KR20060075922A - Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치 - Google Patents

Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060075922A
KR20060075922A KR1020040115296A KR20040115296A KR20060075922A KR 20060075922 A KR20060075922 A KR 20060075922A KR 1020040115296 A KR1020040115296 A KR 1020040115296A KR 20040115296 A KR20040115296 A KR 20040115296A KR 20060075922 A KR20060075922 A KR 20060075922A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ray detector
sample
rays
vacuum
electrons
Prior art date
Application number
KR1020040115296A
Other languages
English (en)
Inventor
최경덕
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020040115296A priority Critical patent/KR20060075922A/ko
Priority to US11/214,116 priority patent/US7227143B2/en
Publication of KR20060075922A publication Critical patent/KR20060075922A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
    • H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/18—Vacuum control means
    • H01J2237/182—Obtaining or maintaining desired pressure
    • H01J2237/1825—Evacuating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/25—Tubes for localised analysis using electron or ion beams
    • H01J2237/2505—Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
    • H01J2237/2555—Microprobes, i.e. particle-induced X-ray spectrometry
    • H01J2237/2561—Microprobes, i.e. particle-induced X-ray spectrometry electron

Abstract

본 발명은 X선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시료로부터 방출되는 X선을 검출하여 성분 분석을 하기 위한 X선 검출기 및 주사전자현미경과 X선 검출기를 결합하여 구조 분석 및 성분 분석을 동시에 행하는 시료 분석 장치에 관한 것이다. 본 발명은 종래의 X선 검출기가 액체질소를 이용한 냉각기를 사용하는 대신에, 진공펌프를 사용함으로써, 액체질소의 보충 및 필터의 교환이 불필요한 X선 검출기를 제공한다.
X선 검출기, 주사전자현미경,

Description

Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치{X-Ray DETECTING DEVICE AND APPARATUS FOR ANALYSING A SAMPLE USING THE SAME}
도 1a는 종래 EDX의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
도 1b은 종래의 X선 검출기를 개략적으로 도시한 구성도,
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 시료 분석 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
도 2b는 본 발명에 따른 X선 검출기를 개략적으로 도시한 구성도, 및
도 3은 본 발명에 따른 시료 분석 장치의 구성을 개략적으로 도시한 구성도이다.
<도면 부호의 간단한 설명>
100 ... X선 검출기 120 ... 집속기
130 ... 전자트랩 140 ... 윈도우
150 ... 크리스탈 160 ... 전계효과 트랜지스터
200 ... 냉각기 300 ... 액화질소탱크
400 ... 진공펌프 500 ... 챔버
600 ... 스테이지 700 ... 주사전자현미경
720 ... 역산란전자 검출기 740 ... 이차전자 검출기
800 ... 제어모듈 S ... 시료
본 발명은 X선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시료로부터 방출되는 X선을 검출하여 성분 분석을 하기 위한 X선 검출기 및 주사전자현미경과 X선 검출기를 결합하여 구조 분석 및 성분 분석을 동시에 행하는 시료 분석 장치에 관한 것이다.
X선 검출기는 예컨대 EDX(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)와 같은 장치를 의미하며, 시료의 성분 분석과 같은 정성분석을 위해 일반적으로 활용된다. 전자가 시료에 충돌하면 여러 종류의 전자, 이온 및 특성 X선 등이 방출되는데, EDX 장치와 같은 X선 검출기는 방출된 특성 X선만을 따로 검출하여 빔의 에너지대별로 표시한다. 이 때, 이 특성 X선의 에너지의 세기는 물질이 갖는 고유한 값이므로, 이 에너지의 값을 미리 입력되어진 물질 마다의 특정값과 대조하여 컴퓨터가 일치하는 물질을 유추해 낸다.
근래에는 이러한 X선 검출기가 주사전자현미경과 함께 사용되는 경우가 있다. 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope)은 시료의 구조분석이 가능하고, 이를 위해 전자를 주사하기 때문에, 전자가 시료에 충돌할 때 발생되는 X선을 X선 검출기가 집속하도록 함으로써, 동시에 구조분석과 성분분석이 가능하게 되는 잇점이 있다.
도 1a는 종래 EDX의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1a를 참조하면, 종래 EDX는 컴프레셔(Cryo Compressor, 101), 필터(103), 고립 블럭(Isolation Block, 105), 쿨러 헤드(Cooler Head, 107), 매뉴얼 밸브(Manual Valve, 109), 전기적 고립자(Eletrical Isolator, 111), 메인 챔버(Main Chamber, 113), X선 검출기(100), I/O 패널(115) 및 EDX 랙(117)을 포함한다. 종래 EDX의 구성요소 중 특히 X선 검출기(100)에 대하여 도 1b를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1b는 종래의 X선 검출기(100)의 전형적인 구조를 도시한 도면이다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 종래의 X선 검출기(100)는, X선을 집속하는 집속기(Collimator)(120), 집속된 X선을 중에 포함된 전자를 제거하기 위해 전자트랩(Electron Trap)(130), X선 검출기(100)의 내부를 진공상태로 하기 위해 내부를 밀폐시키면서 X선을 투과시키는 윈도우(Window)(140), X선의 에너지에 대응하는 전류를 발생시키는 크리스탈(Crystal)(150), 및 크리스탈(150)에 의해 발생된 전류에 비례하는 전압신호를 생성하는 전계효과 트랜지스터(FET)(160)로 구성된다.
이 때, X선 검출기(100)의 핵심부품인 크리스탈(150)과 전계효과 트랜지스터(FET, 160)는 고온상태에서 노이즈의 발생이 심하기 때문에, 노이즈를 줄이기 위해 액체질소(LN2)로 냉각시켜 주어야 하고, 동시에 X선 검출기(100)의 내부는 밀폐되어 있고, 진공상태로 유지하여야 한다. X선 검출기(100)의 내부를 진공상태로 하는 이유는, 내부의 오염방지, 필라멘트의 산화방지, 및 방전 방지 등이 있다.
다만, 크리스탈(150)은 온도가 낮을수록 노이즈가 감소하는 반면에, 전계효 과 트랜지스터(160)는 일정한 온도까지는 온도가 낮을수록 노이즈가 감소하지만, 지나치게 온도가 낮으면 노이즈가 증가하기 때문에, 히터로 적정온도를 유지시켜야 한다. 도시되지는 않았지만, 히터가 X선 검출기(100)에 설치되고, 외부의 제어 모듈에 의해 제어된다.
상술한 바와 같이, X선 검출기(100)의 내부는 액체질소(LN2)로 냉각되어야 하는데, 이를 위해 냉각기(Cryostat)(200)가 X선 검출기(100)에 연결되어 있다.
냉각기(200)에는 액체질소가 충진되어 있는데, 일반적으로 하루에 약 1.1~1.3리터가 소모된다.
따라서, 소모된 액체질소를 보충하기 위해 액체질소탱크(300)로부터 주기적으로 액체질소를 보충하여야 한다. 이 때, 액체질소탱크(300)로부터 냉각기(200)로 액체질소를 이송하는 때에는 필터를 통과시켜 이물질의 유입을 방지한다.
이와 같이, 종래의 X선 검출기(100)는 냉각기(200)를 연결하여 사용함으로써, 액체질소와 필터를 주기적으로 보충 및 교체해 주어야 하는 불편함이 있다. 또, 이들은 소모품이기 때문에 유지보수 비용이 증가하는 요인이 되기도 한다.
본 발명은, 상술한 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 냉각기가 필요없는 X선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 구체적으로는, 냉각기 대신에 진공펌프를 X선 검출기에 연결함으로써, X선 검출기의 내부를 진공상태로 유지하도록 한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 시료로부터 방출되는 X선을 검출하여 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 X선 검출기는, X선을 집속하는 집속기; 상기 집속기에 의해 집속된 X선에 포함된 전자를 제거하기 위한 전자트랩; 상기 검출기 X선을 통과시키면서, 동시에 상기 X선 검출기의 내부를 진공으로 유지하기 위한 윈도우; 상기 윈도우를 투과한 X선을 수광하여 그 에너지에 비례한 전류를 유통시키는 크리스탈; 상기 크리스탈에 의해 흐르는 전류에 따른 전압신호를 생성하는 전계효과 트랜지스터; 및 상기 크리스탈 및 상기 전계효과 트랜지스터의 특성에 따른 노이즈 발생을 억제하기 위해, 상기 크리스탈 및 상기 전계효과 트랜지스터를 포함하는 내부 공간을 진공 상태로 만들기 위한 진공펌프;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 시료의 구조분석을 위한 주사전자현미경(SEM)과 X선을 이용한 성분분석을 행하기 위한 X선 검출기(EDX)를 포함하는 시료 분석 장치는, 진공상태의 챔버와; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 시료를 지지하는 스테이지와; 상기 시료의 표면에 전자를 조사하고, 방출되는 역산란전자 및 이차전차를 검출하는 주사전자현미경과; 상기 챔버 내에 설치되고, 상기 전자의 조사로 인해 발생되는 X선을 검출하는 X선 검출기와; 상기 X선 검출기와 연결되어 그 내부를 진공상태로 만들기 위한 진공펌프를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 진공펌프는, 상기 X선 검출기의 내부를 상기 챔버의 진공상태와 근사한 진공상태로 만들도록 석성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통해 보다 상세하게 설명하겠다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 시료 분석 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 검출기의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 시료 분석 장치는 쿨러 헤드(Cooler Head, 107), 매뉴얼 밸브(Manual Valve, 109), 전기적 고립자(Eletrical Isolator, 111), 메인 챔버(Main Chamber, 113), 진공 펌프(400), X선 검출기(100), I/O 패널(115) 및 EDX 랙(117) 등을 포함한다. 도 1a와 동일한 부분에 대해서는 구체적인 설명을 생략하기로 한다.
본 실시예에 따른 X선 검출기(100)는 종래의 냉각기(200) 대신에 진공펌프(40)를 구비하고 있다. 상기 진공 펌프는 TMP(Turbo Molecular Pump)인 것이 바람직한다. 본 실시예에서의 X선 검출기(100) 또한, 도시하지는 않았지만, X선을 집속하는 집속기, 집속된 X선을 중에 포함된 전자를 제거하기 위해 전자트랩, X선 검출기(100)의 내부를 진공상태로 하기 위해 내부를 밀폐시키면서 X선을 투과시키는 윈도우, X선의 에너지에 대응하는 전류를 발생시키는 크리스탈, 및 크리스탈에 의해 발생된 전류에 비례하는 전압신호를 생성하는 전계효과 트랜지스터를 포함하여 구성된다. 다만, 이들 구성요소의 구조 및 기능은 도 1에서 설명한 것과 동일하므로 중복 설명은 생략하도록 하겠다.
본 실시예에서의 X선 검출기(100)는 액체질소를 이용하는 냉각기(200)를 구 비하고 있지 않다. 대신에, TMP(Turbo molecular Pump)와 같은 진공펌프(400)를 구비하고 있다. 진공펌프(400)는 X선 검출기(100)의 내부, 보다 정확하게는, 크리스탈과 전계효과 트랜지스터를 포함하는 내부 공간으로서 윈도우에 의해 밀폐되어 있는 공간을 진공상태로 만들기 위해 사용된다. 진공상태를 만들기 위한 진공펌프(400)의 제어는 도 3에서 후술하는 제어 모듈(800)에 의해 수행되는 것이 가능하다. 이러한 구성에 의해, 종래의 냉각기를 사용하지 않아도 되기 때문에, 액체질소 및 필터의 보충 및 교체로 인한 작업수의 증가를 억제할 수 있고, 또 유지보수비용을 현저하게 감소시킬 수 있게 된다.
도 3은 상술한 X선 검출기(100)를 이용한 시료 분석 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
이 실시예에서는, 주사전자현미경(700)에 의한 구조분석과 X선 검출기(100)에 의한 성분분석을 동시에 행할 수 있는 시료 분석 장치를 제공한다.
분석 대상은 여러 가지가 될 수 있으나, 대표적으로 여기서의 '시료'라 함은 반도체 장치을 의미한다고 할 수도 있다. 따라서, 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼의 분석을 위한 장치를 예로서 설명하도록 하겠다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 시료 분석 장치는 진공상태의 챔버(500)를 구비하고 있다. 이 챔버(500) 내에는 시료(S), 예컨대 반도체 웨이퍼를 장착하는 스테이지(600)가 구비되어 있고, 이 시료(S)에 대한 구조분석을 행하는 주사전자현미경(700)이 설치되어 있으며, 동시에 시료(S)에 대한 성분분석을 행하는 X선 검출기(100)가 설치되어 있다. 주사전자현미경(700)은, 도시되지는 않았 지만, 전자를 방출하는 전자총, 방출된 전자를 시료(S) 상에 조사하기 위한 전자렌즈계를 포함하여 구성되어 있다. 주사전자현미경(70)으로부터 방출된 전자는 시료(S)에 충돌하게 되고, 이 충돌로 인해, 역산란전자, 이차전자, 및 특성 X선이 방출된다. 그러면, 역산란전자는 역산란전자 검출기(720)가 검출하고, 이차전자는 이차전자 검출기(740)가 검출하며, 특성 X선은 X선 검출기(100)가 검출한다. 역산란전자 검출기(720) 및 이차전자 검출기(740)는 그 검출된 역산란전자 및 이차전자에 대응하는 신호를 생성하여 출력하고, 도시되지 않은 컴퓨터 등에 의해 시료(S)의 표면 구조를 이미지로 형상화한다.
X선 검출기(100)는 특성 X선에 대응하는 신호를 출력하고, 제어 모듈(800) 또는 제어 모듈(800)과 연결된 컴퓨터 등에 의해 그 성분을 분석하게 된다. 이 때, 챔버는 이물질의 유입을 방지하고, 전자의 가속과 방출을 효과적으로 유도하며, 검출 감도를 향상시키기 위해, 통상 약 10-6 ~ 10-7 Torr의 진공상태로 유지된다. 물론, 도시되지는 않았지만, 이러한 진공상태를 만들기 위한 진공펌프 등이 설치된다. 이 때, X선 검출기(100)도 진공펌프(400)를 구비하고 있는데, 제어 모듈(800)의 제어를 받아, X선 검출기(100)의 내부를 일정한 진공상태로 유지한다. 바람직하게는, 챔버(500)와 동일 또는 근접한 정도의 진공상태를 유지하는 것이 좋다.
도시되지는 않았지만, 앞서 설명한 바와 같이, X선 검출기(100)의 전계효과 트랜지스터는 온도가 지극히 낮으면 오히려 노이즈가 증가하기 때문에, 히터에 의해 일정한 온도로 조정되어야 한다. 따라서, 히터가 X선 검출기(100)에 설치되고, 이 히터에 의한 온도제어는 제어 모듈(800)에서 행한다.
이상에서는, 본 발명의 실시예에 따른 시료 분석 장치에 대해 설명하였는데, 이하에서는 이 시료 분석 장치의 동작을 간단히 설명하겠다.
먼저, 본 발명에 따른 시료 분석 장치의 챔버(500) 내에 웨이퍼와 같은 시료(S)를 스테이지(600)에 장착한다. 다음으로, 챔버(500)의 내부를 진공상태로 만든다. 이를 위해, 진공펌프를 이용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 챔버(500)의 내부를 진공상태로 만들었으면, 다음은 X선 검출기(100)의 내부도 진공상태로 만든다. 이 때, 상술한 바와 같이, X선 검출기(100)의 내부의 진공도는 챔버(500)이 내부의 진공도와 동일 또는 근접하게 하는 것이 좋다. 이를 위해, 챔버(500)의 내부를 진공상태로 만들기 위한 진공펌프와 X선 검출기(100)의 내부를 진공상태로 만들기 위한 진공펌프를 연관시켜 제어하는 것이 좋다. 다음으로, 주사전자현미경(700)을 이용하여 전자를 방출하고, 방출된 전자는 시료(S)의 표면에 충돌하게 된다. 그러면, 역산란전자, 이차전자, 및 X선이 방출된다. 다음으로, 역산란전자 검출기(720)에 의해 역산란전자를 검출하고, 이차전자 검출기(740)에 의해 이차전자를 검출한다. 검출결과에 따른 신호는 컴퓨터 등에 보내어져 시료의 표면을 이미지로 형상화하여 표시하도록 처리된다. 이와 동시에, 방출된 X선은 X선 검출기(100)에 의해 검출되고, 그 검출결과에 따른 신호는 컴퓨터 등에 보내어져 시료의 성분을 분석하고 표시한다.
이상에서는, 본 발명에 따른 실시예를 가지고 본 발명을 설명하였다. 실시예는 본 발명의 일례로서 제시된 것이며, 이것이 본 발명을 특별히 한정하는 것은 아니다. 본 발명의 한정은 본 출원의 청구범위에 의해서만 가능할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 X선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치를 이용하면, 먼저, 냉각기를 사용하지 않기 때문에, 액체질소를 이용할 필요도 없게 된다. 그러면, 하루에 약 1.1~1.3리터의 액체질소를 소모할 필요가 없게 되므로, 그에 대응하는 비용이 절감된다.
아울러, 액체질소를 사용할 필요가 없게 되므로, 이를 보충하기 위한 액체질소탱크를 구비할 필요도 없게 된다. 따라서, 액체질소탱크의 설치를 위한 비용도 절감되고, 무엇보다 장치의 전체 부피가 현저하게 감소된다.
또한, 필터의 사용도 더이상 불필요하게 되므로, 소모품 비용을 줄일 수 있다.
또한, 액체질소의 보충과 필터의 교환을 위한 작업이 생략되므로, 그에 상응하는 만큼의 작업수가 감소되고, 아울러, 생산성도 향상되게 된다.

Claims (3)

  1. 시료로부터 방출되는 X선을 검출하여 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 X선 검출기로서,
    X선을 집속하는 집속기;
    상기 집속기에 의해 집속된 X선에 포함된 전자를 제거하기 위한 전자트랩;
    상기 검출기 X선을 통과시키면서, 동시에 상기 X선 검출기의 내부를 진공으로 유지하기 위한 윈도우;
    상기 윈도우를 투과한 X선을 수광하여 그 에너지에 비례한 전류를 유통시키는 크리스탈;
    상기 크리스탈에 의해 흐르는 전류에 따른 전압신호를 생성하는 전계효과 트랜지스터; 및
    상기 크리스탈 및 상기 전계효과 트랜지스터의 특성에 따른 노이즈 발생을 억제하기 위해, 상기 크리스탈 및 상기 전계효과 트랜지스터를 포함하는 내부 공간을 진공 상태로 만들기 위한 진공펌프;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 검출기.
  2. 시료의 구조분석을 위한 주사전자현미경(SEM)과 X선을 이용한 성분분석을 행하기 위한 X선 검출기(EDX)를 포함하는 시료 분석 장치로서,
    진공상태의 챔버와;
    상기 챔버 내에 설치되고, 상기 시료를 지지하는 스테이지와;
    상기 시료의 표면에 전자를 조사하고, 방출되는 역산란전자 및 이차전차를 검출하는 주사전자현미경과;
    상기 챔버 내에 설치되고, 상기 전자의 조사로 인해 발생되는 X선을 검출하는 X선 검출기와;
    상기 X선 검출기와 연결되어 그 내부를 진공상태로 만들기 위한 진공펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 시료 분석 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 진공펌프는, 상기 X선 검출기의 내부를 상기 챔버의 진공상태와 근사한 진공상태로 만드는 것을 특징으로 하는 시료 분석 장치.
KR1020040115296A 2004-12-29 2004-12-29 Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치 KR20060075922A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115296A KR20060075922A (ko) 2004-12-29 2004-12-29 Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치
US11/214,116 US7227143B2 (en) 2004-12-29 2005-08-29 X-ray detecting devices and apparatus for analyzing a sample using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115296A KR20060075922A (ko) 2004-12-29 2004-12-29 Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060075922A true KR20060075922A (ko) 2006-07-04

Family

ID=36610307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040115296A KR20060075922A (ko) 2004-12-29 2004-12-29 Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7227143B2 (ko)
KR (1) KR20060075922A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180116190A (ko) 2018-10-16 2018-10-24 경희대학교 산학협력단 밴드 옵셋 구조를 포함하는 엑스선 검출기

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009008063A1 (de) 2009-02-09 2010-08-19 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenstrahlsystem
CN103887134B (zh) * 2009-05-15 2017-01-11 Fei 公司 带集成探测器的电子显微镜
EP2454039B1 (en) 2009-07-15 2014-09-03 Arcam Ab Method for producing three-dimensional objects
DE102009036701A1 (de) 2009-08-07 2011-03-03 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenstrahlsystem und Untersuchungsverfahren hierzu
US10144063B2 (en) 2011-12-28 2018-12-04 Arcam Ab Method and apparatus for detecting defects in freeform fabrication
CN104066536B (zh) 2011-12-28 2016-12-14 阿卡姆股份公司 用于制造多孔三维物品的方法
US9718129B2 (en) 2012-12-17 2017-08-01 Arcam Ab Additive manufacturing method and apparatus
US9676032B2 (en) 2013-09-20 2017-06-13 Arcam Ab Method for additive manufacturing
US10434572B2 (en) 2013-12-19 2019-10-08 Arcam Ab Method for additive manufacturing
US9802253B2 (en) 2013-12-16 2017-10-31 Arcam Ab Additive manufacturing of three-dimensional articles
US10130993B2 (en) 2013-12-18 2018-11-20 Arcam Ab Additive manufacturing of three-dimensional articles
US9789541B2 (en) 2014-03-07 2017-10-17 Arcam Ab Method for additive manufacturing of three-dimensional articles
US20150283613A1 (en) 2014-04-02 2015-10-08 Arcam Ab Method for fusing a workpiece
US20160167303A1 (en) 2014-12-15 2016-06-16 Arcam Ab Slicing method
US9406483B1 (en) * 2015-01-21 2016-08-02 Arcam Ab Method and device for characterizing an electron beam using an X-ray detector with a patterned aperture resolver and patterned aperture modulator
US11014161B2 (en) 2015-04-21 2021-05-25 Arcam Ab Method for additive manufacturing
US10807187B2 (en) 2015-09-24 2020-10-20 Arcam Ab X-ray calibration standard object
US11571748B2 (en) 2015-10-15 2023-02-07 Arcam Ab Method and apparatus for producing a three-dimensional article
US10525531B2 (en) 2015-11-17 2020-01-07 Arcam Ab Additive manufacturing of three-dimensional articles
US10610930B2 (en) 2015-11-18 2020-04-07 Arcam Ab Additive manufacturing of three-dimensional articles
US11247274B2 (en) 2016-03-11 2022-02-15 Arcam Ab Method and apparatus for forming a three-dimensional article
US11325191B2 (en) 2016-05-24 2022-05-10 Arcam Ab Method for additive manufacturing
US10549348B2 (en) 2016-05-24 2020-02-04 Arcam Ab Method for additive manufacturing
US10525547B2 (en) 2016-06-01 2020-01-07 Arcam Ab Additive manufacturing of three-dimensional articles
US9972474B2 (en) 2016-07-31 2018-05-15 Fei Company Electron microscope with multiple types of integrated x-ray detectors arranged in an array
US10792757B2 (en) 2016-10-25 2020-10-06 Arcam Ab Method and apparatus for additive manufacturing
US10987752B2 (en) 2016-12-21 2021-04-27 Arcam Ab Additive manufacturing of three-dimensional articles
US11059123B2 (en) 2017-04-28 2021-07-13 Arcam Ab Additive manufacturing of three-dimensional articles
US11292062B2 (en) 2017-05-30 2022-04-05 Arcam Ab Method and device for producing three-dimensional objects
US20190099809A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Arcam Ab Method and apparatus for additive manufacturing
US10529070B2 (en) 2017-11-10 2020-01-07 Arcam Ab Method and apparatus for detecting electron beam source filament wear
US11072117B2 (en) 2017-11-27 2021-07-27 Arcam Ab Platform device
US10821721B2 (en) 2017-11-27 2020-11-03 Arcam Ab Method for analysing a build layer
US11517975B2 (en) 2017-12-22 2022-12-06 Arcam Ab Enhanced electron beam generation
US11267051B2 (en) 2018-02-27 2022-03-08 Arcam Ab Build tank for an additive manufacturing apparatus
US11458682B2 (en) 2018-02-27 2022-10-04 Arcam Ab Compact build tank for an additive manufacturing apparatus
US11400519B2 (en) 2018-03-29 2022-08-02 Arcam Ab Method and device for distributing powder material
CN111965110A (zh) * 2020-08-12 2020-11-20 中国科学院上海高等研究院 一种紧凑式多功能真空实验系统

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627245A (ja) * 1992-04-28 1994-02-04 Philips Electron Nv Ｘ線分析装置およびこのようなｘ線分析装置に用いるに好適な検出器読み取り回路手段
US5903004A (en) * 1994-11-25 1999-05-11 Hitachi, Ltd. Energy dispersive X-ray analyzer
US6479818B1 (en) * 1998-09-17 2002-11-12 Thermo Noran Inc. Application of x-ray optics to energy dispersive spectroscopy

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180116190A (ko) 2018-10-16 2018-10-24 경희대학교 산학협력단 밴드 옵셋 구조를 포함하는 엑스선 검출기

Also Published As

Publication number Publication date
US20060138325A1 (en) 2006-06-29
US7227143B2 (en) 2007-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20060075922A (ko) Ｘ선 검출기 및 이를 이용한 시료 분석 장치
KR101752164B1 (ko) 하전 입자선 장치 및 시료 화상 취득 방법
US8393197B2 (en) Method and apparatus for the measurement of atmospheric leaks in the presence of chamber outgassing
US11289315B1 (en) Sputter ion pump with penning-trap current sensor
US8531664B2 (en) Particle number measurement method
US7635842B2 (en) Method and instrument for chemical defect characterization in high vacuum
JP2003332098A (ja) Ｘ線発生装置
US9601310B2 (en) Charged particle microscope with barometric pressure correction
US20150213999A1 (en) Charged Particle Beam Apparatus
JP5415420B2 (ja) 発光分光法により低圧ガスを分析するためのシステム
JP2000214092A (ja) 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備
JP4262709B2 (ja) Ｘ線用ガスフロー型比例計数管を備えるｘ線分析装置およびｘ線用ガスフロー型比例計数管の使用方法。
KR101922004B1 (ko) 이온 비임 생성을 위한 혁신적인 소스 조립체
JP6458011B2 (ja) 空気中でのｘ線分析
US10651007B2 (en) Cryogenic cell for mounting a specimen in a charged particle microscope
US6914386B2 (en) Source of liquid metal ions and a method for controlling the source
JP2001349852A (ja) チャンバー開放型蛍光ｘ線分析装置
JP2001050916A (ja) 仕事関数測定法および仕事関数測定装置
KR102646592B1 (ko) 하전 입자 빔 장치, 주사 전자 현미경, 및 하전 입자 빔 장치를 작동시키는 방법
US20240085374A1 (en) Partial pressure gauge assembly for process contaminant detection using photoionization and associated method
JP4401828B2 (ja) グロー放電発光分光分析装置
JPH11307031A (ja) 分析電子顕微鏡
JP2001283761A (ja) 荷電粒子ビーム装置
Bähr Low energy high brilliance beam characterization
KR20030096762A (ko) 피.브이.디 챔버내 진공을 위한 콜드 트랩의 온도 실시간모니터링 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application