KR100629610B1 - 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents
유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100629610B1 KR100629610B1 KR1020040094954A KR20040094954A KR100629610B1 KR 100629610 B1 KR100629610 B1 KR 100629610B1 KR 1020040094954 A KR1020040094954 A KR 1020040094954A KR 20040094954 A KR20040094954 A KR 20040094954A KR 100629610 B1 KR100629610 B1 KR 100629610B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- organic electroluminescent
- substrate
- electroluminescent device
- pixels
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 13
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims abstract description 41
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 and as a result Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 기판, 픽셀들, 평탄화막, 침투방지막 및 패시베이션막을 포함한다. 상기 기판은 액티브 영역의 주변에 형성된 요부들을 가지고, 상기 픽셀들은 상기 액티브 영역에 형성된다. 상기 평탄화막은 상기 픽셀들을 덮도록 형성되고, 상기 침투방지막은 상기 평탄화막 및 상기 요부들을 가지는 기판 위에 형성된다. 상기 패시베이션막은 상기 침투방지막 위에 형성된다. 상기 유기 전계 발광 소자는 기판에 요부들을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있는 경로가 길어져서 산소(O2) 또는 수분(H2
O)이 내부로 침투하지 못한다.
유기 전계 발광 소자, 평탄화막, 패시베이션막, 요부,
Description
도 1a는 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1b는 종래의 제 2 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 얇은 두께를 가지면서 산소 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자는 소정의 전압이 인가된 경우 특정 파장의 빛을 발생시키는 소자로서, 종래에는 이하의 유기 전계 발광 소자들이 개발되었었다.
도 1a는 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1a를 참조하면, 상기 제 1 유기 전계 발광 소자는 복수의 픽셀들(30), 게터(getter, 50) 및 셀캡(70)을 포함한다.
각 픽셀들(30)은 기판(10) 위에 순차적으로 형성된 인듐주석산화물층(100), 유기물층(120) 및 금속전극층(140)을 포함한다.
인듐주석산화물층(100)에 양의 전압이 인가되고 금속전극층(140)에 음의 전압이 인가된 경우, 유기물층(120)은 특정 파장의 빛을 발생시킨다.
게터(50)는 내부에 있는 산소(O2) 또는 수분(H2O)을 제거한다. 여기서, 게터(50)는 셀캡(70)에 부착된다.
셀캡(70)은 픽셀들(30)을 덮어서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 셀캡(70)의 내부로 침투하는 것을 방지한다. 또한, 셀캡(70)에는 게터(50)와 금속전극층이 접촉되는 것을 방지하기 위한 공간이 확보되어야 하며, 이로 인하여 셀캡(70)의 두께가 증가되었다.
최근에 핸드폰 등은 가볍고 두께가 얇아지고 있다. 그러므로, 이에 부합하기 위해, 핸드폰 등의 디스플레이 소자로서 사용되는 유기 전계 발광 소자도 얇아져야 했다. 그러나, 종래의 제 1 유기 전계 발광 소자는 게터(50)를 부착한 셀캡(70)을 사용하므로, 두께가 두꺼워지게 되어 최근의 추세에 부합되지 못하였다.
그래서, 이하의 제 2 유기 전계 발광 소자가 개발되었다.
도 1b는 종래의 제 2 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 1b를 참조하면, 상기 제 2 유기 전계 발광 소자는 픽셀들(30), 평탄화막(Planarization Layer, 200) 및 패시베이션막(Passivation Layer, 220)을 포함한다.
평탄화막(200)은 픽셀들(30) 위에 형성되어 픽셀들(30)과 패시베이션막(220) 사이의 접착력을 강화시킨다.
패시베이션막(220)은 평탄화막(200) 위에 형성되고, 그래서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(220)의 내부 공간으로 침투하는 것을 방지한다. 그러나, 패시베이션막(220)과 기판(10)이 접착되는 부분 중 패시베이션막(220)의 에지(edge) 부분은 두께가 얇고 공정 특성상 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있었다. 그 결과, 픽셀들(30)에 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투되어 픽셀들(30)의 발광 영역이 점차적으로 줄어들고, 결국은 픽셀들(30)은 발광하지 못하였다.
그러므로, 얇은 두께를 가지면서 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자가 요구된다.
본 발명의 목적은 산소 또는 수분이 픽셀들에 영향을 미치지 않도록 산소 또는 수분의 침투를 방지하는 유기 전계 발광 소자및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판, 픽셀들, 평탄화막, 침투방지막 및 패시베이션막을 포함한다. 상기 기판은 액티브 영역의 주변에 형성된 요부들을 가지고, 상기 픽셀들은 상기 액티브 영역에 형성된다. 상기 평탄화막은 상기 픽셀들을 덮도록 형성되고, 상기 침투방지막은 상기 평탄화막 및 상기 요부들을 가지는 기판 위에 형성된다. 상기 패시베이션막은 상기 침투방지막 위에 형성된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법은 기판을 패터닝하여 액티브 영역의 주변에 복수의 요부들을 형성하는 단계, 액티브 영역에 복수의 픽셀들을 형성하는 단계, 상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계, 상기 평탄화막 및 상기 요부들이 형성된 기판 위에 침투방지막을 형성하는 단계 및 상기 침투방지막 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 평탄화막 위에 침투방지막 및 패시베이션막을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못한다.
아울러, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 기판에 요부들을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있는 경로가 길어져서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(400), 픽셀들(30), 평탄화막(Planarization Layer, 440), 침투방지막(460) 및 패시베이션막(Passivation Layer, 480)을 포함한다.
픽셀들(30)은 각기 순차적으로 형성된 인듐주석산화물층(Indium Tin Oxide Film, 100, 이하 "ITO층"이라 함), 유기물층(120) 및 금속전극층(140)을 포함한다. 그래서, ITO층(100)에 소정의 양의 전압이 인가되고 금속전극층(140)에 소정의 음의 전압이 인가된 경우, 픽셀들(30)은 특정 파장의 빛을 발생시킨다.
기판(400)은 상기 액티브 영역의 주변에서 도 2a에 도시된 바와 같이 요부들(420)을 가진다.
평탄화막(440)은 픽셀들(30)을 덮도록 형성되고, 벤조사이클로부텐(BenzoCyclo-Butene, BCB) 또는 씰크(Dow Chemical Company 상표, SiLK)와 같은 비전도성 유기막으로 이루어져 있다.
침투방지막(460)은 평탄화막(440) 및 요부들(420)을 가지는 기판(400)을 덮도록 형성되고, 산소(O2) 또는 수분(H2O)과 반응을 잘하는 알루미늄(aluminium, Al), 티타늄(titanium, Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(titanium nitride, TiN)와 같은 금속으로 이루어져 있다. 그 결과, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투하는 경우, 상기 금속은 산화되고, 즉 침투방지막(460)은 산화막으로 변화된다. 상기 변화된 산화막은 상기 금속에 비하여 밀도가 높고, 그 결과 상기 변화된 산화막을 따라서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 확산되지 않는다. 즉, 상기 산화막이 형성된 후 침투하는 산소(O2) 또는 수분(H2O)은 상기 금속의 상기 산화막으로의 변화에 따른 밀도 변화에 의해 침투방지막(460)의 내부로 침투하지 못한다.
패시베이션막(480)은 침투방지막(460) 위에 형성되고, 무기막이다. 상세하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 패시베이션막(480)은 침투방지막(460) 위에 제 1 실리콘산화막, 실리콘질화막 및 제 2 실리콘산화막이 순차적으로 증착됨에 의해 형성되고, 그래서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(480)의 내부로 침투하는 것을 방지한다. 여기서, 상기 실리콘질화막은 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 방지하는데 우수한 특성이 있는 반면에 두껍게 형성되면 기판(400)을 휘어지게 하는 특성이 있다. 그러므로, 상기 실리콘질화막이 산소방지막 또는 수분방지막으로 사용되기 위해서는 얇게 형성되어야 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션막(480)은 침투방지막(460) 위에 제 1 실리콘산화막, 제 1 실리콘질화막, 제 2 실리콘산화막, 제 2 실리콘질화막 및 제 3 실리콘산화막이 순차적으로 증착됨에 의해 형성된다. 여기서, 산소(O2) 또는 수분(H2O)의 침투를 막기 위해서 상기 실리콘질화막들을 두껍게 형성하는 경우, 기판(400)이 휘어질 수 있으므로 상기 실리콘질화막들은 위와 같이 다수의 층으로 분 리되어 형성되어야 한다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 요부들(420)이 형성된 기판(400) 위에 침투방지막(460) 및 패시베이션막(480)을 순차적으로 형성한다. 그러므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 패시베이션막(480)의 내부로 침투할 수 있는 침투경로가 길어지고, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투하는 경우 침투방지막(460)이 산화막으로 변화된다. 그 결과, 이 후에 침투하는 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투방지막(460)의 내부로 침투되지 못한다.
이하에서는, 상기 유기 전계 발광 소자를 제조하는 과정을 상술하겠다.
소정 마스크를 이용하여 기판(400)을 에칭(etching)함에 의해 기판(400) 위에 요부들(420)이 형성된다.
이어서, 기판(400) 위에 픽셀들(30)이 형성된다.
계속하여, 픽셀들(30)을 덮도록 평탄화막(440)이 증착된다. 상세하게는, 평탄화막(440)은 픽셀들(30)을 덮도록 비전도성 유기물인 평탄화물질이 픽셀들(30) 위에 증착됨에 의해 형성된다. 또는, 다른 실시예에 따라 평탄화막(440)은 픽셀들(30)을 덮도록 평탄화물질이 증착되고, 상기 평탄화물질의 상면을 폴리싱(polishing)함에 의해 형성된다.
이어서, 평탄화막(440) 및 요부들(420)이 형성된 기판(400) 위에 침투방지막(460)이 형성된다.
계속하여, 침투방지막(460) 위에 패시베이션막(480)이 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법에서는, 요부들(420)이 평탄화막(440)이 픽셀들(30) 위에 증착된 후 형성된다. 다만, 이 경우, 제조 공정동안, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 픽셀들(30)로 침투하지 않아야 하므로, 요부들(420)은 진공 분위기에서 기판(400)에 형성되어야 한다.
도 2b는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 도시한 평면도이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(400), 복수의 픽셀들(30), 평탄화막(440), 침투방지막(500) 및 패시베이션막(480)을 포함한다.
침투방지막(500)을 제외한 나머지 구성 요소들은 도 2a에 도시된 유기 전계 발광 소자의 구성 요소들과 동일한 기능을 수행하므로, 이하 설명을 생략한다.
침투방지막(500)은 산화막이다. 상세하게는, 침투방지막(500)은 평탄화막(440) 및 요부들(420)이 형성된 기판(400)을 덮도록 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(TiN)와 같은 금속층을 형성하고, 그런 후 상기 금속층을 산소 분위기에서 산화시킴에 의해 형성된다. 즉, 본 발명의 침투방지막(500)은 제 3 실시예의 침투방지막(460)과 달리 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투하기 전에 형성된다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양 한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 평탄화막 위에 침투방지막 및 패시베이션막을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못하는 장점이 있다.
아울러, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법은 기판에 요부들을 형성하므로, 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 침투할 수 있는 경로가 길어져서 산소(O2) 또는 수분(H2O)이 내부로 침투하지 못하는 장점이 있다.
Claims (6)
- 액티브 영역의 주변에 형성된 요부들을 가지는 기판;상기 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들;상기 픽셀들을 덮도록 형성된 평탄화막;상기 평탄화막 및 상기 요부들을 가지는 기판 위에 형성된 침투방지막; 및상기 침투방지막 위에 형성된 패시베이션막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 침투방지막은 알루미늄(aluminium, Al), 티타늄(titanium, Ti) 또는 티타늄 나이트라이드(titanium nitride, TiN)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 침투방지막은 산화막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 기판을 패터닝하여 액티브 영역의 주변에 복수의 요부들을 형성하는 단계;액티브 영역에 복수의 픽셀들을 형성하는 단계;상기 픽셀들을 덮도록 평탄화막을 형성하는 단계;상기 평탄화막 및 상기 요부들이 형성된 기판 위에 침투방지막을 형성하는 단계; 및상기 침투방지막 위에 패시베이션막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 요부들은 상기 평탄화막이 형성된 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 침투방지막을 형성하는 단계는,상기 평탄화막 및 상기 요부들이 형성된 기판 위에 금속막을 형성하는 단계; 및산소분위기에서 상기 금속막을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040094954A KR100629610B1 (ko) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
| EP05021846A EP1655790B1 (en) | 2004-10-21 | 2005-10-06 | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| EP07007351A EP1798786B1 (en) | 2004-10-21 | 2005-10-06 | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| AT07007351T ATE541327T1 (de) | 2004-10-21 | 2005-10-06 | Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren |
| DE602005022665T DE602005022665D1 (de) | 2004-10-21 | 2005-10-06 | Organische elektrolumineszente Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
| AT05021846T ATE476757T1 (de) | 2004-10-21 | 2005-10-06 | Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren |
| US11/249,403 US7671532B2 (en) | 2004-10-21 | 2005-10-14 | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| JP2005303145A JP4932218B2 (ja) | 2004-10-21 | 2005-10-18 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| TW094136544A TWI311447B (en) | 2004-10-21 | 2005-10-19 | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040094954A KR100629610B1 (ko) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060055797A KR20060055797A (ko) | 2006-05-24 |
| KR100629610B1 true KR100629610B1 (ko) | 2006-09-27 |
Family
ID=37151738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040094954A KR100629610B1 (ko) | 2004-10-21 | 2004-11-19 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100629610B1 (ko) |
-
2004
- 2004-11-19 KR KR1020040094954A patent/KR100629610B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060055797A (ko) | 2006-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7671532B2 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| US10566394B2 (en) | Organic light-emitting display panel, device and method for manufacturing the same | |
| US11282904B2 (en) | Organic light emitting diode display device, method of manufacturing the OLED display device, and electronic device | |
| WO2015180366A1 (zh) | Oled显示面板 | |
| KR101163087B1 (ko) | 디스플레이 패널 | |
| US11394007B2 (en) | Organic light emitting diode display panel | |
| WO2019097823A1 (ja) | 表示装置 | |
| JP5032634B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| CN100539776C (zh) | 有机电致发光器件及其制造方法 | |
| JP6311311B2 (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
| CN115529846A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| KR100629610B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR100634679B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR100629072B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP5313769B2 (ja) | 積層基板および発光素子の製造方法 | |
| KR100611650B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100629071B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR20070011009A (ko) | 격벽이 없는 유기발광소자 및 그 제조 방법 | |
| US12127463B2 (en) | Display panel having second inorganic film disposed between first inorganic film and organic film and method of manufacturing the same | |
| TWI739259B (zh) | 封裝結構 | |
| US20240049566A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| US11997869B2 (en) | Display panel and display device | |
| KR100623356B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP2024055074A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP2024055073A (ja) | 表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130619 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150818 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160816 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170816 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180816 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190814 Year of fee payment: 14 |