KR20050097959A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 반도체 기판과,상기 반도체 기판상에서 게이트 절연막을 통해 형성된 게이트 전극과,상기 게이트 전극의 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 형성된 한쌍의 불순물 확산층을 포함하고,상기 불순물 확산층은,적어도 인(P)을 함유하여 이루어지고, 상기 게이트 전극의 하부 영역과 일부 중첩하는 얕은 제1 영역과,n형 불순물을 함유하여 이루어지고, 상기 제1 영역과 일부 중첩하며, 상기 제1 영역보다도 깊은 제2 영역과,적어도 인듐(In)을 함유하여 이루어지는 제3 영역과,탄소(C)를 함유하여 이루어지는 제4 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1 영역은 인(P) 및 비소(As)를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제3 영역은 인듐(In) 및 붕소(B)를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 기판상에 게이트 절연막을 통해 게이트 전극을 형성하는 제1 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 적어도 인듐(In)을 도입하는 제2 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 탄소(C)를 도입하는 제3 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 적어도 인(P)을 도입하는 제4 공정과,적어도 상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 상기 제4 공정의 인(P)보다 깊게, n형 불순물을 도입하는 제5 공정을 포함하고,상기 제1 공정후, 상기 제2∼제5 공정을 임의의 순서로 실행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 제2 공정에서 인듐(In) 및 붕소(B)를 도입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 제4 공정에서 인(P) 및 비소(As)를 도입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 제3 공정에서 탄소(C)를 1OkeV 이하의 가속 에너지로 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 기판상에 게이트 절연막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 적어도 인듐(In)을 도입하는 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 탄소(C)를 도입하는 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 적어도 인(P)을 도입하는 공정과,상기 게이트 전극의 양측면에만 사이드월 막을 형성하는 공정과,상기 사이드월 막을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 상기 제4 공정의 인(P)보다도 깊게, n형 불순물을 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,인듐(In)과 함께 붕소(B)를 도입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,인(P)과 함께 비소(As)를 도입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,탄소(C)를 10keV 이하의 가속 에너지로 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,n형 불순물을 도입하기 전 또는 후에, 상기 사이드월 막을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 탄소(C)를 도입하는 제7 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 기판상에 게이트 절연막을 통해 게이트 전극을 형성하는 공정과,상기 게이트 전극의 양측면에만 더미 사이드월 막을 형성하는 공정과,상기 더미 사이드월 막을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 인(P)을 도입하는 공정과,상기 더미 사이드월 막을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 탄소(C)를 도입하는 공정과,상기 더미 사이드월 막을 제거하는 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 적어도 인(P)을 도입하는 공정과,상기 게이트 전극을 마스크로 하여, 그 양측에서의 상기 반도체 기판의 표층에 적어도 인듐(In)을 도입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,인듐(In)과 함께 붕소(B)를 도입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,인(P)과 함께 비소(As)를 도입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 표층에 적어도 인듐(In) 또는 적어도 인(P)을 도입한 후에, 상기 게이트 전극의 양측면에 사이드월 막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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KR100721619B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-05-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Cmos 트랜지스터 형성방법 |
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