KR20050111350A - 무전해막 증착 방법을 사용하여 평탄화된 구리상호접속층을 형성하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 평탄화된 표면을 형성하기 위한 방법으로서,그 내부에 한정된 좁은 피처 및 넓은 피처를 가진 기판을 제공하는 단계;상기 좁은 피처를 충전하고, 상기 넓은 피처를 적어도 부분적으로 충전하며,그 내부에 한정되고 상기 넓은 피처와 정렬된 공동을 가진 제 1층을 상기 기판 위에 형성하는 단계;상기 제 1층을 평탄화하면서 상기 공동 내에 제 2 층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 및 상기 제 2 층을 함께 평탄화하는 단계를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 제 1층을 평탄화하면서 제 2 층을 형성하는 상기 단계는,상기 제 1층과 가요성 재료를 접촉시키는 단계; 및상기 가요성 재료 및 상기 제 1층 사이에 상대 가로운동을 도입하는 단계를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1층은 상기 넓은 피처를 완전히 충전하고;제 1층 및 제 2 층을 함께 평탄화하는 상기 단계는 상기 제 2 층을 완전히 제거하는 단계를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 제 1층 및 제 2 층을 함께 평탄화하는 상기 단계는 상기 제 2 층을 완전히 제거하지 않는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 제 1층 및 제 2 층을 함께 평탄화하는 상기 단계는 응력 없는 평탄화를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 1항에 있어서, 제 1층 및 제 2 층을 함께 평탄화하는 상기 단계는 화학-기계적 평탄화를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 평탄화된 표면을 형성하기 위한 방법으로서,좁은 피처 및 넓은 피처를 가진 기판을 제공하는 단계;상기 좁은 피처를 충전하고 상기 넓은 피처를 적어도 부분적으로 충전하며 상기 넓은 피처와 정렬된 공동을 가진 제 1층을 상기 기판 위에 형성하는 단계;상기 제 1층의 적어도 일부분과 가요성 재료를 접촉시키는 단계;상기 공동에 용액을 전달하기 위하여 상기 가요성 재료를 사용하는 단계;상기 가요성 재료가 상기 제 1층과 접촉하는 제 2 층을 형성하지 않고 상기 용액으로부터 상기 공동 내에 제 2 층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 및 상기 제 2 층을 평탄화하는 단계를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 용액은 무전해 도금액을 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 제 1층 형성 단계는 도전재료의 전기화학 증착을 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 가요성 재료는 다공성막을 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 제 1층 형성 단계는 상기 넓은 피처를 완전히 충전하는 단계를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 제 1층 형성 단계는 상기 전체 넓은 피처보다 낮게 충전하는 단계를 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 제 7항에 있어서, 제 1층의 적어도 일부분과 가요성 재료를 접촉시키는 상기 단계는 상기 제 1 층의 하중부위에 상기 제 2 층이 증착되는 것을 억제하는 평탄화된 표면 형성 방법.
- 평탄화된 표면을 형성하기 위한 장치로서,영역을 가진 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 지지부;무전해 도금액을 가지며 일측을 채우고 있는 가요성 및 다공막을 가진 저장부를 구비하는 워크피스;상기 워크피스 및 웨이퍼가 서로 접촉되도록 할 수 있는 연동 메커니즘; 및상기 워크피스 및 상기 웨이퍼 간의 상대 가로운동을 도입하는 수단을 포함하는 평탄화된 표면 형성 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 다공막은 세라믹을 포함하는 평탄화된 표면 형성 장치.
- 제 14항에 있어서, 상기 다공막은 약 5% 내지 약 50%의 다공성량을 포함하는 평탄화된 표면 형성 장치.
- 평탄화된 표면을 형성하기 위한 장치로서,웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 지지부;무전해 도금액으로 적셔진 가요성 합성 다공 피혁 재료;상기 합성 다공 피혁 재료가 상기 웨이퍼와 접촉되도록 할 수 있는 연동 메커니즘; 및상기 합성 다공 피혁 재료 및 상기 웨이퍼 간에 상대 가로운동을 도입하는 수단을 포함하는 평탄화된 표면 형성 장치.
- 제 17항에 있어서, 상기 합성 다공 피혁 재료는 연속루프의 형상을 가지는 평탄화된 표면 형성 장치.
- 제 17항에 있어서, 상기 합성 다공 피혁 재료는 상기 무전해 도금액을 포함하기 위하여 상승 에지를 포함하는 평탄화된 표면 형성 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 상대 가로운동은 진동 성분을 포함하는 평탄화된 표면 형성 방법.
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