CN103700624B

CN103700624B - 有机发光显示装置的制造方法

Info

Publication number: CN103700624B
Application number: CN201210597235.4A
Authority: CN
Inventors: 金玮镕; 安炳喆; 蔡基成; 金珍郁; 卓润兴
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2012-09-27
Filing date: 2012-12-26
Publication date: 2016-06-15
Anticipated expiration: 2032-12-26
Also published as: KR102016465B1; CN103700624A; US20140087312A1; KR20140041315A; US9304397B2

Abstract

公开了一种有机发光显示装置的制造方法。该方法包括：在基板上形成驱动薄膜晶体管和钝化层；在所述钝化层上、相邻的子像素之间的边界部分形成堆层；在所述堆层上层压第一光致抗蚀剂膜；通过在除第一子像素以外的区域中的第一光致抗蚀剂膜上照射IR光形成第一光致抗蚀剂图案；在通过所述第一光致抗蚀剂图案曝露的第一子像素区域中沉积第一有机发射层；移除所述第一光致抗蚀剂图案；在所述堆层上层压第二光致抗蚀剂膜；通过在除第二子像素以外的区域中的第二光致抗蚀剂膜上照射IR光形成第二光致抗蚀剂图案；在通过所述第二光致抗蚀剂图案曝露的第二子像素区域中沉积第二有机发射层；移除所述第二光致抗蚀剂图案。

Description

有机发光显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置的制造方法，更具体地，涉及一种可应用于高分辨率和大面积的有机发光显示装置的制造方法。

背景技术

作为一种新型的平板显示装置，包括有机发光二极管(OLED)的有机发光显示装置是自发光显示装置，且比液晶显示(LCD)装置具有更好的视角和对比度。而且，由于有机发光显示装置不需要单独的背光，因此使有机发光显示装置变得轻薄成为可能，并且与LCD装置和其他的平板显示装置相比，有机发光显示装置具有优异的功耗。而且，有机发光显示装置以低直流(DC)电压驱动，具有快速的响应时间，并且制造成本较低。

在有机发光显示装置中，使用精细金属掩模(FMM)工艺、喷墨工艺、剥离工艺或类似工艺图案化位于布置在基板上的两个电极之间的发射层。

然而，由于掩模制造技术的局限性，难以将FMM工艺应用到大尺寸和高分辨率。即，当有机发光显示装置应用于大面积时，掩模由于其重量而下沉，因此难以形成期望的图案。而且，由于掩模和沉积部分之间的分离距离，导致有机材料的扩展增加，因此，难以实现高分辨率。而且，由于喷墨工艺需要使用液体材料，所以由工艺曝光的OLED的性能劣化。特别地，在包括蚀刻工艺的现有方法中，由金属和蚀刻液之间的直接接触而造成连接断开，或者不易控制蚀刻深度，导致装置特性下降。

而且，在光掩模工艺中包括的操作之中，剥离工艺只包括曝光操作和显影操作，而不包括蚀刻操作，从而使得能够形成精细图案。然而，所用的溶剂和在移除光致抗蚀剂图案操作中由强的粘合强度形成的残留层会造成发射层的缺陷，因此，剥离工艺仍然劣化了显示装置的效率特性。

发明内容

因此，本发明致力于一种有机发光显示装置的制造方法，其基本上消除了由于现有技术的局限和缺点所导致的一个或多个问题。

本发明的一个方面致力于一种可应用于高分辨率和大面积且能提高显示装置的发射效率的有机发光显示装置的制造方法。

本发明的另一方面致力于一种形成在堆层上的光致抗蚀剂图案阻止了有机发射层的接触、因此最小化有机发射层的损害且方便图案的形成的有机发光显示装置的制造方法。

本发明的附加优点和特征将在接下来的说明书中进行部分阐述，且部分对于本领域技术人员来说通过查看下面的内容变得明显或者可从本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优点可通过在本文所记载的说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构来实现或得到。

为了实现这些以及其它优点和根据本发明的目的，如这里实施和广泛描述的，提供了一种有机发光显示装置的制造方法，一种有机发光显示装置的制造方法，该方法包括：在基板上形成驱动薄膜晶体管；在所述驱动薄膜晶体管上形成钝化层；在所述钝化层上、多个子像素中的每个子像素中形成阳极电极；在所述钝化层上、相邻的子像素之间的边界部分形成堆层；在所述堆层上层压第一光致抗蚀剂膜；通过在除第一子像素以外的区域中的第一光致抗蚀剂膜上照射红外(IR)光形成第一光致抗蚀剂图案；在通过所述第一光致抗蚀剂图案曝露的第一子像素区域中沉积第一有机发射层；移除所述第一光致抗蚀剂图案；在所述堆层上层压第二光致抗蚀剂膜；通过在除第二子像素以外的区域中的第二光致抗蚀剂膜上照射IR光形成第二光致抗蚀剂图案；在通过所述第二光致抗蚀剂图案曝露的第二子像素区域中沉积第二有机发射层；移除所述第二光致抗蚀剂图案。

应当理解，本发明上述概括描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

所包括的附图用来提供本发明进一步的理解，并且这些附图被合并到本申请并构成本申请的一部分，例示本发明的实施方式并与说明书一起对本发明的原理进行解释。在附图中：

图1是例示根据本发明实施方式的光致抗蚀剂膜的截面图；

图2至8是用于描述根据本发明实施方式的使用光致抗蚀剂膜制造有机发光显示装置的方法的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施方式。相同的附图标记始终表示相同的元件。在下面的描述中，当相关已知功能或构造的详细描述被确定为不必要地模糊了本发明的重点时，不提供该详细描述。

图1是例示根据本发明实施方式的光致抗蚀剂膜的截面图。

参考图1，根据本发明实施方式的光致抗蚀剂膜100包括支撑膜110、光膨胀层120和光致抗蚀剂合成材料130。

在实施方式中，在光致抗蚀剂膜100中，光膨胀层120可形成在支撑膜110上，光致抗蚀剂合成材料130可形成在光膨胀层120上。

支撑膜110保护和支撑光膨胀层120和光致抗蚀剂合成材料130。

支撑膜110可为玻璃、透明膜或具有优异的透光性的聚合物膜。作为合适类型的聚合物膜的示例，支撑膜110可为聚酯(PS)膜，例如，支撑膜110可为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜。然而，本发明的精神和范围不限于此，支撑膜110可由各种材料中的至少一种形成。

此外，光膨胀层120选择性地仅吸收红外(IR)光，将IR光转换为热，然后利用产生的热能膨胀。

光膨胀层120可包括具有优异的吸收IR光的性能和具有高的将光能转换为热能的能力的材料。例如，光膨胀层120可包括诸如碳黑、石墨颜料或IR染料的有机化合物，诸如铝、锡、钛等的金属、其氧化物或其化合物。

光致抗蚀剂合成材料130是包括紫外线(UV)硬化树脂和添加剂的光致抗蚀剂剂(PR)，因此具有良好的弹性。

光致抗蚀剂合成材料130可包括UV硬化树脂，并且可为具有丙烯基或乙烯基的有机化合物。例如，UV硬化树脂可为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、甲基丙烯酸丁酯(BMA)、聚氨酯丙烯酸酯或聚乙烯醇。

除上述配置外，光致抗蚀剂合成材料130可包括各种添加剂中的至少一种。例如，光致抗蚀剂合成材料130可包括光引发剂或光产酸剂作为添加剂，或者包括诸如粘合剂或含粘合剂的单体的添加剂。

光引发剂在光照射下使粘合剂硬化，从而增加了光致抗蚀剂膜100的硬化度。例如，光引发剂可包括苯乙酮、二苯甲酮、肟或类似物。光引发剂的种类或成分可根据曝光工艺的期望图案形状或波长范围进行调整或确定。

光产酸剂在光照射下产生酸。例如，光产酸剂可包括三芳基硫鎓盐、二芳基碘盐、磺酸盐或其化合物。

粘合剂在光照射下充当交联剂。例如，粘合剂可包括酚醛树脂、聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯或聚氨酯丙烯酸酯。

然而，本发明的精神和范围不限于此，光致抗蚀剂膜100可由各种材料中的至少一种形成。

光致抗蚀剂合成材料130由气刀、辊涂机、喷射器、浸渍涂布机、凹版涂布机、旋转涂布机、棒式涂布机、刮片和狭缝式涂布机中的一种喷射或涂覆在光膨胀层120上，从而形成光致抗蚀剂膜100。可选地，可设计为光致抗蚀剂合成材料130形成膜状，然后粘结到光膨胀层120。光致抗蚀剂合成材料130可具有5μm至25μm的厚度，且本发明的精神和范围不限于此。

因此，根据本发明实施方式的光致抗蚀剂膜100布置在堆层204上，用于形成期望的图案。在这种情况下，光致抗蚀剂膜100是层压的，使得堆层204的顶部接触光致抗蚀剂合成材料130。

接下来，现在将具体描述根据本发明实施方式的通过层压光致抗蚀剂膜100形成期望图案和制造有机发光显示装置的方法。

如图2所示，驱动薄膜晶体管201、钝化层202、第一电极203和堆层形成在基板200上。

在实施方式中，有机发光二极管(OLED)包括第一电极203、第二电极(未示出)和形成在它们之间的多个有机发射层205、206、207。因此，驱动TFT201的漏极与第一电极203电连接。

在这种情况下，在多个子像素中的每个子像素中，第一电极203是阳极，单独地形成在钝化层202上并接触漏极。这里，第一电极203可充当OLED中包括的多个电极中的一个，并可由各种导电材料中的至少一种形成。而且，第一电极203可形成为透明电极或反射电极。当第一电极203用作透明电极时，第一电极203可由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成。当第一电极203用作反射电极时，反射膜由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物中的至少一种形成，然后，第一电极203可由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成在反射膜上。

虽然未示出，但第二电极(未示出)形成在基板200上方、有机发射层205、206、207上。这里，与第一电极203类似，第二电极可形成为透明电极或反射电极。当第二电极用作透明电极时，OLED可包括：由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及其化合物形成的层；由如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明电极材料形成在层上的辅助电极或公共电极线。而且，当第二电极用作反射电极时，可通过在基板200上方沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及其化合物形成第二电极。

有机发射层205、206、207被图案化，并与各个子像素区域SP1至SP3对应地形成。这里，有机发射层205、206、207可形成为单层发光材料，或形成为包括空穴注入层、空穴传输层、发射层(发射材料层)、电子传输层和电子注入层的多层以增强发射效率。

这里，空穴注入层使得空穴能够从第一电极203平滑地注入到发射层，并可由酞菁铜(cupperphthalocyanine)(CuPc)、聚(3，4)-亚乙二氧基噻吩(poly(3，4)-ethylenedioxythiophene)(PEDOT)、聚苯胺(polyaniline)(PANI)或N，N-二萘基-N，N′-二苯基联苯胺(N，N-dinaphthyl-N，N′-diphenylbenzidine)(NPD)形成。然而，本发明的精神和范围不限于此。

空穴传输层容易地向发射层传输空穴，此外防止从阴极产生的电子移动到发射区，因此提高了发射效率。也就是说，空穴传输层使得空穴能够平滑传输，且可由N，N-二萘基-N，N′-二苯基联苯胺(N，N-dinaphthyl-N，N′-diphenylbenzidine)(NPD)、N，N′-双-(3-甲苯基)-N，N′-双-(苯基)-联苯胺(N，N′-bis-(3-methylphenyl)-N，N′-bis-(phenyl)-benzidine)(TPD)、s-TAD或4，4′，4″-三(N-3-甲苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(4，4′，4″-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)(MTDATA)形成。然而，本发明的精神和范围不限于此。

发射层可包括主体和掺杂物。而且，发射层可由发射红光、绿光、蓝光或白光的发光材料形成，或由磷光材料或荧光材料形成。在关于这样的发光材料的描述中，将参考图6描述各种材料。

电子传输层使得电子能够平滑传输，且可由三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)(Alq3)、PBD、TAZ、spiro-PBD、BAlq或SAlq形成。然而，本发明的精神和范围不限于此。

电子注入层使得电子能够平滑注入，且可由三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)(Alq3)、PBD、TAZ、LiF、spiro-PBD、BAlq或SAlq形成。然而，本发明的精神和范围不限于此。

为了使第一电极203的部分区域曝光，堆层204可被图案化，且形成在第一电极203上、子像素区SP1至SP3中的每个中。也就是说，通过形成堆层204，可在第一电极203上形成开口，且可在开口内部形成有机发射层205、206、207。

这里，堆层204可由如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的绝缘材料形成。另外，堆层204可由各种绝缘有机材料中的至少一种形成。

因此，在有机发光显示装置中，当根据选择的颜色信号向第一电极203和第二电极(未示出)施加特定电压时，空穴和电子被传输到有机发射层205、206和207以产生激子，并且，当激子从激发态跃迁到基态时，发射可见光。此时，发射的光通过第二透明电极(未示出)传递到外部，从而实现任意图像。

随后，进行封装操作以保护OLED的每个子像素不受外部破坏。在本发明中，可使用普通的薄膜封装工艺。薄膜封装工艺是已知技术，因此，不在说明书中提供它的详细说明。

如上所述，以上已描述了有机发光显示装置(例如OLED)的制造方法作为示例。然而，除了形成在单元像素中的开关薄膜晶体管(未示出)和驱动薄膜晶体管之外，可附加地形成用于补偿驱动薄膜晶体管(即，多个驱动元件)的阈值电压的补偿电路。驱动元件可自由地布置在像素中。

随后，如图3所示，光致抗蚀剂膜100层压在堆层204上。

在实施方式中，包括支撑膜110、光膨胀层120和光致抗蚀剂合成材料130的光致抗蚀剂膜100布置成面对形成在钝化层202上的堆层204的上部区域，然后均匀地层压。在这种情况下，均匀地进行层压，使得光致抗蚀剂膜100不会在由于堆层204而形成的开口中下沉。

虽然未示出，但是为了使光致抗蚀剂膜100均匀地层压，辅助堆层(未示出)可进一步形成在相邻的堆层204之间。

随后，如图4和5所示，通过在光致抗蚀剂膜100上照射IR光形成光致抗蚀剂图案100a。

在实施方式中，在光致抗蚀剂膜100的顶部上照射激光时，仅在除第一子像素区SP1以外的区域上照射IR激光。因此，光致抗蚀剂图案100a具有用于用红光发射材料沉积有机发射层的开口。

在这种情况下，通过使用扫描工艺或单独掩模在光致抗蚀剂膜100顶部的扫描区域中照射具有1000nm或更大波长的IR激光。IR照射可设计成具有恒定的能量密度、波长和照射时间，但是，例如，IR照射可设计成具有在1000nm或更大波长的波段上的能量密度和照射时间。

因此，在光致抗蚀剂膜100中，仅在已被照射激光的区域中进行由于热而导致的体积膨胀，并且进行层分离。即，仅在已被照射激光的光膨胀层120中进行体积膨胀，并且光膨胀层120从光致抗蚀剂合成材料130分离。这里，光膨胀层120和光致抗蚀剂合成材料130之间的层分离不在未被照射激光的区域(即，第一子像素区SP1)中进行。因此，仅在除第一子像素SP1以外的区域(即，已被照射激光的区域)中进行层分离，并且通过移除已发生层分离的光膨胀层120，光致抗蚀剂图案100a仅留在已被照射激光的区域中。

结果，可设计在第一子像素区(图8的SP1)中形成开口的光致抗蚀剂图案100a使得能够沉积红色、蓝色或绿色有机发射层(图8的205)。

虽然未示出，可设计在第二子像素区(图8的SP2)或第三子像素区(图8的SP3)中形成开口的光致抗蚀剂图案使得能够沉积红色、蓝色或绿色有机发射层(图8的206或207)，但是，可设计在第三子像素区SP3中形成开口的光致抗蚀剂图案使得能够沉积有机发射层(图8的207)。

在这种情况下，可通过照射IR层和单独调节温度形成光致抗蚀剂图案，并且可根据光致抗蚀剂膜的特性不同地应用例如温度调节的附加工艺。

随后，如图6所示，在通过光致抗蚀剂图案100a曝露的第一电极203上沉积有机发射层205。

在实施方式中，在通过光致抗蚀剂图案100a曝露的第一电极203的顶部、即在第一子像素区SP1中，用红光发射材料沉积有机发射层205。

虽然未示出，但除了红光发射材料以外，可在第二子像素区SP2中用绿光发射材料沉积有机发射层(图8的206)，且可在第三子像素区SP3中用蓝光发射材料沉积有机发射层(图8的207)。

这里，红光发射材料可包括含有咔唑联苯(carbazolebiphenyl)(CBP)或1，3-双(咔唑-9-基)(1，3-bis(carbazol-9-yl))(mCP)的主体材料，并且包括含有掺杂物的磷光材料，掺杂物包括从由PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)(PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium))、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)(PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonateiridium))、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)(PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium))、PtOEP(八乙基卟啉铂)(PtOEP(octaethylporphyrinplatinum))构成的组中选择的一个或多个。另一方面，红光发射材料可包括含有PBD:Eu(DBM)3(Phen)或者二萘嵌苯(Perylene)的磷光材料。然而，本发明的精神和范围不限于此。

绿光发射材料可包括含有CBP或mCP的主体材料，并且包括含有掺杂物的磷光材料，掺杂物包括Ir(ppy)3(面式三(2-苯基吡啶)铱)(Ir(ppy)3(factris(2-phenylpyridine)iridium))。另一方面，红光发射材料可包括含有Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)(Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum))的磷光材料。然而，本发明的精神和范围不限于此。

蓝光发射材料可包括含有CBP或mCP的主体材料，并且包括含有掺杂物的磷光材料，掺杂物包括(4，6-F2ppy)2Irpic或L2BD111。另一方面，红光发射材料包括含有掺杂物的磷光材料，掺杂物包括从由spiro-DPVBi、spiro-6P、DSB、DSA、PFO基聚合物和PPV基聚合物构成的组中选择的一个或多个。然而，本发明的精神和范围不限于此。

例如，有机发射层(图8的205)可由例如作为红光发射材料的Alq3(主体)/DCJTB(荧光掺杂物)、Alq3(主体)/DCM(荧光掺杂物)或CBP(主体)/PtOEP(磷光有机金属络合物)的低分子材料和例如PFO基聚合物或PPV基聚合物的聚合物材料形成。有机发射层(图8的206)可由例如作为绿光发射材料的Alq3、Alq3(主体)/C545t(掺杂物)或CBP(主体)/IrPPY(磷光有机材料络合物)的低分子材料和例如PFO基聚合物或PPV基聚合物的聚合物材料形成。有机发射层(图8的207)可由例如作为蓝光发射材料的DPVBi、spiro-DPVBi、spiro-6p、DSB或DSA的低分子材料和例如PFO基聚合物或PPV基聚合物的聚合物材料形成。

最后，如图7和8所示，通过移除光致抗蚀剂图案100a，制造出在第一电极203上形成有机发射层205、206、207的OLED。

在实施方式中，分离辊300布置在形成于堆层204上的光致抗蚀剂图案100a上，通过使分离辊300转动，可容易地从堆层204移除光致抗蚀剂图案100a。

在这种情况下，分离辊300包括具有与通常使用的胶带近似的粘合强度的分离膜，但本发明的精神和范围不限于此。作为另一示例，可使用具有各种尺寸或形状的分离工具容易地从堆层204移除光致抗蚀剂图案100a。

根据本发明，通过重复执行图4至7的制造方法，在各个单元子像素中形成有机发射层205、206、207，并且通过持续地沉积空穴传输层以及有机发射层的材料，可制造OLED。

因此，在有机发光显示装置中，通过引入根据本发明实施方式的光致抗蚀剂膜，形成在堆层上的光致抗蚀剂图案阻止了有机发射层的接触，因此使得有机发射层的损害最小化并方便形成期望的图案。结果，提高了有机发光显示装置的发射特性和工作寿命，因此方便了有机发光显示装置的制造并提高了生产率。

在根据本发明实施方式的利用光致抗蚀剂膜形成图案的方法中，包括OLED的有机发光显示装置已在说明书中给出了示例，但本发明的精神和范围不限于此。作为另一示例，本发明的精神和范围可应用于各种显示装置，例如LCD装置、电泳显示(EPD)装置等。

根据本发明，有机发光显示装置可应用于高分辨率和大面积，且有机发光显示装置的发射特性和工作寿命得到了提高，因此方便了有机发光显示装置的制造并提高了生产率。

也就是说，形成在堆层上的光致抗蚀剂图案阻止了有机发射层的接触，因此使得有机发射层的损害最小化并方便形成期望的图案。

而且，即使当光致抗蚀剂图案仅形成一次时，红色、绿色、蓝色有机材料和HTL材料以及类似材料可按照子像素依次进行沉积。

对本领域技术人员来说，在不脱离本发明精神和范围的情况下对本发明做出各种修改和变形是显而易见的。因此，本发明意在覆盖落入所附的权利要求及其等效物的范围内的本发明的修改和变形。

Claims

1.一种有机发光显示装置的制造方法，该方法包括：

在基板上形成驱动薄膜晶体管；

在所述驱动薄膜晶体管上形成钝化层；

在所述钝化层上、多个子像素中的每个子像素中形成阳极电极；

在所述钝化层上、相邻的子像素之间的边界部分形成堆层；

在所述堆层上层压第一光致抗蚀剂膜，其中，所述第一光致抗蚀剂膜不在由于所述堆层而形成的开口中下沉；

通过在除第一子像素以外的区域中的第一光致抗蚀剂膜上照射红外IR光形成第一光致抗蚀剂图案；

在通过所述第一光致抗蚀剂图案曝露的第一子像素区域中沉积第一有机发射层；

移除所述第一光致抗蚀剂图案；

在所述堆层上层压第二光致抗蚀剂膜，其中，所述第二光致抗蚀剂膜不在由于所述堆层而形成的开口中下沉；

通过在除第二子像素以外的区域中的第二光致抗蚀剂膜上照射红外IR光形成第二光致抗蚀剂图案；

在通过所述第二光致抗蚀剂图案曝露的第二子像素区域中沉积第二有机发射层；

移除所述第二光致抗蚀剂图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一有机发射层和所述第二有机发射层中的每个是红色、绿色、蓝色有机材料中的一种，且所述第一有机发射层和所述第二有机发射层是不同的有机材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中红外IR光具有1000nm或更长的波长。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一光致抗蚀剂膜和所述第二光致抗蚀剂膜中的每个包括：

形成在所述堆层上的光致抗蚀剂合成材料；

形成在所述光致抗蚀剂合成材料上的光膨胀层；

形成在所述光膨胀层上的支撑膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

第一光致抗蚀剂图案的形成包括：在所述第一光致抗蚀剂膜上照射红外IR光之后，通过从形成在所述支撑膜上的所述光膨胀层分离所述光致抗蚀剂合成材料的一部分来形成第一光致抗蚀剂图案，

第二光致抗蚀剂图案的形成包括：在所述第二光致抗蚀剂膜上照射红外IR光之后，通过从形成在所述支撑膜上的所述光膨胀层分离所述光致抗蚀剂合成材料的一部分来形成第二光致抗蚀剂图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

第一光致抗蚀剂图案的移除包括：使分离辊在第一光致抗蚀剂图案上转动以移除第一光致抗蚀剂图案，

第二光致抗蚀剂图案的移除包括：使所述分离辊在第二光致抗蚀剂图案上转动以移除第二光致抗蚀剂图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述分离辊包括分离膜。