KR20050079542A - 정전기 방전 보호 소자 및 그 회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (32)
- 반도체 기판상에 형성된 제 1 내지 제 3 웰;상기 제 1 웰상의 소정 영역에 형성된 웰 픽업 영역, 소오스 영역, 이중 확산 드레인 영역 및 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트를 포함하는 제 1 소자;상기 제 2 웰상의 소정 영역에 형성된 소오스 영역, 이중 확산 드레인 영역, 제 1 활성 영역 및 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트를 포함하는 제 2 소자; 및상기 제 3 웰상에 형성된 제 2 활성 영역을 포함하되,상기 제 1 소자의 게이트, 소오스 영역 및 웰 픽업 영역은 접지 패드에 연결되고, 상기 제 1 소자의 드레인, 상기 제 2 소자의 소오스 및 게이트는 전원 패드에 연결되며, 상기 제 2 소자의 드레인, 상기 제 1 활성 영역 및 제 2 활성 영역은 입출력 패드에 연결된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 소자는 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 형성된 다수의 소자 분리막;상기 제 1 웰이 형성된 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트;상기 소자 분리막과 소자 분리막 사이의 상기 제 1 웰상에 형성된 웰 픽업 영역;상기 소자 분리막과 상기 게이트 사이의 상기 제 1 웰상에 형성된 소오스 활성 영역;상기 게이트와 상기 소자 분리막 사이의 상기 제 1 웰 및 상기 제 2 웰상에 중첩되어 형성된 드레인 표류 영역; 및상기 드레인 표류 영역내의 소정 영역에 형성된 드레인 활성 영역을 포함하는 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 소자는 상기 반도체 기판상의 소정 영역에 형성된 다수의 소자 분리막;상기 제 2 웰이 형성된 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트;상기 소자 분리막과 상기 게이트 사이의 상기 제 2 웰상에 형성된 소오스 활성 영역;상기 게이트와 상기 소자 분리막 사이의 상기 제 2 웰에 형성된 드레인 표류 영역;상기 드레인 표류 영역 내의 소정 영역에 형성된 드레인 활성 영역; 및상기 드레인 표류 영역 내의 소정 영역에 형성된 제 1 활성 영역을 포함하는 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 웰과 상기 제 3 웰은 상기 소자 분리막에 의해 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 웰과 상기 제 3 웰은 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 웰 픽업 영역과 상기 소오스 활성 영역은 상기 소자 분리막에 의해 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 웰 픽업 영역과 상기 소오스 활성 영역은 소정 간격 이격되어 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 웰 픽업 영역과 상기 소오스 활성 영역은 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 드레인 표류 영역내에 형성된 상기 드레인 활성 영역과 상기 제 1 활성 영역은 소자 분리막에 의해 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 드레인 표류 영역내에 형성된 상기 드레인 활성 영역과 상기 제 1 활성 영역은 소정 간격 이격되어 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 드레인 표류 영역내에 형성된 상기 드레인 활성 영역과 상기 제 1 활성 영역은 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 드레인 표류 영역과 상기 제 2 소자의 소오스 활성 영역은 상기 소자 분리막에 의해 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 드레인 표류 영역과 상기 제 2 소자의 상기 소오스 활성 영역은 소정 간격 이격된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 드레인 활성 영역과 상기 제 2 소자의 상기 소오스 활성 영역은 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 2 항에 있어서, 상기 소자 분리막과 상기 게이트 사이의 상기 제 1 웰내에 소오스 표류 영역이 형성되고, 상기 소오스 표류 영역내에 상기 소오스 활성 영역이 형성된 것을 더 포함하는 정전기 방전 보호 소자.
- 제 2 항에 있어서, 상기 소오스 활성 영역이 상기 소오스 표류 영역내에 형성되고, 상기 웰 픽업 영역과 상기 소오스 표류 영역내의 상기 소오스 활성 영역이 상기 소자 분리막에 의해 분리된 정전기 방전 보호 소자.
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- 제 2 항에 있어서, 상기 소오스 활성 영역이 상기 소오스 표류 영역내에 형성되고, 상기 웰 픽업 영역이 상기 소오스 활성 영역과 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 3 항에 있어서, 상기 소자 분리막과 상기 게이트 사이의 상기 제 2 웰내에 소오스 표류 영역이 형성되고, 상기 소오스 표류 영역내에 상기 소오스 활성 영역이 형성된 것을 더 포함하는 정전기 방전 보호 소자.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 소오스 활성 영역이 상기 소오스 표류 영역내에 형성되고, 상기 제 1 소자의 상기 드레인 표류 영역과 상기 제 2 소자의 상기 소오스 표류 영역이 상기 소자 분리막에 의해 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 소오스 활성 영역이 상기 소오스 표류 영역내에 형성되고, 상기 제 1 소자의 상기 드레인 표류 영역과 상기 제 2 소자의 상기 소오스 표류 영역이 소정 간격 이격되어 분리된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 소오스 활성 영역이 상기 소오스 표류 영역내에 형성되고, 상기 제 1 소자의 상기 드레인 표류 영역과 상기 제 2 소자의 상기 소오스 표류 영역이 접촉되어 상기 제 1 소자의 드레인 활성 영역과 상기 제 2 소자의 소오스 활성 영역이 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 게이트는 상기 드레인 활성 영역과 소정 간격 이격된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 게이트는 상기 드레인 활성 영역과 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 소자의 상기 게이트 하부의 상기 드레인 표류 영역내에 상기 소자 분리막이 형성된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 게이트는 상기 드레인 활성 영역과 소정 간격 이격된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 게이트는 상기 드레인 활성 영역과 접촉된 정전기 방전 보호 소자.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 소자의 상기 게이트 하부의 상기 드레인 표류 영역내에 상기 소자 분리막이 형성된 정전기 방전 보호 소자.
- 전원 패드와 접지 패드 사이에 접속되고, 일측 단자가 입출력 패드에 접속된 입력 버퍼; 및상기 전원 패드, 상기 접지 패드 및 상기 입출력 패드 사이에 접속된 정전기 방전 보호 소자를 포함하는 정전기 방전 보호 회로.
- 상기 전원 패드와 상기 접지 패드 사이에 접속되고, 일측 단자가 입출력 패드에 접속된 출력 버퍼; 및상기 전원 패드, 상기 접지 패드 및 상기 입출력 패드 사이에 접속된 정전기 방전 보호 소자를 포함하는 정전기 방전 보호 회로.
- 전원 패드와 접지 패드 사이에 접속되고, 일측 단자가 입출력 패드에 접속된 입력 버퍼;상기 전원 패드와 상기 접지 패드 사이에 접속되고, 일측 단자가 입출력 패드에 접속된 출력 버퍼; 및상기 전원 패드, 상기 접지 패드 및 상기 입출력 패드 사이에 접속된 정전기 방전 보호 소자를 포함하는 정전기 방전 보호 회로.
- 제 29 항, 제 30 항 또는 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정전기 방전 보호 소자는 반도체 기판상에 형성된 제 1 내지 제 3 웰;상기 제 1 웰상의 소정 영역에 형성된 웰 픽업 영역, 소오스 영역, 이중 확산 드레인 영역 및 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트를 포함하는 제 1 소자;상기 제 2 웰상의 소정 영역에 형성된 소오스 영역, 이중 확산 드레인 영역, 제 1 활성 영역 및 상기 반도체 기판 상부의 소정 영역에 형성된 게이트를 포함하는 제 2 소자; 및상기 제 3 웰상에 형성된 제 2 활성 영역을 포함하되,상기 제 1 소자의 게이트, 소오스 영역 및 웰 픽업 영역은 접지 패드에 연결되고, 상기 제 1 소자의 드레인, 상기 제 2 소자의 소오스 및 게이트는 전원 패드에 연결되며, 상기 제 2 소자의 드레인, 상기 제 1 활성 영역 및 제 2 활성 영역은 입출력 패드에 연결된 정전기 방전 보호 회로.
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