KR20050085034A - 고체 전해 컨덴서 - Google Patents
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Abstract
고체 전해 컨덴서(1)는 양극박(4) 및 음극박(5)을 세퍼레이터(6)를 개재시켜 감아서 구성되며, 내부에 고체 전해질 층 또는 도전성 고분자 층이 형성된 컨덴서 소자(2)를 구비하고 있다. 음극박(5) 상에는 티탄을 함유하는 복합 금속 화합물의 질화물을 포함하는 피막이 형성되어 있다. 복합 금속 화합물의 질화물은 질화 알루미늄 티탄, 질화 크롬 티탄, 질화 지르코늄 티탄 또는 탄질화 티탄이다.
Description
본 발명은 양극박 및 음극박을 감아서 형성되는 고체 전해 컨덴서에 관한 것이다.
도 2는 종래의 고체 전해 컨덴서(1)의 정단면도이고, 도 1은 컨덴서 소자(2)의 투시도이다(일본 특허 공고 공보 평 4-19695호 참조).
이것은 윗면이 개구된 알루미늄제의 케이스(3) 안에 컨덴서 소자(2)를 수납하고 고무제의 패킹(3O)으로 케이스(3)의 개구를 봉지한 것이다. 케이스(3)의 상단부를 구부려 패킹(30)을 고정시키고, 케이스(3)의 윗면에는 플라스틱제의 시트 플레이트(31)가 부착되어 있다. 컨덴서 소자(2)로부터 연장된 리드선(21)(21)은 패킹(30) 및 시트 플레이트(31)를 관통한 후, 횡방향으로 꺾여져 있다.
컨덴서 소자(2)는 도 1에 나타낸 바와 같이 유전체 산화 피막을 형성시킨 알루미늄박인 양극박(4) 및 알루미늄박인 음극박(5)을, 종이 등의 절연체인 세퍼레이터(6)를 개재시켜 롤형으로 감고 테이프(26)로 고정시킴으로써 구성되며, 내부에 TCNQ(7,7,8,8-테트라시아노퀴노지메탄) 착염 등의 고체 전해질을 함침시키거나, 또는 도전성 고분자 층이 형성되어 있다. 양극박(4) 및 음극박(5)으로부터는 한쌍의 리드탭(25)(25)이 인출되고, 상기 리드탭(25)(25)으로부터 상기 리드선(21)(21)이 연장되어 있다.
양극박(4) 및 음극박(5) 사이에 도전성 고분자 층을 형성시키기 위해서는 희석제로서 n-부틸 알코올을 함유하는 3,4-에틸렌디옥시티오펜 및 p-톨루엔술폰산철의 혼합 용액에 컨덴서 소자(2)를 침지시키고 열 중합시킨다.
이러한 고체 전해 컨덴서(1)는 널리 이용되고 있지만, 시장에서는 대용량이면서 소형인 컨덴서가 희망되고 있다. 그래서, 이하와 같이 음극박(5)에 금속 질화물을 포함하는 피막을 형성시킨 것이 제안되어 있다(일본 특허 공개 공보 2000-114108호 참조).
음극박(5)에 금속 질화물을 포함하는 피막을 형성시켜 컨덴서를 대용량화하는 원리를 설명하기로 한다. 일반적으로, 음극박(5) 상에는 유전체 산화 피막을 의도적으로는 형성시키지 않지만, 실제로는 자연 산화에 의해 산화 피막이 형성된다. 따라서, 컨덴서의 정전 용량 C는 양극박(4) 측의 정전 용량 Ca 및 음극박(5) 측의 정전 용량 Cc가 직렬로 접속된 용량이 되며, 하기 식으로 표시된다.
C = Ca×Cc/(Ca+Cc) = Ca×1/(Ca/Cc+1)
즉, 음극박(5)이 정전 용량 Cc를 가지면, 컨덴서의 정전 용량 C는 양극박(4) 측의 정전 용량 Ca보다도 작아진다.
그러나, 도 4에 나타낸 바와 같이 음극박(5)에 스퍼터링법 또는 증착에 의해 TiN 등의 금속 질화물의 피막(52)을 형성시키면, 금속 질화물의 분자가 산화 피막(51)을 돌파하여 음극박(5)의 알루미늄 기재에 접할 것으로 추측된다. 따라서, 기재와 금속 질화물이 도통하게 되어, 음극박(5)이 용량을 갖지 않는다. 이에 따라, 컨덴서의 외형을 크게하지 않으면서 정전 용량을 크게할 수 있다.
그러나, 상기 구성에서는 이하의 문제가 있다.
컨덴서 소자(2)를 형성시킬 경우, 금속 질화물의 피막(52)을 형성시킨 음극박(5)을 감으면, 감을 때에 음극박(5)에 가해지는 인장력 또는 비틀림 때문에, 피막(52)이 박리되거나 피막(52) 중에 균열이 발생하고, 그 결과 누설 전류가 커지는 문제가 있었다. 또한, 양극박(4) 및 음극박(5) 사이에 도전성 고분자 층을 형성시키기 위해서는, 3,4-에틸렌디옥시티오펜 및 p-톨루엔술폰산철의 혼합 용액에 컨덴서 소자(2)를 침지시키지만, 이 p-톨루엔술폰산철의 용액은 산성도가 강하기 때문에, 피막(52)이 침식되어 역시 누설 전류가 증대되는 문제를 가지고 있다.
또한, 표면에 금속 질화물의 피막(52)을 형성시킨 음극박(5)에 있어서, 시간에 따른 변화에 의해 표면이 산화된다. 따라서, 음극박(5)이 정전 용량을 갖게 되고 고체 전해 컨덴서(1)의 정전 용량은 작아질 우려가 있다.
본 발명의 목적은 누설 전류를 증대시키지 않으면서 대용량을 유지하며 또한 저 ESR(등가 직렬 저항)의 고체 전해 컨덴서를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 컨덴서 소자의 투시도이고,
도 2는 종래의 고체 전해 컨덴서의 정단면도이며,
도 3은 컨덴서 소자의 일부 단면을 나타내는 개략도이고,
도 4는 금속 질화물의 피막이 산화 피막을 돌파하여 기재에 도달하는 상태를 나타내는 단면도이며,
도 5는 스크래치 시험을 나타내는 투시도이다.
고체 전해 컨덴서(1)는 양극박(4) 및 음극박(5)을 세퍼레이터(6)를 개재시켜 감아서 구성된, 내부에 고체 전해질 층 또는 도전성 고분자 층이 형성된 컨덴서 소자(2)를 구비하고 있다. 음극박(5) 상에는 티탄을 함유하는 복합 금속 화합물의 질화물을 포함하는 피막이 형성되어 있다.
또한, 음극박(5) 상에는 질화 티탄을 함유하는 피막이 형성되어 있고, 음극박(5) 상에서 질화 티탄 층의 내측에는 티탄 층이 형성되어 있다.
<제1 실시예>
이하에 본 발명의 일예를 도면을 사용하여 상술한다.
고체 전해 컨덴서(1)의 전체 형상은 도 2에 나타낸 종래품와 마찬가지이다. 컨덴서 소자(2)는 도 1에 나타낸 바와 같이 화성 피막을 형성시킨 알루미늄박인 양극박(4) 및 알루미늄박인 음극박(5)을 절연체인 세퍼레이터(6)를 개재시켜 롤형으로 감고 테이프(26)로 고정시킴으로써 구성된다. 컨덴서 소자(2)의 내부에 TCNQ 착염 등의 고체 전해질이 함침되어 있거나 또는 도전성 고분자 층이 형성되어 있다. 컨덴서 소자(2)로부터는 한쌍의 리드선(21)(21)이 연장되어 있다.
음극박(5) 상에는 티탄(Ti) 박막 및 질화 티탄 박막인 피막이 형성되고, 상기한 바와 같이 이것에 의해 음극박(5)은 정전 용량을 갖지 않는다.
컨덴서 소자(2)는 이하의 순서로 형성된다. 먼저, 알루미늄제 시이트로부터 절단된 띠상의 알루미늄박에 에칭 처리 및 화성 처리를 수행하여 유전체 산화 피막(4O)(도 3 참조)을 형성시켜 양극박(4)으로 한다. 에칭 처리를 수행하는 것은 양극박(4)의 표면을 조면화함으로써 표면적을 확대시켜 정전 용량을 크게하기 위해서이다.
이와는 별도로, 음극박(5)의 표면에 진공 중에서 티탄을 증착시킴으로써 티탄을 적층시키고, 추가로 진공 중에서 질화 티탄을 증착시킴으로써 질화 티탄을 적층시킨다. 질화 티탄의 증착은 질소 또는 암모니아 분위기 하에서 티탄을 증착시킴으로써 수행된다. 티탄 적층 후에 산화 층이 형성되는 것을 막기 위해서, 티탄 적층 후, 계속해서 진공 챔버 내에 질소 등을 도입하여 티탄을 증착시킴으로써 질화 티탄이 적층된다. 티탄 및 질화 티탄의 적층에 있어서, 전자빔 증착 또는 아크 플라즈마 증착 등의 증착법을 사용할 수 있고, 또한 증착법이 아닌 스퍼터링법 및 CVD법 등의 적층 방법을 사용할 수도 있다.
양극박(4) 및 음극박(5)을 절연체인 세퍼레이터(6)를 개재시켜 롤형으로 감고 테이프(26)로 고정시킨다. 양극박(4)은 상기한 바와 같이 알루미늄제 시이트로부터 절단되어 제조되기 때문에, 양극박(4)의 단면에는 유전체 산화 피막이 형성되어 있지 않다. 따라서, 컨덴서 소자(2)의 절단구에 화성 처리를 수행하여 양극박(4)의 단면에 유전체 산화 피막을 형성시킨다. 이후에, 컨덴서 소자(2)를 280 ℃에서 열 처리하여 유전체 산화 피막의 특성을 안정시킨다.
이어서, 희석제로서 n-부틸 알코올을 함유하는 3,4-에틸렌디옥시티오펜 및 p-톨루엔술폰산철의 혼합 용액에 컨덴서 소자(2)를 침지시킨 후, 열 중합하여 양극박(4) 및 음극박(5) 사이에 도전성 고분자 층(50)을 형성시킴으로써 컨덴서 소자(2)가 완성된다. 종래와 같이, 컨덴서 소자(2)를 상기 케이스(3)에 봉입함으로써 고체 전해 컨덴서(1)가 완성된다.
본 실시예에서, 폴리티오펜계의 도전성 고분자로 도전성 고분자 층(5O)을 형성시키고 있지만, 폴리피롤계 또는 폴리아닐린계의 도전성 고분자를 사용할 수도 있다. 또한, 도전성 고분자 층 대신에 TCNQ 착염 등의 고체 전해질 층을 형성시킬 수도 있다.
도 3은 함침 공정 후의 컨덴서 소자(2)의 일부 단면도이다. 음극박(5)의 표면에는 진공 중에서 티탄을 증착시킴으로써 티탄이 적층되고, 추가로 진공 중에서 질화 티탄을 증착시킴으로써 질화 티탄이 적층되어 있다. 음극박(5)의 단면을 분석하니, 음극박(5) 상에 형성된 박막은 도 3에 나타낸 바와 같이 음극박(5)에 향해감에 따라 질화 티탄 층(53)으로부터 티탄 층(54)으로 연속적으로 변화하고 있어, 이들 층의 경계가 명확히 나타나 있지 않았다. 티탄 층 상에 부착시킨 질화 티탄의 질소가 질화 티탄 증착 시 또는 그 이후의 고체 전해 컨덴서의 제조 공정에서 티탄 층 중에 확산된 것이 원인이라 생각된다.
이하에 본 발명의 고체 전해 컨덴서 및 종래 구조의 고체 전해 컨덴서를 실제로 제조하여 시험을 수행한 결과에 대해 진술한다.
표 1은 제조한 고체 전해 컨덴서의 초기(제조 직후) 상태에 있어서의 전기 특성치를 나타내고 있다. 종래예 1은 에칭된 알루미늄박을 음극박으로 사용한 고체 전해 컨덴서이고, 종래예 2는 티탄 박막을 형성시킨 알루미늄박을 음극박으로서 사용한 고체 전해 컨덴서이며, 종래예 3은 질화 티탄 박막을 형성시킨 알루미늄박을 음극박으로서 사용한 고체 전해 컨덴서이다. 실시예는 앞서 설명한 본 발명의 고체 전해 컨덴서이다. 고체 전해 컨덴서(1)의 직경은 모두 6.3 mm, 높이는 6.0 mm, 정격 전압은 4 V, 정격 용량은 l50 μF이다.
표 1에서, Cap은 컨덴서의 정전 용량(단위: μF), tan δ는 유전 손실(단위: ％), ESR은 등가 직렬 저항(단위: mΩ), LC는 누설 전류(단위: μA)를 의미한다. 표 1에 기재된 각각의 측정치는 40개의 샘플에 대해 산출한 평균치이다. 정전 용량 및 유전 손실은 120 Hz의 주파수에서 측정했다. 등가 직렬 저항은 100 kHz의 주파수에서 측정했다. 누설 전류는 정격의 직류 전압을 고체 전해 컨덴서(1)에 인가하여 2분 경과 후의 값을 측정했다.
| 음극박 | Cap.(μF) | tan δ(％) | ESR(mΩ) | LC(μA) | ΔC/C(％) | |
| 종래예 1 | 에칭 처리된 알루미늄박 | 151.4 | 2.8 | 33.7 | 25 | -5.2 |
| 종래예 2 | 티탄을 증착시킨 알루미늄박 | 219.9 | 2.0 | 33.2 | 19 | -4.2 |
| 종래예 3 | 질화 티탄을 증착시킨 알루미늄박 | 227.3 | 1.9 | 34.0 | 30 | -3.4 |
| 실시예 | 티탄박 및 질화 티탄을 증착시킨알루미늄박 | 253.7 | 1.7 | 34.2 | 20 | -2.1 |
표 1에서, 실시예의 정전 용량이 종래예 2 및 종래예 3에 비해 1할 정도 큰 것을 알 수 있다. 실시예의 유전 손실은 종래예에 비해 약간 감소되어 있다. 실시예의 등가 직렬 저항은 종래예에 비해 증가되어 있지만, 증가량은 매우 미소하다. 실시예의 누설 전류는 티탄 박막 만을 알루미늄박에 형성시킨 종래예 2와 같은 정도이고, 종래예 1 및 종래예 3에 비해 상당히 감소된 값이다. 이와 같이, 본 발명에 의하면, 유전 손실 등의 전기 특성을 악화시키지 않으면서 고체 전해 컨덴서(1)의 초기 정전 용량을 증가시키는 것이 가능하다.
표 1에 나타낸 측정 후에, 종래예 및 실시예의 컨덴서에 내구성 시험을 수행하였다. 내구성 시험은 125 ℃의 온도로 1000시간 동안 컨덴서에 정격 전압 4 V를 인가함으로써 수행하였다. 표 2에 시험 전후의 정전 용량, 등가 직렬 저항의 값, 및 정전 용량의 변화율 ΔC/C를 나타내었다. 표 1에서와 같이, 각각의 측정값은 40개의 샘플에 대해 산출한 평균값이다. 표 2로부터, 본 발명의 고체 전해 컨덴서에서 정전 용량의 변화율의 절대값이 종래의 고체 전해 컨덴서보다도 작고, 내구성 시험 후에도 큰 정전 용량의 값을 유지하고 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 내구 시험 후의 등가 직렬 저항은 종래예 및 실시예 둘 다에서 같은 정도의 값으로 되어 있어, 본 발명에 의하면, 등가 직렬 저항을 종래예보다도 악화시키지 않으면서 고체 전해 컨덴서(1)의 정전 용량의 시간에 따른 변화를 감소시킬 수 있다.
| 초기 | 시험 후 | ||||
| Cap.(μF) | ESR(mΩ) | Cap.(μF) | ΔC/C(％) | ESR(mΩ) | |
| 종래예 1 | 151.4 | 33.7 | 143.5 | -5.2 | 35.6 |
| 종래예 2 | 219.9 | 33.2 | 210.7 | -4.2 | 35.2 |
| 종래예 3 | 227.3 | 34.0 | 219.6 | -3.4 | 35.9 |
| 실시예 | 253.7 | 34.2 | 248.4 | -2.1 | 35.7 |
<제2 실시예>
본 실시예에 있어서는, 음극박(5)으로서 알루미늄박의 표면에 이온 도금법에 의해 질화 알루미늄 티탄(TiAlN), 질화 크롬 티탄(TiCrN) 등의 티탄을 함유하는 복합 금속 화합물의 질화물을 포함하는 피막을 형성시키는 것을 특징으로 한다. 알루미늄박은 예비 에칭 처리가 되어 있을 수도 있고, 되어 있지 않을 수도 있다. 양극박(4) 및 음극박(5)을 감아 형성된 컨덴서 소자(2)에 도전성 고분자 및 산화제를 함침시키는 공정은 제1 실시예와 마찬가지이고, 산화제 용액으로서 40 내지 60 중량％의 p-톨루엔술폰산철의 알코올 용액을 사용한다.
또한, 피막의 형성 방법은 이온 플레이팅법에 의한 증착이며, 이 이온 도금법도 직류법, 고주파법, 클러스터·이온빔 증착법 또는 열음극법 중 어떤 것이든 무방하다. 또한, 이온 도금법 대신에 진공 증착법, 스퍼터링법, 열 CVD, 플라즈마 CVD, 광 CVD 또는 레이저 CVD를 사용하여 피막을 형성시킬 수도 있다. 단, 이온 도금법은 스퍼터링법보다 피막이 알루미늄 기재에 밀착되는 강도를 강화시킬 수 있는 것으로 추정된다.
본 출원인은 질화 알루미늄 티탄(TiAlN)을 포함하는 피막을 형성시킨 음극박(5)을 사용하여 컨덴서 소자(2)를 제조함으로써 고체 전해 컨덴서(1)를 완성시켜, 이를 실시예 1로 하였다.
또한, 본 출원인은 질화 크롬 티탄(TiCrN)을 포함하는 피막을 형성시킨 음극박(5)을 사용하여 컨덴서 소자(2)를 제조함으로써 고체 전해 컨덴서(1)를 완성시켜, 이를 실시예 2로 하였다. 또한, 상기 제1 실시예의 종래예 3에서 사용한 것처럼, 질화 티탄 박막을 형성시킨 알루미늄박을 음극박(5)으로 한 고체 전해 컨덴서(1)를 종래예로 하였다.
고체 전해 컨덴서(1)는 모두 정격 전압 6.3 V이고, 정전 용량 180 μF이며, 케이스(3)의 외형 치수가 직경 6.3 mm이고, 높이 6.0 mm인 컨덴서이다.
실시예 및 종래예의 컨덴서에 120 Hz의 주파수에서 정전 용량(Cap, 단위: μF)을 측정하고, 100 kHz의 주파수에서 등가 직렬 저항(ESR, 단위: mΩ)을 측정했다. 또한, 직류 정격 전압을 2분 인가한 후에, 누설 전류(LC, 단위: μA)를 측정했다. 측정 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 전기적 특성치는 20개의 평균치이다.
| Cap(μF) | ESR(mΩ) | LC(μA) | 스크래치 시험임계 하중(N) | |
| 종래예 | 185 | 11.8 | 27 | 60.3 |
| 실시예 1 | 220 | 10.7 | 0.7 | 80.3 |
| 실시예 2 | 221 | 10.6 | 0.8 | 82.5 |
여기서, 스크래치 테스트는 도 5에 나타낸 바와 같이, 음극박(5) 상에 쐐기형의 다이아몬드 칼날(9)을 눌러 붙여 일정 속도(약 2 mm/초)로 당김으로써, 상기 다이아몬드 칼날(9)의 위로부터 하중을 가하여 피막이 박리될 때의 하중을 측정하고 있다.
상기 비교 결과로부터, 알루미늄 기재에 대한 피막의 밀착 강도를 향상시키면, 고체 전해 컨덴서(1)의 용량을 증가시킬 수 있고, 등가 직렬 저항 및 누설 전류를 감소시킬 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 상기 측정에 사용한 고체 전해 컨덴서(1)의 컨덴서 소자(2)는 질화 크롬 티탄을 포함하는 피막을 형성시킨 음극박(5)으로부터 형성되어 있지만, 음극박(5)에 질화 지르코늄 티탄(TiZrN), 탄질화 티탄(TiCN)을 포함하는 피막을 형성하더라도 같은 결과가 얻어질 것으로 추정된다.
즉, 티탄을 함유하는 복합 금속 화합물의 질화물을 포함하는 피막을 음극박(5) 상에 형성시킨 고체 전해 컨덴서(1)에 있어서는, 비 화학양론적인(화학식으로 단순히 표시되지 않음) 질소 화합물을 음극박(5) 상에 형성시킴으로써, 음극박(5)의 알루미늄 기재에 대한 피막의 밀착성이 향상된다. 또한, 복합 금속 화합물에 포함되는 일부 금속이 공기에 닿아 산화됨으로써 부동태막화되어, 복합 금속 내의 금속 분자 간의 결합력이 강화된다. 이 결과 피막의 내식성이 향상된다.
따라서, 음극박(5)을 감을 시에, 피막이 박리되거나 균열이 발생할 우려가 적어진다. 또한, 도전성 고분자 층의 형성 시에, 피막이 침식될 우려도 적어진다. 이에 따라, 고체 전해 컨덴서(1)의 누설 전류를 증대시키지 않으면서, 대용량화 및 저 ESR화를 달성할 수 있다.
상기 실시예의 설명은, 특허 청구 범위에 기재된 발명을 한정하는 것이 아니다. 예를 들어 케이스(3)의 상면 개구는 에폭시 수지로 막아도 상관없다. 또한, 컨덴서의 형상은 방사상 리드형일 수도 있다.
1. 티탄을 함유하는 복합 금속 화합물의 질화물을 포함하는 피막을 음극박(5) 상에 형성시킨 고체 전해 컨덴서(1)에 있어서는, 비 화학양론적인(화학식으로 단순히 표시되지 않음) 질소 화합물을 음극박(5) 상에 형성시킴으로써, 음극박(5)의 알루미늄 기재에 대한 피막의 밀착성이 향상된다. 또한, 복합 금속 화합물에 포함되는 일부의 금속이 공기에 닿아 산화됨으로써 부동태막화되어 복합 금속 화합물 내의 금속 분자 간의 결합력이 강화된다. 이 결과 피막의 내식성이 향상된다.
따라서, 음극박(5)을 감을 시에, 피막이 박리되거나 균열이 발생할 우려가 적어진다. 또한, 도전성 고분자 층의 형성 시에, 피막이 침식될 우려도 적어진다. 이에 따라, 고체 전해 컨덴서(1)의 누설 전류를 증대시키지 않으면서, 대용량화 및 저 ESR화를 달성할 수 있다.
2. 음극박(5) 상에 티탄 층 및 질화 티탄 층을 설치한 고체 전해 컨덴서(1)에 있어서는, 티탄 층 또는 질화 티탄 층만을 설치한 음극박(5)을 사용한 고체 전해 컨덴서(1) 보다도, 고체 전해 컨덴서의 정전 용량의 시간에 따른 변화가 감소한다. 또한, 음극박(5) 상에 티탄 층 및 질화 티탄 층을 설치함으로써, 종래의 고체전해 컨덴서(1)에 비해 고체 전해 컨덴서(1)의 초기 정전 용량이 커진다.
Claims (5)
- 양극박(4) 및 음극박(5)을 세퍼레이터(6)를 개재시켜 감아서 구성된, 내부에 고체 전해질 층 또는 도전성 고분자 층이 형성된 컨덴서 소자(2)를 구비한 고체 전해 컨덴서에 있어서,음극박(5) 상에 티탄을 함유하는 복합 금속 화합물의 질화물을 포함하는 피막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
- 제1항에 있어서, 티탄을 함유하는 복합 금속 화합물의 질화물이 질화 알루미늄 티탄, 질화 크롬 티탄, 질화 지르코늄 티탄 또는 탄질화 티탄 중의 어느 하나인 고체 전해 컨덴서.
- 양극박(4) 및 음극박(5)을 세퍼레이터(6)를 개재시켜 감아서 구성된, 내부에 고체 전해질 층 또는 도전성 고분자 층이 형성된 컨덴서 소자(2)를 구비하며, 음극박(5) 상에 질화 티탄을 포함하는 피막을 형성시킨 고체 전해 컨덴서에 있어서,상기 음극박(5) 상의 질화 티탄 층의 내측에 티탄 층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
- 제1항에 있어서, 컨덴서 소자(2) 중의 전해질로서 폴리티오펜계 도전성 고분자를 사용하는 고체 전해 컨덴서.
- 제3항에 있어서, 컨덴서 소자(2) 중의 전해질로서 폴리티오펜계 도전성 고분자를 사용하는 고체 전해 컨덴서.
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