KR200211293Y1 - Chemical liquid coagulation prevention device of semiconductor wafer etching equipment - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치에 관한 것으로, 챔버의 내부 일측에 디아이 분사노즐(11)을 설치하여, 약액분사노즐(2)이 비사용상태로 이동시 상기 디아이 분사노즐(11)에서 약액분사노즐(2)의 단부에 디아이 워터를 분사하도록 함으로써, 분사되는 디아이 워터에 의하여 약액분사노즐(2)의 단부에 약액이 응고되는 것이 방지된다.The present invention relates to a chemical liquid coagulation prevention device of a semiconductor wafer etching equipment, the DI eye injection nozzle (11) is installed on one side of the chamber, when the chemical liquid injection nozzle (2) moves to a non-use state, the DI eye injection nozzle (11) By spraying the DI water at the end of the chemical liquid injection nozzle 2, the chemical liquid is prevented from solidifying at the end of the chemical liquid spray nozzle 2 by the sprayed DI water.
Description
본 고안은 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치에 관한 것으로, 특히 비사용중인 약액공급노즐에 순수를 분사하여 약액공급노즐의 단부에 약액이 응고되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical liquid coagulation prevention device of a semiconductor wafer etching equipment, and in particular, chemical solidification of a semiconductor wafer etching equipment suitable for preventing the chemical liquid from solidifying at the end of the chemical liquid supply nozzle by spraying pure water on the non-used chemical liquid supply nozzle. It relates to a prevention device.
일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정중 옥사이드 에치를 실시하기 위한 에칭장비에서는 HF:NH4F:계면활성제가 일정비율로 혼합되어 있는 "LAL1400"이라고 불리우는 약액을 이용하여 에칭작업을 실시하는데, 이와 같은 에칭작업을 실시하는 에칭장비가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.In general, etching equipment for performing oxide etching during semiconductor wafer manufacturing process is performed using a chemical solution called "LAL1400" in which HF: NH 4 F: surfactant is mixed at a predetermined ratio. Etching equipment for performing the bar is shown in Figure 1, briefly described as follows.
도시된 바와 같이, 종래 에칭장비는 웨이퍼를 고정시키기 위한 웨이퍼 척(1)의 상부 일측에 일정각도로 회전가능토록 설치되며 약액포트(2a)와 디아이 포트(2b)가 구비되어 있는 약액분사노즐(2)이 설치되어 있고, 타측에 질소포트(3a)와 디아이포트(3b)가 구비되어 있는 질소분사노즐(3)이 설치되어 있다.As shown, the conventional etching equipment is installed on the upper side of the wafer chuck 1 for fixing the wafer so as to be rotated at a predetermined angle, and the chemical liquid injection nozzle having a chemical liquid port 2a and a dia-eye port 2b ( 2) is provided, and the nitrogen injection nozzle 3 provided with the nitrogen port 3a and the die eye 3b in the other side is provided.
상기와 같이 구성되어 있는 에칭장비에서 에칭작업이 진행되는 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the etching operation in the etching equipment is configured as described above are as follows.
먼저, 웨이퍼가 암에 의하여 웨이퍼 척(1)의 상면으로 이송되면 버큠에 의하여 웨이퍼가 웨이퍼 척(1)의 상면에 고정됨과 아울러 웨이퍼 척(1)의 회전에 의하여 웨이퍼가 일정속도로 회전한다.First, when the wafer is transferred to the upper surface of the wafer chuck 1 by the arm, the wafer is fixed to the upper surface of the wafer chuck 1 by the push and the wafer rotates at a constant speed by the rotation of the wafer chuck 1.
상기와 같은 상태에서 약액분사노즐(2)이 회전하는 웨이퍼의 상측으로 이동한 다음, 디아이포트(2b)를 통하여 웨이퍼의 상면에 디아이 워터를 분사하여 웨이퍼의 상면을 린스한다. 그런 다음, 약액포트(2a)를 통하여 웨이퍼의 상면에 약액(LAL1400)을 분사하며 에칭을 실시한다.In the above state, the chemical liquid injection nozzle 2 moves to the upper side of the rotating wafer, and then, by spraying DI water onto the upper surface of the wafer through the die port 2b, the upper surface of the wafer is rinsed. Then, the chemical liquid LAL1400 is sprayed onto the upper surface of the wafer through the chemical liquid port 2a to perform etching.
상기와 같이 에칭처리를 실시한 다음에는 약액분사노즐(2)은 원복되고, 질소분사노즐(3)이 웨이퍼의 상측으로 이동한 다음, 디아이포트(3b)를 통하여 디아이를 웨이퍼의 상면에 분사하여 세정을 실시한 다음, 질소포트(3a)를 통하여 질소가스를 웨이퍼의 상면에 분사하여 웨이퍼를 건조하여 에칭작업을 완료한다.After the etching treatment as described above, the chemical liquid injection nozzle 2 is restored, the nitrogen injection nozzle 3 moves to the upper side of the wafer, and then the dia eye is sprayed on the upper surface of the wafer through the die port 3b for cleaning. Then, nitrogen gas is injected onto the upper surface of the wafer through the nitrogen port 3a to dry the wafer to complete the etching operation.
그러나, 상기와 같이 에칭장비에서 에칭작업을 실시하는 중에 약액분사노즐(2)이 웨이퍼 척(1)의 상측에서 벗어나 비사용상태일때에 약액포트(2a)의 단부는 NH4F의 영향으로 인하여 응고되어 결정체가 발생되고, 이와 같이 발생된 결정체가 후작업에서 이물질로 작용하여 품질저하의 요인이되는 문제점이 있었다.However, when the chemical liquid injection nozzle 2 is in an unused state from the upper side of the wafer chuck 1 during the etching operation in the etching equipment as described above, the end of the chemical liquid port 2a is affected by the influence of NH 4 F. There is a problem that the crystals are solidified to generate, the crystals thus generated acts as a foreign matter in the post-work to cause deterioration of quality.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 약액분사노즐의 약액포트에 약액이 응고되어 결정체가 발생되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치를 제공함에 있다.The object of the present invention devised in view of the above problems is to provide a chemical liquid coagulation preventing device of a semiconductor wafer etching equipment suitable for preventing the formation of crystals by solidifying the chemical liquid in the chemical liquid port of the chemical liquid injection nozzle.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼 에칭장비의 구성을 보인 사시도.1 is a perspective view showing the configuration of a conventional semiconductor wafer etching equipment.
도 2는 본 고안 약액응고방지장치가 설치된 에칭장비의 구성을 보인 사시도.Figure 2 is a perspective view showing the configuration of the etching equipment equipped with the present invention chemical liquid coagulation prevention device.
도 3은 본 고안 약액응고방지장치의 구성을 상세히 보인 배관도.Figure 3 is a piping diagram showing in detail the configuration of the present invention chemical coagulation prevention device.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
2 : 약액분사노즐 3 : 질소분사노즐2: chemical spray nozzle 3: nitrogen spray nozzle
11 : 디아이 분사노즐 14 : 연결라인11: DI spray nozzle 14: connection line
15 : 자동밸브15: automatic valve
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 웨이퍼의 상면에 약액을 분사하기 위한 약액분사노즐과, 질소가스를 분사하기 위한 질소분사노즐이 챔버의 내측에 구비되어 있는 반도체 웨이퍼 에칭장비에 있어서, 상기 챔버의 내측에 설치되어 약액분사노즐이 비사용위치로 이동시에 약액분사노즐의 단부에 디아이 워터를 분사하기 위한 디아이 분사노즐을 설치하고, 그 디아이 분사노즐에 디아이 워터를 공급하기 위하여 연결되는 연결라인 상에는 자동밸브를 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치가 제공된다.In the semiconductor wafer etching equipment is provided with a chemical liquid injection nozzle for injecting a chemical liquid on the upper surface of the wafer and a nitrogen injection nozzle for injecting nitrogen gas in order to achieve the object of the present invention as described above, Connection line is installed inside the chamber to install the DI water spray nozzle for spraying DI water at the end of the chemical spray nozzle when the chemical liquid spray nozzle moves to the non-use position, and is connected to supply the DI water to the DI water spray nozzle. On the upper side, there is provided a chemical liquid coagulation preventing device for semiconductor wafer etching equipment, which is configured by installing an automatic valve.
이하, 상기와 같은 본 고안 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the embodiment of the accompanying drawings, the chemical liquid coagulation preventing device of the inventive semiconductor wafer etching equipment as described above in detail as follows.
도 2는 본 고안 약액응고방지장치가 설치된 에칭장비의 구성을 보인 사시도로서, 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 고정시키기 위한 웨이퍼 척(1)의 상부 일측에 일정각도로 회전가능토록 설치되며 약액포트(2a)와 디아이 포트(2b)가 구비되어 있는 약액분사노즐(2)이 설치되어 있고, 타측에 질소포트(3a)와 디아이포트(3b)가 구비되어 있는 질소분사노즐(3)이 설치되어 있는 구성은 종래와 유사하다.Figure 2 is a perspective view showing the configuration of the etching apparatus equipped with the present invention chemical liquid coagulation prevention device, as shown, is installed to be rotatable at an angle on the upper side of the wafer chuck (1) for fixing the wafer and the chemical liquid port ( The chemical liquid injection nozzle 2 provided with 2a) and the dia eye port 2b is provided, and the nitrogen injection nozzle 3 provided with the nitrogen port 3a and the dia eye 3b on the other side is provided. The configuration is similar to the conventional one.
여기서, 본 고안은 상기 약액분사노즐(2)과 질소분사노즐(3)이 위치되어 있는 챔버(4)의 내부 일측면에 디아이 워터를 분사하기 위한 디아이 분사노즐(11)을 설치하고, 상기 약액분사노즐(2)이 비사용상태일때에 약액분사노즐(2)의 단부에 디아이 워터를 분사할 수 있도록 되어 있다.Here, the present invention is to install the DI water injection nozzle 11 for injecting DI water in one side surface of the chamber (4) where the chemical liquid injection nozzle (2) and nitrogen injection nozzle (3) is located, the chemical liquid When the jet nozzle 2 is not in use, the DI water can be jetted to the end of the chemical liquid jet nozzle 2.
그리고, 상기 디아이 분사노즐(11)은 도 3에 도시된 바와 같이, 공장내에 설치된 디아이 워터 유입 라인(12)에 연결되어 장비를 세척하기 위한 디아이 건(13)에 연결되도록 연결라인(14)을 연결설치하고, 그 연결라인(14) 상에 상기 디아이 분사노즐(11)을 통하여 디아이를 공급하거나 차단되도록 단속할 수 있도록 자동밸브(15)가 설치되어 있다.And, as shown in Figure 3, the DI spray nozzle 11 is connected to the DI water inlet line 12 installed in the factory to connect the connection line 14 to the DI eye gun 13 for cleaning the equipment An automatic valve 15 is installed so as to be connected and installed, and to control the supply or interruption of the DI eye through the DI eye injection nozzle 11 on the connection line 14.
도면중 미설명 부호 16은 공장내에 설치된 디아이 유출라인이고, 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일번호를 부여하였다.In the figure, reference numeral 16 denotes a DI eye outlet line installed in a factory, and the same reference numerals are given to the same parts as in the prior art.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 약액응공방지장치가 설치된 반도체 웨이퍼 에칭장비의 동작은 종래와 유사하다.The operation of the semiconductor wafer etching equipment provided with the chemical liquid anti-coagulation prevention device configured as described above is similar to the conventional one.
즉, 웨이퍼가 암에 의하여 웨이퍼 척(1)의 상면으로 이송되면 버큠에 의하여 웨이퍼가 웨이퍼 척(1)의 상면에 고정됨과 아울러 웨이퍼 척(1)의 회전에 의하여 웨이퍼가 일정속도로 회전하고, 이와 같이 웨이퍼가 회전하면 약액분사노즐(2)이 회전하는 웨이퍼의 상측으로 이동한 다음, 디아이포트(2b)를 통하여 웨이퍼의 상면에 디아이 워터를 분사하여 웨이퍼의 상면을 린스하고, 약액포트(2a)를 통하여 웨이퍼의 상면에 약액(LAL1400)을 분사하며 에칭을 실시한다.That is, when the wafer is transferred to the upper surface of the wafer chuck 1 by the arm, the wafer is fixed to the upper surface of the wafer chuck 1 by the push, and the wafer rotates at a constant speed by the rotation of the wafer chuck 1, When the wafer is rotated in this manner, the chemical liquid injection nozzle 2 moves to the upper side of the rotating wafer, and then the DI water is sprayed onto the upper surface of the wafer through the die port 2b to rinse the upper surface of the wafer and the chemical liquid port 2a. The chemical liquid (LAL1400) is sprayed on the upper surface of the wafer through the etching process.
그런 다음, 상기 약액분사노즐(2)은 원복되고, 질소분사노즐(3)이 웨이퍼의 상측으로 이동한 다음, 디아이포트(3b)를 통하여 디아이를 웨이퍼의 상면에 분사하여 세정을 실시한 다음, 질소포트(3a)를 통하여 질소가스를 웨이퍼의 상면에 분사하여 웨이퍼를 건조하여 에칭작업을 완료하게 된다.Then, the chemical liquid injection nozzle 2 is retracted, the nitrogen injection nozzle 3 moves to the upper side of the wafer, and then the dia eye is sprayed on the upper surface of the wafer through the die port 3b to perform cleaning, and then nitrogen. Nitrogen gas is injected onto the upper surface of the wafer through the port 3a to dry the wafer to complete the etching operation.
그리고, 상기와 같이 에칭작업이 진행되는 동안 약액분사노즐(2)이 비사용상태로 이동하면 장비의 콘트롤러(미도시)에서 이를감지하여 자동밸브(15)를 오픈시키고, 이와 같이 자동밸브(15)가 오픈되면 디아이 분사노즐(11)을 통하여 약액분사노즐(2)의 단부에 디아이 워터를 분사함으로서, 약액이 약액분사노즐의 단부에 응고되는 것을 방지한다.Then, when the chemical liquid injection nozzle 2 is moved to the non-use state during the etching operation as described above, the controller (not shown) of the equipment detects this and opens the automatic valve 15, and thus the automatic valve 15 Is opened, spraying DI water to the end of the chemical liquid injection nozzle 2 through the DI eye injection nozzle 11, thereby preventing the chemical liquid from solidifying to the end of the chemical liquid injection nozzle.
상기 약액분사노즐(2)이 웨이퍼의 상면에 약액을 분사하기 위하여 사용상태로 이동하면 장비의 콘트롤러(미도시)에서 다시 자동밸브(15)를 닫아서 디아이 분사노즐(11)로 디아이가 공급되는 것을 차단하게 된다.When the chemical liquid injection nozzle 2 moves to the use state for injecting the chemical liquid on the upper surface of the wafer, the die is supplied to the DI injection nozzle 11 by closing the automatic valve 15 again in the controller (not shown) of the equipment. Will be blocked.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치는 챔버의 내부 일측에 디아이 분사노즐을 설치하여, 약액분사노즐이 비사용상태로 이동시 상기 디아이 분사노즐에서 약액분사노즐에 디아이 워터를 분사하도록 함으로써, 분사되는 디아이 워터에 의하여 약액분사노즐의 단부에 약액이 응고되는 것이 방지하게 되어, 약액응고에 의한 이물질불량이 발생되는 것을 방지하는 효과가 있다.As described in detail above, the chemical liquid coagulation prevention device of the inventive semiconductor wafer etching equipment is provided with a DI eye spray nozzle on one side of the chamber, and when the chemical liquid spray nozzle moves to a non-use state, the DI water is sprayed on the chemical liquid spray nozzle from the DI eye spray nozzle. By spraying, the chemical liquid is prevented from solidifying at the end of the chemical liquid injection nozzle by the sprayed DI water, thereby preventing the occurrence of a foreign substance defect due to the chemical liquid coagulation.
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