KR20050068898A - Wafer cleaning apparatus and method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼에 세정액을 분사하여 웨이퍼 표면으로부터 현상액과 이물질을 제거하는 세정 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 노즐의 분사 방식을 개선하여 세정 효과를 향상시킨 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a cleaning apparatus for removing developer and foreign matter from the surface of the wafer by spraying the cleaning solution on the wafer, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus and a cleaning method using the same by improving the spraying method of the nozzle to improve the cleaning effect. will be.
본 발명에서는 회전하는 웨이퍼상에 노즐(10)을 통하여 세정액을 분사하여 세정을 수행하는 세정 장치에 있어서, 상기 노즐(10)에 연결되는 세정액 공급관(20)이 취부되면서 상기 노즐(10)을 상기 웨이퍼 상부에서 좌우로 이송시키는 이송 프레임(30); 상기 이송 프레임(30)의 일측에 설치되는 구동원(40); 상기 노즐(10)의 몸체에 일측이 연결되고, 상기 구동원(40)에 타측이 연결되어 상기 구동원(40)에 의해 상기 노즐(10)을 전,후진 방향으로 일정각도 회전시키는 각도 조절구(50)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치 및 상기 노즐의 각도를 노즐 이송방향으로 회전시킨 후 웨이퍼 상에서 노즐을 전,후진시켜 세정을 수행하는 세정 방법이 제공된다. According to the present invention, in the cleaning apparatus which performs cleaning by spraying the cleaning liquid through the nozzle 10 on the rotating wafer, the cleaning solution supply pipe 20 connected to the nozzle 10 is mounted and the nozzle 10 is attached to the cleaning apparatus. A transfer frame 30 for transferring from side to side at the top of the wafer; A drive source 40 installed on one side of the transfer frame 30; One side is connected to the body of the nozzle 10, the other side is connected to the drive source 40 by the drive source 40 to rotate the nozzle 10 by a predetermined angle in the forward and backward directions by an angle adjusting device (50) There is provided a wafer cleaning apparatus comprising a) and a cleaning method for performing cleaning by rotating the angle of the nozzle in the nozzle conveying direction and moving the nozzle forward and backward on the wafer.
Description
본 발명은 웨이퍼에 세정액을 분사하여 웨이퍼 표면으로부터 현상액과 이물질을 제거하는 세정 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 노즐의 분사 방식을 개선하여 세정 효과를 향상시킨 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a cleaning apparatus for removing developer and foreign matter from the surface of the wafer by spraying the cleaning solution on the wafer, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus and a cleaning method using the same by improving the spraying method of the nozzle to improve the cleaning effect. will be.
반도체 제조 공정 중, 웨이퍼 위에 패턴을 형성하는 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 있어서, 현상(Development) 공정 및 포토레지스트 스트립(Photoresist strip) 공정에서는 포토레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼에 세정액을 공급하여 현상액이나 포토레지스트 잔류물을 제거하게 된다. In a photolithography process in which a pattern is formed on a wafer during a semiconductor manufacturing process, in a development process and a photoresist strip process, a cleaning solution is supplied to a wafer on which a photoresist pattern is formed, thereby developing a developer or photoresist. The residue will be removed.
상기와 같이 웨이퍼를 세정하는 방법으로서는, 퍼들(Puddle) 방식, 연속 흐름(Continuous flow) 방식 및 침지(Dip) 방식이 있다. As a method of cleaning the wafer as described above, there are a puddle method, a continuous flow method, and a dip method.
그 중 일반적으로 가장 우수하다고 알려진 방식은 퍼들 방식으로서, 이 방식은 웨이퍼의 표면에 세정액을 분사한 후 정지상태에서 일정 시간을 경과시키는 방식이다. 이러한 퍼들 방식에는 노즐의 형태에 따라 스트림(Stream), 스프레이(Spray), 멀티 스프레이(Multi spray) 방식이 있다. Generally, the best known method is a puddle method, which is a method in which a predetermined time is elapsed after stopping the spray of a cleaning liquid on the surface of a wafer. Such a puddle method may be a stream, spray, or multi spray method depending on the shape of the nozzle.
그러나, 이러한 방법들은 회전하는 웨이퍼 표면에 대한 분사각도가 항상 일정(통상적으로, 수직 방향)하기 때문에, 패턴이 점차 미세화되고 정밀화 고집적화되고 있는 웨이퍼에서는 세정 효과가 떨어질 수 밖에 없었고, 그 때문에 불량률이 증가하고 수율이 낮아지게 된다는 문제가 있었다. However, since these methods always maintain a constant (typically, vertical direction) injection angle on the rotating wafer surface, the cleaning effect is inferior in wafers whose patterns are becoming increasingly finer and more precise, and thus the defective rate is increased. There was a problem that the yield is lowered.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 개발된 것으로서, 본 발명의 목적은, 노즐의 분사 방식을 개선하여, 세정액과 반응물 사이의 반응 면적을 증대시키고 분사 압력의 상승을 도모함으로써 세정 효과를 향상시킬 수 있도록 하는데 있다. The present invention was developed to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the spraying method of the nozzle, to increase the reaction area between the cleaning liquid and the reactant, and to increase the spraying pressure, thereby improving the cleaning effect. To make it possible.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는, 회전하는 웨이퍼상에 노즐을 통하여 세정액을 분사하여 세정을 수행하는 세정 장치에 있어서, 상기 노즐에 연결되는 세정액 공급관이 취부되면서 상기 노즐을 상기 웨이퍼 상부에서 좌우로 이송시키는 이송 프레임; 상기 이송 프레임의 일측에 설치되는 구동원; 상기 노즐의 몸체에 일측이 연결되고, 상기 구동원에 타측이 연결되어 상기 구동원에 의해 상기 노즐을 전,후진 방향으로 일정각도 회전시키는 각도 조절구를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치가 제공된다. In order to achieve the above object, in the present invention, in the cleaning apparatus for performing the cleaning by spraying the cleaning liquid through the nozzle on the rotating wafer, the cleaning liquid supply pipe connected to the nozzle is mounted while the nozzle in the upper portion of the wafer A transfer frame for feeding left and right; A drive source installed on one side of the transfer frame; One side is connected to the body of the nozzle, and the other side is connected to the drive source is provided with a wafer cleaning device comprising an angle adjustor for rotating the nozzle by a predetermined angle in the forward and backward directions by the drive source.
이와 같은 본 발명은, 노즐의 출구를 노즐 이송 방향으로 회전시킬 수 있음으로써, 세정액과 반응물 사이의 반응 면적이 증대되고, 노즐의 이송 속도에 편승하여 세정액 분사 압력이 상승되는 효과를 가져오므로 세정 효과사 극대화된다. Since the present invention can rotate the outlet of the nozzle in the nozzle conveyance direction, the reaction area between the cleaning liquid and the reactant is increased, and the cleaning liquid injection pressure is increased by piggybacking on the conveying speed of the nozzle. The effector is maximized.
상기한 본 발명에 있어서, 상기 각도 조절구는, 양측에 탄성적으로 확장축소 가능한 레그와, 상기 노즐의 몸체 외주를 수용하여 파지하기 위해 상기 레그의 내측면에 형성되는 수용홈과, 상기 양측의 레그의 파지력을 조절하기 위한 조절부재를 포함하여 이루어질 수 있다. In the present invention described above, the angle adjusting device is a leg that is elastically expandable and contractible on both sides, a receiving groove formed on the inner side of the leg for receiving and gripping the outer periphery of the body of the nozzle, and the legs on both sides It can be made including an adjustment member for adjusting the gripping force.
여기서, 상기 조절부재는 상기 양측의 레그를 관통하는 볼트와, 상기 볼트의 단부에 결합되는 너트로 이루어질 수 있다. Here, the adjustment member may be made of a bolt penetrating the legs of both sides, and a nut coupled to the end of the bolt.
상기한 본 발명에 있어서, 상기 구동원으로서는 스텝 모터를 사용할 수 있다. In the present invention described above, a step motor can be used as the drive source.
한편, 본 발명에서는, 노즐을 통하여 웨이퍼의 표면에 세정액을 분사하여 세정을 수행하는 방법에 있어서, 상기 노즐의 출구를 상기 웨이퍼 가장자리에서 수직하방으로 정렬하고, 웨이퍼 세정 장비 전체에 전원을 공급하여 초기화를 수행하는 단계; 웨이퍼 스핀척을 구동하여 웨이퍼를 회전시키는 단계; 상기 웨이퍼 회전 단계 전 또는 후에 상기 노즐의 출구 방향을 웨이퍼 전진 방향으로 일정각도 회전시키는 단계; 상기 노즐을 웨이퍼 가장자리로부터 중앙으로 이송시킴과 아울러 상기 노즐에 세정액을 공급하여 분사시키는 단계; 상기 노즐이 웨이퍼 중앙에 도달하였는지를 확인하여 노즐의 출구 방향을 수직하방으로 회전시키고 설정된 시간 동안 유지하는 단계; 상기 웨이퍼 중앙에서 세정액을 분사하는 시간이 설정시간에 도달되는 것을 확인하여 상기 노즐의 출구 방향을 노즐 후퇴방향으로 일정 각도 회전시키는 단계; 상기 노즐을 웨이퍼 중앙으로부터 웨이퍼 가장자리의 초기 위치로 후퇴시키는 단계; 상기 노즐이 초기 위치에 도달되었는지를 확인하여 노즐의 이송을 정지시키고 세정액의 공급을 차단하여 세정액의 분사를 정지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법이 제공된다. On the other hand, in the present invention, in the method of performing cleaning by spraying the cleaning liquid on the surface of the wafer through the nozzle, the outlet of the nozzle is aligned vertically downward from the wafer edge, the power supply to the entire wafer cleaning equipment is initialized Performing; Driving a wafer spin chuck to rotate the wafer; Rotating the outlet direction of the nozzle at an angle in a wafer advance direction before or after the wafer rotation step; Transferring the nozzle from the edge of the wafer to the center and supplying and spraying a cleaning liquid to the nozzle; Checking whether the nozzle has reached the center of the wafer, rotating the outlet direction of the nozzle vertically downward and maintaining the nozzle for a predetermined time; Confirming that the time for spraying the cleaning liquid at the center of the wafer reaches a predetermined time and rotating the outlet direction of the nozzle by a predetermined angle in the nozzle retracting direction; Retracting the nozzle from the center of the wafer to the initial position of the wafer edge; Checking whether the nozzle has reached the initial position is provided, the wafer cleaning method comprising the step of stopping the feeding of the nozzle and stopping the supply of the cleaning liquid to stop the injection of the cleaning liquid.
이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 것으로서, 도 1에는 정면도가 도시되어 있고, 도 2에는 도 1의 측면도가 도시되어 있으며, 도 3에는 도 1의 A-A 단면도가 도시되어 있다. 1 to 3 show a wafer cleaning apparatus according to the present invention, in which FIG. 1 is a front view, FIG. 2 is a side view of FIG. 1, and FIG. 3 is an AA sectional view of FIG. 1. .
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은, 웨이퍼 세정 장비에서 노즐(10)이 장착되고, 상기 노즐(10)에 연결되는 세정액 공급관(20)이 취부되면서 상기 노즐(10)을 상기 웨이퍼 상부에서 좌우로 이송시키기 위하여 반도체 제조 설비에 통상적으로 설치되는 이송 프레임(30)을 포함한다. As shown in Figures 1 to 3, the present invention, the nozzle 10 is mounted in the wafer cleaning equipment, the cleaning liquid supply pipe 20 is connected to the nozzle 10 is attached to the nozzle 10 It includes a transfer frame 30 that is typically installed in a semiconductor manufacturing facility for transferring from side to side on the wafer.
상기 이송 프레임(30)의 일측에는 구동원(40)이 설치되고, 이 구동원(40)에는 각도 조절구(50)가 연결된다. A driving source 40 is installed at one side of the transfer frame 30, and an angle adjusting device 50 is connected to the driving source 40.
상기 구동원(40)으로서는 그의 회전각도를 미세 조정 가능한 스텝 모터(Step motor)가 바람직하다. As the drive source 40, a step motor capable of finely adjusting the rotation angle thereof is preferable.
도면에 도시된 실시예에 있어서, 상기 각도 조절구(50) 단부와 상기 구동원(40)의 회전축(42) 단부는 플랜지(FJ) 결합으로 연결되어 있다. In the embodiment shown in the figure, the end of the angle adjuster 50 and the end of the rotation shaft 42 of the drive source 40 is connected by a flange (FJ) coupling.
이러한 각도 조절구(50)는 상기 구동원(40)의 회전에 의해 상기 노즐(10)을 전,후진 방향(프레임(50) 이송방향)으로 회전시켜 노즐(10)의 출구 각도를 변화시키는 역할을 수행한다. The angle adjuster 50 serves to change the exit angle of the nozzle 10 by rotating the nozzle 10 in the forward and backward directions (frame 50 conveying direction) by the rotation of the drive source 40. Perform.
상기 각도 조절구(50)는, 상기 노즐(10)을 파지하기 위하여, 그의 양측에 탄성적으로 확장축소 가능한 레그(52, Legs)를 구비한다. 상기 양측 레그(52)의 내면에는 상기 노즐(10)의 몸체 외주를 수용하여 파지하기 위한 수용홈(54)이 형성된다. 그리고, 상기 양측의 레그(52)를 확장시키거나 축소시킴으로써 상기 노즐(10)에 대한 파지력을 조절하기 위한 조절부재(60)를 포함한다. 도면에 도시된 실시예에 있어서, 상기 조절부재(60)는 상기 양측의 레그(52)를 관통하는 볼트(62)와, 상기 볼트(62)의 단부에 결합되는 너트(64)로 구성되어 있다. The angle adjusting device 50 is provided with legs 52 and legs elastically expandable and contractible on both sides thereof for holding the nozzle 10. Receiving grooves 54 for receiving and gripping the outer circumference of the body of the nozzle 10 are formed on the inner surface of the both legs (52). And, it includes a control member 60 for adjusting the grip force for the nozzle 10 by expanding or contracting the legs 52 on both sides. In the embodiment shown in the figure, the adjusting member 60 is composed of a bolt 62 passing through the legs 52 on both sides, and a nut 64 coupled to the end of the bolt 62. .
상기와 같이 이루어진 본 발명의 웨이퍼 세정 장치는, 상기 각도 조절구(50)의 레그(52) 내측에 형성된 수용홈(54)에 상기 노즐(10)을 끼우고, 볼트(62)와 너트(64)로 이루어진 조절부재(60)를 체결하여 노즐(10)을 가압시킴으로써 설치가 완료된다. In the wafer cleaning apparatus of the present invention made as described above, the nozzle 10 is inserted into the receiving groove 54 formed inside the leg 52 of the angle adjuster 50, and the bolt 62 and the nut 64 are formed. The installation is completed by pressing the nozzle 10 by fastening the adjusting member 60 made of a).
이와 같은 세정 장치에 의해 웨이퍼(W)를 세정할 때에는, 상기 구동원(40)을 회전시키면 구동원(40)에 연결된 각도 조절구(50)가 회전하고, 각도 조절구(50)의 회전에 의해 노즐(10)이 그의 전,후진 방향으로 일정각도 회전된다. When cleaning the wafer W by such a cleaning device, when the driving source 40 is rotated, the angle adjusting device 50 connected to the driving source 40 rotates, and the nozzle is rotated by the angle adjusting device 50. 10 is rotated by an angle in the forward and backward directions.
따라서, 상기 웨이퍼(W)를 회전시키고 노즐(10)을 이송시키면서 세정액을 분사할 경우에는, 상기 구동원(40)의 회전에 의해 상기 노즐(10)의 출구 방향을 노즐(10)의 이송 방향(이송 프레임(30)의 이송 방향)으로 회전시킬 수 있다. Therefore, when the cleaning liquid is sprayed while the wafer W is rotated and the nozzle 10 is transferred, the exit direction of the nozzle 10 is changed by the rotation of the drive source 40 to the transfer direction of the nozzle 10 ( In the feed direction of the feed frame 30).
노즐(10)의 출구방향이 노즐(10)의 진행(이송) 방향으로 일정각도 회전되면, 노즐(10)이 전진하는 방향으로 세정액이 분사되므로, 세정액이 퍼져나가는 면적이 커져 세정액과 반응물 사이의 반응 면적이 넓어짐과 동시에 세정액의 분사압력이 증가하는 효과가 발생하여 더욱 깨끗한 세정이 가능해진다. When the outlet direction of the nozzle 10 is rotated at a predetermined angle in the direction of travel (conveying) of the nozzle 10, the cleaning liquid is injected in the direction in which the nozzle 10 is advanced, so that the area in which the cleaning liquid spreads is increased, and the area between the cleaning liquid and the reactant is increased. At the same time as the reaction area becomes wider, the effect of increasing the injection pressure of the cleaning liquid is generated, thereby enabling a cleaner cleaning.
첨부도면 도 4a 내지 도 4c 및 도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 과정을 나타내는 것으로서, 도 4a 내지 도 4c에는 공정의 진행에 따라 노즐(10)의 이송 및 회전 방향이 순차적으로 도시되어 있고, 도 5에는 바람직한 세정 과정에 대한 순서도가 도시되어 있다. 4A to 4C and 5 illustrate a wafer cleaning process according to the present invention. In FIGS. 4A to 4C, the conveyance and rotation directions of the nozzles 10 are sequentially shown as the process proceeds. 5 shows a flow chart for a preferred cleaning procedure.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 노즐(10)의 출구를 상기 웨이퍼 가장자리에서 수직하방으로 정렬하고, 웨이퍼 세정 장비 전체에 전원을 공급하여 초기화를 수행한다(단계 210). 4 and 5, the outlet of the nozzle 10 is aligned vertically downward from the wafer edge, and power is supplied to the entire wafer cleaning equipment to perform initialization (step 210).
이어서, 웨이퍼의 세정 작업을 실시하기 위해, 웨이퍼 스핀척(70)을 구동하여 웨이퍼(W)를 회전시키고(단계 220), 노즐(10)의 출구 방향을 웨이퍼(W) 전진 방향으로 일정각도 회전시킨다(단계 230). 구체적으로는 구동원(40)을 일방향으로 회전시켜 노즐(10)의 각도를 조절한다. 그러면 도 4a와 같은 상태가 된다. Subsequently, in order to perform the cleaning operation of the wafer, the wafer spin chuck 70 is driven to rotate the wafer W (step 220), and the exit direction of the nozzle 10 is rotated at an angle in the wafer W advance direction. (Step 230). Specifically, the angle of the nozzle 10 is adjusted by rotating the driving source 40 in one direction. Then, the state is as shown in Figure 4a.
여기서, 상기 노즐(10)의 출구 방향을 웨이퍼 전진 방향으로 일정각도 회전시키는 단계(단계 230)는, 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 단계(단계 220) 이전에 수행할 수도 있다. Here, the step (step 230) of rotating the exit direction of the nozzle 10 in the wafer advance direction may be performed before the step (step 220) of rotating the wafer (W).
이후, 상기 노즐(10)로부터 세정액을 분사시키면서 이송 프레임(30)을 이동시켜 상기 노즐(10)을 웨이퍼(W) 중앙으로 전진시킨다(단계 240). 그러면, 노즐(10)의 전진방향에서 세정액이 분사되기 때문에 새정효율을 높일 수 있게 된다. Thereafter, the transfer frame 30 is moved while spraying the cleaning liquid from the nozzle 10 to advance the nozzle 10 toward the center of the wafer W (step 240). Then, since the cleaning liquid is injected in the advancing direction of the nozzle 10, it is possible to increase the new efficiency.
이어서, 노즐(10)이 웨이퍼(W)의 중앙 지점에 도달되는 것을 확인하고(단계 250), 노즐(10)을 수직하방으로 회전시킨 다음(단계 260), 일정시간 동안 유지한다(도 4b 상태). 그렇게 함으로써 세정액이 웨이퍼(W) 중앙에서 직하방으로 계속적으로 분사되게 한다. 이 때 웨이퍼(W)는 계속적으로 회전되고 있으므로, 웨이퍼(W) 중앙에 분사된 세정액은 웨이퍼(W)의 회전에 의하여 가장자리로 쓸려나가면서 세정이 이루어지게 된다. Then, it is confirmed that the nozzle 10 reaches the center point of the wafer W (step 250), the nozzle 10 is rotated vertically downward (step 260), and maintained for a predetermined time (Fig. 4B state). ). By doing so, the cleaning liquid is continuously sprayed directly below the center of the wafer (W). At this time, since the wafer W is continuously rotated, the cleaning liquid sprayed in the center of the wafer W is swept to the edge by the rotation of the wafer W, and the cleaning is performed.
상기와 같이, 웨이퍼(W) 중앙에서 세정액을 분사하는 시간이 설정된 시간을 경과한 것으로 확인되면(단계 270), 노즐(10)을 다시 노즐(10) 후퇴 방향으로 일정각도 회전시킨다(단계 280). 그러면 노즐(10)은 도 4c와 같은 상태가 된다. As described above, when it is confirmed that the time for spraying the cleaning liquid in the center of the wafer W has elapsed (step 270), the nozzle 10 is rotated again by a predetermined angle in the nozzle 10 retraction direction (step 280). . Then, the nozzle 10 is in a state as shown in FIG. 4C.
이어서, 이송 프레임(30)을 후퇴시켜 노즐(10)을 최초의 지점 즉, 웨이퍼(W) 가장자리 지점으로 후퇴시킨다(단계 290). 이 때에도 당연히 상기 노즐(10)로부터는 세정액이 계속적으로 분사되고 있다. 특히, 이때, 노즐(10)로부터는 웨이퍼(W)의 가장 자리를 향한 방향으로 세정액이 분사되는데, 그 방향이 최초에 웨이퍼(W) 중앙으로 이송될 때와는 반대방향이 됨으로써 웨이퍼(W)상의 패턴 사이의 틈새 및 좌우 측벽들을 용이하게 세정할 수 있다. The transfer frame 30 is then retracted to retract the nozzle 10 to the first point, ie the edge of the wafer W (step 290). At this time, of course, the cleaning liquid is continuously injected from the nozzle 10. In particular, at this time, the cleaning liquid is injected from the nozzle 10 in the direction toward the edge of the wafer W, and the direction thereof becomes opposite to that when the wafer W is initially transferred to the center of the wafer W, so that the wafer W The gap between the pattern of the phase and the left and right side walls can be easily cleaned.
상기와 같이 하여, 상기 노즐(10)이 초기 위치에 도달되었는지 확인하고(단계 300), 노즐(10)의 이송을 정지시킴과 아울러 세정액의 공급을 차단하여 세정액의 분사를 정지시킨다(단계 310). As described above, it is confirmed whether the nozzle 10 has reached the initial position (step 300), the transfer of the nozzle 10 is stopped, and the supply of the cleaning liquid is interrupted to stop the injection of the cleaning liquid (step 310). .
이상 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 노즐의 출구를 노즐 이송 방향으로 회전시킬 수 있음으로써, 세정액과 반응물 사이의 반응 면적이 증대되고, 노즐의 이송 속도에 편승하여 세정액의 분사 압력이 상승되는 효과를 가져오므로 세정 효과를 극대화시킬 수 있다. As described above, in the present invention, by rotating the outlet of the nozzle in the nozzle conveying direction, the reaction area between the cleaning liquid and the reactant is increased, and the injection pressure of the cleaning liquid is increased by piggybacking on the conveying speed of the nozzle. Therefore, the cleaning effect can be maximized.
이상에서는, 첨부 도면에 도시된 본 발명의 구체적인 실시예가 상세하게 설명되었으나, 이는 하나의 예시에 불과한 것이며, 본 발명의 보호범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이상과 같은 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야에 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 및 균등한 다른 실시가 가능한 것이며, 이러한 변형 및 균등한 다른 실시예는 본 발명의 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다. In the above, specific embodiments of the present invention shown in the accompanying drawings have been described in detail, but this is only an example, and the protection scope of the present invention is not limited thereto. In addition, the embodiments of the present invention as described above can be variously modified and equivalent other embodiments by those of ordinary skill in the art within the technical spirit of the present invention, such modifications and equivalent other embodiments are It goes without saying that it belongs to the appended claims of the invention.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타내는 정면도 1 is a front view showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
도 2는 도 1의 측면도 2 is a side view of FIG. 1
도 3은 도 1의 A-A 단면도 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 과정을 순차적으로 나타내는 도면 4A to 4C sequentially illustrate a wafer cleaning process according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 과정을 순차적으로 나타내는 순서도 5 is a flowchart sequentially illustrating a wafer cleaning process according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 노즐 20 : 세정액 공급관 10: nozzle 20: cleaning liquid supply pipe
30 : 이송 프레임 40 : 구동원 30: transfer frame 40: drive source
42 : 회전축 50 : 각도 조절구 42: rotation axis 50: angle control
52 : 레그 54 : 수용홈 52: leg 54: receiving groove
60 : 조절부재 62 : 볼트 60: adjusting member 62: bolt
64 : 너트 70 : 스핀척 64: nut 70: spin chuck
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