JP5032634B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2 薄膜トランジスタ
3 発光素子
21 ゲート電極
22 ゲート絶縁膜
23 活性層
23a チャンネル
24 エッチング防止層
25 ソース電極
26 ドレイン電極
27 絶縁層
28 画素定義膜
29 ビアホール
31 第1電極
32 有機層
33 第2電極
272 第1絶縁層
274 第2絶縁層
275 金属層
276 第3絶縁層
278 第4絶縁層
Claims (20)
- ゲート電極、前記ゲート電極と絶縁された活性層、及び前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に連結された有機発光素子と、
前記薄膜トランジスタと有機発光素子との間に介在された絶縁層とを含み、
前記絶縁層は、
前記薄膜トランジスタを覆う第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上に金属酸化物で備わった第2絶縁層と、
前記第2絶縁層上に金属酸化物または金属窒化物で備わった第3絶縁層と、
を含み、前記第2絶縁層及び第3絶縁層間に、金属層がさらに介在したことを特徴とする、有機発光表示装置。 - 前記第2絶縁層は、その厚みに対して金属含有量傾度を有することを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属含有量は、前記第1絶縁層に向かって低くなることを特徴とする請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属は、アルミニウムまたはチタンであることを特徴とする請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3絶縁層上に備わった第4絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3絶縁層は、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、チタン酸化物またはチタン窒化物を含むことを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属層は、アルミニウムまたはチタンで備わったことを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記活性層は、酸化物半導体で備わったことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1絶縁層は、シリコン酸化物で備わったことを特徴とする請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 基板上にゲート電極、前記ゲート電極と絶縁された活性層、及び前記ゲート電極と絶縁され、前記活性層にコンタクトされるソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタを覆うように絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に、前記ソース電極及びドレイン電極のうち一つと電気的に連結された有機発光素子を形成する段階とを含み、
前記絶縁層を形成する段階は、
前記薄膜トランジスタを覆う第1絶縁層を形成する段階と、
前記第1絶縁層上に金属層を形成する段階と、
前記金属層の前記第1絶縁層の反対側表面を酸化または窒化させ、前記金属層の一部を第3絶縁層として形成する段階と、
前記第1絶縁層と金属層との接する部分に、金属酸化物で備わった第2絶縁層を形成する段階とを含む有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2絶縁層を形成する段階は、少なくとも前記金属層に対して熱処理する段階であることを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2絶縁層は、その厚みに対して金属含有量傾度を有することを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記金属含有量は、前記第1絶縁層に向けて低くなることを特徴とする請求項12に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記金属は、アルミニウムまたはチタンであることを特徴とする請求項13に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第3絶縁層上に備わった第4絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第3絶縁層は、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、チタン酸化物またはチタン窒化物を含むことを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2絶縁層及び第3絶縁層間に、金属層がさらに介在されたことを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記金属層は、アルミニウムまたはチタンで備わったことを特徴とする請求項17に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記活性層は、酸化物半導体で備わったことを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁層は、シリコン酸化物で備わったことを特徴とする請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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