KR20060073232A - 포토 마스크의 구조 - Google Patents

포토 마스크의 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20060073232A
KR20060073232A KR1020040112367A KR20040112367A KR20060073232A KR 20060073232 A KR20060073232 A KR 20060073232A KR 1020040112367 A KR1020040112367 A KR 1020040112367A KR 20040112367 A KR20040112367 A KR 20040112367A KR 20060073232 A KR20060073232 A KR 20060073232A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
frame
photomask
photo mask
pellicle
adsorption layer
Prior art date
Application number
KR1020040112367A
Other languages
English (en)
Inventor
최용규
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020040112367A priority Critical patent/KR20060073232A/ko
Publication of KR20060073232A publication Critical patent/KR20060073232A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 포토 마스크의 구조에 관한 것으로, 포토 마스크와, 상기 포토 마스크의 일면상에 접착된 프레임과, 상기 프레임의 측면 일부에 위치하는 홀과, 상기 홀이 위치하는 프레임의 외측에 접하는 필터와, 상기 프레임의 상부에서 상기 포토 마스크와 평행하게 접합되는 펠리클과, 상기 프레임의 내측면에 위치하는 흡착층으로 구성된다. 이와 같이 구성된 본 발명은 포토 마스크와 펠리클을 프레임에 의해 접착 고정한 포토 마스크 구조에 있어서, 그 포토 마스크와 펠리클이 이루는 공간 중 프레임에 인접한 부분과, 그 프레임의 내측면에 흡착층을 마련하여 외기에서 유입되는 이온성 분자 가스와 내측에서 생성되는 이온성 분자 가스를 흡착함으로써, 포토 마스크 패턴에 이온성 분자 가스에 의한 결정이 성장하는 것을 방지하여, 포토 마스크의 수명을 증가시키는 효과가 있다.
포토마스크, 펠리클, 프레임, 흡착층

Description

포토 마스크의 구조{structure for photo mask}
도 1은 종래 포토 마스크 구조의 평면도.
도 2는 종래 포토 마스크 구조의 단면도.
도 3은 본 발명에 따르는 포토 마스크 구조의 평면도.
도 4는 본 발명에 따르는 포토 마스크 구조의 단면도.
-- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 --
1:포토 마스크 2:프레임
3:홀 4:필터
5:펠리클 6:흡착층
본 발명은 포토 마스크의 구조에 관한 것으로, 특히 포토 마스크의 일면에 펠리클(pellicle)이 접착된 포토 마스크 구조에서 그 접착부분에 불순물 흡착층을 더 마련하여 포토 마스크의 오염을 방지할 수 있는 포토 마스크의 구조에 관한 것 이다.
일반적으로 포토 마스크를 제조한 후, 그 포토 마스크가 오염되는 것을 방지하기 위해 석영판이 펠리클을 포토 마스크의 일면에 접착시킨다.
상기 포토 마스크와 펠리클의 사이에는 프레임이 마련되어 그 프레임의 양면에 도포된 접착제에 의해 포토 마스크와 펠리클이 접착 고정된다.
상기 프레임은 밀폐형 이거나 공기가 흐를 수 있도록 홀을 가지는 구조이다.
상기 홀을 가지는 구조에서는 미세한 홀을 통해 이물이 유입될 수 있어, 그 홀에는 필터가 구비되며, 이와 같은 종래 포토 마스크의 구조를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 포토 마스크의 평면 구성도이고, 도 2는 그 측면도 및 필터부분의 확대도로서, 이에 도시한 바와 같이 포토 마스크(1)의 일면에 접착제에 의해 접착되는 프레임(2)과, 상기 프레임(2)의 일측면에 형성된 홀(3)의 외측에 부착된 필터(4)와, 상기 프레임(2)의 상면에 접착제에 의해 접착된 펠리클(5)로 구성된다.
이와 같은 구성에서 상기 필터(4)는 파티클, 먼지 등의 비교적 큰 이물은 필터링할 수 있으나, 이온성 분자 가스의 유입은 방지할 수 없다.
따라서 외부의 솔벤트, NH3 +, SO4, SOx등의 이온이나, NH3 +, SO4 -등의 공정에서 사용하는 약액의 잔존물, 펠리클(5)의 제조에 사용하는 각종 유기물로 부터 유출되는 가스들이 포토 마스크를 이용한 노광공정에서 조사하는 자외선에 의해 유출되어 마스크 표면에 이물을 형성하여 포토 마스크(1)의 수명을 단축시킨다.
그 예로 NH3 +와 SO4 -는 광을 촉매로 하여 (NH3) 2SO4를 생성하며, 이는 결정성 파티클이 되어 빛의 투과을 방해하기 때문에 포토 마스크의 수명을 단축시키는 원인이 된다.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 외부로 부터 포토 마스크와 펠리클의 사이공간으로 유입되거나, 포토 마스크를 이용한 노광공정에서 발생하는 이온들이 포토 마스크의 패턴 부분에 흡착되는 것을 방지할 수 있는 포토 마스크의 구조를 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 포토 마스크와, 상기 포토 마스크의 일면상에 접착된 프레임과, 상기 프레임의 측면 일부에 위치하는 홀과, 상기 홀이 위치하는 프레임의 외측에 접하는 필터와, 상기 프레임의 상부에서 상기 포토 마스크와 평행하게 접합되는 펠리클과, 상기 프레임의 내측면에 위치하는 흡착층으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 구조를 제공한다.
여기서, 상기 흡착층은 프레임의 내측면과 인접한 포토 마스크와 펠리클에도 위치하는 것이 바람직하고, 상기 흡착층은 도포된 탄소막층인 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되는 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 따르는 포토 마스크의 평면도이고, 도 4는 그 측단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 포토 마스크(1)의 일면에 접착제에 의해 접착되는 프레임(2)과, 상기 프레임(2)의 일측면에 형성된 홀(3)의 외측에 부착된 필터(4)와, 상기 프레임(2)의 상면에 접착제에 의해 접착된 펠리클(5)과, 상기 프레임(2)의 내측과 그 프레임(2)과 인접한 포토 마스크(1)와 펠리클(5) 사이 공간에 위치하는 흡착층(6)으로 구성된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 구조 및 그 작용을 보다 상세히 설명한다.
상기 포토 마스크(1)는 광을 투과하는 기판 상에 광을 차단하는 패턴이 형성된 것으로, 그 포토 마스크(1)를 제조한 후 오염을 방지하기 위하여 프레임(2)을 사이에 두고, 소정 간격 이격되어 펠리클(5)과 접착 고정된다.
상기 프레임(2)의 측면에는 공기의 순환을 위한 홀(3)이 마련되며, 그 홀(3)의 외측에는 필터(4)가 부착된다.
또한, 상기 프레임(2)의 내측과, 상기 포토 마스크(1)와 펠리클(5)이 이루는 공간의 프레임(2)과 인접한 부분에는 흡착층(6)이 마련된다.
상기 흡착층(6)은 탄소막을 도포하여 형성한다.
상기 필터(4)는 외부에서 상기 포토 마스크(1)와 펠리클(5)이 이루는 공간으로 유입되는 비교적 큰 오염물질을 필터링한다.
이때, 상기 필터(4)는 이온성의 분자 가스는 필터링할 수 없으며, 그 이온성의 분자 가스는 포토 마스크(1)와 펠리클(5)의 사이 공간으로 유입되어 포토 마스크(1)의 패턴부분에 흡착되어 결정화 되어 포토 마스크(1)의 수명을 단축시킨다.
또한, 상기 펠리클(5)의 제조에 사용되는 유기물로부터 유출되는 가스 등에 의해서도 포토 마스크(1)의 패턴 부분에 결정이 성장하여 포토 마스크(1)의 수명을 단축시키는 원인이 된다.
상기와 같은 외부에서 유입되는 이온성 분자 가스 또는 상기 포토 마스크(1)와 펠리클(5) 사이에서 발생하는 이온성 분자 가스를 상기 흡착층(6)을 이용하여 흡착한다.
상기 흡착층(6)은 외인성 또는 내인성의 이온성 분자 가스를 흡착하여 그 표면에 결정이 형성될 수 있으나, 이는 포토 마스크(1)의 수명에는 영향을 주지 않는 위치에 있어 포토 마스크(1)가 오염되는 것을 방지할 수 있게 된다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.
상기한 바와 같이 본 발명은 포토 마스크와 펠리클을 프레임에 의해 접착 고정한 포토 마스크 구조에 있어서, 그 포토 마스크와 펠리클이 이루는 공간 중 프레 임에 인접한 부분과, 그 프레임의 내측면에 흡착층을 마련하여 외기에서 유입되는 이온성 분자 가스와 내측에서 생성되는 이온성 분자 가스를 흡착함으로써, 포토 마스크 패턴에 이온성 분자 가스에 의한 결정이 성장하는 것을 방지하여, 포토 마스크의 수명을 증가시키는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 포토 마스크와,
    상기 포토 마스크의 일면상에 접착된 프레임과,
    상기 프레임의 측면 일부에 위치하는 홀과,
    상기 홀이 위치하는 프레임의 외측에 접하는 필터와,
    상기 프레임의 상부에서 상기 포토 마스크와 평행하게 접합되는 펠리클과,
    상기 프레임의 내측면에 위치하는 흡착층으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 구조.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 흡착층은 프레임의 내측면과 인접한 포토 마스크와 펠리클에도 위치하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 구조.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 흡착층은 도포된 탄소막층인 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 구조.
KR1020040112367A 2004-12-24 2004-12-24 포토 마스크의 구조 KR20060073232A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040112367A KR20060073232A (ko) 2004-12-24 2004-12-24 포토 마스크의 구조

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040112367A KR20060073232A (ko) 2004-12-24 2004-12-24 포토 마스크의 구조

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060073232A true KR20060073232A (ko) 2006-06-28

Family

ID=37166345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040112367A KR20060073232A (ko) 2004-12-24 2004-12-24 포토 마스크의 구조

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060073232A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100746864B1 (ko) 포토리소그래피 포토마스크의 보호용 프레임식 펠리클
KR101080531B1 (ko) 마스크 블랭크 수납용 컨테이너, 마스크 블랭크 수납 방법, 및 마스크 블랭크 패키지
JP4802937B2 (ja) フォトマスクの洗浄方法
EP1866094B1 (en) Environmental control in a reticle smif pod
KR100315961B1 (ko) 포토마스크의방진보호용프레임-지지펠리클
US8192899B2 (en) Pellicle for photolithography
CN101788770A (zh) 组装薄胶膜于光掩模上的方法、设备及其组装体
JP2013195950A (ja) ベルクル及びフォトマスク
JP2009139879A (ja) ペリクル
KR20060073232A (ko) 포토 마스크의 구조
JP2003057804A (ja) リソグラフィ用ペリクル
CN218446366U (zh) 光罩
CN218446368U (zh) 光罩
CN218446367U (zh) 光罩
KR20040001785A (ko) 포토마스크용 펠리클의 필터구조
JP2000286187A (ja) 露光装置、該露光装置に用いるマスク構造体、露光方法、前記露光装置を用いて作製された半導体デバイス、および半導体デバイス製造方法
JP2009008474A (ja) 汚染物質の分析方法及び捕集器
KR20100137819A (ko) 펠리클용 프레임 및 마스크용 펠리클 어셈블리
TWM616807U (zh) 用於吸收光罩保護膜黏膠中污染物質的光罩保護組件
JP2006339346A (ja) 露光装置
KR20060118180A (ko) 헤이즈 디펙트 방지를 위한 레티클
KR20060069607A (ko) 포토마스크의 펠리클 프레임
KR20050068967A (ko) 레티클 오염을 방지하는 펠리클 및 그 제조방법
KR20080062760A (ko) 펠리클 접착제 제거를 위한 자외선 장치
KR20050068474A (ko) 화학여과기가 구비된 반도체 제조용 펠리클

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination