KR100837532B1 - Clean station for washing dispenser in chemical mechanical polishing apprartus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학기계적 연마장치의 디스펜서용 클린 스테이션에 관한 것이다.The present invention relates to a clean station for a dispenser of a chemical mechanical polishing apparatus.

본 발명은 스테이션몸체와, 이 스테이션몸체의 내부에 형성되어 디스펜서를 세척하는 노즐부과, 이 노즐부에 순수, 질소압, 활성제를 각각 공급하는 공급관과, 이 공급관을 선택적으로 차단하는 솔레노이드밸브 및, 이 솔레노이드밸브 각각을 제어하는 컨트롤러로 구성되어, 스테이션몸체에 디스펜서를 탑재한 상태에서 순수, 질소압, 활성제를 선택 분사하여 디스펜서에 묻어있는 슬러지를 세척할 수 있게 한 것이다.The present invention provides a station body, a nozzle portion formed inside the station body for washing the dispenser, a supply pipe for supplying pure water, nitrogen pressure, and an activator to the nozzle portion, and a solenoid valve for selectively blocking the supply pipe; It consists of a controller that controls each of the solenoid valves, so that the sludge on the dispenser can be cleaned by selectively spraying pure water, nitrogen pressure and activator while the dispenser is mounted on the station body.

CMP, 폴리서, 디스펜서, DIWCMP, Polisher, Dispenser, DIW

Description

화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린 스테이션 { Clean station for washing dispenser in chemical mechanical polishing apprartus }Clean station for washing dispenser in chemical mechanical polishing apprartus}

도 1은 본 발명에 따른 디스펜서를 세척하는 클린 스테이션을 도시한 구성도,1 is a block diagram showing a clean station for cleaning the dispenser according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 디스펜서를 세척하는 클린 스테이션의 사용상태도이다.Figure 2 is a state of use of a clean station for cleaning the dispenser according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 스테이션몸체 20 : 노즐부10: station body 20: nozzle unit

30 : 공급관 40 : 솔레노이드밸브30: supply pipe 40: solenoid valve

50 : 컨트롤러 60 : 타이머50: controller 60: timer

본 발명은 화학기계적 연마장치에 관한 것으로, 특히 디스펜서에 슬러리를 비롯한 불순물을 제거할 수 있는 화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린 스테이션에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly, to a clean station for cleaning a dispenser of a chemical mechanical polishing apparatus capable of removing impurities such as slurry in a dispenser.

일반적으로 화학기계적 연마(CMP;chemical mechanical polishing)장치는 폴리싱 패드와 연마제를 이용한 기계적 성분과 슬러리용액 내의 화학적 성분에 의해서 웨이퍼의 표면을 화학기계적으로 연마하는 것이다. 이러한 CMP장치는 좌우로 이동이 가능하고 회전하는 연마정반과, 웨이퍼 캐리어 및, 슬러리와 순수를 공급하는 디스펜서로 구성된다.In general, a chemical mechanical polishing (CMP) device is a chemical mechanical polishing of the surface of a wafer by a mechanical component using a polishing pad and an abrasive and a chemical component in a slurry solution. The CMP apparatus is composed of a polishing table which is movable left and right and rotates, a wafer carrier, and a dispenser for supplying slurry and pure water.

종래 CMP장치의 연마공정을 설명하면, 초기 폴리싱단계에서 약 5초가량 디스펜서에서 슬러리를 공급하고 약 5초가량 순수를 고압으로 분사시켜 세척하는 한편, 주 폴리싱단계에서는 연마정반이 120초 가량 연마를 진행하는데, 이 때 디스펜서를 통하여 슬러리를 공급하고 최총적으로 순수를 공압으로 분사시켜 세척한다.In the polishing process of the conventional CMP apparatus, the slurry is supplied from the dispenser for about 5 seconds in the initial polishing step, the pure water is sprayed at a high pressure for about 5 seconds for washing, and the polishing table performs the polishing for 120 seconds in the main polishing step. At this time, the slurry is supplied through the dispenser, and the pure water is sprayed at maximum pressure to wash.

그런데, 종래의 CMP장치의 연마공정에서는 디스펜서를 통하여 순수를 고압으로 분사할 때 순수의 고압에 의해 패드에 잔재해 있던 슬러리가 디스펜서에 안착되는 현상이 발생하였다. 이러한 슬러리가 디스펜서 전면에 붙어서 건조되면서 슬러지(슬러지 찌거기)로 형성되는 문제점이 있었고, 디스펜서를 재사용할 때 슬러지가 패드위로 떨어질 경우 웨이퍼의 스크래치를 유발하여 웨이퍼의 품질을 저하시키는 원인이 되었다.By the way, in the conventional polishing process of the CMP apparatus, when the pure water is injected at a high pressure through the dispenser, a slurry remaining on the pad due to the high pressure of the pure water is deposited on the dispenser. There was a problem that such a slurry is formed on the front of the dispenser and dried as sludge (sludge residue), when the sludge falls on the pad when the dispenser is reused, it causes a scratch of the wafer to cause a decrease in the quality of the wafer.

이에 본 발명은 상술한 바의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 디스펜서에 슬러지를 비롯한 불순물을 미리 세척하여 슬러지로 인한 웨이퍼의 스크래치를 방지할 수 있는 화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린스테이션을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and provides a clean station for cleaning the dispenser of the chemical mechanical polishing apparatus which can prevent the scratch of the wafer due to the sludge by pre-cleaning impurities including sludge in the dispenser. Its purpose is to.

상기한 목적을 달설하기 위하여 본 발명은, 내부에 세척공간이 형성된 스테 이션몸체와, 상기 스테이션몸체의 내부에 형성되어 디스펜서를 세척하는 노즐부과, 상기 노즐부에 순수, 질소압, 활성제를 각각 공급하는 공급관과, 상기 공급관을 선택적으로 차단하는 솔레노이드밸브 및, 상기 솔레노이드밸브를 제어하는 컨트롤러를 포함하여 구성되어 있다.In order to achieve the above object, the present invention, the stationary body formed with a washing space therein, a nozzle portion formed inside the station body to wash the dispenser, the nozzle unit supplies pure water, nitrogen pressure, and activator, respectively And a controller for controlling the solenoid valve, and a solenoid valve for selectively blocking the supply pipe.

상기 노즐부에 순수, 질소, 활성제가 선택된 시간 동안에 공급되도록 타이머를 더 구비하는 것이 바람직하다.Preferably, the nozzle unit further includes a timer to supply pure water, nitrogen, and an activator for a selected time.

이와 같은 화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린스테이션에 의하면, 클린스테이션에서 순수, 질소, 활성제를 분사하여 디스펜서를 세척할 수 있으므로 디스펜서에 붙어 있는 슬러지를 제거하여 웨이퍼의 스크래치를 방지할 수 있게 되는 것이다.According to the clean station for cleaning the dispenser of the chemical mechanical polishing apparatus, the dispenser can be cleaned by spraying pure water, nitrogen, and activator on the clean station, thereby preventing the scratch of the wafer by removing the sludge attached to the dispenser. .

이하, 본 발명의 바람직할 실시예를 첨부한 예시도면에 따라 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 디스펜서를 세척하는 클린스테이션을 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing a clean station for cleaning the dispenser according to the present invention.

본 발명에 따른 클린스테이션은 도 1에 도시된 바와 같이, 스테이션몸체(10)와, 이 스테이션몸체(10)에 형성된 노즐부(20)와, 이 노즐부(20)에 순수, 질소, 활성제를 공급하는 공급관(30)과, 이 공급관(30)을 선택적으로 차단하는 솔레노이드밸브(40) 및, 이 솔레노이드밸브(40)를 제어하는 컨트롤러(50)로 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, the clean station according to the present invention includes a station body 10, a nozzle unit 20 formed in the station body 10, and pure water, nitrogen, and an activator in the nozzle unit 20. It is comprised from the supply pipe 30 to supply, the solenoid valve 40 which selectively interrupts this supply pipe 30, and the controller 50 which controls this solenoid valve 40. As shown in FIG.

상기 스테이션몸체(10)는 내부에 디스펜서(D)가 탑재되어 세척되도록 세척공 간이 형성되어 있다. 스테이션몸체(10)는 일측에 슬라이딩 개폐되는 도어(12)가 구비되어 있고, 바닥면에 배수구(14)가 구비되어 물을 외부로 배출하도록 되어 있다. 여기서, 도어(12)는 상기 컨트롤러(50)에 의해 제어되도록 구성되어 있다.The station body 10 has a washing space is formed so that the dispenser (D) is mounted therein to be washed. The station body 10 is provided with a door 12 sliding and opening on one side, and the drain hole 14 is provided on the bottom surface to discharge the water to the outside. Here, the door 12 is configured to be controlled by the controller 50.

상기 노즐부(20)는 상기 스테이션몸체(10)의 내부천정에 설치되어 디스펜서(D)를 세척하도록 되어 있다. 여기서, 노즐부(20)는 탑재되는 디스펜서(D)의 노즐이 깨끗이 세척될 수 있도록 노즐의 분사각도 등을 고려하여 설치하는 것이 바람직하다.The nozzle unit 20 is installed on the inner ceiling of the station body 10 to clean the dispenser D. Here, the nozzle unit 20 is preferably installed in consideration of the spray angle of the nozzle and the like so that the nozzle of the dispenser (D) to be mounted can be cleaned.

상기 공급관(30)은 순수를 공급하는 제1공급관(32)과, 질소압을 공급하는 제2공급관(34) 및 활성제를 공급하는 제3공급관(36)으로 구분되어 있다. 여기서, 공급관(30)은 제1,2,3공급관(32,34,36)으로 구분되어 순수, 질소압, 활성제 각각을 상기 노즐부(20)로 독립적으로 공급할 수도 있고, 상기 제1,2,3공급관(32,34,36)이 통합관(38)을 거쳐서 상기 노즐부(20)로 공급되게 구성할 수 있다.The supply pipe 30 is divided into a first supply pipe 32 for supplying pure water, a second supply pipe 34 for supplying nitrogen pressure, and a third supply pipe 36 for supplying an activator. Here, the supply pipe 30 may be divided into first, second and third supply pipes 32, 34, and 36 to supply pure water, nitrogen pressure, and activator to the nozzle unit 20 independently. , 3 supply pipes (32, 34, 36) may be configured to be supplied to the nozzle unit 20 via the integrated pipe (38).

상기 솔레노이드밸브(40)는 상기 제1공급관(32)에 설치되어 순수를 선택적으로 차단하는 제1솔레노이드밸브(42)와, 상기 제2공급관(34)에 설치되어 질소압을 선택적으로 차단하는 제2솔레노이드밸브(44) 및, 상기 제3공급관(36)에 설치되어 활성제를 선택적으로 차단하는 제3솔레노이드밸브(46)로 구분되어 있다. 여기서, 제1,2,3솔레노이드밸브(42,44,46)는 상기 컨트롤러(50)에 의해서 제어되도록 되어 있다.The solenoid valve 40 is installed in the first supply pipe 32 and the first solenoid valve 42 to selectively block the pure water, and the second supply pipe 34 is installed to selectively block the nitrogen pressure It is divided into a two solenoid valve 44 and a third solenoid valve 46 installed in the third supply pipe 36 to selectively block the active agent. Here, the first, second and third solenoid valves 42, 44 and 46 are controlled by the controller 50.

상기 컨트롤러(50)는 제1,2,3솔레노이드밸브(42,44,46)를 제어하여 제1,2,3공급관(32,34,36)으로부터 순수, 질소압, 활성제를 필요에 따라 일정 시간동안 노 즐부(20)로 공급한다. 그리고, 순수, 질소압, 활성제의 공급시간을 정밀하게 제어하기 위해서는 타이머(60)를 더 포함하여 구성하는 것이 바람직하다.The controller 50 controls the first, second, and third solenoid valves 42, 44, and 46 to purify the pure water, nitrogen pressure, and activator from the first, second, and third supply pipes 32, 34, and 36 as necessary. Supply to the nozzle unit 20 for a time. And in order to precisely control the supply time of pure water, nitrogen pressure, and an activator, it is preferable to comprise the timer 60 further.

한편, 디스펜서(D)의 이동수단을 구비하여 스테이션몸체(10)에 자동으로 탑재하고, 세척후 원위치로 이동시키는 시스템을 갖추는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable to have a system that is equipped with the moving means of the dispenser (D) automatically mounted on the station body 10, and moved to the original position after washing.

도 2는 본 발명에 따른 디스펜서를 세척하는 클린 스테이션의 사용상태도이다.Figure 2 is a state of use of a clean station for cleaning the dispenser according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 스테이션몸체(10) 디스펜서(D)를 탑재한 상태로 순수, 질소압, 활성제를 선택 분사하여 디스펜서(D)에 묻어있는 슬러지를 세척할 수 있다.As shown in FIG. 2, the sludge on the dispenser D may be washed by selectively spraying pure water, nitrogen pressure, and an activator while the station body 10 has the dispenser D mounted thereon.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린스테이션에 의하면, 디스펜서에 묻어있는 슬러지를 비롯한 이물질을 깨끗이 세척할 수 있으므로 웨이퍼의 스크래치를 방지할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.According to the cleansing station for the dispenser cleaning of the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention as described above, it is possible to clean the foreign substances, including the sludge in the dispenser, it is possible to prevent the scratch of the wafer, accordingly the quality of the wafer It will be possible to improve.

Claims (3)

내부에 세척공간이 형성된 스테이션몸체와,A station body with a washing space formed therein, 상기 스테이션몸체의 내부에 형성되어 디스펜서를 세척하는 노즐부과,A nozzle unit formed in the station body to wash the dispenser; 상기 노즐부에 순수, 질소, 활성제를 각각 공급하는 공급관과,A supply pipe for respectively supplying pure water, nitrogen, and an activator to the nozzle unit; 상기 공급관을 선택적으로 차단하는 솔레노이드밸브 및,Solenoid valve for selectively blocking the supply pipe, 상기 솔레노이드밸브 각각을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린스테이션.Clean station for cleaning the dispenser of the chemical mechanical polishing apparatus including a controller for controlling each of the solenoid valve. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 노즐부에 순수, 질소, 활성제가 선택된 시간 동안에 공급되도록 타이머를 더 구비하고,The nozzle unit is further provided with a timer to supply pure water, nitrogen, and an activator for a selected time period. 상기 컨트롤러는 상기 솔레노이드밸브를 제어하여 상기 공급관으로부터 순수, 질소, 활성제를 상기 노즐부에 선택된 시간 동안 공급하도록 상기 타이머를 제어하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린스테이션.And the controller controls the timer to control the solenoid valve to supply pure water, nitrogen, and an activator from the supply pipe to the nozzle part for a selected time period. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스테이션몸체의 일측에 슬라이드식으로 개폐가능한 도어가 설치되고,On one side of the station body is installed a sliding door opening, 상기 도어는 상기 컨트롤러에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치의 디스펜서 세척용 클린스테이션.The door is a clean station for cleaning the dispenser of the chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that controlled by the controller.
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