CN1828977A

CN1828977A - 自发光面板的制造方法

Info

Publication number: CN1828977A
Application number: CNA2006100583922A
Authority: CN
Inventors: 尾越国三
Original assignee: Northwest Pioneer Co Ltd
Current assignee: Northwest Pioneer Co Ltd; Tohoku Pioneer Corp
Priority date: 2005-03-04
Filing date: 2006-03-03
Publication date: 2006-09-06
Also published as: TW200704278A; KR20060096332A; JP2006244934A

Abstract

本发明的课题是防止自发光面板所具备的自发光元件中的下部电极与上部电极短路。自发光面板(100)在基板(101)与密封基材(103)之间密封有自发光元件(102)，该自发光元件(102)在下部电极(106)与上部电极(107)之间设置了含发光层的成膜层(108)，在这样的自发光面板(100)的制造方法中，在下部电极(106)的密封基材(103)侧形成成膜层(108)的成膜层形成工序中，进行包埋处理下部电极(106)中的凸部的凸部包埋处理工序和包埋处理下部电极(106)中的凹部的凹部包埋处理工序，之后，在成膜层(108)的密封基材(103)侧上形成上部电极(107)。由此可以防止下部电极(106)与上部电极(107)的短路。

Description

自发光面板的制造方法

技术领域

本发明涉及自发光面板的制造方法。

背景技术

在电极对之间设置有含发光层的成膜层的自发光元件是通过在该电极之间施加电压使得发光层内的空穴和电子再结合来发光的。自发光元件被用于显示器或进行照明或者各种信息显示等的自发光面板。自发光面板具有如下构成，其中，在基板上形成有一个或多个自发光元件，并通过密封方法进行了密封。在此所言的密封方法可例举出：通过密封基材进行气密密封的方法、在基板与密封基材之间填充树脂等的固体密封方法以及用具有壁垒性的薄层状或膜状的密封基材来覆盖自发光元件的方法。

在自发光元件中具有比如通过有机化合物来形成发光层的有机EL(Electro Luminescence，电致发光)元件等。在成膜层正确地介于电极之间的场合下，有机EL元件显示二极管特性。但是，如果在基板上存在瑕疵、突起或异物等，电极或成膜层是以被扰乱的状态成膜的。

以被扰乱状态成膜的成膜层中，在局部上存在层的厚度薄的部位。层厚度薄的部位绝缘耐性降低。同样，如果导电性异物附着在基板上，电极和成膜层也是以被扰乱的状态成膜的，仍会在局部产生绝缘耐性低的部位。

有机EL元件中的绝缘耐性低的部位不显示二极管特性。而且，有机EL元件中的绝缘耐性低的部位会发生电极间短路，或者形成低阻抗而成为所谓的发生漏电的状态。漏电的发生是元件损坏、驱动不良或显示不良等的原因，因此在制造时发生漏电的自发光面板被当作次品。在这种次品发生率高的场合下，自发光面板制造中的成品率低，因此增加了自发光面板的制造单价。

为了消除这种弊端，以前公开了对下部电极中的凸部进行包埋处理的各种技术(例如参照下列专利文献1～6)。

[专利文献1]日本特开2000-91067号公报

[专利文献2]日本特开2001-68272号公报

[专利文献3]日本特开2001-267071号公报

[专利文献4]日本特开平09-245965号公报

[专利文献5]日本特开平08-54833号公报

[专利文献6]日本特表2001-523768号公报

发明内容

然而，在上述专利文献1～6所述的以往技术中，任何一种技术都是对下部电极中的凸部的包埋处理，而不是解决因下部电极中的凹部的原因所产生的问题的技术。

据认为，即使在同一下部电极中，在局部绝缘耐性降低是因凸部引起的情况下和在局部绝缘耐性降低是因凹部引起的情况下，用于提高绝缘耐性的方案是不同的，但是在包括上述专利文献1～6在内的以往技术中，存在的问题是难以防止因凹部引起的漏电的发生。

因此，本发明以处理这样的问题点作为课题之一。即，本发明的目的在于防止下部电极与上部电极的短路。本发明的目的还在于防止下部电极与上部电极的短路所导致的漏电发生。进而，本发明的目的还在于提高自发光面板制造中的成品率从而抑制自发光面板制造单价的增加。

为了解决上述课题，达到目的，方案1的发明涉及自发光面板的制造方法，其是在基板上设置有在下部电极与上部电极之间设有含发光层的成膜层的自发光元件的自发光面板的制造方法，其特征在于，其包含如下工序：下部电极形成工序，在上述基板上形成上述下部电极；成膜层形成工序，在通过上述下部电极形成工序形成的下部电极的上述密封基材侧形成成膜层；凸部包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中包埋处理因上述下部电极形成工序形成的下部电极中的凸部；凹部包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中包埋处理因上述下部电极形成工序形成的下部电极中的凹部；上部电极形成工序，在通过上述成膜层形成工序形成的成膜层的上述密封基材侧形成上部电极。

此外，方案11的发明涉及自发光面板的制造方法，其是在基板上形成有在下部电极与上部电极之间设有含发光层的成膜层的自发光元件的自发光面板的制造方法，其特征在于，其包含如下工序：下部电极形成工序，在上述基板上形成上述下部电极；成膜层形成工序，在通过上述下部电极形成工序形成的下部电极的上部形成成膜层；第1道包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中包埋因上述下部电极形成工序形成的下部电极中的凹部或者凸部的至少一方；第2道包埋处理工序，在上述成膜层形成工序中对通过上述第1道包埋处理工序包埋了凹部或者凸部的至少一方的下部电极，包埋该下部电极中的凹部或者凸部的至少未被包埋的一方；上部电极形成工序，在通过上述成膜层形成工序形成的成膜层的上部形成上部电极。

附图说明

图1是表示采用本发明实施方式中的自发光面板制造方法制成的自发光面板的纵断侧面图。

图2是表示采用本发明实施方式中的自发光面板制造方法制成的其他自发光面板的纵断侧面图。

图3是表示基于自发光面板一般制造方法的工序流程的流程图。

图4-1是表示下部电极形成后产生的凸部的纵断侧面图。

图4-2是表示下部电极形成后产生的凸部的纵断侧面图。

图4-3是表示下部电极形成后产生的凹部的纵断侧面图。

[符号说明]

100 自发光面板

101 基板

102 自发光元件

103 密封基材

106 下部电极

107 上部电极

108 成膜层

具体实施方式

下面参照附图，详细地说明本发明涉及的自发光面板制造方法所优选的实施方式。

(自发光面板的简要构成)

图1是表示采用本实施方式中的自发光面板制造方法制成的自发光面板的纵断侧面图。采用本发明实施方式中的自发光面板制造方法制成的自发光面板100具有基板101、自发光元件102、密封基材103、粘合剂104及干燥剂105。作为形成基板101的材料，例如可以使用玻璃或者塑料等。

自发光面板100，除了被应用于手机、车载用监控器、家电的操作监控器、个人电脑及电视等的点矩阵显示器面板之外，还被应用于钟表及宣传用板的固定显示器、扫描仪及打印机的光源、照明、液晶的背面光等各种信息设备的显示部等。在自发光面板100中，有使自发光元件102排成点矩阵状的形式、形成图标部(固定显示部)的显示部、平面的二维形状或所谓球面状的三维形状的形式以及大小从小型用到极光影像等大型屏幕等各种形式。

作为代表性的自发光元件，有有机EL元件。有机EL元件也称为有机电致发光元件、有机EL(OEL)设备、有机发光二极管(OLED)设备、电场发光光源，但是在本实施方式中称为有机EL元件。下面，作为有机EL元件说明的是自发光元件102，添加了符号102进行说明。

在形成有机EL元件102的有机材料(发光材料或电荷注入·输送材料)中，可以采用高分子材料，也可以采用低分子材料。现在，随着材料开发和制造程序开发的进步，采用低分子材料的有机EL元件102作为显示设备已被商品化。在本实施方式中，说明一例在有机材料中采用低分子材料的情况。此外，在本实施方式中，将一对电极之间的元件结构称为“有机EL元件”。

一般而言，有机EL元件102如图1所示，具有在下部电极(在本实施方式中是阳极(空穴注入电极))106与上部电极(在本实施方式中是阴极(电子注入电极))107之间夹有成膜层108的结构。成膜层108可以有至少1层的发光层，此外，也可以有层积了具有其他多种功能的有机层等的结构。在有机EL元件102中，一般具有“下部电极(阳极)/空穴注入层/空穴输送层/有机EL发光层/电子输送层/电子注入层/上部电极(阴极)”(省略符号)的层结构。

形成成膜层108的各层，既可以都用单一的有机材料来形成，也可以是混合有多种材料的物质(混合层)或者是在高分子粘合剂中分散有有机材料或无机材料的功能材料(电荷输送功能、发光功能、电荷限制功能、光学功能等)的物质。

此外，有机EL元件102还有如下各种构成形式：下部电极106为阴极(上部电极作为阳极)的构成、成膜层108中的发光层为多层的构成、有机EL元件102多重层积的构成(SOLED：Stacked OLED)、电荷发生层存在于阴极与阳极之间的构成(多光子元件)、省略了空穴输送层等层的构成或空穴输送层等层是多重层积的构成、成膜层只有1层的构成(各功能层连续形成，没有层边界)等。

另外，本实施方式对有机EL元件102的构成没有添加限定。只要是与本实施方式的自发光面板100具有同样的效果的有机EL元件102，就可以解释为属于本实施方式的技术范围。

在有机EL元件102中，如果在阳极(在本实施方式中是下部电极106)和阴极(在本实施方式中是上部电极107)上施加电压，空穴就会从阳极被注入·输送至成膜层108中的发光层，而电子就会从阴极被注入·输送至成膜层108中的发光层。这些空穴和电子在发光层中再结合。在有机EL元件102中，通过空穴和电子的再结合来激发形成发光层的发光材料，从而在这种发光材料从激发状态迁移至基态的过程中获得发光。

如果下部电极106和上部电极107中的一方被设定为阴极，则另一方就被设定为阳极。被设定为阳极的电极(下部电极106或者上部电极107)可以用功函数高的材料来构成。作为形成阳极的材料，例如可以使用铬(Cr)、钼(Mo)、镍(Ni)、铂(Pt)等金属膜，或者ITO(氧化铟锡)、IZO等氧化金属膜等透明导电膜。

被设定为阴极的电极(上部电极107或者下部电极106)可以用功函数低的材料来构成。作为形成阴极的材料，可以使用特别是碱金属(Li、Na、K、Rb、Cs)、碱土金属(Be、Mg、Ca、Sr、Ba)、稀土金属等功函数低的金属、其化合物或者含有这些物质的合金。而且在下部电极106和上部电极107都由透明的材料来形成的场合下，也可以采用在与光放出侧相对的电极侧设有未图示的反射膜的结构。

引出电极是从上部电极107和下部电极106向有机EL元件102的外侧(密封基材、密封膜的外侧)引出的电极配线。虽然省略图示，但是引出电极连接自发光面板100中的有机EL元件102和驱动有机EL元件102的IC或设备等。作为形成引出电极的材料，优选低阻抗金属材料。例如优选Ag、Cr、Al金属及其合金等作为形成引出电极的材料。

下部电极106和引出配线是如下形成的：采用蒸镀、溅射等方法，形成薄膜形式的金属氧化物ITO、IZO等，并采用照相平版法等方法对该薄膜进行模制，从而形成下部电极106和引出配线。下部电极106和引出配线也可以是在ITO、IZO等材料上层积有Ag及Ag合金、Al、Cr等低阻抗金属的2层结构。而且，下部电极106和引出配线也可以是3层结构，其中，作为层积在ITO、IZO等材料上的低阻抗金属的保护层，在低阻抗金属上层积了Cu、Cr或Ta等抗氧化性高的材料。

成膜层108一般是组合了空穴输送层、发光层和电子输送层的结构，但是发光层、空穴输送层和电子输送层各自不仅是1层，也可以设成多层层积。对于空穴输送层和电子输送层，可以省略任意的一层，也可以省略这两层。而且，也可以根据用途插入空穴注入层、电子注入层或载流子限制(carrier block)层等各种层。形成空穴输送层、发光层和电子输送层的材料可以适当选择以往所使用的材料(无论高分子材料或低分子材料)。

对于发光材料而言，虽然有从单重激发态恢复到基态时的发光(荧光)和从三重激发态恢复到基态时的发光(磷光)，但是采用那种发光的有机EL元件102均可利用本实施方式。

粘合剂104可以使用热固化型、化学固化型(2液混合)、光(紫外线)固化型等。作为形成粘合剂104的材料，可以使用丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酯或聚烯烃等。特别优选使用紫外线固化型的环氧树脂来制成粘合剂。作为粘合剂104，例如可以使用紫外线固化型环氧树脂制的粘合剂。也可以在此粘合剂104中适量混合(大约0.1重量％～0.5重量％)粒径为1μm～300μm的间隔物(优选玻璃间隔物或塑料间隔物)。

干燥剂105除去密封空间109内的水分，由此抑制成膜层108的老化。干燥剂105可以使用以物理干燥剂和化学干燥剂为首的各种干燥剂。作为物理干燥剂，例如有沸石、硅胶、碳、碳纳米管等。作为化学干燥剂，例如有碱金属氧化物、金属卤化物、过氧化氯等。此外，也可以通过将有机金属络合物溶解于甲苯、二甲苯或脂肪族有机溶剂等石油系溶剂中的干燥剂，或者通过在具有透明性的聚乙烯、聚异戊二烯、聚肉桂酸乙烯酯(ポリビニルシンナエ一ト)等粘合剂中使干燥剂粒子分散的干燥剂，来得到干燥剂105。

密封基材103在有机EL元件102的周围形成从外部气体中将有机EL元件102密封起来的密封空间109。作为形成密封基材103的材料，例如有金属、玻璃及塑料等。例如，相对于玻璃制的密封基材103，也可以使用经加压成型、蚀刻、喷射处理等加工而形成了密封凹部110的密封基材103。

密封凹部110无所谓挖入一段还是挖入二段。此外，虽然省略了图示，但是可以把平板状玻璃和被夹持在此玻璃与基板101之间的玻璃(也可以是塑料)制间隔物当作密封基材103，通过此密封基材103形成密封空间109。

图2是表示采用本实施方式中的自发光面板的制造方法制成的其他自发光面板的纵断侧面图。采用本实施方式中的自发光面板的制造方法制成的其他自发光面板不限于具有如图1所示结构的自发光面板100。如图2所示，也可以是具备基板101、自发光元件(有机EL元件)102、密封膜201和密封基材202的自发光面板200。图2所示的自发光面板200中的密封膜201可以通过单层膜来形成，也可以通过层积多层保护膜来形成。

作为形成密封膜201的材料，可以是无机物，也可以是有机物，无论哪一种都可以。作为形成密封膜201的无机物材料，有SiN、AlN、GaN等氮化物，Si₂O、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZnO、GeO等氧化物；SiON等氧氮化物；SiCN等碳氮化物；金属氟化合物；金属膜等。

作为形成密封膜201的有机物材料，可以举出：环氧树脂、丙烯酸树脂、聚对二甲苯、全氟代烯烃或全氟代醚等氟系高分子、CH₃OM或C₂H₅OM等金属醇盐、聚酰亚胺前体、二萘嵌苯系化合物等。密封膜201的层积结构和材料可以根据有机EL元件102的设计适当选择。

作为形成密封基材202的材料，可以使用钠玻璃、铅玻璃及硬质玻璃等玻璃基材；聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯等塑料基材；铝及不锈钢等金属基材等各种材料。形成密封基材202的材料可根据有机EL元件102的构成选择正好适当的材料。

例如，在有机EL元件102是从基板101侧相对的一侧放出光的TopEmission(顶部发光)结构的场合下，或者是从基板101侧和其相对侧这两侧放出光的TOLED结构的场合下，作为形成密封基材202的材料优选使用透明性高的材料，作为该密封基材202的厚度优选为具有高透过率的厚度。

与此相对，例如在有机EL元件102是从基板101侧放出光的BottomEmission(底部发光)结构的场合下，也可以把金属基材等用作形成密封基材202的材料。在有机EL元件102的密封中，可以使用气密密封法、固体密封法及膜密封法等密封方法。在此所述的气密密封法是指通过玻璃、金属及塑料等密封基材在有机EL元件102的周围设置空间以便将有机EL元件102与外部气体隔绝的密封方法。在此所述的固体密封法是指在将有机EL元件102与外部气体隔绝的空间内填充树脂等填充剂的密封方法。在此所述的膜密封法是指或者以塑料薄层或树脂薄层等覆盖有机EL元件102的形式层压成膜，或者在有机EL元件102上形成具有密封性能的密封膜的密封方法。

用本实施方式中的自发光面板的制造方法制成的自发光面板不限于上述的自发光面板100和200。只要发挥上述自发光面板100和200的功能效果且不脱离本发明的要旨，即使改变设计等，也属于本实施方式的范围。例如，作为自发光面板100和200的驱动方法，可以使用被动驱动法，除此之外，也可以采用以TFT来驱动的主动驱动法。

由于是公知的技术而省略了说明，但是在用被动驱动法驱动的自发光面板中，使通过多个阳极形成的数据线与通过多个阴极形成的扫描线相互交叉，并使数据线与扫描线的交点中的有机EL元件选择性发光。同样省略了说明，但是在用主动驱动法驱动的自发光面板中，在各个自发光元件上设有作为开关元件的晶体管，从而使各个自发光元件一个个地发光。

此外，本实施方式的自发光面板100和200不限于有机EL元件102的发光方式。本实施方式的自发光面板100和200例如可以是从基板101侧放出光的底部发光型，也可以是从与基板101侧相对的一侧放出光的顶部发光型。

而且，本实施方式中的自发光面板100和200可以是单色发光，也可以是至少2种颜色的多色发光型。多色发光的自发光面板100和200的制造可以采用分涂发光层的方式、采用了滤色片的CF方式或采用了色变换层的CCM方式、光漂白方式或层积OLED方式等各种方式来实现。

在CF方式或CCM方式中，通过在白色或蓝色等单色的发光层上组合滤色片和基于荧光材料的色变换层来实现多色发光。光漂白方式是在单色发光功能层的发光领域中照射电磁波等来实现多色发光的。层积OLED方式是沿着成膜层积层方向纵向地层积具有至少2种颜色的发光色的成膜层，从而形成一个像素来实现多色发光的。

(自发光面板的一般制造方法)

图3是表示基于自发光面板的一般制造方法的工序流程的流程图。在此，作为一例，对被动驱动型自发光面板100的制造方法进行说明。在制造自发光面板100时，首先，通过下部电极形成工序(步骤S301)在基板101上形成下部电极106和引出配线。下部电极106和引出配线是采用蒸镀或溅射等方法来形成金属氧化物ITO、IZO等的薄膜。

然后，采用照相平版法等方法来模制在基板101上形成的薄膜。在形成2层结构的下部电极106和引出配线的场合下，在模制的薄膜上层积例如Ag、Al、Cr等低阻抗金属或者其合金。在形成3层结构的下部电极106和引出配线的场合下，在低阻抗金属上层积作为保护膜的如Cu、Cr、Ta等抗氧化性高的材料。

然后，根据成膜层形成工序(步骤S302)，在基板101上，准备在下部电极106及引出配线上进行层积，依次层积形成空穴输送层、发光层及电子输送层的各种材料，从而形成成膜层108。在形成成膜层108时，例如使用旋转涂层法和浸渍法等涂布法、网版印刷法和喷墨法等印刷法等湿法加工，或者化学蒸镀法和激光转印法等干法加工。

在此，自发光面板100为多色发光型，在形成发光层时，例如在采用发光层分涂方式的场合下，周知的成膜方法有：以覆盖全部有机EL元件102的方式，采用斜向蒸镀法使成膜的成膜材料遍布基板101整体而成膜的方法；采用垂直蒸镀法使每种颜色的成膜用成膜材料成膜的方法。在每种颜色的分涂中，使用合并成各种发光色的成膜用掩模。

此外，在采用以成膜用掩模进行每种颜色分涂的成膜方式的场合下，不限于按覆盖全部有机EL元件102的方式采用斜向蒸镀法使成膜的成膜材料遍布基板101整体而成膜的方法，或者用垂直蒸镀法使每种颜色的成膜用成膜材料成膜的方法。也可以采用垂直蒸镀法使包含多种颜色的成膜用成膜材料成膜。此外，在包含多种颜色的成膜用成膜材料有多种的场合下，还可以对每种成膜材料采用不同的成膜方法。

在分涂时，使呈现RGB 3色发光的有机材料、不限于RGB 3色的由红(R)和蓝(B)组合的2色发光以及在RGB 3色中添加有白(W)的4色发光等多种有机材料组合，将组合的材料在RGB各色发光部分对应的像素范围成膜，从而形成使RGB各种颜色发光的发光层。在形成发光层时，例如对于1个部位的像素范围，用相同材料进行至少2次成膜。由此可以防止产生未成膜部分。

接着，通过上部电极形成工序(步骤S303)在成膜层108上形成上部电极107。上部电极107是通过以正交于下部电极106图形的状态在成膜层108上层积多条条纹状的金属薄膜来形成的。本实施方式的上部电极107被当作阴极。在形成实现上部电极107的金属薄膜时，例如使用蒸镀或溅射等方法。由此，在沿着成膜层108的积层方向看到有机EL元件102的场合下，通过下部电极106和上部电极107来成为形成矩阵的状态。

最后，根据密封工序(步骤S304)，将形成有有机EL元件102的基板101和另外形成有密封凹部110的密封基材103通过存在于它们中间的粘合剂104进行密封。在密封时，在基板101上的适当部位上涂布粘合剂104，并按夹持该粘合剂104的方式粘合基板101和密封基材103。在涂布粘合剂104时，例如使用分配器等。基板101和密封基材103的粘合工序是在氩气等惰性气体氛围下来进行的。

使基板101和密封基材103粘合后，从基板101侧(或者密封基材103侧)对粘合剂104照射紫外线。这样，粘合剂104发生紫外线固化反应，以粘合基板101和密封基材103的状态进行固化。这样，有机EL元件102被形成在基板101和密封基材103之间，并被密封在封入氩气等惰性气体的密封空间109内。

然而，通过上述方法形成的下部电极106会产生成为有机EL元件102功能老化原因的凸部和凹部。下面对在下部电极106上产生的凸部和凹部的代表情况进行说明。

图4-1是表示在下部电极形成后产生的凸部的纵断侧面图。如图4-1所示的凸部410是因下部电极106的成膜不良等而产生的。此外，虽省略了图示，但在基板101上具有凸状瑕疵的场合下，也产生同样的凸部。凸部410在成膜层108的厚度方向突出的场合下，在下部电极106中的凸部410和在成膜层108上层积的上部电极107(参照图2)之间会发生短路。此外，即使凸部410没有从成膜层108的厚度方向突出，由于存在凸部410，也会因凸部410的尖端与上部电极107的距离变短而易于短路。

图4-2是表示在下部电极形成中产生的凸部的纵断侧面图。在图4-2中，示出了在形成下部电极106后(或形成下部电极106时)由于混杂异物420而产生的凸部421。由于异物420成为障碍，因而成膜层108不能良好地成膜，例如会在异物420的周围等处生成露出下部电极106的部分422。如果在该状态下形成上部电极107，露出下部电极106的部分422与上部电极107就会发生短路。

图4-3是表示在下部电极形成后产生的凹部的纵断侧面图。图4-3中所示的凹部430是例如如图4-2所示在下部电极形成后或者下部电极106形成时由于混杂异物420而生成的。另外，在下部电极形成后在对下部电极106进行模制时有异物等混入。在由于成膜层108形成后进行的基板清洗工序等而此异物420脱落的场合下，会生成凹部430，使原来存在该异物420的部分中的下部电极106露出。如果在这种状态下形成上部电极107(参照图2)，则露出下部电极106的部分430与上部电极107就会发生短路。

此外，虽省略了图示，但即使在因成膜层108成膜不良而生成针孔的场合下，也会生成露出下部电极106的部分，与上述相同，露出下部电极106的部分与上部电极107就会发生短路。

(本实施方式的自发光面板制造方法)

在此，在本实施方式中，对在自发光元件中采用有机EL元件的自发光面板制造工序进行说明。在如图3所示的自发光面板制造工序中的下部电极形成工序之后，即在成膜层形成工序中，进行包埋凸部410和421或者凹部430的至少之一的第1道包埋处理工序以及包埋凸部410和421或者凹部430的至少之一的第2道包埋处理工序。

第1道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序或者凹部包埋处理工序中的任一道工序。第2道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序或者凹部包埋处理工序中与第1道包埋处理工序相异的工序。第2道包埋处理工序，对于通过第1道包埋处理工序被包埋了凸部410和421或者凹部430的至少之一的下部电极106，包埋该下部电极106中的凸部410和421或者凹部430的至少之一。

凸部包埋处理工序包埋在下部电极106产生的凸部410和421。具体而言，在下部电极形成工序接下来的成膜层形成工序中，使用斜向蒸镀法、垂直蒸度法、熔融法、加压蒸镀法或厚膜厚成膜法，形成成膜层108中的至少一层，从而包埋凸部410和421。在本实施方式中，即使在存在凸部410和421的场合下，也可以由成膜层108包含的方式来包埋该凸部410和421，而不会发生上述短路。

斜向蒸镀法是采用真空蒸镀的成膜方法之一，是通过对成膜对象物(基板)中的成膜对象面(基板的成膜面)从斜向使蒸镀(成膜)材料附着来成膜的方法。具体而言，在本实施方式中，相对基板101的板厚方向从斜向使蒸镀(成膜)材料附着。

在采用斜向蒸镀法的成膜中，相对于成膜源旋转成膜对象物。此外，斜向蒸镀法中由于蒸镀材料的卷包和有效覆盖，因而该方法也可以利用在不用必需分涂的成膜层108(空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层)或上部电极107的成膜上。

垂直蒸镀法是采用真空蒸镀的成膜方法之一，是通过相对于成膜对象物(基板)中的成膜对象面(基板的成膜面)从正面使蒸镀(成膜)材料附着来成膜的方法。具体而言，在本实施方式中，沿着基板101的板厚方向使蒸镀(成膜)材料附着。

即使在采用垂直蒸镀法的成膜中，也是相对成膜源以成膜源与成膜对象物的相对方向为轴心方向使成膜对象物旋转。由于垂直蒸镀可以防止蒸镀材料的不需要的卷包，因而在多色发光的自发光面板的制造中，被利用于对应各种发光色分涂有机材料的成膜。

熔融法是在形成成膜层108的至少1层成膜后，通过在不低于形成此层的有机材料的玻璃化转变点的温度加热，来使其熔融，并由熔融的材料包埋凸部410和421的方法。在采用熔融法的场合下，在基板101、下部电极106和成膜层108中材料熔融之前形成的层是通过熔点高于熔融材料熔点的材料形成的。

加压蒸镀法是在称为LP-OVPD法(Low pressure organic vapor phasedeposition：低真空蒸镀法、)的真空度低的氛围气中进行蒸镀的方法，或者是在由压力调整气体(N₂等)使装置内加压后的氛围气中进行蒸镀的方法。具体而言，通常的真空蒸镀在10^-4帕～10^-6帕的真空中进行蒸镀，与之相对，加压蒸镀是在10^-1帕～10³帕的低真空状态或者加压状态中利用压力调整气体进行蒸镀。加压蒸镀法由于是低真空状态或者加压状态中的蒸镀方法，因而可以蔓延到成膜对象面的表面，可以减少成膜时瑕疵的产生。

厚膜厚成膜法是较厚地形成多重成膜的成膜层108中至少1层膜厚的方法。作为厚的层，例如可以是采用高分子材料的缓冲层，但不限于此。在形成缓冲层的场合下，采用涂布或旋转涂层法在下部电极106上使缓冲层成膜，其后通过真空蒸镀法使含有发光层的低分子有机材料成膜。此外，还有在下部电极106与发光层之间设置掺杂了电子受体的高密度载流子层和在此高密度载流子层上部的低密度载流子层，使低密度载流子层的膜厚较厚的成膜方法。作为成膜为厚膜的方法，可以使用上述斜向蒸镀法、垂直蒸镀法及加压蒸镀法等任何一种成膜方法。

作为凸部包埋处理工序，具体而言，还可以在形成下部电极106后，接着采用下部电极研磨法，通过研磨下部电极106的表面包埋凸部410和421。在本实施方式中，研磨凸部410和421直至不发生上述短路的程度，以此作为包埋。

下部电极研磨法是在形成下部电极106后研磨该下部电极106表面的方法。对由基板101上的瑕疵或下部电极106的成膜不良产生的凸部410，通过研磨或蚀刻(无论物理或化学)，使下部电极106表面光滑化。采用下部电极研磨法，也可以研磨以异物420作为原因而产生的凸部421。

作为凸部包埋处理工序，还可以采用下部电极化学或物理蚀刻法来溶解除去凸部410和421，通过使下部电极106表面平滑来包埋凸部410和421。在本实施方式中，熔融除去凸部410和421直至不发生上述短路的程度，以此作为包埋。另外，下部电极化学和物理蚀刻法是通过化学法或电化学法来溶解除去蚀刻对象物的表面或外形的方法。

凹部包埋处理工序包埋在下部电极106上产生的凹部430。具体而言，在下部电极形成工序接下来的成膜层108形成时，通过采用斜向蒸镀法、垂直蒸镀法、熔融法、加压蒸镀法和厚膜厚成膜法的任何一种方法形成成膜层108中的至少一层，从而包埋凹部430。在本实施方式中，在形成成膜层108后，通过成膜层108包含该凹部430来形成包埋，使露出凹部430的部分不存在。

凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序先进行哪一道工序都可以。即，可以将上述各种包埋方法用在第1道包埋处理工序中，也可以用在第2道包埋处理工序中。但是，在依次进行第1道包埋处理工序和第2道包埋处理工序的场合中，只在第2道包埋处理工序中使用蒸镀法。

另外，在本实施方式中，将第1道包埋处理工序和第2道包埋处理工序作为各自分开的工序来进行，但是不限于此。也可以同时进行第1道包埋处理工序和第2道包埋处理工序。然而，在这种情况中，凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序是采用斜向蒸镀法、垂直蒸镀法及加压蒸镀法的任意一种方法来进行的。

而且，在本实施方式中，对于下部电极106上产生的凸部410、421以及凹部430，虽然进行了第1道包埋处理工序和第2道包埋处理工序这二次包埋处理，但是本发明不限于此。即，在第2道包埋处理工序之后，也可以进行第3道包埋处理工序。

例如，进行了作为第1道包埋处理工序的凸部包埋处理工序之后，进行作为第2道包埋处理工序的凹部包埋处理工序，在这种场合下，在进行了第2道包埋处理工序之后，也可以进行作为第3道包埋处理工序的再次凸部包埋处理工序。此时，作为第3道包埋处理工序的凸部包埋处理工序，可以使用与进行第1道包埋处理工序的方法相同的方法，也可以使用其他方法。

例如，进行了作为第1道包埋处理工序的凹部包埋处理工序之后，进行作为第2道包埋处理工序的凸部包埋处理工序，在这种场合下，在进行了第2道包埋处理工序之后，也可以进行作为第3道包埋处理工序的再次凹部包埋处理工序。此时，作为第3道包埋处理工序的凹部包埋处理工序，可以使用与进行第1道包埋处理工序的方法相同的方法，也可以使用其他方法。

如以上所说明的，根据本实施方式的自发光面板制造方法，在基板101上形成的下部电极106的密封基材103侧形成成膜层108时，通过进行凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序，包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430，之后，形成上部电极107。

这样，通过组合包埋凸部410、421的凸部包埋处理工序和包埋凹部430的凹部包埋处理工序，并在凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序中分别对下部电极106上生成的凸部410、421以及凹部430进行特殊的包埋处理，可以确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。由此可防止下部电极106与上部电极107的短路。

此外，由于防止基于下部电极106与上部电极107的短路的漏电发生，就可以抑制基于下部电极106与上部电极107的短路的漏电发生而引起的次品产生，因而就可以抑制在制造自发光面板100中的收率低下。由此可以抑制自发光面板制造单价的增加。

例如，在分别进行凸部包埋处理工序和上述凹部包埋处理工序的场合下，采用分别适于包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的方法，能够包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。由此，可以确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。

另一方面，例如在同时进行凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序的场合下，凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序各自采用相同的方法，与分别进行凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序的场合相比较，可以缩短下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的包埋操作所需要的时间，使操作简易化。由此可以提高制造自发光面板时的工作效率。

因此，在进行了凸部包埋处理工序之后，进行凹部包埋处理工序，这样可以确实地分别进行凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序。由此可以确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。

例如，在进行了凹部包埋处理工序之后，通过与进行凸部包埋处理工序的方法相同的方法或者其他方法，再次进行凸部包埋处理工序，这种场合下，可以更确实地包埋凸部410和421。由此可以更确实地防止下部电极106与上部电极107的短路。

此外，通过本实施方式的自发光面板的制造方法，在凸部包埋处理工序中，采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、厚膜成膜方法及加压蒸镀法的任何一种方法来形成成膜层中的至少一层，或者采用下部电极研磨方法包埋处理凸部；在凹部包埋处理工序中，可以采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、熔融法、厚膜成膜方法及加压蒸镀法的任何一种方法来形成成膜层中的至少一层。

因此，采用分别适于包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的方法，可以在包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的同时，进行成膜层的形成。由此可以确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430且不对成膜层的形成带来障碍。

因此，在进行了凹部包埋处理工序后，进行凸部包埋处理工序，从而可以确实地分别进行凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序。由此可以确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。

另一方面，例如在进行了凸部包埋处理工序之后，通过与进行凹部包埋处理工序方法相同的方法或者其他方法，再次进行凹部包埋处理工序，这种场合下，可以更确实地包埋凸部410和421。由此可以更确实地防止下部电极106与上部电极107的短路。

此外，通过本实施方式的自发光面板制造方法，在凹部包埋处理工序中，采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、厚膜成膜方法及加压蒸镀法的任何一种方法来形成成膜层中的至少一层；在凸部包埋处理工序中，可以采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、熔融法、厚膜成膜方法及加压蒸镀法的任何一种方法来形成上述成膜层中的至少一层。

因此，采用分别适于包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的方法，可以在包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的同时，进行成膜层的形成。由此，可以确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430且不对成膜层的形成带来障碍。

根据本实施方式的自发光面板制造方法，通过用不同的方法进行凸部包埋处理工序和凹部包埋处理工序，可以采用分别适于包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的方法，同时使各种方法的单独优势得以发挥，可以通过更多种方法包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。由此可以更确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。

进而，根据本实施方式的自发光面板的制造方法，在基板上形成的下部电极106的密封基材侧形成成膜层时，通过进行第1道包埋处理工序和第2道包埋处理工序，包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430，之后，形成上部电极107。

根据本实施方式的自发光面板制造方法，通过用不同的方法来进行第1道包埋处理工序和第2道包埋处理工序，可以采用分别适合包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430的方法，同时使各种方法的单独优势得以发挥，可以通过更多种方法来包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。由此可以更确实地包埋下部电极106中的凸部410、421以及凹部430。

此外，在第1道包埋处理工序中，通过采用斜向蒸镀法、垂直蒸镀法、厚膜成膜方法及加压蒸镀法的任何一种方法来形成上述成膜层中的至少一层，或者用下部电极研磨方法来使下部电极表面光滑，从而可以采用已确立的方法包埋下部电极106的凹部430或者凸部410、421的至少一方。由此可以使第1道包埋处理工序中的操作稳定化并容易进行。

此外，第2道包埋处理工序通过采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、熔融法、厚膜成膜方法及加压蒸镀法的任何一种方法来形成上述成膜层中的至少一层，从而可以采用已确立的方法至少包埋下部电极106的凹部430或者凸部410、421的中未在第1道包埋处理工序包埋的一方。由此可以使第2道包埋处理工序中的操作稳定化并容易进行。

而且，根据本实施方式的自发光面板制造方法，通过由有机EL元件102来实现自发光元件，可以稳定化有机EL元件102的发光性能，可以制造性能稳定的自发光面板100。此外，上述各种效果不限于自发光面板100，对自发光面板200也同样奏效。

下面，作为采用了本实施方式自发光面板制造方法的自发光面板的制造工序的具体一例，对实施例1～实施例7进行说明。在实施例1～实施例7中，只对自发光元件102的制造工序进行说明。

[实施例1]

在本实施例1中，作为第1道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中，采用了下部电极研磨法；作为第2道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了熔融法。在制造本实施例1中的自发光元件102时，首先，在作为基板101的透明玻璃基板表面上，使成为下部电极106的ITO膜形成规定的形状。在ITO膜成膜时，采用了溅射蒸镀。

然后，研磨ITO膜的表面，使其成为规定的厚度。在研磨ITO膜表面时，例如采用擦光、抛光、管抛光等方法。在此，作为第1道包埋处理工序，进行凸部包埋处理工序，其中采用了下部电极研磨法。在研磨ITO膜表面时，以日本工业标准(JIS)中规定的表面粗糙度定义和在说明(BO6O1)中定义的表面粗糙度的最大值(Rmax)小于等于50埃的方式，研磨ITO膜表面。然后，根据电极图形施以模制，形成最终的下部电极106。

将形成了下部电极106的玻璃基板(基板101)用中性洗涤剂、丙酮、乙醇进行超声波清洗，然后，从沸腾乙醇中取出，使其干燥。干燥了的玻璃基板表面用UV/O₃进行清洗。

然后，在经UV/O₃清洗后的玻璃基板的下部电极106上，采用铜酞菁蓝(Cu-Pc)来形成空穴注入层。在形成空穴注入层时，采用了蒸镀法。在形成空穴注入层时，在真空蒸镀装置的基板支持物上固定玻璃基板，将真空蒸镀装置中的槽内减压至小于等于1×10^-4Pa。然后，在空穴注入层上形成空穴输送层。形成空穴输送层时，采用三苯基二胺系化合物(所谓的TPD)，通过蒸镀成膜。

在此，把形成空穴输送层的玻璃基板整体加热至大于等于TPD的玻璃化转变点(Tg＝95℃)且小于等于熔点的温度。这样，将形成空穴输送层的TPD熔融，并以包埋了凹部的状态融合。在此，作为第2道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了熔融法。

在本实施例1中，例如，对由玻璃化转变点为95℃的材料形成的空穴输送层进行了150℃左右的加热。融合所需的加热时间是5分钟左右。加热是在减压或者真空室内用加热器进行加热的。此外，加热装置不限于加热器，例如也可以是卤化物灯等。

然后，在空穴输送层上形成发光层。发光层是通过蒸镀三(8-羟基喹啉)铝络合物(Alq₃)来形成的。在该发光层上形成电子注入层。电子注入层是通过蒸镀Li₂O来形成的。由此，形成了通过以上工序形成的成膜层108。在成膜层108中的电子注入层上进一步形成上部电极107。上部电极107是采用Al来形成的。形成Al的方式是使其形成沿着与下部电极106配列方向垂直的方向的图形。

通过如本实施例1制造的自发光面板，可以防止下部电极106与上部电极107的短路。

[实施例2]

在本实施例2中，作为第1道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了加压蒸镀法；作为第2道包埋处理工序，进行凸部包埋处理工序，其中采用了熔融法。在本实施例2中，对于与上述实施例1相同的工序，适当省略说明。以下相同。

在本实施例2中，在用UV/O₃清洗了表面的下部电极106上形成空穴注入层，该下部电极106通过与上述实施例1同样的方式形成，但不进行ITO膜表面的研磨。在形成空穴注入层时，采用加压蒸镀法蒸镀Cu-Pc。将基板搬入到室内压力调整为100帕的加压蒸镀用成膜室中，并固定在加压蒸镀用成膜室内设置的基板支持物上，以此状态进行空穴注入层的形成。在此，作为第1道包埋处理工序进行的是凹部包埋处理工序，其中采用了加压蒸镀法。

然后，在空穴注入层上形成空穴输送层。空穴输送层是用N-苯基-对苯二胺(PPD)形成的。将形成了空穴注入层的基板从加压蒸镀用成膜室移至真空成膜室，在真空成膜室中进行空穴输送层的形成。此时，将真空成膜室内减压至小于等于1×10^-4帕。

在此，将形成了空穴输送层的玻璃基板整体在小于等于熔点且大于等于PPD的玻璃化转变点(Tg＝150℃)的温度即160℃下加热15分钟。由此，形成空穴输送层的PPD发生熔融，并以包埋凸部的状态进行融合。在此，作为第2道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中采用了熔融法。以后，与上述实施例1相同，形成发光层、电子注入层和上部电极107。

通过如本实施例2制成的自发光面板，可以防止下部电极106与上部电极107的短路。

[实施例3]

在本实施例3中，作为第1道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中采用了斜向蒸镀法；作为第2道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了垂直蒸镀法。在本实施例3中，在采用与上述实施例2相同的方式形成的下部电极106上形成空穴注入层时，采用斜向蒸镀法蒸镀Cu-Pc。空穴注入层的形成是在室内压力减压至小于等于1×10^-4帕的真空成膜室中进行的。在此，作为第1道包埋处理工序进行的是凸部包埋处理工序，其中采用了斜向蒸镀法。

然后，采用垂直蒸镀法使用TPD在空穴注入层上形成空穴输送层。在此，作为第2道包埋处理工序进行的是凹部包埋处理工序，其中采用了垂直蒸镀法。以后，与上述实施例1相同，形成发光层、电子注入层和上部电极107。

通过如本实施例3制成的自发光面板，可以防止下部电极106与上部电极107的短路。

[实施例4]

在本实施例4中，作为第1道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了厚膜成膜；作为第2道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中采用了斜向蒸镀法。在本实施例4中，在采用与上述实施例2相同的方式形成的下部电极106上，形成缓冲层。形成缓冲层时，将溶解于有机溶剂中并掺杂了酸的聚苯胺衍生物(PEDOT(聚亚乙基二氧噻吩))的涂布液进行旋转涂布。然后，通过擦除来除去附着于玻璃基板显示部分以外的端子部分的涂布液，其后，用电热板加热该玻璃基板，通过使溶剂挥发来形成聚苯胺膜(缓冲层)。在此，作为第1道包埋处理工序进行的是凹部包埋处理工序，其中采用了厚膜成膜。

然后，在缓冲层上形成空穴输送层。在形成空穴输送层时，采用斜向蒸镀法。在斜向蒸镀时，将形成了缓冲层的玻璃基板搬送到减压至小于等于1×10^-4帕的真空成膜室中，并把该玻璃基板安装在基板支持物上，以该状态进行蒸镀。

然后，采用垂直蒸镀法使用TPD在空穴注入层上形成空穴输送层。在此，作为第2道包埋处理工序进行的是凹部包埋处理工序，其中采用了垂直蒸镀法。以后，与上述实施例1相同地形成发光层、电子注入层和上部电极107。

通过如本实施例4制成的自发光面板，可以防止下部电极106与上部电极107的短路。

[实施例5]

在本实施例5中，作为第1道包埋处理工序，进行凹部包埋处理工序，其中采用了厚膜成膜；作为第2道包埋处理工序，进行凸部包埋处理工序，其中采用了熔融法。在本实施例5中，在采用与上述实施例4相同的方式形成的聚苯胺膜(缓冲层)上形成电子输送层。空穴输送层是采用蒸镀法使用TPD形成的。在蒸镀时，将玻璃基板搬送到减压至小于等于1×10^-4帕的真空成膜室中，并将该玻璃基板安装在基板支持物上，以该状态进行蒸镀。在此，进行了作为第1道包埋处理工序的采用厚膜成膜的凹部包埋处理工序。

然后，与实施例1相同，加热形成了缓冲膜的玻璃基板整体。在此，作为第2道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中采用了熔融法。以后，与上述实施例1相同地形成发光层、电子注入层和上部电极107。

通过如本实施例5制成的自发光面板，可以防止下部电极106与上部电极107的短路。

[实施例6]

在本实施例6中，作为第1道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中采用了下部电极研磨法；作为第2道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了厚膜成膜。在本实施例6中，与上述实施例1相同，研磨ITO膜表面。在此，作为第1道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中采用了下部电极研磨法。

然后，在采用与上述相同的方式形成的空穴注入层上，形成高密度载流子层。在形成高密度载流子层时，将作为电子受容性物质的F4-TCNQ掺杂到α-NPD中进行蒸镀。然后，采用蒸镀法，只蒸镀α-NPD，形成低密度载流子层(缓冲膜层)。低密度载流子层(缓冲膜层)形成比空穴输送层的厚度还厚的膜层。以后，与上述实施例1相同地形成发光层、电子注入层和上部电极107。

通过如本实施例6制成的自发光面板，可以防止下部电极106与上部电极107的短路。

[实施例7]

在本实施例7中，作为第1道包埋处理工序进行凸部包埋处理工序，其中采用了加压蒸镀法；作为第2道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了厚膜成膜(也称为缓冲膜法)。在本实施例7中，与上述实施例2相同，在形成下部电极106后表面经UV/O₃清洗了的玻璃基板上形成空穴注入层。在形成空穴注入层时，采用加压蒸镀法蒸镀Cu-Pc。在形成空穴注入层时，将加压蒸镀用成膜室调整压力至100帕，并将玻璃基板固定在加压蒸镀用成膜室的基板支持物上。在此，作为第1道包埋处理工序进行的是凸部包埋处理工序，其中采用了加压蒸镀法。

然后，在与上述相同地形成的空穴注入层上，形成高密度载流子层。在形成高密度载流子层时，将作为电子受容性物质的F4-TCNQ掺杂到α-NPD中，并进行蒸镀。然后，采用蒸镀法，只蒸镀α-NPD，从而形成低密度载流子层(缓冲膜层)。低密度载流子层(缓冲膜层)形成比空穴输送层的厚度还厚的膜层。在此，作为第2道包埋处理工序进行凹部包埋处理工序，其中采用了厚膜成膜。以后，与上述实施例1相同地形成发光层、电子注入层和上部电极107。

通过如本实施例7制成的自发光面板，可以防止下部电极106与上部电极107的短路。

Claims

1、一种自发光面板的制造方法，其是一种在基板上设有自发光元件的自发光面板的制造方法，所述自发光元件在下部电极与上部电极之间设置有含发光层的成膜层，

其特征在于，含有如下工序：

下部电极形成工序，在所述基板上形成所述下部电极；

成膜层形成工序，在通过所述下部电极形成工序形成的下部电极的上部形成成膜层；

凸部包埋处理工序，在所述成膜层形成工序中包埋处理因所述下部电极形成工序形成的下部电极中的凸部；

凹部包埋处理工序，在所述成膜层形成工序中包埋处理因所述下部电极形成工序形成的下部电极中的凹部；

上部电极形成工序，在通过所述成膜层形成工序形成的成膜层的上部形成上部电极。

2、如权利要求1所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，分别进行所述凸部包埋处理工序和所述凹部包埋处理工序。

3、如权利要求1所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，同时进行所述凸部包埋处理工序和所述凹部包埋处理工序。

4、如权利要求1或2所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，在进行了所述凸部包埋处理工序之后，进行所述凹部包埋处理工序。

5、如权利要求4所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，在进行了所述凹部包埋处理工序之后，通过与进行所述凸部包埋处理工序的方法相同的方法或者不同的方法，再次进行凸部包埋处理工序。

6、如权利要求4所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，所述凸部包埋处理工序采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、厚膜成膜方法、加压蒸镀法的任何一种方法形成所述成膜层中的至少一层，或者用下部电极研磨方法使下部电极的表面平滑；

所述凹部包埋处理工序采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、熔融法、厚膜成膜方法、加压蒸镀法的任何一种方法形成所述成膜层中的至少一层。

7、如权利要求1所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，在进行了所述凹部包埋处理工序之后，进行所述凸部包埋处理工序。

8、如权利要求7所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，在进行了所述凸部包埋处理工序之后，通过与进行所述凹部包埋处理工序的方法相同的方法或者不同的方法，再次进行凹部包埋处理工序。

9、如权利要求7或8所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，所述凹部包埋处理工序采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、厚膜成膜方法、加压蒸镀法的任何一种方法形成所述成膜层中的至少一层，或者用下部电极研磨方法使下部电极的表面平滑；

所述凸部包埋处理工序采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、熔融法、厚膜成膜方法、加压蒸镀法的任何一种方法形成所述成膜层中的至少一层。

10、如权利要求1所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，用不同的方法进行所述凸部包埋处理工序和所述凸部包埋处理工序。

11、一种自发光面板的制造方法，其是一种在基板上设有自发光元件的自发光面板的制造方法，所述自发光元件在下部电极与上部电极之间设置有含发光层的成膜层，

其特征在于，含有如下工序：

下部电极形成工序，在所述基板上形成所述下部电极；

第1道包埋处理工序，在所述成膜层形成工序中包埋因所述下部电极形成工序形成的下部电极中的凹部或凸部的至少一方；

第2道包埋处理工序，在所述成膜层形成工序中对通过所述第1道包埋处理工序包埋了凹部或凸部的至少一方的下部电极，包埋该下部电极中的凹部或凸部的至少未被包埋的一方；

12、如权利要求11所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，用不同的方法进行所述第1道包埋处理工序和所述第2道包埋处理工序。

13、如权利要求11或12所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，所述第1道包埋处理工序采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、厚膜成膜方法、加压蒸镀法的任何一种方法形成所述成膜层中的至少一层，或者用下部电极研磨方法使下部电极的表面平滑。

14、如权利要求11或12所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，所述第2道包埋处理工序采用斜向蒸镀方法、垂直蒸镀方法、熔融法、厚膜成膜方法、加压蒸镀法的任何一种方法形成所述成膜层中的至少一层。

15、如权利要求1或11所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，所述自发光元件为有机EL元件。