KR20060035147A - 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 기판, 복수의 픽셀들, 평탄화막 및 패시베이션막을 포함한다. 상기 기판은 액티브 영역의 주변부에 형성된 요부들을 가지며, 상기 픽셀들은 상기 액티브 영역에 형성된다. 상기 평탄화막은 상기 픽셀들을 덮도록 형성되고, 상기 패시베이션막은 상기 평탄화막 및 상기 요부들을 가지는 기판 위에 형성된다. 상기 유기 전계 발광 소자는 요부들이 형성된 기판 위에 상기 픽셀들, 평탄화막 및 패시베이션막을 순차적으로 형성함에 의해 산소 또는 수분이 내부로 침투할 수 있는 경로를 연장시키므로, 산소 또는 수분은 상기 패시베이션막의 내부로 침투하지 못한다.
유기 전계 발광 소자, 평탄화막, 패시베이션막

Description

유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1a는 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1b는 종래의 제 2 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2a의 A 부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 2c는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2a의 A부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법을 도시한 평면도들이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 소정의 전압이 인가된 경우 특정 파장의 빛을 발생시키는 소자로서, 종래에는 이하의 유기 전계 발광 소자들이 개발되었었다.
도 1a는 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1a를 참조하면, 상기 제 1 유기 전계 발광 소자는 복수의 픽셀들(30), 게터(getter, 50) 및 셀캡(70)을 포함한다.
각 픽셀들(30)은 기판(10) 위에 순차적으로 형성된 인듐주석산화물층(100), 유기물층(120) 및 금속전극층(140)을 포함한다.
인듐주석산화물층(100)에 양의 전압이 인가되고 금속전극층(140)에 음의 전압이 인가된 경우, 유기물층(120)은 특정 파장의 빛을 발생시킨다.
게터(50)는 내부에 있는 산소(O2) 또는 수분(H2O)을 제거한다. 여기서, 게터(50)는 셀캡(70)에 부착된다.
셀캡(70)은 픽셀들(30)을 덮어서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 셀캡(70)의 내부로 침투하는 것을 방지한다. 또한, 셀캡(70)에는 게터(50)와 금속전극층이 접촉되는 것을 방지하기 위한 공간이 확보되어야 하며, 이로 인하여 셀캡(70)의 두께가 증가되었다.
최근에 핸드폰 등은 가볍고 두께가 얇아지고 있다. 그러므로, 이에 부합하기 위해, 핸드폰 등의 디스플레이 소자로서 사용되는 유기 전계 발광 소자도 얇아져야 했다. 그러나, 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자는 게터(50)를 부착한 셀캡(70)을 사용하므로, 두께가 두꺼워지게 되어 최근의 추세에 부합되지 못하였다.
그래서, 이하의 제 2 유기 전계 발광 소자가 개발되었다.
도 1b는 종래의 제 2 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1b를 참조하면, 상기 제 2 유기 전계 발광 소자는 픽셀들(30), 평탄화막(Planarization Layer, 200) 및 패시베이션막(Passivation Layer, 220)을 포함한다.
평탄화막(200)은 픽셀들(30) 위에 형성되어 픽셀들(30)과 패시베이션막(220) 사이의 접착력을 강화시킨다.
패시베이션막(220)은 평탄화막(200) 위에 형성되고, 그래서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(220)의 내부 공간으로 침투하는 것을 방지한다. 그러나, 패시베이션막(220)과 기판(10)이 접착되는 부분 중 패시베이션막(220)의 에지(edge) 부분은 두께가 얇고 공정 특성상 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있었다. 그 결과, 픽셀들(30)에 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투되어 픽셀들(30)의 발광 영역이 점차적으로 줄어들고, 결국은 픽셀들(30)은 발광하지 못하였다.
그러므로, 얇은 두께를 가지면서 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자가 요구된다.
본 발명의 목적은 산소 또는 수분이 픽셀들에 영향을 미치지 않도록 산소 또는 수분의 침투를 방지하는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판, 복수의 픽셀들, 평탄화막 및 패시베이션막을 포함한다. 상기 기판은 액티브 영역의 주변부에 형성된 요부들을 가지며, 상기 픽셀들은 상기 액티브 영역에 형성된다. 상기 평탄화막은 상기 픽셀들을 덮도록 형성되고, 상기 패시베이션막은 상기 평탄화막 및 상기 요부들을 가지는 기판 위에 형성된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법은 기판을 패터닝하여 액티브 영역의 주변부에 복수의 요부들을 형성하는 단계, 상기 액티브 영역에 복수의 픽셀들을 형성하는 단계, 상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계 및 상기 평탄화막 및 상기 요부들이 형성된 기판 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법은 기판의 액티브 영역에 복수의 픽셀들을 형성하는 단계, 상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계, 상기 평탄화막의 주변부에서 상기 기판을 패터닝하여 복수의 요부들을 형성하는 단계 및 상기 평탄화막 및 상기 요부들이 형성된 기판 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 요부들이 형성된 기판 위에 상기 픽셀들, 평탄화막 및 패시베이션막을 순차적으로 형성함에 의해 산소 또는 수분이 내부로 침투할 수 있는 경로를 연장시키므로, 산소 또는 수분은 상기 패시베이션막의 내부로 침투하지 못한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 셀캡 대신에 평탄화막 및 패시베이션막을 사용하므로, 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이고, 도 2b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2a의 A 부분을 확대하여 도시한 도면이다. 도 2c는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2a의 A부분을 확대하여 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(300), 픽셀들(30), 평탄화막(Planarization Layer, 320) 및 패시베이션막(Passivation Layer, 340)을 포함한다.
기판(300)은 픽셀들(30)이 형성되는 액티브 영역의 주변부에 형성된 요부들(310)을 포함한다.
픽셀들(30)은 도 2a에 도시된 바와 같이 요부들(310)이 형성된 기판(300) 위 에, 구체적으로는 상기 액티브 영역에 형성된다. 상세하게는, 픽셀들(30)은 기판(300) 위에 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film, 100, 이하 "ITO층"이라 함), 유기물층(120) 및 금속전극층(140)이 순차적으로 증착됨에 의해 형성된다.
ITO층(100)은 애노드(anode)에 상응하며, 소정의 양의 전압이 인가된 경우 정공들을 유기물층(120)에 제공한다.
금속전극층(140)은 캐소드(cathode)에 상응하며, 소정의 음의 전압이 인가된 경우 전자들을 유기물층(120)에 제공한다.
유기물층(120)은 ITO층(100)위에 순차적으로 형성된 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL) 및 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다. 또는, 유기물층(120)은 ITO층(100)위에 순차적으로 형성된 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함한다.
ITO층(100)에 소정의 양의 전압이 인가되고 금속전극층(140)에 소정의 음의 전압이 인가된 경우, 상기 정공주입층은 ITO층(100)으로부터 제공된 정공들을 상기 정공수송층으로 원활하게 주입하고, 상기 전자주입층은 금속전극층(140)으로부터 제공된 전자들을 상기 전자수송층으로 원활하게 주입한다. 이어서, 상기 정공수송층은 상기 주입된 정공들을 상기 발광층으로 수송하고, 상기 전자수송층은 상기 주입된 전자들을 상기 발광층으로 수송한다. 계속하여, 상기 수송된 정공들과 전자들은 상기 발광층에서 재결합하여 특정 파장의 빛을 발생시키다.
평탄화막(320)은 픽셀들(30)을 덮도록 형성되며, 비전도성 유기막이다. 예를 들어, 평탄화막(320)은 벤조사이클로부텐(BenzoCyclo-Butene, BCB) 또는 씰크(Dow Chemical Company 상표, SiLK)로 이루어져 픽셀들(30)과 패시베이션막(340) 사이의 접착력을 강화시키고 증착 특성을 향상시킨다.
패시베이션막(340)은 평탄화막(320) 및 요부들(310)이 형성된 기판(300) 위에 형성된다. 여기서, 패시베이션막(340)은 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 방지하는 막으로서 무기막이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패시베이션막(340)은 평탄화막(320) 및 요부들(310)이 형성된 기판(300) 위에 순차적으로 형성된 제 1 실리콘산화막(340a), 실리콘질화막(340b) 및 제 2 실리콘산화막(340c)을 포함하고, 그래서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(340)의 내부로 침투하는 것을 방지한다.
실리콘질화막(340b)은 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 방지하는데 우수한 특성이 있는 반면에 두껍게 형성되면 기판(300)을 휘어지게 하는 특성이 있다. 그러므로, 실리콘질화막(340b)이 산소방지막 또는 수분방지막으로 사용되기 위해서는 얇게 형성되어야 한다.
도 2c를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션막(340)은 평탄화막(320) 및 요부들(310)이 형성된 기판(300) 위에 순차적으로 형성된 제 1 실리콘산화막(340a), 제 1 실리콘질화막(340b), 제 2 실리콘산화막(340c), 제 2 실리콘질화막(340d) 및 제 3 실리콘산화막(340e)을 포함한다.
산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 막기 위해서 실리콘질화막(340b 및 340d)을 두껍게 형성하는 경우, 실리콘질화막(340b 및 340d)은 기판(300)을 휘어지게 할 수 있으므로 도 2c에 도시된 바와 같이 다수의 층으로 형성되어야 한다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 요부(310)가 형성된 기판(300) 위에 패시베이션막(340)을 형성한다. 그러므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(340)의 내부로 침투할 수 있는 침투경로가 길어진다. 그 결과, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(340)의 내부로 침투되지 못한다. 다만, 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투경로를 연장하기 위한 요부(310)는 일 종단부당 복수개로 형성될 수도 있고 하나로 형성될 수도 있다. 다만, 기판(300)의 일 종단에 하나의 요부(310)가 형성되는 경우, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(340)의 내부로 침투하는 것을 방지할 만큼 충분히 깊거나 넓게 형성되어야 한다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 종래의 유기 전계 발광 소자와 달리 셀캡을 가지고 있지 않으므로, 종래의 유기 전계 발광 소자보다 얇게 형성될 수 있다. 그러므로, 핸드폰 등에 사용될 경우, 상기 핸드폰 등은 종래의 핸드폰보다 얇은 구조를 가질 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법을 도시한 평면도들이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 소정 마스크(400)를 이용하여 기판(300)을 에칭 (etching)함에 의해 기판(300) 위에 요부들(310)이 형성된다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 기판(300) 위에 픽셀들(30)이 형성된다. 여기서, 픽셀들(30)은 ITO층들(100) 및 금속전극층들(140)이 교차하는 영역에서, ITO층(100) 위에 유기물층(120) 및 금속전극층(140)이 순차적으로 증착됨에 의해 형성된다.
계속하여, 도 3c에 도시된 바와 같이, 픽셀들(30)을 덮도록 평탄화막(320)이 증착된다. 상세하게는, 평탄화막(320)은 픽셀들(30)을 덮도록 비전도성 유기물인 평탄화물질이 픽셀들(30) 주변에 증착됨에 의해 형성된다. 또는, 다른 실시예에 따라 평탄화막(320)은 픽셀들(30)을 덮도록 평탄화물질이 증착되고, 상기 평탄화물질의 상면을 폴리싱(polishing)함에 의해 형성된다.
이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이, 평탄화막(320) 및 요부들(310)이 형성된 기판(300) 위에 패시베이션막(340)이 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법에서는, 요부들(310)이 평탄화막(320)이 픽셀들(30)을 덮도록 증착된 후 형성된다. 다만, 이 경우, 제조 공정동안, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 픽셀들(30)로 침투하지 않아야 하므로, 요부들(310)은 진공분위기에서 기판(300)에 형성되어야 한다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양 한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 요부들이 형성된 기판 위에 픽셀들, 평탄화막 및 패시베이션막을 순차적으로 형성함에 의해 산소 또는 수분이 내부로 침투할 수 있는 경로를 연장시키므로, 산소 또는 수분은 상기 패시베이션막의 내부로 침투하지 못하는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 셀캡 대신에 평탄화막 및 패시베이션막을 사용하므로, 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 장점이 있다.

Claims (8)

  1. 액티브 영역의 주변부에 형성된 요부들을 가지는 기판;
    상기 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들;
    상기 픽셀들을 덮도록 형성된 평탄화막; 및
    상기 평탄화막 및 상기 요부들을 가지는 기판 위에 형성된 패시베이션막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화막은 비전도성 유기막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 평탄화막은 벤조사이클로부텐(BenzoCyclo-Butene, BCB) 또는 씰크(SiLK)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 패시베이션막은 산소방지막 또는 수분방지막으로서 무기막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 기판을 패터닝하여 액티브 영역의 주변부에 복수의 요부들을 형성하는 단계;
    상기 액티브 영역에 복수의 픽셀들을 형성하는 단계;
    상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계; 및
    상기 평탄화막 및 상기 요부들이 형성된 기판 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 평탄화막을 형성하는 단계는,
    상기 픽셀들을 덮도록 평탄화물질을 증착하는 단계; 및
    상기 평탄화물질의 상면을 폴리싱(polishing)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  7. 기판의 액티브 영역에 복수의 픽셀들을 형성하는 단계;
    상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계;
    상기 평탄화막의 주변부에서 상기 기판을 패터닝하여 복수의 요부들을 형성하는 단계; 및
    상기 평탄화막 및 상기 요부들이 형성된 기판 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 요부들은 진공분위기에서 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
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AT07007351T ATE541327T1 (de) 2004-10-21 2005-10-06 Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren
AT05021846T ATE476757T1 (de) 2004-10-21 2005-10-06 Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren
US11/249,403 US7671532B2 (en) 2004-10-21 2005-10-14 Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP2005303145A JP4932218B2 (ja) 2004-10-21 2005-10-18 有機電界発光素子およびその製造方法
TW094136544A TWI311447B (en) 2004-10-21 2005-10-19 Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150025260A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20190094269A (ko) * 2018-02-02 2019-08-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20200006131A (ko) * 2017-11-24 2020-01-17 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 디스플레이 장치

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203883009U (zh) * 2014-05-29 2014-10-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板
CN105576148B (zh) * 2016-01-04 2018-03-09 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板的封装方法
KR102583898B1 (ko) 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN108539057B (zh) * 2018-05-16 2019-07-02 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装方法及oled封装结构
CN108963103B (zh) * 2018-06-28 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050471A (ja) 2000-08-01 2002-02-15 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2002329576A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150025260A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10586949B2 (en) 2013-08-28 2020-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US11063242B2 (en) 2013-08-28 2021-07-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR20200006131A (ko) * 2017-11-24 2020-01-17 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 디스플레이 장치
KR20190094269A (ko) * 2018-02-02 2019-08-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치

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