KR20060017514A - 임프린트 리소그래피 공정 중의 주형 전사 방법, 시스템,홀더 및 어셈블리 - Google Patents

임프린트 리소그래피 공정 중의 주형 전사 방법, 시스템,홀더 및 어셈블리 Download PDF

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병진 최
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Abstract

본 발명은 임프린트 리소그래피 공정 중에 주형을 전사하기 위한 방법,시스템, 홀더 및 어셈블리를 개시한다.
Figure 112005065171447-PCT00001
임프린트, 리소그래피, 주형, 전사, 홀더, 어셈블리

Description

임프린트 리소그래피 공정 중의 주형 전사 방법, 시스템, 홀더 및 어셈블리{METHOD, SYSTEM, HOLDER AND ASSEMBLY FOR TRANSFERRING TEMPLATES DURING IMPRINT LITHOGRAPHY PROCESSES}
일반적으로, 본 발명은 임프린트 리소그래피에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 임프린트 리소그래피 공정 중의 주형을 전사하기 위한 방법, 시스템 및 홀더에 관한 것이다.
마이크로제조 기술은 나노미터 정도의 형상을 가진 구조물을 생성할 수 있다. 마이크로제조는 광범위한 분야, 예컨대 집적 회로(즉, 반도체 공정), 바이오기술, 광학 기술, 기계 시스템 및 마이크로전자 기계 시스템("MEMS")에 사용된다.
임프린트 리소그래피는 반도체 공정 및 기타 분야에서 점점 중요하게 되어가고 있는 유형의 마이크로제조이다. 임프린트 리소그래피는 더 나은 공정 제어 및 형성된 구조물의 최소 형상 치수의 감소를 제공한다. 따라서, 이는 예를 들면, 더 높은 생산 수율 및 더 많은 웨이퍼 당 집적 회로를 제공한다.
마이크로제조는 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼 상에 릴리프 이미지를 형성하는 데 사용될 수 있다. 통상적으로, 기판은 중합 가능한 유체, 열가소체 또는 소정의 구조물에 형성(즉, 성형 또는 임프린트)될 수 있는 다른 임프린트 재료로 코팅되는 전사층을 가진다. 릴리프 구조물을 가진 몰드는 기판과 기계적 접촉시키고, 중합 가능한 유체 또는 다른 임프린트 재료는 몰드의 릴리프 구조물을 충전한다. 그 다음, 중합 가능한 유체는 중합되어 전사층 상에, 몰드의 릴리프 구조물과 상보적인 소정의 구조물을 형성한다. 그 다음, 전사층과 고화된 중합 재료를 에칭하여 전사층에 릴리프 이미지를 형성하거나, 또는 예를 들면 다른 재료의 박막층으로 코팅할 수 있다.
임프린트 리소그래피 시스템은 종종 몰드를 가진 임프린트 헤드를 사용하며, 또한 주형이라고도 하고, 임프린트에 설치 및 제거될 수 있다. 이는 임프린트 리소그래피 시스템이 상이한 패턴을 임프린트하는 데 사용될 수 있게 한다. 이 방식으로, 임프린트 리소그래피 시스템은 다양한 유형의 회로 또는 다른 장치를 제조하거나, 또는 다양한 구조물을 기판 상에 임프린트하는 데 사용할 수 있다.
고 해상도 임프린트를 보장하기 위하여, 일반적으로 주형에 대한 손상 및 주형과 임프린트 리소그래피 시스템의 분진 또는 다른 미립자에 의한 오염을 피하기 위하여 주형의 조작을 최소화하는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 몰드의 릴리프 패턴에 대한 물리적 손상 및 주형과 임프린트 리소그래피 시스템에 대한 오염을 피하는 방식으로 주형을 저장, 로딩 또는 언로딩할 필요가 있다.
발명의 개요
본 발명은 주형의 임프린트 면 상의 몰드 패턴에 대한 손상 및/또는 오염을 피하기 위하여 임프린트 리소그래피 공정 중에 주형을 조작하는 기술에 관한 것이다. 이를 위하여, 척 장치가 결합된 동작 스테이지를 갖춘 임프린트 리소그래피 시스템에서 패터닝된 몰드를 가진 주형을 조작하는 방법은 주형을 주형 전사 홀더에 제공하는 단계를 포함한다. 주형 전사 홀더는 동작 스테이지에 결합된 면 및 상기 면으로부터 연장하는 서포트 부재를 포함한다. 주형은 패터닝된 몰드가 상기 면과 대면하고, 그로부터 이격되도록 주형 전사 홀더 내에 배치된다. 상대적 이동이 동작 스테이지와 임프린트 헤드 사이에서 생겨서 주형 전사 홀더와 임프린트 헤드를 중첩하도록 배치된다. 주형은 주형 전사 홀더에서 제거되고, 임프린트 헤드에 의해 웨이퍼 척 위에 현수된다. 다른 구체예에서, 시스템 및 주형 홀더는 본 발명의 방법을 촉진하는 것으로 기술된다. 또 다른 구체예에서, 주형 전사 어셈블리 및 방법은 주형 전사 기판과 제1 및 제2 면을 가진 주형을 특징으로 하며, 상기 제1 면은 주형 전사 기판에서 이격 대향하고, 제2 면은 주형 전사 기판과 대항하며, 그 위에 몰드 패턴이 형성되어 있다. 중합된 임프린트 재료는 제2 면과 주형 전사 기판 사이에 배치되어 주형을 주형 전사 기판에 확고하게 부착한다. 이들 및 다른 구체예는 하기에 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 구체예를 실시하기 위한 임프린트 리소그래피 시스템의 투시도이다.
도 2는 몰드와 임프린트 재료가 위에 배치된 웨이퍼 간의 공간 관계를 설명하는, 도 1에 도시된 임프린트 리소그래피 시스템의 간략도이다.
도 3은 임프린트층과 접촉하는 도 2의 몰드의 간략 측면도이다.
도 4는 주형에 따라 패터닝된, 도 2에 도시된 임프린트층의 간략 측면도이다.
도 5는 본 발명의 따른 동작 스테이지 내에 주형 전사 홀더를 갖춘, 도 1에 도시된 리소그래피 시스템의 간략 측면도이다.
도 6은 임프린트 헤드 내에 주형을 로딩하는 위치에 있는 도 5의 주형 전사 홀더의 간략 측면도이다.
도 7은 본 발명의 한 가지 구체예에 따른, 도 1, 도 5 및 도 6에 도시된 주형 전사 시스템의 주형 전사 홀더를 도시하는 투시도이다.
도 8은 선 8-8을 따라 취한, 도 7에 도시된 주형 전사 홀더의 단면도이다.
도 9는 선 9-9를 따라 취하고, 주형이 그 안에 배치된, 도 7에 도시된 주형 전사 홀더의 단면도이다.
도 10은 선 10-10을 따라 취한, 도 7에 도시된 주형 전사 홀더의 간략 측면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 구체예에 따른, 도 5에 도시된 전사 기판 상의 주형 전사 홀더의 간략 측면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 구체예에 따른, 도 5에 도시된 웨이퍼 척 위에 있는 전사 기판 상의 주형 전사 홀더의 간략 측면도이다.
도 13은 본 발명의 구체예에 따라서 임프린트 재료를 가진 주형 전사 기판에 결합된 주형을 갖춘, 도 1 및 도 5에 도시된 리소그래피 시스템에 사용될 수 있는 주형 전사 어셈블리의 간략 단면도이다.
도 14는 본 발명의 대안의 구체예에 따라서 임프린트 재료의 주변부를 가진 주형 전사 기판에 결합된 주형을 갖춘, 도 13에 도시된 주형 전사 어셈블리의 간략 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제2 구체예에 따라서 임프린트 재료의 주변부를 가진 주형 전사 기판에 결합된 주형을 갖춘, 도 13에 도시된 주형 전사 어셈블리의 간략 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제3 구체예에 따라서 임프린트 재료의 주변부를 가진 주형 전사 기판에 결합된 주형을 갖춘, 도 13에 도시된 주형 전사 어셈블리의 간략 단면도이다.
도 17은 본 발명의 구체예에 따른, 도 1, 도 2, 도 3, 도 4, 도 5, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15 및 도 16에 도시된, 리소그래피 시스템 내에서 주형을 조작하는 방법의 간략 흐름도이다.
도 18은 본 발명의 다른 구체예에 따른, 도 17에 도시된, 리소그래피 임프린트 시스템의 임프린트 헤드로부터 주형을 제거하는 방법의 간략 흐름도이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 구체예에 따른, 도 17에 도시된, 주형을 주형 전사 기판으로부터 리소그래피 임프린트 시스템의 임프린트 헤드로 설치하는 방법의 간략 흐름도이다.
도 1은 본 발명의 구체예를 실시하기 위한 임프린트 리소그래피 시스템(10)의 투시도이다. 한 쌍의 이격된 브리지 서포트(12)는 브리지(14) 및 스테이지 서포 트(16) 사이에서 연장한다. 브리지(14)와 스테이지 서포트(16)는 이격되어 있다. 브리지(14)로부터 스테이지 서포트(16)로 연장하고, X, Y 및/또는 Z 축을 따라 이동하고/하거나 이들 축에 대해 회전할 수 있는 임프린트 헤드(18)는 브리지(14)에 연결되어 있다. 동작 스테이지(20)와 주형 전사 시스템(40)은 스테이지 서포트(16)에 배치되어 임프린트 헤드(18)에 대면한다. 동작 스테이지(20)는 1 이상의 자유도를 따라 스테이지 서포트(16)에 관하여 이동하도록 구성된다. 예를 들면, 동작 스테이지(20)는 X, Y 및/또는 Z 축을 따라 이동하고/하거나, 이들 축에 대하여 회전할 수 있다. 본 실시예에서, 동작 스테이지(20)는, 통상적으로 진공 척인 웨이퍼 척(21) 상에서 웨이퍼를 파지하고, 웨이퍼(30)를 X 및 Y 축을 따라 이동시킨다. 회전원(22)은 임프린트 리소그래피 시스템(10)에 결합되어 화학 방사선을 동작 스테이지(20)에 조사한다. 방사선원(22)은 브리지(14)에 결합되고, 방사선원(22)에 연결된 동력 발생기(23)를 포함한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 주형(26)은 임프린트 헤드(18)에 회전 가능하게 연결되어 있다. 제1 면(26a)은 임프린트 헤드(18)에 대면하고, 제2 면(26b)은 그 위에서 임프린트 헤드(18)로부터 웨이퍼 척(21)으로 이격된 몰드(28)를 갖춘다. 일반적으로, 몰드(28)는 나노미터 정도의(예를 들면, 100 나노미터), 스텝 높이 h를 가진, 다수의 이격된 오목부(28a) 및 돌출부(28b)에 의해 형성된 다수의 형상을 포함한다. 다수의 형상은 동작 스테이지(20) 상에 위치된 웨이퍼(30)로 전사하고자 하는 원래의 패턴을 형성한다. 이를 위하여, 몰드(28)와 우이퍼(30)의 표면(32) 간의 거리 d는 달라질 수 있다. 표면(32)은 웨이퍼(30)가 형성되는 재료, 예를 들면 그 위에 형성된 임의의 천연 산화물 및/또는 웨이퍼(30) 상에 침착된 재료의 1 이상의 층으로 구성될 수 있다.
임프린트층(34)은 웨이퍼(30) 상에 배치된다. 일반적으로, 임프린트층(34)은, 도시된 바와 같이 다수의 이격된 비드(36)로서 또는 연속 필름으로 웨이퍼(30)에 도포되는 선택된 부피의 임프린트 재료, 예컨대 중합 가능한 유체이다. 예시적인 임프린트 재료는 2002년 6월 24일 출원한 미국 특허 출원 번호 제10/178,947호, 발명의 명칭 "저 점도 고 해상 패터닝 재료"에 기재되어 있으며, 본 명세서에서 그 전체를 참고 인용한다. 임프린트 재료를 침착하기 위한 예시적인 방법 및 시스템은 2002년 7월 2일 출원한 미국 특허 출원 번호 제10/191,749호, 발명의 명칭 "액체 분배를 위한 시스템 및 방법"에 개시되어 있으며, 본 명세서에서 그 전체를 참고 인용한다.
도 3을 참조하면, 몰드(28)가 임프린트층(34)과 접촉하고 있는 간략 측면도가 도시되어 있다. 일반적으로, 임프린트층(34)은 몰드(28)가 도 1에 도시된 임프린트 헤드(18)와 웨이퍼(30) 사이에서 Z 축을 따른 상대적 이동을 생성함으로써 임프린트층(34)과 접촉하게 될 때 유동 가능하다. 본 실시예에서, 상대적 이동은 임프린트 헤드(18)를 Z 축을 따라 이동시킴으로써 달성된다. 임프린트 재료는 유동하여 몰드(28)를 충전하는 연속층을 형성한다. 그 다음, 임프린트 재료는, 예컨대 중합 가능한 유체 임프린트 재료의 경우에서 화학 방사선으로 중합함으로써, 또는 열가소성 임프린트 재료의 경우에서 냉각시킴으로써 비유동성(즉, 고체) 상태로 전환된다.
도 4는 몰드(28)에 따라 패터닝된 임프린트층(34')의 간략 측면도이다. 몰드(28)는 도 1에 도시된 임프린트 헤드(18)를 웨이퍼(30)에서 이격하여 이동시킴으로써 임프린트층(34')으로부터 제거된다. 임프린트층(34')에 기록된 구조물(28')은 몰드(28)와의 기계적 접촉에 의해 부분적으로 생성되며, 일반적으로 몰드(28)의 이미지이다. 그 후, 구조물(28')을 가진 웨이퍼(30)는 더 가공할 수 있다.
몰드(28)는 나노미터 정도일 수 있는, 임프린트층(34')에 임프린트되기에 바람직한 구조물(28')에 따라 크기 설정된 형상을 가진다. 기판을 임프린트할 때 소정의 구조물(28')이 얻어지도록 몰드(28)를 물리적 손상 및/또는 오염으로부터 보호하는 것이 중요하다. 주형(26)은 도 1에 도시된 임프린트 리소그래피 시스템(10)의 임프린트 헤드(18)로부터 제거 가능하다. 그 다음, 다른 주형을 임프린트 헤드(18)에 설치할 수 있다. 예를 들면, 주형(26)이 마모되거나, 또는 손상되는 경우, 대체 주형을 설치하거나, 또는 상이한 몰드(즉, 구조물 또는 패턴)를 가진 주형을 설치하여 상이한 구조물을 임프린트할 수 있다.
주형(26)은 진공 및/또는 기계적 수단, 예컨대 핀 또는 클립으로 임프린트 헤드(18)에 탈착 가능하게 고정된다. 기계적 수단은 진공 고장 또는 진공이 가공 중에 정지된 경우에 임프린트 헤드(18) 내에서 주형(26)의 체류를 확실히 하는 것이 바람직하다. 또한, 임프린트 헤드(18) 내에 주형(26)을 고정시키는 기계적 수단은 주형(26)의 설치 또는 제거시 용이할 수 있다.
주형(26)을 임프린트 헤드(18)에 결합하는 것을 촉진하기 위하여, 통상적으로 주형(26)은 제1 면(26a)이 임프린트 헤드(18)에 대면하도록 주형 전사 시스템 (40) 상에 저장된다. 주형(26)과 임프린트 헤드(18)를 함께 결합할 때, 주형(26)과 임프린트 헤드(18)는 주형(26)이 진공 및/또는 기계적 접촉에 의해 임프린트 헤드(18)에 고정될 수 있도록 서로 매우 밀접하게(예컨대, 십 수 미크론 이하) 배치한다. 주형(26)을 임프린트 헤드(18)에 수동으로 삽입하는 것은 주형(26) 및/또는 임프린트 헤드(18)에 대한 손상 가능성이 증가할 뿐만 아니라, 임프린트 리소그래피 시스템(10), 특히 동작 스테이지(20)의 오염 가능성이 증가하기 때문에 피하는 것이 통상적이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 구체예에 따른, 도 1에 도시된 임프린트 리소그래피 시스템(10)의 일부의 간략 측면도가 도시되어 있다. 주형 전사 시스템(40)은 동작 스테이지(20)에 영구 고정될 수 있거나, 또는 대안으로는, 동작 스테이지(20)에 착탈 가능하게 장착될 수 있다. 동작 스테이지(20)에 영구 고정된 주형 전사 시스템(40)의 이점은 주형 전사 시스템(40)의 위치가 정확하게 반복 가능하다는 것이다. 동작 스테이지(20)에 착탈 가능하게 부착된 주형 전사 시스템(40)의 이점은 주형(26)을 임프린트 헤드(18)에 설치한 후 제거하여, 동작 스테이지(20)의 부피를 감소시키고, 따라서 임프린트 중에 스테이지 성능에 영향을 주지 않는다는 것이다. 유사하게, 센서 및 진공 도관은 주형 전사 시스템(40)이 동작 스테이지(20)에 영구 고정된 경우 보다 용이하게 실시될 수 있고, 주형 전사 시스템(40)을 동작 스테이지(20) 상에 반복 설치하기 위한 부착 또는 정렬 메카니즘을 요하지 않을 것이다.
일반적으로, 주형 전사 시스템(40)은 주형(26)을 주형 전사 시스템(40)에 로딩하기에 용이한 위치에 있게 하여, 웨이퍼 임프린팅을 손상시키지 않으면서 임프 린트 헤드(18) 아래에 있게 할 수 있는 동작 스테이지(20) 상의 위치에 위치시키는 것이 바람직하다. 많은 동작 스테이지는 동작의 범위가 웨이퍼 척(21) 상에 장착된, 도 1에 도시된 웨이퍼(30)의 전체 표면을 임프린트하는 데 요하는 범위보다 크고, 임프린트 헤드(18)에 의해 접근 가능하지만, 웨이퍼 임프린팅을 간섭하지 않는 동작 스테이지(20)의 부분 상에 주형 전사 시스템(40)을 장착할 수 있다.
도 6을 참조하면, 주형(26)을 임프린트 헤드(18) 내에 로딩하는 위치에서의 도 5의 주형 전사 시스템(40)의 간략 측면도가 도시되어 있다. 이를 위하여, 동작 스테이지(20)는 주형 전사 시스템(40) 내 주형(26)이 임프린트 헤드(18) 아래에 있도록 이동한다. 임프린트 헤드(18)는 포켓(42) 또는 주형(26)을 수용하기 위한 다른 구조물을 포함한다. 임프린트 헤드(18) 내에 주형(26)을 유지하기 위한 진공 및/또는 기계적 체류 수단은 예시의 간략성을 위하여 생략한다. 임프린트 헤드(18)와 주형(26)은 서로 밀접하게 배치되고, 임프린트 헤드(18) 내에서 확고하게 유지된다.
주형(26)을 임프린트 헤드(18)로 로딩한 후, 임프린트 헤드(18)와 동작 스테이지(20)의 상대적 위치는 웨이퍼 척(21)에 로딩된 웨이퍼(도시하지 않음)를 임프린트하도록 설정된다. 임프린팅 공정의 완결시, 주형(26)은 로딩 단계의 순서를 반전함으로써 임프린트 헤드(18)로부터 제거할 수 있으며, 필요에 따라서 다른 주형을 임프린트 헤드(18)에 로딩한다.
도 1, 도 2 및 도 7을 참조하면, 주형 전사 시스템(40)에 의해 설명되는 중요한 특성은 그 안에 수용된 주형(26)의 이동을 방지하는 것뿐만 아니라, 몰드 패 턴(28)이 손상되는 것을 방지하고, 주형 전사 시스템(40)으로 및 그로부터의 주형(26)의 이동 결과로서 미립자 오염을 최소화하는 것이다. 이를 위하여, 주형 전사 시스템(40)은 주형 전사 홀더(40a) 및 임의로, 주형 전사 짐벌(40b)을 포함한다. 주형 전사 짐벌(40b)은 주형 전사 홀더(40a)를 세 직교 축에 대하여 각 이동시킨다.
주형 전사 홀더(40a)는 몸체(50)의 공통면(54)으로부터 연장하는 다수의 가지부(52)를 가진 몸체(50)를 포함한다. 또한, 다수의 유연 부재(56)는 면(54)으로부터 돌출하며, 이들 각각은 통로(58)를 가진다. 통로(58)는 면(54)으로부터 몸체(50)로 연장하는, 도 8에 도시된 채널(60)과 유체 연통한다. 중심 채널(62)은 면(54)에 대향 배치된 몸체(50)의 면(68)에 연결된 커플링(66)을 가진 1 이상의 출구 채널(64)과 유체 연통한다. 커플링(66)은 채널(60)과 커플링(66) 사이에 결합된 탄성 튜브(67)를 경유하여 채널(60)을 펌프 시스템(70)에 연결하는 것을 촉진한다. 펌프 시스템(70)은 분야에 따라서 진공 또는 정압을 생성할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 각각의 가지부(52)는 실질적으로 평활한 불투명 표면(52a)을 포함한다. 경사면(52a)은 면(54)에 대향 배치된, 가지부(52)의 제1 단부(52b)로부터 연장하고, 경사면(52a)과 단부(52b) 사이에 위치된 가지부(52)의 제2 단부(52c)로 연장한다. 단부(52c)는 몸체(50)와 가지부(52) 사이에 결합된 탄성 부재(53)에 결합되거나, 또는 이와 일체 형성된다. 면(54)은 단부(52b)로부터 연장하고, 몸체(50)의 대향 단부 상에 배치된 가지부(52) 안쪽으로 각진다. 이 방식으 로, 대향 가지부(52)의 단부(52b) 간의 길이 l1은 대향 가지부(52)의 단부(52c) 간의 거리 l2보다 크다. l2의 치수는 도 9에 보다 명백하게 도시된 주형(26)보다 약간 더 크도록 설정된다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 탄성 부재(53)는 공극(53b)이 안에 형성된 몸체(53a)를 포함한다. 멈춤쇠(53c)는 단부(52c)에 근접 위치되며, 그로부터 연장하여 주형(26)의 주변 영역(26d)을 선택적으로 접촉한다. 몸체(53a)를 통하여 공극(53b)으로 연장하는 갭(53d)은 멈춤쇠(53c)와 중첩하여 탄성 부재(53)를 피봇점(53e)에 대해 굽히는 것을 촉진한다. 피봇점(53e)은 갭(53d)에 실질적으로 대향 위치되며, 모멘트 암(53f)은 멈춤쇠(53c)와 피봇점(53e) 사이에서 연장한다. 가지부(52)는 모멘트 암(53f) 위에 얹혀있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 경사면(52a)은 주형(26)과의 마찰 접촉을 최소화하도록 주형(26)을 도 1에 도시된 주형 전사 홀더(40a)로 안내하는 기능을 한다. 이를 위하여, 도 7에 도시된 가지부(52)는 최소 마찰을 가진 화합물, 예컨대 Teflon® 함유 재료, 예를 들면 PTFE 충전 아세탈로부터 형성된다. 예시적인 재료는 듀퐁®에서 상표명 Delrin AF®로 시판하는 것이다. 탄성 부재(53)는 가지부(52)가 주형(26)을 향해 구부러지고, 주형 에지(26c)에 클램프 고정될 수 있어서 주형(26)을 전사 주형 홀더(40a) 상에 중심을 맞추도록 구성된다.
도 8, 도 9 및 도 10을 참조하면, 도 7에 도시된 가지부(52)에 의해 주형(26)의 클램프 고정을 용이하게 하기 위하여, 유연 부재(56)는 Delrin AF®로부터 형성되고, 흡입 컵(56a) 및 흡입 컵(56a)에 대향 배치된 멈춤쇠(56b)를 포함한다. 몸체(50)는 보스(56c)가 배치된 챔버(55)를 포함하고, 멈춤쇠(56b)는 보스(56c) 상에 얹혀진 챔버(55)에 배치되어 있다. 챔버(55)의 부피는 멈춤쇠(56b) 또는 보스(56c)의 부피보다 커서 이들이 챔버(55) 내에서 세 직교 축을 따라 자유 이동할 수 있게 한다. 챔버(55)는 면(54)에 배치된, 유연 부재(56)의 하위부분이 통하는 개구(55a)를 포함하여 흡입 컵(56a)이 면(54)으로부터 연장할 수 있게 한다. 그러나, 개구(55a)의 단면은 보스(56c)의 단면보다 적다. 그 결과, 개구(55a)를 둘러싸는 몸체(50)의 영역은 진공이 주형(26)에 인가될 때 보스(56c)가 지탱하게 되는 베어링면(55b)을 형성한다. 보스(56c)는 챔버(55)를 통하여 연장하는 채널(60)에 결합한다. 멈춤쇠(56b)는 개구(55a)에 근접 위치된 보스(56c)의 부분에 탄력적으로 편향된다. 이 방식으로, 유연 부재(56), 보스(56c) 및 채널(60)은 챔버(55) 내 유닛으로서 이동한다. 진공의 부재시, 보스(56c)는 챔버(55)에 배치된 부싱(56d)에 얹혀져서 챔버(55) 내에서 보스(56c)를 지탱한다. 보스(56c)의 표면과 부싱(56d)의 표면의 계면(56e)은 챔버(55)의 축(55c)에 대칭인 절두 원추 형상을 가진다. 계면(56e)의 절두 원추 형상은 챔버(55)에 관하여 흡입 컵(56a)의 중심을 맞춘다. 이를 위하여, 튜브(67)는 중력 g 하에 사중량으로서 채널(60)을 아래로 끌어당기는 기능을 한다. 진공을 주형(26)에 인가할 때, 펌프 시스템(70)은 중심 채널(62)을 비우도록 작동함으로써 유연 부재(56)와 주형(26) 사이에 압축력을 발휘한다. 압축력은 베어링면(55b)으로 보스(56c)를 민다. 보스(56c)가 베어링면(55b)에 기대어지면, Z 축으로의 이동을 막지않았다면, 최소화된다. 그러나, 보스(56c)는 여전히 X 및 Y 축을 따라 이동할 수 있다.
유연 부재(56)로 주형(26)을 압축한 결과, 주형(26)의 주변 영역(26d)은 멈춤쇠(53c)에 기대어지고, 피봇점(53e)에 대해 Z 축을 따라 이동한다. 부재 암(53f)은 표면(52a)으로 외팔보 형상이 되어서 주형 에지(26c)가 단부(52c)에 의해 압축될 때까지 말단 가지부(52)를 주형(26) 안쪽으로 이동시킨다. 각각의 가지부(52)는 몸체(50) 상의 나머지 가지부(52)와 대략 동일한 정도로 이동하도록 배열된다. X 및 Y 축을 따른 멈춤쇠(56b) 및 보스(56c)의 자유 이동, 뿐만 아니라 가지부(52)의 이동은 주형(26)이 로딩될 때마다 주형(26)이 몸체(50) 상의 소정 위치에 배치되도록 한다. 본 실시예에서, 주형(26)은 몸체(50) 상에서 중심 위치된다. 이는 최종 착석 위치라고 한다. 최종 착석 위치에서, 몰드(28)는 면(54)에서 이격된다. 이를 위하여, 갭(53d)은 높이 h1을 가지며, 몰드(28)는 높이 h2를 가진 면(26b)으로부터 연장한다. 높이 h1 및 h2는 최종 착석 위치에 도달할 때 몰드(28)가 면(52a)을 접촉하지 않도록 설정된다. 따라서, 몰드(28)의 구조적 일체성을 보전하는 한편, 주형(26)이 제거되고, 도 1에 도시된 임프린트 헤드(18)를 가진 주형 전사 홀더(40a)로 삽입되도록 한다.
도 1 및 도 11을 참조하면, 동작 스테이지(20)에 착탈 가능하게 장착된 주형 전사 시스템(10)의 간략 측면도가 도시되어 있다. 주형 전사 시스템(140)은 전사 기판(144)을 포함하고, 주형(126)은 임프린트 재료를 사용하여 거기에 고정될 수 있으며, 이하에서 보다 상세하게 논의하기로 한다.전사 기판(144)은 다양한 재료 중 임의의 것, 예컨대 알루미늄, 스테인레스 강, 유리, 세라믹, 규소 등으로 이루 어질 수 있다. 또한, 전사 기판(144)은 임프린트될 생성 웨이퍼(기판)보다 더 크거나 더 작을 수 있다. 생성 웨이퍼와 동일한 크기의 전사 기판(144)은 생성 웨이퍼에 통용되는 웨이퍼 척(21) 상의 정렬 구조물을 사용할 수 있다. 이러한 구성으로, 전사 기판(144)은 기존의 웨이퍼 조작 시스템, 예컨대 로보트, 카세트 등의 사용과 호환성이다. 이는 주형(126) 및 전사 기판(144)이 수동 대신에 웨이퍼 조작 시스템을 사용하여 조작될 수 있기 때문에 유리하다.
주형 전사 시스템(140)은 임프린트 헤드(18)에 의해 접근 가능한 전사 기판(144) 상의 임의의 지점에 위치할 수 있다. 동작 스테이지(20)는 주형 전사 시스템(140)을 임프린트 헤드(18) 아래에 위치시키 위하여 추가의 동작 범위를 필요로 하지 않는다. 전사 기판(144)의 이면에 의한 웨이퍼 척(21)의 오염은 전사 기판(144)의 적절한 조작에 의하여 감소될 수 있다.
도 1 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 구체예에 따른, 웨이퍼 척(21)으로부터 이격된 전사 기판(244) 상의 주형 전사 시스템(240)의 간략 측면도가 도시되어 있다. 주형(226) 및 주형 전사 기판(244)의 위치는 임프린트 재료를 사용하여 고정될 수 있으며, 이하에서 보다 상세하게 논의하고자 한다. 다리부(246)는 웨이퍼 척(21) 위에서 전사 기판(244)을 지지함으로써 웨이퍼 척(21)의 표면이 전사 기판(224)의 이면(즉, 주형 전사 시스템(240)에 대향하는 면)과의 접촉으로부터의 오염을 피한다. 대안으로, 전사 기판(244)으로부터 웨이퍼 척(21)의 주변 영역 또는 주변 선반 또는 다른 구조물로 연장하는 다리부(246)를 사용하여 웨이퍼 척(21) 위에서 전사 기판(244)을 지지한다.
도 1 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 구체예에 따른, 주형(326)이 고형 임프린트 재료(334)로 주형 전사 기판(344)에 결합된 주형 전사 어셈블리(340)의 간략 단면도가 도시되어 있다. 주형 전사 기판(344)은, 예를 들면 프로세스 기판일 수 있다. 주형(326)은 사용하지 않을 때, 주형 전사 기판(344) 상에 저장되고, 주형(326)은 주형 전사 기판(344)으로부터 임프린트 헤드(18)로 로딩될 수 있다.
주형(326)을 임프린트 헤드(18)로부터 언로딩 및 저장하는 것이 요망될 경우(예를 들면, 일련의 프로세스 웨이퍼의 임프린팅 후), 주형 전사 기판(344)은 웨이퍼 척(21) 상에 장착된다. 선택된 부피의 임프린트 재료는 유체 상태로, 주형(326)이 부착될 주형 전사 기판(344)의 영역에 도포된다. 유체의 부피는 생성 웨이퍼를 임프린트하는 데 사용되는 임프린트 재료의 부피보다 작거나, 같거나, 또는 더 클 수 있다.
주형(326)은 임프린트 재료와 접촉하고, 임프린트 재료는 중합 또는 고화되어 주형(326)을 주형 전사 기판(344)에 확고하게 고정한다. 임프린트 헤드(18)와 웨이퍼 척(21) 간의 거리를 증가시키기 보다는, 진공 및/또는 기계적 유지 수단을 탈활성화시켜서 주형(326)을 임프린트 헤드(18)에서 방출할 수 있다. 주형(326)은 고형 임프린트 재료(334)로 주형 전사 기판(344)에 고정되고, 원단 저장 위치로 이와 함께 이동할 수 있다.
대안으로, 주형 전사 기판(344)은 웨이퍼 척(21) 상에서 이탈될 수 있으며, 주형(326)은 임프린트 헤드(18)로부터 제거되거나, 그 안에 유지될 수 있다. 각각의 경우에서, 고체 임프린트 재료(334)는 비사용시 주형(326) 상의 몰드 패턴(328) 을 보호한다. 고형 임프린트 재료(334)는 주형(326)을 오염으로부터 밀폐시키고, 주형(326)의 표면 상의 몰드 패턴(328)은 손상으로부터 보호된다. 이는 몰드 패턴(328)의 전체 면적을 임프린트 재료(334)로 피복하여 몰드 패턴(328)을 밀봉함으로써 달성될 수 있다.
주형(326)을 다시 저장하기 위하여 임프린트 헤드(18)에서 제거할 경우, 새것 또는 재사용 주형 전사 기판을 사용한다. 대안으로, 동일한 기판을 사용하여 주형(326)을 저장할 수 있지만, 주형(326)은 상이한 영역에 저장될 수 있다. 주형 전사 기판(344)은 고형 임프린트 재료(334)를 주형 전사 기판(344)에서 제거함으로써 재사용된다. 임프린팅 전에 빼낸 프로세스 웨이퍼는 주형 전사 기판(344)으로서 사용하기에 종종 편리하다.
대안으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 주형 전사 홀더(440)는 몰드 패턴(428)의 하위부분(428a)에 도포된 임프린트 재료(434)를 가진 것을 포함한다. 이를 위하여, 임프린트 재료(434)는 하위부분(428a)이 주형 전사 기판(444)과 임프린트 재료(434)로부터 이격되도록 하기에 충분한 양으로 도포된다. 더욱이, 하위부분(428a)을 임프린트 재료(434)로 외접시킴으로써 하위부분(428a)은 캡슐화, 예컨대 몰드 패턴(428)이 노출되는 분위기만이 하위부분(428a)이 노출되는 부피(434a)에 존재하도록 밀봉될 수 있다. 이는 저장 중에 몰드 패턴(428)의 하위부분(428a)으로의 오염 증가를 방지한다.
주형(426)을 저장하는 것이 요망될 때, 이를 고형 임프린트 재료(434)로 주형 전사 기판(444)에 부착하여 주형 전사 기판(444)을 주형(426)에 확고하게 부착 할 수 있다. 이를 위하여, 임프린트 재료(434)를 가진 주형 전사 기판(444)을 웨이퍼 척(21)에 로딩하고, 주형(426)을 임프린트 헤드(18) 아래의 위치로 이동시킨다(이미 로딩되지 않은 경우). 임프린트 헤드(18)와 주형(426) 간의 상대적 이동은 이들 간의 간격을 줄이도록 수행하여, 임프린트 헤드(18)와 주형(426)을 밀착 또는 접촉 배치한다. 주형(426)은 진공 및/또느 기계적 결합 수단에 의하여 임프린트 헤드(18)에 고정한다. 주형(426)과 함께 임프린트 헤드(18)는 주형 전사 기판(444)과 중첩하여 배치한다. 그 후, 주형(426)과 주형 전사 기판(444) 상에 조재하는 임프린트 재료(434) 간에 접촉이 이루어진다. 그 다음, 임프린트 재료(434)를 상기 논의된 바와 같이 고화하여, 주형(426)을 주형 전사 기판(444)에 확고하게 고정한다.
도 15를 참조하면, 주형 전사 기판(544)을 주형(526)에 고정 부착시키기 위하여 본 발명의 다른 구체예에 따라서 고형 임프린트 재료(534)의 주변부로 주형 전사 기판(544)에 결합된 주형(526)을 가진 주형 전사 홀더(540)의 간략 단면도가 도시되어 있다. 이 구조에서, 전체 몰드 패턴(528)은 캡슐화, 예를 들면 도 14에 관하여 상기 논의된 바와 같이 밀봉할수 있다. 더욱이, 주형(526)은 몰드 패턴(528) 주위에 주변 오목부(537)를 형성하는 주변 메사(536)를 임의로 포함할 수 있다. 임프린트 재료(534)는 주형(526) 상의 몰드 패턴(528)에 부착하지 않으므로, 몰드 재생성을 촉진한다.
주형 전사 기판(544) 상에 주형(526)을 저장하기 위하여, 선택된 부피의 임프린트 재료(534)를 유체 상태로 주형 전사 기판(544)의 표면(531)에 도포한다. 임프린트 재료(534)는 선택된 영역(예컨대, 주형(526)의 주변부에 해당하는 영역)에 도포될 수 있거나, 또는 임프린트 재료(534)의 부피는 주변부 메사(536)에만 부착되어 주형(526) 상의 몰드 패턴(528)의 영역에 충전되지 않도록 선택된다. 오목부(537)는 기계적 접촉이 임프린트 재료(534)와 주형(526) 사이에서 이루어질 때 유체 임프린트 재료(534)가 몰드 패턴(528)에 도달하는 것을 방지한다.
도 16은 주형(626), 메사(636) 및 메사(636)에 대향 배치된 주표면(626a)을 가진 주형 전사 어셈블리(640)의 간략 단면도이다. 몰드 패턴(628)은 메사(636) 상에 홈(628a) 및 돌출부(628b)를 갖는 것으로서 포함된다. 홈(628a)은 바닥면(628c)을 포함하고, 돌출부(628b)는 정점면(628d)을 갖는다. 표면(638)은 전부가 아니라면 홈(628a) 및 돌출부(628b)의 일부와 외접한다. 1 이상의 바닥면(628c)은 주면(626a)으로부터 제1 거리 d1으로 이격되고, 1 이상의 정점면(628d)은 주면(626a)으로부터 제2 거리 d2로 이격된다. 표면(638)은 주면(626a)으로부터 제3 거리 d3으로 이격된다. 메사(636)는 제3 거리 d3을 제1 및 제2 거리 d1 및 d2와 다르게 함으로써 형성된다. 특정예에서, 거리 d3은 거리 d1 및 d2보다 작다. 임프린트 재료(634)는 표면(638)과 주형 전사 기판(644)의 표면(631) 사이의 영역에 배치된다. 이러한 방식에서, 임프린트 재료(634)는 임프린트 재료(634)가 주형(626) 사의 몰드 패턴(628)과 접촉하지 않으면서 주형(626)과 주형 전사 기판(644) 사이의 고정된 위치를 유지하는 데 사용될 수 있다. 또한, 임프린트 재료(634)는 몰드 패턴(628)을 캡슐화, 예를 들면 상기 논의된 바와 같이 이를 밀봉하도록 배치될 수 있다. 이 방식으로, 몰드 패턴(628)은 물리적 손상과 오염으로부터 보호된다.
주형(626)을 저장하기 위하여, 선택된 부피의 임프린트 재료(634)를 유체 상태로 주형 전사 기판(644)의 표면에 도포한다. 임프린트 재료(634)는 표면(638)과 중첩될 표면(631)의 영역에 도포된다. 통상적으로 선택되는 임프린트 재료(634)의 부피는 몰드 패턴(628)이 표면(631)으로부터 이격되도록 주형(626)을 주형 전사 표면(644)에 부착하기에 충분하다. 반드시 필요한 것은 아니지만, 임프린트 재료(634)는 몰드 패턴(628)과 외접함으로써 이를 캡슐화하여 미립자 물질에 의한 오염을 방지할 수 있다.
도 1 및 도 17을 참조하면, 임프린트 리소그래피 시스템(10)의 작동 중에, 주형(26)은 단계(702)에서 주형 전사 시스템(40)으로 로딩된다. 주형(26)은 단계(704)에서 임프린트 헤드(18) 아래의 위치로 이동하고, 임프린트 헤드(18)와 주형(26) 간의 간격은 단계(706)에서 감소하여 임프린트 헤드(18)를 주형(26)과 밀접 또는 접촉시켜 배치한다. 주형(26)은 단계(708)에서 임프린트 헤드(18)에 고정되고, 주형 전사 홀더(40a)와 임프린트 헤드(18) 간의 거리는 단계(710)에서 증가된다. 주형 전사 홀더(40a)는 단계(712)에서 임프린트 헤드(18) 아래에 없는 제2 위치로 이동한다. 또 다른 구체예에서, 주형 전사 홀더(40a)는 단계(714)에서 동작 스테이지(20)로부터 제거되고, 프로세스 웨이퍼(30)는 주형(26)으로 임프린트하기 위한 동작 스테이지(20)의 웨이퍼 척(21)에 로딩된다. 상기는 주형 전사 시스템(40)에 관하여 논의하였지만, 도 17에 관하여 논의된 작동은 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15 및 도 16에 각각 도시된 주형 전사 시스템(140, 240, 340, 440, 540 및 640)을 사용할 때 적용된다는 것을 이해해야 한다.
도 18은 본 발명의 다른 구체예에 따른, 임프린트 리소그래피 시스템(10) 내 임프린트 헤드(18)로부터 도 1에 도시된 주형(26)을 제거하는 방법(720)의 간략 흐름도이다. 주형 전사 기판, 예컨대 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15 및 도 16에 각각 도시된 주형 전사 기판(144, 244, 344, 444 및 644)을 사용할 수 있다. 논의의 간략성을 위하여, 본 실시예는 도 14에 도시된 주형 전사 기판(444)에 관하여 논의하며, 전술한 주형 전사 기판에 동일한 비중으로 적용된다. 단계(722)에서, 주형 전사 기판(444)은 임프린트 리소그래피 시스템(10) 내 웨이퍼 척(21)에 로딩된다. 선택된 부피의 임프린트 유체는 단계(724)에서 주형 전사 기판(444)의 표면으로 분배된다. 주형(26)을 보유하는 임프린트 헤드(18)와 주형 전사 기판(444) 간의 상대적 이동은 주형(26)이 단계(726)에서 임프린트 유체를 접촉하도록 달성된다. 임프린트 유체는 단계(728)에서 고형 임프린트 재료로 전환된다. 주형(26)은 임프린트 헤드(18)로부터 방출되고(예컨대, 고정 수단을 중지시키고, 임프린트 헤드(18)를 상승시킴으로써), 주형(26)이 부착된 주형 전사 기판(444)은 웨이퍼 척(21)으로부터 제거되고, 단계(730)에서 저장 위치로 전사된다. 대안으로, 주형(26)은 웨이퍼 척(21) 상의 주형 전사 기판(444)에 부착된 채로 있으며, 임프린트 헤드(18)와 주형(26)은 단계(730a)에서 이격되도록 배열된다. 또 다른 대안에서, 주형(26)은 단계(730b)에서 웨이퍼 척(21) 상에 저장하기 위하여 주형 전사 기판(444)에 부착된 임프린트 헤드(18)에서 이탈한다.
도 19는 본 발명의 또 다른 구체예에 따른, 도 1에 도시된 주형(26)을 도 14에 도시된 주형 전사 기판(444)으로부터 임프린트 리소그래피 시스템(10)의 임프린 트 헤드(18)로 설치하는 방법(740)의 간략 흐름도이다. 임프린트 재료(434)로 주형 전사 기판(444)에 부착된 주형(26)을 가진 주형 전사 기판(444)은 단계(744)에서 임프린트 리소그래피 시스템(10) 내 웨이퍼(30)의 웨이퍼 척(21)으로 로딩된다. 대안으로, 주형 전사 기판(444)은 주형(26)이 사용 간에 이 방식으로 저장될 때이기 때문에 이미 웨어퍼 척(21) 상에 있다. 대안으로, 주형 전사 기판(444) 사에 저장된 주형(26)은 이미 임프린트 헤드(18) 아래에 있다. 임프린트 헤드(18)와 주형(26) 간의 상대적 이동은 단계(748)에서 임프린트 헤드(18)와 주형(26)을 미락 또는 접촉시켜 배치하도록 달성된다. 주형(26)은 단계(750)에서 임프린트 헤드(18)에 고정된다. 임프린트 헤드(18)와 주형 전사 기판(444) 간의 거리는 단계(752)에서 증가되어, 주형(26)을 임프린트 재료(434)로부터 방출시킨다. 주형 전사 기판(444)은 웨이퍼 척(21)에서 제거된 후, 프로세스 웨이퍼(30)는 주형(26)으로 임프린트하기 위하여 웨이퍼 척(21)으로 로딩될 수 있다.
전술한 본 발명의 구체예는 예시적이다. 많은 변형과 수정이 본 발명의 범주 내에서 유지되면서 전술한 개시 내용에서 이루어질 수 있다. 그러므로, 본 발명의 범주는 상기 상세한 설명을 참고로 결정해서는 안되며, 그 대신에 모든 균등 범주와 함께 첨부된 특허청구의 범위를 첨고로 결정되어야 한다.

Claims (33)

  1. 동작 스테이지 및 상기 동작 스테이지에 대향 위치된 임프린트 헤드를 가진 임프린트 리소그래피 시스템에 사용되는, 패터닝된 몰드가 위에 있는 주형의 조작 방법으로서,
    상기 동작 스테이지에, 상기 임프린트 헤드를 대면하는 면을 가지며, 상기 동작 스테이지를 대면하고, 상기 면으로부터 이격하여 상기 패터닝된 몰드를 갖도록 상기 주형을 지지하는 데 적합한 주형 전사 홀더를 제공하여 제1 위치를 형성하는 단계; 및
    상기 주형 전사 홀더로부터 상기 주형을 선택적으로 제거하여 제2 위치를 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주형을 진공으로 상기 전사 홀더에 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 두 횡방향을 가로지르는 제3 방향으로 압축력을 인가함으로써 상기 두 횡방향의 상기 주형 및 상기 전사 홀더 간의 상대적 이동을 제한하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 주형을 상기 주형 전사 홀더로부터 선택적으로 제거하는 단계는 상기 임프린트 헤드와 상기 주형을 밀착 배치하고 상기 주형을 상기 임프린트 헤드에 고정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 주형을 상기 주형 전사 홀더에 제공하는 단계는 제1 방향에 따른 상기 주형과 상기 면 간의 거리를 감소시키면서 상기 제1 방향을 가로질러 연장하는 제2 방향을 따라 상기 주형 전사 홀더와 상기 주형 간의 상대적 위치를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 선택적 제거 단계는 상기 임프린트 헤드를 상기 주형 전사 홀더와 중첩하여 위치시키도록 상기 동작 스테이지를 X-Y 면에서 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 선택적 제거 단계는 상기 임프린트 헤드를 상기 주형 전사 홀더와 중첩하여 위치시키도록 세 개의 직교 축 중 1 이상에 대하여 상기 동작 스테이지와 상기 임프린트 헤드 간의 상대적 회전 운동을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 선택적 제거 단계는 상기 임프린트 헤드를 상기 주형 전사 홀더와 중첩하여 위치시키도록 상기임프린트 헤드를 X-Y 면에서 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 주형의 제거 단계는 상기 임프린트 헤드를 상기 주형에 밀착 배치시키도록 상기 임프린트 헤드를 Z 축에 따라 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 주형의 제거 단계는 상기 주형을 상기 임프린트 헤드에 밀착 배치시키도록 상기 주형 전사 기판을 Z 축에 따라 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 임프린트 헤드;
    상기 임프린트 헤드에 대향 배치되고, 웨이퍼 척을 포함하는 동작 스테이지;
    몰드 패턴이 위에 있는 제1 면 및 제2 대향면을 가진 주형; 및
    상기 동작 스테이지에 결합되고, 몸체 및, 상기 동작 스테이지로부터 이격되어 상기 몸체로부터 연장하는 서포트 부재를 가진 주형 전사 홀더를 포함하는 주형 전사 시스템으로서, 상기 서포트 부재는 상기 제1 면을 접촉하고, 상기주형을 상기 주형 전사 홀더에 고정하는 한편, 상기 몸체로부터 이격된 상기 몰드 패턴을 유지시키는 것인 주형 전사 시스템
    을 포함하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 면에 진공을 인가하기 위하여 상기 서포트 부재와 유체 연통하는 진공 시스템을 더 포함하고, 상기 서포트 부재는 상기 주형에 고정 부착되어 Z 방향으로의 이동을 제한하는 한편, X-Y 면에서 상기 주형의 이동을 허용하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 상기 동작 스테이지로부터 이격되어 상기 몸체로부터 연장하는 다수의 이격된 가지부를 더 포함하고, 상기 가지부는 상기 몸체에 탄성적으로 결합되며, 상기 주형을 상기 서포트 부재로 안내하고, 상기 주형을 선택적으로 클램프 고정하도록 배열된 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  14. 제11항에 있어서, 상기 몸체는 각각 개구가 안에 형성되고, 그 안에 배치된 부싱을 포함하며, 상기 다수의 서포트 부재 중 하나에 연관된 다수의 챔버를 포함하고, 상기 다수의 서포트 부재 각각은 보스에 결합된 유연 부재를 포함하며, 상기 보스는 상기 챔버 내에 배치되어 계면을 한정하는 상기 부시에 선택적으로 놓이고, 상기 계면은 절두 원추 형상을 가져서 상기 챔버에 관하여 상기 서포트 부재를 중심 위치시키는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 다수의 서포트 부재 각각은 Delrin AF®로 형성된 것을 특징으로 하는 홀더.
  16. 제1 및 제2 대향면을 가지며, 몰드 패턴이 상기 제2 면으로부터 연장하는 임프린트 리소그래피 주형용 홀더로서,
    제1 및 제2 대향면을 가진 몸체;
    상기 제2 면을 지지하도록 구성된 상기 제1 면으로부터 연장하는 다수의 서포트 부재;
    상기 제2 면으로부터 이격되어 상기 제1 면으로부터 연장하는 다수의 이격된 가지부; 및
    상기 다수의 서포트부재를 고정 부착하도록 진공을 상기 제2 면에 인가하기 위하여 상기 서포트 부재와 유체 연통하는 진공 시스템으로서, 상기 다수의 서포트 부재는 Z 방향으로의 상기 주형과 상기 몸체 간의 이동을 제한하는 한편, X-Y 면에서 이들 간의 이동을 허용하고, 상기 다수의 가지부는 상기 주형을 상기 서포트 부재로 안내하고, 상기 주형을 선택적으로 클램프 고정하도록 구성된 것인 진공 시스템
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀더.
  17. 제16항에 있어서, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2 대향면을 통하여 연장하는 채널을 더 포함하고, 상기 다수의 서포트 부재 각각의 일부분은 상기 채널과 유체 연통하는 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀더.
  18. 제16항에 있어서, 상기 다수의 가지부는 상기 주형과 접촉시 구부러짐을 촉 진하기 위하여 탄성 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 홀더.
  19. 제16항에 있어서, 상기 다수의 가지부의 일부분은 상기 다수의 가지부의 일단으로부터 상기 몸체 안쪽으로 연장하는 경사면을 포함하고, 상기 가지부는 탄성 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 홀더.
  20. 제16항에 있어서, 상기 다수의 가지부의 일부분은 Delrin AF®로 형성된 것은 특징으로 하는 홀더.
  21. 주형 전사 기판;
    제1 및 제2 면을 가진 주형으로서, 상기 제1 면은 상기 주형 전사 기판으로부터 이격 대면하며, 상기 제2 면은 상기 주형 전사 기판과 대면하고 몰드 패턴이 그 위에 형성된 것인 주형; 및
    상기 주형을 상기 주형 전사 기판에 고정 부착하기 위하여 상기 제2 면과 상기 주형 전사 기판 사이에 배치된 중합된 임프린트 재료
    를 포함하는 주형 전사 어셈블리.
  22. 제21항에 있어서, 상기 중합된 임프린트 재료는 상기 몰드의 하위부분을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 주형 전사 어셈블리.
  23. 제21항에 있어서, 상기 중합된 임프린트 재료는 상기 몰드의 하위부분을 밀봉하는 것을 특징으로 하는 주형 전사 어셈블리.
  24. 제21항에 있어서, 상기 중합된 임프린트 재료는 상기 전체 몰드를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 주형 전사 어셈블리.
  25. 제21항에 있어서, 상기 중합된 임프린트 재료는 상기 전체 몰드를 캡슐화하여 상기 몰드를 주변으로부터 밀폐하는 것을 특징으로 하는 주형 전사 어셈블리.
  26. 제21항에 있어서, 상기 주형은 상기 주형 전사 기판과, 주변부 홈과 중첩하는 상기 제2 면의 영역 사이에 배치된 상기 중합된 임프린트 재료로 상기 몰드를 둘러싸는 주변부 홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주형 전사 어셈블리.
  27. 제21항에 있어서, 상기 주형 전사 기판은 반도체 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 주형 전사 어셈블리.
  28. 제21항에 있어서, 상기 주형 전사 기판은 추가의 주형이 결합된 반도체 웨이퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 주형 전사 어셈블리.
  29. 주형 전사 기판을 제공하는 단계;
    선택된 부피의 임프린트 유체를 상기 주형 전사 기판에 형성하는 단계;
    상기 주형을 상기 선택된 부피에 배치하는 단계; 및
    상기 임프린트 유체를 고형 임프린트 재료로 전환시키는 단계
    를 포함하며, 상기 선택된 부피는 상기 주형을 상기 주형 전사 기판에 고정 부착하기에 충분한 양인 한편, 몰드와 상기 주형 전사 기판 사이의 공간을 유지시키는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 주형의 전사 방법.
  30. 제29항에 있어서, 전환 단계는 상기 임프린트 재료를 전환할 때 상기 고형 임프린트 재료가 상기 몰드의 일부를 둘러싸도록 상기 주형을 상기 선택된 부피 위에서 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 전환 단계는 상기 임프린트 재료를 전환할 때 상기 고형 임프린트 재료가 상기 몰드의 하위부분을 밀봉하도록 상기 주형을 상기 선택된 부피 위에서 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제29항에 있어서, 전환 단계는 상기 임프린트 재료를 전환할 때 상기 고형 임프린트 재료가 상기 몰드를 전체적으로 둘러싸도록 상기 주형을 상기 선택된 부피 위에서 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제29항에 있어서, 전환 단계는 상기 임프린트 재료를 전환할 때 상기 고형 임프린트 재료가 상기 몰드를 캡슐화하여 상기 몰드를 주변으로부터 밀폐하도록 상기 주형을 상기 선택된 부피 위에서 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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