KR20060076375A - Method for forming capacitor of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 반도체 소자의 캐패시터 형성방법은, 스토리지 노드 콘택이 구비된 실리콘 기판 상에 질화막과 캡산화막을 차례로 증착하는 단계; 상기 질화막과 캡산화막을 식각하여 스토리지 노드 콘택을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 표면에 금속 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 금속 스토리지 전극 상에 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막을 증착하는 단계; 상기 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막 상에 확산방지막으로 HfON막을 증착하는 단계; 상기 HfON막 상에 금속 플레이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention discloses a method for forming a capacitor of a semiconductor device. A method of forming a capacitor of a semiconductor device according to the present invention includes sequentially depositing a nitride film and a cap oxide film on a silicon substrate having a storage node contact; Etching the nitride layer and the cap oxide layer to form a contact hole exposing a storage node contact; Forming a metal storage electrode on a surface of the contact hole; Depositing a dielectric film having a triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 on the metal storage electrode; Depositing a HfON film as a diffusion barrier on the dielectric film having a triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 ; Forming a metal plate electrode on the HfON film; characterized in that it comprises a.

Description

반도체 소자의 캐패시터 형성방법{Method for forming capacitor of semiconductor device}Method for forming capacitor of semiconductor device

도 1 내지 도 6은 본 발명에 따른 캐패시터의 형성방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.1 to 6 are cross-sectional views for each process for explaining a method of forming a capacitor according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1: 반도체 기판 2: 층간절연막1: semiconductor substrate 2: interlayer insulating film

3: 스토리지 노드 콘택 4: 질화막3: storage node contact 4: nitride

5: 캡산화막 6: 금속 스토리지 전극5: cap oxide film 6: metal storage electrode

7: 유전막 8: 확산방지막용 HfON막7: dielectric film 8: HfON film for diffusion barrier

9: 금속 플레이트 전극 10: 캐패시터9: metal plate electrode 10: capacitor

본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 유전막의 산소 결함을 방지하여 누설 전류 특성을 개선시키는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of forming a capacitor of a semiconductor device, and more particularly, to a method of forming a capacitor of a semiconductor device for preventing oxygen defects in a dielectric film to improve leakage current characteristics.

최근 디램(DRAM) 소자의 디자인 룰(Design rule)이 작아짐에 따라 셀 면적은 감소하고 있는 반면 스토리지 전극의 종횡비(aspect ratio)는 매우 커지게 되어, 단위 셀당 요구되는 충전용량의 확보와 아울러 큰 종횡비의 구조에 균일한 두께의 유전막을 형성하기 위한 새로운 기술의 개발이 시급히 요구되고 있다. As the design rules of DRAM devices become smaller, the cell area decreases, but the aspect ratio of the storage electrode becomes very large, thereby ensuring the required charge capacity per unit cell and a large aspect ratio. There is an urgent need to develop a new technology for forming a dielectric film having a uniform thickness in the structure of.

이에, 충전용량의 확보를 위해서 기존 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)의 유전막 대신에 유전율이 큰 Al2O3(ε=9), HfO2(ε=20) 또는 이들을 적층한 HfO 2/Al2O3의 유전막을 채용하고자 하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 아울러, 이들 유전막을 큰 종횡비에 대응하기 위해 기존의 화학기상증착(Chemical Vapor Depositio: CVD) 기술 대신에 원자층증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 기술이 적용되고 있다. 게다가, 스토리지 및 플레이트 전극 물질로서 기존의 폴리실리콘을 대신하여 금속이 채용되는 추세인데, 그 한 예로서 실리콘(Si) 반도체 공정에의 적합성이 이미 검증된 TiN을 사용하고 있으며, 이러한 MIM (Metal Insulator Metal) 캐패시터에서 플레이트 전극 물질로는 CVD 방식에 따라 증착된 TiN막과 PVD 방식에 따라 증착된 TiN막의 적층막을 주로 사용하게 된다.Therefore, in order to secure the charging capacity, Al 2 O 3 (ε = 9), HfO 2 (ε = 20) having a high dielectric constant or HfO 2 / Al 2 stacked thereon instead of the existing ONO (Oxide-Nitride-Oxide) dielectric film. Research into employing a dielectric film of O 3 has been actively conducted. In addition, in order to cope with the large aspect ratio of these dielectric films, atomic layer deposition (ALD) technology is applied instead of the conventional chemical vapor deposition (CVD) technology. In addition, metals are used instead of conventional polysilicon as storage and plate electrode materials. For example, TiN, which has been proven to be suitable for a silicon (Si) semiconductor process, is used. Metal) In the capacitor, a laminated film of a TiN film deposited by a CVD method and a TiN film deposited by a PVD method is mainly used as a plate electrode material.

그러나, 플레이트 전극으로 TiN막을 증착하는 CVD 공정시, 원료가스로 TiCl4와 NH3를 이용하여 증착하게 되는데, 상기 NH3 가스에 의해서 유전막과 CVD 방식에 따라 증착된 TiN막의 계면 반응이 발생하게 된다. 이때, 유전막내의 산소가 TiN막으로 확산함에 따라 유전막의 산소 결함이 증가하게 되어 누설 전류의 발생이 증가하는 문제점이 발생하게 된다.However, during the CVD process of depositing a TiN film with a plate electrode, the deposition is performed using TiCl 4 and NH 3 as a source gas, and the NH 3 gas causes an interfacial reaction between the dielectric film and the TiN film deposited by the CVD method. . At this time, as oxygen in the dielectric film diffuses into the TiN film, oxygen defects in the dielectric film increase, thereby causing a problem in that leakage current is increased.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 유전막의 산소결함을 감소시켜 누설 전류가 증가하는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.  Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming a capacitor of a semiconductor device capable of preventing an increase in leakage current by reducing oxygen defects in a dielectric film.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 스토리지 노드 콘택이 구비된 실리콘 기판 상에 질화막과 캡산화막을 차례로 증착하는 단계; 상기 질화막과 캡산화막을 식각하여 스토리지 노드 콘택을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 표면에 금속 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 금속 스토리지 전극 상에 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막을 증착하는 단계; 상기 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막 상에 확산방지막으로 HfON막을 증착하는 단계; 상기 HfON막 상에 금속 플레이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of depositing a nitride film and a cap oxide film sequentially on a silicon substrate with a storage node contact; Etching the nitride layer and the cap oxide layer to form a contact hole exposing a storage node contact; Forming a metal storage electrode on a surface of the contact hole; Depositing a dielectric film having a triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 on the metal storage electrode; Depositing a HfON film as a diffusion barrier on the dielectric film having a triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 ; Forming a metal plate electrode on the HfON film; provides a method of forming a capacitor of a semiconductor device comprising a.

상기 금속 스토리지 전극은 CVD 공정에 따라 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 500 내지 650℃의 온도 조건에서 TiN막을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 한다.The metal storage electrode is formed by depositing a TiN film at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 500 to 650 ° C. according to a CVD process.

상기 금속 스토리지 전극은 Ru, Pt, Ir, Ru, RuO2, Ir, IrO2, SrRuO3로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어진 것이 바람직하다.The metal storage electrode is preferably made of any one selected from the group consisting of Ru, Pt, Ir, Ru, RuO 2 , Ir, IrO 2 , SrRuO 3 .

상기 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막은 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정에 따라 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 250 내지 350℃의 온도 조건에서 증착되는 것을 특징으로 한다. The dielectric film having the triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 is characterized in that the deposition is carried out at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 250 to 350 ℃ according to the ALD (Atomic Layer Deposition) process.

상기 HfON막은 플라즈마 원자층 증착(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition : PEALD) 방식에 따라 2 내지 10Å의 두께로 증착하는 것이 바람직하다.The HfON film is preferably deposited to a thickness of 2 to 10 kPa according to the Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method.

상기 HfON막은, 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 250 내지 350℃의 온도 조건에서, 원료물질로 Hf(NEtMe)4를 사용하여 증착되는 것을 특징으로 한다.The HfON film is deposited using Hf (NEtMe) 4 as a raw material at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 250 to 350 ° C.

상기 HfON막은, 원료물질의 운반가스 및 퍼지가스로 N2 또는 Ar을 이용하고 상기 운반가스의 유량을 150 내지 250 sccm으로 하여 3 내지 10초 동안 플로우하여 증착하는 것이 바람직하다.The HfON film is preferably deposited by using N 2 or Ar as a carrier gas and a purge gas of the raw material, and flowing the carrier gas at a flow rate of 150 to 250 sccm for 3 to 10 seconds.

상기 HfON막은, 플라즈마 파워를 30 내지 500W로 하고, 산화제인 O3의 유량을 200 내지 500 sccm으로 하여 3 내지 10초동안 플로우하며, 플라즈마 처리시 N2O의 유량을 500 내지 2000sccm으로 하여 3 내지 10초동안 플로우하여 증착하는 것을 특징으로 한다.The HfON film has a plasma power of 30 to 500 W, flow rate of oxidant O 3 at 200 to 500 sccm, and flows for 3 to 10 seconds, and at a plasma treatment, the flow rate of N 2 O is 3 to 500 to 2000 sccm. Characterized in that the flow is deposited for 10 seconds.

상기 금속 플레이트 전극은 CVD 방식에 따라 증착된 제1TiN막과 PVD 방식에 따라 증착된 제2TiN의 적층막 구조로서, 상기 제1TiN막은 200 내지 400Å의 두께로 증착되며, 상기 제2TiN막은 600 내지 1000Å의 두께로 증착되는 것이 바람직하다.The metal plate electrode is a laminated film structure of a first TiN film deposited by a CVD method and a second TiN deposited by a PVD method. It is preferable to deposit to a thickness.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참조하면, 반도체 기판(1) 상에 층간절연막(2)을 증착하고 이를 평탄 화한 후에, 스토리지 노드 콘택 형성을 위한 콘택홀을 형성한다. 그 다음, 상기 콘택홀 내에 도전 물질을 매립하여 스토리지 노드 콘택(3)을 형성한다.Referring to FIG. 1, after depositing and planarizing the interlayer insulating layer 2 on the semiconductor substrate 1, a contact hole for forming a storage node contact is formed. Then, a conductive material is embedded in the contact hole to form a storage node contact 3.

도 2를 참조하면, 상기 기판 결과물 상에 질화막(4)을 증착한 다음, 상기 질화막(4) 상에 캡산화막(5)을 증착한다.Referring to FIG. 2, a nitride film 4 is deposited on the substrate resultant, and then a cap oxide film 5 is deposited on the nitride film 4.

도 3을 참조하면, 상기 기판 결과물 상에 콘택홀이 형성될 부분을 노출시키는 마스크(도시안됨)를 형성한 다음, 이를 이용해서 캡산화막(5)과 질화막(4)을 차례로 식각하여 콘택홀을 형성한다. 그런 다음, 상기 콘택홀 내에, 금속막을 증착한 후 이를 CMP하여 금속 스토리지 전극(6)을 형성한다. Referring to FIG. 3, a mask (not shown) for exposing a portion where a contact hole is to be formed is formed on the substrate resultant, and then the cap oxide layer 5 and the nitride layer 4 are etched sequentially to form a contact hole. Form. Then, a metal film is deposited in the contact hole, and then CMP is formed to form the metal storage electrode 6.

여기서, 상기 금속 스토리지 전극(6)은 CVD 공정에 따라 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 500 내지 650℃의 온도 조건에서 TiN막을 증착하여 형성하는 것이 바람직하다.Here, the metal storage electrode 6 is preferably formed by depositing a TiN film at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 500 to 650 ° C. according to a CVD process.

또한, 상기 금속 스토리지 전극(6)은 Ru, Pt, Ir, Ru와 RuO2, Ir과 IrO2, SrRuO3등의 금속 및 산화물 중에서 선택하여 형성한다.In addition, the metal storage electrode 6 is formed by selecting from metals and oxides such as Ru, Pt, Ir, Ru and RuO 2 , Ir and IrO 2 , and SrRuO 3 .

도 4를 참조하면, 상기 금속 스토리지 전극(6) 상에 유전막(7)을 증착한다. 여기서, 상기 유전막(7)은 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정을 통해 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 250 내지 350℃의 온도 조건에서 증착한다.Referring to FIG. 4, a dielectric film 7 is deposited on the metal storage electrode 6. Here, the dielectric film 7 is deposited at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 250 to 350 ° C. through an atomic layer deposition (ALD) process.

그리고, 상기 유전막(7)은 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 것이 바람직한데, 이때 HfO2막은 30 내지 40Å의 두께로 증착하여, AL2O3막은 5 내지 20Å의 두께로 증착한다. In addition, the dielectric layer 7 preferably has a triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 , wherein the HfO 2 layer is deposited to a thickness of 30 to 40 kV, and the AL 2 O 3 film is 5 to 20 kV. Deposit to thickness.

도 5를 참조하면, 상기 유전막(7) 상에 확산방지막용으로 HfON막(8)을 인-시튜(in-situ)로 증착한다. 상기 HfON막(8)은 플라즈마 원자층 증착(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition : PEALD) 방식에 따라 2 내지 10Å의 두께로 증착한다.Referring to FIG. 5, an HfON film 8 is deposited in-situ on the dielectric film 7 for the diffusion barrier film. The HfON film 8 is deposited to a thickness of 2 to 10 kW according to the plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) method.

상기 HfON막은, 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 250 내지 350℃의 온도 조건에서, 원료물질로 Hf(NEtMe)4(tetrakis(ethylmethylamido)hafnium)를 사용하여 증착한다. 여기서, 상기 HfON막의 증착시 원료물질의 운반가스 및 퍼지가스로 N2 또는 Ar을 이용하고 상기 운반가스의 유량을 150 내지 250 sccm으로 하여 3 내지 10초 동안 플로우시킨다. 또한, 상기 HfON막은, 플라즈마 파워를 30 내지 500W로 하고, 산화제인 O3의 유량을 200 내지 500 sccm으로 하여 3 내지 10초동안 플로우하며, 플라즈마 처리시 N2O의 유량을 500 내지 2000sccm으로 하여 3 내지 10초동안 플로우하여 증착하는 것이 바람직하다.The HfON film is deposited using Hf (NEtMe) 4 (tetrakis (ethylmethylamido) hafnium) as a raw material at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 250 to 350 ° C. Here, when the HfON film is deposited, N 2 or Ar is used as a carrier gas and a purge gas of a raw material, and the flow rate of the carrier gas is 150 to 250 sccm for 3 to 10 seconds. In addition, the HfON film, the plasma power is 30 to 500W, the flow rate of the oxidizing agent O 3 200 to 500 sccm flows for 3 to 10 seconds, and the plasma flow rate of N 2 O at 500 to 2000 sccm It is desirable to flow and deposit for 3 to 10 seconds.

도 6을 참조하면, 상기 HfON막(8) 상에 금속 플레이트 전극(9)을 증착한다. 상기 플레이트 전극(9)은 CVD 방식에 따라 증착된 제1TiN막과 PVD 방식에 따라 증착된 제2TiN의 적층막 구조인 것이 바람직한데, 상기 제1TiN막은 200 내지 400Å의 두께로 증착하며, 상기 제2TiN막은 600 내지 1000Å의 두께로 증착한다. Referring to FIG. 6, a metal plate electrode 9 is deposited on the HfON film 8. The plate electrode 9 is preferably a laminated film structure of the first TiN film deposited by the CVD method and the second TiN deposited by the PVD method, the first TiN film is deposited to a thickness of 200 ~ 400Å, the second TiN The film is deposited to a thickness of 600 to 1000 mm 3.

상기와 같이, 본 발명은 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막(7) 상에 HfON막(8)을 증착함으로써, CVD 방식에 따른 TiN막 증착시, 유전막(7)과 금속 플레이트 전극간의 계면 반응에 의해 유전막의 산소가 금속 플레이트 전극으 로 확산되는 것을 방지함으로써, 유전막의 산소 결함을 감소시킬 수 있게 되어 캐패시터의 누설 전류가 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, the present invention, by depositing the HfON film 8 on the dielectric film 7 of the triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 , when the TiN film is deposited by the CVD method, the dielectric film 7 By preventing the diffusion of oxygen in the dielectric film into the metal plate electrode by the interfacial reaction between the metal plate electrode and the metal plate electrode, it is possible to reduce oxygen defects in the dielectric film, thereby preventing the leakage current of the capacitor.

여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있을 것이다.Although the present invention has been illustrated and described in connection with specific embodiments herein, the present invention is not limited thereto, and the following claims are not limited to the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention. And one of ordinary skill in the art that the present invention can be modified.

이상에서와 같이, 본 발명은 금속 플레이트 전극의 증착 전 유전막 상에 HfON막을 증착함으로써, 유전막의 산소 결함을 감소시켜 누설 전류 특성을 개선시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, by depositing the HfON film on the dielectric film before the deposition of the metal plate electrode, it is possible to reduce the oxygen defect of the dielectric film to improve the leakage current characteristics.

따라서, 본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 자체의 신뢰성을 확보할 수 있음은 물론 반도체 소자의 신뢰성 및 제조수율을 향상시킬 수 있다.Therefore, the present invention can ensure the reliability of the capacitor itself of the semiconductor device, as well as improve the reliability and manufacturing yield of the semiconductor device.

Claims (9)

스토리지 노드 콘택이 구비된 실리콘 기판 상에 질화막과 캡산화막을 차례로 증착하는 단계;Sequentially depositing a nitride film and a cap oxide film on a silicon substrate having a storage node contact; 상기 질화막과 캡산화막을 식각하여 스토리지 노드 콘택을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;Etching the nitride layer and the cap oxide layer to form a contact hole exposing a storage node contact; 상기 콘택홀 표면에 금속 스토리지 전극을 형성하는 단계; Forming a metal storage electrode on a surface of the contact hole; 상기 금속 스토리지 전극 상에 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막을 증착하는 단계;Depositing a dielectric film having a triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 on the metal storage electrode; 상기 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막 상에 확산방지막으로 HfON막을 증착하는 단계;Depositing a HfON film as a diffusion barrier on the dielectric film having a triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 ; 상기 HfON막 상에 금속 플레이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.Forming a metal plate electrode on the HfON film; and forming a capacitor of a semiconductor device. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 금속 스토리지 전극은 CVD 공정에 따라 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 500 내지 650℃의 온도 조건에서 TiN막을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법. The metal storage electrode is formed by depositing a TiN film at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 500 to 650 ℃ according to the CVD process. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 금속 스토리지 전극은 Ru, Pt, Ir, Ru, RuO2, Ir, IrO2, SrRuO3로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.The metal storage electrode is formed of any one selected from the group consisting of Ru, Pt, Ir, Ru, RuO 2 , Ir, IrO 2 , SrRuO 3 . 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 HfO2/AL2O3/HfO2의 삼중막 구조로 이루어진 유전막은 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정에 따라 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 250 내지 350℃의 온도 조건에서 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.The dielectric film composed of the triple layer structure of HfO 2 / AL 2 O 3 / HfO 2 is deposited under a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 250 to 350 ° C. according to ALD (Atomic Layer Deposition) process. Capacitor Formation Method of Device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 HfON막은 플라즈마 원자층 증착(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition : PEALD) 방식에 따라 2 내지 10Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.The HfON film is a capacitor-forming method of the semiconductor device, characterized in that the deposition to a thickness of 2 to 10Å according to the Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 HfON막은, 0.1 내지 1 Torr의 압력 및 250 내지 350℃의 온도 조건에서, 원료물질로 Hf(NEtMe)4를 사용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.Wherein the HfON film is deposited using Hf (NEtMe) 4 as a raw material at a pressure of 0.1 to 1 Torr and a temperature of 250 to 350 ° C. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 HfON막은, 원료물질의 운반가스 및 퍼지가스로 N2 또는 Ar을 이용하고 상기 운반가스의 유량을 150 내지 250 sccm으로 하여 3 내지 10초 동안 플로우하여 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법. The HfON film is formed using a N 2 or Ar as a carrier gas and a purge gas of the raw material, and the deposition of the flow of the carrier gas at a flow rate of 150 to 250 sccm for 3 to 10 seconds to form a capacitor Way. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 HfON막은, 플라즈마 파워를 30 내지 500W로 하고, 산화제인 O3의 유량을 200 내지 500 sccm으로 하여 3 내지 10초동안 플로우하며, 플라즈마 처리시 N2O의 유량을 500 내지 2000sccm으로 하여 3 내지 10초동안 플로우하여 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법. The HfON film has a plasma power of 30 to 500 W, flow rate of oxidant O 3 at 200 to 500 sccm, and flows for 3 to 10 seconds, and at a plasma treatment, the flow rate of N 2 O is 3 to 500 to 2000 sccm. A method of forming a capacitor of a semiconductor device, characterized in that for 10 seconds flow. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 플레이트 전극은 CVD 방식에 따라 증착된 제1TiN막과 PVD 방식에 따라 증착된 제2TiN의 적층막 구조로서, 상기 제1TiN막은 200 내지 400Å의 두께로 증착되며, 상기 제2TiN막은 600 내지 1000Å의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 형성방법.The metal plate electrode is a laminated film structure of a first TiN film deposited by a CVD method and a second TiN deposited by a PVD method. A method for forming a capacitor of a semiconductor device, characterized in that deposited to a thickness.
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