KR20050055041A - 프로브 마크 판독 장치 및 프로브 마크 판독 방법 - Google Patents

프로브 마크 판독 장치 및 프로브 마크 판독 방법 Download PDF

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Abstract

본 프로브 마크 판독 장치(1)는 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 반도체 칩의 전극에 형성된 프로브 마크를 판독하는 장치로서, 이 반도체 웨이퍼(90)를 촬상하여 화상 신호 Si로서 출력하는 CCD 카메라(20)와, 이 CCD 카메라(20)가 촬상해야 하는 대상 개소를 광학적으로 확대하는 광학부(21)와, 플래쉬 신호 Sf가 인가된 시점으로부터 짧은 시간만큼 발생되는 섬광에 의해 CCD 카메라(20)가 촬상해야 하는 대상 개소를 조명하는 광원(30)과, 모터 제어 신호 Sm에 근거하여 반도체 웨이퍼(90)를 X방향 및 Y방향으로 이동 가능하게 재치하는 것에 의해, CCD 카메라(20)가 촬상 대상을 변경하는 XY 스테이지(40)와, 이들을 제어하고, 상기 화상 신호 Si를 수취하여 트리밍 처리 후에 당해 화상을 보존하는 컴퓨터(10)를 구비한다.

Description

프로브 마크 판독 장치 및 프로브 마크 판독 방법{PROBE MARK READER AND PROBE MARK READING METHOD}
본 발명은 반도체 칩의 전기적 특성 검사에 의해 그 전극상에 형성되는 프로브 마크를 판독하기 위한 프로브 마크 판독 장치 및 프로브 마크 판독 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼상에 형성된 반도체 칩의 전기적 특성을 검사하기 위해서, 통상, 당해 반도체 칩내의 전극에는 프로브 형상의 검사용 프로브가 눌려진다. 여기서, 전극은 전형적으로는 알루미늄으로 이루어지기 때문에, 이 전극 패드는 검사시에는 산화되는 것에 의해 형성되는 절연성의 산화 알루미늄 피막으로 덮여 있다. 그 때문에, 검사용 프로브는 당해 피막을 돌파하도록 어느 정도의 힘으로 전극에 눌려진다. 그 결과, 전극에는 검사용 프로브에 의한 프로브 마크(접촉 마크)가 형성된다. 이 프로브 마크의 유무, 위치, 및 깊이 등의 프로브 마크의 상태를 판독하는 것에 의해, 검사용 프로브가 정확하게 전극에 눌려졌는지 여부가 판별된다.
이 프로브 마크의 상태를 판독하는 프로브 마크 판독 장치는, 종래부터 현미경에 의해 프로브 마크의 상태를 관찰하는 것이나 프로브 마크를 사진으로 촬영하는 것 외에, CCD 카메라에 의해 프로브 마크를 촬상하는 것이 있다. 일본 특허 공개 평성 제5-3230호 공보에는, 반도체 칩이 형성된 반도체 웨이퍼를 스테이지상에 재치하여, CCD 카메라로 전극에 형성된 프로브 마크를 촬영하는 것에 의해 얻어지는 화상을 기억하고, 또한, 적당히 표시하는 프로브 마크 판독 장치가 개시되어 있다. 이 구성에 의해, 프로브 마크의 시간 경과 변화를 점검하여, 검사용 프로브의 프로브 압력이나 프로브 편차 등의 시간 경과 변화를 관리할 수 있다.
또한, 상기 전극과는 상이한 대상물을 검출하는 장치, 예를 들면, 반복해서 패턴을 판독하는 테이프 검사 장치(예를 들면, 특허 문헌 2를 참조)나, 웨이퍼의 얼라이먼트 마크를 검출하는 마크 위치 검출 장치(예를 들면, 특허 문헌 2를 참조)나, 웨이퍼 표면의 이물이나 흠집을 검사하는 재료 표면 검사 장치(예를 들면, 특허 문헌 3을 참조)에는 대상물을 이동시키면서, 당해 대상물의 위치에 플래쉬의 발광을 동기시키는 것에 의해 대상물을 연속적으로 촬영하는 구성이 있다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제5-3230호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평성 제9-222311호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 평성 제10-281729호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 평성 제11-326233호 공보
그러나, 상기 종래의 프로브 마크 판독 장치(예를 들면, 특허 문헌 1을 참조)에서는 전극에 형성된 프로브 마크를 직접 육안으로 확인하거나 또는 촬영하기 때문에, 스테이지 등에 재치되는 반도체 웨이퍼가 이용자에 의해 움직여지는 것에 따른 위치 맞춤이 실행된다. 그 때문에, 많은 경우에는 웨이퍼 전체에서 수만 내지 수십만개 이상으로 되는 프로브 마크를 하나씩 판독하기 위해서는 매우 수고와 시간이 걸린다.
또한, 전극과는 상이한 대상물을 검출하는 장치에는, 상술한 바와 같이 대상물을 이동시키면서 연속적으로 촬영하는 것이 있으며(예를 들면, 특허 문헌 2~4를 참조), 이들 장치에 의하면 이용자가 수고하는 일 없이 단시간에 촬상할 수 있다. 그러나, 이들 장치는 동일한 주기로 촬상이 반복되고 있으며, 촬상의 간격을 일정하게 하는 것에 의해 고속으로 촬상이 실행된다. 따라서, 전극과 같이 반드시 등간격으로 배열되어 있지 않고, 또한 (웨이퍼에 따라) 배치 위치가 변화될 가능성이 있는 대상물을 고속으로 촬상하는 것은 예정되어 있지 않다. 따라서, 상기 장치를 다수의 전극에 형성된 다수의 프로브 마크를 판독하는 장치에 사용하는 것은 용이하지 않다.
또한, 최근에는 칩의 전기적인 시험 항목의 증가나 시험 내용의 복잡화에 따라 복수회의 검사가 실행되는 일이 많다. 그 때에는 통상 1미크론 정도의 두께를 갖는 전극에 구멍이 나지 않도록, 검사용 프로브의 위치를 조금씩 평행하게 옮기면서 검사가 실행되는 일이 많다. 이러한 복수회의 검사를 거친 전극에는 복수의 프로브 마크가 형성된다. 따라서, 최후의 검사에 의해 형성된 프로브 마크가 이들 복수의 프로브 마크 중 어떤 프로브 마크인지를 판별하는 것은 곤란하다. 여기서, 예를 들면 최후의 검사 전의 화상과 당해 검사 후의 화상을 화소 단위로 차분 연산하는 것에 의해, 전극의 촬영 화상으로부터 프로브 마크의 위치 등을 판정하는 것은 가능하다. 그러나, 이러한 차분 연산에는 매우 시간이 걸린다.
발명의 개시
그래서, 본 발명의 목적은 이용자가 수고하는 일 없이 또한 단시간에 프로브 마크를 판독하는 프로브 마크 판독 장치 및 프로브 마크 판독 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 전극을 촬영한 화상으로부터 프로브 마크의 위치 등을 고속으로 판정하는 프로브 마크 판독 장치 및 프로브 마크 판독 방법을 제공하는 것이다.
본원 발명의 하나의 관점에 의해, 복수의 전극을 갖는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 해당 전극상에 형성되는 프로브 마크를 판독하기 위한 프로브 마크 판독 장치가 제공된다. 이 장치는, 해당 복수의 전극 중에서 촬상 대상의 전극을 조명하는 조명 기구와, 해당 조명 기구에 의해 조명되는, 해당 적어도 하나의 해당 전극의 적어도 일부를 그 촬상 위치에서 촬상하여, 해당 전극의 화상 정보를 얻는 촬상 기구와, 여기서 해당 촬상 기구에는 그 해당 촬상 위치에서 소정 시간만큼 적어도 하나의 해당 전극의 상(像)이 해당 촬상 기구에 인가되고, 해당 복수의 전극 중에서 촬상 대상으로 되는 적어도 하나의 전극을 순차적으로 촬상 기구의 해당 촬상 위치에 배치하기 위한 촬상 대상 위치 변경 기구와, 해당 촬상 기구가 얻은 해당 화상 정보를 기억하는 메모리를 구비한다.
본원 발명의 제 1 관점에 따라서, 복수의 전극을 갖는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 해당 전극상에 형성되는 프로브 마크를 판독하기 위한 프로브 마크 판독 장치가 제공된다. 이 프로브 마크 판독 장치는, 해당 복수의 전극 중에서 촬상 대상의 전극을 조명하는 조명 기구와, 해당 조명 기구에 의해 조명되는, 해당 적어도 하나의 해당 전극의 적어도 일부를 그 촬상 위치에서 촬상하여, 해당 전극의 화상 정보를 얻는 촬상 기구와, 여기서 해당 촬상 기구에는 그 해당 촬상 위치에서 소정 시간만큼 적어도 하나의 해당 전극의 상이 해당 촬상 기구에 인가되고, 해당 복수의 전극 중에서 촬상 대상으로 되는 적어도 하나의 전극을 순차적으로 촬상 기구의 해당 촬상 위치에 배치하기 위한 촬상 대상 위치 변경 기구와, 해당 촬상 기구가 얻은 해당 화상 정보를 기억하는 메모리를 구비한다.
제 1 관점에 따른 프로브 마크 판독 장치는, 하기(a) () 중 적어도 하나 또는 어느 하나를 복수개 구비하는 것이 바람직하다.
(a) 해당 촬상 대상 위치 변경 기구는, 해당 촬상 기구가 해당 전극을 촬영하는데 필요로 하는 시간 이상의 시간 간격을 두고서, 해당 복수의 전극 중에서 촬상 대상으로 되는 전극을 순차적으로 해당 촬상 위치에 배치한다.
(b) 해당 조명 기구는, 섬광을 발생시키는 플래쉬 기구이며, 해당 촬상 대상의 전극이 해당 촬상 위치에 배치되어 있는 동안에서, 소정 시간만큼 해당 섬광을 발생시키는 것에 의해, 해당 촬상 기구에 적어도 하나의 해당 전극의 촬영상이 인가된다.
(c) 해당 피검사체에서의 해당 복수의 전극의 배치 위치에 관한 배열 정보를 기억하는 메모리와, 해당 메모리에 기억되는 배열 정보에 근거하여 해당 촬상 기구가 촬상하는 해당 전극의 배치 위치를 특정하고, 해당 촬상 대상 위치 변경 기구가 촬상 대상의 해당 전극을 해당 촬상 위치로 이동시킨 시점에서, 해당 촬상 기구에 촬상을 지시하는 트리거 기구.
(d) 해당 메모리에 보존된 해당 화상 정보에 근거하여 해당 화상에 포함되는 소정의 프로브 마크의 양부(良否)를 판정하는 프로브 마크 검사 기구를 더 구비하고, 해당 프로브 마크 검사 기구는, 초기 벡터 산출 기구와 프로브 마크 양부 판정 기구를 구비하고, 초기 벡터 산출 기구는, 미리 등록된 모델의 프로브 마크의 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 초기 벡터를 산출하고, 프로브 마크 양부 판정 기구는, 해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 해당 촬상 기구가 촬상한 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정한다.
(e) 해당 프로브 마크 검사 기구는, 전극의 주연 근방에 설정된 소정의 영역에, 해당 촬상 기구가 촬상한 전극의 프로브 마크가 위치해 있는지 여부를 판정하는 프로브 마크 위치 판정 기구를 구비한다.
(f) 해당 프로브 마크 검사 기구는, 또한 분류 헤더 작성 기구를 더 구비하고, 해당 분류 헤더 작성 기구는 복수의 전극 중 각 전극을 식별하는 식별 정보와, 해당 프로브 마크 양부 판정 기구의 판정 결과 정보를 포함하는 분류 헤더 정보를 생성하여, 각 전극의 화상 정보와 관련지어서 해당 분류 헤더 정보를 메모리에 보존한다.
(g) 해당 초기 벡터 산출 기구는, 해당 메모리에 보존된 부분의 전기적 특성의 검사가 실행된 해당 전극의 해당 화상 정보와, 전기적 특성의 검사 전에 촬상된 해당 전극의 화상 정보를 차분 연산하는 것에 의해, 해당 전기적 특성의 검사에 의해 형성된 프로브 마크를 검출하는 검출 기구와, 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 검출 기구에 의해 검출된 프로브 마크의 위치까지의 초기 벡터를 산출하는 산출 기구를 구비한다.
(h) 해당 초기 벡터 산출 기구는, 해당 피검사체의 각부(角部) 근방에 위치하는 4개의 전극에 관련된 미리 등록된 모델로 되는 각 프로브 마크의 위치로부터, 해당 4개의 전극 각각의 위에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 해당 초기 벡터를 산출하고, 해당 프로브 마크 양부 판정 기구는 해당 초기 벡터의 방향 및 거리만큼 떨어진 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에 당해 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하고 있는지 여부를 판정한다.
본원 발명의 제 2 관점에 따라서, 복수의 전극을 갖는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 당해 전극상에 형성되는 프로브 마크를 검사하기 위한 프로브 마크 검사 장치가 제공된다. 이 프로브 마크 검사 장치는, 미리 등록된 모델의 프로브 마크 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크 위치까지의 초기 벡터를 산출하는 초기 벡터 산출 기구와, 해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련된 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 해당 촬상 기구가 촬상한 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정하는 프로브 마크 양부 판정 기구를 구비한다.
본원 발명의 제 3 관점에 따라서, 복수의 전극을 포함하는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 당해 전극상에 형성되는 프로브 마크를 판독하기 위한 프로브 마크 판독 방법이 제공된다. 이 프로브 마크 판독 방법은, (a1) 촬상 기구(20)의 촬상 위치에 해당 전극을 배치하는 단계와, (a2) 조명 기구에 의해 촬상 위치에 배치된 해당 전극을 조명하는 단계와, (a3) 조명된 해당 전극을 촬상 기구가 촬상하여, 촬상에 의해 얻어지는 화상 정보를 출력하는 단계 - 촬상 기구에는 해당 전극이 촬상되어야 하는 소정의 시간만큼 해당 전극의 상이 인가됨 - 와, (a4) 해당 화상 정보를 수취하여, 화상 정보를 보존하는 단계를 구비한다.
본원 발명의 제 3 관점에 따라서 제공되는 발명은, 하기 (i) 내지 (l) 중 어느 하나 또는 어느 하나를 복수개 조합하여 구비하는 것이 바람직하다.
(i) 해당 (a1)은, 하나의 화상을 취득하기 위한 촬영 시간 이상의 시간 간격을 확보하도록 미리 정해진 이동 속도로 복수의 전극을 순서대로 해당 촬상 위치에 배치한다.
(j) 해당 (a2)는, 해당 전극을 향해서 소정 시간만큼 섬광을 발생시키는 것에 의해, 촬상 기구에 해당 전극의 상을 인가한다.
(k) 또한, (a5) 해당 전극에 형성된 프로브 마크의 양부를 판정하는 단계는, (a5-1) 초기 벡터를 산출하는 단계 - 해당 초기 벡터는 미리 등록된 모델의 프로브 마크의 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 벡터임 - 와, (a5-2) 프로브 마크의 양부를 판정하는 단계 - 해당 발생한 마크의 양부의 판정은 해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 해당 촬상 기구가 촬상한 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정함 - 를 구비한다.
(l) 해당 (a3)에서, 촬상 기구는 촬상 대상의 전극상의 프로브 마크의 예측 위치를 촬영하는 것.
본원 발명의 제 4 관점에 따라서, 복수의 전극을 포함하는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 당해 전극상에 형성되는 프로브 마크를 검사하기 위한 프로브 마크 검사 방법이 제공된다. 이 프로브 마크 검사 방법은, (b1) 초기 벡터를 산출하는 단계 - 해당 초기 벡터는 미리 등록된 모델의 프로브 마크의 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 벡터임 - 와, (b2) 프로브 마크의 양부를 판정하는 단계 - 해당 프로브 마크의 양부의 판정은 해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터, 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정함 - 를 구비한다.
본원 발명의 제 4 관점에 따라서 제공되는 프로브 마크 검사 방법은, 하기 (m) 내지 (p) 중 어느 하나 또는 어느 것을 복수개 조합하여 구비하는 것이 바람직하다.
(m) 또한, (b3) 전극의 주연 근방에 설정된 소정의 영역에, 해당 전극의 프로브 마크가 위치하고 있는지 여부를 판정하는 것.
(n) 또한, (b4) 해당 복수의 전극 중 각 전극을 식별하는 정보와, 해당 (b2)의 판정에 관한 정보를 포함하는 분류 헤더 정보를 생성하여, 해당 분류 헤더 정보를 각 전극과 관련지어서 보존하는 것.
(o) 해당 (b1)은, (b1-1) 전기적 특성의 검사가 실행된 해당 전극의 해당 화상 정보와, 전기적 특성의 검사 전에 촬상된 해당 전극의 화상 정보를 차분 연산하는 것에 의해, 해당 전기적 특성의 검사에 의해 형성된 해당 전극상의 프로브 마크를 검출하는 단계와, (b1-2) 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터, 해당 (b1-1)에서 검출된 프로브 마크의 위치까지의 초기 벡터를 산출하는 단계를 구비한다.
(p) 해당 (b1)은, 해당 피검사체의 각부 근방에 위치하는 4개의 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 각 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 4개의 전극 각각의 위에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 해당 초기 벡터를 산출하고, 해당 (b2)는, 해당 초기 벡터의 방향 및 거리만큼 떨어진 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 당해 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하고 있는지 여부를 판정한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 프로브 마크 판독 장치의 구성을 나타내는 블록도,
도 2(a), (b)는 상기 일실시예에 따른 촬상 동작을 설명하기 위한 도면,
도 3은 상기 일실시예에서의 컴퓨터의 개략적 구성을 나타내는 블록도,
도 4는 상기 일실시예에서의 컴퓨터의 기능 구성을 나타내는 블록도,
도 5는 상기 일실시예에서의 트리거 신호 St를 발생시키는 동작을 설명하기 위한 도면,
도 6은 상기 일실시예에서의 촬상 위치와 메모리 어드레스와의 관계를 설명하기 위한 모식도,
도 7은 상기 일실시예에서의 트리밍 처리를 설명하기 위한 모식도,
도 8은 상기 일실시예에서의 컴퓨터의 촬상 동작에 관련되는 처리 순서를 나타내는 흐름도,
도 9는 상기 일실시예의 변형예에서의 2개의 전극(92a, 92b)의 촬상 화상을 포함하는 화상(51)을 예시하는 도면,
도 10은 상기 일실시예의 변형예에서의 4개 반의 전극(92a~92e)의 촬상 화상을 포함하는 화상(51)을 예시하는 도면이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 대해서 설명한다.
< 1. 전체 구성 >
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 프로브 마크 판독 장치(1)의 구성을 나타내는 블록도이다. 이 프로브 마크 판독 장치(1)는 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 반도체 칩의 전극에 형성된 프로브 마크를 판독하는 장치로서, 이 반도체 웨이퍼(90)를 촬상하는 CCD 카메라(20)와, 이 CCD 카메라(20)가 촬상해야 하는 대상 개소의 상을 광학적으로 확대하는 광학부(21)와, CCD 카메라(20)가 촬상해야 하는 대상 개소를 조명하는 광원(30)과, 반도체 웨이퍼(90)가 재치되는 재치대를 포함하고, 이 재치대를 X방향 및 Y방향으로 이동하는 것에 의해 CCD 카메라(20)가 촬상해야 하는 위치를 변경하는 XY 스테이지(40)와, 이들을 제어하는 컴퓨터(10)를 구비한다. 또한, 여기서는 상기 광원(30) 이외의 광원은 존재하지 않는 것으로 한다.
CCD 카메라(20)는 반도체 웨이퍼(90)를 재치하는 XY 스테이지(40) 위쪽의 소정 위치에 고정되어 있으며, 광학부(21)에 의해 확대된 반도체 웨이퍼(90)의 소정 부분의 상, 즉 반도체 웨이퍼(90)내에 복수개 형성되는 반도체 칩에 포함되는 소정의 전극 근방을 컴퓨터(10)로부터의 트리거 신호 St에 근거하여 2차원 화상으로서 촬상하고, 촬상에 의해 얻어진 2차원 화상을 화상 신호 Si로서 출력한다. 구체적으로는, CCD 카메라(20)는 트리거 신호 St가 인가된 시점에서, CCD 카메라(20)에 내장되는 셔터가 열려져, 후술하는 광원(30)에 의해 섬광이 발생된 후에 당해 셔터가 닫혀지는 것에 의해 촬상한다. 또한, CCD 카메라(20)는 흑백이나 컬러의 전하 결합 소자(CCD)를 이미지 센서로서 이용하는 촬상 장치이지만, 이를 대신하여 금속 산화막 반도체(M0S)를 이용하는 촬상 장치나, 그 밖의 광전 변환 기능을 갖는 촬상 장치가 이용되어도 무방하다.
광학부(21)는 내장되는 하나 이상의 렌즈에 의해 반도체 웨이퍼(90)의 소정 부분의 광학적으로(여기서는, 10~20배 정도로) 확대된 상을 CCD 카메라(20)에 결상시킨다. 또한, 이 광학부(21)는 CCD 카메라(20)의 해상도가 충분히 높은 경우에는 생략되어도 무방하다.
광원(30)은 반도체 웨이퍼(90) 위쪽의 소정 위치에 고정되어 있으며, CCD 카메라(20)에 의해 촬상되어야 하는 소정 부분을 조명하는 크세논 플래쉬 램프이다. 이 광원(30)은 컴퓨터(10)로부터 트리거 신호 St가 출력된 직후에 출력되는 플래쉬 신호 Sf가 인가된 시점으로부터 수 마이크로초 정도의 짧은 시간만큼 고휘도의 섬광을 발생시키는 것에 의해 상기 소정 부분을 조명한다. 이 섬광에 의해 조명되는 시간은 통상의 카메라의 셔터 스피드(수 미리초)에 비해서 매우 짧지만, 그것은 피사체인 반도체 웨이퍼(90)가 이동하는 것에 의해 발생하는 촬상에 의해 얻어지는 화상의 흔들림을 방지하기 위함이다. 또한, 고휘도의 광원(30)에 의해 조명하는 것은, CCD 카메라(20)에 의한 촬상을 위해서 필요로 되는 충분한 광량을 단시간에 얻기 위함이다. 따라서, 이 광원(30)은 고휘도의 광을 단시간만큼 쏠 수 있는 광원이면 무방하기 때문에, 예를 들면, LED나 레이저 광원이어도 무방하다. 또한, 여기서는 트리거 신호 St가 출력되고 나서 플래쉬 신호 Sf가 출력될 때까지의 시간은 무시할 수 있을 정도로 짧기 때문에, 이하에서는 이들 신호는 거의 동시에 출력되는 것으로 한다. 또한, 플래쉬 신호 Sf는, 구체적으로는, 매우 짧은 지연 시간을 갖는 지연 회로에 대하여 트리거 신호 St를 입력하는 것에 의해 생성된다.
XY 스테이지(40)는 그 상면측에 마련되는 이동 가능한 재치대상에 반도체 웨이퍼(90)를 재치하고 있으며, 당해 재치대를 X방향 및 Y방향으로 이동시키기 위한 모터(예를 들면, 스텝핑 모터, 서보 모터, 리니어 모터 등)와, 당해 재치대의 X방향 및 Y방향으로의 이동 거리를 판별하기 위한 인코더(예를 들면, 각종 모터 인코더나 리니어 스케일)를 포함한다. 이 XY 스테이지(40)에 포함되는 모터는 컴퓨터(1O)로부터의 모터 제어 신호 Sm에 근거해서 제어되어, 상기 재치대를 소정의 위치로 이동시키도록 구동한다. 또한, 이 XY 스테이지(40)에 포함되는 인코더는, 상기 재치대가 X방향으로 단위 거리만큼 이동할 때마다 생성되는 펄스 신호인 X-Encoder Pulse(이하, 「X 펄스 신호」라고 약칭함)와, 상기 재치대가 Y방향으로 단위 거리만큼 이동할 때마다 생성되는 펄스 신호인 Y-Up Pulse(이하, 「Y 펄스 신호」라고 약칭함)와, 상기 재치대가 X방향의 기준 위치인 X축상에 위치하는 경우에 생성되는 신호인 X-Reset(이하, 「X 리세트 신호」라고 함)와, 상기 재치대가 Y방향의 기준 위치인 Y축상에 위치하는 경우에 생성되는 신호인 Y-Reset(이하, 「Y 리세트 신호」라고 함)를 포함하는 인코더 신호 Se를 출력한다.
본 프로브 마크 판독 장치(1)는 이 XY 스테이지(40)에 의해 그 재치대상에 재치되는 반도체 웨이퍼(90)를 X방향으로 정속으로 이동시키고, 광원(30)의 섬광에 의해 소정의 타이밍으로 조명되는 전극을 CCD 카메라(20)에 의해 순서대로 촬상한다. 또한, X방향의 촬상 동작이 종료할 때마다, 반도체 웨이퍼(90)를 Y방향으로 소정의 거리(즉, 1행 정도)만큼 이동시켜 상기 X방향의 촬상 동작을 반복하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(90)의 반도체 칩에 포함되는 모든 전극을 촬상한다. 도 2(a), (b)는 이러한 촬상 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 2(a)에 나타내는 도면은 XY 스테이지(40)(의 재치대)와 반도체 웨이퍼(90)와의 위치 관계를 나타내는 개략도이다. 도면 중 좌상부에는 XY좌표계 및 그 원점이 표시되어 있지만, 이들은 XY 스테이지(40)의 XY 좌표계 및 그 원점이다. 또한, 상기 XY 좌표계는 CCD 카메라(20)에 의해 촬상에 의해 얻어지는 화상의 좌표계와 동일하게 되도록, 또한 상기 원점 위치가 촬상에 의해 얻어지는 화상의 중심 위치(이하, 「촬상 위치(20a)」라고 함)와 동일하게 되도록 XY 스테이지(40)에 대하여 CCD 카메라(20)의 위치가 설정되어 있다.
도 2(b)에 나타내는 도면은 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 반도체 칩(91)내의 전극(예, 전극 패드)(92)을 CCD 카메라(20)에 의해 촬상할 때의 상기 촬상 위치(20a)의 궤적을 나타내는 도면이다. 도면 중 P1은 촬상 동작이 개시될 때의 상기 촬상 위치(20a)(이하, 「개시 위치」라고 함)를 나타내고, 도면 중 P2는 촬상 동작이 종료될 때의 상기 촬상 위치(20a)(이하, 「종료 위치」라고 함)를 나타낸다. CCD 카메라(20)는 XY 스테이지(40)에 포함되는 재치대의 -X방향으로의 이동에 의해, 개시 위치 P1으로부터 X방향으로 (1행으로서) 배열되는 전극(92)을 소정의 타이밍으로 순서대로 촬상한다. 그 촬상 위치(20a)가 피검사체(예, 반도체 칩)(91)의 우단측을 넘으면, XY 스테이지(40)에 포함되는 재치대의 -Y방향으로의 이동에 의해, 촬상되어야 하는 전극(92)은 Y방향으로 1행 정도만큼 이동된다. 계속해서 XY 스테이지(40)에 포함되는 재치대의 X방향으로의 이동에 의해, -X방향으로 배열되는 전극(92)이 소정의 타이밍으로 마찬가지로 순서대로 촬상된다. 이상의 촬상 동작이 반복되어, 반도체 칩(91)내의 모든 전극(92)이 촬상되는 것에 의해, 촬상 위치(20a)가 종료 위치 P2에 도달한다. 이러한 촬상 동작은 모든 반도체 칩에 대하여 실행된다.
최초의 촬상 동작에 있어서, 복수의 전극 각각의 프로브 마크의 위치를 파악할 수 있다. 프로브 카드에 배치된 복수의 프로브 선단의 각각의 위치는 거의 동일 위치에 있다. 따라서, 최초의 촬영으로 파악한 프로브 마크의 위치 정보에 근거하여, 다음번 이후의 촬영에서의 각 전극의 프로브 마크의 위치를 예측할 수 있다. 다음번 이후의 촬영에서는 각 전극 표면상의 프로브 마크의 예측 위치를 타겟으로 하여 촬영할 수 있다.
이상의 촬상 동작은 컴퓨터(10)에 의해 제어된다. 이하, 컴퓨터(10)의 구성 및 촬상 동작에 대해서 설명한다.
< 2. 컴퓨터의 구성 및 촬상 동작 >
이 컴퓨터(10)는, 예를 들면 퍼스널 컴퓨터나 워크스테이션 등의 일반적인 컴퓨터 시스템이다. 도 3은 이 컴퓨터(10)의 개략적 구성을 나타내는 블록도이다. 이 컴퓨터(10)는 각종 연산 처리를 실행하는 CPU(Central Processing Unit)(11)와, 외부의 키보드나 마우스 등의 입력 장치 및 LCD나 CRT 등의 디스플레이 장치와 내부 버스(17)를 접속하기 위한 입출력 인터페이스(12)와, 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억하는 RAM(Random Access Memory)(13)와, 소정의 프로그램 등이 미리 기억되는 ROM(Read Only Memory)(14)과, 대용량의 기억 장치인 하드디스크(16)와, 이 하드디스크(16) 및 내부 버스(17)를 접속하기 위한 디스크 인터페이스(15)를 구비하고 있다.
또한, 이 컴퓨터(10)는 입출력 인터페이스(12) 등을 거쳐서 CD-ROM 등의 외부 기억 매체나 통신 회선으로부터 RAM(13)에 저장된 소정의 프로그램을 실행하는 것에 의해, CCD 카메라(20)로부터 화상 신호 Si를 수취하여 CCD 카메라(20)로 트리거 신호 St를 인가하고, 조명 기구(예, 광원)(30)로 플래쉬 신호 Sf를 인가하여 XY 스테이지(40)로부터 인코더 신호 Se를 수취하고, XY 스테이지(40)로 모터 제어 신호 Sm을 인가하는 처리를 실현한다. 이하, 이들 소프트웨어 처리를 포함하는 컴퓨터(10)의 각 기능 구성 및 촬상 동작에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도 4는 컴퓨터(10)의 기능 구성을 나타내는 블록도이다. 이 컴퓨터(10)는 인코더 신호 Se를 수취하여 소정의 타이밍으로 트리거 신호 St 및 플래쉬 신호 Sf를 출력하는 트리거 신호 발생부(110)와, 인코더 신호 Se를 수취하여 모터 제어 신호 Sm을 출력하는 XY 스테이지 제어부(120)와, 화상 신호 Si를 수취하는 화상 판독부(130)와, 화상 데이터 Di를 일시적으로 보존하는 일시 보존부(140)와, 화상 데이터 Di에 대하여 소정의 트리밍 처리를 실행하는 화상 트리밍부(150)와, 해당 트리밍된 화상 데이터 Di'를 후에 실행되어야 하는 프로브 마크 검사를 위해서 보존하는 대용량 보존부(160)와, 이 대용량 보존부(160)에 보존된 화상 데이터 Di'에 근거하여 프로브 마크 검사를 실행하는 프로브 마크 검사부(170)를 구비한다. 또한, 이 프로브 마크 검사부(170)는 이하에 설명하는 촬상 동작의 후에 실행되는 프로브 마크 검사를 실행하지만, 그 동작에 대해서는 후술한다.
트리거 신호 발생부(110)는 미리 상기 RAM(13)의 소정의 어드레스에 소정의 데이터를 기입하는 동작을 행하여, 인코더 신호 Se에 근거하는 소정의 타이밍으로 트리거 신호 St 및 플래쉬 신호 Sf를 출력한다. 이하, 이 동작에 대해서 도 5를 참조하여 상술한다.
도 5는 트리거 신호 St를 발생시키는 동작을 설명하기 위한 도면이다. 이 도 5에 나타내는 바와 같이, 트리거 신호 발생부(110)는 트리거 신호 St의 발생에 관한 기능적 구성 요소로서, Y좌표 판독 어드레스 카운터(112)와, X좌표 판독 어드레스 카운터(114)와, 선택기(116)와, 메모리(118)를 구비하고 있다.
Y좌표 판독 어드레스 카운터(112)는 Y펄스 신호(Y-Up Pulse)가 나타내는 펄스를 카운트하여 그 카운트 값을 Y좌표에 상당하는 메모리 어드레스 신호(Y좌표 어드레스 신호)로서 출력하고, Y리세트 신호(Y-Reset)가 입력되면 그 카운터 값은, Y방향의 기준 위치에 대응하는 소정의 Y좌표에 상당하는 어드레스 값으로 강제적으로 설정된다. X좌표 판독 어드레스 카운터(114)는 X펄스 신호(X-Encoder Pulse)가 나타내는 펄스를 카운트하여 그 카운트 값을 X좌표에 상당하는 메모리 어드레스 신호(X좌표 어드레스 신호)로서 출력하고, X리세트 신호(X-Reset)가 입력되면 그 카운터 값은 X방향의 기준 위치에 대응하는 소정의 X좌표에 상당하는 어드레스 값으로 강제적으로 설정된다. Y좌표 판독 어드레스 카운터(112) 및 X좌표 판독 어드레스 카운터(114)로부터 출력되는 Y좌표 어드레스 신호 및 X좌표 어드레스 신호는 선택기(116)에 입력된다. 또한, 선택기(116)에는 전극의 중심에 대응하는 좌표에 상당하는 메모리 어드레스에 데이터(write DATA)를 기입하기 위한 기입 어드레스(write Address)를 나타내는 신호(이하, 「기입 어드레스 신호」라고 함) 및 당해 데이터(이하, 「기입 어드레스 신호」라고 함)도 입력된다. 선택기(116)는 상기 기입 어드레스 신호와 Y좌표 어드레스 신호 및 X좌표 어드레스 신호로 이루어지는 판독 어드레스 신호와의 2종류의 어드레스 신호 중 어느 하나를 선택하고, 선택된 어드레스 신호를 메모리(118)에 인가한다. 이 때, 기입 어드레스 신호가 선택되면, 기입 데이터도 메모리(118)에 인가되어, 메모리(118)에서는 그 기입 어드레스 신호가 나타내는 어드레스에 그 기입 데이터가 기입된다. 한편, 판독 어드레스 신호가 선택되면, 그 판독 어드레스 신호가 나타내는 어드레스의 데이터가 메모리(118)로부터 판독되어, 트리거 신호 St로서 트리거 신호 발생부(110)로부터 출력된다.
상기와 같은 구성을 갖는 트리거 신호 발생부(110)는, 본 프로브 마크 판독 장치(1)의 외부로부터 인가되는 반도체 웨이퍼(90)에 관한 정보를 기억하는 웨이퍼 정보 기억부(105)로부터, 당해 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 반도체 칩(91)의 배열 및 그 전극 패드(92)의 배열 등에 관한 배열 정보 Ia(예를 들면, 반도체 칩(91)에 대하여 설정된 소정의 좌표계에서의 각 전극(92)의 위치를 나타내는 좌표의 정보 등)을 수취하고, 당해 배열 정보 Ia에 근거하여 반도체 칩(91)에 포함되는 촬상 대상으로 되어야 하는 모든 전극(92)의 중심 위치에 대응하는 좌표(이하, 「패드의 중심 좌표」라고 함)를 산출한다. 산출된 좌표는 각각 대응하는 메모리 어드레스로 변환되어, 메모리(118)에서의 당해 메모리 어드레스에는 패드의 중심 좌표인 것을 나타내는 데이터(여기서는, 「1」)가 기입된다. 구체적으로는, 기술한 바와 같이, 상기 메모리 어드레스는 기입 어드레스(Write Address)로서 선택기(116)에 입력되어, 「1」인 기입 데이터(Write Data)가 선택기(116)에 입력된다. 선택기(116)는 메모리(118)의 대응하는 어드레스에 「1」을 기입한다. 여기서, 상기 메모리 어드레스는 상기 X좌표와 일의적으로 대응하도록 설정된다. 따라서, 각 전극(92)의 중심 좌표를 X방향으로 연결하는 직선은 촬상 위치(20a)를 X방향으로 연결하는 직선에 합치하기 때문에, 상기 메모리 어드레스를 특정하는 것에 의해 촬상 위치(20a)의 X좌표가 특정된다.
도 6은 이러한 촬상 위치(20a)와 메모리 어드레스와의 관계를 설명하기 위한 모식도이다. 도면에 나타내는 전극(92)의 중심 좌표를 X방향으로 연결하는 직선을 따라서 배열되는 사각의 프레임은 메모리 어드레스를 나타내고, 프레임내의 숫자는 당해 메모리 어드레스에 기입되어 있는 데이터를 나타낸다. 도 6에서는 패드의 중심 좌표에 대응하는 메모리 어드레스에는 「1」이 기입되어 있어, 트리거 신호 발생부(110)는, 촬상 위치(20a)가 이 어드레스에 대응하는 위치와 합치하는 경우에, 트리거 신호 St를 출력한다.
구체적으로는 도 5에 나타내는 바와 같이, XY 스테이지(40)로부터의 인코더 신호 Se에 포함되는 Y 펄스 신호가 입력될 때마다 Y좌표 판독 어드레스 카운터(112)에 의해 Y좌표에 대응하는 소정의 메모리 어드레스가 설정되어, 선택기(116)에 인가된다. 또한, X리세트 신호가 입력되는 경우에는 X축에 대응하는 소정의 메모리 어드레스가 설정된다. 또한, Y리세트 신호가 입력되는 경우에는 상기 메모리 어드레스의 최초의 위치로부터 판독이 개시된다. 또한, X펄스 신호가 입력될 때마다 X좌표 판독 어드레스 카운터(114)에 의해 상기 메모리 어드레스가 인크리먼트되어, 선택기(116)에 의해 당해 메모리 어드레스로부터 순서대로 데이터가 판독되며, 「1」이 판독된 시점에서 즉시 트리거 신호 St가 출력된다. 이 구성에 의해, 패드의 중심 좌표가 촬상 위치(20a)에 합치할 때에 전극(92)이 촬상된다.
또한, 엄밀하게는 촬상되는 시점은 트리거 신호 St가 출력된 직후의 플래쉬 신호 Sf가 출력되는 시점이지만, 양자는 거의 동시이기 때문에 실제상의 차이는 없다. 또한, 여기서는 도 2(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 각 전극(92)의 중심 위치를 Y방향으로 연결하는 직선은 Y축과 모두 평행한 것으로 한다. 즉, 각 전극(92)의 X방향으로의 배열 패턴은 Y방향으로 반복되어 있는 것으로 한다.
XY 스테이지 제어부(120)는 반도체 웨이퍼(90)가 재치되는 XY 스테이지(40)의 재치대의 위치를 나타내는 인코더 신호 Se를 수취하고, 이 재치대를 소정 위치로 이동시키기 위한 소정의 모터 제어 신호 Sm을 생성하여 XY 스테이지(40)에 인가한다. 구체적으로는 도 2(a), (b)의 하반부에 나타내는 도면에 대해서 전술한 바와 같이, 촬상 기구(예, CCD 카메라)(20)에 의해 촬상할 때의 상기 촬상 위치(20a)가 도면내의 화살표로 나타내는 궤적을 따라가도록 촬상 대상 위치 변경 기구(예, XY 스테이지)(40)의 재치대를 이동시키는 피드백 제어를 실행한다. 이 이동 속도는 일정한 속도로서, CCD 카메라(20)에 의해 화상을 순서대로 연속해서 취득하는 경우에서의 1장의 화상을 취득하기 위한 시간(이하, 「촬영 시간」이라고 함)과 동일한 시간 또는 그것보다도 긴 시간에서, 어느 전극의 중심 위치로부터 당해 전극 패드의 X방향에 인접하는 전극의 중심 위치까지 촬상 위치(20a)를 이동시키도록 결정된다. 만약 이 촬영 시간보다도 짧은 시간내에 이동되면, 모든 전극(의 중심 위치)을 촬상할 수 없게 되기 때문이다. 또한, 상기 촬영 시간은, 예를 들면 30미리초 정도이다. 또한, 이 이동 속도는 반드시 일정할 필요는 없지만, 일정한 경우에는 각 촬상 위치(20a)에서의 촬상 조건이 일정해지기 때문에 바람직하다.
화상 판독부(130)는 CCD 카메라(20)에 의해 얻어지는 화상 신호 Si를 수취하여, 이 화상 신호 Si로부터 전극 및 그 근방의 촬상 화상인 화상 데이터 Di를 생성하여 출력한다. 이 화상 데이터 Di는 일시 보존부(140)에 의해 RAM(13)의 소정의 영역에 일시적으로 기억된다.
화상 트리밍부(150)는 이 일시 보존부(140)에 의해 기억된 화상 데이터 Di에 대하여, 전극(92) 근방의 촬상 화상보다도 외측의 소정 영역을 삭제하는 트리밍 처리를 실행하는 것에 의해, 트리밍된 화상 데이터 Di'를 생성한다.
도 7은 이 트리밍 처리를 설명하기 위한 모식도이다. 도면내의 화상(51)은 상기 화상 데이터 Di에 대응하고 있으며, 전극(92)의 중심 좌표가 촬상 위치(20a)에 합치하고 있다. 또한, 점선으로 나타내는 트리밍 경계선(52)은 전극(92)의 촬상 화상을 포함하고, 그 주위보다도 다소 큰 영역을 둘러싸는 경계선으로서 설정되어 있어, 트리밍 경계선(52) 내부의 영역의 중심 위치는 전극(92)의 중심 좌표와 합치하도록 설정된다. 그 때문에, 화상(51)에 대한 트리밍 경계선(52)을 용이하게 설정할 수 있기 때문에, 전극(92)의 촬상 화상을 공지의 화상 인식 처리 수법으로 인식하는 것에 의해 트리밍 처리할 필요는 없어, 용이하게 트리밍 경계선(52) 내부의 전극(92)의 촬상 화상으로 이루어지는 트리밍된 화상 데이터 Di'를 생성할 수 있다. 이 트리밍된 화상 데이터 Di'는 대용량 보존부(160)에 의해 디스크 인터페이스(15)를 거쳐서 하드디스크(16)에 보존된다. 또한, 이 대용량 보존부(160)에 의해 보존된 화상 데이터 Di'는 후에 프로브 마크 검사부(170)에 의해 실행되어야 하는 프로브 마크 검사의 대상으로 된다. 이상과 같은 기능에 대응하는 컴퓨터(10)의 촬상 동작에 관련하는 처리 순서에 대하여, 이하 도면을 참조하여 설명한다.
도 8은 컴퓨터(10)의 촬상 동작에 관련된 처리 순서를 나타내는 흐름도이다. 이 컴퓨터(10)의 하나의 기능인 트리거 신호 발생부(110)는 전술한 웨이퍼 정보 기억부(105)로부터 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 반도체 칩(91)의 배열 및 그 전극(92)의 배열 등에 관한 배열 정보 Ia를 수취하여, 반도체 칩(91)에 포함되는 모든 전극(92)의 중심 좌표를 산출하고, 산출된 좌표를 각각 대응하는 메모리 어드레스로 변환하여, 당해 메모리 어드레스에 패드의 중심 좌표인 것을 나타내는 데이터 「1」을 기입하는 초기 설정 처리를 실행한다(단계 S10). 또한, 여기서는 모든 반도체 칩에 포함되는 모든 전극(92)의 중심 좌표를 산출하여, 대응하는 메모리 어드레스에 기입을 실행해도 무방하다.
다음에, XY 스테이지 제어부(120)는 CCD 카메라(20)의 촬상 위치(20a)에 소정의 개시점 P1을 맞추도록, 반도체 웨이퍼(90)가 재치되는 XY 스테이지(40)의 재치대의 위치를 이동시키기 위한 소정의 모터 제어 신호 Sm을 생성하여 XY 스테이지(40)에 인가한다. 또한, CCD 카메라(20)의 촬상 위치(20a)에 소정의 개시점 P1이 맞춰지면, 연속적으로 수취되는 상기 재치대의 위치를 나타내는 인코더 신호 Se에 근거하여, 이 재치대를 X방향으로 일정한 상기 이동 속도로 이동시키기 위한 소정의 모터 제어 신호 Sm을 XY 스테이지(40)에 인가한다(단계 S20).
다음에, 트리거 신호 발생부(11O)는 인코더 신호 Se에 근거하여, 패드의 중심 좌표가 촬상 위치(20a)에 합치하는지 여부를 판단한다(단계 S30). 합치하지 않는 경우, 상기 단계 S30의 판단이 반복하여 실행된다. 합치하는 경우, 트리거 신호 발생부(110)는 트리거 신호 St를 출력한다(단계 S40). 또한, 트리거 신호 St가 출력된 직후에 플래쉬 신호 Sf가 출력되는 것은 전술한 바와 같다.
다음에, 화상 판독부(130)는 CCD 카메라(20)에 의해 얻어지는 화상 신호 Si를 수취하여, 이 화상 신호 Si로부터 전극 및 그 근방의 촬상 화상인 화상 데이터 Di를 생성하고, 일시 보존부(140)는 이 화상 데이터 Di를 일시적으로 기억한다(단계 S50).
다음에, XY 스테이지 제어부(120)는 인코더 신호 Se에 근거하여, CCD 카메라(20)의 촬상 위치(20a)가 X방향으로 가장 먼 단의 전극(92)의 중심 좌표를 넘고 있기 때문에, 당해 X방향의 화상 판독을 종료할지 여부를 판단한다(단계 S60). 종료하지 않는 경우, 처리는 단계 S30으로 되돌아가, 트리거 시점에서 트리거 신호를 송출하는 처리가 당해 X방향의 화상 판독을 종료할 때까지 반복된다(S60→S30→S40→S50→S60). 당해 X방향의 화상 판독을 종료하는 경우, 또한 촬상 위치(20a)가 종료 지점 P2에 도달했는지 여부가 판단된다(단계 S70). 도달해 있지 않은 경우, 이하에 설명하는 단계 S80으로부터 S110까지의 처리가 실행된 후에 단계 S30으로 되돌아가, 촬상 위치(20a)가 종료 지점 P2에 도달할 때까지 상기 처리가 반복된다(S70→S80→S90→S100→110→S30→S40→S50→S60→S70). 여기서, 단계 S80으로부터 S110까지의 처리에 대해서 설명한다.
상기 단계 S70의 처리에서 촬상 위치(20a)가 종료 지점 P2에 도달해 있지 않다고 판단되는 경우, XY 스테이지 제어부(120)는 CCD 카메라(20)의 촬상 위치(20a)를 다음 전극의 행에 대응하는 Y좌표에 맞추기 때문에, 반도체 웨이퍼(90)가 재치되는 XY 스테이지(40)의 재치대의 위치를 이동시키기 위한 소정의 모터 제어 신호 Sm을 생성하여 XY 스테이지(40)에 인가한다(단계 S80).
다음에, 화상 트리밍부(150)는 일시 보존부(140)에 기억되는 상기 화상 데이터 Di에 대하여, 전극(92)의 촬상 화상을 포함하는 영역 이외의 소정 영역을 잘라내는 트리밍 처리를 실행하는 것에 의해, 트리밍된 화상 데이터 Di'를 생성한다(단계 S90). 또한, 이 트리밍 처리는 일시 보존부(140)에 의해 기억되는 모든 화상 데이터 Di(구체적으로는, X방향으로 배열된 모든 전극(92)의 촬상 화상)에 대하여 일괄적으로 실행된다.
다음에, 화상 트리밍부(150)는 트리밍된 화상 데이터 Di'에 대하여, 프로브 마크 검사부(170)에 의한 프로브 마크 검사시에 이용되는 소정의 번호나 주석문 등을 포함하는 부가 정보를 부가한 데이터를 작성한다(단계 S100). 또한, 대용량 보존부(160)는 화상 트리밍부(150)에 의해 부가 정보가 부가된 상기 데이터를 보존한다(단계 S110). 그 후, 전술한 바와 같이, 처리는 단계 S30으로 되돌아가, 촬상 위치(20a)가 종료 지점 P2에 도달할 때까지 상기 처리가 반복된다.
이상의 단계 S90으로부터 S110까지의 처리는, 상기 단계 S80의 처리에서 XY 스테이지(40)의 재치대의 위치를 이동시키기 위한 이동 시간을 이용하여 실행된다. 또한, 컴퓨터(10)의 처리 속도 및 하드디스크(16)의 보존 속도가 충분히 빠른 경우, 이들 처리는 단계 S50의 화상 취입 처리의 후에 바로 실행되는 구성이더라도 무방하다. 또한, 이들 처리는 상기 단계 S80의 처리(및 그 이후에 실행되는 처리)와 병행해서 실행되더라도 무방하다.
또한, 단계 S60에서 촬상 위치(20a)가 종료 지점 P2에 도달했다고 판단되는 경우, 당해 반도체 칩에 관한 화상 판독 동작은 종료한다. 또한, 화상을 판독해야 되는 반도체 칩이 있는 경우에는, 이하에 설명하는 프로브 마크 검사 동작이 종료한 후에 상기 처리가 처음부터 개시된다.
< 3. 컴퓨터의 프로브 마크 검사 동작 >
다음에, 컴퓨터(10)의 프로브 마크 검사 동작에 관련된 처리 순서에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 여기서, 이 프로브 마크 검사 동작에는 모델로 되는 프로브 마크를 포함하는 전극의 촬상 화상과, 상기 프로브 마크 검사 동작의 대상으로 되어야 하는 프로브 마크를 형성하는 전기적 특성 검사(이하, 「프로브 테스트」라고 함)를 실행하기 전의 반도체 칩(91)에 포함되는 전극(92)의 촬상 화상이 필요해진다. 그래서, 상기 프로브 마크 검사 동작을 포함하는 전체적인 처리의 순서에 대해서 설명한다.
도 11은 본 실시예에서의 프로브 마크 검사를 실행할 때의 전체적인 처리 순서를 나타내는 흐름도이다. 단계 S1에서는, 소정의 반도체 칩에 포함되는 모든 전극에 형성된 이상적인 상태의 프로브 마크를 모델로서 등록하기 위한 촬상(모델 등록용 촬상 처리)이 실행된다. 구체적으로는, 프로브 마크 검사의 대상으로 되어야 하는 소정의 검사용 프로브에 전혀 이상이 없을 때(예를 들면, 신품일 때), 새롭게 형성되는 프로브 마크의 위치를 명료하게 하기 위해서, 다른 프로브 마크가 존재하지 않는 상태의 더미 웨이퍼나 신규의 칩에 대하여, 상기 소정의 검사용 프로브를 사용하여 프로브 마크를 형성한다. 이렇게 해서 형성된 프로브 마크는 그 위치 등에 이상이 없어 거의 이상적인 상태이기 때문에, 이 프로브 마크가 형성된 전극의 화상 전부를 이하의 프로브 마크 검사 동작에서 사용하기 위한 촬상을 실행한다. 또한, 이 촬상 동작은 도 8 등을 참조하여 설명한 상기 촬상 동작과 전부 동일하기 때문에 자세한 설명은 생략한다.
단계 S2에서는, 모델 등록용 촬상 처리(단계 S1)에 의해 얻어진 모델로 되는 프로브 마크를 포함하는 전극의 화상을 해석하는 것에 의해, 당해 모델로 되는 프로브 마크의 중심 좌표를 산출하여 보존하는 처리(모델 등록 처리)가 실행된다. 이러한 화상 해석에 의한 중심 좌표의 산출에는 공지의 수법이 사용된다. 예를 들면, 당해 화상에 포함되는 프로브 마크가 차지하는 영역 또는 그 경계를 구성하는 화소를 당해 화소의 휘도에 근거하여 검출하고, 이들 화소의 좌표에 근거하여 프로브 마크의 중심 좌표를 산출한다. 또한, 이 중심 좌표는 반도체 칩(91)에 대하여 미리 설정된 소정의 좌표계에서의 좌표로서, 이 좌표계에 관한 정보를 포함하는 배열 정보 Ia가 웨이퍼 정보 기억부(105)에 기억되어 있는 것은 전술하였다. 이 중심 좌표는 모든 프로브 마크에 대해서 산출되어, 프로브 마크 검사부(170)에 의한 프로브 마크 검사시에 이용되는 소정의 번호 등의 정보와 함께 대용량 보존부(160)에 보존된다. 또한, 이하에서는 프로브 마크의 중심 좌표에 근거하여 각종 계산이 실행되지만, 모든 프로브 마크에 공통적으로 포함되는 성질을 나타내는 특징점의 좌표(예를 들면, 최소한 Y좌표의 화소 좌표 등)이면, 중심 좌표를 대신하여 사용할 수도 있다.
여기서, 단계 S1, S2의 처리에 의해 얻어지는 정보는 상기 소정의 검사용 프로브가 이상으로 될 때까지 반복해서 사용 가능하다. 그 때문에, 이들 처리는 당해 검사용 프로브를 처음으로 사용할 때 등에 한번만 실행되면 충분하다. 또한, 복수의 검사 장치 중 어느 것에도 당해 소정의 검사용 프로브를 장착하는 것이 가능한 경우, 상기 정보는 소정의 네트워크 등을 거쳐서 이들 복수의 검사 장치에 공유되도록 구성되어도 무방하다.
단계 S3에서는, 프로브 테스트 전의 반도체 칩(91)에 포함되는 전극의 촬상(차분 산출용 촬상 처리)이 실행된다. 이 촬상 처리는 소정의 반도체 칩(91)에 포함되는 모든 전극에 대해서 실행되어도 무방하고, 당해 반도체 칩(91)의 각부 근방에 배치되는 4개의 전극에 대해서만 실행되어도 무방하다. 또한, 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 모든 반도체 칩의 전극에 대해서 실행되어도 무방하다. 이 촬상 처리에 의해 얻어지는 화상과 프로브 테스트 후의 화상과의 차분 연산을 실행하는 것에 의해, 하나의 전극에 복수의 프로브 마크가 형성되어 있는 경우이더라도, 당해 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크만을 검출할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 모든 전극에 대하여 차분 연산이 실행될 이유는 없지만, 그 상세한 내용에 대해서는 후술한다. 또한, 이 차분 산출용 촬상 처리에 의해 얻어지는 전극의 화상은 프로브 마크의 상세 검사(후술하는 단계 S7)에서 이용할 수 있기 때문에, 이 상세 검사에 이용하는 경우, 상기 촬상 처리는 모든 반도체 칩에 대하여 실행되는 것이 바람직하다.
단계 S4에서는, 상기 소정의 검사용 프로브를 장착한 소정의 프로브 테스트 장치에 의해, 소정의 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 모든 반도체 칩에 대하여 프로브 테스트가 실행된다. 이 프로브 테스트에 의해, 프로브 마크 검사의 대상으로 되어야 하는 프로브 마크가 전극에 형성된다.
단계 S5에서는, 본 프로브 마크 판독 장치에 의해, 상기 프로브 테스트에 의해서 형성된 프로브 마크를 포함하는 전극의 촬상(프로브 마크 검사용 촬상 처리)이 실행된다. 이 동작은 도 8 등을 참조하여 설명한 상기 촬상 동작이다. 또한, 모델 등록용 촬상 처리(단계 S1)의 경우와는 상이하여, 여기서의 촬상에 의해 취득되는 전극의 화상에는 상기 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크 외에, 상이한(예를 들면, 전회 이전의) 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크가 하나 이상 포함되어 있을 가능성이 있다.
단계 S6에서는, 프로브 마크 검사용 촬상 처리(단계 S5)에 의해 얻어진 전극의 화상에 근거하여 소정의 프로브 마크 검사 처리가 실행된다. 이 처리의 자세한 내용에 대해서는 후술한다.
단계 S7에서는, 단계 S6(프로브 마크 검사 처리)에 의해 얻어진 결과에 근거하여, 더한 상세 검사가 실행된다. 예를 들면, 프로브 마크 검사 처리에 의해 불량으로 판정된 프로브 마크를 포함하는 전극의 화상을 대용량 보존부(160)로부터 판독하여, 프로브 마크의 형상이나 크기 등이 상세하게 분석된다. 이 상세 검사는 전형적으로는 오퍼레이터의 육안으로의 확인 등에 의해 실행된다. 또한, 이 상세 검사는 필요에 따라서 생략되어도 무방하다.
다음에, 단계 S6에 나타내는 프로브 마크 검사 처리의 상세한 순서에 대해서 설명한다. 도 12는 컴퓨터(10)의 프로브 마크 검사 동작에 관련된 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
먼저, 컴퓨터(10)에 의해 실현되는 하나의 기능인 프로브 마크 검사부(170)는, 상기 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크의 위치가 모델 등록된 프로브 마크의 위치로부터 얼만큼 변화되고 있는지를 나타내는 벡터(이하, 「초기 벡터」라고 함)를 산출하는 초기 벡터 산출 처리를 실행한다(단계 S210). 여기서, 이 초기 벡터 산출 처리의 자세한 처리(서브루틴)에 대해서 도 13을 참조하여 설명한다. 도 13은 이 서브루틴의 순서를 나타내는 흐름도이다.
프로브 마크 검사부(170)는 프로브 마크 검사용 촬상 처리(단계 S5)에 의해 얻어진 전극의 화상 중, 반도체 칩(91)의 각부, 즉 4개의 모퉁이 근방에 배치되는 4개의 전극(이하, 「코너 패드」라고 함)의 화상 데이터를 대용량 보존부(160)로부터 판독한다(단계 S211).
다음에, 프로브 마크 검사부(170)는 단계 S211에서 얻어진 코너 패드의 화상으로부터 상기 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크를 검출한다(단계 S212). 여기서, 코너 패드의 화상에 프로브 마크가 하나만 포함되어 있는 경우에는 프로브 마크의 검출은 극히 용이하지만, 전술한 바와 같아 코너 패드의 화상에는 상기 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크 외에, 상이한(전회 이전의) 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크가 하나 이상 포함되어 있는 경우가 있다. 이 경우에는, 상기 단계 S211에서 얻어진 코너 패드의 화상으로부터 차분 산출용 촬상 처리(단계 S3)에 의해 취득된 금회의 프로브 테스트 전의 코너 패드의 화상을 차분 연산하는 것에 의해, 금회의 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크를 검출한다. 도 14는 이 차분 연산을 설명하기 위한 도면이다. 도면 중 화상 A는 프로브 테스트 전의 코너 패드의 화상을 나타내고, 화상 B는 프로브 테스트 후의 코너 패드의 화상을 나타낸다. 이 화상 B에서 화상 A를 차분 연산하면, 화상 C에 점선으로 표시되는 양쪽 화상의 공통되는 부분이 제거되기 때문에, 화상 C에 나타내는 바와 같이, 금회의 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크만을 포함하는 코너 패드의 화상이 얻어진다. 이 프로브 마크를 이하에서는 코너 프로브 마크라고 한다.
계속해서, 프로브 마크 검사부(170)는, 단계 S212에서 얻어진 코너 프로브 마크를 포함하는 코너 패드의 화상으로부터, 코너 프로브 마크의 중심 좌표를 산출한다(단계 S213). 이 중심 좌표의 산출하는 공지의 방법에 대해서는, 모델 등록 처리(단계 S2)에서 전술한 바와 같고, 또한, 이 중심 좌표는 반도체 칩(91)에 대하여 미리 설정된 소정의 좌표계에서의 좌표인 것도 전술한 바와 같다.
다음에, 프로브 마크 검사부(170)는, 단계 S213에서 얻어진 코너 프로브 마크의 중심 좌표로부터, 이들 중심 좌표의 중심 위치 Ci를 산출한다(단계 S214). 또한, 프로브 마크의 중심 위치는 반드시 전극의 중심 위치와는 합치하지 않기 때문에, 상기 중심 위치 Ci는 반도체 칩(91)의 중심 위치와 일치하지 않는 그 근방으로 된다.
또한, 프로브 마크 검사부(170)는, 모델 등록 처리(단계 S1)에 의해 보존된 모델로 되는 프로브 마크의 중심 좌표 중, 반도체 칩의 4개의 각부 근방에 위치하는 전극의 모델로 되는 프로브 마크(이하, 「모델 코너 프로브 마크」라고 함)의 중심 좌표를 대용량 보존부(160)로부터 판독한다(단계 S215).
계속해서, 프로브 마크 검사부(170)는, 단계 S215에서 판독된 모델 코너 프로브 마크의 중심 좌표로부터, 이들 중심 좌표의 중심 위치 Cm을 산출한다(단계 S216). 또한, 이 중심 위치 Cm은 반도체 칩(91)의 중심 위치 및 중심 위치 Ci와 일치하지 않는 그 근방으로 된다.
최후에, 프로브 마크 검사부(170)는, 단계 S216에서 산출된 중심 위치 Cm으로부터, 단계 S214에서 산출된 중심 위치 Ci로의 벡터(이하, 「초기 벡터」라고 함)를 산출한다(단계 S214). 이 초기 벡터는 모델 등록된 프로브 마크로부터 상기 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크로의 편차를 나타내는 벡터로서, 이후의 처리에 이용된다. 이상에 나타내는 서브루틴 처리가 종료하면, 도 12에 나타내는 처리로 복귀한다.
여기서, 코너 프로브 마크의 중심 좌표에 근거하여 산출된 중심 위치 Ci와, 모델 코너 프로브 마크의 중심 좌표에 근거하여 산출된 중심 위치 Cm에 의해 초기 벡터를 산출하는 이유를, 도 15를 참조하여 자세하게 설명한다. 도 15는 초기 벡터 산출에 대해서 설명하기 위한 모식도이다. 도면에 나타내는 반도체 칩(910)은 6개의 전극(921~926)을 갖고 있으며, 이들 전극은 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크(931~936)를 포함한다. 또한, 도면 중, 이들 프로브 마크에 대응하는 모델 등록된 프로브 마크(831~836)는 점선으로 표시되고 있고, 프로브 마크의 중심 위치는 십자 기호의 중심 위치에 의해 표시되어 있다. 이 반도체 칩(910)의 코너 프로브 마크(933, 934)의 중심 위치를 연결한 선분과, 코너 프로브 마크(931, 936)의 중심 위치를 연결한 선분과의 교점이 이들 프로브 마크의 중심 위치 Ci로 된다. 마찬가지로, 모델 코너 프로브 마크(833, 834)의 중심 위치를 연결한 선분과, 모델 코너 프로브 마크(831, 836)의 중심 위치를 연결한 선분과의 교점이 이들 프로브 마크의 중심 위치 Cm으로 된다.
이 중심 위치 Cm으로부터 중심 위치 Ci로의 벡터인 초기 벡터 Vi는, 모델 코너 프로브 마크(831, 833, 834, 836)의 중심 위치로부터, 대응하는 코너 프로브 마크(931, 933, 934, 936)의 중심 위치로의 벡터와 완전히 동등하게 될 이유는 없다. 왜냐하면, 모델로 되는 프로브 마크를 형성한 (예를 들면, 신품의)검사용 프로브는 거의 이상적인 배치이기 때문에, 검사용 프로브가 옮겨지는 방향을 나타내는 벡터는 전부 동일하여 초기 벡터와 동등하게 될 것이지만, 복수회의 프로브 테스트를 거친 검사용 프로브는 구부러짐이나 깨짐, 마모 등의 경년 변화에 의해 이상적인 배치로부터 편차가 발생하고 있고, 또한 반도체 칩(910)의 위치 결정시에 이상적인 위치로부터 편차가 발생하기 때문이다. 특히, 반도체 칩(910)을 XY 스테이지(40)에 재치할 때 등에는, 이상적인 위치로부터 X, Y방향으로, 또는 회전 방향으로 약간의 편차가 발생하는 경우가 많다. 그리고, 회전 방향의 편차량은 반도체 칩(910)의 코너 패드에서 비교적 큰 불균일이 보이게 된다. 그래서, 본 실시예에서는 이 회전 방향의 편차량이나 그 다른 편차량을 평균화하기 때문에, 코너 프로브 마크에 착안하여 상기한 바와 같이 초기 벡터를 산출하고 있다. 또한, 편차량을 완전히 평균화하기 위해서는 모든 전극에 대해서 모델로 되는 프로브 마크로부터 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크로의 벡터를 산출하는 것이 바람직하지만, 반면, 계산량이 많아지기 때문에 그 처리에 많은 시간이 걸린다. 따라서, 고속으로 프로브 마크를 검출하기 위해서는 바람직하다고는 말할 수 없다. 이 점, 4개의 코너 패드에 착안하여 초기 벡터를 산출하는 상기 구성은, 특히 상기 회전 방향의 편차량을 충분히 정확하게 평균화할 수 있고, 또한, 고속으로 초기 벡터를 산출할 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 본 실시예서는 중심 위치 Ci 및 중심 위치 Cm에 의해 초기 벡터가 산출되지만, 모델 코너 프로브 마크(831, 833, 834, 836)의 중심 위치의 일부 또는 전부의 평균 위치로부터, 대응하는 코너 프로브 마크(931, 933, 934, 936)의 중심 위치의 일부 또는 전부의 평균 위치로의 벡터를 초기 벡터로 해도 무방하다. 또한, 모델 코너 프로브 마크 및 코너 프로브 마크 이외의 소정의 프로브 마크에 근거하여 초기 벡터가 산출되어도 무방하다.
다시 도 12를 참조하여, 상기 초기 벡터 산출 처리(단계 S210)가 종료하면, 다음에 프로브 마크 검사부(170)는 프로브 마크의 양부를 판정하기 위한 판정 범위 산출 처리를 실행한다(단계 S220). 전술한 바와 같이, 프로브 테스트에 의해 전극 패드에 형성되는 프로브 마크는 검사용 프로브에 이상이 없는 한, 모델로 되는 프로브 마크로부터 초기 벡터가 나타내는 방향 및 거리만큼 이동한 위치 근방에 있다. 이 근방이라고 말할 수 있기 위한 한계를 나타내는 범위를, 여기서는 판정 범위라고 한다. 이 판정 범위는 1개의 모델로 되는 소정의 검사용 프로브에 의해 형성되는 프로브 마크 위치의 편차량과, 모든 모델로 되는 검사용 프로브에 의해 형성되는 모든 프로브 마크 위치의 최대의 편차량과, 복수회의 프로브 테스트에 의한 경년 변화로부터 발생하는 편차량을 고려해서 결정할 필요가 있다. 이하, 도 16 및 도 17을 참조하여 설명한다.
도 16은 제 1 프로브 P1에 의해 발생하는 편차량을 설명하기 위한 모식도이고, 도 17은 제 2 프로브 P2에 의해 발생하는 편차량을 설명하기 위한 모식도이다. 이들 도면 중, Ra는 형상이 상이한 1개의 제 1 및 제 2 프로브 P1, P2에 의해 형성되는 프로브 마크 위치의 편차량을 나타내고 있으며, 점선은 그 편차의 범위를 나타내고 있다. 이 편차량 Ra는 제 1 및 제 2 프로브 P1, P2의 형상과, 그 소재인 금속의 강성(剛性)과, 가해지는 하중 등에 근거하여 산출되는 휘어짐이나 구부러짐의 양으로부터 미리 수치 계산에 의해 구할 수 있다.
또한, RM은 제 1 및 제 2 프로브 P1, P2를 모델로 되는 검사용 프로브로 할 때, 사용되는 모든 검사용 프로브에 의해 형성되는 모든 프로브 마크 위치의 최대의 편차량을 나타내고 있다. 이 편차량 RM은 모든 모델 등록된 프로브 마크의 위치로부터 용이하게 구할 수 있다. 예를 들면, 모델 등록된 프로브 마크의 중심 좌표의 X좌표 및 Y좌표에 대해서 각각 최소값과 최대값과의 차를 산출하여, 그 차가 큰 쪽의 값을 2로 나누어서 얻어지는 값에 Ra를 가한 값을 RM로 하는 것 등이 생각된다. 이 편차량 RM이 편차량 Ra보다 커지는 것은, 각 검사용 프로브의 형상 등에 다소 격차가 있는 것이나, 그 부착 위치가 계산상의 위치보다 약간 어긋나는 것 등에 의한다.
또한, RT는 복수회의 프로브 테스트에 의한 경년 변화로부터 발생하는 편차를 고려한 모든 검사용 프로브에 의해 형성되는 모든 프로브 마크 위치의 최대의 편차량이다. 이 편차량 RT는 실제로 형성되는 모든 프로브 마크 위치로부터 용이하게 구할 수 있지만, 그 반면, 계산량이 많아지기 때문에 그 처리에 많은 시간이 걸린다. 따라서, 고속으로 프로브 마크를 검출하기 위해서 바람직하다고는 말할 수 없다. 그래서, 상기 경년 변화의 영향을 경험적으로 고려해서 얻어지는 1보다 큰 소정의 계수를 상기 편차량 RM에 승산하는 것에 의해, 편차량 RT를 산출한다. 또한, 또한 4개의 코너 프로브 마크의 편차량을 고려해서 산출해도 무방하다. 프로브 마크 검사부(170)는 이렇게 산출된 편차량 RT를 반경으로 하는 원내를 상기 판정 범위로 한다.
계속해서, 프로브 마크 검사부(170)는 프로브 마크 검사가 대상으로 되는 전극의 화상을 대용량 보존부(160)로부터 판독한다(단계 S230). 다음에, 프로브 마크 검사부(170)는 판독된 전극의 화상에 포함되는 프로브 마크의 양부 판정 처리를 실행한다(단계 S240). 여기서, 이 양부 판정 처리의 상세한 처리(서브루틴)에 대해서 설명한다. 도 18은 이 서브루틴의 순서를 나타내는 흐름도이다.
프로브 마크 검사부(170)는 단계 S230에서 판독된 전극에 대응하는 모델 등록된 프로브 마크의 중심 좌표를 대용량 보존부(160)로부터 판독한다(단계 S241).
다음에, 프로브 마크 검사부(170)는 단계 S230에서 판독된 모델로 되는 프로브 마크의 중심 위치로부터, 단계 S230에서 산출된 초기 벡터의 방향 및 거리만큼 떨어진 점의 좌표를 산출하여 판정 범위의 중심 좌표로 한다(단계 S242). 이상적으로는 이 점(상기 중심 좌표) 근방에 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크의 중심 좌표가 있기 때문에, 이 점을 중심으로 하여 판정 범위를 설정하면 된다.
계속해서, 프로브 마크 검사부(170)는, 단계 S242에서 산출된 판정 범위의 중심 좌표를 중심으로 하여, 단계 S220에서 산출된 편차량 RT를 반경으로 하는 원을 판정 범위로서 설정한다(단계 S243). 또한, 여기서는 판정 범위를 원형으로 하지만, 정사각형 등 어떠한 형상이더라도 무방하다.
또한, 프로브 마크 검사부(170)는 단계 S243에서 설정된 판정 범위내의 전극 화상의 소정 영역으로부터 프로브 마크를 검출한다(단계 S243). 프로브 마크의 검출에는 화소의 휘도에 근거하는 검출 방법 등 공지의 화상 처리 수법이 이용된다. 이와 같이, 본 실시예에서는 판정 범위내의 소정 영역만의 프로브 마크를 검출하기 때문에, 전극의 화상 전체를 정밀히 조사할 필요가 없다. 그 때문에, 고속으로 프로브 마크를 검출할 수 있다.
계속해서, 프로브 마크 검사부(170)는 단계 S243에서 프로브 마크가 검출되었는지 여부를 판정한다(단계 S244). 프로브 마크가 검출된 경우에는, 당해 프로브 마크가 양호하다고 판정하고, 또한, 당해 판정 결과를 메모리(10a) 등에일시 기억하고, 도 12의 처리로 복귀한다(단계 S244). 프로브 마크가 검출되지 않은 경우에는, 당해 프로브 마크가 불량하다고 판정하고, 또한, 당해 판정 결과를 메모리 등에 일시 기억하고, 도 12의 처리로 복귀한다(단계 S245). 또한, 단계 S244에서 판정 범위내에 프로브 마크의 일부가 검출된 경우에는, 프로브 마크 전체가 검출되고 있지 않기 때문에, 프로브 마크가 검출되지 않은 것으로서 취급된다.
도 19는 이상과 같은 프로브 마크의 양부 판정 처리에서의 프로브 마크 검출의 일례를 나타내는 도면이다. 도면에 나타내는 전극의 화상(927)은 금회의 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크(937)와, 전회 이전의 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크(957a, 957b, 957c)를 포함한다. 또한, 도면 중, 프로브 마크(937)에 대응하는 모델 등록된 프로브 마크(837)는 점선으로 표시되어 있으며, 프로브 마크의 중심 위치는 십자 기호의 중심 위치에 의해 표시되어 있다. 이 도 19를 참조하면, 판정 범위의 중심 좌표로부터 반경 RT의 원내에 프로브 마크(937)가 있기 때문에, 이 원형의 판정 범위내의 화상으로부터 프로브 마크가 검출되게 된다. 따라서, 이 프로브 마크(937)는 양호하다고 판정된다.
또한, 도 2(a), (b0)는 프로브 마크의 양부 판정 처리에서의 프로브 마크 검출의 다른 예를 나타내는 도면이다. 이 도면의 각 요소는 도 19와 마찬가지이기 때문에 동일한 요소에 관하여 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다. 다만, 이 도 2(a), (b0)에 나타내는 예는 도 19에 나타내는 예와는 상이하여, 판정 범위의 중심 좌표로부터 반경 RT의 원 밖에 프로브 마크(937)가 있기 때문에, 이 원형의 판정 범위내의 화상으로부터 프로브 마크는 검출되지 않는다. 따라서, 이 프로브 마크(937)는 불량하다고 판정된다.
다시 도 12를 참조하여, 이상과 같은 프로브 마크의 양부 판정 처리(단계 S240)가 종료하면, 다음에 프로브 마크 검사부(170)는 상기 양부 판정 처리의 판정 결과에 근거하여, 프로브 마크가 불량인 경우에는 단계 S260의 처리를 생략하여 단계 S270의 처리를 실행하고, 프로브 마크가 양호한 경우에는 단계 S260의 처리를 실행한다(단계 S250).
계속해서, 프로브 마크 검사부(170)는 양호하다고 판정된 프로브 마크에 관하여, 또한 프로브 마크 위치가 양호한지 여부를 판정하는 프로브 마크 위치 판정 처리를 실행한다(단계 S260). 통상, 전극의 주연 근방에는 보호부(패시베이션부)가 형성되어 있어, 프로브 마크가 차지하는 영역이 이 보호부의 영역과 중복하는 경우에는, 프로브 테스트에서의 도통 불량 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 그 때문에, 상기한 바와 같은 중복이 발생하는 경우에는 프로브 마크 위치가 불량하다고 판정할 필요가 있다. 그래서, 구체적으로는 프로브 마크의 X좌표 및 Y좌표의 최대값 및 최소값을 산출하여, 이들 좌표가 상기 보호부의 영역내에 있는지 여부를 판정하는 것에 의해, 프로브 마크 위치의 양부를 판정한다.
도 2(a), (b1)는 상기 프로브 마크의 X좌표 및 Y좌표의 최대값 및 최소값을 나타내는 도면이다. 도면 중, Xmax는 프로브 마크의 X좌표의 최대값을, Xmin은 그 X좌표의 최소값을, Ymax는 그 Y좌표의 최대값을, Ymin은 그 Y좌표의 최소값을 각각 나타내고 있다. 도면에 나타내는 전극의 화상(927)은 주연 근방에 보호부가 형성되어 있고, Xmax, Xmin, Ymax, Ymin은 모두 보호부내에는 없기 때문에, 프로브 마크(937)가 차지하는 영역은 이 보호부와는 중복해 있지 않다고 판정할 수 있다.
다만, 프로브 마크(937)가 차지하는 영역은 이 보호부와 근접해 있는 경우에는 문제가 발생할 우려가 있기 때문에, 상세 검사(단계 S7)를 필요로 하는 경우가 있다. 그래서, 상기 프로브 마크 위치 판정 처리에서는, 프로브 마크(937)가 차지하는 영역과 보호부와의 근접의 정도를 동시에 판정한다. 이하, 도 2(a), (b2)를 참조하여 설명한다. 도 2(a), (b2)는 이 근접의 정도를 판정하기 위한 경계선을 나타내는 도면이다. Xmax, Xmin, Ymax, Ymin 중 어느 하나의 값이 제 1 경계선(901)보다 외측에 상당하는 좌표인 경우, 프로브 마크는 보호부내 또는 보호부에 매우 근접해 있다고 할 수 있기 때문에, 프로브 마크 위치는 불량하다고 판정되고, 제 1 경계선(901)보다 내측에 상당하는 좌표로서 또한 제 2 경계선(902)보다 외측에 상당하는 좌표인 경우, 프로브 마크는 보호부와 중복하지 않지만 비교적 근접해 있다고 할 수 있기 때문에, 프로브 마크 위치는 주요 조사라고 판정되고, 제 2 경계선(902)보다 내측에 상당하는 좌표인 경우, 프로브 마크는 보호부로부터 떨어져 있다고 할 수 있기 때문에, 프로브 마크 위치는 양호하다고 판정된다. 이러한 판정 결과(불량인지, 주요 조사인지, 양호한지)는 메모리 등에 일시 기억된다.
다시 도 12를 참조하여, 이상과 같은 프로브 마크 위치 판정 처리(단계 S260)가 종료하면, 다음에 프로브 마크 검사부(170)는 메모리 등에 일시 기억된 각종 판정 결과에 근거하여 소정의 분류 헤더를 작성하는 처리를 실행한다(단계 S270). 이 분류 헤더에는, 예를 들면, 테스트 일시, 테스트기 번호, 프로브 모델(모델 프로브 마크) 번호, 웨이퍼 품명, 웨이퍼 로트 번호, 칩 번호, 핀(전극) 번호, 프로브 판정(프로브 마크 양부 판정) 결과, 프로브 위치 판정 결과, 소정의 프로브 마크 검출 파라미터 등이 포함된다. 프로브 판정(프로브 마크 양부 판정) 결과는, 프로브 마크의 양부 판정 처리(단계 S240)에 의해 얻어지는 결과인 「양호」 또는 「불량」을 나타내는 데이터와, 판정 범위 산출 처리(단계 S220)에 의해 얻어지는 편차량 RT를 포함한다. 프로브 위치 판정 결과는, 프로브 마크 위치 판정 처리(단계 S260)에 의해 얻어지는 결과인 「불량」, 「주요 조사」, 또는 「양호」를 나타내는 데이터를 포함한다. 소정의 프로브 마크 검출 파라미터는 프로브 마크의 중심 좌표, Xmax, Xmin, Ymax, Ymin의 값을 포함하며, 또한 소정의 계산에 의해 얻어지는 프로브 마크의 면적이나 종횡비를 포함해도 무방하다. 이상의 내용을 포함하는 분류 헤더는 당해 전극의 화상 파일과 관련지어져(조건지어져), 대용량 보존부(160)(의 소정의 폴더 등)에 저장된다. 이러한 분류 헤더에 의해, 후에 실행되는 상세 검사(단계 S7)시 등에, 검사 대상으로 해야 하는 전극의 화상을 효율적으로 지정하여 골라낼 수 있다.
다음에, 프로브 마크 검사부(170)는 반도체 칩(91)에 포함되는 모든 전극의 화상을 판독하여 검사했는지 여부를 판정한다(단계 S280). 모든 화상을 판독하고 있지 않은 경우에는, 다음 전극의 화상을 판독하기 위해서 단계 S230의 처리로 되돌아가, 모든 화상을 판독할 때까지 상기 처리가 반복된다(S230→S240→S250→S260→S270→S280→S230). 모든 화상을 판독한 경우, 당해 반도체 칩(91)에 포함되는 모든 프로브 마크의 검사가 종료한다. 계속해서, 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 다음 반도체 칩에 포함되는 전극의 촬상 동작이 행해지고, 또한 당해 전극의 프로브 마크 검사를 실행하기 위해서, 상기와 마찬가지의 처리(단계 S210~S270)가 개시된다. 이 처리는 반도체 웨이퍼(90)에 포함되는 모든 반도체 칩의 촬상 동작 및 프로브 마크 검사 동작이 종료할 때까지 반복된다.
또한, 상기 처리(단계 S210~S270)를 포함하는 컴퓨터(10)의 프로브 마크 검사 동작은 반도체 칩의 전극의 촬상 동작이 종료한 후에 실행되지만, 컴퓨터(10)의 처리 속도가 충분히 빠른 경우에는, 하나의 전극이 촬상될 때에 당해 전극에 대한 프로브 마크 검사 동작이 실행되어도 무방하다. 또한, 이들 동작은 병행하여 실행되어도 무방하다.
< 4. 효과 >
상기 일실시예에 의하면, 본 프로브 마크 판독 장치(1)는 XY 스테이지(40)에 의해 그 재치대상에 재치되는 반도체 웨이퍼(90)를 X방향으로 정속(定速)으로 이동시켜, 광원(30)의 섬광에 의해 조명되는 전극을 CCD 카메라(20)에 의해 순서대로 촬상하는 구성으로 되어 있다. 이 구성에 의해, 본 프로브 마크 판독 장치(1)는 이용자가 전혀 수고하는 일 없이 또한 단시간에 전극의 화상을 취득하여 프로브 마크를 판독할 수 있다.
또한, 상기 일실시예에 의하면, 본 프로브 마크 판독 장치(1)는 광원(30)의 섬광에 의해 짧은 시간만큼 조명되는 전극을 CCD 카메라(20)에 의해 순서대로 촬상하는 구성으로 되어 있다. 이 구성에 의해, 본 프로브 마크 판독 장치(1)는 촬상 화상에 흔들림이 발생하지 않도록 할 수 있고, 또한 물리적인 셔터 장치 등에 의한 제어에 비해서 용이하고 또한 저렴한 장치 구성으로 화상을 취득할 수 있다.
또한, 상기 일실시예에 의하면, 본 프로브 마크 판독 장치(1)에 포함되는 트리거 신호 발생부(110)는 웨이퍼 정보 기억부(105)에 기억되는 반도체 칩(91)의 배열 및 그 전극(92)의 배열 등에 관한 배열 정보 Ia에 근거하여 촬상 대상으로 되어야 하는 모든 전극(92)의 중심 위치에 대응하는 좌표를 산출한다. 이에 의해, 반드시 등간격으로 배열되어 있지 않고 또한 반도체 웨이퍼에 의해 배치 위치가 변화될 가능성이 있는 다수의 전극에 형성된 다수의 프로브 마크를 고속으로 판독할 수 있다.
또한, 상기 일실시예에 의하면, 본 프로브 마크 판독 장치(1)는 초기 벡터를 산출할 때에만 시간이 걸리는 화상의 차분 연산을 실행하고, 다른 프로브 마크 검사에서는 초기 벡터 및 소정의 판정 범위(편차량 RT)에 근거하여 프로브 마크의 양부를 판정한다. 이에 의해, 전극을 촬영한 화상에 복수의 프로브 마크가 포함되는 경우이더라도, 최후의 프로브 테스트에 의해 형성된 프로브 마크의 양부나 프로브 마크 위치의 양부 등을 고속으로 판정할 수 있다. 예를 들면, 만약 1000핀 정도의 전극의 화상에서 프로브 테스트 전의 화상을 빼는 차분 연산을 실행한다고 하면, 하나의 차분 연산에 필요한 시간은 약 200미리초 정도이고, 최후의 프로브 테스트 전의 화상을 한번 판독하기 위해서 필요한 시간은 약 30미리초 정도이기 때문에, 모든 프로브 마크 검사에는 230초(약 4분) 정도의 시간이 걸린다. 이에 반하여, 1000핀 정도의 전극의 화상에 대하여 본 실시예에서의 프로브 마크 검사를 실행할 때, 하나의 프로브 마크 검출에 필요한 시간은 약 10미리초 정도이기 때문에, 모든 프로브 마크 검사는 10초 정도에서 종료한다. 따라서, 본 실시예에서의 프로브 마크 검사는 매우 고속으로 실행되는 것을 알 수 있다. 또한, 화소 단위로의 상기 차분 연산에 의하면 화상 취득시의 편차에 의한 오류 검출 등이 발생할 가능성이 있지만, 본 실시예에서의 프로브 마크 검사 동작에 의하면, 초기 벡터에 근거하는 상대적인 위치 검출이 실행되기 때문에, 화상 취득시의 편차나 화소의 명암 변화 등에 영향을 주는 일 없이, 정확히 프로브 마크 검사를 실행할 수 있다.
< 5. 변형예 >
상기 실시예에서는, 전극(92)(의 촬상 화상을 포함하는 화상(51))의 중심 좌표와 촬상 위치(20a)가 일치하기 때문에, 화상 데이터 Di에 포함되는 전극(92)은 하나이도록 구성되지만, 한번에 촬상되어야 하는 전극(92)의 수는 복수이어도 무방하다. 예를 들면, 이웃하는 전극의 중심 위치를 연결하는 직선의 중점 위치, 즉 이웃하는 전극의 중간 위치와 촬상 위치(20)가 일치하는 경우, 화상 데이터 Di에 포함되는 전극(92)은 2개로 되도록 구성된다.
도 9는 이 구성에 의해 2개의 전극(92a, 92b)의 촬상 화상을 포함하는 화상(51)을 예시하는 도면이다. 이들 전극(92a, 92b)에 대응하는 트리밍 경계선(52a, 52b) 내부 영역의 중심 위치는, 웨이퍼 정보 기억부(105)에 의해 표시되는 전극(92a, 92b)의 배열 등에 관한 배열 정보 Ia로부터 용이하게 산출할 수 있다. 그 때문에, 화상(51)에 대한 트리밍 경계선(52a, 52b)을 용이하게 설정할 수 있기 때문에, 전극(92a, 92b)의 촬상 화상을 공지의 화상 인식 처리에 의해 인식하는 것에 의해 트리밍 처리할 필요는 없어, 용이하게 트리밍 경계선(52a, 52b) 내부의 전극(92a, 92b)의 촬상 화상으로 이루어지는 트리밍된 2개의 화상 데이터 Di'를 생성할 수 있다.
여기서, CCD 카메라(20)가 매우 고해상도인 경우에는, 더 많은 전극의 화상을 한번의 촬상 동작에 의해 얻을 수 있다. 도 10은 4개 반의 전극(92a~92e)의 촬상 화상을 포함하는 화상(51)을 예시하는 도면이다. 이들 전극(92a~92e)의 촬상 화상에 대응하는 트리밍 경계선(52a~52e)의 중심 위치는 마찬가지로 웨이퍼 정보 기억부(105)에 의해 표시되는 전극의 배열 등에 관한 배열 정보 Ia로부터 용이하게 산출할 수 있기 때문에, 용이하게 트리밍 경계선(52a~52e) 내부의 전극(92a~92e)의 촬상 화상으로 이루어지는 트리밍된 복수의 화상 데이터 Di'를 생성할 수 있다. 단, 여기서는 전극(92e)은 그 전체가 촬상되고 있지 않기 때문에 파기되지만, 다음에 촬상되는 화상의 나머지 부분과 합성하는 것에 의해 전체의 화상이 생성되는 구성이어도 무방하다.
이와 같이 2개 이상의 전극의 화상을 한번의 촬상 동작에 의해 취득하는 구성에 의하면, CCD 카메라(20)에 의해 1장의 화상이 취득되는 촬영 시간으로 2개 이상의 전극의 화상을 순서대로 취득할 수 있기 때문에, XY 스테이지(40)(의 재치대)를 2배 이상의 이동 속도로 이동시킬 수 있다. 따라서, 이 구성에 의해, 본 프로브 마크 판독 장치(1)는 더욱 단시간에 전극의 화상을 취득하여 프로브 마크를 판독할 수 있다. 또한, 상기 변형예에서는, 촬상되는 복수의 전극은 도 10에 나타내는 바와 같이 X방향으로 이웃하는 구성으로 되어 있지만, Y방향으로 이웃하는 복수의 전극 또는 X방향 및 Y방향으로 각각 이웃하는 복수의 전극이 한번에 촬상되는 구성이어도 무방하다. 이 구성에서는, X방향의 판독이 종료한 후에 실행되는 촬상 위치(20a)의 Y방향으로의 이동 거리를 크게 취할(예를 들면, 2행 이상 이동함) 수 있기 때문에, 단시간에 전극의 화상을 취득하여 프로브 마크를 판독할 수 있다.
상기 실시예에서는, 광원(30)이 플래쉬 신호 Sf가 인가된 시점으로부터 수 마이크로초 정도의 짧은 시간만큼 고휘도의 섬광을 발생시키는 것에 의해, CCD 카메라(20)는 흔들림이 없는 촬상 화상을 취득하는 구성으로 되어 있다. 그러나, 흔들림이 없는 촬상 화상을 취득하기 위한 구성이면, 광원(30)으로부터 반도체 웨이퍼(90)를 지나서 CCD 카메라(20)에 내장되는 수광 소자까지의 광로의 도중의 어느 하나에, 통상은 광로를 차단하고 있고 소정의 시점에서 짧은 시간만큼 광로를 열도록 동작하는 셔터 장치를 새롭게 구비하는 구성이어도 무방하다. 또한, 이 셔터 장치는 전자적으로 실현되는 것이어도 무방하다. 이들 구성에 의하면, 광원(30)은 크세논 플래쉬 램프와 같은 플래쉬에는 한정되지 않는다. 또한, CCD 카메라(20)에 의해 흔들림이 없는 촬상 화상을 취득하기 위해서, 촬상 위치(20a)에 전극이 이동되기 전에 이동 속도가 감속되도록 XY 스테이지(40)를 제어하는 구성이어도 무방하다. 단, 이 구성에서는, 가속 및 감속이 반복되기 때문에 평균 속도가 시간이 늦어진다. 따라서, 일정한 빠른 속도로 이동시키는 상기 실시예의 구성이 보다 바람직하다.
상기 실시예에서는, XY 스테이지(40)에 의해 촬상 대상으로 되는 반도체 웨이퍼(90)의 위치가 이동시켜지는 것에 의해 촬상 위치(20a)가 연속해서 이동하는 구성이지만, XY 스테이지(40)를 대신하여 CCD 카메라(20)의 위치 또는 촬상 각도를 변화시키는 것에 의해 촬상 위치(20a)를 X방향 및 Y방향으로 이동시키는 카메라 이동 장치 또는 카메라 회전 장치가 구비되는 구성이어도 무방하다. 또한, XY 스테이지(40)가 생략되고 전극(92)의 상이 반사경을 거쳐서 CCD 카메라(20)에 인가되도록 반사경을 배치하여, 이 반사경의 각도를 변화시키는 것에 의해, CCD 카메라(20)의 촬상 위치(20a)를 X방향 및 Y방향으로 이동시키는 반사각 변화 장치가 구비되는 구성이어도 무방하다. 또한, 이들 구성이 적절히 조합되는 것에 의해 촬상 위치를 연속해서 이동하는 구성이어도 무방하다.
상기 실시예에서는, 반도체 웨이퍼(90) 중 하나의 반도체 칩에 포함되는 전극(92)을 순서대로 촬상하는 구성으로 되어 있지만, 반도체 웨이퍼(90) 전체를 순서대로 촬상하는 구성이어도 무방하다. 즉, X방향으로 촬상할 때에는 복수의 반도체 칩에 포함되는 전극(92)을 순서대로 촬상하는 구성이어도 무방하다. 이렇게 촬상하는 경우이더라도 웨이퍼 정보 기억부(105)에 의해 표시되는 반도체 칩의 배열 등에 관한 배열 정보 Ia에 근거하여, 촬상된 전극이 어떤 반도체 칩에 대응하는지를 용이하게 판정할 수 있다.
상기 실시예에서는, XY 스테이지(40)로부터의 인코더 신호 Se에 근거하여 피드백 제어가 실행되는 구성이지만, 이 인코더 신호 Se에 근거하는 일 없이, XY 스테이지 제어부(120)에 의해 XY 스테이지(40)의 재치대가 있어야 될 위치를 정확히 판별할 수 있는 경우에는, 이 있어야 될 위치에 근거하여 제어가 실행되는 구성이어도 무방하다.
상기 실시예에서는, 정속으로 이동하는 XY 스테이지(40)(의 재치대)상의 반도체 웨이퍼(90)를 CCD 카메라(20)에 의해 연속적으로 촬상해서 얻어지는 전극의 화상에 대하여 프로브 마크 검사 동작이 실행되지만, 상기 프로브 마크 검사 동작을 실현하기 위해서는 전극 패드의 촬상 화상이 존재하면 충분하다. 따라서, 상기 프로브 마크 검사 동작의 전제로서, 반드시 상기 촬상 동작이 실행될 필요는 없어, 예를 들면 종래의 촬상 동작에 의해 전극의 화상이 취득되어도 무방하며, 본 장치와는 상이한 장치에 의해 촬상된 전극의 화상이 본 장치에 인가되고, 인가된 화상에 근거하여 상기 프로브 마크 검사 동작이 실행되어도 무방하다. 이렇게 상기 실시예의 설명은 프로브 마크 검사 동작만을 실행하는 프로브 마크 검사 장치에도 적용할 수 있다.

Claims (20)

  1. 복수의 전극(92)을 갖는 피검사체(91)의 전기적 특성을 검사할 때에, 해당 전극상에 형성되는 프로브 마크(937)를 판독하기 위한 프로브 마크 판독 장치(1)로서,
    해당 복수의 전극내에서 촬상 대상의 전극을 조명하는 조명 기구(30)와,
    해당 조명 기구에 의해 조명되는, 해당 적어도 하나의 해당 전극의 적어도 일부를 그 촬상 위치(20a)에서 촬상하여, 해당 전극의 화상 정보를 얻는 촬상 기구(20)와, 여기서 해당 촬상 기구에는 그 해당 촬상 위치(20a)에서 소정 시간만큼, 적어도 하나의 해당 전극의 상(像)이 해당 촬상 기구에 인가되며,
    해당 복수의 전극내로부터 촬상 대상으로 되는 적어도 하나의 전극을 순차적으로 촬상 기구의 해당 촬상 위치에 배치하기 위한 촬상 대상 위치 변경 기구(40)와,
    해당 촬상 기구가 얻은 해당 화상 정보를 기억하는 메모리(10a)
    를 구비하는 프로브 마크 판독 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    해당 촬상 대상 위치 변경 기구는, 해당 촬상 기구가 해당 전극을 촬영하는데 필요로 하는 시간 이상의 시간 간격을 두고, 해당 복수의 전극내로부터 촬상 대상으로 되는 전극을 순차적으로 해당 촬상 위치에 배치하는 프로브 마크 판독 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    해당 조명 기구는, 섬광을 발생시키는 플래쉬 기구이며, 해당 촬상 대상의 전극이 해당 촬상 위치에 배치되어 있는 동안에 있어서, 소정 시간만큼 해당 섬광을 발생시키는 것에 의해, 해당 촬상 기구에 적어도 하나의 해당 전극의 촬영 상이 인가되는
    프로브 마크 판독 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    해당 피검사체에서의 해당 복수의 전극의 배치 위치에 관한 배열 정보를 기억하는 메모리(10a)와,
    해당 메모리에 기억되는 배열 정보에 근거하여, 해당 촬상 기구가 촬상하는 해당 전극의 배치 위치를 특정하고, 해당 촬상 대상 위치 변경 기구가 촬상 대상의 해당 전극을 해당 촬상 위치로 이동시킨 시점에서, 해당 촬상 기구에 촬상을 지시하는 트리거 기구
    를 더 구비하는 프로브 마크 판독 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    해당 메모리에 보존된 해당 화상 정보에 근거하여, 해당 화상에 포함되는 소정의 프로브 마크의 양부를 판정하는 프로브 마크 검사 기구를 더 구비하고,
    해당 프로브 마크 검사 기구는 초기 벡터 산출 기구와 프로브 마크 양부 판정 기구를 구비하고,
    초기 벡터 산출 기구는, 미리 등록된 모델의 프로브 마크의 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 초기 벡터를 산출하고,
    프로브 마크 양부 판정 기구는, 해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 해당 촬상 기구가 촬상한 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정하는
    프로브 마크 판독 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    해당 프로브 마크 검사 기구는, 전극의 주연 근방에 설정된 소정의 영역에 해당 촬상 기구가 촬상한 전극의 프로브 마크가 위치하고 있는지 여부를 판정하는 프로브 마크 위치 판정 기구를 더 구비하는
    프로브 마크 판독 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    해당 프로브 마크 검사 기구는, 또한 분류 헤더 작성 기구를 더 구비하고,
    해당 분류 헤더 작성 기구는, 복수의 전극 중 각 전극을 식별하는 식별 정보와, 해당 프로브 마크 양부 판정 기구의 판정 결과 정보를 포함하는 분류 헤더 정보를 생성하여, 각 전극의 화상 정보와 관련지어서 해당 분류 헤더 정보를 메모리에 보존하는
    프로브 마크 판독 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    해당 초기 벡터 산출 기구는,
    해당 메모리에 보존된 부분의 전기적 특성의 검사가 실행된 해당 전극의 해당 화상 정보와, 전기적 특성의 검사 전에 촬상된 해당 전극의 화상 정보를 차분 연산하는 것에 의해, 해당 전기적 특성의 검사에 의해 형성된 프로브 마크를 검출하는 검출 기구와,
    미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터, 해당 검출 기구에 의해 검출된 프로브 마크의 위치까지의 초기 벡터를 산출하는 산출 기구
    를 구비하는 프로브 마크 판독 장치.
  9. 제 5 항에 있어서,
    해당 초기 벡터 산출 기구는, 해당 피검사체의 각부(角部) 근방에 위치하는 4개의 전극에 관련된, 미리 등록된 모델로 되는 각 프로브 마크의 위치로부터, 해당 4개의 전극 각각의 위에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 해당 초기 벡터를 산출하고,
    해당 프로브 마크 양부 판정 기구는, 해당 초기 벡터의 방향 및 거리만큼 떨어진 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에 해당 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하고 있는지 여부를 판정하는
    프로브 마크 판독 장치.
  10. 복수의 전극을 갖는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 당해 전극상에 형성되는 프로브 마크를 검사하기 위한 프로브 마크 검사 장치로서,
    미리 등록된 모델의 프로브 마크 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크 위치까지의 초기 벡터를 산출하는 초기 벡터 산출 기구와,
    해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련된, 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 해당 촬상 기구가 촬상한 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정하는 프로브 마크 양부 판정 기구
    를 구비하는 프로브 마크 검사 장치.
  11. 복수의 전극을 포함하는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 당해 전극상에 형성되는 프로브 마크를 판독하기 위한 프로브 마크 판독 방법으로서,
    (a1) 촬상 기구(20)의 촬상 위치에 해당 전극을 배치하는 단계와,
    (a2) 조명 기구에 의해 촬상 위치에 배치된 해당 전극을 조명하는 단계와,
    (a3) 조명된 해당 전극을 촬상 기구가 촬상하여, 촬상에 의해 얻어지는 화상 정보를 출력하는 단계 - 촬상 기구에는 해당 전극이 촬상되어야 하는 소정의 시간만큼 해당 전극의 상이 인가됨 - 와,
    (a4) 해당 화상 정보를 수취하여, 화상 정보를 보존하는 단계
    를 구비하는 프로브 마크 판독 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 (a1)은, 하나의 화상을 취득하기 위한 촬영 시간 이상의 시간 간격을 확보하도록 미리 정해진 이동 속도로 복수의 전극을 순서대로 해당 촬상 위치에 배치하는 프로브 마크 판독 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 (a2)는, 해당 전극을 향해서 소정 시간만큼 섬광을 발생시키는 것에 의해, 촬상 기구에 해당 전극의 상을 인가하는 프로브 마크 판독 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    (a5) 해당 전극에 형성된 프로브 마크의 양부를 판정하는 단계는,
    (a5-1) 초기 벡터를 산출하는 단계 - 해당 초기 벡터는 미리 등록된 모델의 프로브 마크의 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 벡터임 - 와,
    (a5-2) 프로브 마크의 양부를 판정하는 단계 - 해당 발생한 마크의 양부의 판정은 해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터, 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 해당 촬상 기구가 촬상한 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정함 -
    를 구비하는 프로브 마크 판독 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 (a3)에서 촬상 기구는 촬상 대상의 전극상의 프로브 마크의 예측 위치를 촬영하는 프로브 마크 판독 방법.
  16. 복수의 전극을 포함하는 피검사체의 전기적 특성을 검사할 때에, 당해 전극상에 형성되는 프로브 마크를 검사하기 위한 프로브 마크 검사 방법으로서,
    (b1) 초기 벡터를 산출하는 단계 - 해당 초기 벡터는 미리 등록된 모델의 프로브 마크의 위치로부터 해당 복수의 전극 중 소정의 전극상에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 벡터임 - 와,
    (b2) 프로브 마크의 양부를 판정하는 단계 - 해당 프로브 마크의 양부의 판정은 해당 소정의 전극과는 상이한 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터, 해당 초기 벡터의 방향 및 거리에 있는 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하는지 여부를 판정함 -
    를 구비하는 프로브 마크 검사 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    (b3) 전극의 주연 근방에 설정된 소정의 영역에 해당 전극의 프로브 마크가 위치하고 있는지 여부를 판정하는 단계
    를 더 구비하는 프로브 마크 검사 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    (b4) 해당 복수의 전극 중 각 전극을 식별하는 정보와, 해당 (b2)의 판정에 관한 정보를 포함하는 분류 헤더 정보를 생성하여, 해당 분류 헤더 정보를 각 전극과 관련지어서 보존하는 단계
    를 더 구비하는 프로브 마크 검사 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 (b1)은,
    (b1-1) 전기적 특성의 검사가 실행된 해당 전극의 해당 화상 정보와, 전기적 특성의 검사 전에 촬상된 해당 전극의 화상 정보를 차분 연산하는 것에 의해, 해당 전기적 특성의 검사에 의해 형성된 해당 전극상의 프로브 마크를 검출하는 단계와,
    (b1-2) 미리 등록된 모델로 되는 프로브 마크의 위치로부터 해당 (b1-1)에서 검출된 프로브 마크의 위치까지의 초기 벡터를 산출하는 단계
    를 구비하는 프로브 마크 검사 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 (b1)은, 해당 피검사체의 각부 근방에 위치하는 4개의 전극에 관련되어 미리 등록된 모델로 되는 각 프로브 마크의 위치로부터, 해당 4개의 전극 각각의 위에 형성된 프로브 마크의 위치까지의 해당 초기 벡터를 산출하는 단계를 구비하고,
    상기 (b2)는, 해당 초기 벡터의 방향 및 거리만큼 떨어진 위치를 포함하는 소정의 판정 범위내에, 해당 전극상에 형성된 프로브 마크가 위치하고 있는지 여부를 판정하는 단계를 구비하는
    프로브 마크 검사 방법.
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