KR20050063922A - 단색광 센서 제조 방법 및 칼라 센서 제조 방법 - Google Patents

단색광 센서 제조 방법 및 칼라 센서 제조 방법 Download PDF

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Abstract

제조 원가가 감소되는 단색광 센서 제조 방법 및 칼라 센서 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩을 형성한다. 상기 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역의 특정 대역 파장 광만을 선택적으로 투과하는 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 이어서, 상기 칼라 박막 상에 적외선을 차단시키기 위한 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성시켜 단색광 센서를 제조한다. 상기 스핀 코팅 방식에 의하면, 저비용으로 칼라 박막을 형성할 수 있다.

Description

단색광 센서 제조 방법 및 칼라 센서 제조 방법{Method for manufacturing monochrome sensor and color sensor}
본 발명은 단색광 센서 제조 방법 및 칼라 센서 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 각 파장대 광량을 전기적 신호로 변환시키는 단색광 센서 및 이를 응용한 칼라 센서 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 단색광 센서는 영상 및 인쇄물과 같은 목적물의 색상을 감지하여 제어하는 전자 장비 및 기계 설비에 주로 사용된다. 구체적으로, 상기 목적물의 화상을 각 색상에 따른 파장대의 광으로 분리 수광하여 이를 전기적 신호로 변환시켜 출력하면, 각각 제어부에서 신호의 파장 대역을 인지하여 목적물의 색상을 판단한다.
상기 단색광 센서는 구체적으로, 반도체 웨이퍼에 구현되는 광 검출용 칩과 상기 광 검출용 칩 상에 소정 파장의 광만을 투과시키기 위한 칼라 필터로 이루어진다.
상기 구성을 갖는 단색광 센서를 형성하기 위하여, 반도체 웨이퍼에 광 검출용 칩을 형성하고, 상기 광 검출용 칩 및 칼라 필터 사이에 접착제를 개제한 후, 상기 광 검출용 칩과 칼라 필터를 얼라인하여 압착시키는 공정을 수행한다. 상기와 같이, 접착제에 의해 상기 칼라 필터를 합착시키는 방법의 일 예는 대한민국 특허 공개 1997-0058369호에 개시되어 있다. 그러나, 상기와 같이 접착제에 의해 상기 칼라 필터를 합착시키는 경우, 기구적인 결함 및 작업자의 숙련도에 따라 불량률의 차이가 커진다. 또한, 공정 수가 많고 작업이 어려워 제조 원가가 상승되는 문제가 있다.
또다른 방법으로, 상기 광 검출용 칩 상에 화학 기상 증착 방법에 의해 막을 증착시켜 칼라 필터를 형성함으로서, 단색광 센서 또는 칼라 센서를 형성한다. 즉, 특정 파장을 투과시키기 위해 N1T1 + N2T2 = 1/4λ(N1 : 제1 막의 굴절율, T1 : 제1 막의 두께, N2,: 제2 막의 굴절율, T2: 제2 막의 두께, λ: 파장)의 공식에 따라, 제1 막 및 제2 막의 종류 및 두께를 조절하여 칼라 필터를 형성한다. 예컨대, 상기 제1 막은 실리콘 산화막, 제2 막은 실리콘 질화막으로 각각 형성할 수 있다. 그러나, 상기 방법은 상기 제1 막 및 제2 막의 두께에 따라 투과되는 광의 파장이 달라지기 때문에, 상기 제1 막 및 제 2막의 두께 제어에 따라 상기 칼라 필터의 성능이 지배적으로 달라진다. 그러나, 상기 제1 막 및 제2 막의 두께를 정밀하게 제어하는 것이 매우 어렵다. 또한, 상기 제1 막 및 제2 막을 정확한 두께로 형성하기 위해 고가의 증착 장비를 사용하여야 하며, 공정 시간이 장시간 소요되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 공정 시간 및 비용이 감소되는 단색광 센서 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제2 목적은 공정 시간 및 비용이 감소되는 칼라 센서 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기한 제1 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩을 형성한다. 상기 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역의 특정 대역 파장 광만을 선택적으로 투과하는 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 이어서, 상기 칼라 박막 상에 적외선을 차단시키기 위한 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성시켜 단색광 센서를 제조한다.
상기 단색광 센서에 형성되는 칼라 박막은 블루 칼라 파장, 그린 칼라 파장 또는 레드 칼라 파장을 투과하는 어느 하나의 박막으로 형성할 수 있다.
상기 칼라 박막은 블루 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키기 위하여 프탈로시아닌 (phthalocyanine)계 칼라 인덱스(CI) 15:6 화합물을 포함한 용액을 사용하여 코팅할 수 있다.
상기 칼라 박막은 그린 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키기 위하여 프탈로시아닌 (phthalocyanine)계 칼라 인덱스(CI) 36 화합물을 포함한 용액을 사용하여 코팅할 수 있다.
또는, 상기 칼라 박막은 레드 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키기 위하여 디케토-피롤로-피롤(Diketo_pyrrolo-pyrrol)계 컬러 인덱스(CI) 254 화합물을 포함한 용액을 사용하여 코팅할 수 있다.
상기 적외선 차단막은 금속 합금 다이로 형성할 수 있다.
상기 단색광 센서는 코팅에 의해 칼라 박막을 형성시켜 특정 파장대의 칼라만을 감지하므로, 제조 원가가 감소되고 칼라 감지의 정확도를 높힐 수 있다.
상기한 제2 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩들을 형성한다. 상기 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역의 제1 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제1 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 상기 제1 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제1 영역에 제1 칼라 패턴을 형성한다. 상기 제1 칼라 패턴이 형성된 웨이퍼 상에, 가시광 영역의 제2 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제2 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 상기 제2 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제2 영역에 제2 칼라 패턴을 형성한다. 상기 제1 및 제2 칼라 패턴이 형성된 웨이퍼 상에, 가시광 영역의 제3 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제3 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 상기 제3 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제3 영역에 제3 칼라 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 제1 내지 제3 칼라 패턴들이 형성된 웨이퍼 상에 적외선을 차단시키기 위한 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성시켜 칼라 센서를 제조한다.
상기 제1 내지 제3 칼라 패턴은 각각 블루, 그린 또는 레드 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키는 화합물들 중 중복되지 않게 선택되는 어느 하나의 물질로서 형성한다.
상기 블루, 그린 또는 레드 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키는 제1 내지 제3 칼라 패턴은 각각 상기 단색광 센서 제조에서 설명한 물질로서 동일하게 형성할 수 있다.
상기 제1 칼라 패턴 내지 제3 칼라 패턴은 서로 종방향 또는 횡방향으로 위치하도록 패터닝할 수 있다.
또한, 상기 하나의 제1 칼라 패턴 내지 하나의 제3 칼라 패턴으로 이루어지는 군이 원형이 되도록 패터닝할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
실시예 1
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 블루 칼라 단색광 센서의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 단색광 센서의 평면도이다.
이하에서는, 도1 내지 도 3을 참조로하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 블루 칼라 단색광 센서의 제조 방법을 설명한다.
반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩(10)을 형성한다. 구체적으로, 상기 반도체 웨이퍼에 N형 및 P형 불순물들을 도핑시켜 P-N 정션 구조의 웰을 형성시킨다. 상기 광 검출용 칩(10)은 상기 반도체 웨이퍼로 제공되는 광을 전기적 신호로 변환시켜 출력한다.
상기 광 검출용 칩(10)이 형성되어 있는 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역에서 400 내지 490㎚의 파장을 갖는 블루 칼라(blue color)의 광만을 선택적으로 투과하는 블루 칼라 박막을 스핀 코팅 방식으로 형성한다.
상기 스핀 코팅 방식은 회전력을 이용하여 액체 상태의 화합물을 일정한 면적에 코팅하는 방식으로서, 회전 시에 목적물을 고정시키기 위해 10-2 Torr정도의 저진공을 유지하면 되고 실온 상태에서 공정을 수행할 수 있다. 즉, 상기 스핀 코팅 방식은 고진공이나 고온이 요구되지 않으므로 공정을 위한 비용이 감소되는 장점이 있다.
구체적으로, 상기 기판 상에 프탈로시아닌 (phthalocyanine)계 칼라 인덱스(CI) 15:6 화합물을 약 90% 정도 포함하는 용액을 제공하면서 스핀 코팅한다. 이 때의 회전 RPM은 600 내지 800 정도로 할 수 있다. 상기 용액은 6인치 웨이퍼의 경우 웨이퍼당 약 15㎖ 정도 주입하고, 8인치 웨이퍼인 경우 약 30㎖ 정도 주입할 수 있다. 상기 용액을 코팅하는 공정은 상온에서 수행할 수 있다.
상기 코팅된 웨이퍼를 80 내지 100℃ 정도의 온도에서 약 2분간 프리베이킹시켜 상기 용액을 소성시킨다.
상기 프리 베이킹이 수행된 웨이퍼를 선택적으로 노광시켜 상기 코팅된 용액을 큐어링한다. 상기 노광 공정은 파장이 365㎚인 I-라인 얼라이너에서 약 200mj/cm3 의 세기(intensity)로 수행한다. 상기 웨이퍼를 선택적으로 노광시켜, 이 후 공정을 통하여 상기 코팅된 용액을 선택적으로 제거시킬 수 있다.
상기 웨이퍼에 코팅된 용액을 클린 베스(clean bath)에서 현상하여, 상기 코팅된 용액의 소정 부위를 선택적으로 제거하면서 동시에 상기 코팅된 용액을 세정한다. 상기 현상 공정은 상온에서 약 5분간 수행한다.
상기 코팅된 용액을 200 내지 250℃의 온도로 약 20분간 경화시키는 하드 베이크 공정을 수행하여, 상기 코팅된 용액을 블루 칼라 박막(12)으로 형성한다.
이어서, 상기 블루 칼라 박막(12) 상에 적외선 차단막(14)을 스핀 코팅 방식으로 형성한다.
구체적으로, 상기 블루 칼라 박막(12) 상에 금속 합금 다이(Metal complex dye) 90% 용액을 제공하면서 스핀 코팅한다. 이 때 회전 RPM은 600 내지 800 정도로 할 수 있다. 상기 용액은 6인치 웨이퍼의 경우 웨이퍼당 약 15㎖ 정도 주입하고, 8인치 웨이퍼인 경우 약 30㎖ 정도 주입할 수 있다. 상기 설정된 양의 용액을 주입하면서 회전 RPM을 500으로 설정하는 경우 1.5㎛의 두께로 코팅할 수 있다.
여기서, 상기 금속 합금 다이는 나노 미터 크기의 금속 산화물을 유기 매트릭스 속에 분산시킨 열경화성 유기 바인더와 유기 용매 및 유기 폴리머로 구성되는 조성물이다. 상기 금속 합금 다이는 가시광선 영역에서 고투과율을 갖고 적외선 영역에서 고단차 효과를 갖도록 산화물 및 기타 조성물을 조절하여 형성할 수 있다. 상기 금속 합금 다이는 산, 알칼리, 열 및 광에 대해 안정한 특성을 가져야 하며, 은 등의 금속계 재료에서 발생되는 공기에 의해 산화 또는 황화 현상이 거의 없는 것으로 사용하여야 한다. 예컨대, 상기 금속 합금 다이로서, 니켈 합금 다이를 사용한다.
다음에, 상기 금속 합금 다이를 포함하는 용액을 100 내지 140℃의 온도로 약 10분간 경화시켜 적외선 차단막을 형성한다.
상기 설명한 방법에 의해 블루 칼라의 광을 감지하는 단색광 센서를 형성한다.
실시예 2
본 발명의 제2 실시예에 따른 그린 칼라 단색광 센서에 관한 것이다.
이하에서 설명하는 그린 칼라 단색광 센서의 제조 방법은 칼라 박막을 형성하는 방법을 제외하고는 상기 제1 실시예의 단색광 센서 제조 방법과 동일하다. 그러므로, 중복되는 설명은 생략한다.
우선, 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩을 형성한다.
상기 광 검출용 칩이 형성되어 있는 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역에서 490 내지 575㎚의 파장을 갖는 그린 칼라의 광만을 선택적으로 투과하는 그린 칼라 박막을 스핀 코팅 방식으로 형성한다.
구체적으로, 상기 기판 상에 프탈로시아닌(phthalocyanine)계 칼라 인덱스(CI) 36 화합물을 약 90% 정도 포함하는 용액을 제공하면서 스핀 코팅한다. 이 때의 회전 RPM은 600 내지 800 정도로 할 수 있다. 상기 용액은 6인치 웨이퍼의 경우 웨이퍼당 약 15㎖ 정도 주입하고, 8인치 웨이퍼인 경우 약 30㎖ 정도 주입할 수 있다. 상기 용액을 코팅하는 공정은 상온에서 수행할 수 있다.
이 후에, 상기 제1 실시예에서 설명한 것과 동일하게 프리 베이킹, 노광, 현상 및 하드 베이킹 공정을 수행하여 상기 코팅된 용액을 그린 칼라 박막으로 형성한다.
이어서, 상기 그린 칼라 박막 상에 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식으로 형성한다.
상기 설명한 방법에 의해 그린 칼라의 광을 감지하는 단색광 센서를 형성한다.
실시예 3
본 발명의 제3 실시예에 따른 레드 칼라 단색광 센서의 단면도이다. 이하에서 설명하는 레드 칼라 단색광 센서의 제조 방법은 칼라 박막을 형성하는 방법을 제외하고는 상기 제1 실시예의 단색광 센서 제조 방법과 동일하다. 그러므로, 중복되는 설명은 생략한다.
우선, 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩을 형성한다.
상기 광 검출용 칩이 형성되어 있는 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역에서 575 내지 700㎚의 파장을 갖는 레드 칼라의 광만을 선택적으로 투과하는 레드 칼라 박막을 스핀 코팅 방식으로 형성한다.
구체적으로, 상기 기판 상에 디케토-피롤로-피롤(Diketo_pyrrolo-pyrrol)계 컬러 인덱스(CI) 254 화합물을 약 90% 정도 포함하는 용액을 제공하면서 스핀 코팅한다. 이 때의 회전 RPM은 600 내지 800 정도로 할 수 있다. 상기 용액은 6인치 웨이퍼의 경우 웨이퍼당 약 15㎖ 정도 주입하고, 8인치 웨이퍼인 경우 약 30㎖ 정도 주입할 수 있다. 상기 용액을 코팅하는 공정은 상온에서 수행할 수 있다.
이 후에, 상기 제1 실시예에서 설명한 것과 동일하게 프리 베이킹, 노광, 현상 및 하드 베이킹 공정을 수행하여 상기 코팅된 용액을 레드 칼라 박막으로 형성한다.
이어서, 상기 레드 칼라 박막 상에 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식으로 형성한다.
상기 설명한 방법에 의해 레드 칼라의 광을 감지하는 단색광 센서를 형성한다.
실시예 4
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 칼라 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩들을 형성한다.
상기 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역의 제1 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제1 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 상기 제1 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제1 영역에 제1 칼라 패턴을 형성한다.
상기 제1 칼라 패턴은 블루, 그린 및 레드 칼라막 패턴 중 어느 하나로 형성할 수 있다. 상기 제1 칼라 패턴을 형성하는 방법은 이전의 제1 내지 제3 실시예에서 설명한 것과 동일하다. 즉, 상기 제1 칼라 패턴의 색이 결정되면, 이에 맞는 용액을 사용하여 코팅한 후 상기에서 설명한 것과 동일한 방법으로 소프트 베이킹, 선택적 노광, 현상에 의한 패터닝 및 하드 베이킹 공정을 수행한다.
다만, 상기 광 검출용 칩들 상의 제1 영역에만 제1 칼라 패턴이 형성되어야 하므로, 노광 공정 시에 이에 적합한 노광 마스크를 개재한 후 수행하여야 한다. 즉, 상기 노광 마스크에 의해 상기 제1 칼라 박막이 선택적으로 노광되고, 상기 제1 칼라 박막의 종류에 따라 노광 부위 또는 비노광 부위가 현상시에 선택적으로 제거되어 상기 제1 영역에만 제1 칼라 패턴이 형성되는 것이다.
도 3b를 참조하면, 상기 제1 칼라 패턴이 형성된 웨이퍼 상에, 가시광 영역의 제2 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제2 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 이어서, 상기 제2 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제2 영역에 제2 칼라 패턴을 형성한다.
상기 제2 칼라 패턴은 블루, 그린 및 레드 칼라막 패턴 중 어느 하나로 형성할 수 있으나, 상기 제1 칼라 패턴과는 중복되지 않은 칼라막 패턴으로 형성한다. 상기 제2 칼라 패턴을 형성하는 방법은 이전의 제1 내지 제3 실시예에서 설명한 것과 동일하다. 다만, 상기 광 검출용 칩들 상의 제2 영역에만 제2 칼라 패턴이 형성되어야 하므로, 노광 공정 시에 이에 적합한 노광 마스크로 교체시켜 수행하여야 한다.
도 3c를 참조하면, 상기 제1 및 제2 칼라 패턴이 형성된 웨이퍼 상에, 가시광 영역의 제3 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제3 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 상기 제3 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제3 영역에 제3 칼라 패턴을 형성한다.
상기 제3 칼라 패턴은 블루, 그린 및 레드 칼라막 패턴 중 어느 하나로 형성할 수 있으나, 상기 제1 및 제2 칼라 패턴과는 중복되지 않은 나머지 하나의 칼라막 패턴으로 형성한다. 상기 제3 칼라 패턴을 형성하는 방법은 이전의 제1 내지 제3 실시예에서 설명한 것과 동일하다. 다만, 상기 광 검출용 칩들 상의 제3 영역에만 제3 칼라 패턴이 형성되어야 하므로, 노광 공정 시에 이에 적합한 노광 마스크로 교체시켜 수행하여야 한다.
도 3a 내지 도 3c에서 상기 제1 내지 제3 칼라 패턴을 형성할 시에 상기 제1 내지 제3 칼라 패턴이 종방향 및 횡방향으로 2차원 배열되도록 구성할 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제3 칼라 패턴을 형성할 시에 상기 제1 내지 제3 칼라 패턴이 종방향 및 횡방향으로 반복 배열되도록 구성할 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제3 칼라 패턴을 형성할 시에 상기 하나의 제1 내지 제3 칼라막 패턴으로 이루어지는 하나의 군이 원형을 이루도록 구성할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 상기 제1 내지 제3 칼라 패턴들이 형성된 웨이퍼 상에 적외선을 차단시키기 위한 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성한다. 상기 적외선 차단막은 실시예 1에서 설명한 공정과 동일한 공정으로 수행한다.
상기 공정에 의해 단색광 센서로 조합 구성된 칼라 센서를 형성할 수 있다.
상기 칼라 센서는 스핀 코팅 공정 및 노광 현상 공정에 의해 칼라 패턴들을 형성하므로, 제조 원가가 감소되고 칼라 감지 효과를 증대시킬 수 있다.
설명하지는 않았으나, 상기 블루, 그린, 레드 칼라 패턴중 2개만을 형성하여 종방향 또는 횡방향으로 구성하여 칼라 센서를 형성할 수도 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 광 검출용 칩이 형성되어 있는 웨이퍼 상에 형성되는 칼라막을 스핀 코팅 공정에 의해 형성하여 특정 파장대의 칼라만을 감지할 수 있다. 따라서, 종래에 사용된 칼라 필터 또는 차단 필터 등을 사용할 필요가 없으므로 제조 원가가 감소되고 칼라 감지 정확도도 증가된다. 또한, 칼라 센서의 구성 시에 각 단색광 센서 칩 구성을 횡방향 또는 종방향으로 배열함으로서 별도의 칩 설계가 요구되지 않는 장점이 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 블루 칼라 단색광 센서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 단색광 센서의 평면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 칼라 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 광 검출용 칩 12 : 칼라 박막
14 : 적외선 차단막

Claims (11)

  1. 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩을 형성하는 단계;
    상기 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역의 특정 대역 파장 광만을 선택적으로 투과하는 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성하는 단계; 및
    상기 칼라 박막 상에 적외선을 차단시키기 위한 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 단색광 센서 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 칼라 박막은 블루 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키기 위하여 프탈로시아닌 (phthalocyanine)계 칼라 인덱스(CI) 15:6 화합물을 포함한 용액을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단색광 센서 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 칼라 박막은 그린 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키기 위하여 프탈로시아닌 (phthalocyanine)계 칼라 인덱스(CI) 36 화합물을 포함한 용액을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단색광 센서 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 칼라 박막은 레드 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키기 위하여 디케토-피롤로-피롤(Diketo_pyrrolo-pyrrol)계 컬러 인덱스(CI) 254 화합물을 포함한 용액을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단색광 센서 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 칼라 박막은,
    박막 형성용 용액을 웨이퍼 상에 코팅하는 단계;
    상기 박막 형성용 용액이 코팅된 웨이퍼를 100℃ 이하의 저온 프리 베이킹하여 상기 용액을 소성시키는 단계;
    상기 웨이퍼를 노광하여 큐어링하는 단계;
    상기 웨이퍼를 상온에서 크린 베스에 인입하여 현상하는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 200 내지 250℃의 온도에서 열적으로 큐어링하는 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단색광 센서 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 적외선 차단막은,
    금속 합금 다이를 포함하는 용액을 상기 칼라 필터막 상에 코팅하는 단계; 및
    상기 금속 합금 다이를 포함하는 용액이 코팅된 웨이퍼를 100 내지 140℃의 온도로 경화시키는 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단색광 센서 제조 방법.
  7. 반도체 웨이퍼에 각 파장 대역의 광량을 전기적 신호로 변환시키는 광 검출용 칩들을 형성하는 단계;
    상기 웨이퍼의 수광면에, 가시광 영역의 제1 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제1 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성하는 단계;
    상기 제1 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제1 영역에 제1 칼라 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 칼라 패턴이 형성된 웨이퍼 상에, 가시광 영역의 제2 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제2 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성하는 단계;
    상기 제2 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제2 영역에 제2 칼라 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 및 제2 칼라 패턴이 형성된 웨이퍼 상에, 가시광 영역의 제2 대역 파장광만을 선택적으로 투과하는 제3 칼라 박막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성하는 단계;
    상기 제3 칼라 박막을 패터닝하여 상기 광 검출용 칩들 상의 제3 영역에 제3 칼라 패턴을 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 칼라 센서 제조 방법. 및
    상기 제1 내지 제3 칼라 패턴들이 형성된 웨이퍼 상에 적외선을 차단시키기 위한 적외선 차단막을 스핀 코팅 방식에 의해 형성하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 칼라 센서 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제3 칼라 패턴은 각각 블루, 그린 또는 레드 칼라 파장 대역 광만을 선택적으로 투과시키는 화합물들 중 중복되지 않게 선택되는 어느 하나의 물질로서 형성하는 것을 특징으로 하는 칼라 센서 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 각각의 컬러 박막을 패터닝하는 단계는,
    상기 컬러 박막이 형성되어 있는 웨이퍼를 선택적으로 노광하는 단계;
    상기 노광된 웨이퍼를 상온에서 크린 베스에 인입하여 현상하는 단계; 및
    상기 현상된 웨이퍼를 200 내지 250℃의 온도에서 열적으로 큐어링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 칼라 센서 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1 칼라 패턴 내지 제3 칼라 패턴이 종방향 또는 횡방향으로 위치하도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 칼라 센서 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제1 칼라 패턴 내지 제3 칼라 패턴으로 이루어지는 군이 원형이 되도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 칼라 센서 제조 방법.
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