부 전극(107)을 모두 투명한 재료로 형성한 경우에는, 광의 방출측과는 반대가 되는 전극측에 도시하지 않는 반사막을 설치한 구성으로 하여도 좋다.
인출 전극은, 상부 전극(107) 및 하부 전극(106)으로부터 유기 EL 소자(102)의 외측(밀봉 기재, 밀봉막의 외측)으로 인출된 전극 배선이다. 도시는 생략하지만, 인출 전극은 자체 발광 패널(100)에 있어서의 유기 EL 소자(102)와, 이 유기 EL 소자(102)를 구동하는 IC나 드라이버 등을 접속한다. 인출 전극을 형성하는 재료로서는 저저항 금속 재료가 바람직하다. 예컨대, Ag, Cr, Al의 금속이나 그 합금 등이 인출 전극을 형성하는 재료로서 바람직하다.
하부 전극(106) 및 인출 배선은 증착, 스퍼터링 등의 방법을 이용하여, 금속 산화물인 ITO, IZO 등을 박막으로서 형성하고, 이 박막을 포토리소그래피법 등의 방법을 이용하여 패터닝하여 형성한다. 하부 전극(106) 및 인출 배선은 ITO, IZO 등의 재료에 Ag나 Ag 합금, Al, Cr 등의 저저항 금속을 적층한 2층 구조라도 좋다. 또한, 하부 전극(106) 및 인출 배선은 ITO, IZO 등의 재료에 적층된 저저항 금속의 보호층으로서, 저저항 금속 상에 Cu, Cr, Ta 등의 내산화성이 높은 재료를 적층한 3층 구조라도 좋다.
성막층(108)은 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 조합시킨 것이 일반적이지만, 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층은 각각 1층뿐만 아니라 복수층 적층하여 설치하여도 좋다. 정공 수송층, 전자 수송층에 대해서는 어느 한쪽의 층을 생략하 여도 양쪽의 층을 생략하여도 상관없다. 또한, 정공 주입층, 전자 주입층, 캐리어 블록층 등의 각종 층을 용도에 따라 삽입하는 것도 가능하다. 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 형성하는 재료는 종래 사용되고 있는 재료(고분자 재료, 저분자재료를 불문함)를 적절하게 선택하는 것이 가능하다.
발광 재료에 있어서는, 일중항 여기 상태로부터 기저 상태로 되돌아갈 때의 발광(형광)과 삼중항 여기 상태로부터 기저 상태로 되돌아갈 때의 발광(인광)이 있지만, 본 실시형태에서는, 어느 한쪽의 발광을 이용한 유기 EL 소자(102)에 있어서도 이용 가능하다.
접착제(104)는 열경화형, 화학 경화형(2액 혼합), 광(자외선) 경화형 등을 사용할 수 있다. 접착제(104)를 형성하는 재료로서는, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등을 이용할 수 있다. 특히, 자외선 경화형 에폭시 수지제조의 사용이 바람직하다. 접착제(104)로서는, 예컨대 자외선 경화형 에폭시 수지 제조의 접착제를 이용할 수 있다. 이 접착제(104)에, 1∼300 ㎛의 입자 지름의 스페이서(유리나 플라스틱의 스페이서가 바람직함)를 적량 혼합(0.1∼0.5 중량% 정도)하여도 좋다.
건조제(105)는 밀봉 공간(109) 내의 수분을 제거함으로써, 성막층(108)의 열화를 억제한다. 건조제(105)는 물리적 건조제, 화학적 건조제를 비롯하여 각종 건조제를 이용할 수 있다. 물리적 건조제로서는, 예컨대 제올라이트, 실리카겔, 카본, 카본나노튜브 등이 있다. 화학적 건조제로서는, 예컨대 알칼리 금속 산화물, 금속 할로겐화물, 과산화염소 등이 있다. 기타, 유기 금속착체를 톨루엔, 크실렌, 지방족 유기 용제 등의 석유계 용매에 용해한 건조제나, 투명성을 갖는 폴리에틸렌, 폴리이소프렌, 폴리비닐신나에이트 등의 바인더에 건조제 입자를 분산시킨 건조제에 의해 건조제(105)를 실현하여도 좋다.
밀봉 기재(103)는 유기 EL 소자(102)의 주위에, 유기 EL 소자(102)를 외기로부터 밀봉하는 밀봉 공간(109)을 형성한다. 밀봉 기재(103)를 형성하는 재료로서는, 예컨대 금속, 유리, 플라스틱 등이 있다. 예컨대 유리 제조의 밀봉 기재(103)에 대하여 프레스 성형, 에칭, 블래스트(blast) 처리 등의 가공을 실시함으로써 밀봉 오목부(110)가 형성된 밀봉 기재(103)를 이용하여도 좋다.
밀봉 오목부(110)는 1단으로 패였는지 2단으로 패였는지에 관계없다. 또한, 도시를 생략하지만, 평판형 유리와, 이 유리와 기판(101) 사이에 협지되는 유리(플라스틱이라도 좋음) 제조의 스페이서를 밀봉 기재(103)로 하고, 이 밀봉 기재(103)에 의해 밀봉 공간(109)을 형성하도록 하여도 좋다.
도 2는 본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용하여 제조된 다른 자체 발광 패널을 도시하는 종단 측면도이다. 본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용하여 제조되는 자체 발광 패널은, 도 1에 도시하는 구조를 갖는 자체 발광 패널(100)에 한정되지 않는다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판(101)과 자체 발광 소자(유기 EL 소자)(102)와, 밀봉막(201)과, 밀봉 기재(202)를 구비하는 자체 발광 패널(200)이라도 좋다. 도 2에 도시하는 자체 발광 패널(200)에 있어서의 밀봉막(201)은 단층막에 의해 형성되어 있어도 좋고, 복수의 보호막을 적층함으로써 형성되어도 좋다.
밀봉막(201)을 형성하는 재료로서는, 무기물과 유기물 중 어느 쪽이라도 좋다. 밀봉막(201)을 형성하는 무기물의 재료로서는, SiN, AlN, GaN 등의 질화물, Si2O, Al2O3, Ta2O5, ZnO, GeO 등의 산화물, SiON 등의 산화 질화물, SiCN 등의 탄화질화물, 금속 불소 화합물, 금속막 등이 있다.
밀봉막(201)을 형성하는 유기물의 재료로서는, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리파라크실렌, 파플루오로올레핀, 파플루오로에테르 등의 불소계 고분자, CH3OM, C2H5OM 등의 금속 알콕시드, 폴리이미드 전구체, 페릴렌계 화합물 등을 들 수 있다. 밀봉막(201)의 적층 구조나 재료의 선택은, 유기 EL 소자(102)의 설계에 따라 적절하게 선택할 수 있다.
밀봉 기재(202)를 형성하는 재료로서는, 소다 유리, 납 유리, 경질 유리 등의 유리 기재, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 플라스틱 기재, 알루미늄, 스테인레스 등의 금속 기재 등의 각종 재료를 이용할 수 있다. 밀봉 기재(202)를 형성하는 재료는, 유기 EL 소자(102)의 구성에 따라 적절하게 적합한 재료를 선택하는 것이 가능하다.
예컨대 유기 EL 소자(102)가 기판(101)측과 반대측으로부터 광을 추출하는 상부 발광(Top Emission) 구조인 경우 또는 기판(101)측과 그 반대측과 그 양측으로부터 광을 추출하는 TOLED 구조인 경우에는, 밀봉 기재(202)를 형성하는 재료로서 투명성이 높은 재료를 이용하는 것, 상기 밀봉 기재(202)의 두께로서 고투과율을 갖는 두께 인 것이 적합하다.
이것에 대하여, 예컨대 유기 EL 소자(102)가 기판(101)측으로부터 광을 추출하는 하부 발광(Bottom Emission) 구조인 경우에는, 금속 기재 등을 밀봉 기재(202)를 형성하는 재료로서 이용하여도 상관없다. 유기 EL 소자(102)의 밀봉에는 기밀 밀봉법, 고체 밀봉법, 막 밀봉법 등의 밀봉 방법을 이용할 수 있다. 여기서 말하는 기밀 밀봉법은, 유리, 금속, 플라스틱 등의 밀봉 기재에 의해 유기 EL 소자(102)의 주위에 유기 EL 소자(102)를 외기로부터 차단하는 공간을 설치하는 밀봉 방법이다. 여기서 말하는 고체 밀봉법은, 유기 EL 소자(102)를 외기로부터 차단하는 공간 내에 수지 등의 충전제를 충전하는 밀봉 방법이다. 여기서 말하는 막 밀봉법은, 플라스틱 필름이나 수지 필름 등을 유기 EL 소자(102)를 덮도록 라미네이트 성막하거나, 유기 EL 소자(102) 상에 밀봉 성능이 있는 밀봉막을 성막하거나 하는 밀봉 방법이다.
본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용하여 제조되는 자체 발광 패널은 전술한 자체 발광 패널(100, 200)에 한하지 않는다. 전술한 자체 발광 패널(100, 200)이 발휘하는 작용 효과를 발휘하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위이면, 설계 변경 등이 있어도 본 실시형태의 범위에 포함된다. 예컨대 자체 발광 패널(100, 200)의 구동 방법으로서 수동 구동법을 이용하여도 좋고, 이외에도 TFT를 이용하여 구동하는 능동 구동법을 이용하여도 좋다.
공지한 기술이기 때문에 설명을 생략하지만, 수동 구동법에 의해 구동되는 자체 발광 패널에 있어서는, 복수의 양극에 의해 형성된 데이터 라인과 복수의 음극에 의해 형성된 주사 라인을 서로 교차시켜, 데이터 라인과 주사 라인과의 교점 에 있어서의 유기 EL 소자를 선택적으로 발광시킨다. 마찬가지로, 설명을 생략하지만, 능동 구동법 의해 구동되는 자체 발광 패널에 있어서는, 각자 발광 소자에 스위칭 소자로서의 트랜지스터를 설치하여 각자 발광 소자를 개개에 발광시킨다.
또한, 본 실시형태의 자체 발광 패널(100, 200)은 유기 EL 소자(102)의 발광 형태를 한정하는 것은 아니다. 본 실시형태의 자체 발광 패널(100, 200)은, 예컨대 기판(101)측으로부터 광을 추출하는 타입의 하부 발광형이어도, 기판(101)측과는 반대측으로부터 광을 추출하는 타입의 상부 발광형이어도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 자체 발광 패널(100, 200)은 단색 발광이라도 2색 이상의 다색 발광 타입이라도 좋다. 다색 발광하는 자체 발광 패널(100, 200)의 제조는 발광층의 분할 도포 방식, 칼라 필터를 이용한 CF 방식이나 색변환층을 이용한 CCM 방식, 포토 브리칭 방식, 적층 OLED 방식 등의 각종 방식을 이용하여 실현할 수 있다.
CF 방식이나 CCM 방식에서는, 백색이나 청색 등의 단색 발광층에, 칼라 필터나 형광 재료에 의한 색변환층을 조합시킴으로써 다색 발광을 실현한다. 포토 브리칭 방식은 단색 발광 기능층의 발광 영역에 전자파를 조사하는 등으로 다색 발광을 실현한다. 적층 OLED 방식은 2색 이상의 발광색을 갖는 성막층을, 성막층의 적층 방향을 따라 세로로 적층함으로써 하나의 픽셀을 형성함으로써 다색 발광을 실현한다.
(자체 발광 패널의 일반적인 제조 방법)
도 3은 자체 발광 패널의 일반적인 제조 방법에 기초를 둔 공정의 흐름을 도 시하는 흐름도이다. 여기서는 일례로서, 수동 구동형 자체 발광 패널(100)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 자체 발광 패널(100)의 제조시에는, 우선 하부 전극 형성 공정에 의해(단계 S301), 기판(101) 상에 하부 전극(106) 및 인출 배선을 형성한다. 하부 전극(106) 및 인출 배선은 증착, 스퍼터링 등의 방법을 이용하여, 금속 산화물인 ITO, IZO 등을 박막으로 하여 형성한다.
그리고, 기판(101) 상에 형성한 박막을, 포토리소그래피법 등의 방법을 이용하여 패터닝한다. 2층 구조의 하부 전극(106) 및 인출 배선을 형성하는 경우, 패터닝한 박막에, 예컨대 Ag, Al, Cr 등의 저저항 금속 또는 그 합금을 적층한다. 3층 구조의 하부 전극(106) 및 인출 배선을 형성하는 경우, 저저항 금속 상에, 예컨대 Cu, Cr, Ta 등의 내산화성이 높은 재료를 보호층으로 하여 적층한다.
이어서, 성막층 형성 공정에 의해(단계 S302), 기판(101) 상에 하부 전극(106) 및 인출 배선에 적층하도록 하여, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 형성하는 각 재료를 순차 적층시켜 성막층(108)을 형성한다. 성막층(108)의 형성시에는, 예컨대 스핀 코팅법, 디핑법 등의 도포법, 스크린 인쇄법, 잉크젯법 등의 인쇄법 등의 습식 공정, 또는 증착법, 레이저 전사법 등의 건식 공정을 이용한다.
여기서, 자체 발광 패널(100)은 다색 발광 타입이며, 발광층의 형성에 있어서, 예컨대 발광층의 분할 도포 방식을 이용하는 경우, 모든 유기 EL 소자(102)를 덮도록 하여 기판(101) 전체에 걸쳐 성막하는 성막 재료를 사방 증착법을 이용하여 성막하고, 색마다 성막하는 성막 재료를 수직 증착법을 이용하여 성막하는 방법이 널리 알려져 있다. 광마다 분할 도포에는, 각 발광색에 맞춘 성막용 마스크를 사용 한다.
또한, 성막용 마스크를 이용하여 색마다 분할 도포를 행하는 성막 방식을 채용하는 경우에는, 모든 유기 EL 소자(102)를 덮도록 하여 기판(101) 전체에 걸쳐 성막하는 성막 재료를 사방 증착법을 이용하여 성막하고, 색마다 성막하는 성막 재료를 수직 증착법을 이용하여 성막하는 방법에 한하는 것은 아니다. 복수의 색에 걸쳐 성막하는 성막 재료를 수직 증착법을 이용하여 성막하여도 좋다. 또한, 복수의 색에 걸쳐 성막하는 성막 재료가 복수인 경우에는 성막 재료마다 성막 방법을 다르게 하는 것도 가능하다.
분할 도포시에는, RGB3 색의 발광을 나타내는 유기 재료, RGB3 색에 한하지 않고, 적(R)과 청(B)의 조합의 2색 발광이나 RGB3 색에 백(W)을 첨가한 4색 발광 등 복수의 유기 재료를 조합시킨 재료를, RGB의 각 색발광 부분에 해당하는 화소 영역에 성막함으로써, RGB의 각 색을 발광하는 발광층을 형성한다. 발광층의 형성시에는, 예컨대 1 개소의 화소 영역에 대하여 2회 이상 동재료로써 성막한다. 이것에 의해 미성막 부분의 발생을 막을 수 있다.
계속해서, 상부 전극 형성 공정에 의해(단계 S303), 성막층(108) 상에, 상부전극(107)을 형성한다. 상부 전극(107)은 스트라이프형 복수 라인의 금속 박막을, 하부 전극(106)의 패턴에 직교하는 상태로 성막층(108) 상에 적층함으로써 형성된다. 본 실시형태의 상부 전극(107)은 음극으로 되어 있다. 상부 전극(107)을 실현하는 금속 박막의 형성시에는, 예컨대 증착이나 스퍼터링 등의 방법을 이용한다. 이것에 의해, 유기 EL 소자(102)를 성막층(108)의 적층 방향을 따라서 본 경우에, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)에 의해 매트릭스가 형성된 상태가 된다.
마지막으로, 밀봉 공정에 의해(단계 S304), 유기 EL 소자(102)가 형성된 기판(101)과, 별도 밀봉 오목부(110)가 형성된 밀봉 기재(103)를 접착제(104)를 매개로 하여 밀봉한다. 밀봉시에는, 기판(101) 상의 상기 개소에 접착제(104)를 도포하고, 이 접착제(104)를 협지하도록 하여, 기판(101)과 밀봉 기재(103)를 접합시킨다. 접착제(104)의 도포시에는, 예컨대 디스펜서 등을 사용한다. 기판(101)과 밀봉 기재(103)를 접합시키는 공정은 아르곤 가스 등의 불활성 가스 분위기 하에서 행해진다.
기판(101)과 밀봉 기재(103)를 접합시킨 후, 기판(101)측[또는 밀봉 기재(103)측]으로부터 접착제(104)에 대하여 자외선을 조사한다. 이것에 의해, 접착제(104)가 자외선 경화 반응하여, 기판(101)과 밀봉 기재(103)를 접착한 상태로 경화한다. 이것에 의해, 유기 EL 소자(102)가 기판(101)과 밀봉 기재(103) 사이에 형성되며, 아르곤 가스 등의 불활성 가스가 봉입된 밀봉 공간(109) 내에 밀봉된다.
그런데, 전술한 방법에 의해 형성된 하부 전극(106)은, 유기 EL 소자(102)의 성능 열화의 원인이 되는 볼록부나 오목부가 생기는 경우가 있다. 이하에, 하부 전극(106)에 생기는 볼록부나 오목부에 대한 대표적인 것에 대해서 설명한다.
도 4a는 하부 전극 형성 후에 생긴 볼록부를 도시하는 종단 측면도이다. 도 4a에 도시하는 바와 같은 볼록부(410)는 하부 전극(106)의 성막 불량 등에 의해 생긴다. 또한, 도시를 생략하지만, 기판(101)에 볼록형의 흠집이 있는 경우에도 동일한 볼록부가 생긴다. 볼록부(410)가 성막층(108)의 두께보다도 돌출되어 있는 경 우, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410)와 성막층(108)에 적층되는 상부 전극(107)(도 2 참조)이 단락되어 버린다. 또한, 볼록부(410)가 성막층(108)의 두께보다도 돌출되어 있지 않아도, 볼록부(410)가 존재함으로써 볼록부(410)의 선단과 상부 전극(107)과의 거리가 가까워짐에 따라 쉽게 단락되어 버린다.
도 4b는 하부 전극 형성 중에 생긴 볼록부를 도시하는 종단 측면도이다. 도 4b에는 하부 전극(106)을 형성한 후[혹은 하부 전극(106)의 형성시]에, 이물(420)이 혼재함으로써 생기는 볼록부(421)가 표시되어 있다. 이물(420)이 장해가 되어 성막층(108)이 양호하게 성막되지 않으며, 예컨대 이물(420)의 주위 등에 하부 전극(106)이 노출된 부분(422)이 생기게 되는 경우가 있다. 이 상태에서 상부 전극(107)을 형성하면, 하부 전극(106)이 노출된 부분(422)과 상부 전극(107)이 단락되어 버린다.
도 4c는 하부 전극 형성 후에 생긴 오목부를 도시하는 종단 측면도이다. 도 4c에 도시하는 바와 같은 오목부(430)는, 예컨대 도 4b에 도시하는 바와 같이 하부 전극 형성 후 또는 하부 전극(106)의 형성시에, 이물(420)이 혼재됨으로써 생긴다. 또는, 하부 전극 형성 후에 하부 전극(106)에 패터닝을 행할 때에 이물 등이 혼입된다. 이 이물(420)이 성막층(108)을 형성한 후에 행해지는 기판 세정 공정 등에 의해 탈락한 경우, 이물(420)이 존재하고 있었던 부분에 있어서의 하부 전극(106)을 노출시키는 오목부(430)가 생기게 되는 경우가 있다. 이 상태로 상부 전극(107)(도 2 참조)을 형성하면, 하부 전극(106)이 노출된 부분(430)과 상부 전극(107)이 단락되어 버린다.
또한, 도시를 생략하지만, 성막층(108)의 성막 불량에 의해 핀 홀이 생긴 경우에도, 하부 전극(106)이 노출된 부분이 생기게 되는 경우가 있으며, 전술과 마찬가지로 하부 전극(106)이 노출된 부분과 상부 전극(107)이 단락되어 버린다.
(본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법)
여기서, 본 실시형태에서는 자체 발광 소자에 유기 EL 소자를 이용한 자체 발광 패널의 제조 공정에 대해서 설명한다. 도 3에서 도시한 자체 발광 패널의 제조 공정에 있어서의 하부 전극 형성 공정 후, 즉 성막층 형성 공정시에, 볼록부(410, 421) 또는 오목부(430) 중 적어도 어느 하나를 매립하는 제1 매립 처리 공정과, 볼록부(410, 421) 또는 오목부(430) 중 적어도 어느 하나를 매립하는 제2 매립 처리 공정을 행한다.
제1 매립 처리 공정은 볼록부 매립 처리 공정 또는 오목부 매립 처리 공정 중 어느 하나의 공정을 행한다. 제2 매립 처리 공정은 볼록부 매립 처리 공정 또는 오목부 매립 처리 공정 중 제1 매립 처리 공정과는 다른 공정을 행한다. 제2 매립 처리 공정은, 제1 매립 처리 공정에 의해 볼록부(410, 421) 또는 오목부(430) 중 적어도 어느 하나가 매립된 하부 전극(106)에 대하여, 상기 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 또는 오목부(430) 중 적어도 어느 하나를 매립한다.
볼록부 매립 처리 공정은 하부 전극(106)에 생긴 볼록부(410, 421)를 매립한다. 구체적으로, 하부 전극 형성 공정에 이어서 성막층 형성 공정시에, 성막층(108)에 있어서 적어도 하나의 층을, 사방 증착법, 수직 증착법, 멜트법, 가압 증착법 또는 후막 두께 성막법을 이용하여 형성함으로써, 볼록부(410, 421)를 매립한 다. 본 실시형태에서는 볼록부(410, 421)가 존재하는 경우에도 전술한 단락이 발생하지 않게 되도록 상기 볼록부(410, 421)를 성막층(108)이 포함하게 매립한다.
사방 증착법은 진공 증착을 이용한 성막 방법의 하나로서, 성막 대상물(기판)에 있어서의 성막 대상면(기판의 성막면)에 대하여 경사지게 증착(성막) 재료를 부착시킴으로써 성막하는 방법이다. 구체적으로, 본 실시형태에서는 기판(101)의 판 두께 방향에 대하여 경사지게 증착(성막) 재료를 부착시킨다.
사방 증착법을 이용한 성막시에는, 성막원에 대하여 성막 대상물을 회전시킨다. 또한, 사방 증착법은, 증착 재료의 돌아 들어감, 커버리지가 가능하기 때문에, 분할 도포가 필요가 없는 성막층(108)(정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층)이나 상부 전극(107)의 성막에도 이용 가능하다.
수직 증착법은 진공 증착을 이용한 성막 방법의 하나로서, 성막 대상물(기판)에 있어서의 성막 대상면(기판의 성막면)에 대하여 정면으로부터 증착(성막) 재료를 부착시킴으로써 성막하는 방법이다. 구체적으로, 본 실시형태에서는 기판(101)의 판 두께 방향을 따라 증착(성막) 재료를 부착시킨다.
수직 증착법을 이용한 성막시에도, 성막원에 대하여 성막원과 성막 대상물과의 대향 방향을 축심 방향으로 하여 성막 대상물을 회전시킨다. 수직 증착은 증착 재료의 불필요하게 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있기 때문에, 다색 발광의 자체 발광 패널의 제조에 있어서, 각 발광색에 맞춰 유기 재료를 분할 도포하는 성막에 있어서 이용되고 있다.
멜트법은 성막층(108)을 형성하는 적어도 1층을 성막한 후에, 이 층을 형성 하는 유기 재료의 유리 전이점 이상의 온도로 가열함으로써 용융시키고, 용융한 재료에 의해 볼록부(410, 421)를 매립하는 방법이다. 멜트법을 이용하는 경우, 기판(101), 하부 전극(106) 및 성막층(108)에 있어서 재료의 용융 이전에 형성되어 있는 층은 용융하는 재료의 융점보다도 융점이 높은 재료에 의해 형성한다.
가압 증착법이란, LP－OVPD 법(Low Pressure Organic Vapor Phase Deposition : 저진공 증착법)이라는 진공도가 낮은 분위기 중에서 증착하는 방법이나, 압력 조정 가스(N2 등)에 의해 장치 내를 가압한 분위기 중에서 증착하는 방법이다. 구체적으로, 통상의 진공 증착은 1O-4∼1O-6 Pa 진공 중에서 증착하는 데 대하여 1O-1∼1O3 Pa라는 저진공 상태 또는 가압 상태에서 압력 조정 가스를 이용하여 증착한다. 가압 증착법은, 저진공 상태나 가압 상태에 있어서의 증착 방법을 위해 성막 대상면의 표면으로 돌아 들어가는 것이 좋고, 성막시 불균일의 발생을 적게 하는 것이 가능해진다.
후막 두께 성막법은 복수 성막하는 성막층(108) 중 적어도 1층의 막 두께를 두껍게 형성하는 방법이다. 두껍게 하는 층으로서는, 예컨대 고분자 재료를 이용한 버퍼층이 좋지만, 이것에 한하는 것은 아니다. 버퍼층을 형성한 후, 도포나 스핀 코트법으로써 하부 전극(106) 상에 버퍼층을 성막한 후, 진공 증착에 의해 발광층을 포함하는 저분자 유기 재료를 성막한다. 또한, 하부 전극(106)과 발광층 사이에, 전자 수용체를 도핑한 고밀도 캐리어층과 그 고밀도 캐리어층 상부에 저밀도 캐리어층을 설치하고, 저밀도 캐리어층의 막 두께를 두껍게 성막하는 방법이 있다. 후막을 성막하는 방법으로서는, 전술한 사방 증착법, 수직 증착법, 가압 증착법 등 어느 하나의 성막 방법을 이용하여도 좋다.
또한, 볼록부 매립 처리 공정으로서는, 구체적으로, 하부 전극(106)의 형성에 이어서 하부 전극 연마법을 이용하여 하부 전극(106)의 표면을 연마함으로써, 볼록부(410, 421)를 매립하여도 좋다. 본 실시형태에서는 전술한 단락이 발생하지 않게 될 정도까지 볼록부(410, 421)를 연마하도록 매립한다.
하부 전극 연마법은 하부 전극(106)을 형성한 후에, 이 하부 전극(106)의 표면을 연마하는 방법이다. 기판(101) 상의 흠집이나 하부 전극(106)에 있어서의 성막 불량에 의해 생기는 볼록부(410)를 연마나 에칭(물리, 화학을 불문함)에 의해 하부 전극(106)의 표면을 평활화시킨다. 하부 전극 연마법을 이용하여 이물(420)을 원인으로 하여 생긴 볼록부(421)를 연마하여도 좋다.
그 외에, 볼록부 매립 처리 공정으로서는, 하부 전극 화학 또는 물리 에칭법을 이용하여, 볼록부(410, 421)를 용해 제거하고, 하부 전극(106)의 표면을 평활화 함으로써 볼록부(410, 421)를 매립하여도 좋다. 본 실시형태에서는 전술한 단락이 발생하지 않게 될 정도까지, 볼록부(410, 421)를 용융 제거하도록 매립한다. 또한, 하부 전극 화학 및 물리 에칭법은, 에칭 대상물의 표면이나 형상을, 화학적 또는 전기 화학적으로 용해 제거하는 방법이다.
오목부 매립 처리 공정은, 하부 전극(106)에 생긴 오목부(430)를 매립한다. 구체적으로, 하부 전극 형성 공정에 이어서 성막층(108)의 형성시에, 성막층(108)에 있어서 적어도 하나의 층을 사방 증착법, 수직 증착법, 멜트법, 가압 증착법 및 후막 두께 성막법 중 어느 하나를 이용하여 형성함으로써, 오목부(430)를 매립한다. 본 실시형태에서는 성막층(108)을 형성한 후에, 오목부(430)가 노출하는 부분이 존재하지 않게 되도록 이 오목부(430)를 성막층(108)이 포함하게 매립한다.
볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정은, 어느 하나를 먼저 행하여도 좋다. 즉 전술한 각종 매립 방법을 제1 매립 처리 공정에 이용하여도 제2 매립 처리 공정에 이용하여도 좋다. 단, 멜트법은, 제1 매립 처리 공정 및 제2 매립 처리 공정이 순차 행해지는 경우에 있어서 제2 매립 처리 공정만으로 이용하는 것으로 한다.
또한, 본 실시형태에서는 제1 매립 처리 공정 및 제2 매립 처리 공정을 별개의 공정으로 하여 행하였지만, 이것에 한하는 것은 아니다. 제1 매립 처리 공정 및 제2 매립 처리 공정을 동시에 행하여도 좋다. 단, 이 경우, 볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정은, 사방 증착법, 수직 증착법, 가압 증착법 중 어느 하나를 이용하여 행하는 것으로 한다.
또한, 본 실시형태에서는, 하부 전극(106)에 생긴 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)에 대하여, 제1 매립 처리 공정과 제2 매립 처리 공정과의 2개의 매립 처리를 행하였지만, 이것에 한하는 것은 아니다. 즉, 제2 매립 처리 공정 후에 제3 매립 처리 공정을 행하여도 좋다.
예컨대, 제1 매립 처리 공정으로서 볼록부 매립 처리 공정을 행한 후에, 제2 매립 처리 공정으로서 오목부 매립 처리 공정을 행하는 경우, 제2 매립 처리 공정을 행한 후에, 제3 매립 처리 공정으로서 재차 볼록부 매립 처리 공정을 행하는 것 도 가능하다. 이 때, 제3 매립 처리 공정으로서의 볼록부 매립 처리 공정은, 제1 매립 처리 공정을 행한 방법과 동일한 방법을 이용하여도 좋고, 다른 방법을 이용하여도 좋다.
예컨대, 제1 매립 처리 공정으로서 오목부 매립 처리 공정을 행한 후에, 제2 매립 처리 공정으로서 볼록부 매립 처리 공정을 행하는 경우, 제2 매립 처리 공정을 행한 후에, 제3 매립 처리 공정으로서 재차 오목부 매립 처리 공정을 행하는 것도 가능하다. 이 때, 제3 매립 처리 공정으로서의 오목부 매립 처리 공정은, 제1 매립 처리 공정을 행한 방법과 동일한 방법을 이용하여도 좋고, 다른 방법을 이용하여도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법에 의하면, 기판(101) 상에 형성된 하부 전극(106)의 밀봉 기재(103)측에 성막층(108)을 형성할 때에 행해진 볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정에 의해서, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)가 매립된 후에 상부 전극(107)이 형성된다.
이와 같이, 볼록부(410, 421)를 매립하는 볼록부 매립 처리 공정과, 오목부(430)를 매립하는 오목부 매립 처리 공정을 조합하여 행하고, 볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정에 있어서, 하부 전극(106)에 생긴 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)의 각각에 특화한 매립 처리를 행함으로써 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 확실히 매립할 수 있다. 이것에 의해, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있다.
또한, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)과의 단락에 의한 누설 전류의 발생을 방지하고, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)과의 단락에 의한 누설 전류의 발생에 의한 불량품의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 자체 발광 패널(100)의 제조에 있어서 수율 저하의 억제를 도모할 수 있다. 이것에 의해 자체 발광 패널 제조 단가의 증가 억제를 도모할 수 있다.
예컨대 볼록부 매립 처리 공정과, 상기 오목부 매립 처리 공정을 따로따로 행한 경우에는, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430) 각각의 매립에 알맞은 방법을 이용하여, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 매립할 수 있다. 이것에 의해, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 확실히 매립할 수 있다.
한편, 예컨대 볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정을 동시에 행한 경우에는, 볼록부 매립 처리 공정과 오목부 매립 처리 공정 각각을 동일한 방법을 이용하여, 볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정을 따로따로 행하는 경우와 비교하고, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)의 매립 작업에 필요한 시간을 단축하여 작업의 간이화를 도모할 수 있다. 이것에 의해 자체 발광 패널의 제조시 작업 효율의 향상을 도모할 수 있다.
따라서, 볼록부 매립 처리 공정을 행한 후에, 오목부 매립 처리 공정을 행함으로써, 볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정을 각각 확실하게 행할 수 있다. 이것에 의해 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 확실하게 매립할 수 있다.
예컨대 오목부 매립 처리 공정을 행한 후에, 볼록부 매립 처리 공정을 행한 방법과 동일한 방법 또는 다른 방법에 의해 재차 볼록부 매립 처리 공정을 행한 경우, 볼록부(410, 421)가 보다 확실하게 매립된다. 이것에 의해, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법에 의하면, 볼록부 매립 처리 공정에 있어서, 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 성막층에서 적어도 1층을 형성 또는 하부 전극연마 방법으로써 볼록부를 매립 처리하고, 오목부 매립 처리 공정에 있어서, 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 멜트법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 성막층에 적어도 1층을 형성할 수 있다.
따라서, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430) 각각의 매립에 알맞은 방법을 이용하여, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 매립하는 동시에 성막층을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 성막층 형성에 지장을 초래하지 않고 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 확실하게 매립할 수 있다.
따라서, 오목부 매립 처리 공정을 행한 후에, 볼록부 매립 처리 공정을 행함으로써, 볼록부 매립 처리 공정 및 오목부 매립 처리 공정을, 각각 확실하게 행할 수 있다. 이것에 의해, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 확실하게 매립할 수 있다.
한편, 예컨대 볼록부 매립 처리 공정을 행한 후에, 오목부 매립 처리 공정을 행한 방법과 동일한 방법 또는 다른 방법에 의해, 재차 오목부 매립 처리 공정을 행한 경우, 볼록부(410, 421)가 보다 확실하게 매립된다. 이것에 의해, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법에 의하면, 오목부 매립 처리 공정에 있어서, 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 성막층에 있어서 적어도 1층을 형성하고, 볼록부 매립 처리 공정에 있어서, 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 멜트법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성할 수 있다.
따라서, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430) 각각의 매립에 알맞은 방법을 이용하여, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421)및 오목부(430)를 매립하는 동시에 성막층을 형성할 수 있다. 이것에 의해, 성막층의 형성에 지장을 초래하지 않고, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 확실하게 매립할 수 있다.
본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법에 의하면, 볼록부 매립 처리 공정과 오목부 매립 처리 공정을 다른 방법으로 행함으로써, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430) 각각의 매립에 알맞은 방법을 이용하는 동시에, 각 방법에 있어서 독자의 유리성을 발휘시켜, 보다 다양한 방법에 의해 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 매립할 수 있다. 이것에 의해, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421)및 오목부(430)를 보다 확실히 매립할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법에 의하면, 기판 상에 형성된 하부 전극(106)의 밀봉 기재측에 성막층을 형성할 때에 행해진 제1 매립 처리 공정 및 제2 매립 처리 공정에 의해, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)가 매립된 후에 상부 전극(107)이 형성된다.
본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법에 의하면, 제1 매립 처리 공정 및 제2 매립 처리 공정을 다른 방법으로 행함으로써, 하부 전극(106)에 있어서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430) 각각의 매립에 알맞은 방법을 이용하는 수 있고, 그것에 의해 각 방법에 있어서 독자의 유리성을 발휘시켜, 보다 다양한 방법에 의해 하부 전극(106)에서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 매립할 수 있다. 이것에 의해, 하부 전극(106)에서의 볼록부(410, 421) 및 오목부(430)를 보다 확실하게 매립할 수 있다.
또한, 제1 매립 처리 공정에 있어서, 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성 또는 하부 전극 연마 방법으로써 하부 전극의 표면을 평활화함으로써, 이미 확립된 방법을 이용하여 하부 전극(106)의 오목부(430) 또는 볼록부(410, 421) 중 적어도 어느 한쪽을 매립할 수 있다. 이것에 의해, 제1 매립 처리 공정에서 작업의 안정화 및 용이화를 도모할 수 있다.
또한, 제2 매립 처리 공정은, 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 멜트법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성함으로써, 이미 확립된 방법을 이용하여, 하부 전극(106)의 오목부(430) 또는 볼록부(410, 421) 중 적어도 어느 다른 한쪽을 매립할 수 있다. 이것에 의해, 제2 매립 처리 공정에 있어서 작업의 안정화 및 용이화를 도모할 수 있다.
덧붙여, 본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법에 의하면, 유기 EL 소자(102)에 의해 자체 발광 소자를 실현함으로써, 유기 EL 소자(102)에서의 발광 성능의 안정화를 도모할 수 있고, 성능이 안정된 자체 발광 패널(100)을 제조할 수 있다. 또한, 전술한 각종 효과는 자체 발광 패널(100)에 한하지 않고, 자체 발광 패널(200)에 있어서도 마찬가지로 발휘된다.
이하에, 본 실시형태의 자체 발광 패널의 제조 방법을 이용한 자체 발광 패널의 제조 공정이 구체적인 일례로서 실시예 1∼실시예 7에 대해서 설명한다. 실시예 1∼실시예 7에서는 자체 발광 소자(102)의 제조 공정에 대해서만 설명한다.
[실시예 1]
본 실시예 1에서는 제1 매립 처리 공정으로서 하부 전극 연마법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정을 행하고, 제2 매립 처리 공정으로서 멜트법을 이용한 오목부 매립 처리 공정을 행한다. 본 실시예 1에 있어서의 자체 발광 소자(102)의 제조시에는, 우선 기판(101)으로서 투명한 유리 기판의 표면 상에 하부 전극(106)이 되는 ITO 막을 소정의 형상으로 형성하였다. ITO 막의 성막시에 스퍼터링 증착을 이용하였다.
이어서, ITO 막의 표면을 연마하여, 소정의 두께로 하였다. ITO 막 표면의 연마시에는, 예컨대 폴리싱, 랩핑, 테이프 랩핑 등의 수법을 이용한다. 여기에, 제 1 매립 처리 공정으로서 하부 전극 연마법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정이 행해진다. ITO 막 표면의 연마시에는, ITO 막의 표면이 일본 공업 규격(JIS)으로 정해진 표면 거칠기의 정의와 표시(BO601)에 있어서 정의되는 표면 거칠기의 최대 높이(Rmax)가 50 옹스트롱 이하가 되도록 연마하였다. 그 후, ITO 막에 대하여 전극 패턴에 따른 패터닝을 실시하여 최종적인 하부 전극(106)을 형성하였다.
하부 전극(106)이 형성된 유리 기판[기판(101)]을 중성 세제, 아세톤, 에탄올을 이용하여 초음파 세정하고, 그 후, 끓는 에탄올 속에서 끌어올려 건조시켰다. 건조시킨 유리 기판의 표면을 UV/O3 세정하였다.
이어서, UV/O3 세정된 유리 기판의 하부 전극(106) 상에, 동프탈로시아닌(Cu－Pc)을 이용하여 정공 주입층을 형성하였다. 정공 주입층의 형성시에는 증착법을 이용하였다. 정공 주입층의 형성시에는 진공 증착 장치의 기판 홀더에 유리 기판을 고정하고, 진공 증착 장치에 있어서 조(槽) 안을 1×10-4 Pa 이하까지 감압하였다. 그 후, 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층 형성시에는 트리페닐디아민계의 화합물(소위 TPD)을 이용하고, 증착에 의해 성막하였다.
여기서, 정공 수송층이 형성된 유리 기판 전체를, TPD의 유리 전이점(Tg＝95℃) 이상, 또한, 융점 이하의 온도로 가열하였다. 이것에 의해, 정공 수송층을 형성하는 TPD가 용융하고, 오목부를 매립한 상태로 융합한다. 여기에, 제2 매립 처리 공정으로서 멜트법을 이용한 오목부 매립 처리 공정이 행해진다.
본 실시예 1에서는, 예컨대 유리 전이점이 95℃인 재료에 의해 형성된 정공 수송층에 대하여, 150℃ 정도의 가열을 행하였다. 융합에 관한 가열 시간은 5분 정도였다. 가열은 감압 또는 진공 챔버 내에서 히터를 이용하여 가열하였다. 또한, 가열 수단은 히터에 한하지 않고, 예컨대 할라이드 램프 등이어도 좋다.
이어서, 정공 수송층 상에 발광층을 형성하였다. 발광층은 트리스(8－히드록시노린) 알루미늄 착체(Alq3)를 증착시킴으로써 형성하였다. 이 발광층 상에 전자 주입층을 형성하였다. 전자 주입층은 Li2O를 증착시킴으로써 형성하였다. 이것에 의해서, 이상의 공정에 의해 형성된 성막층(108)을 형성하였다. 또한, 성막층(108)에 있어서 전자 주입층 상에 상부 전극(107)을 형성하였다. 상부 전극(107)은 Al을 이용하여 형성하였다. Al은 하부 전극(106)의 배열 방향으로 직교하는 방향을 따른 패턴이 되도록 형성되었다.
본 실시예 1과 같이 제조한 자체 발광 패널에 의하면, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있었다.
[실시예 2]
본 실시예 2에 있어서는 제1 매립 처리 공정으로서 가압 증착법을 이용한 오목부 매립 처리 공정을 행하고, 제2 매립 처리 공정으로서 멜트법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정을 행한다. 본 실시예 2에 있어서는, 전술한 실시예 1과 동일한 공정에 대해서는 적절하게 설명을 생략한다. 이하, 마찬가지로 한다.
본 실시예 2에 있어서는, 전술한 실시예 1과 마찬가지로 형성하고, ITO 막 표면의 연마는 행하지 않고 표면을 UV/O3 세정한 하부 전극(106) 상에, 정공 주입층 을 형성하였다. 정공 주입층의 형성시에는 가압 증착법을 이용하여 Cu－Pc를 증착하였다. 정공 주입층의 형성은, 실내의 압력을 100 Pa로 조정한 가압 증착용 성막실에 반입한 기판을 가압 증착용 성막실 내에 설치된 기판 홀더에 고정한 상태로 행하였다. 여기에, 제1 매립 처리 공정으로서 가압 증착법을 이용한 오목부 매립 처리 공정이 실현된다.
이어서, 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층은 N－페닐－p－페닐렌디아민(PPD)에 의해 형성하였다. 정공 수송층의 형성은, 정공 주입층이 형성된 기판을 가압 증착용 성막실에서 진공 성막실로 옮겨, 진공 성막실에서 행하였다. 이 때, 진공 성막실 안은 1×10-4 Pa 이하까지 감압하였다.
여기서, 정공 수송층이 형성된 유리 기판 전체를 PPD의 유리 전이점(Tg＝150℃) 이상, 또한, 융점 이하의 온도의 160℃에서 15분간 가열하였다. 이것에 의해 정공 수송층을 형성하는 PPD가 용융하고, 볼록부를 매립한 상태에서 융합한다. 여기에 제2 매립 처리 공정으로서 멜트법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정이 행해진다. 이후, 전술한 실시예 1과 마찬가지로, 발광층, 전자 주입층, 상부 전극(107)을 형성하였다.
본 실시예 2와 같이 제조한 자체 발광 패널에 의하면, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있었다.
[실시예 3]
본 실시예 3에 있어서는, 제1 매립 처리 공정으로서 사방 증착법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정하고, 제2 매립 처리 공정으로서 수직 증착법을 이용한 오목부 매립 처리 공정을 행한다. 본 실시예 3에 있어서는, 전술한 실시예 2와 같이 형성한 하부 전극(106) 상에의 정공 주입층의 형성시, 사방 증착법을 이용하여 Cu－Pc를 증착하였다. 정공 주입층의 형성은 실내의 압력을 1×10-4 Pa 이하까지 감압한 진공 성막실에서 행하였다. 여기에, 제1 매립 처리 공정으로서 사방 증착법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정이 실현된다.
그 후, TPD를 이용하고 수직 증착을 이용하여 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하였다. 여기에, 제2 매립 처리 공정으로서 수직 증착법을 이용한 오목부 매립 처리 공정이 실현된다. 이후, 전술한 실시예 1과 마찬가지로 발광층, 전자 주입층, 상부 전극(107)을 형성하였다.
본 실시예 3과 같이 제조한 자체 발광 패널에 의하면, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있었다.
[실시예 4]
본 실시예 4에 있어서는, 제1 매립 처리 공정으로서 후막 성막을 이용한 오목부 매립 처리 공정하고, 제2 매립 처리 공정으로서 사방 증착법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정을 행한다. 본 실시예 4에 있어서는, 전술한 실시예 2와 마찬가지로 형성한 T부 전극(106) 상에 버퍼층을 형성하였다. 버퍼층의 형성시에는, 유기 용매에 용해하여 산을 도핑한 폴리아닐린 유도체(PEDOT)의 도포액을 스핀코트하였다. 그 후, 유리 기판의 표시 부분 이외의 단자 부분에 부착된 도포액을 닦아 제거한 후, 핫 플레이트를 이용하여 상기 유리 기판을 가열하고, 용매를 증발시킴으로써 폴리아닐린막(버퍼층)을 형성하였다. 여기에 제1 매립 처리 공정으로서 후막 성막을 이용한 오목부 매립 처리 공정이 행해진다.
이어서, 버퍼층 상에 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층의 형성시에는 사방 증착법을 이용하였다. 사방 증착시에는, 버퍼층을 형성한 유리 기판을 1×10-4 Pa 이하까지 감압한 진공 성막실에 반송하고, 상기 유리 기판을 기판 홀더에 장착한 상태로 행하였다.
그 후, TPD를 이용하여 수직 증착을 이용하며, 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하였다. 여기에, 제2 매립 처리 공정으로서 수직 증착법을 이용한 오목부 매립 처리 공정이 실현된다. 이후, 전술한 실시예 1과 마찬가지로 발광층, 전자 주입층, 상부 전극(107)을 형성하였다.
본 실시예 4에 의해 제조한 자체 발광 패널에 의하면, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있었다.
[실시예 5]
본 실시예 5에 있어서는, 제1 매립 처리 공정으로서 후막 성막을 이용한 오목부 매립 처리 공정하고, 제2 매립 처리 공정으로서 멜트법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정을 행한다. 본 실시예 5에 있어서는, 전술한 실시예 4와 마찬가지로 형성한 폴리아닐린막(버퍼층) 상에 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층은 TPD를 이용하여 증착법을 이용하여 형성하였다. 증착시에는, 1×10-4 Pa 이하까지 감압한 진 공 성막실에 유리 기판을 반송하고, 유리 기판을 기판 홀더에 장착한 상태로 행하였다. 여기에, 제1 매립 처리 공정으로서 후막 성막을 이용한 오목부 매립 처리 공정이 행해진다.
그 후, 실시예 1과 마찬가지로 버퍼막이 형성된 유리 기판 전체를 가열한다. 여기에, 제2 매립 처리 공정으로서 멜트법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정이 행해진다. 이후, 전술한 실시예 1과 마찬자지로 발광층, 전자 주입층, 상부 전극(107)을 형성하였다.
본 실시예 5와 같이 제조한 자체 발광 패널에 의하면, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있었다.
[실시예 6]
본 실시예 6에 있어서는, 제1 매립 처리 공정으로서 하부 전극 연마법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정하고, 제2 매립 처리 공정으로서 후막 성막을 이용한 오목부 매립 처리 공정을 행한다. 본 실시예 6에 있어서는, 전술한 실시예 1과 마찬가지로 ITO 막의 표면을 연마한다. 여기에, 제1 매립 처리 공정으로서 하부 전극 연마법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정이 행해진다.
이어서, 전술과 마찬가지로 형성한 정공 주입층 상에 고캐리어 밀도층을 형성하였다. 고캐리어 밀도층의 형성시에는, 전자 수용성 물질로서 F4－TCNQ를 α－NPD에 도핑하여 증착하였다. 그 후, 증착법을 이용하여 α－NPD만을 증착하여 저캐리어 밀도층(버퍼막층)을 형성하였다. 저캐리어 밀도층(버퍼막층)은 정공 수송층의 두께보다도 두껍게 형성하였다. 이후, 전술한 실시예 1과 마찬가지로 발광층, 전자 주입층, 상부 전극(107)을 형성하였다.
본 실시예 6과 같이 제조한 자체 발광 패널에 의하면, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있었다.
[실시예 7]
본 실시예 7에 있어서는, 제1 매립 처리 공정으로서 가압 증착법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정하고, 제2 매립 처리 공정으로서 후막 성막(버퍼막법이라고 도 함)을 이용한 오목부 매립 처리 공정을 행한다. 본 실시예 7에 있어서는, 전술한 실시예 2와 마찬가지로 하부 전극(106)이 형성되어 표면이 UV/O3 세정된 유리 기판에 대하여 정공 주입층을 형성하였다. 정공 주입층의 형성시에는, 가압 증착법을 이용하여 Cu－Pc를 증착시켰다. 정공 주입층의 형성시에는 가압 증착용 성막실을 100 Pa로 압력 조정하고, 유리 기판을 가압 증착용 성막실에 기판 홀더에 고정하였다. 여기에, 제1 매립 처리 공정으로서 가압 증착법을 이용한 볼록부 매립 처리 공정이 행해진다.
이어서, 전술과 마찬가지로 형성한 정공 주입층 상에, 고캐리어 밀도층을 형성하였다. 고캐리어 밀도층의 형성시에는, 전자 수용성 물질로서 F4－TCNQ를 α－ NPD에 도핑하여 증착하였다. 그 후, 증착법을 이용하여 α－NPD만을 증착하여 저캐리어 밀도층(버퍼막층)을 형성하였다. 저캐리어 밀도층(버퍼막층)은 정공 수송층의 두께보다도 두껍게 형성하였다. 여기에, 제2 매립 처리 공정으로서 후막 성막을 이용한 오목부 매립 처리 공정이 행해진다. 이후, 전술한 실시예 1과 마찬가지로 발 광층, 전자 주입층, 상부 전극(107)을 형성하였다.
본 실시예 7와 같이 제조한 자체 발광 패널에 의하면, 하부 전극(106)과 상부 전극(107)의 단락을 방지할 수 있었다.
본 발명에 따라 제조한 자체 발광 패널은 자체 발광 소자에 있어서 하부 전극과 상부 전극과의 단락 방지를 도모할 수 있다.

Claims (15)

  1. 하부 전극과 상부 전극 사이에 발광층을 포함하는 성막층이 설치된 자체 발광 소자를 기판 상에 설치한 자체 발광 패널의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 하부 전극을 형성하는 하부 전극 형성 공정과;
    상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극의 상부에 성막층을 형성하는 성막층 형성 공정과;
    상기 성막층 형성 공정시, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극에 있어서의 볼록부를 매립 처리하는 볼록부 매립 처리 공정과;
    상기 성막층 형성 공정시, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극에 있어서의 오목부를 매립 처리하는 오목부 매립 처리 공정과;
    상기 성막층 형성 공정에 의해 형성된 성막층의 상부에 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 볼록부 매립 처리 공정과 상기 오목부 매립 처리 공정을 따로따로 행하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 볼록부 매립 처리 공정과 상기 오목부 매립 처리 공정을 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 볼록부 매립 처리 공정을 행한 후에, 상기 오목부 매립 처리 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 오목부 매립 처리 공정을 행한 후에, 상기 볼록부 매립 처리 공정을 행한 방법과 동일한 방법 또는 다른 방법으로 재차 볼록부 매립 처리 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 볼록부 매립 처리 공정은 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성 또는 하부 전극 연마 방법으로써 하부 전극의 표면을 평활화하고,
    상기 오목부 매립 처리 공정은 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 멜트법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 오목부 매립 처리 공정을 행한 후에, 상기 볼록부 매립 처리 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 볼록부 매립 처리 공정을 행한 후에, 상기 오목부 매 립 처리 공정을 행한 방법과 동일한 방법 또는 다른 방법으로 재차 오목부 매립 처리 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 오목부 매립 처리 공정은 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성 또는 하부 전극 연마 방법으로써 하부 전극의 표면을 평활화하고,
    상기 볼록부 매립 처리 공정은 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 멜트법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 볼록부 매립 처리 공정과 상기 오목부 매립 처리 공정은 다른 방법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  11. 하부 전극과 상부 전극 사이에 발광층을 포함하는 성막층이 설치된 자체 발광 소자를 기판 상에 설치한 자체 발광 패널의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 하부 전극을 형성하는 하부 전극 형성 공정과;
    상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전극의 상부에 성막층을 형성하는 성막층 형성 공정과;
    상기 성막층 형성 공정시, 상기 하부 전극 형성 공정에 의해 형성된 하부 전 극에 있어서의 오목부 또는 볼록부 중 적어도 어느 한 쪽을 매립하는 제1 매립 처리 공정과;
    상기 성막층 형성 공정시, 상기 제1 매립 처리 공정에 의해 오목부 또는 볼록부 중 적어도 어느 한쪽이 매립된 하부 전극에 대하여, 상기 하부 전극에 있어서의 오목부 또는 볼록부 중 적어도 어느 하나가 다른 쪽을 매립하는 제2 매립 처리 공정과;
    상기 성막층 형성 공정에 의해 형성된 성막층의 상부에 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성 공정
    을 포함한 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 매립 처리 공정과 상기 제2 매립 처리 공정은 다른 방법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제1 매립 처리 공정은 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성 또는 하부 전극 연마 방법으로써 하부 전극의 표면을 평활화하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제2 매립 처리 공정은 사방 증착 방법, 수직 증착 방법, 멜트법, 후막 성막 방법, 가압 증착법 중 어느 하나의 방법을 이 용하여 상기 성막층에 적어도 1층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
  15. 제1항 또는 제11항에 있어서, 상기 자체 발광 소자는 유기 EL 소자인 것을 특징으로 하는 자체 발광 패널의 제조 방법.
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